CN1560332A - 掺三价铈离子的钇铝石榴石闪烁晶体的制备方法 - Google Patents
掺三价铈离子的钇铝石榴石闪烁晶体的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1560332A CN1560332A CNA2004100164775A CN200410016477A CN1560332A CN 1560332 A CN1560332 A CN 1560332A CN A2004100164775 A CNA2004100164775 A CN A2004100164775A CN 200410016477 A CN200410016477 A CN 200410016477A CN 1560332 A CN1560332 A CN 1560332A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- crystal
- aluminum garnet
- yttrium aluminum
- trivalent cerium
- scintillation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 103
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 44
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 44
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 17
- -1 cerium ions Chemical class 0.000 title claims abstract description 12
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 150000001785 cerium compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 4
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims abstract description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 42
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims description 28
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 23
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 18
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 16
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 14
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 14
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 14
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 13
- 229910002493 Ce2(CO3)3 Inorganic materials 0.000 claims description 11
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910000421 cerium(III) oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000005303 weighing Methods 0.000 claims description 2
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 abstract description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 23
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 14
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 11
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 11
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 11
- 229910019655 synthetic inorganic crystalline material Inorganic materials 0.000 description 7
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229910019990 cerium-doped yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
一种掺三价铈离子的钇铝石榴石闪烁晶体的制备方法,其特点是在钇铝石榴石晶体生长配方中掺入三价铈的化合物:Ce(OH) 3,或Ce2 (C2O4) 3,或Ce(CH3COO) 3,或Ce2 (CO3) 3,然后在普通的中频感应加热单晶炉中用提拉法生长掺三价铈离子的钇铝石榴石闪烁晶体。本发明能在很大程度上减少Ce4+的引入,降低对Ce3+发光的猝灭作用,提高钇铝石榴石晶体的闪烁性能5%-10%。
Description
技术领域:
本发明涉及钇铝石榴石晶体,特别是一种掺三价铈离子的钇铝石榴石闪烁晶体的生长方法。
背景技术
掺铈的钇铝石榴石(Ce3+:YAG)晶体具有发光效率高、发光衰减快、热机械性能优良、发光峰值波长同常用的光电倍增管和硅光二极管的接受灵敏波长匹配好等优点,是综合性能优良的快衰减闪烁材料。Ce3+:YAG单晶体适合于探测α粒子、电子和β射线等轻带电粒子,尤其是Ce3+:YAG闪烁探测器在电子显微镜、β和X射线计数、电子和X射线成像屏等领域有广泛的应用。
1994年波兰学者M.Moszyński等人研究了Ce3+:YAG的闪烁性质,研究结果表明它将可以代替CsI(T1)和BGO用于轻带电粒子探测,而且由于其高熔点和不潮解特性,更适合在高温和潮湿的环境中长期使用(“Properties of YAG:Ce scintillator”,发表在Nuclear Instruments andMethods in Physics Research A 345(1994)461-467)。1997年波兰学者T.Ludziejewski等人对具有不同铈掺杂浓度的Ce3+:YAG晶体作了进一步的研究,他们认为应用于闪烁晶体的最适合的铈掺杂浓度是1mol% Ce左右(“Investigation of some scintillation properties of YAG:Ce crystals”,发表在Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A 398(1997)287-294)。
在Ce离子掺杂的闪烁晶体中,Ce4+离子对Ce3+发光中心有严重的猝灭效应,从而大大影响了晶体的闪烁性能(E.G.Gumanskaya,“Spectroscopic properties and scitillation efficiency of cerium-dopedYAlO3 single crystals”发表在Opt.Spectrosc.,第2期,第72卷,1992年第215页)。因此,如何有效降低晶体中Ce4+离子的浓度是提高晶体的闪烁效率的一个重要因素。
在先技术中,铈掺杂钇铝石榴石闪烁晶体的生长都是采用固相反应生成多晶料作为晶体生长时的初始原料(参见在先技术,人工晶体学报,30(4),2001,p.354-357;Journal of Crystal Growth,2003,Vol.253(1-4),P.290-296)。而多晶原料是将相应的高纯氧化物原料Y2O3,Al2O3,及CeO2在高温下合成的。该方法的缺点是:由于Ce的掺杂是通过CeO2引入的,而且Ce4+的半径较之Ce3+的半径和Y3+的半径更为接近,Ce元素的第四级电离能在镧系稀土元素中最低,这样所生长的晶体中必然含有大量的Ce4+离子,对Ce3+的发光产生严重的猝灭效应,从而降低了钇铝石榴石晶体的闪烁性能。
发明内容
本发明要解决大技术问题是克服上述在先技术的缺陷,提供一种掺三价铈离子的钇铝石榴石闪烁晶体的制备方法,以解决在先技术采用CeO2作为掺质原料,在钇铝石榴石晶体中引入大量的Ce4+从而导致降低晶体闪烁性能的问题。
本发明的技术解决方案如下:
一种掺三价铈离子的钇铝石榴石闪烁晶体的制备方法,其特征是在钇铝石榴石晶体生长配方中掺入三价铈的化合物:Ce(OH)3,或Ce2(C2O4)3,或Ce(CH3COO)3,或Ce2(CO3)3,然后在普通的中频感应加热单晶炉中用提拉法生长掺三价铈离子的钇铝石榴石闪烁晶体。
当所述的三价铈的化合物为Ce2(CO3)3,在中性气氛条件下,本发明的反应方程式如下:
其中0.1%≤x≤10%
本发明掺三价铈离子的钇铝石榴石闪烁晶体的制备方法的具体工艺流程如下:
①根据反应式 其中0.1%≤x≤10%,选定x;
②按上述配比称量Y2O3、Al2O3和Ce2O3的原料,机械混合均匀后,用压料机在20-40kg/cm2的压力下压制成饼;
③然后在中性气氛中,于1000-1600℃烧结10-20小时;
④装炉,抽真空,充高纯氮气或氩气,升温熔化准备生长:提拉速度为1-3mm/小时,旋转速度为10-20rpm;
⑤生长晶体后,缓慢降至室温,取出晶体。
本发明的优点:由于采用了Ce2(CO3)3等三价的Ce的化合物取代CeO2作为掺质原料,并且采用了中性气氛预烧混匀后的原料和生长晶体,所以能在很大程度上减少Ce4+的引入,降低对Ce3+发光的猝灭作用,从而提高钇铝石榴石晶体的闪烁性能约5%-10%。
具体实施方式
下面通过实施例对本发明作进一步说明。
实施例1.
以Ce2(CO3)3作为掺质原料,生长钇铝石榴石闪烁晶体。在中性气氛条件下,本例中的化学反应方程式为:
此处选定x=0.1%
所以将Y2O3,Al2O3,Ce2(CO3)3高纯原料按照2.997∶5∶0.003的摩尔配比称量,总重量为1Kg。机械混合均匀后,用压料机在40kg/cm2的压力下压制成饼然后在中性氮气气氛中于1600℃烧结20h,装炉抽真空充高纯氮气,升温熔化准备生长。提拉速度为3mm/h,旋转速度为20rpm。生长晶体后,缓慢降至室温,取出晶体。晶体无色透明完整,质量较好。测试其光输出闪烁性能发现较之以CeO2作为掺质原料的同浓度钇铝石榴石闪烁晶体提高约5%-10%。
实施例2.
以Ce2(CO3)3作为掺质原料,生长钇铝石榴石闪烁晶体。在中性气氛条件下,本例中的化学反应方程式为:
此处X=2%
所以将Y2O3,Al2O3,Ce2(CO3)3高纯原料按照2.994∶5∶0.006的摩尔配比称量,总重量为1Kg。机械混合均匀后,用压料机在20kg/cm2的压力下压制成饼然后在中性氮气气氛中于1000℃烧结10h,装炉抽真空充高纯氮气,升温熔化准备生长。提拉速度为2mm/h,旋转速度为10rpm。生长晶体后,缓慢降至室温,取出晶体。晶体无色透明完整,质量较好。测试其光输出闪烁性能发现较之以CeO2作为掺质原料的同浓度钇铝石榴石闪烁晶体提高约5%-10%。
实施例3.
以Ce2(CO3)3作为掺质原料,生长钇铝石榴石闪烁晶体。在中性气氛条件下,本例中的化学反应方程式为:
此处X=10%
所以将Y2O3,Al2O3,Ce2(CO3)3高纯原料按照2.7∶5∶0.3的摩尔配比称量,总重量为1Kg。机械混合均匀后,用压料机在40kg/cm2的压力下压制成饼然后在中性氮气气氛中于1400℃烧结14h,装炉抽真空充高纯氮气,升温熔化准备生长。提拉速度为1mm/h,旋转速度为12rpm。生长晶体后,缓慢降至室温,取出晶体。晶体无色透明完整,质量较好。测试其光输出闪烁性能发现较之以CeO2作为掺质原料的同浓度钇铝石榴石闪烁晶体提高约5%-10%。
实施例4.
以Ce(OH)3作为掺质原料,生长钇铝石榴石闪烁晶体。在中性气氛条件下,本例中的化学反应方程式为:
此处X=0.1%
所以将Y2O3,Al2O3,Ce(OH)3高纯原料按照2.997∶5∶0.006的摩尔配比称量,总重量为1Kg。机械混合均匀后,用压料机在40kg/cm2的压力下压制成饼然后在中性氮气气氛中于1600℃烧结20h,装炉抽真空充高纯氮气,升温熔化准备生长。提拉速度为3mm/h,旋转速度为20rpm。生长晶体后,缓慢降至室温,取出晶体。晶体无色透明完整,质量较好。测试其光输出闪烁性能发现较之以CeO2作为掺质原料的同浓度钇铝石榴石闪烁晶体提高约5%-10%。
实施例5.
以Ce(OH)3作为掺质原料,生长钇铝石榴石闪烁晶体。在中性气氛条件下,本例中的化学反应方程式为:
此处X=4%
所以将Y2O3,Al2O3,Ce(OH)3高纯原料按照2.88∶5∶0.24的摩尔配比称量,总重量为1Kg。机械混合均匀后,用压料机在20kg/cm2的压力下压制成饼然后在中性氮气气氛中于1200℃烧结14h,装炉抽真空充高纯氮气,升温熔化准备生长。提拉速度为2mm/h,旋转速度为20rpm。生长晶体后,缓慢降至室温,取出晶体。晶体无色透明完整,质量较好。测试其光输出闪烁性能发现较之以CeO2作为掺质原料的同浓度钇铝石榴石闪烁晶体提高约5%-10%。
实施例6.
以Ce(OH)3作为掺质原料,生长钇铝石榴石闪烁晶体。在中性气氛条件下,本例中的化学反应方程式为:
此处X=10%
所以将Y2O3,Al2O3,Ce(OH)3高纯原料按照2.7∶5∶0.6的摩尔配比称量,总重量为1Kg。机械混合均匀后,用压料机在30kg/cm2的压力下压制成饼然后在中性氮气气氛中于1500℃烧结18h,装炉抽真空充高纯氮气,升温熔化准备生长。提拉速度为1mm/h,旋转速度为12rpm。生长晶体后,缓慢降至室温,取出晶体。晶体无色透明完整,质量较好。测试其光输出闪烁性能发现较之以CeO2作为掺质原料的同浓度钇铝石榴石闪烁晶体提高约5%-10%。
实施例7.
以Ce2(C2O4)3作为掺质原料,生长钇铝石榴石闪烁晶体。在中性气氛条件下,本例中的化学反应方程式为:
此处X=0.1%
所以将Y2O3,Al2O3,Ce2(C2O4)3高纯原料按照2.997∶5∶0.003的摩尔配比称量,总重量为1Kg。机械混合均匀后,用压料机在40kg/cm2的压力下压制成饼然后在中性氮气气氛中于1300℃烧结16h,装炉抽真空充高纯氮气,升温熔化准备生长。提拉速度为3mm/h,旋转速度为16rpm。生长晶体后,缓慢降至室温,取出晶体。晶体无色透明完整,质量较好。测试其光输出闪烁性能发现较之以CeO2作为掺质原料的同浓度钇铝石榴石闪烁晶体提高约5%-10%。
实施例8.
以Ce2(C2O4)3作为掺质原料,生长钇铝石榴石闪烁晶体。在中性气氛条件下,本例中的化学反应方程式为:
此处X=5%
所以将Y2O3,Al2O3,Ce2(C2O4)3高纯原料按照2.85∶5∶0.15的摩尔配比称量,总重量为1Kg。机械混合均匀后,用压料机在20kg/cm2的压力下压制成饼然后在中性氮气气氛中于1350℃烧结14h,装炉抽真空充高纯氮气,升温熔化准备生长。提拉速度为2mm/h,旋转速度为14rpm。生长晶体后,缓慢降至室温,取出晶体。晶体无色透明完整,质量较好。测试其光输出闪烁性能发现较之以CeO2作为掺质原料的同浓度钇铝石榴石闪烁晶体提高约5%-10%。
实施例9.
以Ce2(C2O4)3作为掺质原料,生长钇铝石榴石闪烁晶体。在中性气氛条件下,本例中的化学反应方程式为:
此处X=10%
所以将Y2O3,Al2O3,Ce2(C2O4)3高纯原料按照2.7∶5∶0.3的摩尔配比称量,总重量为1Kg。机械混合均匀后,用压料机在35kg/cm2的压力下压制成饼然后在中性氮气气氛中于1440℃烧结15h,装炉抽真空充高纯氮气,升温熔化准备生长。提拉速度为1mm/h,旋转速度为10rpm。生长晶体后,缓慢降至室温,取出晶体。晶体无色透明完整,质量较好。测试其光输出闪烁性能发现较之以CeO2作为掺质原料的同浓度钇铝石榴石闪烁晶体提高约5%-10%。
实施例10.
以Ce(CH3COO)3作为掺质原料,生长钇铝石榴石闪烁晶体。在中性气氛条件下,本例中的化学反应方程式为:
此处X=0.1%
所以将Y2O3,Al2O3,Ce(CH3COO)3高纯原料按照2.997∶5∶0.006的摩尔配比称量,总重量为1Kg。机械混合均匀后,用压料机在35kg/cm2的压力下压制成饼然后在中性氮气气氛中于1250℃烧结16h,装炉抽真空充高纯氮气,升温熔化准备生长。提拉速度为3mm/h,旋转速度为20rpm。生长晶体后,缓慢降至室温,取出晶体。晶体无色透明完整,质量较好。测试其光输出闪烁性能发现较之以CeO2作为掺质原料的同浓度钇铝石榴石闪烁晶体提高约5%-10%。
实施例11.
以Ce(CH3COO)3作为掺质原料,生长钇铝石榴石闪烁晶体。在中性气氛条件下,本例中的化学反应方程式为:
此处X=6%
所以将Y2O3,Al2O3,Ce(CH3COO)3高纯原料按照2.82∶5∶0.36的摩尔配比称量,总重量为1Kg。机械混合均匀后,用压料机在35kg/cm2的压力下压制成饼然后在中性氮气气氛中于1150℃烧结18h,装炉抽真空充高纯氮气,升温熔化准备生长。提拉速度为2mm/h,旋转速度为14rpm。生长晶体后,缓慢降至室温,取出晶体。晶体无色透明完整,质量较好。测试其光输出闪烁性能发现较之以CeO2作为掺质原料的同浓度钇铝石榴石闪烁晶体提高约5%-10%。
实施例12.
以Ce(CH3COO)3作为掺质原料,生长钇铝石榴石闪烁晶体。在中性气氛条件下,本例中的化学反应方程式为:
此处X=10%
所以将Y2O3,Al2O3,Ce(CH3COO)3高纯原料按照2.7∶5∶0.6的摩尔配比称量,总重量为1Kg。机械混合均匀后,用压料机在25kg/cm2的压力下压制成饼然后在中性氮气气氛中于1450℃烧结14h,装炉抽真空充高纯氮气,升温熔化准备生长。提拉速度为1mm/h,旋转速度为12rpm。生长晶体后,缓慢降至室温,取出晶体。晶体无色透明完整,质量较好。测试其光输出闪烁性能发现较之以CeO2作为掺质原料的同浓度钇铝石榴石闪烁晶体提高约5%-10%。
Claims (3)
1、一种掺三价铈离子的钇铝石榴石闪烁晶体的制备方法,其特征是在钇铝石榴石晶体生长配方中掺入三价的铈的化合物:Ce(OH)3,或Ce2(C2O4)3,或Ce(CH3COO)3,或Ce2(CO3)3,然后在普通的中频感应加热单晶炉中用提拉法生长掺三价铈离子的钇铝石榴石闪烁晶体。
2、根据权利要求1所述的掺三价铈离子的钇铝石榴石闪烁晶体的制备方法,其特征在于所述的三价铈的化合物为Ce2(CO3)3,在中性气氛条件下,本发明的反应方程式如下:
其中0.1%≤x≤10%
3、根据权利要求1所述的掺三价铈离子的钇铝石榴石闪烁晶体的制备方法,其特征在于该方法的具体工艺流程如下:
①根据反应方程式
其中0.1%≤x≤10%,选定x;
②按上述配比称量Y2O3、Al2O3和Ce2O3的原料,机械混合均匀后,用压料机在20-40kg/cm2的压力下压制成饼;
③然后在中性气氛中,于1000-1600℃烧结10-20小时;
④装炉,抽真空,充高纯氮气或氩气,升温熔化准备生长:提拉速度为1-3mm/小时,旋转速度为10-20rpm;
⑤生长晶体后,缓慢降至室温,取出晶体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNA2004100164775A CN1560332A (zh) | 2004-02-23 | 2004-02-23 | 掺三价铈离子的钇铝石榴石闪烁晶体的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNA2004100164775A CN1560332A (zh) | 2004-02-23 | 2004-02-23 | 掺三价铈离子的钇铝石榴石闪烁晶体的制备方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1560332A true CN1560332A (zh) | 2005-01-05 |
Family
ID=34440498
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNA2004100164775A Pending CN1560332A (zh) | 2004-02-23 | 2004-02-23 | 掺三价铈离子的钇铝石榴石闪烁晶体的制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN1560332A (zh) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1834201B (zh) * | 2005-03-04 | 2012-06-13 | 通用电气公司 | 卤化铈的闪烁体组合物、相关制品和方法 |
CN103059860A (zh) * | 2012-09-17 | 2013-04-24 | 温州大学 | 一种锰掺杂钇铝石榴石单晶材料及其应用 |
CN105283526A (zh) * | 2013-10-23 | 2016-01-27 | 株式会社光波 | 单晶荧光体、含荧光体构件以及发光装置 |
WO2018058872A1 (zh) * | 2016-09-30 | 2018-04-05 | 中国人民大学 | 一种大面积超薄单晶及其快速生长方法 |
CN108603113A (zh) * | 2016-02-02 | 2018-09-28 | 株式会社田村制作所 | 荧光体及其制造方法、含荧光体构件以及发光装置或投影仪 |
-
2004
- 2004-02-23 CN CNA2004100164775A patent/CN1560332A/zh active Pending
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1834201B (zh) * | 2005-03-04 | 2012-06-13 | 通用电气公司 | 卤化铈的闪烁体组合物、相关制品和方法 |
CN103059860A (zh) * | 2012-09-17 | 2013-04-24 | 温州大学 | 一种锰掺杂钇铝石榴石单晶材料及其应用 |
CN103059860B (zh) * | 2012-09-17 | 2015-01-07 | 温州大学 | 一种锰掺杂钇铝石榴石单晶材料及其应用 |
CN105283526A (zh) * | 2013-10-23 | 2016-01-27 | 株式会社光波 | 单晶荧光体、含荧光体构件以及发光装置 |
CN108538991A (zh) * | 2013-10-23 | 2018-09-14 | 株式会社光波 | 发光装置的CIE色度(x,y)的调整方法 |
CN110838540A (zh) * | 2013-10-23 | 2020-02-25 | 株式会社光波 | 发光装置 |
CN110835534A (zh) * | 2013-10-23 | 2020-02-25 | 株式会社光波 | 含荧光体构件和发光装置 |
CN108603113A (zh) * | 2016-02-02 | 2018-09-28 | 株式会社田村制作所 | 荧光体及其制造方法、含荧光体构件以及发光装置或投影仪 |
CN108603113B (zh) * | 2016-02-02 | 2022-07-05 | 株式会社田村制作所 | 荧光体及其制造方法、含荧光体构件以及发光装置或投影仪 |
WO2018058872A1 (zh) * | 2016-09-30 | 2018-04-05 | 中国人民大学 | 一种大面积超薄单晶及其快速生长方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101993240B (zh) | 一种Ce3+掺杂硅酸镥(Lu2SiO5)多晶闪烁光学陶瓷的制备方法 | |
CN101665696B (zh) | 掺Eu3+的氧化镧钇荧光粉和透明闪烁陶瓷的制备方法 | |
CN1730607A (zh) | 一种铈、钆激活的钇铝石榴石荧光粉及制取方法 | |
CN1908115A (zh) | 高亮度红色碱土钛酸盐荧光粉及其还原气氛处理制备方法 | |
CN1587447A (zh) | 掺铈焦硅酸镥高温闪烁单晶体的制备方法 | |
CN102674838A (zh) | Eu3+和Ce3+共掺氧化镧钇闪烁透明陶瓷材料的制备方法 | |
CN101089242B (zh) | 掺钕钨酸锂镧钡激光晶体及其制备方法和用途 | |
CN1800092A (zh) | 氧化铪-氧化钆固溶体透明陶瓷闪烁材料及其制备方法和用途 | |
CN1560332A (zh) | 掺三价铈离子的钇铝石榴石闪烁晶体的制备方法 | |
CN1259464C (zh) | 掺铈的钇铝石榴石晶体的生长方法 | |
CN1249274C (zh) | 掺三价铈离子的铝酸盐闪烁晶体的制备方法 | |
CN1563517A (zh) | 掺三价铈离子的正硅酸盐闪烁晶体的制备方法 | |
CN1587196A (zh) | 一种高光输出快衰减闪烁陶瓷及其制备方法 | |
CN1259465C (zh) | 掺三价铈离子稀土硅酸盐闪烁晶体的制备方法 | |
CN1286942C (zh) | 一种真空紫外激发的绿色硼酸盐发光材料的制备方法 | |
CN101037802A (zh) | 掺钕钼酸钆钡激光晶体及其制备方法和用途 | |
CN114369457A (zh) | 一种绿色长余辉发光材料的制备方法 | |
CN1563514A (zh) | 掺三价铈离子稀土铝酸盐晶体的制备方法 | |
CN1210370C (zh) | 一种彩色等离子平板显示用蓝色荧光粉及其制造方法 | |
CN106835280B (zh) | 一种稀土离子Ln3+掺杂铝酸钆锶激光晶体 | |
CN1974449A (zh) | 一种掺钐离子的转光玻璃及其制备方法 | |
CN1702143A (zh) | 用微波加热法一步合成稀土掺杂光致荧光材料 | |
CN1292107C (zh) | 掺钕钆镓石榴石激光晶体的生长方法 | |
CN102557598B (zh) | Ce:Lu2SiO5多晶闪烁光学陶瓷的无压烧结制备方法 | |
CN1566415A (zh) | 掺钕硼酸镧锶激光晶体及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |