JP7166091B2 - 封止用シートおよび電子素子装置の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、封止用シートおよび電子素子装置の製造方法に関し、詳しくは、電子素子装置の製造方法およびそれに用いられる封止用シートに関する。
従来、基板の一方面に実装された電子デバイスを、電子デバイス封止用シートで封止して、電子デバイスパッケージを製造する方法が知られている（例えば、下記特許文献１参照。）。
この方法では、電子デバイス封止用シートは、電子デバイスの一方面および側面と、基板における電子デバイスの周囲の一方面とに接触するように、電子デバイスを埋設して、電子デバイスを封止する。
しかるに、電子デバイスパッケージでは、電子デバイスが基板から剥離しないような、電子デバイスと基板との強い接合強度が求められる。
さらに、封止樹脂シートを薄く形成して、製造される電子デバイスパッケージの薄型化が求められる。
本発明は、電子素子の基板からの剥離を抑制することができる封止用シート、および、薄型化が図られた電子素子装置の製造方法を提供する。
本発明（１）は、基板の厚み方向一方面に対向するように実装される電子素子を、前記基板において前記電子素子と対向しない前記厚み方向一方面と接触するように、封止する封止層を形成するように使用される封止用シートであり、前記封止用シートの厚みＴが、０．２５［ｍｍ］以上、０．５０［ｍｍ］未満であり、前記封止用シートの前記厚みＴ［ｍｍ］と、前記封止層の線膨張係数α［１／℃］との積が、８×１０－６［ｍｍ／℃］以下である、封止用シートを含む。
封止用シートの厚みＴが０．２５［ｍｍ］に満たなければ、封止層の厚みが過度に薄くなり、そのため、封止層の電子素子に対する密着力が低下して、電子素子の基板に対する剥離を抑制することができない。
しかし、この封止用シートの厚みＴは、０．２５［ｍｍ］以上であるので、封止層の電子素子に対する密着力を十分に確保して、電子素子の基板に対する剥離を抑制することができる。
一方、封止用シートの厚みＴが０．５０［ｍｍ］を超えれば、封止層の厚みが過度に厚くなり、そのため、封止層を備える電子素子装置の薄型化を図ることができない。
しかし、この封止用シートの厚みＴが０．５０［ｍｍ］以下であるので、封止層を備える電子素子装置の薄型化を図ることができる。
また、封止用シートの厚みＴが上記した範囲内にはあるが、比較的厚めであって、封止層の線膨張係数αが高いために、封止用シートの厚みＴ［ｍｍ］と、封止層の線膨張係数α［１／℃］との積が８×１０－６［ｍｍ／℃］を超える場合がある。この場合には、封止層の線膨張係数αが高いことに起因して、基板の線膨張係数が封止層の線膨張係数に対して小さくなる。そのため、基板の線膨張係数と封止層の線膨張係数αとの差が大きくなり、電子素子装置が過酷な温度条件で使用されるときに、基板の厚み方向一方面に接触する封止層に内部応力が生じ、その結果、電子素子が基板から剥離する。
一方、封止層の線膨張係数αが高くても、封止用シートの厚みＴが上記した範囲内にあって、比較的薄めであるために、封止用シートの厚みＴ［ｍｍ］と、封止層の線膨張係数α［１／℃］との積が８×１０－６［ｍｍ／℃］以下となる場合がある。この場合には、封止層の線膨張係数αが高くても、封止層は、比較的薄めであることから、電子素子装置が過酷な温度条件で使用されても、内部応力が生じにくく、そのため、電子素子が基板から剥離することを抑制することができる。
他方、封止層の線膨張係数αが低く、封止用シートの厚みＴが比較的厚めであっても、封止層の線膨張係数α［１／℃］との積が８×１０－６［ｍｍ／℃］以下となる場合、あるいは、封止層の線膨張係数αが低く、かつ、封止用シートの厚みＴが比較的薄めであるため、封止層の線膨張係数α［１／℃］との積が８×１０－６［ｍｍ／℃］以下となる場合がある。これらの場合には、封止層は、線膨張係数αが低いことから、電子素子装置が過酷な温度条件で使用されても、内部応力を生じにくく、そのため、電子素子が基板から剥離することを抑制することができる。
従って、この封止用シートによれば、電子素子の基板からの剥離を抑制することができる封止層を形成して、薄型化が図られた電子素子装置を製造することができる。
本発明（２）は、（１）に記載の封止用シートを使用して、電子素子を封止する、電子素子装置の製造方法を含む。
この製造方法では、上記した封止用シートを使用して、基板に実装される電子素子を封止層で確実に封止することができる。その結果、基板、電子素子および封止層を備え、信頼性に優れる電子素子装置を製造することができる。
本発明の封止用シートによれば、電子素子の基板からの剥離を抑制することができる封止層を形成して、薄型化が図られた電子素子装置を製造することができる。
本発明の電子素子装置の製造方法によれば、信頼性に優れる電子素子装置を製造することができる。
本発明の封止用シートの一実施形態である電子素子封止用シートを図１および図２を参照して説明する。
図１および図２に示すように、この電子素子封止用シート１は、電子素子装置（電子素子パッケージ）３の製造に使用される。図２に示すように、電子素子装置３は、後で説明するが、基板２と、電子素子４および封止層５を備える。
また、図１に示す電子素子封止用シート１は、電子素子４を封止した後の封止層５（図２参照）ではなく、つまり、電子素子４を封止する前であり、封止層５を形成するための前駆体シート（好ましくは、硬化性シート）である。
図１に示すように、電子素子封止用シート１は、厚み方向に直交する方向（面方向）に延びる略板形状（フィルム形状）を有する。電子素子封止用シート１は、厚み方向一方面である第１シート面６と、厚み方向他方面である第２シート面７とを有する。第１シート面６および第２シート面７は、互いに平行する平面（平坦面）である。
第１シート面６は、電子素子封止用シート１が電子素子４（図２参照）を封止するときに、例えば、その平坦（平面）形状を維持して、第２シート面７との厚み方向における間隔を確保して、所定の厚みを与える。
第２シート面７は、後述するが、電子素子封止用シート１が電子素子４を封止するときに、電子素子４における少なくとも第１素子面８（後述）と、基板２において電子素子４と対向しない第１基板面１１（後述）との両面に接触する接触面である。
電子素子封止用シート１の材料は、電子素子封止用シート１が後述する厚みＴおよび封止層５の線膨張係数α（より具体的には、電子素子封止用シート１の厚みＴおよび封止層５の線膨張係数αの積）が後述する範囲を満足するような材料であれば、特に限定されない。電子素子封止用シート１の材料としては、例えば、封止組成物が挙げられる。
封止組成物は、例えば、熱硬化性成分を含有する硬化性組成物である。
熱硬化性成分は、電子素子４を封止するときの加熱により一旦軟化し、さらには、溶融して流動し、さらなる加熱によって、硬化する成分である。
また、熱硬化性成分は、電子素子封止用シート１においてＢステージ（半硬化状態）であって、Ｃステージではない（つまり、完全硬化前の状態である）。なお、Ｂステージは、熱硬化性成分が、液状であるＡステージと、完全硬化したＣステージとの間の状態であって、硬化およびゲル化がわずかに進行し、圧縮弾性率がＣステージの圧縮弾性率よりも小さい状態である。
熱硬化性成分は、例えば、主剤、硬化剤および硬化促進剤を含む。
主剤としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ビニルエステル樹脂、シアノエステル樹脂、マレイミド樹脂、シリコーン樹脂などが挙げられる。主剤としては、耐熱性などの観点から、好ましくは、エポキシ樹脂が挙げられる。主剤がエポキシ樹脂であれば、熱硬化性成分は、後述する硬化剤（エポキシ系硬化剤）および硬化促進剤（エポキシ系硬化促進剤）とともに、エポキシ系熱硬化性成分を構成する。
エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂などの２官能エポキシ樹脂、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂などの３官能以上の多官能エポキシ樹脂などが挙げられる。これらエポキシ樹脂は、単独で使用または２種以上を併用することができる。
好ましくは、２官能エポキシ樹脂の単独使用が挙げられ、具体的には、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の単独使用が挙げられる。
エポキシ樹脂のエポキシ当量は、例えば、１０ｇ／ｅｑ．以上、好ましくは、１００ｇ／ｅｑ．以上であり、また、例えば、３００ｇ／ｅｑ．以下、好ましくは、２５０ｇ／ｅｑ．以下である。
主剤（好ましくは、エポキシ樹脂）の軟化点は、例えば、５０℃以上、好ましくは、７０℃以上であり、また、例えば、１１０℃以下、好ましくは、９０℃以下である。
主剤（好ましくは、エポキシ樹脂）の割合は、封止組成物において、例えば、１質量％以上、好ましくは、２質量％以上であり、また、例えば、３０質量％以下、好ましくは、１０質量％以下である。また、主剤（好ましくは、エポキシ樹脂）の割合は、熱硬化性成分において、例えば、５０質量％以上、好ましくは、６０質量％以上であり、また、例えば、９０質量％以下、好ましくは、１０質量％以下である。
硬化剤は、加熱によって、上記した主剤を硬化させる成分（好ましくは、エポキシ樹脂硬化剤）である。硬化剤としては、例えば、フェノールノボラック樹脂などのフェノール樹脂が挙げられる。
硬化剤の割合は、主剤がエポキシ樹脂であり、硬化剤がフェノール樹脂であれば、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量に対して、フェノール樹脂中の水酸基の合計が、例えば、０．７当量以上、好ましくは、０．９当量以上、例えば、１．５当量以下、好ましくは、１．２当量以下となるように、調整される。具体的には、硬化剤の配合部数は、主剤１００質量部に対して、例えば、３０質量部以上、好ましくは、５０質量部以上であり、また、例えば、７５質量部以下、好ましくは、６０質量部以下である。
硬化促進剤は、加熱によって、主剤の硬化を促進する触媒（熱硬化触媒）（好ましくは、エポキシ樹脂硬化促進剤）であって、例えば、有機リン系化合物、例えば、２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール（２ＰＨＺ－ＰＷ）などのイミダゾール化合物などが挙げられる。好ましくは、イミダゾール化合物が挙げられる。硬化促進剤の配合部数は、主剤１００質量部に対して、例えば、０．０５質量部以上であり、また、例えば、５質量部以下である。
なお、封止組成物は、上記した熱硬化性成分に加え、無機フィラー、熱可塑性成分、顔料、シランカップリング剤などの添加剤を含有することができる。
無機フィラーは、封止層５（後述）の強度を向上させて、封止層５に優れた靱性を付与する無機粒子である。無機フィラーの材料としては、例えば、石英ガラス、タルク、シリカ、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化ホウ素などの無機化合物が挙げられる。これらは、単独使用または２種以上併用することができる。好ましくは、シリカが挙げられる。
無機フィラーの形状は、特に限定されず、例えば、略球形状、略板形状、略針形状、不定形状などが挙げられる。好ましくは、略球形状が挙げられる。
無機フィラーの最大長さの平均値（略球形状であれば、平均粒子径）Ｍは、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、２０μｍ以下、より好ましくは、１０μｍ以下であり、また、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、０．５μｍ以上である。なお、平均粒子径Ｍは、例えば、レーザー散乱法における粒度分布測定法によって求められた粒度分布に基づいて、Ｄ５０値（累積５０％メジアン径）として求められる。
また、無機フィラーは、第１フィラーと、第１フィラーの最大長さの平均値Ｍ１より小さい最大長さの平均値Ｍ２を有する第２フィラーとを含むことができる。
第１フィラーの最大長さの平均値（略球形状であれば、平均粒子径）Ｍ１は、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上であり、また、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、３０μｍ以下である。
第２フィラーの最大長さの平均値（略球形状であれば、平均粒子径）Ｍ２は、例えば、１μｍ未満、好ましくは、０．８μｍ以下であり、また、例えば、０．０１μｍ以上、好ましくは、０．１μｍ以上である。
第１フィラーの最大長さの平均値の、第２フィラーの最大長さの平均値に対する比（Ｍ１／Ｍ２）は、例えば、２以上、好ましくは、５以上であり、また、例えば、５０以下、好ましくは、２０以下である。
第１フィラーおよび第２フィラーの材料は、ともに同一あるいは相異っていてもよい。
さらに、無機フィラーは、その表面が、部分的あるいは全体的に、シランカップリング剤などで表面処理されていてもよい。
無機フィラーが上記した第１フィラーと第２フィラーとを含む場合には、第１フィラーの割合は、封止組成物中、例えば、４０質量％以上、好ましくは、５０質量％超過であり、また、例えば、８０質量％以下、好ましくは、７０質量％以下、より好ましくは、６０質量％以下である。第２フィラーの配合部数は、第１フィラー１００質量部に対して、例えば、４０質量部以上、好ましくは、５０質量部以上であり、また、例えば、７０質量部以下、好ましくは、６０質量部以下である。
無機フィラーの割合は、封止組成物中、例えば、５０質量％以上、好ましくは、６５質量％以上、より好ましくは、７０質量％以上、さらに好ましくは、７５質量％以上であり、また、例えば、９５質量％以下、好ましくは、９０質量％以下である。
熱可塑性成分は、電子素子４を封止するときの電子素子封止用シート１における柔軟性を向上させる成分である。熱可塑性成分は、例えば、熱可塑性樹脂である。
熱可塑性樹脂としては、例えば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン－酢酸ビニル共重合体、エチレン－アクリル酸共重合体、エチレン－アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂（６－ナイロンや６，６－ナイロンなど）、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、飽和ポリエステル樹脂（ＰＥＴなど）、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂、スチレン－イソブチレン－スチレンブロック共重合体などが挙げられる。これら熱可塑性樹脂は、単独使用または２種以上併用することができる。
熱可塑性樹脂として、好ましくは、主剤（好ましくは、エポキシ樹脂）との分散性を向上させる観点から、アクリル樹脂が挙げられる。
アクリル樹脂としては、例えば、直鎖または分岐のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルと、その他のモノマー（共重合性モノマー）とを含むモノマー成分を重合してなる、カルボキシル基含有（メタ）アクリル酸エステルコポリマー（好ましくは、カルボキシル基含有アクリル酸エステルコポリマー）などが挙げられる。
アルキル基としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ－ブチル、ｔ－ブチル、イソブチル、ペンチル、ヘキシルなどの炭素数１～６のアルキル基などが挙げられる。
その他のモノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸、クロトン酸などのカルボキシル基含有モノマーなどが挙げられる。
熱可塑性成分の重量平均分子量は、例えば、１０万以上、好ましくは、３０万以上であり、また、例えば、１００万以下、好ましくは、９０万以下である。なお、重量平均分子量は、ゲル浸透クロマトフラフィー（ＧＰＣ）により、標準ポリスチレン換算値に基づいて測定される。
熱可塑性成分の割合（固形分割合）は、封止組成物の熱硬化を阻害しないように調整されており、具体的には、封止組成物に対して、例えば、１質量％以上、好ましくは、２質量％以上であり、また、例えば、１０質量％以下、好ましくは、５質量％以下である。なお、熱可塑性成分は、適宜の溶媒で希釈されて調製されていてもよい。
顔料としては、例えば、カーボンブラックなどの黒色顔料が挙げられる。顔料の平均粒子径は、例えば、０．００１μｍ以上、例えば、１μｍ以下である。顔料の割合は、封止組成物に対して、例えば、０．１質量％以上、また、例えば、２質量％以下である。
シランカップリング剤としては、例えば、エポキシ基を含有するシランカップリング剤が挙げられる。エポキシ基を含有するシランカップリング剤としては、例えば、３－グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシランなどの３－グリシドキシジアルキルジアルコキシシラン、例えば、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリエトキシシランなどの３－グリシドキシアルキルトリアルコキシシランが挙げられる。好ましくは、３－グリシドキシアルキルトリアルコキシシランが挙げられる。シランカップリング剤の配合割合は、無機フィラー１００質量部に対して、例えば、０．１質量部以上、好ましくは、１質量部以上であり、また、例えば、１０質量部以下、好ましくは、５質量部以下である。
電子素子封止用シート１の厚みＴは、０．２５ｍｍ以上である。電子素子封止用シート１の厚みＴは、第１シート面６および第２シート面７間の距離（平均長さ）である。
一方、電子素子封止用シート１の厚みＴが０．２５ｍｍに満たなければ、電子素子封止用シート１から形成される封止層５の厚みが過度に薄くなり、そのため、封止層５の電子素子４に対する密着力が低下して、電子素子４の基板２に対する剥離を抑制することができない。
電子素子封止用シート１の厚みＴは、好ましくは、好ましくは、０．２７ｍｍ以上、より好ましくは、０．３０ｍｍ以上である。
電子素子封止用シート１の厚みＴが上記した下限以上であれば、封止層５の厚みが過度に薄くなることを抑制でき、そのため、封止層５の電子素子４に対する密着力の低下を抑制して、電子素子４の基板２に対する剥離を抑制することができる。さらに、電子素子封止用シート１を、電子素子４の封止性に優れる厚手品として取り扱うことができる。
他方、電子素子封止用シート１の厚みＴは、０．５０ｍｍ未満である。
電子素子封止用シート１の厚みＴが０．５０ｍｍ以上であれば、電子素子封止用シート１から形成される封止層５の厚みが過度に厚くなり、そのため、封止層５を備える電子素子装置の薄型化を図ることができない。
電子素子封止用シート１の厚みＴは、好ましくは、０．４５ｍｍ以下、より好ましくは、０．４０ｍｍ以下である。
電子素子封止用シート１の厚みＴが上記した上限を下回れば、電子素子封止用シート１から形成される封止層５の厚みが過度に厚くなることを抑制でき、そのため、封止層５を備える電子素子装置の薄型化を図ることができる。
電子素子封止用シート１の直交方向（面方向）における形状は、特に限定されず、その大きさは、複数の電子素子４を埋設（封止）するとともに、複数の電子素子４から露出する基板２の第１基板面１１（電子素子４の周囲の第１基板面１１）に接触できるように、設定されている。具体的には、電子素子封止用シート１の面方向における長さ（電子素子封止用シート１が平面視矩形状であれば、４辺における最大長さ）は、例えば、１ｍｍ以上であり、また、例えば、５００ｍｍ以下である。
電子素子封止用シート１を製造するには、まず、封止組成物を調製する。具体的には、上記した成分を配合して、それらを混合して、封止組成物を調製する。好ましくは、上記した各成分（および必要により溶媒（ケトン、アルコールなど）を配合および混合して、ワニスを調製する。その後、ワニスを、図示しない剥離シートに塗布し、乾燥させて、電子素子封止用シート１を得る。なお、ワニスを調製せず、混練押出によって、封止組成物から電子素子封止用シート１を形成することもできる。
これによって、電子素子封止用シート１は、封止組成物から１層として形成される。
電子素子封止用シート１は、熱硬化性成分を含有する場合には、例えば、Ｂステージである。
（電子素子装置の製造方法）
次に、電子素子封止用シート１を用いて、電子素子装置３を製造する方法を説明する。
次に、電子素子封止用シート１を用いて、電子素子装置３を製造する方法を説明する。
この製造方法は、電子素子封止用シート１および電子素子４を準備する準備工程（図１参照）、および、電子素子封止用シート１を使用して電子素子４を封止して、封止層５を形成する封止工程（図２参照）を備える。
（準備工程）
図１に示すように、準備工程では、上記した電子素子封止用シート１（好ましくは、Ｂステージの電子素子封止用シート１）を準備する。別途、図１の仮想線で示すように、準備工程では、基板２に実装された電子素子４を準備する。
図１に示すように、準備工程では、上記した電子素子封止用シート１（好ましくは、Ｂステージの電子素子封止用シート１）を準備する。別途、図１の仮想線で示すように、準備工程では、基板２に実装された電子素子４を準備する。
電子素子４は、基板２の第１基板面１１（後述）において、互いに間隔を隔てて複数配置されている。複数の電子素子４のそれぞれは、面方向に延びる略平板形状を有する。具体的には、複数の電子素子４のそれぞれは、第１素子面８、第２素子面９、および、素子周側面１０を連続して備える。
第１素子面８および第２素子面９は、厚み方向に互いに間隔を隔てられており、互いに平行する平面である。
素子周側面１０は、第１素子面８および第２素子面９の周端縁を厚み方向に連結する。素子周側面１０は、厚み方向に延びており、より具体的には、素子周側面１０は、面方向に直交する。
電子素子４としては、特に限定されず、種々の電子素子が挙げられ、例えば、中空型電子素子、半導体素子などが挙げられる。電子素子４は、基板２の第１基板面１１に対向するように複数実装されている。具体的には、複数の電子素子４は、基板２に対してフリップチップ実装されている。この場合には、複数の電子素子４の第２素子面９に設けられる電極（図示せず）が、基板２の第１基板面１１に設けられる端子（図示せず）と電気的に接続される。また、電子素子４の基板２に対して、図示しない接着層（ダイボンディングフィルムなど）を介してダイボンディングされていてもよい。
電子素子４の材料としては、特に限定されず、例えば、シリコンなどの硬質材料が挙げられる。
電子素子４の線膨張係数α３は、後述する封止層５の線膨張係数αに比べて小さく、さらには、後述する基板２の線膨張係数α２に比べても小さく、具体的には、例えば、１０×１０－６［１／℃］以下、好ましくは、５×１０－６［１／℃］以下であり、また、例えば、０．１×１０－６［１／℃］以上である。
電子素子４の厚みｔ２は、例えば、０．０５ｍｍ以上、好ましくは、０．１０ｍｍ以上であり、また、例えば、０．５ｍｍ以下、好ましくは、０．４ｍｍ以下、より好ましくは、０．３ｍｍ以下である。電子素子４の厚みｔ２は、第１素子面８および第２素子面９間の距離である。
電子素子４の面方向長さ（電子素子４が平面視矩形状であれば、４辺における最大長さ）は、電子素子４が基板２の第１基板面１１に固定される長さ（ひいては、面積）が確保されれば、特に限定されず、例えば、０．０１ｍｍ以上、好ましくは、０．１ｍｍ以上であり、また、例えば、１０ｍｍ以下、好ましくは、１ｍｍ以下である。
また、隣り合う電子素子４間の間隔は、かかる間隔に電子素子封止用シート１が充填され、基板２の第１基板面１１に接触できれば、特に限定されず、例えば、０．０１ｍｍ以上、好ましくは、０．１ｍｍ以上であり、また、例えば、１０ｍｍ以下、好ましくは、１ｍｍ以下である。
基板２は、電子素子４とともに、電子素子実装基板１３に備えられる。つまり、電子素子実装基板１３は、複数の電子素子４と、複数の電子素子４を実装する基板２とを備える。好ましくは、電子素子実装基板１３は、複数の電子素子４と、基板２とのみからなる。
基板２は、面方向に延びる略平板形状を有する。基板２は、平面視において、複数の電子素子４を囲む大きさを有する。基板２は、厚み方向一方面である第１基板面１１と、厚み方向他方面である第２基板面１２を備える。
第１基板面１１は、厚み方向一方側に露出する。第１基板面１１には、電子素子４とのフリップチップ実装に供される端子（図示せず）が設けられている。
第２基板面１２は、第１基板面１１に平行する平面である。
基板２の材料としては、特に限定されず、例えば、樹脂、セラミック（アルミナなど）、金属などが挙げられる。好ましくは、耐熱性の観点から、セラミックが挙げられる。
基板２の線膨張係数α２は、後述する封止層５の線膨張係数αに比べて小さく、具体的には、例えば、２０×１０－６［１／℃］以下、好ましくは、１０×１０－６［１／℃］以下、また、例えば、１×１０－６［１／℃］以上である。
基板２の厚みｔ３は、特に限定されず、例えば、１０μｍ以上、例えば、１，０００μｍ以下、好ましくは、５００μｍ以下である。
（封止工程）
封止工程では、図１の矢印および図２に示すように、次いで、電子素子封止用シート１を使用して電子素子４を封止する。
封止工程では、図１の矢印および図２に示すように、次いで、電子素子封止用シート１を使用して電子素子４を封止する。
例えば、電子素子封止用シート１を、電子素子実装基板１３に対して熱プレスする。熱プレスの温度、時間、圧力は、特に限定されない。この熱プレスによって、電子素子封止用シート１（とくに、第２シート面７）が、変形する。
すると、電子素子封止用シート１の第２シート面７が、電子素子４の第１素子面８および素子周側面１０と、基板２において電子素子４の周囲の第１基板面１１とに接触して、電子素子封止用シート１が、電子素子４を埋設する。
上記した熱プレスの後、電子素子封止用シート１の材料が熱硬化性成分を含有し、電子素子封止用シート１がＢステージであれば、電子素子封止用シート１を加熱して、完全硬化（Ｃステージ化）させる。これにより、電子素子封止用シート１から封止層５を形成する。
図２の太い仮想線で示すように、その後、電子素子装置３において、電子素子４の周囲の基板２および封止層５をダイシングする。例えば、基板２の第２基板面１２に仮想線で示すダイシングテープ１４を配置し、その後、ダイシングソー（図示せず）によって、隣り合う電子素子４間における基板２および封止層５を、面方向に沿って切断する。併せて、電子素子４の外側における基板２および封止層５を、面方向に沿って切断する（つまり、外形加工する）。
これによって、基板２と、１つの電子素子４と、封止層５とを備える電子素子装置３を得る。電子素子装置３は、好ましくは、基板２と、電子素子４と、封止層５とのみからなる。
電子素子装置３において、電子素子４は、基板２および封止層５によって、外部との連通が遮断される。つまり、電子素子４が外部に対して遮蔽される。換言すれば、複数の電子素子４が、封止層５によって封止される。
図２の仮想線で示すように、封止層５は、第１封止面１５と、第２封止面１６と、封止周側面２１とを備える。
第１封止面１５は、電子素子封止用シート１の第１シート面６から形成される。第１封止面１５は、面方向に沿う平面である。
第２封止面１６は、電子素子封止用シート１の第２シート面７から形成されており、断面視において、厚み方向他方側に開く略Ｕ字（略ハット）形状を有する。具体的には、第２封止面１６は、電子素子４に接触する素子接触面１７と、基板２に接触する基板接触面１８とを連続して備える。
素子接触面１７は、電子素子４の素子第１面８および素子周側面１０の両面に接触（密着）している。つまり、素子接触面１７は、電子素子４に対応する形状を有する。詳しくは、素子接触面１７は、第１素子面８に接触する第３封止面１９と、素子周側面１０に接触する第４封止面２０とを連続して備える。
第３封止面１９は、平面視において、電子素子４の第１素子面８と同一形状を有する。
第４封止面２０は、第３封止面２０の周端縁から厚み方向他方側に延びる内側面である。第４封止面２０は、側面視において、電子素子４の素子周側面１０と同一形状を有する。
基板接触面１８は、第４封止面２０の厚み方向他端縁に連続しており、第４封止面２０の厚み方向他端縁から面方向外側に延びる形状を有する。基板接触面１８は、基板２において電子素子４の周囲の第１基板面１１に対して接触（密着）している。そのため、基板接触面１８は、基板２において電子素子４の周囲の第１基板面１１と同一の平面形状を有する。
封止周側面２１は、第１封止面１５と第２封止面１６（基板接触面１８）の周端縁を連結する周面である。封止周側面２１は、厚み方向に延びる形状を有する。なお、封止周側面２１と、第１封止側面１５とのなす角度は、例えば、６０度以上、好ましくは、８０度以上であり、また、例えば、１２０度以下、好ましくは、１００度以下であり、最も好ましくは、９０度（直角）である。
封止層５の厚みｔ１は、電子素子４の厚み方向一方面８に接触する部分の厚み、つまり、封止層５における最小厚みであり、例えば、０．１５ｍｍ以上、好ましくは、０．１７ｍｍ以上、より好ましくは、０．１９ｍｍ以上、さらに好ましくは、０．２０ｍｍ以上であり、また、例えば、０．５０ｍｍ以下、好ましくは、０．４０ｍｍ以下、より好ましくは、０．３５ｍｍ以下である。上記した封止層５の厚みｔ１は、第１封止面１５と、第３封止面１９との間の厚み方向における距離である。
なお、封止層５の最大厚みは、上記した最小厚みｔ１と、電子素子４の厚みｔ２との合計（＝ｔ１＋ｔ２）であり、具体的には、第１封止面１５と、基板接触面１８との間の厚み方向における距離である。また、封止層５の最大厚みは、封止周側面２１の厚み方向長さでもある。封止層５の最大厚みは、例えば、０．３０ｍｍ以上、好ましくは、０．３５ｍｍ以上であり、また、例えば、０．５０ｍｍ未満、好ましくは、０．４５ｍｍ以下である。
また、封止層５の最大厚み（ｔ１＋ｔ２）の、封止層５の最小厚みｔ１に対する比（［ｔ１＋ｔ２］／ｔ１）は、例えば、１．４以上、好ましくは、１．７以上であり、また、例えば、２．２以下、好ましくは、２．０以下である。
また、封止層５の最大厚み（ｔ１＋ｔ２）の、電子素子用封止シート１の厚みＴに対する比（［ｔ１＋ｔ２］／Ｔ）は、例えば、０．８以上、好ましくは１．０以上であり、また、例えば、１．６以下、好ましくは、１．４以下である。
封止層５の基板接触面１８の面方向における長さＬは、その最短距離として、例えば、０．０１ｍｍ以上、好ましくは、０．０２ｍｍ以上であり、また、例えば、１．０ｍｍ以下、好ましくは、０．５ｍｍ以下である。なお、基板接触面１８における長さＬは、電子素子４の第２素子面９の周端縁から、封止周側面２１の厚み方向他端縁までの最短距離Ｌであり、また、第４封止面２０の厚み方向他端縁から面方向外側に向かって進むときに、基板２の第１基板面１１に対して基板接触面１８が接触している接触長さＬである。また、封止層５および電子素子４のそれぞれが平面視略矩形状であり、平面視において、封止層５の４つの封止周側面２１のそれぞれが、電子素子４の４つの素子周側面１０のそれぞれと平行する場合には、基板接触面１８における長さＬは、隣り合う封止周側面２１および素子周側面１０間における最短距離である。
封止層５の２５℃の引張貯蔵弾性率Ｅ’は、例えば、５，０００［Ｎ／ｍｍ２］以上、好ましくは、９，０００［Ｎ／ｍｍ２］以上、より好ましくは、１０，０００［Ｎ／ｍｍ２］以上、さらに好ましくは、１３，０００［Ｎ／ｍｍ２］以上であり、また、例えば、２０，０００［Ｎ／ｍｍ２］以下、好ましくは、１５，０００［Ｎ／ｍｍ２］以下、より好ましくは、１４，０００［Ｎ／ｍｍ２］以下である。なお、封止層５の２５℃の引張貯蔵弾性率Ｅ’は、昇温速度：１０℃／分、
周波数：１Ｈｚの動的粘弾性試験によって求められる。
周波数：１Ｈｚの動的粘弾性試験によって求められる。
封止層５の線膨張係数αは、例えば、３５×１０－６［１／℃］以下、好ましくは、３０×１０－６［１／℃］以下、より好ましくは、２５×１０－６［１／℃］以下であり、また、例えば、１×１０－６［１／℃］以上、さらに、５×１０－６［１／℃］以上、さらには、１０×１０－６［１／℃］以上である。封止層５の線膨張係数αの測定方法は、後で述べる実施例において詳述する。
封止層５の線膨張係数αと、基板２の線膨張係数α２との差（｜α－α２｜）は、例えば、２０×１０－６［１／℃］以下、好ましくは、１７．５×１０－６［１／℃］以下、より好ましくは、１５×１０－６［１／℃］以下であり、また、例えば、１×１０－６［１／℃］以上である。
封止層５の線膨張係数αの、基板２の線膨張係数α２に対する比（α／α２）は、例えば、７以下、好ましくは、４以下、より好ましくは、３以下、さらに好ましくは、２．５以下であり、また、例えば、１．５以上である。
封止層５の線膨張係数αと、電子素子４の線膨張係数α３との差（｜α－α３｜）は、例えば、２５×１０－６［１／℃］以下、好ましくは、２０×１０－６［１／℃］以下、より好ましくは、１５×１０－６［１／℃］以下であり、また、例えば、１×１０－６［１／℃］以上である。
封止層５の線膨張係数αの、電子素子４の線膨張係数α３に対する比（α／α３）は、例えば、１０以下、好ましくは、６以下、より好ましくは、５．５以下、さらに好ましくは、５以下であり、また、例えば、１．５以上である。
そして、図１に示す電子素子封止用シート１の厚みＴ［ｍｍ］と、図２に示す封止層５の線膨張係数α［１／℃］との積は、８×１０－６［ｍｍ／℃］以下である。
上記した積（α×Ｔ）が８×１０－６［ｍｍ／℃］を超過すると、後で詳しく述べるが、電子素子４が基板２から剥離することを抑制することができない。
上記した積（α×Ｔ）は、好ましくは、７．５×１０－６［ｍｍ／℃］以下、より好ましくは、７．０×１０－６［ｍｍ／℃］以下、さらに好ましくは、６．５×１０－６［ｍｍ／℃］以下、とりわけ好ましくは、６．０×１０－６［ｍｍ／℃］以下、最も好ましくは、５．０×１０－６［ｍｍ／℃］以下である。上記した積（α×Ｔ）が上記した上限以下であれば、電子素子４が基板２から剥離することを抑制することができる。
なお、上記した積（α×Ｔ）は、例えば、０×１０－６［ｍｍ／℃］以上、好ましくは、１×１０－６［ｍｍ／℃］以上である。
電子素子装置３の厚みＴ０は、電子素子装置３の使用の制限の観点から、例えば、０．８０ｍｍ以下、より薄型の電子素子装置３を製造する観点から、好ましくは、０．７０ｍｍ以下、より好ましくは、０．６０ｍｍ以下であり、また、例えば、０．４０ｍｍ以上である。電子素子装置３の厚みＴ０は、封止層５の厚みｔ１と、電子素子４の厚みｔ２と、基板２の厚みｔ３の合計（＝ｔ１＋ｔ２＋ｔ３）であり、また、基板２の第２基板面１２と、封止層５の第１封止面１５との厚み方向長さ（距離）である。
そして、電子素子封止用シート１の厚みＴが０．２５ｍｍに満たなければ、封止層５の厚みｔ１が過度に薄くなり、そのため、封止層５の電子素子４に対する密着力が低下して、電子素子４の基板２に対する剥離を抑制することができない。
しかし、この電子素子封止用シート１の厚みＴは、０．２５［ｍｍ］以上であるので、封止層５の電子素子４に対する密着力を十分に確保して、電子素子４の基板２に対する剥離を抑制することができる。
一方、電子素子封止用シート１の厚みＴが０．５０［ｍｍ］を超えれば、封止層５の厚みｔ１が過度に厚くなり、そのため、封止層５を備える電子素子装置３の薄型化を図ることができない。
しかし、この電子素子封止用シート１の厚みＴが０．５０［ｍｍ］以下であるので、封止層５を備える電子素子装置３の薄型化を図ることができる。
電子素子封止用シート１の厚みＴが上記した範囲内（０．２５［ｍｍ］以上、０．５０［ｍｍ］未満）にはあるが、比較的厚めであって、封止層５の線膨張係数αが高いために、電子素子封止用シート１の厚みＴ［ｍｍ］と、封止層５の線膨張係数α［１／℃］との積が８×１０－６［ｍｍ／℃］を超える場合がある。この場合には、封止層５の線膨張係数αが高いことに起因して、基板２の線膨張係数α２が封止層５の線膨張係数αに対して小さくなり、基板２の線膨張係数α２と封止層５の線膨張係数αとの差が大きくなる。そのため、電子素子装置３が過酷な温度条件で使用されるときに、基板２の厚み方向一方面に接触する封止層５に内部応力が生じ、その結果、電子素子４が基板２から剥離する。
一方、封止層５の線膨張係数αが高くても、電子素子封止用シート１の厚みＴが上記した範囲内にあって、比較的薄めであるために、電子素子封止用シート１の厚みＴ［ｍｍ］と、封止層５の線膨張係数α［１／℃］との積が８×１０－６［ｍｍ／℃］以下である場合がある。この場合には、封止層５の線膨張係数αが高くても、封止層５は、比較的薄めであることから、電子素子装置３が過酷な温度条件で使用されても、内部応力が生じにくく、そのため、電子素子４が基板２から剥離することを抑制することができる。
他方、封止層５の線膨張係数αが低く、電子素子封止用シート１の厚みＴが比較的厚めであっても、封止層５の線膨張係数α［１／℃］との積が８×１０－６［ｍｍ／℃］以下となる場合、あるいは、封止層５の線膨張係数αが低く、かつ、電子素子封止用シート１の厚みＴが比較的薄めであるため、封止層５の線膨張係数α［１／℃］との積が８×１０－６［ｍｍ／℃］以下となる場合がある。これら場合には、封止層５の線膨張係数αが低いことから、電子素子装置３が過酷な温度条件で使用されても、内部応力を生じにくく、そのため、電子素子４が基板２から剥離することを抑制することができる。
また、この製造方法では、上記した電子素子封止用シート１を使用して、基板２に実装される電子素子を封止層５で確実に封止することができる。その結果、基板２、電子素子４および封止層５を備え、信頼性に優れる電子素子装置３を製造することができる。
変形例
以下の各変形例において、上記した一実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、各変形例は、特記する以外、一実施形態と同様の作用効果を奏することができる。さらに、一実施形態およびその変形例を適宜組み合わせることができる。
以下の各変形例において、上記した一実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、各変形例は、特記する以外、一実施形態と同様の作用効果を奏することができる。さらに、一実施形態およびその変形例を適宜組み合わせることができる。
一実施形態では、図１に示すように、電子素子実装基板１３は、複数の電子素子４を備えるが、その数は、特に限定されず、例えば、図３Ａに示すように、１つであってもよい。この場合においても、図３Ｂの太い仮想線で示すように、１つの電子素子４を備える電子素子装置３において、電子素子４の周囲の基板２および封止層５をダイシングして、電子素子装置３の平面視における大きさ（面方向長さ）を調整（外形加工）する。
以下に実施例、比較例および参考例を示し、本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、何ら実施例、比較例および参考例に限定されない。また、以下の記載において用いられる配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限（「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限（「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替することができる。
実施例、比較例および参考例で使用した各成分を以下に示す。
エポキシ樹脂：新日鐵化学社製のＹＳＬＶ－８０ＸＹ（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、高分子量エポキシ樹脂、エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ．軟化点８０℃）
硬化剤：群栄化学社製のＬＶＲ－８２１０ＤＬ（ノボラック型フェノール樹脂、エポキシ樹脂硬化剤、水酸基当量：１０４ｇ／ｅｑ．、軟化点：６０℃）
アクリル樹脂：根上工業社製のＨＭＥ－２００６Ｍ、カルボキシル基含有のアクリル酸エステルコポリマー（アクリル系ポリマー）、重量平均分子量：６０万、ガラス転移温度（Ｔｇ）：－３５℃、固形分濃度２０質量％のメチルエチルケトン溶液
硬化促進剤：四国化成工業社製の２ＰＨＺ－ＰＷ（２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール）、エポキシ樹脂硬化促進剤
シランカップリング剤：信越化学社製のＫＢＭ－４０３（３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）
カーボンブラック：三菱化学社製の＃２０
第１フィラー：ＦＢ－８ＳＭ（球状溶融シリカ粉末（無機フィラー）、平均粒子径７．０μｍ）
第２フィラー：アドマテックス社製のＳＣ２２０Ｇ－ＳＭＪ（平均粒径０．５μｍ）を３－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学社製の製品名：ＫＢＭ－５０３）で表面処理した無機フィラー。無機フィラーの１００質量部に対して１質量部のシランカップリング剤で表面処理したもの。
硬化剤：群栄化学社製のＬＶＲ－８２１０ＤＬ（ノボラック型フェノール樹脂、エポキシ樹脂硬化剤、水酸基当量：１０４ｇ／ｅｑ．、軟化点：６０℃）
アクリル樹脂：根上工業社製のＨＭＥ－２００６Ｍ、カルボキシル基含有のアクリル酸エステルコポリマー（アクリル系ポリマー）、重量平均分子量：６０万、ガラス転移温度（Ｔｇ）：－３５℃、固形分濃度２０質量％のメチルエチルケトン溶液
硬化促進剤：四国化成工業社製の２ＰＨＺ－ＰＷ（２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール）、エポキシ樹脂硬化促進剤
シランカップリング剤：信越化学社製のＫＢＭ－４０３（３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）
カーボンブラック：三菱化学社製の＃２０
第１フィラー：ＦＢ－８ＳＭ（球状溶融シリカ粉末（無機フィラー）、平均粒子径７．０μｍ）
第２フィラー：アドマテックス社製のＳＣ２２０Ｇ－ＳＭＪ（平均粒径０．５μｍ）を３－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学社製の製品名：ＫＢＭ－５０３）で表面処理した無機フィラー。無機フィラーの１００質量部に対して１質量部のシランカップリング剤で表面処理したもの。
実施例１、２、４、５、比較例１～比較例８および参考例１、２
表１に記載の配合処方に従って、封止組成物を調製し、図１に示すように、この封止組成物から表１に記載の厚みＴを有する電子素子封止用シート１を製造した。
表１に記載の配合処方に従って、封止組成物を調製し、図１に示すように、この封止組成物から表１に記載の厚みＴを有する電子素子封止用シート１を製造した。
その後、図２に示すように、電子素子封止用シート１によって、複数の電子素子４を封止して、封止層５を形成した。
具体的には、シリコン（線膨張係数α３：３．４×１０－６［１／℃］）からなり、３ｍｍ角、表１に記載の厚みｔ２を有する電子素子４を複数準備し、これを、厚み２０μｍのダイボンディングフィルム（接着層）を介して、アルミナ（線膨張係数α２：７×１０－６［１／℃］）からなり、５０ｍｍ角、厚みｔ３が０．２２ｍｍである基板２の第１基板面１１にダイボンディングした。なお、隣り合う電子素子４間の間隔は、０．３ｍｍであった。これにより、図１に示すように、複数の電子素子４と、基板２とを備える電子素子実装基板１３を準備した。
次いで、電子素子封止用シート１を電子素子実装基板１３の厚み方向一方側に配置し、続いて、電子素子封止用シート１を電子素子実装基板１に対して、７５℃、６０秒、圧力１００ｋＰａの条件で真空プレスして、電子素子封止用シート１によって、複数の電子素子４を埋設した。その後、電子素子実装基板１３および電子素子封止用シート１を１５０℃で１時間加熱して、電子素子封止用シート１をＣステージ化した。
その後、図２の太い仮想線で示すように、複数の電子素子４のそれぞれの周囲における封止層５および基板２をダイシングした。これにより、基板２、電子素子４、および封止層５を備える電子素子装置（電子素子パッケージ）３を製造した。基板接触面１８における長さ（平均長さ）Ｌは、０．１５ｍｍであった。
（評価）
下記の項目を評価した。それらの結果を表１に記載する。
下記の項目を評価した。それらの結果を表１に記載する。
（電子素子封止用シートの引張貯蔵弾性率Ｅ’）
電子素子封止用シート１を縦０．１ｃｍ、横５ｃｍに外形加工して、サンプルを得た。その後、サンプルの９０℃における引張貯蔵弾性率Ｅ’を求めた。
電子素子封止用シート１を縦０．１ｃｍ、横５ｃｍに外形加工して、サンプルを得た。その後、サンプルの９０℃における引張貯蔵弾性率Ｅ’を求めた。
測定装置および測定条件の詳細は、以下の通りである。
測定装置：固体粘弾性測定装置（形式：ＲＳＡ－Ｇ２、ティー・エイ・インスツルメンツ社製）
モード：引張
走査温度：０～２６０℃
昇温速度：１０℃／分
周波数：１Ｈｚ
歪み：０．０５％
モード：引張
走査温度：０～２６０℃
昇温速度：１０℃／分
周波数：１Ｈｚ
歪み：０．０５％
（封止層の線膨張係数α）
電子素子封止用シート１を完全硬化させて、硬化サンプル（封止層５に相当）を得た。硬化サンプルを、長さ１５ｍｍ×幅４．５ｍｍ×厚さ３００μｍに外形加工して、サンプルを得た。
電子素子封止用シート１を完全硬化させて、硬化サンプル（封止層５に相当）を得た。硬化サンプルを、長さ１５ｍｍ×幅４．５ｍｍ×厚さ３００μｍに外形加工して、サンプルを得た。
続いて、サンプルを熱機械測定装置（Ｒｉｇａｋｕ社製：形式ＴＭＡ８３１０）のフィルム引張測定用治具にセットした後、２５～２６０℃の温度域で、引張荷重２ｇ、昇温速度５℃／ｍｉｎの条件で、３０℃～５０℃での膨張率から熱膨張係数αを算出した。
そして、電子素子封止用シート３の厚みＴと、上記厚みＴおよび封止層５の熱膨張係数αの積（Ｔ×α）との関係を図６に示す。
なお、図６では、厚みＴが０．２５［ｍｍ］および０．５０［ｍｍ］であるラインと、積（Ｔ×α［ｍｍ／℃］）が８×１０－６［ｍｍ／℃］であるラインとを示しており、これらのラインによって区画される領域は、厚みＴが０．２５［ｍｍ］以上、０．５０［ｍｍ］未満であり、積が８×１０－６［ｍｍ／℃］以下である範囲を示す。図６において、上の範囲を、ハッチング処理して示す。なお、詳しくは、厚みＴが０．５０［ｍｍ］であるライン上は、本発明の範囲に含まれず、上記ラインよりも左側の領域が、本発明の範囲に含まれる。
（接合強度の評価）（剥離の観察）
電子素子装置３について、以下の温度サイクル試験を実施した。
電子素子装置３について、以下の温度サイクル試験を実施した。
温度：－４０℃から８５℃まで
Total transfer time :１分以下
Total Dwell Time :１０分以上
Specified temp reached in：１５分以下
サイクル : 1000 サイクル
そして、超音波映像装置［ＳＡＴ］（日立建機ファインテック製、「ＦｉｎｅＳＡＴ ＩＩ」）を用いて、基板２と電子素子４との界面、および、基板２と封止層５との界面を観察し、以下の基準で、評価した。
○：剥離が、基板２と電子素子４との界面に観察されず、剥離が、基板２と封止層５との界面にも観察されなかった。
△：剥離が、基板２と電子素子４との界面に観察された。一方、剥離が、基板２と封止層５との界面には観察されなかった。図４Ｂおよび図５Ｂ参照。なお、図４Ｂおよび図５Ｂにおいて、基板２と電子素子４との間に隙間を意図的に描画しているが、実際には、この評価例では、隙間はなく、単に、電子素子４の基板２に対する固定（接着）（ボンディング）が外れた（剥離した）例であり、上記した「剥離」を容易に理解するために示すために、隙間を描画した。
×：剥離が、基板２と電子素子４との界面に観察された。剥離が、基板２と封止層５との界面にも観察された。
Total transfer time :１分以下
Total Dwell Time :１０分以上
Specified temp reached in：１５分以下
サイクル : 1000 サイクル
そして、超音波映像装置［ＳＡＴ］（日立建機ファインテック製、「ＦｉｎｅＳＡＴ ＩＩ」）を用いて、基板２と電子素子４との界面、および、基板２と封止層５との界面を観察し、以下の基準で、評価した。
○：剥離が、基板２と電子素子４との界面に観察されず、剥離が、基板２と封止層５との界面にも観察されなかった。
△：剥離が、基板２と電子素子４との界面に観察された。一方、剥離が、基板２と封止層５との界面には観察されなかった。図４Ｂおよび図５Ｂ参照。なお、図４Ｂおよび図５Ｂにおいて、基板２と電子素子４との間に隙間を意図的に描画しているが、実際には、この評価例では、隙間はなく、単に、電子素子４の基板２に対する固定（接着）（ボンディング）が外れた（剥離した）例であり、上記した「剥離」を容易に理解するために示すために、隙間を描画した。
×：剥離が、基板２と電子素子４との界面に観察された。剥離が、基板２と封止層５との界面にも観察された。
（電子素子装置の厚み）
電子素子装置の厚みＴ０を測定し、以下の基準に従って、評価した。
○：電子素子装置の厚みＴ０が０．７０ｍｍ以下であった。
×：電子素子装置の厚みＴ０が０．７０ｍｍ超過であった。
電子素子装置の厚みＴ０を測定し、以下の基準に従って、評価した。
○：電子素子装置の厚みＴ０が０．７０ｍｍ以下であった。
×：電子素子装置の厚みＴ０が０．７０ｍｍ超過であった。
１ 電子素子封止用シート
２ 基板
３ 電子素子装置
４ 電子素子
５ 封止層
１１ 第１基板面
Ｔ 厚み（電子素子封止用シート）
２ 基板
３ 電子素子装置
４ 電子素子
５ 封止層
１１ 第１基板面
Ｔ 厚み（電子素子封止用シート）
Claims (2)
- 基板の厚み方向一方面に対向するように実装される電子素子を、前記基板において前記電子素子と対向しない前記厚み方向一方面と接触するように、封止する封止層を形成するように使用される封止用シートであり、
前記封止用シートの厚みＴが、０．２５［ｍｍ］以上、０．５０［ｍｍ］未満であり、
前記封止用シートの前記厚みＴ［ｍｍ］と、前記封止層の線膨張係数α［１／℃］との積が、８×１０－６［ｍｍ／℃］以下であり、
前記封止層の線膨張係数αと、前記基板の線膨張係数α２との差（｜α－α２｜）が、１０×１０ －６ ［１／℃］以上、２０×１０ －６ ［１／℃］以下であることを特徴とする、封止用シート。 - 請求項１に記載の封止用シートを使用して、電子素子を封止することを特徴とする、電子素子装置の製造方法。
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