WO2015019846A1 - 中空型電子デバイス封止用樹脂シート及び中空型電子デバイスパッケージの製造方法 - Google Patents

中空型電子デバイス封止用樹脂シート及び中空型電子デバイスパッケージの製造方法 Download PDF

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WO2015019846A1
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resin
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filler
hollow
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豊田 英志
裕之 千歳
石坂 剛
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日東電工株式会社
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    • H01L2924/15787Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides

Definitions

  • the present invention relates to a resin sheet for sealing a hollow electronic device and a method for manufacturing a hollow electronic device package.
  • thermosetting resin sheet As a method of manufacturing a hollow electronic device package in which a hollow electronic device such as a SAW (Surface Acoustic Wave) filter is sealed with a resin, the hollow electronic device fixed to a substrate is sealed with a thermosetting resin sheet.
  • SAW Surface Acoustic Wave
  • the hollow electronic device package it is important to secure the hollow portion and to suppress the warpage of the hollow electronic device package.
  • the present invention solves the above-described problems, and provides a hollow electronic device sealing resin sheet and a hollow electronic device package that can secure a hollow portion of the hollow electronic device package and suppress warpage of the hollow electronic device package. With the goal.
  • the present invention comprises a first resin layer and a second resin layer, the first resin layer and the second resin layer include a filler,
  • the present invention relates to a resin sheet for sealing a hollow electronic device that satisfies the following formula (1) and the following formula (2).
  • Content (volume%) of the filler in the first resin layer ⁇ Content (volume%) of the filler in the second resin layer (1) Viscosity of the first resin layer> viscosity of the second resin layer (2)
  • the second resin layer 2 plays a role of suppressing warpage of the hollow electronic device package. Can be made. Moreover, since the viscosity of the 1st resin layer 1 is higher than the viscosity of the 2nd resin layer 2, the penetration
  • the ratio of the viscosity of the first resin layer to the viscosity of the second resin layer is preferably 3 to 1000.
  • the ratio of the tensile storage modulus of the first resin layer to the tensile storage modulus of the second resin layer is It is preferably 5 to 500.
  • Ratio of the average particle diameter of the filler in the first resin layer to the average particle diameter of the filler in the second resin layer (average particle diameter of the filler in the first resin layer / second
  • the average particle size of the filler in the resin layer is preferably 0.01 to 0.5.
  • the content of the filler in the first resin layer is 69% by volume or less and the content of the filler in the second resin layer exceeds 69% by volume.
  • the ratio of the thickness of the first resin layer to the thickness of the second resin layer is 0.05 to 0.3. Is preferred.
  • the viscosity of the first resin layer is 10,000 Pa ⁇ s or more.
  • the present invention also includes a step of preparing the resin sheet for sealing the hollow electronic device, a step of preparing a substrate on which the hollow electronic device is mounted, and the first resin layer is the hollow electronic device and the substrate. And a step of laminating the resin sheet for sealing a hollow electronic device on the substrate so as to come into contact with the substrate.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a resin sheet according to Embodiment 1.
  • FIG. It is a cross-sectional schematic diagram of a printed wiring board on which a SAW filter is mounted. It is a figure which shows typically a mode that the SAW filter was sealed with the resin sheet of Embodiment 1.
  • FIG. It is a figure which shows typically a mode that the SAW filter package was diced. It is a figure which shows typically a mode that the chip-shaped SAW filter package was mounted in the board
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a resin sheet 11 according to the first embodiment.
  • the resin sheet 11 has a structure in which a first resin layer 1 and a second resin layer 2 are laminated.
  • supports such as a polyethylene terephthalate (PET) film may be provided on both surfaces of the resin sheet 11.
  • PET polyethylene terephthalate
  • a release treatment may be applied to the support.
  • the resin sheet 11 satisfies the following formula (1) and the following formula (2).
  • the second resin layer 2 plays a role of suppressing warpage of the hollow electronic device package. Can be made. Moreover, since the viscosity of the 1st resin layer 1 is higher than the viscosity of the 2nd resin layer 2, the penetration
  • the ratio of the viscosity of the first resin layer 1 to the viscosity of the second resin layer 2 is preferably 3 or more, more preferably 10 or more. It is. When it is 3 or more, hollow formability can be ensured.
  • the ratio of the viscosity of the first resin layer 1 to the viscosity of the second resin layer 2 is preferably 1000 or less, more preferably 500 or less. When it is 1000 or less, the resin embedding property to the hollow electronic device is good. That is, entrainment voids during molding can be eliminated.
  • Ratio of tensile storage modulus of first resin layer 1 to tensile storage modulus of second resin layer 2 Is preferably 5 or more, more preferably 10 or more. If it is 5 or more, the resin sheet 11 is not too soft and the handling properties are good.
  • the ratio of the tensile storage modulus of the first resin layer 1 to the tensile storage modulus of the second resin layer 2 is preferably 500 or less, more preferably 300 or less. When it is 500 or less, it is possible to prevent cracking or chipping of the resin sheet 11 during handling.
  • the average particle diameter of the filler in the second resin layer 2 is larger than the average particle diameter of the filler in the first resin layer 1.
  • the reliability of the electronic device package can be increased by increasing the filler filling amount in the second resin layer 2. It is also effective in reducing warpage.
  • the ratio of the average particle diameter of the filler in the first resin layer 1 to the average particle diameter of the filler in the second resin layer 2 (average particle diameter of filler in the first resin layer 1 / second resin)
  • the average particle size of the filler in the layer 2 is preferably 0.01 or more, more preferably 0.1 or more. When it is 0.01 or more, the sealing sheet 11 having both high reliability and hollow moldability can be designed.
  • the ratio of the average particle size of the filler in the first resin layer 1 to the average particle size of the filler in the second resin layer 2 is preferably 0.5 or less, more preferably 0.4 or less. When it is 0.5 or less, the adhesion between the layers is good, so that peeling between the layers can be prevented.
  • the ratio of the thickness of the first resin layer 1 to the thickness of the second resin layer 2 is preferably 0.05 or more. When it is 0.05 or more, it is possible to prevent the first resin layer 1 from being broken at the chip edge or the like when the hollow electronic device package is molded.
  • the ratio of the thickness of the first resin layer 1 to the thickness of the second resin layer 2 is preferably 0.3 or less, more preferably 0.15 or less, and even more preferably 0.1 or less.
  • the curvature of a hollow type electronic device package can be suppressed as it is 0.3 or less.
  • the first resin layer 1 has a lower filler content than the second resin layer 2, but has a higher viscosity than the second resin layer 2. For example, by containing a relatively large amount of elastomer component in the first resin layer 1, the first resin layer 1 having a high viscosity can be obtained. Moreover, the 1st resin layer 1 with high viscosity can be obtained by making the 1st resin layer 1 contain a filler with a small average particle diameter.
  • elastomer component Various known materials can be used as the elastomer component.
  • natural rubber butyl rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ethylene-acrylic acid ester copolymer, polybutadiene resin, polycarbonate resin, thermoplastic polyimide resin, 6 -Polyamide resins such as nylon and 6,6-nylon, phenoxy resins, acrylic elastomers (acrylic resins), saturated polyester resins such as PET and PBT, polyamideimide resins, fluororesins, styrene-isobutylene-styrene block copolymers, etc. Is mentioned. Of these, acrylic elastomers are preferred.
  • the acrylic elastomer is not particularly limited, and one or more esters of acrylic acid or methacrylic acid having a linear or branched alkyl group having 30 or less carbon atoms, particularly 4 to 18 carbon atoms, or Examples thereof include polymers (acrylic copolymers) containing two or more components.
  • alkyl group examples include a methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, t-butyl group, isobutyl group, amyl group, isoamyl group, hexyl group, heptyl group, cyclohexyl group, 2- Examples include ethylhexyl group, octyl group, isooctyl group, nonyl group, isononyl group, decyl group, isodecyl group, undecyl group, lauryl group, tridecyl group, tetradecyl group, stearyl group, octadecyl group, and dodecyl group.
  • the other monomer forming the polymer is not particularly limited, and for example, acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl acrylate, carboxypentyl acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid Or a carboxyl group-containing monomer such as crotonic acid, an acid anhydride monomer such as maleic anhydride or itaconic anhydride, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, (meth ) 4-hydroxybutyl acrylate, 6-hydroxyhexyl (meth) acrylate, 8-hydroxyoctyl (meth) acrylate, 10-hydroxydecyl (meth) acrylate, 12-hydroxylauryl (meth) acrylate or (4 -Hydroxymethyl cycle Hexyl) -hydroxyl group-containing monomers such as methyl acrylate, styrene sulfonic
  • acrylic resins those having a weight average molecular weight of 100,000 or more are preferable, those having 300,000 to 3,000,000 are more preferable, and those having 500,000 to 2,000,000 are more preferable.
  • the weight average molecular weight is a value measured by GPC (gel permeation chromatography) and calculated in terms of polystyrene.
  • the content of the elastomer component in the first resin layer 1 is preferably relatively high, for example, preferably 10% by weight or more, and more preferably 11% by weight or more.
  • the viscosity of the 1st resin layer 1 can be raised as it is 10 weight% or more, and the penetration
  • the content of the elastomer component in the first resin layer 1 is preferably 50% by weight or less, and more preferably 20% by weight or less. When it is 50% by weight or less, the hardness and strength after thermosetting increase, and the reliability as a package is good.
  • the first resin layer 1 includes a filler.
  • an inorganic filler is preferable.
  • the inorganic filler include quartz glass, talc, silica (such as fused silica and crystalline silica), alumina, aluminum nitride, silicon nitride, and boron nitride.
  • silica and alumina are preferable, and silica is more preferable because the linear expansion coefficient can be satisfactorily reduced.
  • Silica is preferably fused silica and more preferably spherical fused silica because it is excellent in fluidity.
  • the average particle diameter of the filler is preferably 0.1 ⁇ m or more, more preferably 0.5 ⁇ m or more, and further preferably 1 ⁇ m or more. When it is 0.1 ⁇ m or more, the dispersibility with other organic compositions is good, and a uniform composition is easily obtained.
  • the average particle diameter of the filler is preferably 15 ⁇ m or less, more preferably 10 ⁇ m or less.
  • the thickness of the 1st resin layer 1 can be made thin as it is 15 micrometers or less. Moreover, the viscosity of the 1st resin layer 1 can be raised easily.
  • the average particle diameter can be derived, for example, by using a sample arbitrarily extracted from the population and measuring it using a laser diffraction / scattering particle size distribution measuring apparatus.
  • the content of the filler in the first resin layer 1 is preferably 69% by volume or less, more preferably 62% by volume or less. When the content is 69% by volume or less, the followability to the hollow electronic device (unevenness followability) is good. On the other hand, the filler content is preferably 35% by volume or more, and more preferably 45% by volume or more. A favorable hollow moldability is obtained as it is 35 volume% or more.
  • the filler content can also be explained by using “% by weight” as a unit. Typically, the content of silica will be described in units of “% by weight”. Since silica usually has a specific gravity of 2.2 g / cm 3 , the preferred range of the silica content (% by weight) is, for example, as follows. That is, the content of silica in the first resin layer 1 is preferably 80% by weight or less, and more preferably 75% by weight or less. The content of silica in the first resin layer 1 is preferably 50% by weight or more, and more preferably 60% by weight or more. The filler content of 69% by volume corresponds to 80% by weight.
  • the preferred range of the alumina content is, for example, as follows. That is, the content of alumina in the first resin layer 1 is preferably 88% by weight or less, and more preferably 84% by weight or less. The content of alumina in the first resin layer 1 is preferably 64% by weight or more, and more preferably 73% by weight or more.
  • the first resin layer 1 preferably contains a thermosetting resin.
  • the thermosetting resin include an epoxy resin and a phenol resin. More preferably, the first resin layer 1 includes an epoxy resin.
  • the epoxy resin is not particularly limited.
  • triphenylmethane type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, modified bisphenol A type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, modified bisphenol F type epoxy resin, dicyclopentadiene type Various epoxy resins such as an epoxy resin, a phenol novolac type epoxy resin, and a phenoxy resin can be used. These epoxy resins may be used alone or in combination of two or more.
  • the epoxy resin is solid at room temperature having an epoxy equivalent of 150 to 250 and a softening point or melting point of 50 to 130 ° C.
  • triphenylmethane type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, and biphenyl type epoxy resin are more preferable from the viewpoint of reliability.
  • the first resin layer 1 preferably contains a phenol resin.
  • the phenol resin is not particularly limited as long as it causes a curing reaction with the epoxy resin.
  • a phenol novolac resin, a phenol aralkyl resin, a biphenyl aralkyl resin, a dicyclopentadiene type phenol resin, a cresol novolak resin, a resole resin, or the like is used.
  • These phenolic resins may be used alone or in combination of two or more.
  • phenolic resin those having a hydroxyl equivalent weight of 70 to 250 and a softening point of 50 to 110 ° C. are preferably used from the viewpoint of reactivity with the epoxy resin, and in particular, phenol novolak from the viewpoint of high curing reactivity. Resin can be used suitably. From the viewpoint of reliability, low hygroscopic materials such as phenol aralkyl resins and biphenyl aralkyl resins can also be suitably used.
  • the total content of the epoxy resin and the phenol resin in the first resin layer 1 is preferably 10% by weight or more. Adhesive force with respect to an electronic device, a board
  • the total content of the epoxy resin and the phenol resin in the first resin layer 1 is preferably 50% by weight or less, and more preferably 35% by weight or less. A hollow moldability is favorable in it being 50 weight% or less.
  • the blending ratio of the epoxy resin and the phenol resin is blended so that the total of hydroxyl groups in the phenol resin is 0.7 to 1.5 equivalents with respect to 1 equivalent of the epoxy group in the epoxy resin from the viewpoint of curing reactivity. It is preferable to use 0.9 to 1.2 equivalents.
  • the first resin layer 1 preferably contains a curing accelerator.
  • the curing accelerator is not particularly limited as long as it can cure the epoxy resin and the phenol resin, and examples thereof include organophosphorus compounds such as triphenylphosphine and tetraphenylphosphonium tetraphenylborate; 2-phenyl-4, And imidazole compounds such as 5-dihydroxymethylimidazole and 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole.
  • organophosphorus compounds such as triphenylphosphine and tetraphenylphosphonium tetraphenylborate
  • 2-phenyl-4, And imidazole compounds such as 5-dihydroxymethylimidazole and 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole.
  • the content of the curing accelerator is preferably 0.1 to 5 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the total of the epoxy resin and the phenol resin.
  • the 1st resin layer 1 may contain suitably the compounding agent generally used for manufacture of sealing resin other than the said component, for example, a flame retardant component, a silane coupling agent, etc.
  • the first resin layer 1 can be manufactured by a general manufacturing method. For example, each of the above components is dissolved or dispersed in a solvent (for example, methyl ethyl ketone, ethyl acetate, etc.) to prepare a coating solution. After the coating solution is applied onto a substrate separator, the coating film is dried. Thereby, the 1st resin layer 1 is producible.
  • a solvent for example, methyl ethyl ketone, ethyl acetate, etc.
  • the thickness of the first resin layer 1 can be appropriately set according to the height of the hollow portion. Since the height of the hollow portion is usually 15 to 50 ⁇ m, the thickness of the first resin layer 1 is preferably 15 ⁇ m or more, more preferably 20 ⁇ m or more. When the thickness is 15 ⁇ m or more, it is possible to prevent the first resin layer 1 from being broken and the second resin layer 2 from entering the hollow portion when the hollow electronic device package is molded. Moreover, the thickness of the 1st resin layer 1 becomes like this. Preferably it is 70 micrometers or less, More preferably, it is 50 micrometers or less. When the thickness is 70 ⁇ m or less, the entire thickness of the resin sheet 11 can be reduced, and a thin package can be manufactured.
  • the viscosity of the first resin layer 1 is preferably 10,000 Pa ⁇ s or more, more preferably 20000 Pa ⁇ s or more, and further preferably 200,000 Pa ⁇ s or more. When the pressure is 10,000 Pa ⁇ s or more, the first resin layer 1 can be prevented from entering the hollow portion of the hollow electronic device package.
  • the viscosity of the first resin layer 1 is preferably 500,000 Pa ⁇ s or less, more preferably 300,000 Pa ⁇ s or less. A favorable uneven
  • trackability is acquired as it is 500,000 Pa.s or less.
  • the viscosity of the 1st resin layer 1 can be measured by the method as described in an Example.
  • the viscosity of the first resin layer 1 can be controlled by the content of the acrylic resin, the content of the filler, and the particle size of the filler.
  • the viscosity of the first resin layer 1 can be increased by increasing the amount of acrylic resin, increasing the amount of filler, or reducing the particle size of the filler.
  • the tensile storage elastic modulus of the first resin layer 1 is preferably 2 MPa or more.
  • the penetration of the first resin layer 1 into the hollow part of the hollow electronic device package can be suppressed as it is 2 MPa or more.
  • the tensile storage elastic modulus of the first resin layer 1 is preferably 10 MPa or less.
  • trackability is acquired as it is 10 Mpa or less.
  • the tensile storage elastic modulus of the 1st resin layer 1 can be measured by the method as described in an Example.
  • the tensile storage modulus of the first resin layer 1 can be controlled by filler content, filler particle size, elastomer component composition and content, and epoxy resin molecular structure and content.
  • the second resin layer 2 includes a filler.
  • the average particle diameter of the filler blended in the second resin layer 2 is preferably 10 ⁇ m or more, more preferably 15 ⁇ m or more. When it is 10 ⁇ m or more, the filler filling amount can be easily increased.
  • the average particle diameter of the filler is preferably 40 ⁇ m or less, more preferably 20 ⁇ m or less. When the thickness is 40 ⁇ m or less, the thickness of the resin sheet 11 can be reduced, and the resin sheet 11 having good surface smoothness can be obtained.
  • the filler is preferably treated (pretreated) with a silane coupling agent. Thereby, wettability with resin can be improved and the dispersibility of a filler can be improved.
  • the silane coupling agent is a compound having a hydrolyzable group and an organic functional group in the molecule.
  • hydrolyzable group examples include an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms such as a methoxy group and an ethoxy group, an acetoxy group, and a 2-methoxyethoxy group.
  • a methoxy group is preferable because it easily removes volatile components such as alcohol generated by hydrolysis.
  • organic functional group examples include vinyl group, epoxy group, styryl group, methacryl group, acrylic group, amino group, ureido group, mercapto group, sulfide group, and isocyanate group.
  • an epoxy group is preferable because it easily reacts with an epoxy resin or a phenol resin.
  • silane coupling agent examples include vinyl group-containing silane coupling agents such as vinyltrimethoxysilane and vinyltriethoxysilane; 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyl Epoxy group-containing silane coupling agents such as dimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, 3-glycidoxypropyltriethoxysilane; p-styryltrimethoxysilane, etc.
  • vinyl group-containing silane coupling agents such as vinyltrimethoxysilane and vinyltriethoxysilane
  • 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane 3-glycidoxypropylmethyl Epoxy group-containing silane coupling agents such as dimethoxysilane, 3-glycidoxypropyl
  • Styryl group-containing silane coupling agent 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, 3-methacryloxypropyltri Methacrylic group-containing silane coupling agents such as toxisilane; Acrylic group-containing silane coupling agents such as 3-acryloxypropyltrimethoxysilane; N-2- (aminoethyl) -3-aminopropylmethyldimethoxysilane, N-2- (Aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-triethoxysilyl-N- (1,3-dimethyl-butylidene) propylamine, N Amino group-containing silane coupling agents such as phenyl-3-a
  • the method for treating the filler with the silane coupling agent is not particularly limited, and examples include a wet method in which the filler and the silane coupling agent are mixed in a solvent, and a dry method in which the filler and the silane coupling agent are treated in a gas phase. It is done.
  • the treatment amount of the silane coupling agent is not particularly limited, but it is preferable to treat 0.1 to 1 part by weight of the silane coupling agent with respect to 100 parts by weight of the untreated filler.
  • the content of the filler in the second resin layer 2 is preferably a value exceeding 69% by volume, more preferably 71% by volume or more. If it exceeds 69% by volume, the coefficient of linear expansion can be designed low. On the other hand, the filler content is preferably 90% by volume or less, more preferably 85% by volume or less. A softness
  • the filler content can also be explained by using “% by weight” as a unit. Typically, the content of silica will be described in units of “% by weight”. Since silica usually has a specific gravity of 2.2 g / cm 3 , the preferred range of the silica content (% by weight) is, for example, as follows. That is, the silica content in the second resin layer 2 is preferably a value exceeding 80% by weight, and more preferably 82% by weight or more. The silica content in the second resin layer 2 is preferably 94% by weight or less.
  • the preferred range of the alumina content is, for example, as follows. That is, the content of alumina in the second resin layer 2 is preferably a value exceeding 88% by weight, and more preferably 90% by weight or more. The content of alumina in the second resin layer 2 is preferably 97% by weight or less.
  • the second resin layer 2 preferably contains a thermosetting resin.
  • the thermosetting resin include an epoxy resin and a phenol resin. More preferably, the second resin layer 2 contains an epoxy resin.
  • an epoxy resin what was demonstrated in the 1st resin layer 1 can be used conveniently.
  • the second resin layer 2 preferably contains a phenol resin.
  • a phenol resin what was demonstrated in the 1st resin layer 1 can be used conveniently.
  • the total content of the epoxy resin and the phenol resin in the second resin layer 2 is preferably 2% by weight or more, and more preferably 8% by weight or more. When it is 2% by weight or more, sufficient cured product strength can be obtained.
  • the total content of the epoxy resin and the phenol resin in the second resin layer 2 is preferably 20% by weight or less, and preferably 15% by weight or less. When it is 20% by weight or less, the linear expansion coefficient of the cured product can be reduced and moisture absorption can be reduced.
  • the blending ratio of the epoxy resin and the phenol resin is blended so that the total of hydroxyl groups in the phenol resin is 0.7 to 1.5 equivalents with respect to 1 equivalent of the epoxy group in the epoxy resin from the viewpoint of curing reactivity. It is preferable to use 0.9 to 1.2 equivalents.
  • the second resin layer 2 preferably contains a thermoplastic resin.
  • Thermoplastic resins include natural rubber, butyl rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ethylene-acrylic acid ester copolymer, polybutadiene resin, polycarbonate resin, thermoplasticity.
  • MBS resin methyl And methacrylate-butadiene-styrene copolymer
  • the content of the thermoplastic resin in the second resin layer 2 is preferably 1% by weight or more.
  • the content of the thermoplastic resin in the second resin layer 2 is preferably 7% by weight or less, more preferably 5% by weight or less, and further preferably 3.5% by weight or less. Within the above range, good flexibility can be obtained.
  • the second resin layer 2 preferably contains a curing accelerator.
  • a hardening accelerator what was demonstrated in the 1st resin layer 1 can be used conveniently.
  • the content of the curing accelerator is preferably 0.1 to 5 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the total of the epoxy resin and the phenol resin.
  • the second resin layer 2 may appropriately contain a compounding agent generally used in the production of a sealing resin, for example, a flame retardant component, a pigment, a silane coupling agent, and the like.
  • a compounding agent generally used in the production of a sealing resin for example, a flame retardant component, a pigment, a silane coupling agent, and the like.
  • the flame retardant component for example, various metal hydroxides such as aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, iron hydroxide, calcium hydroxide, tin hydroxide, complex metal hydroxide, phosphazene compounds, and the like can be used. Of these, phosphazene compounds are preferred because they are excellent in flame retardancy and strength after curing.
  • the pigment is not particularly limited, and examples thereof include carbon black.
  • the manufacturing method of the 2nd resin layer 2 is not specifically limited,
  • mixing said each component for example, an epoxy resin, a phenol resin, a thermoplastic resin, a filler, and a hardening accelerator
  • a processing method is preferred. Thereby, a filler can be filled highly and a linear expansion coefficient can be designed low.
  • a kneaded material is prepared by melting and kneading an epoxy resin, a phenol resin, a thermoplastic resin, a filler, and a curing accelerator with a known kneader such as a mixing roll, a pressure kneader, or an extruder.
  • the kneaded material is plastically processed into a sheet shape.
  • the upper limit of the temperature is preferably 140 ° C. or less, and more preferably 130 ° C. or less.
  • the lower limit of the temperature is preferably equal to or higher than the softening point of each component described above, for example, 30 ° C or higher, and preferably 50 ° C or higher.
  • the kneading time is preferably 1 to 30 minutes.
  • the kneading is preferably performed under reduced pressure conditions (under reduced pressure atmosphere), and the pressure under reduced pressure conditions is, for example, 1 ⁇ 10 ⁇ 4 to 0.1 kg / cm 2 .
  • the kneaded material after melt-kneading is preferably subjected to plastic working in a high temperature state without cooling.
  • the plastic working method is not particularly limited, and examples thereof include a flat plate pressing method, a T die extrusion method, a screw die extrusion method, a roll rolling method, a roll kneading method, an inflation extrusion method, a coextrusion method, and a calendering method.
  • the plastic working temperature is preferably not less than the softening point of each component described above, and is 40 to 150 ° C., preferably 50 to 140 ° C., more preferably 70 to 120 ° C. in consideration of the thermosetting property and moldability of the epoxy resin. is there.
  • the thickness of the second resin layer 2 is not particularly limited, but is preferably 100 ⁇ m or more, more preferably 150 ⁇ m or more.
  • the thickness of the second resin layer 2 is preferably 2000 ⁇ m or less, more preferably 1000 ⁇ m or less, and further preferably 300 ⁇ m or less. Within the above range, the warpage of the hollow electronic device package can be suppressed.
  • the viscosity of the second resin layer 2 is preferably 20000 Pa ⁇ s or less, more preferably 5000 Pa ⁇ s or less. When the pressure is 20000 Pa ⁇ s or less, the surface flatness after sealing is good. In addition, the viscosity of the 2nd resin layer 2 can be measured by the method as described in an Example.
  • the tensile storage elastic modulus of the second resin layer 2 is preferably 0.02 MPa or more. When the pressure is 0.02 MPa or more, it is possible to prevent the resin from leaking to the outer periphery of the substrate when the hollow electronic device package is molded.
  • the tensile storage elastic modulus of the second resin layer 2 is preferably 0.5 MPa or less. When the pressure is 0.5 MPa or less, the flatness of the hollow electronic device package is good.
  • the tensile storage elastic modulus of the 2nd resin layer 2 can be measured by the method as described in an Example.
  • the manufacturing method of the resin sheet 11 is not particularly limited.
  • the first resin layer 1 and the second resin layer 2 are bonded together, and the coating liquid for forming the first resin layer 1 is a second one.
  • Examples thereof include a method of drying the coating liquid after coating on the resin layer 2.
  • the 1st resin layer 1 is a single layer is shown in FIG. 1, the 1st resin layer 1 is not limited to this, A multilayer may be sufficient.
  • the 2nd resin layer 2 is a single layer is shown in FIG. 1, the 2nd resin layer 2 is not limited to this, A multilayer may be sufficient.
  • the resin sheet 11 is used to seal a hollow electronic device having a hollow structure such as a SAW (Surface Acoustic Wave) filter; MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) such as a pressure sensor and a vibration sensor.
  • the hollow structure refers to a hollow portion formed between the electronic device and the substrate when the electronic device is mounted on the substrate.
  • the resin sheet 11 can be used conveniently for sealing of a SAW filter.
  • the sealing method is not particularly limited.
  • the electronic device can be sealed by covering the electronic device mounted on the substrate with the resin sheet 11. It does not specifically limit as a board
  • substrate For example, a printed wiring board, a ceramic substrate, a silicon substrate, a metal substrate, a semiconductor wafer etc. are mentioned.
  • a printed wiring board 12 on which a plurality of SAW filters 13 are mounted is prepared (see FIG. 2).
  • the SAW filter 13 can be formed by dicing a piezoelectric crystal on which predetermined comb-shaped electrodes are formed by a known method.
  • a known device such as a flip chip bonder or a die bonder can be used.
  • the SAW filter 13 and the printed wiring board 12 are electrically connected via protruding electrodes 13a such as bumps.
  • a hollow portion 14 is maintained between the SAW filter 13 and the printed wiring board 12 so as not to inhibit the propagation of surface acoustic waves on the surface of the SAW filter.
  • the distance between the SAW filter 13 and the printed wiring board 12 can be set as appropriate, and is generally about 15 to 50 ⁇ m.
  • the sealing step In the sealing step, the resin sheet 11 is laminated on the printed wiring board 12 so that the first resin layer 1 is in contact with the printed wiring board 12 and the SAW filter 13, and the SAW filter 13 is sealed with the resin sheet 11. (See FIG. 3). Thereby, the SAW filter package 15 in which the SAW filter 13 is sealed with resin is obtained.
  • the method of laminating the resin sheet 11 on the printed wiring board 12 is not particularly limited, and can be performed by a known method such as hot press or laminator.
  • hot press conditions the temperature is, for example, 40 to 100 ° C., preferably 50 to 90 ° C.
  • the pressure is, for example, 0.1 to 10 MPa, preferably 0.5 to 8 MPa
  • the time is, for example, 0.3 to 10 minutes, preferably 0.5 to 5 minutes.
  • it is preferable to press under reduced pressure conditions for example, 0.1 to 5 kPa).
  • thermosetting process If necessary, the resin sheet 11 of the SAW filter package 15 is thermoset.
  • the heating temperature is preferably 100 ° C or higher, more preferably 120 ° C or higher.
  • the upper limit of the heating temperature is preferably 200 ° C. or lower, more preferably 180 ° C. or lower.
  • the heating time is preferably 10 minutes or more, more preferably 30 minutes or more.
  • the upper limit of the heating time is preferably 180 minutes or less, more preferably 120 minutes or less.
  • you may pressurize as needed Preferably it is 0.1 Mpa or more, More preferably, it is 0.5 Mpa or more.
  • the upper limit is preferably 10 MPa or less, more preferably 5 MPa or less.
  • the SAW filter package 15 is diced (see FIG. 4). Thereby, the chip-like SAW filter package 16 can be obtained.
  • positioned on the 1st resin layer 1 was demonstrated.
  • the resin sheet includes a first resin layer 1, a third layer disposed on the first resin layer 1, and a second resin layer 2 disposed on the third layer.
  • the resin sheet includes a first resin layer 1, a second resin layer 2 disposed on the first resin layer 1, and a third resin disposed on the second resin layer 2.
  • a layer for example, a layer containing a resin, a metal layer, and the like are suitable.
  • the third layer may be a single layer or multiple layers.
  • Epoxy resin 1 YL-980 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation (bisphenol A liquid epoxy resin, epoxy equivalent 185 g / eq.)
  • Epoxy resin 2 EPPN-501HY manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. (epoxy equivalent 169 g / eq. Softening point 60 ° C.)
  • Epoxy resin 3 1001 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation (bisphenol A type, epoxy equivalent 470 g / eq. Softening point 64 ° C.)
  • Phenol resin GS-180 manufactured by Gunei Chemical Co., Ltd.
  • Acrylic resin Teisan resin SG-70L manufactured by Nagase ChemteX Corporation (Mw: 900,000)
  • Inorganic filler 1 FB-5SDC (fused spherical silica, average particle size 5 ⁇ m) manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd.
  • Inorganic filler 2 SO-25R (fused spherical silica, average particle size 0.5 ⁇ m) manufactured by Admatechs
  • Inorganic filler 3 FB-7SDC manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd.
  • Curing accelerator 2PHZ-PW (2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole) manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.
  • Epoxy resin 1 YSLV-80XY manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd. (bisphenol F type epoxy resin, epkin equivalent 200 g / eq. Softening point 80 ° C.)
  • Epoxy resin 2 EPPN-501HY manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. (epoxy equivalent 169 g / eq. Softening point 60 ° C.)
  • Phenolic resin MEH-7851-SS (phenol resin having a biphenylaralkyl skeleton, hydroxyl group equivalent 203 g / eq. Softening point 67 ° C.) manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd.
  • Thermoplastic resin SIBSTER 072T (styrene-isobutylene-styrene block copolymer) manufactured by Kaneka Corporation
  • Inorganic filler 1 FB-9454FC (fused spherical silica, average particle size 20 ⁇ m) manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd.
  • Inorganic filler 2 SE-40 (fused spherical silica, average particle size 38 ⁇ m) manufactured by Tokuyama Corporation
  • Inorganic filler 3 FB-570 manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd.
  • Inorganic filler 4 FB-5SDC (fused spherical silica, average particle size 5 ⁇ m) manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd.
  • Silane coupling agent KBM-403 (3-glycidoxypropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
  • Carbon black # 20 manufactured by Mitsubishi Chemical Flame retardant: FP-100 (phosphazene compound) manufactured by Fushimi
  • Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 and 2 (Preparation of the first resin layer)
  • Each component was blended according to the blending ratio shown in Table 1, and the same amount of methyl ethyl ketone as the total amount of each component was added thereto to prepare a varnish.
  • the obtained varnish was applied onto a release-treated surface of a 50 ⁇ m-thick polyester film A (MRF-50, manufactured by Mitsubishi Chemical Polyester) using a comma coater and dried.
  • MRF-38 manufactured by Mitsubishi Chemical Polyester
  • the 1st resin layer was cut out from the resin sheet, the circular test piece of thickness 1mm and diameter 20mm was produced, and the following measurements were performed. Using a viscoelasticity measuring device ARES manufactured by Rheometrics, measurement was performed from 50 ° C. to 150 ° C. at a measurement frequency of 0.1 Hz, a strain of 0.1%, and a temperature increase rate of 5 ° C./min. The complex viscosity ( ⁇ *) was read. Moreover, the viscosity of the 2nd resin layer was measured by the method similar to the measuring method of the 1st resin layer.
  • the first resin layer was cut from the resin sheet, a test piece having a thickness of 400 ⁇ m and a size of 10 mm ⁇ 35 mm was produced, and the following measurements were performed.
  • a viscoelasticity measuring device (RSA II manufactured by T.A. Instruments Co., Ltd.) under the conditions of a measurement frequency of 1 Hz, a strain of 0.05%, a distance between chucks of 22.6 mm, and a heating rate of 5 ° C./min.
  • the measurement was performed from 20 ° C. to 130 ° C., and the tensile storage modulus (G ′) at 80 ° C. was read.
  • the tensile storage elastic modulus of the 2nd resin layer was measured by the method similar to the measuring method of the 1st resin layer.
  • a resin sheet is laminated on a ceramic substrate on which SAW filters (chip thickness: 200 ⁇ m, bump height: 20 ⁇ m) are arranged in a matrix, and vacuum pressing is performed for 1 minute at a temperature of 100 ° C. and a pressure of 300 kPa (final vacuum degree 6.65). ⁇ 10 2 Pa).
  • the resin sheet was cured by placing the SAW filter package in an oven at 130 ° C. for 3 hours. Thereafter, the SAW filter package was separated into pieces using a dicing apparatus, and the cross section of the obtained chip-shaped SAW filter package was observed. Then, the inflow amount of resin from the chip edge to the hollow portion was measured.
  • the resin sheet was laminated on the ceramic substrate so that the first resin layer was in contact with the SAW filter and the ceramic substrate.
  • FIG. 6 is a diagram schematically showing how the shear adhesive force is measured. As shown in FIG.
  • a test piece (a laminate composed of a resin sheet 21 and an alumina substrate 22) was set on a heatable sample table 23 and adsorbed.
  • the test tool 24 is lifted 0.1 mm from the upper surface of the adherend 22, the resin sheet 21 is pushed at a moving speed of 0.2 mm / s in a direction parallel to the adhesive surface between the alumina substrate 22 and the resin sheet 21, and the load at that time is measured. did.
  • the measurement was performed with the resin sheet 21 at 25 ° C.
  • the resin trace of the resin sheet 21 was measured and the area (mm 2 ) was calculated.
  • the shear adhesive strength is preferably 3 MPa or more.
  • a resin sheet was laminated on an alumina substrate having a length of 7 cm, a width of 7 cm, and a thickness of 0.2 mm, and then heated and pressurized at 90 ° C., 5 kN, for 60 seconds. Thereafter, the resin sheet was cured in an oven at 150 ° C. for 1 hour, and then allowed to cool to room temperature. The height of the four corners of the surface of the cured product was measured using a temperature variable laser three-dimensional measuring device (manufactured by T-Tech Co., Ltd.), and the highest position was defined as the amount of warpage. The warpage amount is preferably 1 mm or less.
  • the resin sheet was laminated on the alumina substrate so that the first resin layer was in contact with the alumina substrate.
  • the groove of the alumina substrate is formed under a reduced pressure condition of 15 torr, 120 ° C., 0.5 MPa, and a pressure condition of 3 minutes. Pressed on the finished surface.
  • a reduced pressure condition 15 torr, 120 ° C., 0.5 MPa, and a pressure condition of 3 minutes. Pressed on the finished surface.
  • the case where the resin reached the entire bottom of the groove was indicated by ⁇
  • the case where the resin reached a part of the bottom of the groove was indicated by ⁇
  • the case where the resin did not reach the bottom of the groove was indicated by ⁇ .
  • the resin sheet was laminated on the alumina substrate so that the first resin layer was in contact with the alumina substrate.

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Abstract

 中空型電子デバイスパッケージの中空部分を確保でき、中空型電子デバイスパッケージの反りを抑制できる中空型電子デバイス封止用樹脂シート及び中空型電子デバイスパッケージを提供する。 第1の樹脂層及び第2の樹脂層を備え、前記第1の樹脂層及び前記第2の樹脂層はフィラーを含み、下記式(1)及び下記式(2)を満たす中空型電子デバイス封止用樹脂シートに関する。 前記第1の樹脂層中の前記フィラーの含有量(体積%)<前記第2の樹脂層中の前記フィラーの含有量(体積%) (1) 前記第1の樹脂層の粘度>前記第2の樹脂層の粘度 (2)

Description

中空型電子デバイス封止用樹脂シート及び中空型電子デバイスパッケージの製造方法
 本発明は、中空型電子デバイス封止用樹脂シート及び中空型電子デバイスパッケージの製造方法に関する。
 従来、SAW(Surface Acoustic Wave)フィルタなどの中空型電子デバイスが樹脂封止された中空型電子デバイスパッケージを製造する方法として、基板に固定された中空型電子デバイスを熱硬化性樹脂シートで封止するという方法が知られている(例えば、特許文献1参照)。
特開2006-19714号公報
 中空型電子デバイスパッケージにおいては、その中空部分を確保することや、中空型電子デバイスパッケージの反りを抑制することが重要である。
 本発明は前記課題を解決し、中空型電子デバイスパッケージの中空部分を確保でき、中空型電子デバイスパッケージの反りを抑制できる中空型電子デバイス封止用樹脂シート及び中空型電子デバイスパッケージを提供することを目的とする。
 本発明は、第1の樹脂層及び第2の樹脂層を備え、前記第1の樹脂層及び前記第2の樹脂層はフィラーを含み、
下記式(1)及び下記式(2)を満たす中空型電子デバイス封止用樹脂シートに関する。
 前記第1の樹脂層中の前記フィラーの含有量(体積%)<前記第2の樹脂層中の前記フィラーの含有量(体積%) (1)
 前記第1の樹脂層の粘度>前記第2の樹脂層の粘度 (2)
 第2の樹脂層2中のフィラーの含有量が第1の樹脂層1中のフィラーの含有量よりも多いので、第2の樹脂層2に中空型電子デバイスパッケージの反りを抑制する役割を担わせることができる。また、第1の樹脂層1の粘度が第2の樹脂層2の粘度よりも高いので、中空型電子デバイスパッケージの中空部分への第1の樹脂層1の侵入を抑制できる。
 前記第1の樹脂層の粘度の前記第2の樹脂層の粘度に対する比(前記第1の樹脂層の粘度/前記第2の樹脂層の粘度)が、3~1000であることが好ましい。
 前記第1の樹脂層の引張貯蔵弾性率の前記第2の樹脂層の引張貯蔵弾性率に対する比(第1の樹脂層の引張貯蔵弾性率/第2の樹脂層の引張貯蔵弾性率)が、5~500であることが好ましい。
 前記第1の樹脂層中の前記フィラーの平均粒径の前記第2の樹脂層中の前記フィラーの平均粒径に対する比(前記第1の樹脂層中の前記フィラーの平均粒径/前記第2の樹脂層中の前記フィラーの平均粒径)が、0.01~0.5であることが好ましい。
 前記第1の樹脂層中の前記フィラーの含有量が69体積%以下であり、前記第2の樹脂層中の前記フィラーの含有量が69体積%を超えることが好ましい。
 前記第1の樹脂層の厚みの前記第2の樹脂層の厚みに対する比(前記第1の樹脂層の厚み/前記第2の樹脂層の厚み)が、0.05~0.3であることが好ましい。
 前記第1の樹脂層の粘度が10000Pa・s以上であることが好ましい。
 本発明はまた、前記中空型電子デバイス封止用樹脂シートを準備する工程と、中空型電子デバイスを搭載する基板を準備する工程と、前記第1の樹脂層が前記中空型電子デバイス及び前記基板と接触するように、前記中空型電子デバイス封止用樹脂シートを前記基板の上に積層する工程とを含む中空型電子デバイスパッケージの製造方法に関する。
実施形態1の樹脂シートの断面模式図である。 SAWフィルタが搭載されたプリント配線基板の断面模式図である。 実施形態1の樹脂シートでSAWフィルタを封止した様子を模式的に示す図である。 SAWフィルタパッケージをダイシングした様子を模式的に示す図である。 チップ状のSAWフィルタパッケージを基板に実装した様子を模式的に示す図である。 せん断接着力を測定する様子を模式的に示す図である。
 以下に実施形態を掲げ、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。
 [実施形態1]
 図1は、実施形態1の樹脂シート11の断面模式図である。樹脂シート11は、第1の樹脂層1と第2の樹脂層2とを積層した構造である。なお、樹脂シート11の両面には、ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムなどの支持体が設けられていてもよい。樹脂シート11からの剥離を容易に行うために、支持体には離型処理が施されていてもよい。
 樹脂シート11は、下記式(1)及び下記式(2)を満たす。
 第1の樹脂層1中のフィラーの含有量(体積%)<第2の樹脂層2中のフィラーの含有量(体積%) (1)
 第1の樹脂層1の粘度>第2の樹脂層2の粘度 (2)
 第2の樹脂層2中のフィラーの含有量が第1の樹脂層1中のフィラーの含有量よりも多いので、第2の樹脂層2に中空型電子デバイスパッケージの反りを抑制する役割を担わせることができる。また、第1の樹脂層1の粘度が第2の樹脂層2の粘度よりも高いので、中空型電子デバイスパッケージの中空部分への第1の樹脂層1の侵入を抑制できる。
 第1の樹脂層1の粘度の第2の樹脂層2の粘度に対する比(第1の樹脂層1の粘度/第2の樹脂層2の粘度)は、好ましくは3以上、より好ましくは10以上である。3以上であると、中空形成性を確保することができる。第1の樹脂層1の粘度の第2の樹脂層2の粘度に対する比は、好ましくは1000以下、より好ましくは500以下である。1000以下であると、中空型電子デバイスへの樹脂埋め込み性が良好である。つまり、成型時の巻き込みボイドを排除できる。
 第1の樹脂層1の引張貯蔵弾性率の第2の樹脂層2の引張貯蔵弾性率に対する比(第1の樹脂層1の引張貯蔵弾性率/第2の樹脂層2の引張貯蔵弾性率)は、好ましくは5以上、より好ましくは10以上である。5以上であると、樹脂シート11が柔らか過ぎず、ハンドリング性が良好である。第1の樹脂層1の引張貯蔵弾性率の第2の樹脂層2の引張貯蔵弾性率に対する比は、好ましくは500以下、より好ましくは300以下である。500以下であると、ハンドリング時の樹脂シート11の割れや欠けを防止することができる。
 第2の樹脂層2中のフィラーの平均粒径が、第1の樹脂層1中のフィラーの平均粒径よりも大きいことが好ましい。第2の樹脂層2中のフィラー充填量を上げることで、電子デバイスパッケージの信頼性を高めることができる。また、反りの低減にも有効である。
 例えば、第1の樹脂層1中のフィラーの平均粒径の第2の樹脂層2中のフィラーの平均粒径に対する比(第1の樹脂層1中のフィラーの平均粒径/第2の樹脂層2中のフィラーの平均粒径)は、好ましくは0.01以上、より好ましくは0.1以上である。0.01以上であると、高信頼性と中空成形性の両方を兼ね備えた封止シート11の設計が可能となる。第1の樹脂層1中のフィラーの平均粒径の第2の樹脂層2中のフィラーの平均粒径に対する比は、好ましくは0.5以下、より好ましくは0.4以下である。0.5以下であると、層間の密着性が良好であるため層間の剥離等を防ぐことができる。
 第1の樹脂層1の厚みの第2の樹脂層2の厚みに対する比(第1の樹脂層1の厚み/第2の樹脂層2の厚み)は、好ましくは0.05以上である。0.05以上であると、中空型電子デバイスパッケージの成形時にチップエッジ等で第1の樹脂層1が破れることを防ぐことができる。第1の樹脂層1の厚みの第2の樹脂層2の厚みに対する比は、好ましくは0.3以下、より好ましくは0.15以下、さらに好ましくは0.1以下である。0.3以下であると、中空型電子デバイスパッケージの反りを抑制できる。
 第1の樹脂層1は、第2の樹脂層2よりもフィラー含有量が少ないものの、第2の樹脂層2よりも粘度が高い。例えば、第1の樹脂層1に比較的多量のエラストマー成分を含有させることにより、高粘度の第1の樹脂層1を得ることができる。また、第1の樹脂層1に平均粒径の小さいフィラーを含有させることにより、高粘度の第1の樹脂層1を得ることができる。
 エラストマー成分としては、各種公知の材料を用いることができる。例えば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン-酢酸ビニル共重合体、エチレン-アクリル酸共重合体、エチレン-アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、6-ナイロンや6,6-ナイロンなどのポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル系エラストマー(アクリル樹脂)、PETやPBTなどの飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂、スチレン-イソブチレン-スチレンブロック共重合体などが挙げられる。なかでも、アクリル系エラストマーが好ましい。
 アクリル系エラストマー(アクリル樹脂)としては、特に限定されるものではなく、炭素数30以下、特に炭素数4~18の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの1種又は2種以上を成分とする重合体(アクリル共重合体)などが挙げられる。前記アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、t-ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、ヘキシル基、へプチル基、シクロヘキシル基、2-エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、又はドデシル基などが挙げられる。
 また、重合体(アクリル共重合体)を形成する他のモノマーとしては、特に限定されるものではなく、例えばアクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸若しくはクロトン酸などの様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸などの様な酸無水物モノマー、(メタ)アクリル酸2-ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸2-ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸4-ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸6-ヒドロキシヘキシル、(メタ)アクリル酸8-ヒドロキシオクチル、(メタ)アクリル酸10-ヒドロキシデシル、(メタ)アクリル酸12-ヒドロキシラウリル若しくは(4-ヒドロキシメチルシクロヘキシル)-メチルアクリレートなどの様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、2-(メタ)アクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸、(メタ)アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル(メタ)アクリレート若しくは(メタ)アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などの様なスルホン酸基含有モノマー、又は2-ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどの様な燐酸基含有モノマーが挙げられる。
 アクリル樹脂のなかでも、重量平均分子量が10万以上のものが好ましく、30万~300万のものがより好ましく、50万~200万のものがさらに好ましい。
 なお、重量平均分子量は、GPC(ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー)により測定し、ポリスチレン換算により算出された値である。
 第1の樹脂層1中のエラストマー成分の含有量は比較的多いことが好ましく、例えば、10重量%以上が好ましく、11重量%以上がより好ましい。10重量%以上であると、第1の樹脂層1の粘度を高めることができ、中空型電子デバイスパッケージの中空部分への第1の樹脂層1の侵入を抑制できる。一方、第1の樹脂層1中のエラストマー成分の含有量は、50重量%以下が好ましく、20重量%以下がより好ましい。50重量%以下であると、熱硬化後の硬度、強度が高くなるためパッケージとしての信頼性が良好である。
 第1の樹脂層1は、フィラーを含む。
 フィラーとしては特に限定されないが、無機充填材が好ましい。無機充填材としては、例えば、石英ガラス、タルク、シリカ(溶融シリカや結晶性シリカなど)、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化ホウ素などが挙げられる。なかでも、線膨張係数を良好に低減できるという理由から、シリカ、アルミナが好ましく、シリカがより好ましい。シリカとしては、流動性に優れるという理由から、溶融シリカが好ましく、球状溶融シリカがより好ましい。
 フィラーの平均粒径は、好ましくは0.1μm以上、より好ましくは0.5μm以上、さらに好ましくは1μm以上である。0.1μm以上であると、他の有機組成物との分散性が良好であり均一な組成物を得やすい。フィラーの平均粒径は、好ましくは15μm以下、より好ましくは10μm以下である。15μm以下であると、第1の樹脂層1の厚みを薄くできる。また、第1の樹脂層1の粘度を容易に高められる。
 なお、平均粒径は、例えば、母集団から任意に抽出される試料を用い、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置を用いて測定することにより導き出すことができる。
 第1の樹脂層1中のフィラーの含有量は、好ましくは69体積%以下であり、より好ましくは62体積%以下である。69体積%以下であると、中空型電子デバイスへの追従性(凹凸追従性)が良好である。一方、フィラーの含有量は、好ましくは35体積%以上であり、より好ましくは45体積%以上である。35体積%以上であると、良好な中空成形性が得られる。
 フィラーの含有量は、「重量%」を単位としても説明できる。代表的にシリカの含有量について、「重量%」を単位として説明する。
 シリカは通常、比重2.2g/cmであるので、シリカの含有量(重量%)の好適範囲は例えば以下のとおりである。
 すなわち、第1の樹脂層1中のシリカの含有量は、80重量%以下が好ましく、75重量%以下がより好ましい。第1の樹脂層1中のシリカの含有量は、50重量%以上が好ましく、60重量%以上がより好ましい。
 なお、フィラー含有量69体積%は、80重量%に相当する。
 アルミナは通常、比重3.9g/cmであるので、アルミナの含有量(重量%)の好適範囲は例えば以下のとおりである。
 すなわち、第1の樹脂層1中のアルミナの含有量は、88重量%以下が好ましく、84重量%以下がより好ましい。第1の樹脂層1中のアルミナの含有量は、64重量%以上が好ましく、73重量%以上がより好ましい。
 第1の樹脂層1は、熱硬化性樹脂を含むことが好ましい。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などが挙げられる。第1の樹脂層1は、エポキシ樹脂を含むことがより好ましい。
 エポキシ樹脂としては、特に限定されるものではない。例えば、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂などの各種のエポキシ樹脂を用いることができる。これらエポキシ樹脂は単独で用いてもよいし2種以上併用してもよい。
 エポキシ樹脂の反応性を確保する観点からは、エポキシ当量150~250、軟化点もしくは融点が50~130℃の常温で固形のものが好ましい。なかでも、信頼性の観点から、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂がより好ましい。
 第1の樹脂層1は、フェノール樹脂を含むことが好ましい。
 フェノール樹脂は、エポキシ樹脂との間で硬化反応を生起するものであれば特に限定されるものではない。例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、クレゾールノボラック樹脂、レゾール樹脂などが用いられる。これらフェノール樹脂は単独で用いてもよいし、2種以上併用してもよい。
 フェノール樹脂としては、エポキシ樹脂との反応性の観点から、水酸基当量が70~250、軟化点が50~110℃のものを用いることが好ましく、なかでも硬化反応性が高いという観点から、フェノールノボラック樹脂を好適に用いることができる。また、信頼性の観点から、フェノールアラルキル樹脂やビフェニルアラルキル樹脂のような低吸湿性のものも好適に用いることができる。
 第1の樹脂層1中のエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計含有量は、10重量%以上が好ましい。10重量%以上であると、電子デバイス、基板などに対する接着力が良好に得られる。第1の樹脂層1中のエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計含有量は、50重量%以下が好ましく、35重量%以下がより好ましい。50重量%以下であると、中空成形性が良好である。
 エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、硬化反応性という観点から、エポキシ樹脂中のエポキシ基1当量に対して、フェノール樹脂中の水酸基の合計が0.7~1.5当量となるように配合することが好ましく、より好ましくは0.9~1.2当量である。
 第1の樹脂層1は、硬化促進剤を含むことが好ましい。
 硬化促進剤としては、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の硬化を進行させるものであれば特に限定されず、例えば、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレートなどの有機リン系化合物;2-フェニル-4,5-ジヒドロキシメチルイミダゾール、2-フェニル-4-メチル-5-ヒドロキシメチルイミダゾールなどのイミダゾール系化合物;などが挙げられる。
 硬化促進剤の含有量は、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計100重量部に対して0.1~5重量部が好ましい。
 第1の樹脂層1は、前記成分以外にも、封止樹脂の製造に一般に使用される配合剤、例えば、難燃剤成分、シランカップリング剤などを適宜含有してよい。
 第1の樹脂層1は一般的な製法で作製できる。例えば、前記各成分を溶媒(例えば、メチルエチルケトン、酢酸エチルなど)に溶解ないし分散させて塗布液を調製し、塗布液を基材セパレータ上に塗布した後、塗布膜を乾燥させる。これにより、第1の樹脂層1を作製できる。
 第1の樹脂層1の厚みは、中空部分の高さに応じて適宜設定できる。中空部分の高さは通常、15~50μmであるので、第1の樹脂層1の厚みは、好ましくは15μm以上、より好ましくは20μm以上である。15μm以上であると、中空型電子デバイスパッケージの成型時に第1の樹脂層1が破れ、第2の樹脂層2が中空部分に浸入することを防ぐことができる。また、第1の樹脂層1の厚みは、好ましくは70μm以下、より好ましくは50μm以下である。70μm以下であると、樹脂シート11全体の厚みを薄くすることができ、薄型パッケージの製造が可能となる。
 第1の樹脂層1の粘度は好ましくは10000Pa・s以上、より好ましくは20000Pa・s以上、さらに好ましくは20万Pa・s以上である。10000Pa・s以上であると、中空型電子デバイスパッケージの中空部分への第1の樹脂層1の侵入を抑制できる。第1の樹脂層1の粘度は好ましくは50万Pa・s以下、より好ましくは30万Pa・s以下である。50万Pa・s以下であると、良好な凹凸追従性が得られる。
 なお、第1の樹脂層1の粘度は、実施例に記載の方法により測定できる。
 第1の樹脂層1の粘度は、アクリル樹脂の含有量、フィラーの含有量、フィラーの粒径によりコントロールできる。例えば、アクリル樹脂を増量すること、フィラーを増量すること又はフィラーの粒径を小さくすることにより第1の樹脂層1の粘度を高められる。
 第1の樹脂層1の引張貯蔵弾性率は好ましくは2MPa以上である。2MPa以上であると、中空型電子デバイスパッケージの中空部分への第1の樹脂層1の侵入を抑制できる。第1の樹脂層1の引張貯蔵弾性率は好ましくは10MPa以下である。10MPa以下であると、良好な凹凸追従性が得られる。
 なお、第1の樹脂層1の引張貯蔵弾性率は、実施例に記載の方法により測定できる。
 第1の樹脂層1の引張貯蔵弾性率は、フィラーの含有量、フィラーの粒径、エラストマー成分の組成とその含有量、エポキシ樹脂の分子構造とその含有量によりコントロールできる。
 第2の樹脂層2は、フィラーを含む。
 フィラーとしては特に限定されないが、第1の樹脂層1で説明したものを好適に使用できる。
 第2の樹脂層2に配合するフィラーの平均粒径は、好ましくは10μm以上、より好ましくは15μm以上である。10μm以上であると、フィラー充填量を容易に高められる。フィラーの平均粒径は、好ましくは40μm以下、より好ましくは20μm以下である。40μm以下であると、樹脂シート11の厚みを薄くすることができ、表面平滑性の良好な樹脂シート11が得られる。
 フィラーは、シランカップリング剤により処理(前処理)されたものが好ましい。これにより、樹脂との濡れ性を向上でき、フィラーの分散性を高めることができる。
 シランカップリング剤は、分子中に加水分解性基及び有機官能基を有する化合物である。
 加水分解性基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基などの炭素数1~6のアルコキシ基、アセトキシ基、2-メトキシエトキシ基等が挙げられる。なかでも、加水分解によって生じるアルコールなどの揮発成分を除去し易いという理由から、メトキシ基が好ましい。
 有機官能基としては、ビニル基、エポキシ基、スチリル基、メタクリル基、アクリル基、アミノ基、ウレイド基、メルカプト基、スルフィド基、イソシアネート基などが挙げられる。なかでも、エポキシ樹脂、フェノール樹脂と反応し易いという理由から、エポキシ基が好ましい。
 シランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシランなどのビニル基含有シランカップリング剤;2-(3,4-エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、3-グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3-グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、3-グリシドキシプロピルトリエトキシシランなどのエポキシ基含有シランカップリング剤;p-スチリルトリメトキシシランなどのスチリル基含有シランカップリング剤;3-メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルトリエトキシシランなどのメタクリル基含有シランカップリング剤;3-アクリロキシプロピルトリメトキシシランなどのアクリル基含有シランカップリング剤;N-2-(アミノエチル)-3-アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N-2-(アミノエチル)-3-アミノプロピルトリメトキシシラン、3-アミノプロピルトリメトキシシラン、3-アミノプロピルトリエトキシシラン、3-トリエトキシシリル-N-(1,3-ジメチル-ブチリデン)プロピルアミン、N-フェニル-3-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-(ビニルベンジル)-2-アミノエチル-3-アミノプロピルトリメトキシシランなどのアミノ基含有シランカップリング剤;3-ウレイドプロピルトリエトキシシランなどのウレイド基含有シランカップリング剤;3-メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、3-メルカプトプロピルトリメトキシシランなどのメルカプト基含有シランカップリング剤;ビス(トリエトキシシリルプロピル)テトラスルフィドなどのスルフィド基含有シランカップリング剤;3-イソシアネートプロピルトリエトキシシランなどのイソシアネート基含有シランカップリング剤などが挙げられる。
 シランカップリング剤によりフィラーを処理する方法としては特に限定されず、溶媒中でフィラーとシランカップリング剤を混合する湿式法、気相中でフィラーとシランカップリング剤を処理させる乾式法などが挙げられる。
 シランカップリング剤の処理量は特に限定されないが、未処理のフィラー100重量部に対して、シランカップリング剤を0.1~1重量部処理することが好ましい。
 第2の樹脂層2中のフィラーの含有量は、好ましくは69体積%を超える値であり、より好ましくは71体積%以上である。69体積%を超えると、線膨張係数を低く設計できる。一方、フィラーの含有量は、好ましくは90体積%以下、より好ましくは85体積%以下である。90体積%以下であると、柔軟性が良好に得られる。
 フィラーの含有量は、「重量%」を単位としても説明できる。代表的にシリカの含有量について、「重量%」を単位として説明する。
 シリカは通常、比重2.2g/cmであるので、シリカの含有量(重量%)の好適範囲は例えば以下のとおりである。
 すなわち、第2の樹脂層2中のシリカの含有量は、80重量%を超える値が好ましく、82重量%以上がより好ましい。第2の樹脂層2中のシリカの含有量は、94重量%以下が好ましい。
 アルミナは通常、比重3.9g/cmであるので、アルミナの含有量(重量%)の好適範囲は例えば以下のとおりである。
 すなわち、第2の樹脂層2中のアルミナの含有量は、88重量%を超える値が好ましく、90重量%以上がより好ましい。第2の樹脂層2中のアルミナの含有量は、97重量%以下が好ましい。
 第2の樹脂層2は、熱硬化性樹脂を含むことが好ましい。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などが挙げられる。第2の樹脂層2は、エポキシ樹脂を含むことがより好ましい。エポキシ樹脂としては、第1の樹脂層1で説明したものを好適に使用できる。
 第2の樹脂層2は、フェノール樹脂を含むことが好ましい。フェノール樹脂としては、第1の樹脂層1で説明したものを好適に使用できる。
 第2の樹脂層2中のエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計含有量は、2重量%以上が好ましく、8重量%以上がより好ましい。2重量%以上であると、充分な硬化物強度が得られる。第2の樹脂層2中のエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計含有量は、20重量%以下が好ましく、15重量%以下が好ましい。20重量%以下であると、硬化物の線膨張係数を小さくでき、また低吸湿化できる。
 エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、硬化反応性という観点から、エポキシ樹脂中のエポキシ基1当量に対して、フェノール樹脂中の水酸基の合計が0.7~1.5当量となるように配合することが好ましく、より好ましくは0.9~1.2当量である。
 第2の樹脂層2は、熱可塑性樹脂を含むことが好ましい。
 熱可塑性樹脂としては、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン-酢酸ビニル共重合体、エチレン-アクリル酸共重合体、エチレン-アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、6-ナイロンや6,6-ナイロンなどのポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、PETやPBTなどの飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂、スチレン-イソブチレン-スチレンブロック共重合体、メチルメタクリレート-ブタジエン-スチレン共重合体(MBS樹脂)などが挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は単独で、又は2種以上を併用して用いることができる。
 第2の樹脂層2中の熱可塑性樹脂の含有量は、1重量%以上が好ましい。第2の樹脂層2中の熱可塑性樹脂の含有量は、7重量%以下が好ましく、5重量%以下がより好ましく、3.5重量%以下がさらに好ましい。上記範囲内であると、良好な可撓性が得られる。
 第2の樹脂層2は、硬化促進剤を含むことが好ましい。硬化促進剤としては、第1の樹脂層1で説明したものを好適に使用できる。
 硬化促進剤の含有量は、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計100重量部に対して0.1~5重量部が好ましい。
 第2の樹脂層2は、前記成分以外にも、封止樹脂の製造に一般に使用される配合剤、例えば、難燃剤成分、顔料、シランカップリング剤などを適宜含有してよい。
 難燃剤成分としては、例えば水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化鉄、水酸化カルシウム、水酸化スズ、複合化金属水酸化物などの各種金属水酸化物;ホスファゼン化合物などを用いることができる。なかでも、難燃性、硬化後の強度に優れるという理由から、ホスファゼン化合物が好ましい。
 顔料としては特に限定されず、カーボンブラックなどが挙げられる。
 第2の樹脂層2の製造方法は特に限定されないが、前記各成分(例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、熱可塑性樹脂、フィラー及び硬化促進剤)を混練して得られる混練物をシート状に塑性加工する方法が好ましい。これにより、フィラーを高充填でき、線膨張係数を低く設計できる。
 具体的には、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、熱可塑性樹脂、フィラー及び硬化促進剤をミキシングロール、加圧式ニーダー、押出機などの公知の混練機で溶融混練することにより混練物を調製し、得られた混練物をシート状に塑性加工する。混練条件として、温度の上限は、140℃以下が好ましく、130℃以下がより好ましい。温度の下限は、上述の各成分の軟化点以上であることが好ましく、例えば30℃以上、好ましくは50℃以上である。混練の時間は、好ましくは1~30分である。また、混練は、減圧条件下(減圧雰囲気下)で行うことが好ましく、減圧条件下の圧力は、例えば、1×10-4~0.1kg/cmである。
 溶融混練後の混練物は、冷却することなく高温状態のままで塑性加工することが好ましい。塑性加工方法としては特に制限されず、平板プレス法、Tダイ押出法、スクリューダイ押出法、ロール圧延法、ロール混練法、インフレーション押出法、共押出法、カレンダー成形法などが挙げられる。塑性加工温度としては上述の各成分の軟化点以上が好ましく、エポキシ樹脂の熱硬化性および成形性を考慮すると、例えば40~150℃、好ましくは50~140℃、さらに好ましくは70~120℃である。
 第2の樹脂層2の厚みは特に限定されないが、好ましくは100μm以上、より好ましくは150μm以上である。また、第2の樹脂層2の厚みは、好ましくは2000μm以下、より好ましくは1000μm以下、さらに好ましくは300μm以下である。上記範囲内であると、中空型電子デバイスパッケージの反りを抑制できる。
 第2の樹脂層2の粘度は好ましくは20000Pa・s以下、より好ましくは5000Pa・s以下である。20000Pa・s以下であると、封止後の表面平坦性が良好である。
 なお、第2の樹脂層2の粘度は、実施例に記載の方法により測定できる。
 第2の樹脂層2の引張貯蔵弾性率は好ましくは0.02MPa以上である。0.02MPa以上であると、中空型電子デバイスパッケージの成形時に樹脂が基板外周に漏れ流れるのを防ぐことができる。第2の樹脂層2の引張貯蔵弾性率は好ましくは0.5MPa以下である。0.5MPa以下であると、中空型電子デバイスパッケージの平坦性が良好である。
 なお、第2の樹脂層2の引張貯蔵弾性率は、実施例に記載の方法により測定できる。
 樹脂シート11の製造方法は特に限定されず、例えば、第1の樹脂層1と第2の樹脂層2とを貼り合わせる方法、第1の樹脂層1を形成するための塗布液を第2の樹脂層2上に塗布した後に塗布液を乾燥させる方法などが挙げられる。
 なお、図1では、第1の樹脂層1が単層である場合を示しているが、第1の樹脂層1はこれに限定されず、複層であってもよい。また、図1では、第2の樹脂層2が単層である場合を示しているが、第2の樹脂層2はこれに限定されず、複層であってもよい。
 樹脂シート11は、SAW(Surface Acoustic Wave)フィルタ;圧力センサ、振動センサなどのMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)などの中空構造を有する中空型電子デバイスの封止に使用される。なお、中空構造とは、電子デバイスを基板に搭載した際に、電子デバイスと基板との間に形成される中空部をいう。なかでも、樹脂シート11は、SAWフィルタの封止に好適に使用できる。
 封止方法は特に限定されず、例えば、基板に搭載された電子デバイスを樹脂シート11で覆うことにより、電子デバイスを封止できる。基板としては特に限定されず、例えば、プリント配線基板、セラミック基板、シリコン基板、金属基板、半導体ウェハなどが挙げられる。
 [中空型電子デバイスパッケージの製造方法]
 中空型電子デバイスパッケージの製造方法として、実施形態1の樹脂シート11で、プリント配線基板12上に搭載されたSAWフィルタ13を中空封止してSAWフィルタパッケージ15、16を製造する例を説明する。
 (SAWフィルタ搭載基板準備工程)
 SAWフィルタ搭載基板準備工程では、複数のSAWフィルタ13が搭載されたプリント配線基板12を準備する(図2参照)。SAWフィルタ13は、所定の櫛形電極が形成された圧電結晶を公知の方法でダイシングして個片化することにより形成できる。SAWフィルタ13のプリント配線基板12への搭載には、フリップチップボンダーやダイボンダーなどの公知の装置を用いることができる。SAWフィルタ13とプリント配線基板12とはバンプなどの突起電極13aを介して電気的に接続されている。また、SAWフィルタ13とプリント配線基板12との間は、SAWフィルタ表面での表面弾性波の伝播を阻害しないように中空部分14を維持するようになっている。SAWフィルタ13とプリント配線基板12との間の距離は適宜設定でき、一般的には15~50μm程度である。
 (封止工程)
 封止工程では、第1の樹脂層1がプリント配線基板12及びSAWフィルタ13と接触するように、プリント配線基板12上に樹脂シート11を積層し、SAWフィルタ13を樹脂シート11で封止する(図3参照)。これにより、SAWフィルタ13が樹脂封止されたSAWフィルタパッケージ15を得る。
 樹脂シート11をプリント配線基板12上に積層する方法は特に限定されず、熱プレスやラミネータなど公知の方法により行うことができる。熱プレス条件としては、温度が、例えば、40~100℃、好ましくは50~90℃であり、圧力が、例えば、0.1~10MPa、好ましくは0.5~8MPaであり、時間が、例えば0.3~10分間、好ましくは0.5~5分間である。また、樹脂シート11のSAWフィルタ13及びプリント配線基板12への密着性および追従性の向上を考慮すると、減圧条件下(例えば0.1~5kPa)においてプレスすることが好ましい。
 (熱硬化工程)
 必要に応じて、SAWフィルタパッケージ15の樹脂シート11を熱硬化する。
 熱硬化処理の条件として、加熱温度が好ましくは100℃以上、より好ましくは120℃以上である。一方、加熱温度の上限が、好ましくは200℃以下、より好ましくは180℃以下である。加熱時間が、好ましくは10分以上、より好ましくは30分以上である。一方、加熱時間の上限が、好ましくは180分以下、より好ましくは120分以下である。また、必要に応じて加圧してもよく、好ましくは0.1MPa以上、より好ましくは0.5MPa以上である。一方、上限は好ましくは10MPa以下、より好ましくは5MPa以下である。
 (ダイシング工程)
 必要に応じて、SAWフィルタパッケージ15のダイシングを行う(図4参照)。これにより、チップ状のSAWフィルタパッケージ16を得ることができる。
 (基板実装工程)
 必要に応じて、SAWフィルタパッケージ15又はSAWフィルタパッケージ16に対して再配線及びバンプ17を形成し、これを基板18に実装する(図5参照)。
 (変形例)
 実施形態1では、第1の樹脂層1と、第1の樹脂層1上に配置された第2の樹脂層2とを備える樹脂シート11について説明した。変形例1では、樹脂シートは、第1の樹脂層1と、第1の樹脂層1上に配置された第3の層と、第3の層上に配置された第2の樹脂層2とを備える。変形例2では、樹脂シートは、第1の樹脂層1と、第1の樹脂層1上に配置された第2の樹脂層2と、第2の樹脂層2上に配置された第3の層とを備える。第3の層としては、例えば、樹脂を含む層、金属層などが好適である。第3の層は単層であってもよいし、複層であってもよい。
 以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。ただし、この実施例に記載されている材料や配合量などは、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
 まず、実施例で使用した成分について説明する。
 第1の樹脂層を作製するために使用した成分について説明する。
 エポキシ樹脂1:三菱化学社製のYL-980(ビスフェノールA型液状エポキシ樹脂、エポキシ等量185g/eq.)
 エポキシ樹脂2:日本化薬社製のEPPN-501HY(エポキシ当量169g/eq.軟化点60℃)
 エポキシ樹脂3:三菱化学社製の1001(ビスフェノールA型、エポキシ等量470g/eq.軟化点64℃)
 フェノール樹脂:群栄化学社製のGS-180(フェノールノボラック型フェノール樹脂、フェノール性水酸基当量105g/eq.軟化点83℃)
 アクリル樹脂:ナガセケムテックス社製のテイサンレジンSG-70L(Mw:90万)
 無機充填剤1:電気化学工業社製のFB-5SDC(溶融球状シリカ、平均粒子径5μm)
 無機充填剤2:アドマテックス社製のSO-25R(溶融球状シリカ、平均粒子径0.5μm)
 無機充填剤3:電気化学工業社製のFB-7SDC(溶融球状シリカ、平均粒子径7μm)
 硬化促進剤:四国化成工業社製の2PHZ-PW(2-フェニル-4,5-ジヒドロキシメチルイミダゾール)
 第2の樹脂層を作製するために使用した成分について説明する。
 エポキシ樹脂1:新日鐵化学社製のYSLV-80XY(ビスフェノールF型エポキシ樹脂、エポキン当量200g/eq.軟化点80℃)
 エポキシ樹脂2:日本化薬社製のEPPN-501HY(エポキシ当量169g/eq.軟化点60℃)
 フェノール樹脂:明和化成社製のMEH-7851-SS(ビフェニルアラルキル骨格を有するフェノール樹脂、水酸基当量203g/eq.軟化点67℃)
 熱可塑性樹脂:カネカ社製のSIBSTER 072T(スチレン-イソブチレン-スチレンブロック共重合体)
 無機充填剤1:電気化学工業社製のFB-9454FC(溶融球状シリカ、平均粒子径20μm)
 無機充填剤2:トクヤマ社製のSE-40(溶融球状シリカ、平均粒子径38μm)
 無機充填剤3:電気化学工業社製のFB-570(溶融球状シリカ、平均粒子径16μm)
 無機充填剤4:電気化学工業社製のFB-5SDC(溶融球状シリカ、平均粒子径5μm)
 シランカップリング剤:信越化学社製のKBM-403(3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン)
 カーボンブラック:三菱化学社製の#20
 難燃剤:伏見製薬所製のFP-100(ホスファゼン化合物)
 硬化促進剤:四国化成工業社製の2PHZ-PW(2-フェニル-4,5-ジヒドロキシメチルイミダゾール)
 [実施例1~5及び比較例1~2]
 (第1の樹脂層の作製)
 表1に記載の配合比に従い、各成分を配合し、これに各成分の総量と同量のメチルエチルケトンを添加して、ワニスを調製した。得られたワニスを、コンマコ―タ-により、厚み50μmのポリエステルフィルムA(三菱化学ポリエステル社製、MRF-50)の剥離処理面上に塗工し、乾燥させた。次いで、厚み38μmのポリエステルフィルムB(三菱化学ポリエステル社製、MRF-38)の剥離処理面を、乾燥後のワニス上に張り合わせて、第1の樹脂層を作製した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
 
 (第2の樹脂層の作製)
 表2に記載の配合比に従い、各成分を配合し、ロール混練機により60~120℃、10分間、減圧条件下(0.01kg/cm)で溶融混練し、混練物を調製した。次いで、得られた混練物を、平板プレス法により、シート状に形成して、第2の樹脂層を作製した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
 (樹脂シートの作製)
 第1の樹脂層のポリエステルフィルムAを剥離した後、ロールラミネ―タ―を用いて第2の樹脂層上に第1の樹脂層を積層した。これにより、第2の樹脂層上に第1の樹脂層が積層された樹脂シートを作製した。
 [比較例3]
 (第1の樹脂層の作製)
 表1に記載の配合比に従い、各成分を配合し、これに各成分の総量と同量のメチルエチルケトンを添加して、ワニスを調製した。得られたワニスを、コンマコ―タ-により、厚み50μmのポリエステルフィルムA(三菱化学ポリエステル社製、MRF-50)の剥離処理面上に塗工し、乾燥させた。次いで、厚み38μmのポリエステルフィルムB(三菱化学ポリエステル社製、MRF-38)の剥離処理面を、乾燥後のワニス上に張り合わせて、第1の樹脂層(第1の樹脂層のみからなる樹脂シート)を作製した。
 [比較例4]
 (第2の樹脂層の作製)
 表2に記載の配合比に従い、各成分を配合し、ロール混練機により60~120℃、10分間、減圧条件下(0.01kg/cm)で溶融混練し、混練物を調製した。次いで、得られた混練物を、平板プレス法により、シート状に形成して、第2の樹脂層(第2の樹脂層のみからなる樹脂シート)を作製した。
 [評価]
 樹脂シートについて以下の評価を行った。結果を表3に示す。
 (粘度)
 樹脂シートから第1の樹脂層を切り取り、厚み1mm、直径20mmの円形の試験片を作製し以下の測定を行った。レオメトリックス社製の粘弾性測定装置ARESを用いて、測定周波数0.1Hz、ひずみ0.1%、昇温速度5℃/分の条件にて、50℃から150℃まで測定を行い、100℃における複素粘度(η*)を読み取った。
 また、第1の樹脂層の測定方法と同様の方法で、第2の樹脂層の粘度を測定した。
 (引張貯蔵弾性率)
 樹脂シートから第1の樹脂層を切り取り、厚み400μm、サイズ10mm×35mmの試験片を作製し以下の測定を行った。粘弾性測定装置(ティ・エー・インスツルメント社製のRSA II)を用いて、測定周波数1Hz、ひずみ0.05%、チャック間距離22.6mm、昇温速度5℃/分の条件にて20℃から130℃まで測定を行い80℃における引張貯蔵弾性率(G’)を読みとった。
 また、第1の樹脂層の測定方法と同様の方法で、第2の樹脂層の引張貯蔵弾性率を測定した。
 (流入量)
 SAWフィルタ(チップ厚み200μm、バンプ高さ20μm)がマトリックス状に配列されたセラミック基板上に樹脂シートを積層し、温度100℃,圧力300kPaの条件にて1分間真空プレス(到達真空度6.65×10Pa)した。大気開放後、SAWフィルタパッケージを130℃のオーブンに3時間投入することにより樹脂シートを硬化させた。その後、ダイシング装置を用いてSAWフィルタパッケージを個片化し、得られたチップ状のSAWフィルタパッケージの断面を観察した。そして、チップエッジから中空部分への樹脂の流入量を測定した。
 なお、実施例1~5及び比較例1~2では、第1の樹脂層がSAWフィルタ及びセラミック基板と接触するように、樹脂シートをセラミック基板の上に積層した。
 (アルミナ基板との密着性(常温におけるせん断接着力))
 ・実施例1~5及び比較例1~2の試験片作成
 樹脂シートを直径3mmの円形に打ち抜いた。円形の樹脂シートの第1の樹脂層がアルミナ基板と接触するように、90℃の平板プレスで樹脂シートをアルミナ基板(厚さ0.5mm)に圧着した。その後、樹脂シート及びアルミナ基板からなる積層体を熱風オーブン中で150℃1時間の条件で硬化させて、試験片を得た。
 ・比較例3~4の試験片作成
 樹脂シートを直径3mmの円形に打ち抜いた。円形の樹脂シートがアルミナ基板と接触するように、90℃の平板プレスで樹脂シートをアルミナ基板(厚さ0.5mm)に圧着した。その後、樹脂シート及びアルミナ基板からなる積層体を熱風オーブン中で150℃1時間の条件で硬化させて、試験片を得た。
 ・測定
 図6は、せん断接着力を測定する様子を模式的に示す図である。図6に示すように、加温可能なサンプルテーブル23上に試験片(樹脂シート21及びアルミナ基板22からなる積層体)をセットし、吸着させた。テストツール24を被着体22上面から0.1mm浮かせ、アルミナ基板22と樹脂シート21との接着面に平行な方向に移動速度0.2mm/sで樹脂シート21を押し、その時の荷重を測定した。測定は、樹脂シート21が25℃の状態で行った。樹脂シート21の樹脂痕を測定し面積(mm)を計算した。
 ・算出
 せん断接着力は下記式により算出した。
 せん断荷重(N)/面積(mm)=せん断接着力(MPa)
 なお、せん断接着力は、3MPa以上が好ましい。
 (硬化後基板反り)
 縦7cm×横7cm×厚み0.2mmのアルミナ基板に、樹脂シートを積層した後、90℃、5kN、60秒間加熱加圧した。その後、オーブン中で150℃、1時間の条件で樹脂シートを硬化させた後、室温まで放冷した。温度可変レーザ三次元測定器((株)ティーテック社製)を用いて硬化物の表面四隅の高さを測定し、最も高い位置を反り量とした。なお、反り量は、1mm以下が好ましい。
 なお、実施例1~5及び比較例1~2では、第1の樹脂層がアルミナ基板と接触するように、樹脂シートをアルミナ基板の上に積層した。
 (凹凸追従性)
 アルミナ基板に、深さ0.2mm、幅0.2mmの溝を形成した後、樹脂シートを15torrの減圧条件下、120℃、0.5MPa、3分の加圧条件でアルミナ基板の溝が形成された面にプレスした。この際、溝の底部全体に樹脂が到達したものを◎、溝の底部の一部に樹脂が到達したものを○、溝の底部に樹脂が全く到達しなかったものを×とした。
 なお、実施例1~5及び比較例1~2では、第1の樹脂層がアルミナ基板と接触するように、樹脂シートをアルミナ基板の上に積層した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
 
     1    第1の樹脂層
     2    第2の樹脂層
    11    樹脂シート
    12    プリント配線基板
    13    SAWフィルタ
    13a   突起電極
    14    中空部分
    15、16 電子デバイスパッケージ
    17    バンプ
    18    基板
    21    樹脂シート
    22    アルミナ基板
    23    サンプルテーブル
    24    テストツール

Claims (8)

  1. 第1の樹脂層及び第2の樹脂層を備え、
    前記第1の樹脂層及び前記第2の樹脂層はフィラーを含み、
    下記式(1)及び下記式(2)を満たす中空型電子デバイス封止用樹脂シート。
    前記第1の樹脂層中の前記フィラーの含有量(体積%)<前記第2の樹脂層中の前記フィラーの含有量(体積%) (1)
    前記第1の樹脂層の粘度>前記第2の樹脂層の粘度 (2)
  2. 前記第1の樹脂層の粘度の前記第2の樹脂層の粘度に対する比(前記第1の樹脂層の粘度/前記第2の樹脂層の粘度)が、3~1000である請求項1に記載の中空型電子デバイス封止用樹脂シート。
  3. 前記第1の樹脂層の引張貯蔵弾性率の前記第2の樹脂層の引張貯蔵弾性率に対する比(前記第1の樹脂層の引張貯蔵弾性率/前記第2の樹脂層の引張貯蔵弾性率)が、5~500である請求項1又は2に記載の中空型電子デバイス封止用樹脂シート。
  4. 前記第1の樹脂層中の前記フィラーの平均粒径の前記第2の樹脂層中の前記フィラーの平均粒径に対する比(前記第1の樹脂層中の前記フィラーの平均粒径/前記第2の樹脂層中の前記フィラーの平均粒径)が、0.01~0.5である請求項1~3のいずれかに記載の中空型電子デバイス封止用樹脂シート。
  5. 前記第1の樹脂層中の前記フィラーの含有量が69体積%以下であり、前記第2の樹脂層中の前記フィラーの含有量が69体積%を超える請求項1~4のいずれかに記載の中空型電子デバイス封止用樹脂シート。
  6. 前記第1の樹脂層の厚みの前記第2の樹脂層の厚みに対する比(前記第1の樹脂層の厚み/前記第2の樹脂層の厚み)が、0.05~0.3である請求項1~5のいずれかに記載の中空型電子デバイス封止用樹脂シート。
  7. 前記第1の樹脂層の粘度が10000Pa・s以上である請求項1~6のいずれかに記載の中空型電子デバイス封止用樹脂シート。
  8. 請求項1~7のいずれかに記載の中空型電子デバイス封止用樹脂シートを準備する工程と、
    中空型電子デバイスを搭載する基板を準備する工程と、
    前記第1の樹脂層が前記中空型電子デバイス及び前記基板と接触するように、前記中空型電子デバイス封止用樹脂シートを前記基板の上に積層する工程とを含む中空型電子デバイスパッケージの製造方法。
     
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018174243A (ja) * 2017-03-31 2018-11-08 ナガセケムテックス株式会社 実装構造体の製造方法およびこれに用いられる積層シート
JP2018174242A (ja) * 2017-03-31 2018-11-08 ナガセケムテックス株式会社 実装構造体の製造方法およびこれに用いられる積層シート
WO2019065977A1 (ja) * 2017-09-29 2019-04-04 ナガセケムテックス株式会社 実装構造体の製造方法およびこれに用いられるシート
WO2019065976A1 (ja) * 2017-09-29 2019-04-04 ナガセケムテックス株式会社 実装構造体の製造方法およびこれに用いられる積層シート
JP2020068237A (ja) * 2018-10-22 2020-04-30 新光電気工業株式会社 配線基板

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6497998B2 (ja) * 2015-03-19 2019-04-10 日東電工株式会社 封止用シートおよびパッケージの製造方法
JP6556081B2 (ja) * 2016-03-24 2019-08-07 京セラ株式会社 弾性表面波装置
JP6759857B2 (ja) * 2016-08-25 2020-09-23 日立化成株式会社 封止材及び電子部品装置の製造方法
JP2018104649A (ja) * 2016-12-28 2018-07-05 日東電工株式会社 樹脂シート
CN106684057B (zh) * 2016-12-30 2019-10-22 华为技术有限公司 芯片封装结构及其制造方法
WO2018181761A1 (ja) * 2017-03-31 2018-10-04 日立化成株式会社 封止フィルム、電子部品装置の製造方法及び電子部品装置
WO2018235875A1 (ja) * 2017-06-23 2018-12-27 株式会社村田製作所 弾性波装置、フロントエンド回路及び通信装置
CN110771038B (zh) 2017-06-23 2023-09-19 株式会社村田制作所 弹性波装置、前端电路以及通信装置
JP6891849B2 (ja) * 2017-07-19 2021-06-18 株式会社村田製作所 電子モジュールおよび電子モジュールの製造方法
EP3726571A4 (en) 2017-12-14 2021-09-08 Nagase Chemtex Corporation MANUFACTURING PROCESS OF A MOUNTING STRUCTURE
JP7110011B2 (ja) * 2018-07-03 2022-08-01 日東電工株式会社 封止用シートおよび電子素子装置の製造方法
JP7343989B2 (ja) * 2019-03-19 2023-09-13 日東電工株式会社 封止用シート
JP7343988B2 (ja) * 2019-03-19 2023-09-13 日東電工株式会社 封止用シート
JPWO2020241505A1 (ja) * 2019-05-31 2020-12-03
JPWO2021010209A1 (ja) * 2019-07-12 2021-01-21
CN112786541A (zh) * 2019-11-11 2021-05-11 江苏长电科技股份有限公司 空腔器件组的封装结构及封装方法
JP7461229B2 (ja) 2020-06-17 2024-04-03 日東電工株式会社 封止用樹脂シート
JP7456860B2 (ja) 2020-06-17 2024-03-27 日東電工株式会社 封止用樹脂シート
JP7473408B2 (ja) 2020-06-17 2024-04-23 日東電工株式会社 封止用樹脂シート
JP2022179054A (ja) 2021-05-21 2022-12-02 日東電工株式会社 封止用樹脂シート
CN114024520B (zh) * 2021-11-03 2023-02-10 北京超材信息科技有限公司 声学装置双层覆膜工艺
CN113992174A (zh) * 2021-11-03 2022-01-28 北京超材信息科技有限公司 声学装置封装结构

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004327623A (ja) * 2003-04-23 2004-11-18 Three M Innovative Properties Co 封止用フィルム接着剤、封止用フィルム積層体及び封止方法
JP2008098419A (ja) * 2006-10-12 2008-04-24 Hitachi Chem Co Ltd 封止フィルム、及びこれを用いた半導体装置
JP2008311348A (ja) * 2007-06-13 2008-12-25 Nitto Denko Corp 熱硬化型接着シート

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004327623A (ja) * 2003-04-23 2004-11-18 Three M Innovative Properties Co 封止用フィルム接着剤、封止用フィルム積層体及び封止方法
JP2008098419A (ja) * 2006-10-12 2008-04-24 Hitachi Chem Co Ltd 封止フィルム、及びこれを用いた半導体装置
JP2008311348A (ja) * 2007-06-13 2008-12-25 Nitto Denko Corp 熱硬化型接着シート

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018174243A (ja) * 2017-03-31 2018-11-08 ナガセケムテックス株式会社 実装構造体の製造方法およびこれに用いられる積層シート
JP2018174242A (ja) * 2017-03-31 2018-11-08 ナガセケムテックス株式会社 実装構造体の製造方法およびこれに用いられる積層シート
WO2019065977A1 (ja) * 2017-09-29 2019-04-04 ナガセケムテックス株式会社 実装構造体の製造方法およびこれに用いられるシート
WO2019065976A1 (ja) * 2017-09-29 2019-04-04 ナガセケムテックス株式会社 実装構造体の製造方法およびこれに用いられる積層シート
JPWO2019065977A1 (ja) * 2017-09-29 2020-11-26 ナガセケムテックス株式会社 実装構造体の製造方法およびこれに用いられるシート
JPWO2019065976A1 (ja) * 2017-09-29 2020-11-26 ナガセケムテックス株式会社 実装構造体の製造方法およびこれに用いられる積層シート
JP7038726B2 (ja) 2017-09-29 2022-03-18 ナガセケムテックス株式会社 実装構造体の製造方法およびこれに用いられるシート
JP7118985B2 (ja) 2017-09-29 2022-08-16 ナガセケムテックス株式会社 実装構造体の製造方法およびこれに用いられる積層シート
US11799442B2 (en) 2017-09-29 2023-10-24 Nagase Chemtex Corporation Manufacturing method of mounting structure, and laminate sheet therefor
US11848659B2 (en) 2017-09-29 2023-12-19 Nagase Chemtex Corporation Manufacturing method of mounting structure, and sheet therefor
JP2020068237A (ja) * 2018-10-22 2020-04-30 新光電気工業株式会社 配線基板
JP7211757B2 (ja) 2018-10-22 2023-01-24 新光電気工業株式会社 配線基板

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CN105453253B (zh) 2019-05-31

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