JP7343988B2 - 封止用シート - Google Patents

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Description

本発明は、封止用シート、詳しくは、電子素子を封止するための封止用シートに関する。
従来、基板に実装された電子素子を封止用シートで封止して、電子素子パッケージを得ることが知られている。
そのような封止用シートとして、例えば、最外層と最内層とを有し、最外層は、熱硬化性樹脂および無機充填材を含有する樹脂シートが提案されている(例えば、特許文献1参照。)。
特開2018-103584号公報
ところで、樹脂シートを加熱押圧して電子素子を封止する際に、製造効率の観点から、大型基板に実装された複数の電子素子を用意して、複数の電子素子を一括して封止用シートで封止して、その後、個片化する。しかしながら、樹脂シートが、隣接する複数の電子素子の間にスムーズに浸入せずに、樹脂シートの埋め込み性が低下する場合がある。そうすると、得られる電子素子パッケージの内部に、具体的には、基板と樹脂シートとの間に、不要な隙間(空気)が生じる。
一方、埋め込み性を向上させるために、樹脂シートの流動性を向上させると、樹脂シートが大きく流動して、基板上に濡れ広がり、基板の外へ樹脂シートがはみ出す不具合が生じる。そうすると、樹脂シートによって、基板の周囲(例えば、プレス装置など)が汚染される。
また、封止後の電子素子パッケージでは、熱サイクルによるクラックが発生しないなどの耐熱信頼性も要求されている。
本発明は、封止時における埋め込み性および低汚染性と、封止後における耐熱信頼性とが良好である封止用シートを提供する。
本発明[1]は、電子素子を封止するための封止用シートであり、前記電子素子を封止するときに、前記電子素子に接触する第1層と、外側に露出する第2層とを厚み方向一方側に向かって順に備え、前記第1層および前記第2層は、それぞれ、熱硬化性を有し、前記第2層の厚み方向一方面は、90℃において、前記第1層の厚み方向他方面よりも柔らかく、前記第2層の厚みT2と前記第1層の厚みT1との比が、式1.5<T2/T1<5を満たす、封止用シートを含む。
本発明[2]は、90℃における前記第2層の厚み方向一方面の鉄球落下試験による凹み量D2と、前記第2層の厚みT2との比が、式0.1<D2/T2<0.2を満たす、[1]に記載の封止用シートを含む。
本発明の封止用シートによれば、第2層の厚み方向一方面は、90℃において、第1層の厚み方向他方面よりも柔らかく、第2層の厚みT2と第1層の厚みT1との比が所定の条件を満たすので、封止時における埋め込み性および低汚染性と、封止後における耐熱信頼性とが良好である。
図1Aおよび図1Bは、本発明の封止用シートの一実施形態およびその製造を説明する図を示し、図1Aが、封止用シートの断面図、図1Bが、第1層および第2層のそれぞれを準備する図を示す。 図2A-Bは、鉄球落下試験による凹み量の測定方法を説明する図を示し、図2Aが、封止用シートと鉄球とを用意する図、図2Bが、凹み量およびその拡大図を示す。 図3A-Cは、図1Aで示す封止用シートを用いて、電子素子を封止する方法を説明する図であり、図3Aが、電子素子実装基板および封止用シートのそれぞれを準備する図、図3Bが、封止用シートで電子素子を封止し、封止シートを熱硬化する図、図3Cが、複数の電子素子パッケージを得る図を示す。 図4は、実施例において、汚染性を評価する際の平面図を示す。
図1A-Bおよび図3-Cにおいて、紙面上下方向は、上下方向(厚み方向)である。紙面上側が、上側(厚み方向一方側)であり、紙面下側が、下側(厚み方向他方側)である。
図1Aおよび図3Aに示すように、本発明の一実施形態である封止用シート1は、基板50と電子素子51とを備える電子部材に対して、電子素子51を封止するための電子素子封止用シートである。
また、封止用シート1は、後述する電子素子パッケージ7を製造するための部品であって、電子素子パッケージ7そのものではなく、封止用シート1は、電子素子51、および、電子素子51を実装する基板50を含まず、具体的には、部品単独で流通し、産業上利用可能な部材である。
なお、封止用シート1は、電子素子51を封止した後の封止シート8(図3Bおよび図3C)ではなく、つまり、電子素子51を封止する前のシートである。
図1Aに示すように、封止用シート1は、厚み方向に直交する方向(面方向)に延びる略板形状(フィルム形状)を有する。
封止用シート1は、第1層2と、第2層3とを上側に向かって順に備える。すなわち、封止用シート1は、第1層2と、第1層2の上面に配置される第2層3とを備える。封止用シート1は、好ましくは、第1層2と、第2層3とのみからなる。
第1層2は、封止用シート1の下面(厚み方向他方側の表面)を形成する下層である。第1層2は、面方向に延びる略板形状を有する。第1層2は、後述するが、封止用シート1が電子素子51(図3A参照)を封止しようするときに、電子素子51に接触させる接触層である。
第1層2の材料は、例えば、第1の有機成分と、第1の無機充填材とを含有する第1組成物である。
第1の有機成分は、第1の熱硬化性樹脂と、第1の熱可塑性樹脂とを含有する。
第1の熱硬化性樹脂は、電子素子51を封止するときの加熱により一旦軟化し、さらには、溶融して流動し、さらなる加熱によって、硬化する樹脂である。
また、第1の熱硬化性樹脂は、電子素子51を封止する前の第1層2においてBステージであって、Cステージではない(つまり、完全硬化前の状態である)。
第1の熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ビニルエステル樹脂、シアノエステル樹脂、マレイミド樹脂、シリコーン樹脂などが挙げられる。これら第1の熱硬化性樹脂は、単独使用または2種類以上を併用することができる。第1の熱硬化性樹脂として、耐熱性などの観点から、好ましくは、エポキシ樹脂、フェノール樹脂が挙げられ、より好ましくは、エポキシ樹脂およびフェノール樹脂の併用が挙げられる。
エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールA型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂などの2官能エポキシ樹脂、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂などの3官能以上の多官能エポキシ樹脂などが挙げられる。これらエポキシ樹脂は、単独で使用または2種以上を併用することができる。好ましくは、2官能エポキシ樹脂、より好ましくは、ビスフェノールF型エポキシ樹脂が挙げられる。
エポキシ樹脂のエポキシ当量は、例えば、230g/eq.以下、好ましくは、210g/eq.以下であり、また、例えば、10g/eq.以上、好ましくは、50g/eq.以上である。
エポキシ樹脂の軟化点は、例えば、50℃以上、好ましくは、70℃以上であり、また、例えば、110℃以下、好ましくは、90℃以下である。
エポキシ樹脂の割合は、第1の熱硬化性樹脂に対して、例えば、40質量%以上、好ましくは、60質量%以上であり、また、例えば、90質量%以下、好ましくは、70質量%以下である。
フェノール樹脂は、エポキシ樹脂とともに硬化する樹脂である。フェノール樹脂としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、フェノールビフェニレン樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、レゾール樹脂などの3官能以上の多官能フェノール樹脂が挙げられる。これらフェノール樹脂は、単独で使用または2種以上を併用することができる。好ましくは、フェノールノボラック樹脂が挙げられる。
フェノール樹脂の水酸基当量は、例えば、230g/eq.以下、好ましくは、210g/eq.以下であり、また、例えば、10g/eq.以上、好ましくは、50g/eq.以上である。
フェノール樹脂の軟化点は、例えば、40℃以上、好ましくは、50℃以上であり、また、例えば、90℃以下、好ましくは、70℃以下である。
フェノール樹脂の割合は、第1の熱硬化性樹脂に対して、例えば、10質量%以上、好ましくは、30質量%以上であり、また、例えば、60質量%以下、好ましくは、40質量%以下である。
エポキシ樹脂とフェノール樹脂との割合は、エポキシ樹脂中のエポキシ基1当量に対して、フェノール樹脂中の水酸基の合計が、例えば、0.7当量以上、1.5当量以下、好ましくは、0.9当量以上、1.2当量以下となるように、調整される。
第1の熱硬化性樹脂の割合は、第1の有機成分に対して、例えば、10質量%以上、好ましくは、20質量%以上であり、また、例えば、50質量%以下、好ましくは、40質量%以下である。第1の熱硬化性樹脂の割合は、第1組成物に対して、例えば、1質量%以上、好ましくは、2質量%以上であり、また、例えば、10質量%以下、好ましくは、5質量%以下である。
第1の熱可塑性樹脂は、加熱によって軟化する樹脂である一方、熱硬化しない樹脂である。
第1の熱可塑性樹脂としては、例えば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン-酢酸ビニル共重合体、エチレン-アクリル酸共重合体、エチレン-アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂(6-ナイロンや6,6-ナイロンなど)、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、飽和ポリエステル樹脂(PETなど)、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂、スチレン-イソブチレン-スチレンブロック共重合体などが挙げられる。好ましくは、アクリル樹脂が挙げられる。
アクリル樹脂としては、例えば、直鎖または分岐のアルキル基を有する(メタ)アクリル酸アルキルエステルの1種または2種以上をモノマー成分とし、そのモノマー成分を重合することにより得られるアクリル系重合体などが挙げられる。なお、「(メタ)アクリル」は、「アクリルおよび/またはメタクリル」を表す。
アルキル基としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、n-ブチル、t-ブチル、イソブチル、アミル、イソアミル、ヘキシル、へプチル、シクロヘキシル、2-エチルヘキシル、オクチル、イソオクチル、ノニル、イソノニル、デシル、イソデシル、ウンデシル、ラウリル、トリデシル、テトラデシル、ステアリル、オクタデシル、ドデシルなどの炭素数1~20のアルキル基が挙げられる。好ましくは、炭素数1~6のアルキル基が挙げられる。
アクリル系重合体は、(メタ)アクリル酸アルキルエステルとその他のモノマー(共重合性モノマー)との共重合体であってもよい。
その他のモノマー(共重合性モノマー)としては、例えば、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレートなどのグリシジル基含有モノマー、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸、クロトン酸などカルボキシル基含有モノマー、例えば、無水マレイン酸、無水イタコン酸などの酸無水物モノマー、例えば、(メタ)アクリル酸2-ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸2-ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸4-ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸6-ヒドロキシヘキシル、(メタ)アクリル酸8-ヒドロキシオクチル、(メタ)アクリル酸10-ヒドロキシデシル、(メタ)アクリル酸12-ヒドロキシラウリルまたは(4-ヒドロキシメチルシクロヘキシル)-メチルアクリレートなどのヒドロキシル基含有モノマー、例えば、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、2-(メタ)アクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸、(メタ)アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル(メタ)アクリレート、(メタ)アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などのスルホン酸基含有モノマー、例えば、2-ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどリン酸基含有モノマー、例えば、スチレンモノマー、例えば、アクリロニトリルなどが挙げられる。これらモノマーは、単独で使用または2種以上を併用することができる。これらの中でも、好ましくは、カルボキシル基含有モノマーが挙げられる。
第1の熱可塑性樹脂のガラス転移点(Tg)は、例えば、30℃以下、好ましくは、0℃以下、より好ましくは、-5℃以下であり、また、例えば、-50℃以上である。Tgが上記上限以下であれば、封止時に、封止用シート1が複数の電子素子51間の隙間に浸入しやすくなり、埋め込み性がより一層優れる。
ガラス転移点は、動的粘弾性測定装置(DMA、周波数1Hz、昇温速度10℃/min)を用いて測定される損失正接(tanδ)の極大値により得られる。
第1の熱可塑性樹脂の重量平均分子量は、例えば、10万以上、好ましくは、30万以上であり、また、例えば、100万以下である。なお、重量平均分子量は、ゲル浸透クロマトフラフィー(GPC)により、標準ポリスチレン換算値に基づいて測定される。
第1の熱可塑性樹脂の割合は、第1の有機成分に対して、例えば、40質量%以上、好ましくは、50質量%以上、より好ましくは、55質量%以上であり、また、例えば、90質量%以下、好ましくは、80質量%以下、より好ましくは、65質量%以下である。第1の熱可塑性樹脂の割合は、第1組成物に対して、例えば、1質量%以上、好ましくは、5質量%以上であり、また、例えば、30質量%以下、好ましくは、20質量%以下である。
第1の有機成分は、第1の熱硬化性樹脂および第1の熱可塑性樹脂以外に、第1のシランカップリング剤などのその他の有機成分を含有していてもよい。好ましくは、第1の有機成分が第1のシランカップリング剤を含有する。これにより、シランカップリング剤は樹脂とフィラーの親和性が向上するため、フィラー高充填時に分散安定性が良好となる。
第1のシランカップリング剤としては、例えば、ビニル基含有シランカップリング剤、エポキシ基含有シランカップリング剤、スチリル基含有シランカップリング剤、(メタ)アクリル基含有シランカップリング剤、アミノ基含有シランカップリング剤、イソシアヌレート基含有シランカップリング剤、メルカプト基含有シランカップリング剤などが挙げられ、好ましくは、エポキシ基含有シランカップリング剤が挙げられる。
エポキシ基含有シランカップリング剤としては、例えば、2-(3,4-エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、3-グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3-グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、3-グリシドキシプロピルトリエトキシシランなどが挙げられる。好ましくは、反応性の観点から、3-グリシドキシプロピルトリエトキシシランが挙げられる。
第1のシランカップリング剤の割合は、第1の有機成分に対して、例えば、1質量%以上、好ましくは、5質量%以上であり、また、例えば、20質量%以下、好ましくは、10質量%以下である。第1のシランカップリング剤の割合は、第1組成物に対して、例えば、0.1質量%以上、好ましくは、0.5質量%以上であり、また、例えば、5質量%以下、好ましくは、3質量%以下である。
第1の有機成分の割合は、第1組成物に対して、例えば、5質量%以上、好ましくは、10質量%以上であり、また、例えば、50質量%以下、好ましくは、35質量%以下、より好ましくは、20質量%以下である。
第1の無機充填材としては、例えば、石英ガラス、タルク、シリカ(溶融シリカや結晶性シリカなど)、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化ホウ素などが挙げられる。これら無機充填材は、単独使用または2種類以上を併用することができる。無機充填材として、好ましくは、シリカ、アルミナが挙げられ、より好ましくは、シリカが挙げられる。
第1の無機充填材の寸法は、特に限定されず、具体的には、平均粒子径が、例えば、0.1μm以上、好ましくは、0.2μm以上であり、また、例えば、20μm以下、好ましくは、15μm以下である。また、平均粒子径が異なる2種以上の無機充填材を併用することができる。このような無機充填材は、例えば、特開2016-162909号公報などに記載されている。
第1の無機充填材の割合は、第1組成物に対して、例えば、50質量%以上、好ましくは、65質量%以上、より好ましくは、80質量%以上であり、また、例えば、95質量%以下、好ましくは、90質量%以下である。第1の無機充填材の割合が上記範囲であれば、電子素子パッケージ7(後述)において、耐熱信頼性がより一層優れる。
また、第1組成物は、硬化促進剤、および、顔料を含有していてもよい。
硬化促進剤は、加熱によって、熱硬化性樹脂の硬化を促進する触媒(熱硬化触媒)である。硬化促進剤としては、例えば、2-フェニル-4,5-ジヒドロキシジメチルイミダゾール(2PHZ-PW)、2-フェニル-4-メチル-5-ヒドロキシメチルイミダゾール(2P4MHZ)などのイミダゾール化合物、例えば、有機リン系化合物などが挙げられる。好ましくは、イミダゾール化合物が挙げられる。また、上記したイミダゾール化合物をゲストとし、ヒドロキシイソフタル酸(HIPA)などをホストする包接化合物も挙げられる。なお、包接化合物は、例えば、特開2012-232994号公報に記載される。これら硬化促進剤は、単独使用または2種類以上を併用することができる。
硬化促進剤の割合は、第1の熱硬化性樹脂100質量部に対して、例えば、0.1質量部以上であり、また、例えば、5質量部以下である。
顔料としては、例えば、カーボンブラックなどの黒色顔料が挙げられる。顔料の平均粒子径は、例えば、0.001μm以上、1μm以下である。これら顔料は、単独使用または2種類以上を併用することができる。
顔料の割合は、第1組成物に対して、例えば、0.1質量%以上であり、また、例えば、5質量%以下である。
さらに、第1組成物は、上記した成分以外の添加剤を適宜の割合で含有することができる。
第1層2の厚みT1は、例えば、10μm以上、好ましくは、50μm以上、また、例えば、100μm以下、好ましくは、80μm以下である。
第2層3は、封止用シート1の上面(厚み方向一方側の表面)を形成する上層である。第2層3は、面方向に延びる略板形状を有する。第2層3は、第1層2の上面全面に配置されている。第2層3は、後述するが、封止用シート1が電子素子51を封止するときに、外側(上側)に露出する露出層である。なお、第2層3は、好ましくは、電子素子51に接触しない非接触層である。
第2層3の材料は、第2の有機成分と、第2の無機充填材とを含有する第2組成物である。
第2の有機成分は、第2の熱硬化性樹脂を含有し、好ましくは、第2の熱硬化性樹脂と、第2の熱可塑性樹脂とを含有する。
第2の熱硬化性樹脂としては、第1の熱硬化性樹脂で例示したものと同様の熱硬化性樹脂が挙げられる。第2の熱硬化性樹脂として、好ましくは、エポキシ樹脂およびフェノール樹脂が挙げられ、具体的には、エポキシ樹脂およびフェノール樹脂の併用が挙げられる。
エポキシ樹脂の割合は、第2の熱硬化性樹脂に対して、例えば、40質量%以上、好ましくは、60質量%以上であり、また、例えば、90質量%以下、好ましくは、70質量%以下である。
フェノール樹脂の割合は、第2の熱硬化性樹脂に対して、例えば、10質量%以上、好ましくは、30質量%以上であり、また、例えば、60質量%以下、好ましくは、40質量%以下である。
エポキシ樹脂とフェノール樹脂との割合は、エポキシ樹脂中のエポキシ基1当量に対して、フェノール樹脂中の水酸基の合計が、例えば、0.7当量以上、1.5当量以下、好ましくは、0.9当量以上、1.2当量以下となるように、調整される。
第2の熱硬化性樹脂の割合は、第2の有機成分に対して、例えば、60質量%以上、好ましくは、70質量%以上であり、また、例えば、100質量%以下、好ましくは、95質量%以下、より好ましくは、90質量%以下である。第2の熱硬化性樹脂の割合は、第2組成物に対して、例えば、5質量%以上、好ましくは、10質量%以上であり、また、例えば、25質量%以下、好ましくは、15質量%以下である。
第2の熱可塑性樹脂としては、第1の熱可塑性樹脂で例示したものと同様の熱可塑性樹脂が挙げられる。好ましくは、アクリル樹脂が挙げられる。
第2の熱可塑性樹脂の割合は、第2の有機成分に対して、例えば、0質量%以上、好ましくは、1質量%以上、より好ましくは、5質量%以上であり、また、例えば、40質量%以下、好ましくは、30質量%以下、より好ましくは、20質量%以下である。第2の熱可塑性樹脂の割合は、第2組成物に対して、例えば、0.1質量%以上、好ましくは、0.5質量%以上であり、また、例えば、10質量%以下、好ましくは、5質量%以下である。
好ましくは、第2の有機成分に対する第2の熱可塑性樹脂の質量割合A2が、第1の有機成分に対する第1の熱可塑性樹脂の質量割合A1よりも小さい。具体的には、これらの質量割合の差(A1-A2)が、例えば、5質量%以上、好ましくは、10質量%以上、より好ましくは、25質量%以上であり、また、例えば、60質量%以下、好ましくは、50質量%以下である。上記差が上記範囲であれば、より確実に、第2層3の上面を、第1層2の下面よりも柔らかくすることができる。
第2の有機成分は、第2の熱硬化性樹脂および第2の熱可塑性樹脂以外に、第2のシランカップリング剤などのその他の有機成分を含有していてもよい。好ましくは、第2の有機成分が、第2のシランカップリング剤を含有する。これにより、シランカップリング剤は樹脂とフィラーの親和性が向上するため、フィラー高充填時に分散安定性が良好となる。
第2のシランカップリング剤としては、第1のシランカップリング剤で例示したものと同様のシランカップリング剤が挙げられる。好ましくは、エポキシ基含有シランカップリング剤が挙げられる。
第2のシランカップリング剤の割合は、第2の有機成分に対して、例えば、1質量%以上、好ましくは、5質量%以上であり、また、例えば、20質量%以下、好ましくは、10質量%以下である。第2のシランカップリング剤の割合は、第2組成物に対して、例えば、0.1質量%以上、好ましくは、0.5質量%以上であり、また、例えば、5質量%以下、好ましくは、3質量%以下である。
第2の有機成分の割合は、第2組成物に対して、例えば、5質量%以上、好ましくは、10質量%以上であり、また、例えば、50質量%以下、好ましくは、35質量%以下、より好ましくは、20質量%以下である。
第2の無機充填材としては、第1無機充填材で例示したものと同様の無機充填材が挙げられる。好ましくは、シリカが挙げられる。
第2の無機充填材の割合は、第2組成物に対して、例えば、50質量%以上、好ましくは、65質量%以上、より好ましくは、80質量%以上であり、また、例えば、95質量%以下、好ましくは、90質量%以下である。第2の無機充填材の割合が上記範囲であれば、電子素子パッケージ7(後述)において、耐熱信頼性が優れる。
また、第2組成物に対する第2の無機充填材の割合C2(質量%)と、第1組成物に対する第1の無機充填材の割合C1(質量%)との比[C2/C1]は、例えば、0.5以上、好ましくは、0.8以上であり、また、例えば、2.0以下、好ましくは、1.3以下である。上記比が上記範囲であれば、電子素子パッケージ7(後述)において、第1層2と第2層3との界面のクラックを抑制することができる。
第2組成物は、第1組成物で例示した硬化促進剤、顔料などを適宜の割合で含有していてもよい。
第2層3の厚みT2は、例えば、100μm以上、好ましくは、130μm以上、より好ましくは、150μm以上であり、また、例えば、1000μm以下、好ましくは、500μm以下、より好ましくは、300μm以下である。
第2層3の厚みT2と第1層2の厚みT1との比は、式(1)を満たし、好ましくは、式(2)を満たす。
1.5 < T2/T1 < 5 (1)
1.8 ≦ T2/T1 ≦ 4.5 (2)
上記式を満たすことにより、封止時における低汚染性、および、封止後における耐熱信頼性を両立することができる。
封止用シート1において、第2層3の上面は、90℃において、第1層2の下面よりも柔らかい。つまり、第1層2の下面(厚み方向他方面)は、90℃において、第2層3の上面(厚み方向一方面)よりも硬い。換言すると、第2層3の上面は、90℃において、第1層2の下面よりも凹みやすい。
具体的には、図2Aの鉄球落下試験に示すように、封止用シート1を、第1層2が上側になるように、加熱台10に配置し、封止用シート1を90℃に加熱し、続いて、第1層2の表面(下面)に鉄球11を落下させる。その際に、図2Bに示すように、第1層2の表面に形成された凹み量(深さ)を、D1とする。また、同様に、封止用シート1を、第2層3が上側になるように、加熱台10に配置し、封止用シート1を90℃に加熱し、続いて、第2層3の表面(上面)に鉄球11を落下させる。その際に、第2層3の表面に形成された凹み量(深さ)を、D2とする。この場合において、第2層3の凹み量D2が、第1層2の凹み量D1よりも大きい。すなわち、D1<D2を満たす。
具体的には、鉄球落下試験による凹み量D1は、例えば、20μm未満、好ましくは、15μm以下であり、また、例えば、5μm以上、好ましくは、10μm以上である。
鉄球落下試験による凹み量D2は、例えば、20μm以上、好ましくは、25μm以上であり、また、例えば、100μm以下、好ましくは、40μm以下である。
鉄球のサイズは、直径18mm、その重さは、10gであり、落下高さは、10cmである。詳しくは、実施例にて説明する。
90℃において、第2層3が第1層2よりも柔らかいと、封止時における埋め込み性および低汚染性、および、封止後における耐熱信頼性を良好にすることができる。
封止用シート1では、好ましくは、0.1<D2/T2<0.2、より好ましくは、0.15≦D2/T2≦0.19を満足する。上記比が上記範囲であれば、低汚染性および埋め込み性をより確実に両立させることができる。
封止用シート1を製造するには、図1Bに示すように、第1層2および第2層3のそれぞれを準備する。
例えば、第1組成物を溶媒(例えば、メチルエチルケトン、トルエン、酢酸エチルなど)に溶解および/または分散させて、第1ワニスを調製し、これを、仮想線で示す第1剥離シート4に塗布し、乾燥させる。これによって、第1層2を、第1剥離シート4に支持された状態で、準備する。
第2組成物を溶媒に溶解および/または分散させて、第2ワニスを調製し、これを、仮想線で示す第2剥離シート5に塗布し、乾燥させる。これによって、第2層3を、第2剥離シート5に支持された状態で、準備する。
また、ワニスを調製せず、混練押出によって、第1層2および/または第2層3を準備することもできる。
第1層2における第1の熱硬化性樹脂、および、第2層3における第2の熱硬化性樹脂は、例えば、Bステージである。
その後、第1層2および第2層3を貼り合わせる。
次に、この封止用シート1を用いて、電子素子51を封止して、電子素子パッケージ7を製造する方法を、図3A-Cを参照して説明する。なお、電子素子51、電子素子パッケージ7およびその製造方法は、特開2016-162909号公報にも記載されている。
図3Aに示すように、まず、電子素子51を準備する。
電子素子51は、面方向に延びる略平板形状を有する。電子素子51としては、特に限定されず、種々の電子素子が挙げられ、例えば、中空型電子素子、半導体素子などが挙げられる。電子素子51は、基板50の上面に対向するように複数実装されている。複数の電子素子51は、例えば、基板50に対してフリップチップ実装されている。この場合には、複数の電子素子51の下面に設けられる電極(図示せず)が、基板50の上面に設けられる端子(図示せず)と電気的に接続される。また、電子素子51に対して、図示しない接着層(ダイボンディングフィルムなど)を介してダイボンディングされていてもよい。
電子素子51を準備するには、電子素子51と、電子素子51を実装する基板50とを備える電子素子実装基板55を準備する。
基板50は、例えば、プリント配線基板などである。基板50は、面方向に延びる略平板形状を有する。基板50は、平面視において、複数の電子素子51を囲む大きさを有する。基板50は、その上面に、電子素子51と電気的に接続する端子(図示せず)を有する。基板50は、例えば、セラミック板、ガラスエポキシ板などから構成されている。
次いで、封止用シート1を準備する。
封止用シート1の大きさは、複数の電子素子51をまとめて封止できる大きさに調整されており、つまり、厚み方向に投影したときに、複数の電子素子51の全てを包含する大きさを有する。
図3Bに示すように、次いで、封止用シート1によって電子素子51を封止する。
例えば、図3Bの仮想線で示す下板98および上板99を備える平板プレス97を用いて、封止用シート1で電子素子51を封止する。
電子素子実装基板55を、下板98に配置する。具体的には、基板50の下面を、下板98の上面に載置する。
続いて、封止用シート1を電子素子実装基板55に配置する。具体的には、第1層2を複数の電子素子51の上面に接触させる。一方、第2層3は、上側に面する。この際、第1剥離シート4が第1層2を支持していた場合には、第1剥離シート4を第1層2から剥離する。
次いで、上板99を封止用シート1に向けて押し下げる。同時に、下板98および上板99に設けられる熱源(図示せず)によって、封止用シート1を加熱する。
加熱温度は、例えば、40℃以上、好ましくは、60℃以上であり、また、例えば、100℃以下、好ましくは、95℃以下である。圧力は、例えば、0.05MPa以上、好ましくは、0.1MPa以上であり、また、例えば、10MPa以下、好ましくは、5MPa以下である。プレス時間は、例えば、0.3分以上、好ましくは、0.5分以上であり、また、例えば、10分以下、好ましくは、5分以下である。
なお、熱プレスでは、平板プレス97(図3Bの仮想線)の他に、ロールプレスなども用いられる。
封止用シート1を熱プレスすると、封止用シート1が軟化するとともに、複数の電子素子51を埋設する。換言すれば、複数の電子素子51が封止用シート1に埋め込まれる。
詳しくは、第1層2は、電子素子51の上面および側面と、厚み方向に投影したときに、基板50において電子素子51と重ならない上面とを被覆する。すなわち、第1層2は、電子素子51の外形に対応して塑性変形する。
一方、第2層3は、その下面が、第1層2の変形に対応して変形する一方、第2層3の上面は、上板99にプレスされているので、平坦形状を維持する。
この際、第2層3は、相対的に柔らかいため、第1層2を下側に押し込む。そのため、第1層2は、複数の電子素子51の間、例えば、電子素子1の側面と基板50の上面とがなす隅部にも流動(浸入)し、これらを隙間なく埋め込む。
一方、第1層2は、相対的に硬いため、基板50に過度に濡れ広がらず、基板50の外側、すなわち、下板98にまで流動しにくい。したがって、第1層2は、下板98や基板50の側面または下面にまで到達しにくく、周囲への汚染が抑制される。
その後、封止用シート1を加熱より硬化させる。詳しくは、第1層2に含まれる第1の熱硬化性樹脂と、第2層3に含まれる第2の熱硬化性樹脂とを熱硬化(完全硬化、Cステージ化)させる。
封止および硬化後において、電子素子51を封止するシートは、もはや封止用シート1ではなく、封止シート8である。封止シート8は、平板形状ではなく、電子素子51に対応し、下方に向かって開口する凹部を有する。
封止シート8において、第1の熱硬化性樹脂および第2の熱硬化性樹脂は、Cステージである。
なお、封止用シート1の熱硬化の前に、第2剥離シート5が第2層3を支持していた場合には、第2剥離シート5を第2層3から剥離する。あるいは、封止用シート1による電子素子51の封止の前に、第2剥離シート5を第2層3から剥離することもできる。
加熱温度(キュア温度)は、例えば、100℃以上、好ましくは、120℃以上であり、また、例えば、200℃以下、好ましくは、180℃以下である。加熱時間は、例えば、10分以上、好ましくは、30分以上であり、また、例えば、180分以下、好ましくは、120分以下である。
封止用シート1を熱硬化させるには、封止用シート1、電子素子51および基板50を、平板プレス97から取り出し、それらを、例えば、加熱炉などに投入する。なお、平板プレス97から、封止用シート1、電子素子51および基板50を取り出さず、平板プレス97に設けられる熱源を用いて、封止用シート1を熱硬化することもできる。
必要に応じて、その後、複数の電子素子51の上に位置する第2層3の上面に、レーザー照射などによって、マークを付与する(マーキングする)。マークは、次に説明する電子素子パッケージ7に関する情報(製品情報、ロット番号など)を含む。
図3Cに示すように、その後、複数の電子素子51間の封止シート8を、例えば、ダイシングにより切断して、電子素子51および基板50を個片化する。これにより、1つの封止シート8と、1つの電子素子51と、1つの基板50とを備える電子素子パッケージ7を製造する。
その後、電子素子パッケージ7を、別の基板に対して実装する。
そして、図1Aに示す封止用シート1(封止シート8を形成する前のシート)では、第2層3の上面は、90℃において、第1層2の下面よりも柔らかい。第2層3の厚みT2と第1層2の厚みT1との比は、1.5 < T2/T1 < 5を満たす。
そのため、封止用シート1を加熱して、電子素子1を封止する際に、十分な厚みを備える第2層3が、第1層2を下側に押し込むことができる。そのため、第1層2は、複数の電子素子51の間、例えば、電子素子1の側面と基板50の上面とがなす隅部にも流動し、これらを隙間なく埋め込むことができる。すなわち、埋め込み性に優れる。したがって、得られる電子素子パッケージ7内に、不要な隙間の発生を抑制することができる。
また、封止の際、硬い第1層2が電子素子51や基板50に接触するため、濡れ広がりにくくなる。一方、柔らかい第2層3の厚みは所定の範囲であるため、濡れ広がり易い第2層3の量は低減されている。そのため、封止用シート1のはみ出しを抑制することができる。したがって、電子素子パッケージ7の周辺の汚染を抑制することができる。
一方、封止後においては、相対的に柔らかい第2層3が、相対的に硬い第1層2よりも電子素子パッケージ7の外側に十分に存在しているため、熱サイクルによる膨張・収縮に対してクラックが生じにくく、耐熱信頼性に優れる。
また、この封止用シート1では、第2層3の凹み量D2と厚みT2との比が、 0.1<D2/T2<0.2を満足すれば、低汚染性および埋め込み性をより確実に両立させることができる。
また、第2の有機成分に対する第2の熱可塑性樹脂の割合が、第1の有機成分に対する第1の熱可塑性樹脂の割合よりも小さければ、この封止用シート1の物性に容易に調整することができる。
以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されない。また、以下の記載において用いられる配合割合(含有割合)、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合(含有割合)、物性値、パラメータなど該当記載の上限(「以下」、「未満」として定義されている数値)または下限(「以上」、「超過」として定義されている数値)に代替することができる。
実施例および比較例で使用した各成分を以下に示す。
YSLV-80XY:エポキシ樹脂(ビスフェノールF型エポキシ樹脂)、エポキン当量:200g/eq.、軟化点:80℃、新日鐵化学社製
LVR8210DL:フェノール樹脂(ノボラック型フェノール樹脂)、水酸基当量:104g/eq.、軟化点:60℃、群栄化学社製
HME-2006M:アクリル樹脂(カルボキシル基含有のアクリル酸エステル系ポリマー20質量%のメチルエチルケトン溶液、重量平均分子量:約60万、Tg:-30℃、根上工業社製
SG-70L:アクリル樹脂(カルボキシル基含有のアクリル酸エステル系ポリマー12.5質量%のメチルエチルケトン溶液、重量平均分子量:約80万、Tg:-10℃、ナガセケムテックス社製
KBM-403:エポキシシランカップリング剤、3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、信越シリコーン社製
FB-8SM:シリカ、平均粒子径:6μm、デンカ社製
SC220G-SMJ:シリカ、平均粒子径:0.5μm、アドマテックス社製
#20:カーボンブラック、平均粒子径:50nm、三菱化学社製
2PHZ-PW:硬化促進剤、イミダゾール化合物(2-フェニル-4,5-ジヒドロキシジメチルイミダゾール)、四国化成社製
実施例1
表1に記載の配合処方(表1の数値は、固形分量を示す。)に従い、各成分をメチルエチルケトンに溶解および分散させ、第1ワニスおよび第2ワニスを得た。第1ワニスの固形分濃度は、70質量%であり、第2ワニスの固形分濃度は、80質量%であった。
第1ワニスおよび第2ワニスのそれぞれを、第1剥離シート4および第2剥離シート5のそれぞれの表面に塗布した後、110℃で5分間乾燥させた。これにより、厚み50μmの第1層2、および、厚み200μmの第2層3のそれぞれを準備した。
その後、第1層2および第2層3を貼り合わせた。これによって、第1層2(下層)および第2層3(上層)を備える封止用シート1を作製した。
実施例2~5および比較例1~8
表1~表2に記載の配合処方および表3に記載の厚みに従い、実施例1と同様にして、封止用シート1を作製した。
(評価)
以下の項目を評価した。その結果を表3に示す。
<凹み量の測定>
各実施例および各比較例の封止用シート(50mm×50mm)の上面および下面にそれぞれポリエチレンテレフタレート(厚み38μm)を配置した。次いで、第1層が下側に第2層が上側となるように、90℃のホットプレート10に配置し、1分後に、鉄球11(直径18mm、重さ10g)を高さ10cmmから封止用シートの上面に落下させた。落下後、5分間放置して、鉄球11を除去した(図2A-B参照)。
封止用シート上面(第2層側の表面)の凹み量D2を、3CCDカラーコンフォーカル顕微鏡(レーザーテック社製、「MC-1000A」)を用いて、コンフォーカルモード、倍率5倍の条件で、測定した。
第1層が上側に第2層が下側となるように配置した以外は、上記と同様にして、第1層側の表面の凹み量D1を測定した。
これらの結果を表3に示す。
<低汚染性の評価>
100mm×100mm×厚み1.1mmのガラス板20を用意した。ガラス板20の中央に、各実施例および各比較例の封止用シート1(80mm×80mm×厚み260μm)を、第1層が接触するように配置し、真空平板プレス機にて圧力0.1MPa、65℃、1分の条件でこれらを貼り合わせた。
次いで、貼り合わせた後の封止用シートにおいて、対向する2辺の中点同士を結ぶ直線の長さL、Lをそれぞれ計測した(図4参照)。値の大きい方をAとして、下記式により、はみ出し割合Xを算出した。
X[%]=(A[mm]/80[mm])×100
Xが、100%以上、110%以下である場合を○と評価し、Xが110%を超過し、120%以下である場合を△と評価し、120%を超過する場合を×と評価した。結果を表3に示す。
<埋め込み性の評価>
複数のシリコンウエハ(1mm×1mm×厚み200μm)を、チップ間隔500μmとなるように碁盤目状に並べて、これらの上から、第1層が接触するように、真空平板プレス機にて圧力0.1MPa、65℃、1分で封止用シートを貼り合わせた。
このとき、チップ間に完全にボイドが観察されなかった場合を○と評価し、1μm以上100μm以下のボイドが観察されなかった場合を△と評価し、100μm以上のボイドが観察された場合を×と評価した。結果を表3に示す。
<耐熱信頼性の評価>
セラミック板として、100mm×100mm×厚み200μmのアルミナ板を用意した。セラミック板の中央に、各実施例および各比較例の封止用シート(直径3mm)を、第1層が接触するように配置し、真空平板プレス機にて圧力0.3MPa、95℃、50秒の条件でこれらを貼り合わせ、続いて、150℃で1時間加熱硬化させた。これにより、サンプルを得た。
次いで、サンプルを熱サイクル試験(1サイクルの温度は-50℃~125℃、1時間;1000サイクル)を実施した。
その後、超音波顕微鏡(SAT)を用いてサンプルを観察し、封止シートにクラックや剥離が観察されなかった場合を〇と評価し、クラックや剥離が観察された場合を×と評価した。結果を表3に示す。
Figure 0007343988000001





Figure 0007343988000002
Figure 0007343988000003
1 封止用シート
2 第1層
3 第2層
8 封止シート
50 基板
51 電子素子

Claims (2)

  1. 電子素子を封止するための封止用シートであり、
    前記電子素子を封止するときに、前記電子素子に接触する第1層と、外側に露出する第2層とを厚み方向一方側に向かって順に備え、
    前記第1層および前記第2層は、それぞれ、熱硬化性を有し、
    前記第2層の厚み方向一方面は、90℃の前記封止用シートにおいて、前記第1層の厚み方向他方面よりも柔らかく、前記封止用シートを前記第2層が上側になるように加熱台に配置し且つ前記封止用シートを90℃に加熱した後に、前記第2層の表面に鉄球を落下させる第1鉄球落下試験(前記鉄球の直径18mm,落下高さ10cm)において、前記第2層の前記厚さ方向一方面に形成される凹み量が、前記封止用シートを前記第1層が上側になるように前記加熱台に配置し且つ前記封止用シートを90℃に加熱した後に、前記第1層の表面に前記鉄球を落下させる第2鉄球落下試験(前記鉄球の直径18mm,落下高さ10cm)において、前記第1層の前記厚さ方向他方面に形成される凹み量よりも大きく、
    前記第2層の厚みT2と前記第1層の厚みT1との比が、下記式
    1.5 < T2/T1 < 5
    を満たすことを特徴とする、封止用シート。
  2. 90℃の前記封止用シートにおける前記第2層の厚み方向一方面の前記第1鉄球落下試験による凹み量D2と、前記第2層の厚みT2との比が、下記式
    0.1 < D2/T2 < 0.2
    を満たすことを特徴とする、請求項1に記載の封止用シート。
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