JP2019046930A - 封止用シート - Google Patents

Abstract

【課題】進入長さの抑制と、マークの確実な認識とを両立することのできる封止シートを提供する。【解決手段】封止用シート１は、基板５０と電子素子５１との間が中空となるように、電子素子５１を封止する。封止用シート１は、電子素子５１を封止するときに、電子素子５１に接触する第１層２と、外側に露出する第２層３とを厚み方向一方側に向かって順に備える。第１層２は、第１の熱硬化性樹脂と、第１の熱可塑性樹脂とを含有する。第２層３は、第２の熱硬化性樹脂と、第２の熱可塑性樹脂と、無機充填材とを含有する。第１層２の厚みＴ１［μｍ］と、第２の熱可塑性樹脂の、第２の熱硬化性樹脂および第２の熱可塑性樹脂の総量に対する質量換算の百分率Ｘ［％］とが、下記式（１）または（２）を満足する。Ｔ１≦２Ｘ＋５ （但し、０＜Ｘ＜１０） （１）Ｔ１≦３．５Ｘ−１０ （但し、１０≦Ｘ） （２）【選択図】図２

Description

本発明は、封止用シート、詳しくは、電子素子を封止するための封止用シートに関する。

従来、電子デバイスと基板との間が中空構造となるように、封止樹脂シートで電子デバイスを封止して、中空型電子デバイスパッケージを得ることが知られている。

そのような封止樹脂シートとして、例えば、熱硬化性樹脂および無機充填剤を含有する中空型電子デバイス封止用シートが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。

特許文献１の中空型電子デバイス封止用シートは、電子デバイスを封止するときに、中空部への樹脂の進入量を抑制している。

特開２０１６−１６２９０９号公報

しかるに、中空型電子デバイス封止用シートの中空部への樹脂の進入量のより一層の低減が求められている。

また、特許文献１の中空型電子デバイス封止用シートは、封止時の加熱によって、熱硬化性樹脂が大きく流動してしまい、残存する無機充填剤の形状に基づく凹凸を生成する。封止後の中空型電子デバイス封止用シート（封止シート）の表面に、レーザーなどによってマーキングしても、上記した凹凸に起因してマークを認識できないという不具合がある。

本発明は、封止用シートの材料の電子素子および基板間への進入の抑制と、マークの確実な認識とを両立することのできる封止用シートを提供する。

本発明［１］は、基板とそれに電気的に接続される電子素子との間に間隔が隔てられ、前記間隔が中空となるように、前記電子素子を封止するための封止用シートであり、前記電子素子を封止するときに、前記電子素子に接触する第１層と、外側に露出する第２層とを厚み方向一方側に向かって順に備え、前記第１層は、第１の熱硬化性樹脂と、第１の熱可塑性樹脂とを含有し、前記第２層は、第２の熱硬化性樹脂と、第２の熱可塑性樹脂と、無機充填材とを含有し、前記第１層の厚みＴ１［μｍ］と、前記第２の熱可塑性樹脂の、前記第２の熱硬化性樹脂および前記第２の熱可塑性樹脂の総量に対する質量換算の百分率Ｘ［％］とが、下記式（１）または（２）を満足する、封止用シートを含む。

Ｔ１≦２Ｘ＋５ （但し、０＜Ｘ＜１０） （１）
Ｔ１≦３．５Ｘ−１０ （但し、１０≦Ｘ） （２）
本発明［２］は、下記のステップＡ、Ｂ、Ｃ、Ｅ、Ｇを順に実施して測定される前記第２層の算術粗さＲａが、０．０８μｍ以下であること、［１］に記載の封止用シートを含む。

ステップＡ：縦３ｍｍ、横３ｍｍ、厚み２００μｍのダミーチップが、厚み５０μｍのバンプを介してガラス基板に５０μｍの間隔を隔てて実装されたダミーチップ実装基板を準備する。

ステップＢ：縦１０ｍｍ、横１０ｍｍの前記封止用シートのサンプルシートを準備する。

ステップＣ：前記サンプルシートによって、前記ダミーチップ実装基板における前記ダミーチップを、前記第１層が前記ダミーチップに接触するように、真空平板プレスにより、温度６５℃、圧力０．１ＭＰａ、真空度１．６ｋＰａ、プレス時間１分で、封止して、封止シートを得る。

ステップＥ：前記ステップＣの後に、前記封止シートを、１５０℃、１時間加熱により熱硬化させて、封止体を得る。

ステップＧ：前記ステップＥの後に、前記封止シートにおいて前記ダミーチップの厚み方向一方側に位置する前記第２層の算術粗さＲａを測定する。

本発明［３］は、前記第２層を９０℃で測定したときの溶融粘度Ｖ２の、記前記第１層を９０℃で測定したときの溶融粘度Ｖ１に対する割合（Ｖ２／Ｖ１）が、７以上、５０以下である、［１］または［２］に記載の封止用シートを含む。

本発明［４］は、前記第２層の厚みＴ２の、前記第１層の前記厚みＴ１に対する割合（Ｔ２／Ｔ１）が、７．８未満である、［１］〜［３］のいずれか一項に記載の封止用シートを含む。

本発明［５］は、下記のステップＡ〜ステップＤを実施して測定される進入長さＺ１が、２μｍ以下であり、かつ、前記ステップＤに引き続き、下記のステップＥ〜ステップＦを実施して測定される進入長さＺ２から前記進入長さＺ１を差し引いた長さ（Ｚ２−Ｚ１）が、２μｍ以下である、［１］〜［４］のいずれか一項に記載の封止用シートを含む。

ステップＡ：縦３ｍｍ、横３ｍｍ、厚み２００μｍのダミーチップが、厚み５０μｍのバンプを介してガラス基板に５０μｍの間隔を隔てて実装されたダミーチップ実装基板を準備する。

ステップＢ：縦１０ｍｍ、横１０ｍｍの前記封止用シートのサンプルシートを準備する。

ステップＣ：前記サンプルシートによって、前記ダミーチップ実装基板における前記ダミーチップを、前記第１層が前記ダミーチップに接触するように、真空平板プレスにより、温度６５℃、圧力０．１ＭＰａ、真空度１．６ｋＰａ、プレス時間１分で、封止する。

ステップＤ：前記ステップＣの後に、前記ダミーチップの下端縁からダミーチップとガラス基板との間に前記サンプルシートの材料が進入する進入長さＺ１を測定する。

ステップＥ：前記ステップＤの後に、前記サンプルシートを、１５０℃、１時間加熱により熱硬化させて、封止体を得る。

ステップＦ：前記ステップＥの後に、前記封止体における前記ダミーチップの下端縁からダミーチップとガラス基板との間に前記サンプルシートの材料が進入する進入長さＺ２を測定する。

本発明［６］は、前記第２の熱可塑性樹脂は、アクリル樹脂を含有する、［１］〜［５］のいずれか一項に記載の封止用シートを含む。

本発明の封止用シートによれば、式（１）または（２）を満足するので、封止用シートの材料の電子素子および基板間への進入の抑制と、マークの確実な認識とを両立することができる。

図１Ａおよび図１Ｂは、本発明の封止用シートの一実施形態およびその製造を説明する図を示し、図１Ａが、封止用シートの断面図、図１Ｂが、第１層および第２層のそれぞれを準備する図を示す。 図２は、第１層２の厚みＴ１と第２の熱可塑性樹脂の百分率Ｘとの関係を示すグラフおよび領域を示す。 図３は、第１層２の厚みＴ１と第２の熱硬化性樹脂の百分率Ｙとの関係を示すグラフおよび領域を示す。 図４Ａ〜図４Ｃは、進入長さＺ１およびＺ２の測定を説明する図であり、図４Ａが、ダミーチップ実装基板を準備するステップＡ、および、サンプルシートを準備するステップＢ、図４Ｂが、サンプルシートによってダミーチップを封止するステップＣ、および、サンプルシートを熱硬化させて、封止体を得るステップＥ、図４Ｃが、進入長さＺ１を測定するステップＤ、および、進入長さＺ２を測定するステップＦを示す。 図５Ａ〜図５Ｃは、図１Ａで示す封止用シートを用いて、電子素子を封止する方法を説明する図であり、図５Ａが、電子素子実装基板および封止用シートのそれぞれを準備するステップ、図５Ｂが、封止用シートで電子素子を封止し、続いて、封止シートを熱硬化するステップ、図５Ｃが、複数の中空型電子素子パッケージを得るステップを示す。

図１Ａ、図１Ｂおよび図５Ａ〜図５Ｃにおいて、紙面上下方向は、上下方向（厚み方向の一例）である。紙面上側が、上側（厚み方向一方側の一例）であり、紙面下側が、下側（厚み方向他方側）である。

図１Ａおよび図５Ｂに示すように、本発明の一実施形態である封止用シート１は、基板５０と電子素子５１との間に間隔が隔てられ、かかる間隔が中空となるように、電子素子５１を封止するための中空型電子素子封止用シートである。一方、この封止用シート１は、基板５０と電子素子５１との間を完全に充填できる充填封止用シートではない。

また、封止用シート１は、後述する中空型電子素子パッケージ７を製造するための部品であって、中空型電子素子パッケージ７そのものではなく、封止用シート１は、電子素子５１、および、電子素子５１を実装する基板５０を含まず、具体的には、部品単独で流通し、産業上利用可能なデバイスである。

なお、封止用シート１は、電子素子５１を封止した後の封止シート８（図５Ｂおよび図５Ｃ）ではなく、つまり、電子素子５１を封止する前のシートである。

図１Ａに示すように、封止用シート１は、厚み方向に直交する方向（面方向）に延びる略板形状（フィルム形状）を有する。

封止用シート１は、第１層２と、第２層３とを上側に向かって順に備える。封止用シート１は、第１層２と、第１層２の上面に配置される第２層３とを備える。封止用シート１は、好ましくは、第１層２と、第２層３とのみからなる。

第１層２は、封止用シート１の下面（厚み方向一方面の一例）を形成する下層である。第１層２は、面方向に延びる略板形状を有する。第１層２は、後述するが、封止用シート１が電子素子５１（図５Ｂ参照）を封止しようするときに、電子素子５１に接触できる接触層である。

第１層２の材料は、第１の熱硬化性樹脂と、第１の熱可塑性樹脂とを含有する第１組成物である。

第１の熱硬化性樹脂は、電子素子５１を封止するときの加熱により一旦軟化し、さらには、溶融して流動し、さらなる加熱によって、硬化する樹脂である。

また、第１の熱硬化性樹脂は、電子素子５１を封止する前の第１層２においてＢステージであって、Ｃステージではない（つまり、完全硬化前の状態である）。

第１の熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ビニルエステル樹脂、シアノエステル樹脂、マレイミド樹脂、シリコーン樹脂などが挙げられる。第１の熱硬化性樹脂として、耐熱性などの観点から、好ましくは、エポキシ樹脂、フェノール樹脂が挙げられ、より好ましくは、フェノール樹脂が挙げられる。第１の熱硬化性樹脂は、単独使用または併用することができる。好ましくは、フェノール樹脂の単独使用が挙げられる。

フェノール樹脂としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、フェノールビフェニレン樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、レゾール樹脂などの３官能以上の多官能フェノール樹脂が挙げられる。これらフェノール樹脂は、単独で使用または２種以上を併用することができる。好ましくは、フェノールノボラック樹脂が挙げられる。

フェノール樹脂の水酸基当量は、例えば、２３０ｇ／ｅｑ．以下、好ましくは、２１０ｇ／ｅｑ．以下であり、また、例えば、１０ｇ／ｅｑ．以上、好ましくは、５０ｇ／ｅｑ．以上である。

フェノール樹脂の融点は、例えば、４０℃以上、好ましくは、５０℃以上であり、また、例えば、９０℃以下、好ましくは、７０℃以下である。

フェノール樹脂の割合は、第１の熱硬化性樹脂に対して、例えば、７５質量％以上、好ましくは、９０質量％以上、より好ましくは、９５質量％以上であり、また、例えば、１００質量％以下である。

第１の熱硬化性樹脂の割合は、第１の熱硬化性樹脂および第１の熱可塑性樹脂の総量に対して、例えば、１質量％以上、好ましくは、５質量％以上であり、また、例えば、４０質量％以下、好ましくは、２０質量％以下である。第１の熱硬化性樹脂の割合は、第１組成物に対して、例えば、１質量％以上、好ましくは、５質量％以上であり、また、例えば、４０質量％以下、好ましくは、２０質量％以下である。

第１の熱可塑性樹脂は、加熱によって軟化する樹脂である一方、熱硬化しない樹脂である。

第１の熱可塑性樹脂としては、例えば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂（６−ナイロンや６，６−ナイロンなど）、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、飽和ポリエステル樹脂（ＰＥＴなど）、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂、スチレン−イソブチレン−スチレンブロック共重合体などが挙げられる。好ましくは、アクリル樹脂が挙げられる。

アクリル樹脂としては、例えば、直鎖または分岐のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルの１種または２種以上をモノマー成分とし、そのモノマー成分を重合することにより得られるアクリル系重合体などが挙げられる。なお、「（メタ）アクリル」は、「アクリルおよび／またはメタクリル」を表す。

アルキル基としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、イソブチル、アミル、イソアミル、ヘキシル、へプチル、シクロヘキシル、２−エチルヘキシル、オクチル、イソオクチル、ノニル、イソノニル、デシル、イソデシル、ウンデシル、ラウリル、トリデシル、テトラデシル、ステアリル、オクタデシル、ドデシルなどの炭素数１〜２０のアルキル基が挙げられる。好ましくは、炭素数１〜６のアルキル基が挙げられる。

アクリル系重合体は、（メタ）アクリル酸アルキルエステルとその他のモノマー（共重合性モノマー）との共重合体であってもよい。

その他のモノマー（共重合性モノマー）としては、例えば、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレートなどのグリシジル基含有モノマー、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸、クロトン酸などカルボキシル基含有モノマー、例えば、無水マレイン酸、無水イタコン酸などの酸無水物モノマー、例えば、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリルまたは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレートなどのヒドロキシル基含有モノマー、例えば、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などのスルホン酸基含有モノマー、例えば、２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどリン酸基含有モノマー、例えば、スチレンモノマー、例えば、アクリロニトリルなどが挙げられる。これらモノマーは、単独で使用または２種以上を併用することができる。これらの中でも、好ましくは、カルボキシル基含有モノマーが挙げられる。

アクリル樹脂の重量平均分子量は、例えば、１０万以上、好ましくは、３０万以上であり、また、例えば、１００万以下である。なお、重量平均分子量は、ゲル浸透クロマトフラフィー（ＧＰＣ）により、標準ポリスチレン換算値に基づいて測定される。

アクリル樹脂の割合は、第１の熱可塑性樹脂に対して、例えば、７５質量％以上、好ましくは、９０質量％以上、より好ましくは、９５質量％以上であり、また、例えば、１００質量％以下である。

第１の熱可塑性樹脂の割合は、第１の熱硬化性樹脂および第１の熱可塑性樹脂の総量に対して、例えば、６０質量％以上、好ましくは、８０質量％以上であり、また、例えば、９９質量％以下、好ましくは、９５質量％以下である。第１の熱可塑性樹脂の割合は、第１組成物に対して、例えば、６０質量％以上、好ましくは、８０質量％以上であり、また、例えば、９９質量％以下、好ましくは、９５質量％以下である。

また、第１組成物は、硬化促進剤、顔料を含有することができる。

硬化促進剤は、加熱によって、熱硬化性樹脂の硬化を促進する触媒（熱硬化触媒）であって、例えば、有機リン系化合物、例えば、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール（２Ｐ４ＭＨＺ）などのイミダゾール化合物などが挙げられる。好ましくは、イミダゾール化合物が挙げられる。また、上記したイミダゾール化合物をゲストとし、ヒドロキシイソフタル酸（ＨＩＰＡ）などをホストする包接化合物も挙げられる。なお、包接化合物は、例えば、特開２０１２−２３２９９４号公報に記載される。
硬化促進剤の割合は、第１の熱硬化性樹脂１００質量部に対して、例えば、０．１質量部以上であり、また、例えば、５質量部以下である。

顔料としては、例えば、カーボンブラックなど黒色顔料が挙げられる。顔料の平均粒子径は、例えば、０．００１μｍ以上、１μｍ以下である。これら顔料は、単独使用または２種類以上併用することができる。顔料の割合は、第１組成物に対して、例えば、０．１質量％以上、また、例えば、２質量％以下である。

さらに、第１組成物は、上記した成分以外の添加剤を適宜の割合で含有することができる。

ただし、第１組成物は、好ましくは、無機充填材（後述）を含有しない。

第１層２の厚みＴ１は、後述する式（１）または（２）を満足するように設定される。具体的には、第１層２の厚みＴ１は、例えば、１μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上、また、例えば、２００μｍ以下の範囲から、式（１）または（２）を満足するように設定される。

第１層２を９０℃で測定したときの溶融粘度Ｖ１は、例えば、１０ｋＰａ・ｓ超過、好ましくは、１２．５ｋＰａ・ｓ以上であり、また、例えば、５０ｋＰａ・ｓ以下、好ましくは、２０ｋＰａ・ｓ以下である。

第１層２の溶融粘度Ｖ１が上記した下限を上回れば、封止用シート１で電子素子５１を封止するときに、封止用シート１が電子素子５１の外形形状に柔軟に変形して、電子素子５１を封止することができる。

第１層２の溶融粘度Ｖ１が上記した上限を下回れば、封止用シート１の材料の電子素子５１および基板５０間への進入を抑制することができる。

また、第１層２の溶融粘度Ｖ１は、後述するＶ２との比（Ｖ２／Ｖ１）が所定範囲となるように、設定される。溶融粘度Ｖ１の測定方法は、実施例で詳述する。

第２層３は、封止用シート１の上面（厚み方向他方面の一例）を形成する上層である。第２層３は、面方向に延びる略板形状を有する。第２層３は、第１層２の上面全面に配置されている。第２層３は、後述するが、封止用シート１が電子素子５１を封止するときに、外側（上側）に露出する露出層である。また、第２層３は、後述するが、所望のマーク６（図５Ｃ参照）がマーキングされるマーキング層でもある。このため、第２層３の上面は、電子素子５１を封止するとき、または、封止した後において、比較的滑らかな表面を維持しており、詳しくは、マーク６を判別可能な平坦面または微細な凹凸面を有する。なお、第２層３は、好ましくは、電子素子５１に接触しない非接触層である。

第２層３の材料は、第２の熱硬化性樹脂と、第２の熱可塑性樹脂と、無機充填材とを含有する第２組成物である。

第２の熱硬化性樹脂としては、第１の熱硬化性樹脂で例示したものと同様の熱硬化性樹脂が挙げられる。第２の熱硬化性樹脂として、好ましくは、エポキシ樹脂およびフェノール樹脂が挙げられ、具体的には、エポキシ樹脂およびフェノール樹脂の併用が挙げられる。

エポキシ樹脂は、フェノール樹脂とともに硬化する樹脂である。エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂などの２官能エポキシ樹脂、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂などの３官能以上の多官能エポキシ樹脂などが挙げられる。これらエポキシ樹脂は、単独で使用または２種以上を併用することができる。好ましくは、２官能エポキシ樹脂、より好ましくは、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂が挙げられる。

エポキシ樹脂のエポキシ当量は、例えば、２３０ｇ／ｅｑ．以下、好ましくは、２１０ｇ／ｅｑ．以下であり、また、例えば、１０ｇ／ｅｑ．以上、好ましくは、５０ｇ／ｅｑ．以上である。

エポキシ樹脂の融点は、例えば、５０℃以上、好ましくは、７０℃以上であり、また、例えば、１１０℃以下、好ましくは、９０℃以下である。

エポキシ樹脂の割合は、第２の熱硬化性樹脂に対して、例えば、４０質量％以上、好ましくは、６０質量％以上であり、また、例えば、９０質量％以下、好ましくは、７０質量％以下である。

エポキシ樹脂とフェノール樹脂との割合は、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量に対して、フェノール樹脂中の水酸基の合計が、例えば、０．７当量以上、１．５当量以下、好ましくは、０．９当量以上、１．２当量以下となるように、調整される。

また、フェノール樹脂の割合は、第２の熱硬化性樹脂に対して、例えば、１０質量％以上、好ましくは、３０質量％以上であり、また、例えば、６０質量％以下、好ましくは、４０質量％以下である。

第２の熱可塑性樹脂としては、第１の熱可塑性樹脂で例示したものと同様の熱可塑性樹脂が挙げられる。好ましくは、アクリル樹脂が挙げられる。アクリル樹脂は、スチレン−イソブチレン−スチレンブロック共重合体などと異なり、コンポジット材料とした（第１組成物を調製する）時の流動性、封止性の微調整が容易であり、有機溶剤に相溶するため液体状態で取り扱うことができ、そのため、スチレン−イソブチレン−スチレンブロック共重合体に比べて、好適である。

そして、第２の熱可塑性樹脂の、第２の熱硬化性樹脂および第２の熱可塑性樹脂の総量に対する質量換算の百分率Ｘ［％］は、上記した第１層２の厚みＴ１（μｍ）とともに、下記式（１）または（２）を満足する。

Ｔ１≦２Ｘ＋５ （但し、０＜Ｘ＜１０） （１）
Ｔ１≦３．５Ｘ−１０ （但し、１０≦Ｘ） （２）
式（１）または式（２）を満足する第２の熱可塑性樹脂の百分率Ｘと第１層２の厚みＴ１との領域は、図２のハッチングで示される。図２に示すように、この領域は、式（１）および式（２）のそれぞれの左辺および右辺が等しいときに示される直線上と、その直線より下側（あるいは右側）の領域とを含む領域である。

一方、（１）および（２）を満たさない場合、つまり、０＜Ｘ＜１０の場合には、Ｔ１＞２Ｘ＋５を満足し、１０≦Ｘの場合には、Ｔ１＞４Ｘ−１０を満足する場合において、第１層２の厚みＴ１が一定である場合を考察する。この場合には、第２の熱可塑性樹脂の百分率Ｘが過少であり、換言すれば、第２の熱硬化性樹脂の百分率Ｙが過多である。つまり、電子素子５１を封止するときの加熱により一旦軟化し、さらには、溶融して流動する樹脂である第２の熱硬化性樹脂が過多となるため、電子素子５１の上側における第２層３において第２の熱硬化性樹脂が電子素子５１の外側に向かって流動し、電子素子５１の上側に留まらず、電子素子５１の側部に流れ落ちる。そのため、電子素子５１の上側における第２層３には、無機充填材が多く残存する。すると、無機充填材の形状に基づく凹凸によって、マーク６（図５Ｃ参照）を認識できない。

一方、第２の熱可塑性樹脂の百分率Ｘが一定である場合を考察する。この場合には、第１層２の厚みＴ１が厚過ぎる。そうすると、第２層３から受ける圧力によって、封止用シート１の材料が電子素子５１および基板５０間へ多く進入する。

好ましくは、第２の熱可塑性樹脂の百分率Ｘ［％］と第１層２の厚みＴ１（μｍ）とは、下記式（３）または（４）を満足する。

Ｔ１≦２Ｘ （但し、０＜Ｘ＜１０） （３）
Ｔ１≦３．５Ｘ−１５ （但し、１０≦Ｘ） （４）
なお、式（３）および式（４）のそれぞれの左辺および右辺が等しいときは、図２において、鎖線で示す。

これによって、封止用シート１の材料の電子素子５１および基板５０間への進入のより一層の抑制と、マーク６（図５Ｃ参照）のより一層確実な認識とを両立することができる。

他方、第２の熱硬化性樹脂の、第２の熱硬化性樹脂および第２の熱可塑性樹脂の総量に対する質量換算の百分率Ｙ［％］は、第１層２の厚みＴ１（μｍ）とともに、例えば、下記式（５）または（６）を満足する。

Ｔ１≦−２Ｙ＋２０５ （但し、９０＜Ｘ＜１００） （５）
Ｔ１≦−３．５Ｙ＋３４０ （但し、９０≧Ｘ） （６）
式（５）または式（６）を満足する第２の熱硬化性樹脂の百分率Ｙと第１層２の厚みＴ１との領域は、図３のハッチングで示される。図３に示すように、この領域は、式（５）または式（６）のそれぞれの左辺および右辺が等しいときに示される直線上と、その直線より下側（あるいは左側）の領域とを含む領域である。

これによって、封止用シート１の材料の電子素子５１および基板５０間への進入の抑制と、印字後のマーク６（図５Ｃ参照）の確実な認識とを両立することができる。

第２の熱硬化性樹脂の百分率Ｙ［％］と第１層２の厚みＴ１（μｍ）とは、下記式（７）または（８）を満足する。

Ｔ１≦−２Ｙ＋２００ （但し、９０＜Ｘ＜１００） （７）
Ｔ１≦−３．５Ｙ＋３３５ （但し、９０≧Ｘ） （８）
なお、式（７）および式（８）のそれぞれの左辺および右辺が等しいときは、図３において、鎖線で示す。

これによって、封止用シート１の材料の電子素子５１および基板５０間への進入のより一層の抑制と、マーク６のより一層確実な認識とを両立することができる。

無機充填材としては、例えば、石英ガラス、タルク、シリカ（溶融シリカや結晶性シリカなど）、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化ホウ素などが挙げられる。無機充填材は、単独使用または併用することができる。無機充填材として、好ましくは、シリカ、アルミナが挙げられ、より好ましくは、シリカがが挙げられる。

無機充填材の寸法は、特に限定されず、具体的には、平均粒子径が、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、０．２μｍ以上であり、また、例えば、２０μｍ以下、好ましくは、１５μｍ以下である。また、平均粒子径が異なる２種以上の無機充填材を併用することができる。このような無機充填材は、例えば、特開２０１６−１６２９０９号公報などに記載されている。

また、無機充填材は、シランカップリング剤で、第２の熱硬化性樹脂および第２の熱可塑性樹脂への配合前および／または配合後に処理することもできる。このようなシランカップリング剤、その処理方法およびその割合は、例えば、特開２０１６−１６２９０９号公報などに詳述されている。

第２組成物は、第１組成物で例示した顔料、さらには、添加剤を適宜の割合で含有することができる。

第２層３を９０℃で測定したときの溶融粘度Ｖ２は、例えば、７０ｋＰａ・ｓ超過、好ましくは、１５０ｋＰａ・ｓ以上、より好ましくは、２５０ｋＰａ・ｓ以上であり、また、１０００ｋＰａ・ｓ以下である。

第２層３の溶融粘度Ｖ２が上記した下限を上回れば、封止用シート１によって電子素子５１を封止するときに、第２層３が第１層２の変形に柔軟に追従することができ、また、熱硬化後における第２層３の表面の荒れを抑制することができる。

第２層３の溶融粘度Ｖ２が上記した上限を下回れば、後のステップで付着されるマーク６（図５Ｃ参照）を確実に識別することができる。また、電子素子５１の直上において第２層３が過度に薄くなったり、あるいは、第２層３が消失することを防止することができる。

溶融粘度Ｖ２の測定方法は、実施例で詳述する。

第２層３を９０℃で測定したときの溶融粘度Ｖ２の、第１層２を９０℃で測定したときの溶融粘度Ｖ１に対する比（Ｖ２／Ｖ１）は、例えば、７以上、好ましくは、１０以上、より好ましくは、１５以上、さらに好ましくは、２０以上であり、また、例えば、５０以下、好ましくは、４０以下、より好ましくは、３０以下である。

Ｖ２／Ｖ１が上記した下限以上であれば、封止用シート１で電子素子５１を封止するときに、第２層３が過度に流動することを防止でき、かかる流動に起因する第２層３の上面が、マーク６の識別に影響を及ぼす凹凸を有することを有効に抑制することができる。

Ｖ２／Ｖ１が上記した上限以下であれば、第２層３の流動性を落としながらも封止性は維持しつつ低粘度による樹脂の端部のはみ出し（具体的には、第２層３の端部における第２組成物のはみ出し）を防ぐことができる。

第２層３の厚みＴ２は、例えば、５０μｍ以上、好ましくは、１００μｍ以上、より好ましくは、１５０μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、５００μｍ以下、より好ましくは、３００μｍ以下である。

第２層３の厚みＴ２の、第１層２の厚みＴ１に対する割合（Ｔ２／Ｔ１）は、例えば、２５以下、好ましくは、１５以下、より好ましくは、７．８未満であり、また、例えば、１以上、好ましくは、３以上である。

Ｔ２／Ｔ１が上記した上限を下回れば、封止用シート１の材料の電子素子５１および基板５０間への進入のより一層の抑制と、マーク６のより一層確実な認識とを両立することができる。

Ｔ２／Ｔ１が上記した下限を上回れば、第１層２の封止性は維持しつつ樹脂全体（第１の熱硬化性樹脂と、第１の熱可塑性樹脂と、第２の熱硬化性樹脂と、第２の熱可塑性樹脂との総量）に対する無機充填材の含有割合を高くできるため、高い信頼性を担保することができる。

この封止用シート１は、下記のステップＡ〜ステップＤを実施して測定される進入長さＺ１が、例えば、２μｍ以下であり、かつ、ステップＤに引き続き、下記のステップＥ〜ステップＦを実施して測定される進入長さＺ２から進入長さＺ１を差し引いた長さ（Ｚ２−Ｚ１）（進入増加長さ）が、例えば、２μｍ以下である。

ステップＡ：図４Ａに示すように、縦３ｍｍ、横３ｍｍ、厚み２００μｍのダミーチップ９１が、厚み５０μｍのバンプ９２を介してガラス基板９３に５０μｍの間隔を隔てて実装されたダミーチップ実装基板９０を準備する。具体的には、ダミーチップ実装基板９０のガラス基板９３を、平板プレス９７に備えられる下板９８に載置する。

ステップＢ：図４Ａに示すように、縦１０ｍｍ、横１０ｍｍの封止用シート１からなるサンプルシート９４を準備する。なお、サンプルシート９４における第１の熱硬化性樹脂および第２の熱硬化性樹脂は、好ましくは、Ｂステージである。

ステップＣ：図４Ｂに示すように、サンプルシート９４によって、ダミーチップ実装基板９０におけるダミーチップ９１を、第１層２がダミーチップ９１に接触するように、平板プレス９７により、温度６５℃、圧力０．１ＭＰａ、真空度１．６ｋＰａ、プレス時間１分で、封止する。具体的には、平板プレス９７に備えられ、下板９８の上側に対向配置される上板９９を、サンプルシート９４およびガラス基板９３に対して、熱プレスする。下板９８および上板９９には、熱源（図示せず）が設けられており、上記した温度で熱プレスするように、熱源が駆動する。ダミーチップ９１を封止したサンプルシート９４では、第１の熱硬化性樹脂および第２の熱硬化性樹脂は、好ましくは、Ｂステージである。

ステップＤ：ステップＣの後に、ダミーチップ９１の下端縁９５からダミーチップ９１とガラス基板９３との間にサンプルシート９４の材料が進入した進入長さＺ１を測定する。なお、進入長さＺ１は、下端縁９５から最も内側に進入する位置までの距離（例えば、進入する封止用シート１の材料は、ダミーチップ９１の下面との濡れやガラス基板９３の上面との濡れによって、ダミーチップ９１の下面との接触箇所、または、ガラス基板９３の上面との接触箇所が最大距離であり、Ｚ１は、かかる最大距離）である。また、下端縁９５とは、ダミーチップ９１の下面および側面により形成される稜線部分である。

ステップＥ：ステップＤの後に、サンプル９４を、１５０℃、１時間加熱により熱硬化させて、封止体９６を得る。封止体９６におけるサンプルシート９４では、第１の熱硬化性樹脂および第２の熱硬化性樹脂は、Ｃステージである。

なお、第１組成物および／または第２組成物に含まれる硬化促進剤が、「ＨＣ−１８８Ｗ」（２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール（２Ｐ４ＭＨＺ）がゲスト、ヒドロキシイソフタル酸（ＨＩＰＡ）がホストである包接化合物、日本触媒製）を用いることを考慮して、熱硬化のための加熱温度および加熱時間が、それぞれ、上記した１５０℃、および、１時間に設定される。

ステップＦ：図４Ｃに示すように、ステップＥの後に、封止体９６におけるダミーチップ９１の下端縁９５からダミーチップ９１とガラス基板９３との間にサンプルシート９４の材料が進入する進入長さＺ２を測定する。

進入長さＺ１は、好ましくは、３０μｍ以下、より好ましくは、２０μｍ以下であり、また、例えば、０μｍ以上である。なお、進入長さＺ１は、封止用シート１の電子素子５１に対する封止において、基板５０および電子素子５１内に進入する材料の下端縁９５からの侵入距離である。

また、進入増加長さ（Ｚ２−Ｚ１）は、好ましくは、２０μｍ以下、より好ましくは、１０μｍ以下であり、また、例えば、０μｍ以上である。

なお、進入増加長さ（Ｚ２−Ｚ１）は、電子素子５１をすでに封止した封止用シート１の材料の進入長さＺ１からの増加長さ（増加距離）である。

なお、進入長さＺ２は、例えば、３０μｍ以下、好ましくは、２０μｍ以下、より好ましくは、５μｍ以下であり、また、例えば、０μｍ以上である。

進入長さＺ１および進入増加長さ（Ｚ２−Ｚ１）を抑制することは、電子素子実装基板５５において電子素子５１と基板５０との間を中空を維持しつつ、電子素子５１を封止用シート１で封止して、中空型電子素子パッケージ７を得るための課題である。進入長さＺ１および進入増加長さ（Ｚ２−Ｚ１）を可及的に抑制することが要求される。

そして、進入長さＺ１および進入増加長さ（Ｚ２−Ｚ１）が上記した上限以下であれば、基板５０および電子素子５１の間を確実に中空とし、図５Ｂに示すように、例えば、電子素子５１が、ＳＡＷフィルタ５３を有するＳＡＷチップであれば、ＳＡＷチップのフィルタ機能を損なうことなく、ＳＡＷチップを封止することができる。

また、上記したステップＡ、Ｂ、Ｃ、Ｅ、さらには、下記のステップＧを順に実施される第２層３の算術粗さＲａは、例えば、０．０８μｍ以下、好ましくは、０．０５μｍ以下であり、また、例えば、０．００１μｍ以上、好ましくは、０．０１μｍ以上である。

ステップＧ：ステップＥの後に、封止シート８においてダミーチップ９１の上（厚み方向一方側の一例）に位置する第２層３の算術粗さＲａを測定する。

なお、ステップＧでは、封止シート８を得る。

第２層３の上面の算術粗さＲａが上記した上限以下であれば、第２層３の表面が荒れることに起因する光の乱反射を抑制でき、次に付与するマーク６を確実に読み取ることができる。

図１Ｂに示すように、封止用シート１を製造するには、第１層２および第２層３のそれぞれを準備する。

例えば、第１組成物を溶媒（例えば、メチルエチルケトン、トルエン、酢酸エチルなど）に溶解および／または分散させて、第１ワニスを調製し、これを、仮想線で示す第１剥離シート４に塗布し、乾燥させる。これによって、第１層２を、第１剥離シート４に支持された状態で、準備する。

第２組成物を溶媒に溶解および／または分散させて、第２ワニスを調製し、これを、仮想線で示す第２剥離シート５に塗布し、乾燥させる。これによって、第２層３を、第２剥離シート５に支持された状態で、準備する。

また、ワニスを調製せず、混練押出によって、第１層２および／または第２層３を準備することもできる。

第１層２における第１の熱硬化性樹脂、および、第２層３における第２の熱硬化性樹脂は、例えば、Ｂステージである。

その後、第１層２および第２層３を貼り合わせる。

次に、この封止用シート１を用いて、電子素子５１を封止して、中空型電子素子パッケージ７を製造する方法を、図５Ａ〜図５Ｃを参照して説明する。なお、電子素子５１、中空型電子素子パッケージ７およびその製造方法は、特開２０１６−１６２９０９号公報にも記載されている。

図５Ａに示すように、まず、電子素子５１を準備する。

電子素子５１は、面方向に延びる略平板形状を有する。電子素子５１としては、例えば、ＳＡＷチップなどが挙げられる。電子素子５１の下面には、ＳＡＷフィルタ５２および複数の端子５３が設けられている。ＳＡＷフィルタ５２は、櫛形電極であって、複数の端子５３の間に、配置されている。

電子素子５１は、基板５０の上面に複数実装されている。複数の電子素子５１は、例えば、基板５０に対してフリップチップ実装されている。複数の電子素子５１は、互いに間隔を隔てて、基板５０の上側に配置されている。複数の電子素子５１のそれぞれは、基板５０の上面に対して、バンプ５４の高さに対応する間隔を隔てて、位置している。

上記した間隔は、例えば、１０μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下である。電子素子５１の面方向における最大長さは、例えば、１０００μｍ以上であり、また、例えば、３０００μｍ以下である。電子素子５１の厚みは、例えば、５０μｍ以上であり、また、例えば、５００μｍ以下である。

電子素子５１を準備するには、電子素子５１と、電子素子５１を実装する基板５０とを備える電子素子実装基板５５を準備する。

基板５０は、例えば、プリント配線基板などである。基板５０は、面方向に延びる略平板形状を有する。基板５０は、平面視において、複数の電子素子５１を囲む大きさを有する。基板５０は、その上面に、バンプ９２に接続する端子（図示せず）を有する。

次いで、封止用シート１を準備する。

封止用シート１の大きさは、複数の電子素子５１をまとめて封止できる大きさに調整されており、つまり、厚み方向に投影したときに、複数の電子素子５１の全てを包含する大きさを有する。

図５Ｂに示すように、次いで、封止用シート１によって電子素子５１を封止する。

例えば、図５Ｂの仮想線で示す下板９８および上板９９を備える平板プレス９７を用いて、封止用シート１で電子素子５１を封止する。

電子素子実装基板５５を、下板９８に配置する。具体的には、基板５０の下面を、下板９８の上面に載置する。

続いて、封止用シート１を電子素子実装基板５５に配置する。具体的には、第１層２を複数の電子素子５１の上面に接触させる。一方、第２層３は、上側に面する。この際、第１剥離シート４が第１層２を支持していた場合には、第１剥離シート４を第１層２から剥離する。

次いで、上板９９を封止用シート１に向けて押し下げる。同時に、下板９８および上板９９に設けられる熱源（図示せず）によって、封止用シート１を加熱する。

加熱温度は、例えば、４０℃以上、好ましくは、６０℃以上であり、また、例えば、１００℃以下、好ましくは、９５℃以下である。圧力は、例えば、０．０５ＭＰａ以上、好ましくは、０．１ＭＰａ以上であり、また、例えば、１０ＭＰａ以下、好ましくは、５ＭＰａである。プレス時間は、例えば、０．３分以上、好ましくは、０．５分以上であり、また、例えば、１０分以下、好ましくは、５分以下である。

なお、熱プレスでは、平板プレス９７（図５Ｂの仮想線）の他に、ロールプレスなども用いられる。

封止用シート１を熱プレスすると、封止用シート１が軟化するとともに、複数の電子素子５１を埋設する。換言すれば、複数の電子素子５１が封止用シート１に埋め込まれる。

詳しくは、第１層２は、電子素子５１の上面および側面と、厚み方向に投影したときに、基板５０において電子素子５１と重ならない上面とを被覆する。

また、第１層２は、電子素子５１の下端縁９５と、その下に位置する基板５０の上面とに架設する。つまり、第１層２は、下端縁９５と基板５０との隙間を閉塞する。

一方、基板５０におけるおよび電子素子５１の間の間隔には、電子素子５１の下端縁９５から、それより内側における電子素子５１の下面および基板５０の上面の隙間（間隔）への進入が可及的に抑制される。これによって、電子素子５１と基板５０との間の中空が確保されながら、電子素子５１が封止される。

なお、熱プレス時に、温度や圧力が高すぎると、熱プレス中に反応が開始し（つまり、第１の熱硬化性樹脂および第２の熱硬化性樹脂の硬化が開始し）、進入長さがばらつく可能性がある。そのため、作業性の観点からも、熱プレスでは、低温（例えば、１００℃以下）などの条件が求められる。また、熱プレスの圧力も、電子素子５１への破損を防止する観点より、低圧が好ましい。

このようにして、第１層２は、電子素子５１の外形に対応して塑性変形する。

一方、第２層３は、その下面が、第１層２の変形に対応して変形する一方、第２層３の上面は、上板９９にプレスされているので、平坦形状を維持する。

電子素子５１を封止するシートは、もはや封止用シート１ではなく、封止シート８である。封止シート８は、平板形状ではなく、電子素子５１に対応し、下方に向かって開口する凹部を有する。

封止シート８において、第１の熱硬化性樹脂および第２の熱硬化性樹脂は、例えば、Ｂステージである。

その後、封止シート８を加熱により熱硬化させる。詳しくは、第１層２に含まれる第１の熱硬化性樹脂と、第２層３に含まれる第２の熱硬化性樹脂とを熱硬化（完全硬化、Ｃステージ化）させる。

なお、封止シート８の熱硬化の前に、第２剥離シート５が第２層３を支持していた場合には、第２剥離シート５を第２層３から剥離する。あるいは、封止シート８による電子素子５１の封止の前に、第２剥離シート５を第２層３から剥離することもできる。

加熱温度（キュア温度）は、例えば、１００℃以上、好ましくは、１２０℃以上であり、また、例えば、２００℃以下、好ましくは、１８０℃以下である。加熱時間は、例えば、１０分以上、好ましくは、３０分以上であり、また、例えば、１８０分以下、好ましくは、１２０分以下である。

封止シート８を熱硬化させるには、封止シート８、電子素子５１および基板５０を、平板プレス９７から取り出し、それらを、例えば、加熱炉などに投入する。なお、平板プレス９７から、封止シート８、電子素子５１および基板５０を取り出さず、平板プレス９７に設けられる熱源を用いて、封止シート８を熱硬化することもできる。

なお、封止シート８の熱硬化において、第１層２が第１の熱可塑性樹脂を含有し、第２層３が第２の熱可塑性樹脂を含有しているので、それらの軟化（流動）に基づく、封止シート８の材料の下端縁９５からのさらなる進入が、上記した進入増加長さ（Ｚ２−Ｚ１）の範囲内で、許容される。

図５Ｃに示すように、その後、複数の電子素子５１の上に位置する第２層３の上面に、マーク６を付与する（マーキングする）。例えば、レーザ照射によって、第２層３の上面に、マーキングする。レーザー照射では、照射された部分が、凹部となり、凹部とその周囲とに基づく陰影が読み取られ、マーク６が形成される。

マーク６の深さは、第２層３の算術粗さＲａに対して、例えば、２５０％以上、であり、また、例えば、５００％以下であり、具体的には、例えば、２０μｍ以上、であり、また、例えば、４０μｍ以下である。

マーク６は、次に説明する中空型電子素子パッケージ７に関する情報（製品情報、ロット番号など）を含む。

図５Ｃに示すように、その後、複数の電子素子５１間の封止シート８を、例えば、ダイシングにより切断して、電子素子５１および基板５０を個片化する。これにより、１つの封止シート８と、１つの電子素子５１と、１つの基板５０とを備える中空型電子素子パッケージ７を製造する。

その後、中空型電子素子パッケージ７を、別の基板に対して実装する。

この際、上記したマーク６を光学的に読み取り、それから得られた情報に基づいて、所望の中空型電子素子パッケージ７を選択して、これを所望の基板に実装する。

そして、図１Ａに示す封止用シート１（封止シート８を形成する前のシート）は、式（１）または（２）を満足する。

Ｔ１≦２Ｘ＋５ （但し、０＜Ｘ＜１０） （１）
Ｔ１≦３．５Ｘ−１０ （但し、１０≦Ｘ） （２）
そのため、封止用シート１の材料の電子素子５１および基板５０間への進入の抑制と、マーク６の確実な認識とを両立することができる。

また、ステップＡ、Ｂ、Ｃ、Ｅ、Ｇを順に実施して測定される第２層３の算術粗さＲａが、０．０８μｍ以下の算術粗さＲａを有すれば、その後付与するマーク６を確実に読み取ることができる。

また、この封止用シート１は、第２層３を９０℃で測定したときの溶融粘度Ｖ２の、第１層２を９０℃で測定したときの溶融粘度Ｖ１に対する割合（Ｖ２／Ｖ１）が、７０以上、５００以下であれば、封止用シート１の電子素子５１および基板５０間への進入のより一層の抑制と、マーク６のより一層確実な認識とを両立することができる。

また、封止用シート１では、第２層３の厚みＴ２の、第１層２の厚みＴ１に対する割合（Ｔ２／Ｔ１）が、７．８未満であれば、封止用シート１の電子素子５１および基板５０間への進入のより一層の抑制と、マーク６のより一層確実な認識とを両立することができる。

また、上記したステップＡ〜ステップＤを実施して測定される進入長さＺ１が、２μｍ以下であり、かつ、上記したステップＥ〜ステップＦを実施して測定される進入増加長さ（Ｚ２−Ｚ１）が２μｍ以下であれば、電子素子５１がＳＡＷチップのフィルタ機能を十分に発揮でき、封止用シート１によって電子素子５１を保護して、中空型電子素子パッケージ７の耐久性を向上させることができる。

さらに、封止用シート１の第２層３において、第２の熱可塑性樹脂が、アクリル樹脂を含有すれば、添加する量によって第２層３における第２組成物の流動性の指標となる粘度を微調整することがことができる。

以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されない。また、以下の記載において用いられる配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限（「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限（「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替することができる。

実施例および比較例で使用した各成分を以下に示す。
ＹＳＬＶ−８０ＸＹ：エポキシ樹脂（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂）、エポキン当量：２００ｇ／ｅｑ．、軟化点：８０℃、新日鐵化学社製
ＬＶＲ８２１０ＤＬ：フェノール樹脂（ノボラック型フェノール樹脂）、水酸基当量：１０４ｇ／ｅｑ．、軟化点：６０℃、群栄化学社製
ＭＥ−２００６Ｍ：アクリル樹脂（カルボキシル基含有のアクリル酸エステル系ポリマー２０％のメチルエチルケトン溶液、重量平均分子量：約８５万、根上工業社製
ＮＤＨＢ−１０：アクリル樹脂（カルボキシル基含有のアクリル酸エステル系ポリマー２０％のメチルエチルケトン溶液、重量平均分子量：約８５万、根上工業社製
ＦＢ−８ＳＭ：シリカ、平均粒子径：５μｍ、デンカ社製
ＳＣ−２２０Ｇ−ＳＭＪ：シリカ、平均粒子径：０．５μｍ、アドマテックス社製
＃２０：カーボンブラック、平均粒子径：５０ｎｍ、三菱化学社製
ＫＢＭ−４０３：エポキシシランカップリング剤、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、信越シリコーン社製
ＨＣ−１８８Ｗ：硬化促進剤、イミダゾール系包接化合物（２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール（２Ｐ４ＭＨＺ）がゲスト、ヒドロキシイソフタル酸（ＨＩＰＡ）がホストである包接化合物）、日本触媒社製

実施例１
表１に記載の配合処方に従い、各成分をメチルエチルケトンに溶解および分散させ、第１ワニスおよび第２ワニスを得た。第１ワニスの固形分濃度は、１８質量％であり、第２ワニスの固形分濃度は、８０質量％であった。

第１ワニスおよび第２ワニスのそれぞれを、第１剥離シート４および第２剥離シート５のそれぞれの表面に塗布した後、１１０℃で５分間乾燥させた。これにより、厚み６０μｍの第１層２、および、厚み２００μｍの第２層３のそれぞれを準備した。

その後、第１層２および第２層３を貼り合わせた。これによって、第１層２および第２層３を備える封止用シート１を作製した。

実施例２〜実施例１０および比較例１〜比較例１０
表１〜表６に記載の配合処方に従い、実施例１と同様にして、封止用シート１を作製した。

（評価）
以下の項目を評価した。その結果を表１〜表６に示す。

＜溶融粘度の測定＞
各実施例および各比較例において、製造途中の第１層２および第２層３のそれぞれの溶融粘度を、レオメーター（ＨＡＡＫＥ社製、ＭＡＲＳ ＩＩ）を用いて、パラレルプレート法により測定した。詳しくは、ギャップ１ｍｍ、パラレルプレート直径８ｍｍ、周波数１Ｈｚ、歪み０．０５％、昇温速度１０℃／分の条件にて、室温（約２０℃）から９０℃に昇温し、９０℃において最も低い値を溶融粘度として得た。

＜算術粗さＲａ、進入長さＺ、マークの識別＞
各実施例および各比較例の封止用シート１をサンプルシート９４とし、ステップＡ〜ステップＤを実施して、進入長さＺ１を求め、引き続き、ステップＥ〜ステップＦを実施して、進入長さＺ２を求めた。その後、進入増加長さ（Ｚ２−Ｚ１）を、Ｚ２およびＺ１から算出した
また、ステップＡ、Ｂ、Ｃ、Ｅ、Ｇを順に実施して、共焦点顕微鏡を用いて、第２層３の算術粗さＲａを得た。

さらに、ステップＥ後のダミーチップ９１の直上の第２層３に、レーザによるマーキングして、マーク６を付与した。その後、マーク６を、デジタルマイクロスコープ（キーエンス社製、ＶＨＸ−２０００）により光学的に識別した。そして、マーク６を識別できたものを、○と評価し、マーク６を識別できたものの、やや困難を伴うものを、△と評価し、マーク６を全く識別できなかったものを、×と評価した。

１ 封止シート
２ 第１層
３ 第２層
８ 封止シート
５０ 基板
５１ 電子素子
９０ ダミーチップ実装基板
９１ ダミーチップ
９２ バンプ
９３ ガラス基板
９４ サンプルシート
９５ 下端縁
９６ 封止体
Ｒａ 第２層の算術粗さ
Ｔ１ 第１層２の厚み
Ｖ１ 第１層の溶融粘度（９０℃）
Ｖ２ 第２層の溶融粘度（９０℃）
Ｚ１ ステップＤで得られる進入長さ
Ｚ２ ステップＦで得られる進入長さ
Ｚ２−Ｚ１ 進入増加長さ
Ｘ 第２の熱可塑性樹脂の百分率

Claims (6)

1. 基板とそれに電気的に接続される電子素子との間に間隔が隔てられ、前記間隔が中空となるように、前記電子素子を封止するための封止用シートであり、
   前記電子素子を封止するときに、前記電子素子に接触する第１層と、外側に露出する第２層とを厚み方向一方側に向かって順に備え、
   前記第１層は、第１の熱硬化性樹脂と、第１の熱可塑性樹脂とを含有し、
   前記第２層は、第２の熱硬化性樹脂と、第２の熱可塑性樹脂と、無機充填材とを含有し、
   前記第１層の厚みＴ１［μｍ］と、前記第２の熱可塑性樹脂の、前記第２の熱硬化性樹脂および前記第２の熱可塑性樹脂の総量に対する質量換算の百分率Ｘ［％］とが、下記式（１）または（２）を満足することを特徴とする、封止用シート。
   Ｔ１≦２Ｘ＋５ （但し、０＜Ｘ＜１０） （１）
   Ｔ１≦３．５Ｘ−１０ （但し、１０≦Ｘ） （２）
2. 下記のステップＡ、Ｂ、Ｃ、Ｅ、Ｇを順に実施して測定される前記第２層の算術粗さＲａが、０．０８μｍ以下であることを特徴とする、請求項１に記載の封止用シート。
   ステップＡ：縦３ｍｍ、横３ｍｍ、厚み２００μｍのダミーチップが、厚み５０μｍのバンプを介してガラス基板に５０μｍの間隔を隔てて実装されたダミーチップ実装基板を準備する。
   ステップＢ：縦１０ｍｍ、横１０ｍｍの前記封止用シートのサンプルシートを準備する。
   ステップＣ：前記サンプルシートによって、前記ダミーチップ実装基板における前記ダミーチップを、前記第１層が前記ダミーチップに接触するように、真空平板プレスにより、温度６５℃、圧力０．１ＭＰａ、真空度１．６ｋＰａ、プレス時間１分で、封止して、封止シートを得る。
   ステップＥ：前記ステップＣの後に、前記封止シートを、１５０℃、１時間加熱により熱硬化させて、封止体を得る。
   ステップＧ：前記ステップＥの後に、前記封止シートにおいて前記ダミーチップの厚み方向一方側に位置する前記第２層の算術粗さＲａを測定する。
3. 前記第２層を９０℃で測定したときの溶融粘度Ｖ２の、前記第１層を９０℃で測定したときの溶融粘度Ｖ１に対する割合（Ｖ２／Ｖ１）が、７以上、５０以下であることを特徴とする、請求項１または２に記載の封止用シート。
4. 前記第２層の厚みＴ２の、前記第１層の前記厚みＴ１に対する割合（Ｔ２／Ｔ１）が、７．８未満であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の封止用シート。
5. 下記のステップＡ〜ステップＤを実施して測定される進入長さＺ１が、２μｍ以下であり、かつ、
   前記ステップＤに引き続き、下記のステップＥ〜ステップＦを実施して測定される進入長さＺ２から前記進入長さＺ１を差し引いた長さ（Ｚ２−Ｚ１）が、２μｍ以下であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の封止用シート。
   ステップＡ：縦３ｍｍ、横３ｍｍ、厚み２００μｍのダミーチップが、厚み５０μｍのバンプを介してガラス基板に５０μｍの間隔を隔てて実装されたダミーチップ実装基板を準備する。
   ステップＢ：縦１０ｍｍ、横１０ｍｍの前記封止用シートのサンプルシートを準備する。
   ステップＣ：前記サンプルシートによって、前記ダミーチップ実装基板における前記ダミーチップを、前記第１層が前記ダミーチップに接触するように、真空平板プレスにより、温度６５℃、圧力０．１ＭＰａ、真空度１．６ｋＰａ、プレス時間１分で、封止する。
   ステップＤ：前記ステップＣの後に、前記ダミーチップの下端縁からダミーチップとガラス基板との間に、前記ダミーチップを封止する封止シートの材料が進入する進入長さＺ１を測定する。
   ステップＥ：前記ステップＤの後に、前記封止シートを、１５０℃、１時間加熱により熱硬化させて、封止体を得る。
   ステップＦ：前記ステップＥの後に、前記封止体における前記ダミーチップの下端縁からダミーチップとガラス基板との間に前記封止シートの材料が進入する進入長さＺ２を測定する。
6. 前記第２の熱可塑性樹脂は、アクリル樹脂を含有することを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の封止用シート。

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