JP2015053470A - 中空型電子デバイス封止用樹脂シート及び中空型電子デバイスパッケージの製造方法 - Google Patents

中空型電子デバイス封止用樹脂シート及び中空型電子デバイスパッケージの製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】 中空型電子デバイスパッケージの中空部分を確保でき、中空型電子デバイスパッケージの反りを抑制できる中空型電子デバイス封止用樹脂シート及び中空型電子デバイスパッケージを提供する。【解決手段】 第１の樹脂層及び第２の樹脂層を備え、前記第１の樹脂層及び前記第２の樹脂層はフィラーを含み、下記式（１）及び下記式（２）を満たす中空型電子デバイス封止用樹脂シートに関する。前記第１の樹脂層中の前記フィラーの含有量（体積％）＜前記第２の樹脂層中の前記フィラーの含有量（体積％） （１）前記第１の樹脂層の粘度＞前記第２の樹脂層の粘度 （２）【選択図】 図１

Description

本発明は、中空型電子デバイス封止用樹脂シート及び中空型電子デバイスパッケージの製造方法に関する。
従来、ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）フィルタなどの中空型電子デバイスが樹脂封止された中空型電子デバイスパッケージを製造する方法として、基板に固定された中空型電子デバイスを熱硬化性樹脂シートで封止するという方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
特開２００６−１９７１４号公報
中空型電子デバイスパッケージにおいては、その中空部分を確保することや、中空型電子デバイスパッケージの反りを抑制することが重要である。
本発明は前記課題を解決し、中空型電子デバイスパッケージの中空部分を確保でき、中空型電子デバイスパッケージの反りを抑制できる中空型電子デバイス封止用樹脂シート及び中空型電子デバイスパッケージを提供することを目的とする。
本発明は、第１の樹脂層及び第２の樹脂層を備え、前記第１の樹脂層及び前記第２の樹脂層はフィラーを含み、
下記式（１）及び下記式（２）を満たす中空型電子デバイス封止用樹脂シートに関する。
前記第１の樹脂層中の前記フィラーの含有量（体積％）＜前記第２の樹脂層中の前記フィラーの含有量（体積％） （１）
前記第１の樹脂層の粘度＞前記第２の樹脂層の粘度 （２）
第２の樹脂層２中のフィラーの含有量が第１の樹脂層１中のフィラーの含有量よりも多いので、第２の樹脂層２に中空型電子デバイスパッケージの反りを抑制する役割を担わせることができる。また、第１の樹脂層１の粘度が第２の樹脂層２の粘度よりも高いので、中空型電子デバイスパッケージの中空部分への第１の樹脂層１の侵入を抑制できる。
前記第１の樹脂層の粘度の前記第２の樹脂層の粘度に対する比（前記第１の樹脂層の粘度／前記第２の樹脂層の粘度）が、３〜１０００であることが好ましい。
前記第１の樹脂層の引張貯蔵弾性率の前記第２の樹脂層の引張貯蔵弾性率に対する比（第１の樹脂層の引張貯蔵弾性率／第２の樹脂層の引張貯蔵弾性率）が、５〜５００であることが好ましい。
前記第１の樹脂層中の前記フィラーの平均粒径の前記第２の樹脂層中の前記フィラーの平均粒径に対する比（前記第１の樹脂層中の前記フィラーの平均粒径／前記第２の樹脂層中の前記フィラーの平均粒径）が、０．０１〜０．５であることが好ましい。
前記第１の樹脂層中の前記フィラーの含有量が６９体積％以下であり、前記第２の樹脂層中の前記フィラーの含有量が６９体積％を超えることが好ましい。
前記第１の樹脂層の厚みの前記第２の樹脂層の厚みに対する比（前記第１の樹脂層の厚み／前記第２の樹脂層の厚み）が、０．０５〜０．３であることが好ましい。
前記第１の樹脂層の粘度が１００００Ｐａ・ｓ以上であることが好ましい。
本発明はまた、前記中空型電子デバイス封止用樹脂シートを準備する工程と、中空型電子デバイスを搭載する基板を準備する工程と、前記第１の樹脂層が前記中空型電子デバイス及び前記基板と接触するように、前記中空型電子デバイス封止用樹脂シートを前記基板の上に積層する工程とを含む中空型電子デバイスパッケージの製造方法に関する。
実施形態１の樹脂シートの断面模式図である。 ＳＡＷフィルタが搭載されたプリント配線基板の断面模式図である。 実施形態１の樹脂シートでＳＡＷフィルタを封止した様子を模式的に示す図である。 ＳＡＷフィルタパッケージをダイシングした様子を模式的に示す図である。 チップ状のＳＡＷフィルタパッケージを基板に実装した様子を模式的に示す図である。 せん断接着力を測定する様子を模式的に示す図である。
以下に実施形態を掲げ、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。
［実施形態１］
図１は、実施形態１の樹脂シート１１の断面模式図である。樹脂シート１１は、第１の樹脂層１と第２の樹脂層２とを積層した構造である。なお、樹脂シート１１の両面には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムなどの支持体が設けられていてもよい。樹脂シート１１からの剥離を容易に行うために、支持体には離型処理が施されていてもよい。
樹脂シート１１は、下記式（１）及び下記式（２）を満たす。
第１の樹脂層１中のフィラーの含有量（体積％）＜第２の樹脂層２中のフィラーの含有量（体積％） （１）
第１の樹脂層１の粘度＞第２の樹脂層２の粘度 （２）
第２の樹脂層２中のフィラーの含有量が第１の樹脂層１中のフィラーの含有量よりも多いので、第２の樹脂層２に中空型電子デバイスパッケージの反りを抑制する役割を担わせることができる。また、第１の樹脂層１の粘度が第２の樹脂層２の粘度よりも高いので、中空型電子デバイスパッケージの中空部分への第１の樹脂層１の侵入を抑制できる。
第１の樹脂層１の粘度の第２の樹脂層２の粘度に対する比（第１の樹脂層１の粘度／第２の樹脂層２の粘度）は、好ましくは３以上、より好ましくは１０以上である。３以上であると、中空形成性を確保することができる。第１の樹脂層１の粘度の第２の樹脂層２の粘度に対する比は、好ましくは１０００以下、より好ましくは５００以下である。１０００以下であると、中空型電子デバイスへの樹脂埋め込み性が良好である。つまり、成型時の巻き込みボイドを排除できる。
第１の樹脂層１の引張貯蔵弾性率の第２の樹脂層２の引張貯蔵弾性率に対する比（第１の樹脂層１の引張貯蔵弾性率／第２の樹脂層２の引張貯蔵弾性率）は、好ましくは５以上、より好ましくは１０以上である。５以上であると、樹脂シート１１が柔らか過ぎず、ハンドリング性が良好である。第１の樹脂層１の引張貯蔵弾性率の第２の樹脂層２の引張貯蔵弾性率に対する比は、好ましくは５００以下、より好ましくは３００以下である。５００以下であると、ハンドリング時の樹脂シート１１の割れや欠けを防止することができる。
第２の樹脂層２中のフィラーの平均粒径が、第１の樹脂層１中のフィラーの平均粒径よりも大きいことが好ましい。第２の樹脂層２中のフィラー充填量を上げることで、電子デバイスパッケージの信頼性を高めることができる。また、反りの低減にも有効である。
例えば、第１の樹脂層１中のフィラーの平均粒径の第２の樹脂層２中のフィラーの平均粒径に対する比（第１の樹脂層１中のフィラーの平均粒径／第２の樹脂層２中のフィラーの平均粒径）は、好ましくは０．０１以上、より好ましくは０．１以上である。０．０１以上であると、高信頼性と中空成形性の両方を兼ね備えた封止シート１１の設計が可能となる。第１の樹脂層１中のフィラーの平均粒径の第２の樹脂層２中のフィラーの平均粒径に対する比は、好ましくは０．５以下、より好ましくは０．４以下である。０．５以下であると、層間の密着性が良好であるため層間の剥離等を防ぐことができる。
第１の樹脂層１の厚みの第２の樹脂層２の厚みに対する比（第１の樹脂層１の厚み／第２の樹脂層２の厚み）は、好ましくは０．０５以上である。０．０５以上であると、中空型電子デバイスパッケージの成形時にチップエッジ等で第１の樹脂層１が破れることを防ぐことができる。第１の樹脂層１の厚みの第２の樹脂層２の厚みに対する比は、好ましくは０．３以下、より好ましくは０．１５以下、さらに好ましくは０．１以下である。０．３以下であると、中空型電子デバイスパッケージの反りを抑制できる。
第１の樹脂層１は、第２の樹脂層２よりもフィラー含有量が少ないものの、第２の樹脂層２よりも粘度が高い。例えば、第１の樹脂層１に比較的多量のエラストマー成分を含有させることにより、高粘度の第１の樹脂層１を得ることができる。また、第１の樹脂層１に平均粒径の小さいフィラーを含有させることにより、高粘度の第１の樹脂層１を得ることができる。
エラストマー成分としては、各種公知の材料を用いることができる。例えば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロンなどのポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル系エラストマー（アクリル樹脂）、ＰＥＴやＰＢＴなどの飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂、スチレン−イソブチレン−スチレンブロック共重合体などが挙げられる。なかでも、アクリル系エラストマーが好ましい。
アクリル系エラストマー（アクリル樹脂）としては、特に限定されるものではなく、炭素数３０以下、特に炭素数４〜１８の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの１種又は２種以上を成分とする重合体（アクリル共重合体）などが挙げられる。前記アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、ヘキシル基、へプチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、又はドデシル基などが挙げられる。
また、重合体（アクリル共重合体）を形成する他のモノマーとしては、特に限定されるものではなく、例えばアクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸若しくはクロトン酸などの様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸などの様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル若しくは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレートなどの様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート若しくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などの様なスルホン酸基含有モノマー、又は２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどの様な燐酸基含有モノマーが挙げられる。
アクリル樹脂のなかでも、重量平均分子量が１０万以上のものが好ましく、３０万〜３００万のものがより好ましく、５０万〜２００万のものがさらに好ましい。
なお、重量平均分子量は、ＧＰＣ（ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー）により測定し、ポリスチレン換算により算出された値である。
第１の樹脂層１中のエラストマー成分の含有量は比較的多いことが好ましく、例えば、１０重量％以上が好ましく、１１重量％以上がより好ましい。１０重量％以上であると、第１の樹脂層１の粘度を高めることができ、中空型電子デバイスパッケージの中空部分への第１の樹脂層１の侵入を抑制できる。一方、第１の樹脂層１中のエラストマー成分の含有量は、５０重量％以下が好ましく、２０重量％以下がより好ましい。５０重量％以下であると、熱硬化後の硬度、強度が高くなるためパッケージとしての信頼性が良好である。
第１の樹脂層１は、フィラーを含む。
フィラーとしては特に限定されないが、無機充填材が好ましい。無機充填材としては、例えば、石英ガラス、タルク、シリカ（溶融シリカや結晶性シリカなど）、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化ホウ素などが挙げられる。なかでも、線膨張係数を良好に低減できるという理由から、シリカ、アルミナが好ましく、シリカがより好ましい。シリカとしては、流動性に優れるという理由から、溶融シリカが好ましく、球状溶融シリカがより好ましい。
フィラーの平均粒径は、好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは０．５μｍ以上、さらに好ましくは１μｍ以上である。０．１μｍ以上であると、他の有機組成物との分散性が良好であり均一な組成物を得やすい。フィラーの平均粒径は、好ましくは１５μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以下である。１５μｍ以下であると、第１の樹脂層１の厚みを薄くできる。また、第１の樹脂層１の粘度を容易に高められる。
なお、平均粒径は、例えば、母集団から任意に抽出される試料を用い、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置を用いて測定することにより導き出すことができる。
第１の樹脂層１中のフィラーの含有量は、好ましくは６９体積％以下であり、より好ましくは６２体積％以下である。６９体積％以下であると、中空型電子デバイスへの追従性（凹凸追従性）が良好である。一方、フィラーの含有量は、好ましくは３５体積％以上であり、より好ましくは４５体積％以上である。３５体積％以上であると、良好な中空成形性が得られる。
フィラーの含有量は、「重量％」を単位としても説明できる。代表的にシリカの含有量について、「重量％」を単位として説明する。
シリカは通常、比重２．２ｇ／ｃｍ３であるので、シリカの含有量（重量％）の好適範囲は例えば以下のとおりである。
すなわち、第１の樹脂層１中のシリカの含有量は、８０重量％以下が好ましく、７５重量％以下がより好ましい。第１の樹脂層１中のシリカの含有量は、５０重量％以上が好ましく、６０重量％以上がより好ましい。
なお、フィラー含有量６９体積％は、８０重量％に相当する。
アルミナは通常、比重３．９ｇ／ｃｍ３であるので、アルミナの含有量（重量％）の好適範囲は例えば以下のとおりである。
すなわち、第１の樹脂層１中のアルミナの含有量は、８８重量％以下が好ましく、８４重量％以下がより好ましい。第１の樹脂層１中のアルミナの含有量は、６４重量％以上が好ましく、７３重量％以上がより好ましい。
第１の樹脂層１は、熱硬化性樹脂を含むことが好ましい。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などが挙げられる。第１の樹脂層１は、エポキシ樹脂を含むことがより好ましい。
エポキシ樹脂としては、特に限定されるものではない。例えば、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂などの各種のエポキシ樹脂を用いることができる。これらエポキシ樹脂は単独で用いてもよいし２種以上併用してもよい。
エポキシ樹脂の反応性を確保する観点からは、エポキシ当量１５０〜２５０、軟化点もしくは融点が５０〜１３０℃の常温で固形のものが好ましい。なかでも、信頼性の観点から、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂がより好ましい。
第１の樹脂層１は、フェノール樹脂を含むことが好ましい。
フェノール樹脂は、エポキシ樹脂との間で硬化反応を生起するものであれば特に限定されるものではない。例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、クレゾールノボラック樹脂、レゾール樹脂などが用いられる。これらフェノール樹脂は単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。
フェノール樹脂としては、エポキシ樹脂との反応性の観点から、水酸基当量が７０〜２５０、軟化点が５０〜１１０℃のものを用いることが好ましく、なかでも硬化反応性が高いという観点から、フェノールノボラック樹脂を好適に用いることができる。また、信頼性の観点から、フェノールアラルキル樹脂やビフェニルアラルキル樹脂のような低吸湿性のものも好適に用いることができる。
第１の樹脂層１中のエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計含有量は、１０重量％以上が好ましい。１０重量％以上であると、電子デバイス、基板などに対する接着力が良好に得られる。第１の樹脂層１中のエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計含有量は、５０重量％以下が好ましく、３５重量％以下がより好ましい。５０重量％以下であると、中空成形性が良好である。
エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、硬化反応性という観点から、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量に対して、フェノール樹脂中の水酸基の合計が０．７〜１．５当量となるように配合することが好ましく、より好ましくは０．９〜１．２当量である。
第１の樹脂層１は、硬化促進剤を含むことが好ましい。
硬化促進剤としては、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の硬化を進行させるものであれば特に限定されず、例えば、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレートなどの有機リン系化合物；２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾールなどのイミダゾール系化合物；などが挙げられる。
硬化促進剤の含有量は、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計１００重量部に対して０．１〜５重量部が好ましい。
第１の樹脂層１は、前記成分以外にも、封止樹脂の製造に一般に使用される配合剤、例えば、難燃剤成分、シランカップリング剤などを適宜含有してよい。
第１の樹脂層１は一般的な製法で作製できる。例えば、前記各成分を溶媒（例えば、メチルエチルケトン、酢酸エチルなど）に溶解ないし分散させて塗布液を調製し、塗布液を基材セパレータ上に塗布した後、塗布膜を乾燥させる。これにより、第１の樹脂層１を作製できる。
第１の樹脂層１の厚みは、中空部分の高さに応じて適宜設定できる。中空部分の高さは通常、１５〜５０μｍであるので、第１の樹脂層１の厚みは、好ましくは１５μｍ以上、より好ましくは２０μｍ以上である。１５μｍ以上であると、中空型電子デバイスパッケージの成型時に第１の樹脂層１が破れ、第２の樹脂層２が中空部分に浸入することを防ぐことができる。また、第１の樹脂層１の厚みは、好ましくは７０μｍ以下、より好ましくは５０μｍ以下である。７０μｍ以下であると、樹脂シート１１全体の厚みを薄くすることができ、薄型パッケージの製造が可能となる。
第１の樹脂層１の粘度は好ましくは１００００Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは２００００Ｐａ・ｓ以上、さらに好ましくは２０万Ｐａ・ｓ以上である。１００００Ｐａ・ｓ以上であると、中空型電子デバイスパッケージの中空部分への第１の樹脂層１の侵入を抑制できる。第１の樹脂層１の粘度は好ましくは５０万Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは３０万Ｐａ・ｓ以下である。５０万Ｐａ・ｓ以下であると、良好な凹凸追従性が得られる。
なお、第１の樹脂層１の粘度は、実施例に記載の方法により測定できる。
第１の樹脂層１の粘度は、アクリル樹脂の含有量、フィラーの含有量、フィラーの粒径によりコントロールできる。例えば、アクリル樹脂を増量すること、フィラーを増量すること又はフィラーの粒径を小さくすることにより第１の樹脂層１の粘度を高められる。
第１の樹脂層１の引張貯蔵弾性率は好ましくは２ＭＰａ以上である。２ＭＰａ以上であると、中空型電子デバイスパッケージの中空部分への第１の樹脂層１の侵入を抑制できる。第１の樹脂層１の引張貯蔵弾性率は好ましくは１０ＭＰａ以下である。１０ＭＰａ以下であると、良好な凹凸追従性が得られる。
なお、第１の樹脂層１の引張貯蔵弾性率は、実施例に記載の方法により測定できる。
第１の樹脂層１の引張貯蔵弾性率は、フィラーの含有量、フィラーの粒径、エラストマー成分の組成とその含有量、エポキシ樹脂の分子構造とその含有量によりコントロールできる。
第２の樹脂層２は、フィラーを含む。
フィラーとしては特に限定されないが、第１の樹脂層１で説明したものを好適に使用できる。
第２の樹脂層２に配合するフィラーの平均粒径は、好ましくは１０μｍ以上、より好ましくは１５μｍ以上である。１０μｍ以上であると、フィラー充填量を容易に高められる。フィラーの平均粒径は、好ましくは４０μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以下である。４０μｍ以下であると、樹脂シート１１の厚みを薄くすることができ、表面平滑性の良好な樹脂シート１１が得られる。
フィラーは、シランカップリング剤により処理（前処理）されたものが好ましい。これにより、樹脂との濡れ性を向上でき、フィラーの分散性を高めることができる。
シランカップリング剤は、分子中に加水分解性基及び有機官能基を有する化合物である。
加水分解性基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基などの炭素数１〜６のアルコキシ基、アセトキシ基、２−メトキシエトキシ基等が挙げられる。なかでも、加水分解によって生じるアルコールなどの揮発成分を除去し易いという理由から、メトキシ基が好ましい。
有機官能基としては、ビニル基、エポキシ基、スチリル基、メタクリル基、アクリル基、アミノ基、ウレイド基、メルカプト基、スルフィド基、イソシアネート基などが挙げられる。なかでも、エポキシ樹脂、フェノール樹脂と反応し易いという理由から、エポキシ基が好ましい。
シランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシランなどのビニル基含有シランカップリング剤；２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシランなどのエポキシ基含有シランカップリング剤；ｐ−スチリルトリメトキシシランなどのスチリル基含有シランカップリング剤；３−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシランなどのメタクリル基含有シランカップリング剤；３−アクリロキシプロピルトリメトキシシランなどのアクリル基含有シランカップリング剤；Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−トリエトキシシリル−Ｎ−（１，３−ジメチル−ブチリデン）プロピルアミン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（ビニルベンジル）−２−アミノエチル−３−アミノプロピルトリメトキシシランなどのアミノ基含有シランカップリング剤；３−ウレイドプロピルトリエトキシシランなどのウレイド基含有シランカップリング剤；３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシランなどのメルカプト基含有シランカップリング剤；ビス（トリエトキシシリルプロピル）テトラスルフィドなどのスルフィド基含有シランカップリング剤；３−イソシアネートプロピルトリエトキシシランなどのイソシアネート基含有シランカップリング剤などが挙げられる。
シランカップリング剤によりフィラーを処理する方法としては特に限定されず、溶媒中でフィラーとシランカップリング剤を混合する湿式法、気相中でフィラーとシランカップリング剤を処理させる乾式法などが挙げられる。
シランカップリング剤の処理量は特に限定されないが、未処理のフィラー１００重量部に対して、シランカップリング剤を０．１〜１重量部処理することが好ましい。
第２の樹脂層２中のフィラーの含有量は、好ましくは６９体積％を超える値であり、より好ましくは７１体積％以上である。６９体積％を超えると、線膨張係数を低く設計できる。一方、フィラーの含有量は、好ましくは９０体積％以下、より好ましくは８５体積％以下である。９０体積％以下であると、柔軟性が良好に得られる。
フィラーの含有量は、「重量％」を単位としても説明できる。代表的にシリカの含有量について、「重量％」を単位として説明する。
シリカは通常、比重２．２ｇ／ｃｍ３であるので、シリカの含有量（重量％）の好適範囲は例えば以下のとおりである。
すなわち、第２の樹脂層２中のシリカの含有量は、８０重量％を超える値が好ましく、８２重量％以上がより好ましい。第２の樹脂層２中のシリカの含有量は、９４重量％以下が好ましい。
アルミナは通常、比重３．９ｇ／ｃｍ３であるので、アルミナの含有量（重量％）の好適範囲は例えば以下のとおりである。
すなわち、第２の樹脂層２中のアルミナの含有量は、８８重量％を超える値が好ましく、９０重量％以上がより好ましい。第２の樹脂層２中のアルミナの含有量は、９７重量％以下が好ましい。
第２の樹脂層２は、熱硬化性樹脂を含むことが好ましい。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などが挙げられる。第２の樹脂層２は、エポキシ樹脂を含むことがより好ましい。エポキシ樹脂としては、第１の樹脂層１で説明したものを好適に使用できる。
第２の樹脂層２は、フェノール樹脂を含むことが好ましい。フェノール樹脂としては、第１の樹脂層１で説明したものを好適に使用できる。
第２の樹脂層２中のエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計含有量は、２重量％以上が好ましく、８重量％以上がより好ましい。２重量％以上であると、充分な硬化物強度が得られる。第２の樹脂層２中のエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計含有量は、２０重量％以下が好ましく、１５重量％以下が好ましい。２０重量％以下であると、硬化物の線膨張係数を小さくでき、また低吸湿化できる。
エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、硬化反応性という観点から、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量に対して、フェノール樹脂中の水酸基の合計が０．７〜１．５当量となるように配合することが好ましく、より好ましくは０．９〜１．２当量である。
第２の樹脂層２は、熱可塑性樹脂を含むことが好ましい。
熱可塑性樹脂としては、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロンなどのポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴなどの飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂、スチレン−イソブチレン−スチレンブロック共重合体、メチルメタクリレート−ブタジエン−スチレン共重合体（ＭＢＳ樹脂）などが挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。
第２の樹脂層２中の熱可塑性樹脂の含有量は、１重量％以上が好ましい。第２の樹脂層２中の熱可塑性樹脂の含有量は、７重量％以下が好ましく、５重量％以下がより好ましく、３．５重量％以下がさらに好ましい。上記範囲内であると、良好な可撓性が得られる。
第２の樹脂層２は、硬化促進剤を含むことが好ましい。硬化促進剤としては、第１の樹脂層１で説明したものを好適に使用できる。
硬化促進剤の含有量は、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計１００重量部に対して０．１〜５重量部が好ましい。
第２の樹脂層２は、前記成分以外にも、封止樹脂の製造に一般に使用される配合剤、例えば、難燃剤成分、顔料、シランカップリング剤などを適宜含有してよい。
難燃剤成分としては、例えば水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化鉄、水酸化カルシウム、水酸化スズ、複合化金属水酸化物などの各種金属水酸化物；ホスファゼン化合物などを用いることができる。なかでも、難燃性、硬化後の強度に優れるという理由から、ホスファゼン化合物が好ましい。
顔料としては特に限定されず、カーボンブラックなどが挙げられる。
第２の樹脂層２の製造方法は特に限定されないが、前記各成分（例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、熱可塑性樹脂、フィラー及び硬化促進剤）を混練して得られる混練物をシート状に塑性加工する方法が好ましい。これにより、フィラーを高充填でき、線膨張係数を低く設計できる。
具体的には、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、熱可塑性樹脂、フィラー及び硬化促進剤をミキシングロール、加圧式ニーダー、押出機などの公知の混練機で溶融混練することにより混練物を調製し、得られた混練物をシート状に塑性加工する。混練条件として、温度の上限は、１４０℃以下が好ましく、１３０℃以下がより好ましい。温度の下限は、上述の各成分の軟化点以上であることが好ましく、例えば３０℃以上、好ましくは５０℃以上である。混練の時間は、好ましくは１〜３０分である。また、混練は、減圧条件下（減圧雰囲気下）で行うことが好ましく、減圧条件下の圧力は、例えば、１×１０−４〜０．１ｋｇ／ｃｍ２である。
溶融混練後の混練物は、冷却することなく高温状態のままで塑性加工することが好ましい。塑性加工方法としては特に制限されず、平板プレス法、Ｔダイ押出法、スクリューダイ押出法、ロール圧延法、ロール混練法、インフレーション押出法、共押出法、カレンダー成形法などが挙げられる。塑性加工温度としては上述の各成分の軟化点以上が好ましく、エポキシ樹脂の熱硬化性および成形性を考慮すると、例えば４０〜１５０℃、好ましくは５０〜１４０℃、さらに好ましくは７０〜１２０℃である。
第２の樹脂層２の厚みは特に限定されないが、好ましくは１００μｍ以上、より好ましくは１５０μｍ以上である。また、第２の樹脂層２の厚みは、好ましくは２０００μｍ以下、より好ましくは１０００μｍ以下、さらに好ましくは３００μｍ以下である。上記範囲内であると、中空型電子デバイスパッケージの反りを抑制できる。
第２の樹脂層２の粘度は好ましくは２００００Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは５０００Ｐａ・ｓ以下である。２００００Ｐａ・ｓ以下であると、封止後の表面平坦性が良好である。
なお、第２の樹脂層２の粘度は、実施例に記載の方法により測定できる。
第２の樹脂層２の引張貯蔵弾性率は好ましくは０．０２ＭＰａ以上である。０．０２ＭＰａ以上であると、中空型電子デバイスパッケージの成形時に樹脂が基板外周に漏れ流れるのを防ぐことができる。第２の樹脂層２の引張貯蔵弾性率は好ましくは０．５ＭＰａ以下である。０．５ＭＰａ以下であると、中空型電子デバイスパッケージの平坦性が良好である。
なお、第２の樹脂層２の引張貯蔵弾性率は、実施例に記載の方法により測定できる。
樹脂シート１１の製造方法は特に限定されず、例えば、第１の樹脂層１と第２の樹脂層２とを貼り合わせる方法、第１の樹脂層１を形成するための塗布液を第２の樹脂層２上に塗布した後に塗布液を乾燥させる方法などが挙げられる。
なお、図１では、第１の樹脂層１が単層である場合を示しているが、第１の樹脂層１はこれに限定されず、複層であってもよい。また、図１では、第２の樹脂層２が単層である場合を示しているが、第２の樹脂層２はこれに限定されず、複層であってもよい。
樹脂シート１１は、ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）フィルタ；圧力センサ、振動センサなどのＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ）などの中空構造を有する中空型電子デバイスの封止に使用される。なお、中空構造とは、電子デバイスを基板に搭載した際に、電子デバイスと基板との間に形成される中空部をいう。なかでも、樹脂シート１１は、ＳＡＷフィルタの封止に好適に使用できる。
封止方法は特に限定されず、例えば、基板に搭載された電子デバイスを樹脂シート１１で覆うことにより、電子デバイスを封止できる。基板としては特に限定されず、例えば、プリント配線基板、セラミック基板、シリコン基板、金属基板、半導体ウェハなどが挙げられる。
［中空型電子デバイスパッケージの製造方法］
中空型電子デバイスパッケージの製造方法として、実施形態１の樹脂シート１１で、プリント配線基板１２上に搭載されたＳＡＷフィルタ１３を中空封止してＳＡＷフィルタパッケージ１５、１６を製造する例を説明する。
（ＳＡＷフィルタ搭載基板準備工程）
ＳＡＷフィルタ搭載基板準備工程では、複数のＳＡＷフィルタ１３が搭載されたプリント配線基板１２を準備する（図２参照）。ＳＡＷフィルタ１３は、所定の櫛形電極が形成された圧電結晶を公知の方法でダイシングして個片化することにより形成できる。ＳＡＷフィルタ１３のプリント配線基板１２への搭載には、フリップチップボンダーやダイボンダーなどの公知の装置を用いることができる。ＳＡＷフィルタ１３とプリント配線基板１２とはバンプなどの突起電極１３ａを介して電気的に接続されている。また、ＳＡＷフィルタ１３とプリント配線基板１２との間は、ＳＡＷフィルタ表面での表面弾性波の伝播を阻害しないように中空部分１４を維持するようになっている。ＳＡＷフィルタ１３とプリント配線基板１２との間の距離は適宜設定でき、一般的には１５〜５０μｍ程度である。
（封止工程）
封止工程では、第１の樹脂層１がプリント配線基板１２及びＳＡＷフィルタ１３と接触するように、プリント配線基板１２上に樹脂シート１１を積層し、ＳＡＷフィルタ１３を樹脂シート１１で封止する（図３参照）。これにより、ＳＡＷフィルタ１３が樹脂封止されたＳＡＷフィルタパッケージ１５を得る。
樹脂シート１１をプリント配線基板１２上に積層する方法は特に限定されず、熱プレスやラミネータなど公知の方法により行うことができる。熱プレス条件としては、温度が、例えば、４０〜１００℃、好ましくは５０〜９０℃であり、圧力が、例えば、０．１〜１０ＭＰａ、好ましくは０．５〜８ＭＰａであり、時間が、例えば０．３〜１０分間、好ましくは０．５〜５分間である。また、樹脂シート１１のＳＡＷフィルタ１３及びプリント配線基板１２への密着性および追従性の向上を考慮すると、減圧条件下（例えば０．１〜５ｋＰａ）においてプレスすることが好ましい。
（熱硬化工程）
必要に応じて、ＳＡＷフィルタパッケージ１５の樹脂シート１１を熱硬化する。
熱硬化処理の条件として、加熱温度が好ましくは１００℃以上、より好ましくは１２０℃以上である。一方、加熱温度の上限が、好ましくは２００℃以下、より好ましくは１８０℃以下である。加熱時間が、好ましくは１０分以上、より好ましくは３０分以上である。一方、加熱時間の上限が、好ましくは１８０分以下、より好ましくは１２０分以下である。また、必要に応じて加圧してもよく、好ましくは０．１ＭＰａ以上、より好ましくは０．５ＭＰａ以上である。一方、上限は好ましくは１０ＭＰａ以下、より好ましくは５ＭＰａ以下である。
（ダイシング工程）
必要に応じて、ＳＡＷフィルタパッケージ１５のダイシングを行う（図４参照）。これにより、チップ状のＳＡＷフィルタパッケージ１６を得ることができる。
（基板実装工程）
必要に応じて、ＳＡＷフィルタパッケージ１５又はＳＡＷフィルタパッケージ１６に対して再配線及びバンプ１７を形成し、これを基板１８に実装する（図５参照）。
（変形例）
実施形態１では、第１の樹脂層１と、第１の樹脂層１上に配置された第２の樹脂層２とを備える樹脂シート１１について説明した。変形例１では、樹脂シートは、第１の樹脂層１と、第１の樹脂層１上に配置された第３の層と、第３の層上に配置された第２の樹脂層２とを備える。変形例２では、樹脂シートは、第１の樹脂層１と、第１の樹脂層１上に配置された第２の樹脂層２と、第２の樹脂層２上に配置された第３の層とを備える。第３の層としては、例えば、樹脂を含む層、金属層などが好適である。第３の層は単層であってもよいし、複層であってもよい。
以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。ただし、この実施例に記載されている材料や配合量などは、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
まず、実施例で使用した成分について説明する。
第１の樹脂層を作製するために使用した成分について説明する。
エポキシ樹脂１：三菱化学社製のＹＬ−９８０（ビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂、エポキシ等量１８５ｇ／ｅｑ．）
エポキシ樹脂２：日本化薬社製のＥＰＰＮ−５０１ＨＹ（エポキシ当量１６９ｇ／ｅｑ．軟化点６０℃）
エポキシ樹脂３：三菱化学社製の１００１（ビスフェノールＡ型、エポキシ等量４７０ｇ／ｅｑ．軟化点６４℃）
フェノール樹脂：群栄化学社製のＧS−１８０（フェノールノボラック型フェノール樹脂、フェノール性水酸基当量１０５ｇ／ｅｑ．軟化点８３℃）
アクリル樹脂：ナガセケムテックス社製のテイサンレジンＳＧ−７０Ｌ（Ｍｗ：９０万）
無機充填剤１：電気化学工業社製のＦＢ−５ＳＤＣ（溶融球状シリカ、平均粒子径５μｍ）
無機充填剤２：アドマテックス社製のＳＯ−２５Ｒ（溶融球状シリカ、平均粒子径０．５μｍ）
無機充填剤３：電気化学工業社製のＦＢ−７ＳＤＣ（溶融球状シリカ、平均粒子径７μｍ）
硬化促進剤：四国化成工業社製の２ＰＨＺ−ＰＷ（２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール）
第２の樹脂層を作製するために使用した成分について説明する。
エポキシ樹脂１：新日鐵化学社製のＹＳＬＶ−８０ＸＹ（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキン当量２００ｇ／ｅｑ．軟化点８０℃）
エポキシ樹脂２：日本化薬社製のＥＰＰＮ−５０１ＨＹ（エポキシ当量１６９ｇ／ｅｑ．軟化点６０℃）
フェノール樹脂：明和化成社製のＭＥＨ−７８５１−ＳＳ（ビフェニルアラルキル骨格を有するフェノール樹脂、水酸基当量２０３ｇ／ｅｑ．軟化点６７℃）
熱可塑性樹脂：カネカ社製のＳＩＢＳＴＥＲ ０７２Ｔ（スチレン−イソブチレン−スチレンブロック共重合体）
無機充填剤１：電気化学工業社製のＦＢ−９４５４ＦＣ（溶融球状シリカ、平均粒子径２０μｍ）
無機充填剤２：トクヤマ社製のＳＥ−４０（溶融球状シリカ、平均粒子径３８μｍ）
無機充填剤３：電気化学工業社製のＦＢ−５７０（溶融球状シリカ、平均粒子径１６μｍ）
無機充填剤４：電気化学工業社製のＦＢ−５ＳＤＣ（溶融球状シリカ、平均粒子径５μｍ）
シランカップリング剤：信越化学社製のＫＢＭ−４０３（３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）
カーボンブラック：三菱化学社製の＃２０
難燃剤：伏見製薬所製のＦＰ−１００（ホスファゼン化合物）
硬化促進剤：四国化成工業社製の２ＰＨＺ−ＰＷ（２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール）
［実施例１〜５及び比較例１〜２］
（第１の樹脂層の作製）
表１に記載の配合比に従い、各成分を配合し、これに各成分の総量と同量のメチルエチルケトンを添加して、ワニスを調製した。得られたワニスを、コンマコ―タ−により、厚み５０μｍのポリエステルフィルムＡ（三菱化学ポリエステル社製、ＭＲＦ−５０）の剥離処理面上に塗工し、乾燥させた。次いで、厚み３８μｍのポリエステルフィルムＢ（三菱化学ポリエステル社製、ＭＲＦ−３８）の剥離処理面を、乾燥後のワニス上に張り合わせて、第１の樹脂層を作製した。
Figure 2015053470
（第２の樹脂層の作製）
表２に記載の配合比に従い、各成分を配合し、ロール混練機により６０〜１２０℃、１０分間、減圧条件下（０．０１ｋｇ／ｃｍ２）で溶融混練し、混練物を調製した。次いで、得られた混練物を、平板プレス法により、シート状に形成して、第２の樹脂層を作製した。
Figure 2015053470
（樹脂シートの作製）
第１の樹脂層のポリエステルフィルムＡを剥離した後、ロールラミネ―タ―を用いて第２の樹脂層上に第１の樹脂層を積層した。これにより、第２の樹脂層上に第１の樹脂層が積層された樹脂シートを作製した。
［比較例３］
（第１の樹脂層の作製）
表１に記載の配合比に従い、各成分を配合し、これに各成分の総量と同量のメチルエチルケトンを添加して、ワニスを調製した。得られたワニスを、コンマコ―タ−により、厚み５０μｍのポリエステルフィルムＡ（三菱化学ポリエステル社製、ＭＲＦ−５０）の剥離処理面上に塗工し、乾燥させた。次いで、厚み３８μｍのポリエステルフィルムＢ（三菱化学ポリエステル社製、ＭＲＦ−３８）の剥離処理面を、乾燥後のワニス上に張り合わせて、第１の樹脂層（第１の樹脂層のみからなる樹脂シート）を作製した。
［比較例４］
（第２の樹脂層の作製）
表２に記載の配合比に従い、各成分を配合し、ロール混練機により６０〜１２０℃、１０分間、減圧条件下（０．０１ｋｇ／ｃｍ２）で溶融混練し、混練物を調製した。次いで、得られた混練物を、平板プレス法により、シート状に形成して、第２の樹脂層（第２の樹脂層のみからなる樹脂シート）を作製した。
［評価］
樹脂シートについて以下の評価を行った。結果を表３に示す。
（粘度）
樹脂シートから第１の樹脂層を切り取り、厚み１ｍｍ、直径２０ｍｍの円形の試験片を作製し以下の測定を行った。レオメトリックス社製の粘弾性測定装置ＡＲＥＳを用いて、測定周波数０．１Ｈｚ、ひずみ０．１％、昇温速度５℃／分の条件にて、５０℃から１５０℃まで測定を行い、１００℃における複素粘度（η＊）を読み取った。
また、第１の樹脂層の測定方法と同様の方法で、第２の樹脂層の粘度を測定した。
（引張貯蔵弾性率）
樹脂シートから第１の樹脂層を切り取り、厚み４００μｍ、サイズ１０ｍｍ×３５ｍｍの試験片を作製し以下の測定を行った。粘弾性測定装置（ティ・エー・インスツルメント社製のＲＳＡ ＩＩ）を用いて、測定周波数１Ｈｚ、ひずみ０．０５％、チャック間距離２２．６ｍｍ、昇温速度５℃／分の条件にて２０℃から１３０℃まで測定を行い８０℃における引張貯蔵弾性率（Ｇ’）を読みとった。
また、第１の樹脂層の測定方法と同様の方法で、第２の樹脂層の引張貯蔵弾性率を測定
した。
（流入量）
ＳＡＷフィルタ（チップ厚み２００μｍ、バンプ高さ２０μｍ）がマトリックス状に配列されたセラミック基板上に樹脂シートを積層し、温度１００℃，圧力３００ｋＰａの条件にて１分間真空プレス（到達真空度６．６５×１０2 Ｐａ）した。大気開放後、ＳＡＷフィルタパッケージを１３０℃のオーブンに３時間投入することにより樹脂シートを硬化させた。その後、ダイシング装置を用いてＳＡＷフィルタパッケージを個片化し、得られたチップ状のＳＡＷフィルタパッケージの断面を観察した。そして、チップエッジから中空部分への樹脂の流入量を測定した。
なお、実施例１〜５及び比較例１〜２では、第１の樹脂層がＳＡＷフィルタ及びセラミック基板と接触するように、樹脂シートをセラミック基板の上に積層した。
（アルミナ基板との密着性（常温におけるせん断接着力））
・実施例１〜５及び比較例１〜２の試験片作成
樹脂シートを直径３ｍｍの円形に打ち抜いた。円形の樹脂シートの第１の樹脂層がアルミナ基板と接触するように、９０℃の平板プレスで樹脂シートをアルミナ基板（厚さ０．５ｍｍ）に圧着した。その後、樹脂シート及びアルミナ基板からなる積層体を熱風オーブン中で１５０℃１時間の条件で硬化させて、試験片を得た。
・比較例３〜４の試験片作成
樹脂シートを直径３ｍｍの円形に打ち抜いた。円形の樹脂シートがアルミナ基板と接触するように、９０℃の平板プレスで樹脂シートをアルミナ基板（厚さ０．５ｍｍ）に圧着した。その後、樹脂シート及びアルミナ基板からなる積層体を熱風オーブン中で１５０℃１時間の条件で硬化させて、試験片を得た。
・測定
図６は、せん断接着力を測定する様子を模式的に示す図である。図６に示すように、加温可能なサンプルテーブル２３上に試験片（樹脂シート２１及びアルミナ基板２２からなる積層体）をセットし、吸着させた。テストツール２４を被着体２２上面から０．１ｍｍ浮かせ、アルミナ基板２２と樹脂シート２１との接着面に平行な方向に移動速度０．２ｍｍ／ｓで樹脂シート２１を押し、その時の荷重を測定した。測定は、樹脂シート２１が２５℃の状態で行った。樹脂シート２１の樹脂痕を測定し面積（ｍｍ２）を計算した。
・算出
せん断接着力は下記式により算出した。
せん断荷重（Ｎ）／面積（ｍｍ２）＝せん断接着力（ＭＰａ）
なお、せん断接着力は、３ＭＰａ以上が好ましい。
（硬化後基板反り）
縦７ｃｍ×横７ｃｍ×厚み０．２ｍｍのアルミナ基板に、樹脂シートを積層した後、９０℃、５ｋＮ、６０秒間加熱加圧した。その後、オーブン中で１５０℃、１時間の条件で樹脂シートを硬化させた後、室温まで放冷した。温度可変レーザ三次元測定器（（株）ティーテック社製）を用いて硬化物の表面四隅の高さを測定し、最も高い位置を反り量とした。なお、反り量は、１ｍｍ以下が好ましい。
なお、実施例１〜５及び比較例１〜２では、第１の樹脂層がアルミナ基板と接触するように、樹脂シートをアルミナ基板の上に積層した。
（凹凸追従性）
アルミナ基板に、深さ０．２ｍｍ、幅０．２ｍｍの溝を形成した後、樹脂シートを１５ｔｏｒｒの減圧条件下、１２０℃、０．５ＭＰａ、３分の加圧条件でアルミナ基板の溝が形成された面にプレスした。この際、溝の底部全体に樹脂が到達したものを◎、溝の底部の一部に樹脂が到達したものを○、溝の底部に樹脂が全く到達しなかったものを×とした。
なお、実施例１〜５及び比較例１〜２では、第１の樹脂層がアルミナ基板と接触するように、樹脂シートをアルミナ基板の上に積層した。
Figure 2015053470
１ 第１の樹脂層
２ 第２の樹脂層
１１ 樹脂シート
１２ プリント配線基板
１３ ＳＡＷフィルタ
１３ａ 突起電極
１４ 中空部分
１５、１６ 電子デバイスパッケージ
１７ バンプ
１８ 基板
２１ 樹脂シート
２２ アルミナ基板
２３ サンプルテーブル
２４ テストツール

Claims (8)

  1. 第１の樹脂層及び第２の樹脂層を備え、
    前記第１の樹脂層及び前記第２の樹脂層はフィラーを含み、
    下記式（１）及び下記式（２）を満たす中空型電子デバイス封止用樹脂シート。
    前記第１の樹脂層中の前記フィラーの含有量（体積％）＜前記第２の樹脂層中の前記フィラーの含有量（体積％） （１）
    前記第１の樹脂層の粘度＞前記第２の樹脂層の粘度 （２）
  2. 前記第１の樹脂層の粘度の前記第２の樹脂層の粘度に対する比（前記第１の樹脂層の粘度／前記第２の樹脂層の粘度）が、３〜１０００である請求項１に記載の中空型電子デバイス封止用樹脂シート。
  3. 前記第１の樹脂層の引張貯蔵弾性率の前記第２の樹脂層の引張貯蔵弾性率に対する比（前記第１の樹脂層の引張貯蔵弾性率／前記第２の樹脂層の引張貯蔵弾性率）が、５〜５００である請求項１又は２に記載の中空型電子デバイス封止用樹脂シート。
  4. 前記第１の樹脂層中の前記フィラーの平均粒径の前記第２の樹脂層中の前記フィラーの平均粒径に対する比（前記第１の樹脂層中の前記フィラーの平均粒径／前記第２の樹脂層中の前記フィラーの平均粒径）が、０．０１〜０．５である請求項１〜３のいずれかに記載の中空型電子デバイス封止用樹脂シート。
  5. 前記第１の樹脂層中の前記フィラーの含有量が６９体積％以下であり、前記第２の樹脂層中の前記フィラーの含有量が６９体積％を超える請求項１〜４のいずれかに記載の中空型電子デバイス封止用樹脂シート。
  6. 前記第１の樹脂層の厚みの前記第２の樹脂層の厚みに対する比（前記第１の樹脂層の厚み／前記第２の樹脂層の厚み）が、０．０５〜０．３である請求項１〜５のいずれかに記載の中空型電子デバイス封止用樹脂シート。
  7. 前記第１の樹脂層の粘度が１００００Ｐａ・ｓ以上である請求項１〜６のいずれかに記載の中空型電子デバイス封止用樹脂シート。
  8. 請求項１〜７のいずれかに記載の中空型電子デバイス封止用樹脂シートを準備する工程と、
    中空型電子デバイスを搭載する基板を準備する工程と、
    前記第１の樹脂層が前記中空型電子デバイス及び前記基板と接触するように、前記中空型電子デバイス封止用樹脂シートを前記基板の上に積層する工程とを含む中空型電子デバイスパッケージの製造方法。
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