KR20220032048A - 봉지용 수지 시트 - Google Patents

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KR20220032048A
KR20220032048A KR1020227000272A KR20227000272A KR20220032048A KR 20220032048 A KR20220032048 A KR 20220032048A KR 1020227000272 A KR1020227000272 A KR 1020227000272A KR 20227000272 A KR20227000272 A KR 20227000272A KR 20220032048 A KR20220032048 A KR 20220032048A
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유사쿠 시미즈
다카시 하부
다이키 하마나
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

봉지용 수지 시트(1)는, 전단 속도 0.01rad/초에 있어서의, 85℃의 점도(ν0.01)가, 8×105Pa·s 이상이며, 전단 속도 0.1rad/초에 있어서의, 85℃의 점도(ν0.1)가, 8×105Pa·s 미만이다.

Description

봉지용 수지 시트
본 발명은, 봉지용 수지 시트, 상세하게는, 소자를 봉지하기 위한 봉지용 수지 시트에 관한 것이다.
종래, 열경화성 수지를 포함하는 봉지용 시트를 이용하여, 기판에 실장된 반도체 소자나 전자 부품을, 프레스에 의해 봉지하고, 그 후, 열경화성 수지를 열경화시켜, 봉지용 시트로부터 경화체를 형성하는 것이 알려져 있다(예를 들어, 하기 특허문헌 1 참조.).
일본 특허공개 2016-162909호 공보
근년, 전자 기기의 고기능화에 수반하여, 그것에 구비되는 반도체 소자나 전자 부품에도 소형화가 요구되고 있다. 그에 수반하여, 반도체 소자나 전자 부품을 보호하는 수지(경화체)에 대해서도, 경화 시의 치수 정밀도의 향상이 요구되고 있다. 구체적으로는, 반도체 소자나 전자 부품의 측단연(側端緣)으로부터, 반도체 소자나 전자 부품, 및 기판 사이에 침입하는 경화체의 침입량을 보다 저감하고 싶은 요구가 있다.
본 발명은, 소자를 충분히 봉지할 수 있고, 또한, 반도체 소자나 전자 부품으로 대표되는 소자 및 기판 사이로의 경화체의 침입을 저감시킬 수 있는 봉지용 수지 시트를 제공한다.
본 발명［1］은, 전단 속도 0.01rad/초에 있어서의, 85℃의 점도(ν0.01)가, 8×105Pa·s 이상이며, 전단 속도 0.1rad/초에 있어서의, 85℃의 점도(ν0.1)가, 8×105Pa·s 미만인, 봉지용 수지 시트이다.
본 발명［2］는, 전단 속도 0.01rad/초에 있어서의, 85℃의 점도(ν0.01)와, 전단 속도 10rad/초에 있어서의, 85℃의 점도(ν10)가, 하기 식(1)을 만족하는, 상기 ［1］에 기재된 봉지용 수지 시트를 포함하고 있다.
ν0.01/ν10≥70 (1)
본 발명［3］은, 전단 속도 10rad/초에 있어서의, 85℃의 점도(ν10)가, 0.4×105Pa·s 이하인, 상기 ［1］ 또는 ［2］에 기재된 봉지용 수지 시트를 포함하고 있다.
본 발명의 봉지용 수지 시트에 있어서, 전단 속도 0.01rad/초에 있어서의, 85℃의 점도(ν0.01)가, 8×105Pa·s 이상이며, 전단 속도 0.1rad/초에 있어서의, 85℃의 점도(ν0.1)가, 8×105Pa·s 미만이다.
그 때문에, 소자를 충분히 봉지할 수 있고, 또한, 이 봉지용 수지 시트를 가열하여 경화체를 형성할 때에, 소자 및 기판 사이로의 경화체의 침입량을 저감시킬 수 있다.
[도 1] 도 1A∼도 1D는, 본 발명의 봉지용 수지 시트의 제 1 실시형태를 이용하여, 복수의 전자 소자를 봉지하여, 전자 소자 패키지를 제조하는 공정 단면도이며, 도 1A가, 봉지용 수지 시트를 준비하는 공정, 도 1B가, 전자 소자를 준비하는 공정, 도 1C가, 봉지용 수지 시트를 프레스하여 봉지체를 형성하는 공정, 도 1D가, 봉지체를 가열하여 경화체를 형성하는 공정이다.
[도 2] 도 2A∼도 2D는, 본 발명의 봉지용 수지 시트의 제 2 실시형태를 이용하여, 복수의 전자 소자를 봉지하여, 전자 소자 패키지를 제조하는 공정 단면도이며, 도 2A가, 봉지용 다층 수지 시트를 준비하는 공정, 도 2B가, 전자 소자를 준비하는 공정, 도 2C가, 봉지용 다층 수지 시트를 프레스하여 봉지체를 형성하는 공정, 도 2D가, 봉지체를 가열하여, 경화체를 형성하는 공정이다.
[도 3] 도 3A∼도 3D는, 실시예에 있어서의 경화체 침입 길이 Y를 측정하는 방법의 공정 단면도이며, 도 3A가, 봉지용 다층 수지 시트를 준비하는 공정(스텝 A), 도 3B가, 전자 소자(더미 소자)를 준비하는 공정(스텝 B), 도 3C가, 봉지용 다층 수지 시트를 프레스하여 봉지체를 형성하는 공정(스텝 C), 도 3D가, 봉지체를 가열하여, 경화체를 형성하는 공정(스텝 D)이다.
본 발명의 봉지용 수지 시트는, 후술하는 점탄성 측정에 있어서, 소정의 전단 속도에 있어서의, 85℃의 점도가, 소정의 값이다.
이하, 이와 같은 봉지용 수지 시트의 제 1 실시형태(1층의 봉지용 수지 시트)를 설명한다.
봉지용 수지 시트는, 소자를 봉지하기 위한 수지 시트로서, 두께 방향에 직교하는 면방향으로 연장되는 대략 판 형상(필름 형상)을 갖는다.
봉지용 수지 시트의 재료는, 예를 들어, 열경화성 수지 및 열가소성 수지를 함유한다.
열경화성 수지로서는, 예를 들어, 에폭시 수지, 실리콘 수지, 유레테인 수지, 폴리이미드 수지, 요소 수지, 멜라민 수지, 불포화 폴리에스터 수지 등을 들 수 있다.
열경화성 수지는, 단독 또는 2종 이상 병용할 수 있다.
열경화성 수지로서, 바람직하게는, 에폭시 수지를 들 수 있다. 한편, 에폭시 수지는, 주제, 경화제 및 경화 촉진제를 함유하는 에폭시 수지 조성물로서 조제된다.
주제로서는, 예를 들어, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 변성 비스페놀 A형 에폭시 수지, 변성 비스페놀 F형 에폭시 수지, 바이페닐형 에폭시 수지 등의 2작용 에폭시 수지, 예를 들어, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 트리스하이드록시페닐메테인형 에폭시 수지, 테트라페닐올에테인형 에폭시 수지, 다이사이클로펜타다이엔형 에폭시 수지 등의 3작용 이상의 다작용 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들 주제는, 단독으로 사용 또는 2종 이상을 병용할 수 있다. 주제로서 바람직하게는, 2작용 에폭시 수지, 보다 바람직하게는, 비스페놀 F형 에폭시 수지를 들 수 있다.
주제의 에폭시 당량의 하한은, 예를 들어, 10g/eq., 바람직하게는, 100g/eq.이다. 주제의 에폭시 당량의 상한은, 예를 들어, 300g/eq., 바람직하게는, 250g/eq.이다.
주제의 연화점의 하한은, 예를 들어, 50℃, 바람직하게는, 70℃, 보다 바람직하게는, 72℃, 더 바람직하게는, 75℃이다. 주제의 연화점의 상한은, 예를 들어, 130℃, 바람직하게는, 110℃, 보다 바람직하게는, 90℃이다.
주제의 연화점이 상기한 하한 이상이면, 도 1C에 나타내는 공정에 있어서, 봉지용 수지 시트(1)를 유동시킬 수 있다. 따라서, 도 1C에 나타내는 공정의 시간 단축, 및 도 2C에 나타내는 공정에 있어서의 봉지용 수지 시트(1)의 두께 방향 일방면을 평탄하게 할 수 있다.
재료에 있어서의 주제의 비율의 하한은, 예를 들어, 1질량%, 바람직하게는, 2질량%이다. 재료에 있어서의 주제의 비율의 상한은, 예를 들어, 30질량%, 바람직하게는, 15질량%이다. 에폭시 수지 조성물에 있어서의 주제의 비율의 하한은, 예를 들어, 30질량%, 바람직하게는, 50질량%이다. 에폭시 수지 조성물에 있어서의 주제의 비율의 상한은, 예를 들어, 80질량%, 바람직하게는, 70질량%이다.
경화제는, 가열에 의해, 상기한 주제를 경화시키는 잠재성 경화제이다. 경화제로서는, 예를 들어, 페놀 노볼락 수지 등의 페놀 수지를 들 수 있다. 경화제가 페놀 수지이면, 페놀 수지가 주제와 함께, 그들의 경화체가, 높은 내열성과 높은 내약품성을 갖는다. 따라서, 경화체는, 봉지 신뢰성이 우수하다.
경화제의 비율은, 하기의 당량비가 되도록 설정된다. 구체적으로는, 주제 중의 에폭시기 1당량에 대한, 페놀 수지 중의 수산기의 합계의 하한이, 예를 들어, 0.7당량, 바람직하게는, 0.9당량이다. 주제 중의 에폭시기 1당량에 대한, 페놀 수지 중의 수산기의 합계의 상한이, 예를 들어, 1.5당량, 바람직하게는, 1.2당량이다. 구체적으로는, 주제 100질량부에 대한 경화제의 함유 부수의 하한은, 예를 들어, 20질량부, 바람직하게는, 40질량부이다. 주제 100질량부에 대한 경화제의 함유 부수의 상한은, 예를 들어, 80질량부, 바람직하게는, 60질량부이다.
경화 촉진제는, 가열에 의해, 주제의 경화를 촉진하는 촉매(열경화 촉매)이다. 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 유기 인계 화합물, 예를 들어, 2-페닐-4,5-다이하이드록시메틸이미다졸(2PHZ-PW) 등의 이미다졸 화합물 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 이미다졸 화합물을 들 수 있다. 주제 100질량부에 대한 경화 촉진제의 함유 부수의 하한은, 예를 들어, 0.05질량부이다. 주제 100질량부에 대한 경화 촉진제의 함유 부수의 상한은, 예를 들어, 5질량부이다.
재료(봉지용 수지 시트)에 있어서의 열경화성 수지의 함유 비율의 하한은, 예를 들어, 5질량%, 바람직하게는, 10질량%, 보다 바람직하게는, 13질량%이다. 재료(봉지용 수지 시트)에 있어서의 열경화성 수지의 함유 비율의 상한은, 예를 들어, 30질량%, 바람직하게는, 25질량%, 보다 바람직하게는, 20질량%이다.
열가소성 수지로서는, 예를 들어, 천연 고무, 뷰틸 고무, 아이소프렌 고무, 클로로프렌 고무, 에틸렌-아세트산 바이닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 에틸렌-아크릴산 에스터 공중합체, 폴리뷰타다이엔 수지, 폴리카보네이트 수지, 열가소성 폴리이미드 수지, 폴리아마이드 수지(6-나일론이나 6,6-나일론 등), 페녹시 수지, 아크릴 수지, 포화 폴리에스터 수지(PET 등), 폴리아마이드이미드 수지, 불소 수지, 스타이렌-아이소뷰틸렌-스타이렌 블록 공중합체 등을 들 수 있다. 이들 열가소성 수지는, 단독 사용 또는 2종 이상 병용할 수 있다.
열가소성 수지로서, 바람직하게는, 열경화성 수지와의 분산성을 향상시키는 관점에서, 아크릴 수지를 들 수 있다.
아크릴 수지로서는, 예를 들어, 직쇄 또는 분기의 알킬기를 갖는 (메트)아크릴산 알킬 에스터와, 그 외의 모노머(공중합성 모노머)를 포함하는 모노머 성분을 중합하여 이루어지는 (메트)아크릴산 에스터 코폴리머(바람직하게는, 카복실기 함유 아크릴산 에스터 코폴리머) 등을 들 수 있다.
알킬기로서는, 예를 들어, 메틸, 에틸, 프로필, 아이소프로필, n-뷰틸, t-뷰틸, 아이소뷰틸, 펜틸, 헥실 등의 탄소수 1∼6의 알킬기 등을 들 수 있다.
그 외의 모노머로서는, 예를 들어, 아크릴산, 메타크릴산, 카복시에틸 아크릴레이트, 카복시펜틸 아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산 등의 카복실기 함유 모노머, 예를 들어, 글리시딜 아크릴레이트, 글리시딜 메타크릴레이트 등의 글리시딜기 함유 모노머, 예를 들어, 무수 말레산, 무수 이타콘산 등의 산 무수물 모노머, 예를 들어, (메트)아크릴산 2-하이드록시에틸, (메트)아크릴산 2-하이드록시프로필, (메트)아크릴산 4-하이드록시뷰틸, (메트)아크릴산 6-하이드록시헥실, (메트)아크릴산 8-하이드록시옥틸, (메트)아크릴산 10-하이드록시데실, (메트)아크릴산 12-하이드록시라우릴 또는 (4-하이드록시메틸사이클로헥실)-메틸 아크릴레이트 등의 하이드록실기 함유 모노머, 예를 들어, 스타이렌설폰산, 알릴설폰산, 2-(메트)아크릴아마이드-2-메틸프로페인설폰산, (메트)아크릴아마이드 프로페인설폰산, 설포프로필 (메트)아크릴레이트, (메트)아크릴로일옥시나프탈렌설폰산 등의 설폰산기 함유 모노머, 2-하이드록시에틸아크릴로일 포스페이트 등 인산기 함유 모노머, 예를 들어, 스타이렌 모노머, 예를 들어, 아크릴로나이트릴 등을 들 수 있다. 이들은 단독 사용 또는 2종 이상을 병용할 수 있다.
바람직하게는, 카복실기 함유 모노머, 하이드록실기 함유 모노머를 들 수 있고, 보다 바람직하게는, 카복실기 함유 모노머를 들 수 있다.
그 외의 모노머는 단독 사용 또는 2종 이상을 병용할 수 있다.
열가소성 수지로서, 보다 바람직하게는, 카복실기를 함유하는 아크릴 수지를 들 수 있고, 더 바람직하게는, 열가소성 수지는, 카복실기를 함유하는 아크릴 수지 로 이루어진다.
카복실기를 함유하는 아크릴 수지의 산가의 하한은, 예를 들어, 18, 바람직하게는, 25이다. 아크릴 수지의 산가의 상한은, 50, 바람직하게는, 40이다.
상기의 산가가, 상기 하한 이상이면, 봉지용 수지 시트를 가열하여 경화체를 형성할 때(후술하는 경화 공정)에, 봉지용 수지 시트의 유동성을 저감시킬 수 있고, 봉지용 수지 시트를 가열하여 경화체를 형성할 때(후술하는 경화 공정)에, 경화체의 침입량이 소정의 범위가 되는 소자나 기판을 얻을 수 있다.
또한, 상기의 산가가, 상기 상한 이하이면, 봉지용 수지 시트를 가열하여 경화체를 형성할 때(후술하는 경화 공정)에, 봉지용 수지 시트의 유동성을 적당히 저감시킬 수 있어, 경화체의 침입량이 소정의 범위가 되는 소자나 기판을 얻을 수 있다.
한편, 상기의 산가는, 종래 공지된 수산화 칼륨을 이용한 지시약 적정법을 이용하여 측정할 수 있다.
열가소성 수지의 유리 전이 온도 Tg의 하한은, 예를 들어, -70℃, 바람직하게는, -50℃, 보다 바람직하게는, -30℃이다. 열가소성 수지의 유리 전이 온도 Tg의 상한은, 예를 들어, 0℃, 바람직하게는, 5℃, 보다 바람직하게는, -5℃이다. 유리 전이 온도 Tg는, 예를 들어, Fox식에 의해 구해지는 이론치이며, 그 구체적인 산출 수법은, 예를 들어, 일본 특허공개 2016-175976호 공보 등에 기재된다.
열가소성 수지의 중량 평균 분자량의 하한은, 예를 들어, 100,000, 바람직하게는, 300,000, 보다 바람직하게는, 1,000,000, 더 바람직하게는, 1,100,000이다. 열가소성 수지의 중량 평균 분자량의 상한은, 예를 들어, 1,400,000이다. 한편, 중량 평균 분자량은, 겔 침투 크로마토그래피(GPC)에 의해, 표준 폴리스타이렌 환산치에 기초하여 측정된다.
재료(봉지용 수지 시트)에 있어서의 열가소성 수지의 비율의 하한은, 예를 들어, 1질량%, 바람직하게는, 5질량%, 보다 바람직하게는, 15질량%이다. 재료에 있어서의 열가소성 수지의 비율의 상한은, 예를 들어, 30질량%이다.
또한, 열가소성 수지 및 열경화성 수지의 총량에 대한, 열가소성 수지의 비율의 하한은, 예를 들어, 10질량%, 바람직하게는, 20질량%이다. 열가소성 수지 및 열경화성 수지의 총량에 대한, 열가소성 수지의 비율의 상한은, 예를 들어, 40질량%, 바람직하게는, 30질량%이다.
재료에는, 추가로 층상 규산염 화합물, 무기 필러(층상 규산염 화합물을 제외한다), 안료, 실레인 커플링제, 그 외의 첨가제를 첨가할 수 있다.
층상 규산염 화합물은, 재료(봉지용 수지 시트)에 있어서, 열경화성 수지 및 열가소성 수지(수지 매트릭스)에 대해서 분산된다. 또한, 층상 규산염 화합물은, 봉지용 수지 시트로부터 봉지체 및 경화체(후술)를 형성할 때의 유동 조정제이다. 구체적으로는, 봉지용 수지 시트를 가열하여 경화체를 형성할 때에, 경화체의 유동성을 저감시키는, 경화 시 유동 저감제이다.
층상 규산염 화합물은, 예를 들어, 이차원(면방향으로)으로 퍼진 층이, 두께 방향으로 겹겹이 쌓인 구조(삼차원 구조)를 갖는 규산염이며, 필로규산염이라고 호칭된다.
구체적으로는, 층상 규산염 화합물로서는, 예를 들어, 몬모릴로나이트, 바이델라이트, 논트로나이트, 사포나이트, 헥토라이트, 소코나이트, 스티븐사이트 등의 스멕타이트, 예를 들어, 카올리나이트, 예를 들어, 할로이사이트, 예를 들어, 탤크, 예를 들어, 마이카 등을 들 수 있다. 층상 규산염 화합물로서, 바람직하게는, 열경화성 수지와의 혼합성을 향상시키는 관점에서 스멕타이트를 들 수 있고, 보다 바람직하게는, 몬모릴로나이트를 들 수 있다.
층상 규산염 화합물은, 표면이 변성되어 있지 않은 미변성물이어도 되고, 또한, 표면이 유기 성분에 의해 변성된 변성물이어도 된다. 바람직하게는, 열경화성 수지 및 열가소성 수지와의 우수한 친화성을 얻는 관점에서, 층상 규산염 화합물은, 표면이 유기 성분에 의해 변성되어 있다. 구체적으로는, 층상 규산염 화합물로서, 표면이 유기 성분으로 변성된 유기화 스멕타이트, 더 바람직하게는, 표면이 유기 성분으로 변성된 유기화 벤토나이트를 들 수 있다.
유기 성분으로서, 암모늄, 이미다졸륨, 피리디늄, 포스포늄 등의 유기 양이온(오늄 이온)을 들 수 있다.
암모늄으로서는, 예를 들어, 다이메틸다이스테아릴암모늄, 다이스테아릴암모늄, 옥타데실암모늄, 헥실암모늄, 옥틸암모늄, 2-헥실암모늄, 도데실암모늄, 트라이옥틸암모늄 등을 들 수 있다. 이미다졸륨으로서는, 예를 들어, 메틸스테아릴이미다졸륨, 다이스테아릴이미다졸륨, 메틸헥실이미다졸륨, 다이헥실이미다졸륨, 메틸옥틸이미다졸륨, 다이옥틸이미다졸륨, 메틸도데실이미다졸륨, 다이도데실이미다졸륨 등을 들 수 있다. 피리디늄으로서는, 예를 들어, 스테아릴피리디늄, 헥실피리디늄, 옥틸피리디늄, 도데실피리디늄 등을 들 수 있다. 포스포늄으로서는, 예를 들어, 다이메틸다이스테아릴포스포늄, 다이스테아릴포스포늄, 옥타데실포스포늄, 헥실포스포늄, 옥틸포스포늄, 2-헥실포스포늄, 도데실포스포늄, 트라이옥틸포스포늄 등을 들 수 있다. 유기 양이온은, 단독 사용 또는 2종 이상 병용할 수 있다. 바람직하게는, 암모늄, 보다 바람직하게는, 다이메틸다이스테아릴암모늄을 들 수 있다.
유기화 층상 규산염 화합물로서, 바람직하게는, 표면이 암모늄으로 변성된 유기화 스멕타이트, 보다 바람직하게는, 표면이 다이메틸다이스테아릴암모늄으로 변성된 유기화 벤토나이트를 들 수 있다.
층상 규산염 화합물의 평균 입자경의 하한은, 예를 들어, 1nm, 바람직하게는, 5nm, 보다 바람직하게는, 10nm이다. 층상 규산염 화합물의 평균 입자경의 상한은, 예를 들어, 100μm, 바람직하게는, 50μm, 보다 바람직하게는, 10μm이다. 한편, 층상 규산염 화합물의 평균 입자경은, 예를 들어, 레이저 산란법에 있어서의 입도 분포 측정법에 의해 구해진 입도 분포에 기초하여, D50치(누적 50% 메디안 직경)로서 구해진다.
층상 규산염 화합물로서는, 시판품을 이용할 수 있다. 예를 들어, 유기화 벤토나이트의 시판품으로서, 에스벤 시리즈(호준사제) 등이 이용된다.
재료(봉지용 수지 시트)에 있어서의 층상 규산염 화합물의 함유 비율의 하한은, 예를 들어, 0.1질량%, 바람직하게는, 1질량%, 보다 바람직하게는, 2질량%, 더 바람직하게는, 3질량%이다. 재료(봉지용 수지 시트)에 있어서의 층상 규산염 화합물의 함유 비율의 상한은, 예를 들어, 25질량%, 바람직하게는, 15질량%, 보다 바람직하게는, 10질량%, 더 바람직하게는, 7질량%이다.
무기 필러로서는, 예를 들어, 오쏘규산염, 소로규산염, 이노규산염 등의 층상 규산염 화합물 이외의 규산염 화합물, 예를 들어, 석영(규산), 실리카(무수 규산), 질화 규소 등의 규소 화합물(층상 규산염 화합물 이외의 규소 화합물) 등을 들 수 있다. 또한, 무기 필러로서, 예를 들어, 알루미나, 질화 알루미늄, 질화 붕소 등도 들 수 있다. 이들은, 단독 사용 또는 2종 이상 병용할 수 있다. 바람직하게는, 층상 규산염 화합물 이외의 규소 화합물, 보다 바람직하게는, 실리카를 들 수 있다.
무기 필러의 형상은, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 대략 구(球) 형상, 대략 판 형상, 대략 침 형상, 부정 형상 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 대략 구 형상을 들 수 있다.
무기 필러의 최대 길이의 평균치(대략 구 형상이면, 평균 입자경과 동의.)의 상한은, 예를 들어, 50μm, 바람직하게는, 20μm, 보다 바람직하게는, 10μm이다. 무기 필러의 최대 길이의 평균치의 하한은, 또한, 예를 들어, 0.1μm, 바람직하게는, 0.5μm이다. 한편, 무기 필러의 평균 입자경은, 예를 들어, 레이저 산란법에 있어서의 입도 분포 측정법에 의해 구해진 입도 분포에 기초하여, D50치(누적 50% 메디안 직경)로서 구해진다.
또한, 무기 필러는, 제 1 필러와, 제 1 필러의 최대 길이의 평균치보다 작은 최대 길이의 평균치를 갖는 제 2 필러와, 제 2 필러의 최대 길이의 평균치보다 작은 최대 길이의 평균치를 갖는 제 3 필러를 포함할 수 있다.
제 1 필러의 최대 길이의 평균치의 하한은, 예를 들어, 1μm, 바람직하게는, 3μm이다. 제 1 필러의 최대 길이의 평균치의 상한은, 예를 들어, 50μm, 바람직하게는, 30μm이다.
제 2 필러의 최대 길이의 평균치의 상한은, 예를 들어, 0.9μm, 바람직하게는, 0.8μm이다. 제 2 필러의 최대 길이의 평균치의 하한은, 예를 들어, 0.02μm, 바람직하게는, 0.1μm이다.
제 3 필러의 최대 길이의 평균치의 상한은, 예를 들어, 0.015μm이다. 제 2 필러의 최대 길이의 평균치의 하한은, 예를 들어, 0.001μm, 바람직하게는, 0.01μm이다.
제 1 필러의 최대 길이의 평균치의, 제 2 필러의 최대 길이의 평균치에 대한 비의 하한은, 예를 들어, 2, 바람직하게는, 5이다. 제 1 필러의 최대 길이의 평균치의, 제 2 필러의 최대 길이의 평균치에 대한 비의 상한은, 예를 들어, 50, 바람직하게는, 20이다.
제 2 필러의 최대 길이의 평균치의, 제 3 필러의 최대 길이의 평균치에 대한 비의 하한은, 예를 들어, 10, 바람직하게는, 20이다. 제 2 필러의 최대 길이의 평균치의, 제 3 필러의 최대 길이의 평균치에 대한 비의 상한은, 예를 들어, 60, 바람직하게는, 50이다.
제 1 필러, 제 2 필러 및 제 3 필러의 재료는, 함께 동일 혹은 상이해도 된다.
더욱이, 무기 필러는, 그 표면이, 부분적 혹은 전체적으로, 실레인 커플링제 등으로 표면 처리되어 있어도 된다.
재료(봉지용 수지 시트)에 있어서의 무기 필러의 함유 비율의 하한은, 예를 들어, 30질량%, 바람직하게는, 40질량%이다. 재료(봉지용 수지 시트)에 있어서의 무기 필러의 함유 비율의 상한은, 예를 들어, 70질량%, 바람직하게는, 60질량%이다.
무기 필러의 함유 비율 및/또는 함유 부수가 상기한 하한 이상이면, 도 1C에 나타내는 공정에 있어서의 봉지용 수지 시트(1)를 유동시킬 수 있다.
무기 필러가 제 1 필러와 제 2 필러를 포함하는 경우(제 3 필러를 포함하지 않는 경우)에는, 재료(봉지용 수지 시트)에 있어서의 제 1 필러의 함유 비율의 하한은, 예를 들어, 20질량%, 바람직하게는, 30질량%이다. 재료(봉지용 수지 시트)에 있어서의 제 1 필러의 함유 비율의 상한은, 예를 들어, 60질량%, 바람직하게는, 50질량%이다. 재료(봉지용 수지 시트)에 있어서의 제 2 필러의 함유 비율의 하한은, 예를 들어, 10질량%, 바람직하게는, 15질량%이다. 재료(봉지용 수지 시트)에 있어서의 제 2 필러의 함유 비율의 상한은, 예를 들어, 30질량%, 바람직하게는, 25질량%이다. 제 1 필러 100질량부에 대한 제 2 필러의 함유 부수의 하한은, 예를 들어, 30질량부, 바람직하게는, 40질량부, 보다 바람직하게는, 50질량부이다. 제 1 필러 100질량부에 대한 제 2 필러의 함유 부수의 상한은, 예를 들어, 70질량부, 바람직하게는, 60질량부, 보다 바람직하게는, 55질량부이다.
무기 필러가 제 1 필러와 제 2 필러와 제 3 필러를 포함하는 경우에는, 재료(봉지용 수지 시트)에 있어서의 제 1 필러의 함유 비율의 하한은, 예를 들어, 20질량%, 바람직하게는, 30질량%이다. 재료(봉지용 수지 시트)에 있어서의 제 1 필러의 함유 비율의 상한은, 예를 들어, 60질량%, 바람직하게는, 50질량%이다. 재료(봉지용 수지 시트)에 있어서의 제 2 필러의 함유 비율의 하한은, 예를 들어, 10질량%, 바람직하게는, 15질량%이다. 재료(봉지용 수지 시트)에 있어서의 제 2 필러의 함유 비율의 상한은, 예를 들어, 30질량%, 바람직하게는, 25질량%이다. 재료(봉지용 수지 시트)에 있어서의 제 3 필러의 함유 비율의 하한은, 예를 들어, 1질량%, 바람직하게는, 3질량%이다. 재료(봉지용 수지 시트)에 있어서의 제 3 필러의 함유 비율의 상한은, 예를 들어, 10질량%, 바람직하게는, 5질량%이다. 제 1 필러 100질량부에 대한 제 2 필러의 함유 부수의 하한은, 예를 들어, 30질량부, 바람직하게는, 40질량부, 보다 바람직하게는, 50질량부이다. 제 1 필러 100질량부에 대한 제 2 필러의 함유 부수의 상한은, 예를 들어, 70질량부, 바람직하게는, 60질량부, 보다 바람직하게는, 55질량부이다. 제 2 필러 100질량부에 대한 제 3 필러의 함유 부수의 하한은, 예를 들어, 10질량부, 바람직하게는, 15질량부이다. 제 2 필러 100질량부에 대한 제 3 필러의 함유 부수의 상한은, 예를 들어, 40질량부, 바람직하게는, 30질량부이다.
안료로서는, 예를 들어, 카본 블랙 등의 흑색 안료를 들 수 있다. 안료의 입자경의 하한은, 예를 들어, 0.001μm이다. 안료의 입자경의 상한은, 예를 들어, 1μm이다. 안료의 입자경은, 안료를 전자 현미경으로 관찰하여 구한 산술 평균 직경이다. 재료에 대한 안료의 비율의 하한은, 예를 들어, 0.1질량%이다. 재료에 대한 안료의 비율의 상한은, 예를 들어, 2질량%이다.
실레인 커플링제로서는, 예를 들어, 에폭시기를 함유하는 실레인 커플링제를 들 수 있다. 에폭시기를 함유하는 실레인 커플링제로서는, 예를 들어, 3-글리시독시프로필메틸다이메톡시실레인, 3-글리시독시프로필메틸다이에톡시실레인 등의 3-글리시독시다이알킬다이알콕시실레인, 예를 들어, 3-글리시독시프로필트라이메톡시실레인, 3-글리시독시프로필트라이에톡시실레인 등의 3-글리시독시알킬트라이알콕시실레인을 들 수 있다. 바람직하게는, 3-글리시독시알킬트라이알콕시실레인을 들 수 있다. 재료에 있어서의 실레인 커플링제의 함유 비율의 하한은, 예를 들어, 0.1질량%, 바람직하게는, 0.5질량%이다. 재료에 있어서의 실레인 커플링제의 함유 비율의 상한은, 예를 들어, 10질량%, 바람직하게는, 5질량%, 보다 바람직하게는, 2질량%이다.
이 봉지용 수지 시트를 얻으려면, 상기한 각 성분을 상기한 비율로 배합하여, 재료를 조제한다. 또한, 재료에, 층상 규산염 화합물을 배합하는 경우에는, 바람직하게는, 상기한 성분을 충분히 교반하여, 층상 규산염 화합물을 열경화성 수지 및 열가소성 수지에 대해서 균일하게 분산시킨다.
또한, 필요에 따라, 용매(메틸 에틸 케톤 등의 케톤계 등)를 추가로 배합하여, 바니시를 조제한다. 그 후, 바니시를, 도시하지 않는 박리 시트에 도포하고, 그 후, 가열에 의해 건조시켜, 시트 형상을 갖는 봉지용 수지 시트를 제조한다. 한편, 바니시를 조제하지 않고, 혼련 압출에 의해, 재료로부터 봉지용 수지 시트를 형성할 수도 있다.
한편, 형성되는 봉지용 수지 시트는, B 스테이지(반경화 상태)이며, 구체적으로는, C 스테이지 전의 상태이다. 즉, 완전 경화 전의 상태이다. 봉지용 수지 시트는, 상기한 건조에 있어서의 가열이나, 압출 혼련에 있어서의 가열에 의해, A 스테이지의 재료로부터, B 스테이지 시트로 형성된다.
봉지용 수지 시트의 두께의 하한은, 예를 들어, 10μm, 바람직하게는, 25μm, 보다 바람직하게는, 50μm이다. 봉지용 수지 시트의 두께의 상한은, 예를 들어, 3000μm, 바람직하게는, 1000μm, 보다 바람직하게는, 500μm, 더 바람직하게는, 300μm이다.
그 다음에, 봉지용 수지 시트에 의해, 소자의 일례로서의 전자 소자를 봉지하여, 전자 소자 패키지(51)를 제조하는 방법을, 도 1A∼도 1D를 참조하여 설명한다.
이 방법에서는, 도 1A에 나타내는 바와 같이, 우선, 봉지용 수지 시트(1)를 준비한다(준비 공정). 봉지용 수지 시트(1)는, 두께 방향으로 서로 대향하는 두께 방향 일방면 및 타방면을 갖는다.
별도로, 도 1B에 나타내는 바와 같이, 전자 소자(21)를 준비한다.
전자 소자(21)는, 전자 부품을 포함하고 있고, 예를 들어, 기판(22)에 복수 실장되어 있다. 복수의 전자 소자(21)와, 기판(22)은, 소자 실장 기판(24)에, 범프(23)와 함께, 구비된다. 즉, 이 소자 실장 기판(24)은, 복수의 전자 소자(21)와, 기판(22)과, 범프(23)를 구비한다.
기판(22)은, 면방향으로 연장되는 대략 평판 형상을 갖는다. 기판(22)의 두께 방향 일방면(25)에는, 전자 소자(21)의 전극(도시하지 않음)과 전기적으로 접속되는 단자(도시하지 않음)가 마련되어 있다.
복수의 전자 소자(21)의 각각은, 면방향으로 연장되는 대략 평판 형상(칩 형상)을 갖는다. 복수의 전자 소자(21)는, 서로 면방향으로 간격을 띄워 배치되어 있다. 복수의 전자 소자(21)의 두께 방향 타방면(28)은, 기판(22)의 두께 방향 일방면(25)에 평행하다. 복수의 전자 소자(21)의 각각의 두께 방향 타방면(28)에는, 전극(도시하지 않음)이 마련되어 있다. 전자 소자(21)의 전극은, 다음에 설명하는 범프(23)를 개재시켜, 기판(22)의 단자와 전기적으로 접속되어 있다. 한편, 전자 소자(21)의 두께 방향 타방면(28)은, 기판(22)의 두께 방향 일방면(25)과의 사이의 간극(공간)(26)이 띄워진다.
인접하는 전자 소자(21)의 간격의 하한은, 예를 들어, 50μm, 바람직하게는, 100μm, 보다 바람직하게는, 200μm이다. 인접하는 전자 소자(21)의 간격의 상한은, 예를 들어, 10mm, 바람직하게는, 5mm, 보다 바람직하게는, 1mm이다. 인접하는 전자 소자(21)의 간격이 상기 상한 이하이면, 기판(22)에 보다 많은 전자 소자(21)를 실장할 수 있어, 공간절약화할 수 있다.
범프(23)는, 복수의 전자 소자(21)의 각각의 전극(도시하지 않음)과, 기판(22)의 각각의 단자를 전기적으로 접속한다. 범프(23)는, 전자 소자(21)의 전극과, 기판(22)의 단자의 사이에 배치된다. 범프(23)의 재료로서는, 예를 들어, 땜납, 금 등의 금속 등을 들 수 있다. 범프(23)의 두께는, 간극(26)의 두께(높이)에 상당한다. 범프(23)의 두께는, 소자 실장 기판(24)의 용도 및 목적에 따라 적절히 설정된다.
그 다음에, 도 1B에 나타내는 바와 같이, 봉지용 수지 시트(1)를, 복수의 전자 소자(21)에 배치한다(배치 공정). 구체적으로는, 봉지용 수지 시트(1)의 두께 방향 타방면을, 복수의 전자 소자(21)의 두께 방향 일방면에 접촉시킨다.
그 다음에, 도 1C에 나타내는 바와 같이, 봉지용 수지 시트(1) 및 소자 실장 기판(24)을, 프레스한다(봉지 공정). 바람직하게는, 봉지용 수지 시트(1) 및 소자 실장 기판(24)을, 열프레스한다.
예를 들어, 2개의 평판을 구비하는 프레스(27)에 의해, 봉지용 수지 시트(1) 및 소자 실장 기판(24)을 두께 방향으로 끼우면서, 그들을 프레스한다. 한편, 프레스(27)의 평판에는, 예를 들어, 도시하지 않는 열원이 구비된다.
프레스 조건(압력, 시간, 추가로, 온도 등)은, 특별히 한정되지 않고, 복수의 전자 소자(21) 사이에 봉지용 수지 시트(1)를 침입시킬 수 있는 한편, 소자 실장 기판(24)이 손상되지 않는 조건이 선택된다. 보다 구체적으로는, 프레스 조건은, 봉지용 수지 시트(1)가 유동하여, 인접하는 전자 소자(21) 사이에 침입하여, 복수의 전자 소자(21)의 각각의 주측면(周側面)을 피복하면서, 전자 소자(21)와 평면시로 중복하지 않는 기판(22)의 두께 방향 일방면(25)에 접촉할 수 있도록, 설정된다.
구체적으로는, 프레스압의 하한은, 예를 들어, 0.01MPa, 바람직하게는, 0.05MPa이다. 프레스압의 상한은, 예를 들어, 10MPa, 바람직하게는, 5MPa이다. 프레스 시간의 하한은, 예를 들어, 0.3분, 바람직하게는, 0.5분이다. 프레스 시간의 상한은, 예를 들어, 10분, 바람직하게는, 5분이다.
구체적으로는, 가열 온도의 하한은, 예를 들어, 40℃, 바람직하게는, 60℃이다. 가열 온도의 상한은, 예를 들어, 100℃, 바람직하게는, 95℃이다.
봉지용 수지 시트(1)의 프레스에 의해, 봉지용 수지 시트(1)는, 전자 소자(21)의 외형에 대응하여 소성 변형된다. 봉지용 수지 시트(1)의 두께 방향 타방면은, 복수의 전자 소자(21)의 두께 방향 일방면 및 주측면에 대응하는 형상으로 변형된다.
한편, 봉지용 수지 시트(1)는, B 스테이지를 유지하면서, 소성 변형된다.
이것에 의해, 봉지용 수지 시트(1)는, 복수의 전자 소자(21)의 각각의 주측면을 피복하면서, 평면시에 있어서, 전자 소자(21)와 중복하지 않는 기판(22)의 두께 방향 일방면(25)에 접촉한다.
이것에 의해, 전자 소자(21)를 봉지하는 봉지체(31)가, 봉지용 수지 시트(1)로부터 형성(제작)된다. 봉지체(31)의 두께 방향 일방면은, 평탄면이 된다.
이 때, 봉지체(31)는, 간극(전자 소자(21) 및 기판(22) 사이의 간극)(26)에 약간 침입하는 것이 허용된다. 구체적으로는, 봉지체(31)는, 전자 소자(21)의 측단연(75)을 기준으로 하여, 봉지체(31)가 간극(26)에 침입하는 봉지체 침입 길이 X(도 3C 참조)를 갖는 것이 허용된다.
구체적으로는, 봉지체 침입 길이 X의 상한은, 예를 들어, 20μm, 바람직하게는, 10μm, 보다 바람직하게는, 5μm, 더 바람직하게는, 3μm, 특히 바람직하게는, 1μm이다.
그 후, 도 1D에 나타내는 바와 같이, 봉지체(31)를 가열하여, 봉지체(31)로부터 경화체(41)를 형성한다(경화 공정).
구체적으로는, 봉지체(31) 및 소자 실장 기판(24)를 프레스(27)로부터 꺼내고, 계속해서, 봉지체(31) 및 소자 실장 기판(24)을 건조기에서, 대기압하에서, 가열한다.
가열 온도(큐어 온도)의 하한은, 예를 들어, 100℃, 바람직하게는, 120℃이다. 가열 온도(큐어 온도)의 상한은, 예를 들어, 200℃, 바람직하게는, 180℃이다. 가열 시간의 하한은, 예를 들어, 10분, 바람직하게는, 30분이다. 가열 시간의 상한은, 예를 들어, 180분, 바람직하게는, 120분이다.
상기한 봉지체(31)의 가열에 의해, 봉지체(31)로부터, C 스테이지화(완전 경화)된 경화체(41)가 형성된다. 경화체(41)의 두께 방향 일방면은, 노출면이다.
한편, 간극으로의 약간의 침입이 허용된 봉지체(31)의 단연이, 간극(26)의 내부에 추가로 약간 침입하여, 경화체(41)가 되는 것이 허용되지만, 그 정도는, 가급적 작게 억제된다. 구체적으로는, 경화체(41)는, 전자 소자(21)의 측단연(75)을 기준으로 하여, 경화체(41)가 간극(26)에 침입하는 경화체 침입 길이 Y(도 3D 참조)로부터, 봉지체 침입 길이 X를 뺀 값(Y-X)(이하, 봉지체 침입량(Y-X)으로 한다.)을 작게 할 수 있다.
구체적으로는, 경화체 침입 길이 Y의 상한은, 예를 들어, 45μm, 바람직하게는, 25μm, 보다 바람직하게는, 20μm, 더 바람직하게는, 10μm, 특히 바람직하게는, 5μm, 가장 바람직하게는, 1μm이다. 경화체 침입 길이 Y의 하한은, 예를 들어, -25μm, 바람직하게는, -10μm, 보다 바람직하게는, -5μm이다.
또한, 봉지체 침입량(Y-X)의 상한은, 예를 들어, 30μm, 바람직하게는, 15μm, 보다 바람직하게는, 10μm, 더 바람직하게는, 5μm, 특히 바람직하게는, 3μm, 가장 바람직하게는, 1μm이다.
그리고, 이 봉지용 수지 시트(1)는, 후술하는 실시예에서 상술하는 점탄성 측정에 있어서, 소정의 전단 속도에 있어서의, 85℃의 점도가, 소정의 값이다.
구체적으로는, 전단 속도 0.01rad/초에 있어서의, 85℃의 점도(ν0.01)의 하한은, 8×105Pa·s, 바람직하게는, 10×105Pa·s이다. 전단 속도 0.01rad/초에 있어서의, 85℃의 점도(ν0.01)의 상한은, 예를 들어, 25×105Pa·s, 바람직하게는, 18×105Pa·s이다.
또한, 전단 속도 0.1rad/초에 있어서의, 85℃의 점도(ν0.1)의 상한은, 8×105Pa·s 미만, 바람직하게는, 5×105Pa·s 미만이다. 전단 속도 0.1rad/초에 있어서의, 85℃의 점도(ν0.1)의 하한은, 예를 들어, 1×105Pa·s이다.
전단 속도 0.01rad/초에 있어서의, 85℃의 점도(ν0.01)가, 상기 하한 이상이며, 또한, 전단 속도 0.1rad/초에 있어서의, 85℃의 점도(ν0.1)가, 상기 상한 미만이면, 이 봉지용 수지 시트(1)를 전자 소자(21)에 배치하고, 봉지용 수지 시트(1)(봉지체(31))를 가열하여, 도 1D에 나타내는 바와 같이, 경화체(41)를 형성할 경우에, 전자 소자(21) 및 기판(22) 사이의 간극(26)로의 경화체(41)의 침입량을 저감시킬 수 있다.
상세하게는, 봉지용 수지 시트(1)는, 전단력(전단 속도)이 낮은 경우에는 고점도(구체적으로는, 전단 속도 0.01rad/초에 있어서의, 85℃의 점도(ν0.01)가, 상기 하한 이상)를 나타내고, 전단력(전단 속도)이 높은 경우에는 저점도(구체적으로는, 전단 속도 0.1rad/초에 있어서의, 85℃의 점도(ν0.1)가, 상기 상한 미만)를 나타내는 틱소트로픽성을 갖는다.
이와 같은 틱소트로픽성에 의하면, 봉지 공정(전단력(전단 속도)이 높은 경우)에서는, 봉지용 수지 시트(1)의 점도를 낮게 할 수 있기 때문에, 복수의 전자 소자(21) 사이에 봉지용 수지 시트(1)를 침입시킬 수 있는 한편, 경화 공정(전단력(전단 속도)이 낮은 경우)에서는, 봉지용 수지 시트(1)의 점도를 높게 할 수 있기 때문에, 전자 소자(21) 및 기판(22) 사이의 간극(26)으로의 경화체(41)의 침입량을 저감시킬 수 있다.
한편, 전단 속도 0.01rad/초에 있어서의, 85℃의 점도(ν0.01)가, 상기 하한 미만이면, 봉지용 수지 시트를 가열하여 경화체를 형성할 때(경화 공정)에, 봉지용 수지 시트(1)의 유동성을 저감시킬 수 없다. 그 결과, 봉지용 수지 시트를 가열하여 경화체를 형성할 때(경화 공정)에, 소자 및 기판 사이로의 경화체의 침입량을 저감시킬 수 없다.
또한, 전단 속도 0.1rad/초에 있어서의, 85℃의 점도(ν0.1)가, 상기 상한 이상이면, 복수의 전자 소자(21) 사이에 봉지용 수지 시트(1)를 충분히 침입시킬 수 없다.
전단 속도 0.01rad/초에 있어서의, 85℃의 점도(ν0.01)와, 전단 속도 0.1rad/초에 있어서의, 85℃의 점도(ν0.1)가, 바람직하게는, 하기 식(2)를 만족하고, 보다 바람직하게는, 하기 식(3)을 만족하고, 더 바람직하게는, 하기 식(4)를 만족한다.
ν0.01/ν0.1≥2 (2)
ν0.01/ν0.1≥3 (3)
ν0.01/ν0.1≥4 (4)
또한, 전단 속도 0.01rad/초에 있어서의, 85℃의 점도(ν0.01)와, 전단 속도 0.1rad/초에 있어서의, 85℃의 점도(ν0.1)가, 바람직하게는, 하기 식(5)를 만족하고, 보다 바람직하게는, 하기 식(6)을 만족한다.
ν0.01/ν0.1≤6 (5)
ν0.01/ν0.1≤5 (6)
전단 속도 0.01rad/초에 있어서의, 85℃의 점도(ν0.01)와, 전단 속도 0.1rad/초에 있어서의, 85℃의 점도(ν0.1)가, 상기 식(2) 또는 상기 식(3) 또는 상기 식(4)를 만족하면, 상기한 효과를 발휘하는 데 충분한 틱소트로픽성을 발현할 수 있다.
또한, 전단 속도 10rad/초에 있어서의, 85℃의 점도(ν10)의 상한은, 예를 들어, 0.4×105Pa·s, 바람직하게는, 0.2×105Pa·s이다. 전단 속도 10rad/초에 있어서의, 85℃의 점도(ν10)의 하한은, 예를 들어, 0.01×105Pa·s, 바람직하게는, 0.05×105Pa·s이다.
전단 속도 10rad/초에 있어서의, 85℃의 점도(ν10)의 상한 이하이면, 봉지 공정(전단력(전단 속도)이 높은 경우)에 있어서, 봉지용 수지 시트(1)의 점도를 낮게 할 수 있기 때문에, 복수의 전자 소자(21) 사이에 봉지용 수지 시트(1)를 침입시킬 수 있다.
또한, 전단 속도 0.01rad/초에 있어서의, 85℃의 점도(ν0.01)와 전단 속도 10rad/초에 있어서의, 85℃의 점도(ν10)가, 바람직하게는, 하기 식(7)을 만족하고, 보다 바람직하게는, 하기 식(8)을 만족하고, 더 바람직하게는, 하기 식(9)를 만족하고, 특히 바람직하게는, 하기 식(10)을 만족한다.
ν0.01/ν10≥40 (7)
ν0.01/ν10≥70 (8)
ν0.01/ν10≥100 (9)
ν0.01/ν10≥120 (10)
또한, 전단 속도 0.01rad/초에 있어서의, 85℃의 점도(ν0.01)와, 전단 속도 10rad/초에 있어서의, 85℃의 점도(ν10)가, 바람직하게는, 하기 식(11)을 만족하고, 보다 바람직하게는, 하기 식(12)를 만족한다.
ν0.01/ν10≤200 (11)
ν0.01/ν10≤150 (12)
전단 속도 0.01rad/초에 있어서의, 85℃의 점도(ν0.01)와, 전단 속도 10rad/초에 있어서의, 85℃의 점도(ν10)가, 상기 식(7) 또는 상기 식(8) 또는 상기 식(9) 또는 상기 식(10)을 만족하면(바람직하게는, 상기 식(8)을 만족하면), 상기한 효과를 발휘하는 데 충분한 틱소트로픽성을 발현할 수 있다.
계속해서, 본 발명의 봉지용 수지 시트의 제 2 실시형태(다층의 봉지용 수지 시트)를 설명한다.
제 2 실시형태에서는, 도 2A∼도 2D에 나타내는 바와 같이, 봉지용 수지 시트(1)와, 제 2 봉지용 수지 시트(12)를 두께 방향 일방측으로 순차로 구비하는 봉지용 다층 수지 시트(11)에 의해, 전자 소자(21)를 봉지하고, 계속해서, 경화체(41)를 형성한다.
봉지용 다층 수지 시트(11)는, 봉지용 수지 시트(1)와, 그 두께 방향 일방면 전면(全面)에 배치되는 제 2 봉지용 수지 시트(12)를 구비한다. 바람직하게는, 봉지용 다층 수지 시트(11)는, 봉지용 수지 시트(1)와, 제 2 봉지용 수지 시트(12)만을 구비한다.
제 2 봉지용 수지 시트(12)의 재료는, 봉지용 수지 시트(1)의 재료(열경화성 수지 조성물)와 마찬가지이지만, 층상 규산염 화합물을 함유하지 않는다. 봉지용 수지 시트(1)의 두께에 대한 제 2 봉지용 수지 시트(12)의 두께의 비율의 하한은, 예를 들어, 0.5, 바람직하게는, 1, 보다 바람직하게는, 2이다. 봉지용 수지 시트(1)의 두께에 대한 제 2 봉지용 수지 시트(12)의 두께의 비율의 상한은, 예를 들어, 10, 바람직하게는, 5이다.
봉지용 다층 수지 시트(11)에 의해, 복수의 전자 소자(21)를 봉지하고, 계속해서, 경화체(41)를 형성하여, 전자 소자 경화체 패키지(50)를 제조하는 방법을, 도 2A∼도 2D를 참조하여 설명한다.
도 2A에 나타내는 바와 같이, 봉지용 다층 수지 시트(11)를 준비한다. 구체적으로는, 봉지용 수지 시트(1)와 제 2 봉지용 수지 시트(12)를 첩합한다.
도 2B에 나타내는 바와 같이, 기판(22)에 실장되는 복수의 전자 소자(21)를 준비한다.
계속해서, 봉지용 수지 시트(1)의 두께 방향 타방면이 전자 소자(21)의 두께 방향 일방면에 접촉하도록, 봉지용 다층 수지 시트(11)를 전자 소자(21)에 배치한다.
도 2C에 나타내는 바와 같이, 그 후, 봉지용 수지 시트(1) 및 소자 실장 기판(24)을, 프레스한다.
프레스에 의해, 봉지용 수지 시트(1)는, 상기한 틱소트로픽성을 갖기 때문에, 유동하여, 인접하는 전자 소자(21) 사이에 침입한다. 한편, 제 2 봉지용 수지 시트(12)는, 프레스되어도, 유동성이 크게 변화되지 않고, 낮은 채이며, 인접하는 전자 소자(21) 사이에 침입하는 것이 억제된다.
이것에 의해, 봉지용 다층 수지 시트(11)로부터, 복수의 전자 소자(21)를 봉지하는 봉지체(31)가 형성된다.
한편, 봉지용 수지 시트(1)가 상기한 하한 이상의 비율로 필러를 함유하고, 제 2 봉지용 수지 시트(12)가 상기한 하한 이상의 비율로 필러를 함유하면, 도 2C에 나타내는 프레스에 의해, 봉지용 수지 시트(1)와 제 2 봉지용 수지 시트(12)가, 유동할 수 있다.
이 때, 봉지용 수지 시트(1)는, 전자 소자(21)에 접촉하는 한편, 제 2 봉지용 수지 시트(12)는, 봉지용 수지 시트(1)에 대해서 전자 소자(21)의 반대측에 위치한다. 즉, 봉지체(31)에 있어서 간극(26)에 면하는 단연은, 봉지용 수지 시트(1)로부터 형성된다. 한편, 봉지체(31)의 두께 방향 일방면은, 제 2 봉지용 수지 시트(12)로부터 형성된다.
그 후, 도 2D에 나타내는 바와 같이, 봉지체(31)를 가열하여, 봉지체(31)로부터 경화체(41)를 형성한다.
그리고, 봉지용 다층 수지 시트(11)는, 상기한 봉지용 수지 시트(1)를 구비하므로, 간극(26)으로의 경화체(41)의 침입량을 저감시킬 수 있다.
특히, 봉지용 수지 시트(1) 및 제 2 봉지용 수지 시트(12)가, 50℃ 이상, 130℃ 이하의 연화점을 갖는 에폭시 수지의 주제를 함유하면, 도 2C에 나타내는 공정에 있어서, 봉지용 수지 시트(1) 및 제 2 봉지용 수지 시트(12)를 유동시킬 수 있다. 따라서, 도 2C에 나타내는 공정의 시간 단축, 및 도 2C에 나타내는 공정에 있어서의 제 2 봉지용 수지 시트(12)의 두께 방향 일방면을 평탄하게 할 수 있다.
더욱이, 봉지용 수지 시트(1) 및 제 2 봉지용 수지 시트(12)가, 에폭시 수지의 주제와 함께 페놀 수지를 경화제로서 함유하면, 경화체(41)가, 높은 내열성과 높은 내약품성을 갖는다. 따라서, 경화체(41)는, 봉지 신뢰성이 우수하다.
한편, 도 2C에 나타내는 공정에 있어서, 제 2 봉지용 수지 시트(12)는, 압압력(押壓力)을 받아 유동화되어, 두께 방향 일방면이 평탄하게 된다. 또한, 도 2C에 나타내는 공정에 있어서, 봉지용 다층 수지 시트(11)에서는, 전술한 바와 같이, 제 2 봉지용 수지 시트(12)와 함께 봉지용 수지 시트(1)가, 압압력을 받아 연화 유동하여, 전자 소자(21)의 외형에 추종하여 변형된다. 도 2C에 나타내는 공정에서는, 봉지용 수지 시트(1)가, 간극(26)에 약간 진입하는 것이 허용된다.
변형예
이하의 각 변형예에 있어서, 상기한 제 1 실시형태 및 제 2 실시형태와 마찬가지의 부재 및 공정에 대해서는, 동일한 참조 부호를 붙이고, 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 각 변형예는, 특기하는 이외, 제 1 실시형태 및 제 2 실시형태와 마찬가지의 작용 효과를 발휘할 수 있다. 더욱이, 제 1 실시형태 및 제 2 실시형태, 그 변형예를 적절히 조합할 수 있다.
제 1 실시형태에서는, 1층의 봉지용 수지 시트(1)로, 전자 소자(21)를 봉지하고 있다. 그러나, 도시하지 않지만, 복수의 봉지용 수지 시트(1)(의 적층체 시트)로, 전자 소자(21)를 봉지할 수도 있다.
또한, 봉지용 다층 수지 시트(11)에 있어서의 제 2 봉지용 수지 시트(12)는, 다층이어도 된다.
소자의 일례로서, 기판(22)의 두께 방향 일방면(25)에 대해서 간극(26)을 띄워 배치되는 전자 소자(21)를 들고, 이것을 봉지용 수지 시트(1)로 봉지했지만, 예를 들어, 도시하지 않지만, 기판(22)의 두께 방향 일방면(25)에 접촉하는 전자 소자(21)를 들 수 있고, 이것을 봉지용 수지 시트(1)로 봉지할 수 있다.
또한, 소자의 일례로서, 전자 소자(21)를 들었지만, 반도체 소자를 들 수도 있다.
실시예
이하에 조제예, 비교 조제예, 실시예 및 비교예를 나타내어, 본 발명을 더 구체적으로 설명한다. 한편, 본 발명은, 어떤 조제예, 비교 조제예, 실시예 및 비교예로 한정되지 않는다. 또한, 이하의 기재에 있어서 이용되는 배합 비율(함유 비율), 물성치, 파라미터 등의 구체적 수치는, 상기의 「발명을 실시하기 위한 구체적인 내용」에 있어서 기재되어 있는, 그것들에 대응하는 배합 비율(함유 비율), 물성치, 파라미터 등 해당 기재의 상한(「이하」, 「미만」으로서 정의되어 있는 수치) 또는 하한(「이상」, 「초과」로서 정의되어 있는 수치)으로 대체할 수 있다.
조제예 및 비교 조제예에서 사용한 각 성분을 이하에 나타낸다.
층상 규산염 화합물: 호준사제의 에스벤 NX(표면이 다이메틸다이스테아릴암모늄으로 변성된 유기화 벤토나이트)
주제: 신닛테쓰 화학사제의 YSLV-80XY(비스페놀 F형 에폭시 수지, 고분자량 에폭시 수지, 에폭시 당량 200g/eq., 고체, 연화점 80℃)
경화제: 군에이 화학사제의 LVR-8210DL(노볼락형 페놀 수지, 잠재성 경화제, 수산기 당량: 104g/eq., 고체, 연화점: 60℃)
아크릴 수지 1: 네가미 공업사제의 HME-2006M, 카복실기 함유의 아크릴산 에스터 코폴리머(아크릴 수지), 산가: 32, 작용기수: 736, 중량 평균 분자량: 1290000, 유리 전이 온도(Tg): -13.9℃, 고형분 농도 20질량%의 메틸 에틸 케톤 용액
아크릴 수지 2: 네가미 공업사제의 HME-2000M, 카복실기 함유의 아크릴산 에스터 코폴리머(아크릴 수지), 산가: 20, 작용기수: 367, 중량 평균 분자량: 1030000, 유리 전이 온도(Tg): 3.7℃, 고형분 농도 20질량%의 메틸 에틸 케톤 용액
아크릴 수지 3: 네가미 공업사제의 HME-2004M, 아크릴산 에스터 코폴리머(아크릴 수지), 산가: 0, 작용기수: 0, 중량 평균 분자량: 1180000, 유리 전이 온도(Tg): -3℃, 고형분 농도 20질량%의 메틸 에틸 케톤 용액
실레인 커플링제: 신에쓰 화학사제의 KBM-403(3-글리시독시프로필트라이메톡시실레인)
제 1 필러: FB-8SM(구상 용융 실리카 분말(무기 필러), 평균 입자경 7.0μm)
제 2 필러: 아드마텍스사제의 SC220G-SMJ(평균 입경 0.5μm)를 3-메타크릴옥시프로필트라이메톡시실레인(신에쓰 화학사제의 제품명: KBM-503)으로 표면 처리한 무기 필러(비정질 실리카 및 표면 처리된 비정질 실리카), 무기 필러의 100질량부에 대해서 1질량부의 실레인 커플링제로 표면 처리한 무기 입자
제 3 필러: 닛폰 아에로질사제의 AEROSIL200(평균 입경 12nm), 친수성 실리카 미립자
경화 촉진제: 시코쿠 화성공업사제의 2PHZ-PW(2-페닐-4,5-다이하이드록시메틸이미다졸)
용매: 메틸 에틸 케톤(MEK)
카본 블랙: 미쓰비시 화학사제의 ＃20, 입자경 50nm
조제예 1∼조제예 3 및 비교 조제예 1∼비교 조제예 3
표 1에 기재된 배합 처방에 따라, 재료의 바니시를 조제했다. 바니시를 박리 시트의 표면에 도포한 후, 120℃에서, 2분간 건조시켜, 두께 65μm의 봉지용 수지 시트(1)를 제작했다. 봉지용 수지 시트(1)는, B 스테이지였다.
조제예 4
표 2에 기재된 배합 처방에 따라, 재료의 바니시를 조제했다. 바니시를 박리 시트의 표면에 도포한 후, 120℃에서, 2분간 건조시켜, 두께 195μm의 제 2 봉지용 수지 시트(12)를 제작했다. 제 2 봉지용 수지 시트(12)는, B 스테이지였다.
실시예 1∼3 및 비교예 1∼비교예 3
표 3에 나타내는 바와 같은 조제예의 조합으로, 봉지용 수지 시트와 제 2 봉지용 수지 시트를 첩합하여, 두께 260μm의 봉지용 다층 수지 시트를 제작했다.
평가
＜경화체 침입 길이의 측정＞
하기의 스텝 A∼스텝 E를 실시하여, 경화체 침입 길이 Y를 측정했다.
스텝 A: 도 3A에 나타내는 바와 같이, 각 실시예 및 각 비교예의 봉지용 다층 수지 시트(11)로부터, 세로 10mm, 가로 10mm, 두께 260μm의 샘플 시트(61)를 준비한다.
스텝 B: 도 3B에 나타내는 바와 같이, 세로 3mm, 가로 3mm, 두께 200μm의 더미 소자(71)가, 두께 20μm의 범프(23)를 개재시켜 유리 기판(72)에 실장된 더미 소자 실장 기판(74)을 준비한다.
스텝 C: 도 3C에 나타내는 바와 같이, 샘플 시트(61)에 의해, 더미 소자 실장 기판(74)에 있어서의 더미 소자(71)를, 진공 평판 프레스에 의해, 온도 65℃, 압력 0.1MPa, 진공도 1.6kPa, 프레스 시간 1분으로 봉지하여, 샘플 시트(61)로부터 봉지체(31)를 형성한다.
스텝 D: 도 3D에 나타내는 바와 같이, 봉지체(31)를, 150℃, 대기압하, 1시간 가열에 의해 열경화시켜, 봉지체(31)로부터 경화체(41)를 형성한다.
스텝 E: 도 3D의 확대도에 나타내는 바와 같이, 더미 소자(71)의 측단연(75)을 기준으로 하여, 측단연(75)으로부터 더미 소자(71)와 유리 기판(72)의 간극(26)에 경화체(41)가 침입하는 경화체 침입 길이 Y를 측정한다.
그리고, 하기의 기준에 따라, 경화체 침입 길이 Y를 평가했다. 그 결과를 표 3에 나타낸다.
◎: 경화체 침입 길이 Y가, 0μm 이상, 25μm 이하였다.
○: 경화체 침입 길이 Y가, 25μm 초과, 45μm 이하, 또는, 0μm 미만, -25μm 이상이었다.
×: 경화체 침입 길이 Y가, 45μm 초과, 또는, -25μm 미만이었다.
한편, 평가 중, 「마이너스」는, 더미 소자(71)의 측단연(75)보다 외측으로 돌출하는 공간(도 2D의 굵은 파선 참조)이 형성되는 것을 의미한다. 「마이너스」의 절대치가, 그 공간의 돌출 길이에 상당한다.
＜봉지체 침입 길이의 측정＞
각 실시예 및 각 비교예의 봉지용 다층 수지 시트(11)에 관해서, 상기한 스텝 C와 스텝 D 사이에 하기의 스텝 F를 추가로 실시하여, 봉지체 침입 길이 X를 측정했다. 결과를 표 3에 나타낸다.
스텝 F: 더미 소자(71)의 측단연(75)을 기준으로 하여, 측단연(75)으로부터 더미 소자(22)와 유리 기판(72)의 간극(26)에 봉지체(31)가 침입하는 봉지체 침입 길이 X를 측정했다. 그 결과를 표 3에 나타낸다.
◎: 봉지체 침입 길이 X가, 0μm 이상, 10μm 이하였다.
○: 봉지체 침입 길이 X가, 10μm 초과 20μm 이하였다.
×: 봉지체 침입 길이 X가, 20μm 초과였다.
＜봉지체 침입량＞
상기한 방법에 의해 얻어진 경화체 침입 길이 Y로부터, 상기한 방법에 의해 얻어진 봉지체 침입 길이 X를 빼는 것에 의해, 봉지체 침입량(Y-X)을 산출했다. 그 결과를 표 3에 나타낸다.
◎: 봉지체 침입량(Y-X)이, 0μm 이상, 15μm 이하였다.
○: 봉지체 침입량(Y-X)이, 15μm 초과 30μm 이하였다.
×: 봉지체 침입량(Y-X)이, 30μm 초과였다.
＜점탄성 측정＞
실시예 1∼실시예 3, 비교예 1∼비교예 3의 봉지용 수지 시트(1)(B 스테이지)에 대해, 점탄성을 측정했다.
구체적으로는, 점탄성 측정은, 레오미터(마즈 III)(측정 조건: 8mmφ 플레이트를 이용하여 온도 85℃, 변형량 0.005%)를 이용하여 실시했다. 그 결과를 표 3에 나타낸다.
고찰
전단 속도 0.01rad/초에 있어서의, 85℃의 점도(ν0.01)가, 8×105Pa·s 이상이며, 또한, 전단 속도 0.1rad/초에 있어서의, 85℃의 점도(ν0.1)가, 8×105Pa·s 미만인 실시예 1∼실시예 3은, 전단 속도 0.01rad/초에 있어서의, 85℃의 점도(ν0.01)가, 8×105Pa·s 미만인 비교예 1 및 비교예 2에 비해, 봉지체 침입 길이 및 봉지체 침입량이 작음을 알 수 있다. 또한, 전단 속도 0.1rad/초에 있어서의, 85℃의 점도(ν0.1)가, 8×105Pa·s 이상인 비교예 3은, 복수의 더미 소자 사이에 봉지용 수지 시트를 충분히 침입시킬 수 없었다.
이로부터, 전단 속도 0.01rad/초에 있어서의, 85℃의 점도(ν0.01)가, 8×105Pa·s 이상이며, 또한, 전단 속도 0.1rad/초에 있어서의, 85℃의 점도(ν0.1)가, 8×105Pa·s 미만이면, 소자를 충분히 봉지할 수 있고, 또한, 소자 및 기판 사이로의 경화체의 침입량을 저감시킬 수 있음을 알 수 있다.
Figure pct00001
Figure pct00002
Figure pct00003
한편, 상기 발명은, 본 발명의 예시의 실시형태로서 제공했지만, 이것은 단순한 예시에 지나지 않고, 한정적으로 해석해서는 안 된다. 당해 기술분야의 당업자에 의해 분명한 본 발명의 변형예는, 후기 청구범위에 포함되는 것이다.
봉지용 수지 시트는, 소자의 봉지에 이용된다.
1 봉지용 수지 시트

Claims (3)

  1. 전단 속도 0.01rad/초에 있어서의, 85℃의 점도(ν0.01)가, 8×105Pa·s 이상이며,
    전단 속도 0.1rad/초에 있어서의, 85℃의 점도(ν0.1)가, 8×105Pa·s 미만인 것을 특징으로 하는, 봉지용 수지 시트.
  2. 제 1 항에 있어서,
    전단 속도 0.01rad/초에 있어서의, 85℃의 점도(ν0.01)와, 전단 속도 10rad/초에 있어서의, 85℃의 점도(ν10)가, 하기 식(1)을 만족하는 것을 특징으로 하는, 봉지용 수지 시트.
    ν0.01/ν10≥70 (1)
  3. 제 1 항에 있어서,
    전단 속도 10rad/초에 있어서의, 85℃의 점도(ν10)가, 0.4×105Pa·s 이하인 것을 특징으로 하는, 봉지용 수지 시트.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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JP2005133055A (ja) * 2003-02-03 2005-05-26 Sekisui Chem Co Ltd 樹脂組成物、基板用材料及び基板用フィルム
JP5768023B2 (ja) * 2012-08-29 2015-08-26 日東電工株式会社 電子部品封止用熱硬化性樹脂シート、樹脂封止型半導体装置、及び樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP2015106573A (ja) * 2013-11-28 2015-06-08 日東電工株式会社 中空封止用樹脂シート、及び、中空パッケージの製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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