KR20220035095A - 봉지용 다층 수지 시트 - Google Patents

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KR20220035095A
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다이키 하마나
다카시 하부
유사쿠 시미즈
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

봉지용 다층 수지 시트(11)는, 제 1 봉지용 수지 시트(1)와, 제 2 봉지용 수지 시트(12)를 두께 방향 일방을 향해 순차로 구비한다. 제 1 봉지용 수지 시트(1)는, 층상 규산염 화합물 및 제 1 무기 충전재를 포함한다. 제 2 봉지용 수지 시트(12)는, 제 2 무기 충전재를 포함한다. 제 1 봉지용 수지 시트(1)에 대한 제 1 무기 충전재의 함유 비율(B)는, 50질량% 이상이다. 제 2 봉지용 수지 시트(12)에 대한 제 2 무기 충전재의 함유 비율(A)는, 60질량% 이상이다. 제 1 봉지용 수지 시트(1)에 대한 제 1 무기 충전재의 함유 비율(B)와, 제 2 봉지용 수지 시트(12)에 대한 제 2 무기 충전재의 함유 비율(A)가, 소정의 관계이다.

Description

봉지용 다층 수지 시트
본 발명은, 봉지용 다층 수지 시트, 상세하게는, 소자를 봉지하기 위한 봉지용 다층 수지 시트에 관한 것이다.
종래, 열경화성 수지를 포함하는 봉지용 시트를 이용하여, 기판에 실장된 반도체 소자나 전자 부품을, 프레스에 의해 봉지하고, 그 후, 열경화성 수지를 열경화시켜, 봉지용 시트로부터 경화체를 형성하는 것이 알려져 있다(예를 들어, 하기 특허문헌 1 참조.).
일본 특허공개 2016-162909호 공보
근년, 전자 기기의 고기능화에 수반하여, 그것에 구비되는 반도체 소자나 전자 부품에도 소형화가 요구되고 있다. 그에 수반하여, 반도체 소자나 전자 부품을 보호하는 수지(경화체)에 대해서도, 경화 시의 치수 정밀도의 향상이 요구되고 있다. 구체적으로는, 반도체 소자나 전자 부품의 측단연(側端緣)으로부터, 반도체 소자나 전자 부품, 및 기판 사이에 침입하는 경화체의 침입량을 보다 저감하고 싶은 요구가 있다.
본 발명은, 반도체 소자나 전자 부품으로 대표되는 소자 및 기판 사이로의 경화체의 침입을 저감시킬 수 있는 봉지용 다층 수지 시트를 제공한다.
본 발명［1］은, 제 1 봉지용 수지 시트와, 제 2 봉지용 수지 시트를 두께 방향 일방을 향해 순차로 구비하고, 상기 제 1 봉지용 수지 시트는, 층상 규산염 화합물 및 제 1 무기 충전재를 포함하고, 상기 제 2 봉지용 수지 시트는, 제 2 무기 충전재를 포함하고, 상기 제 1 봉지용 수지 시트에 대한 상기 제 1 무기 충전재의 함유 비율(B)는, 50질량% 이상이고, 상기 제 2 봉지용 수지 시트에 대한 상기 제 2 무기 충전재의 함유 비율(A)는, 60질량% 이상이고, 상기 제 1 봉지용 수지 시트에 대한 상기 제 1 무기 충전재의 함유 비율(B)와, 상기 제 2 봉지용 수지 시트에 대한 상기 제 2 무기 충전재의 함유 비율(A)가, 하기 식(1)을 만족하는, 봉지용 다층 수지 시트이다.
0.4A＋1.7B＜160 (1)
본 발명［2］는, 상기 제 1 봉지용 수지 시트의 두께가, 30μm 이상 100μm 이하이며, 상기 제 2 봉지용 수지 시트의 두께가, 50μm 이상 500μm 이하인, 상기 ［1］에 기재된 봉지용 다층 수지 시트를 포함하고 있다.
본 발명［3］은, 상기 제 1 봉지용 수지 시트의 선팽창 계수가, 80ppm/℃ 이하이며, 상기 제 2 봉지용 수지 시트의 선팽창 계수가, 50ppm/℃ 이하인, 상기 ［1］ 또는 ［2］에 기재된 봉지용 다층 수지 시트를 포함하고 있다.
본 발명의 봉지용 다층 수지 시트에 있어서, 제 1 봉지용 수지 시트는, 층상 규산염 화합물 및 제 1 무기 충전재를 포함하고, 제 2 봉지용 수지 시트는, 제 2 무기 충전재를 포함한다.
또한, 제 1 봉지용 수지 시트에 대한 제 1 무기 충전재의 함유 비율(B)와, 제 2 봉지용 수지 시트에 대한 제 2 무기 충전재의 함유 비율(A)가, 소정의 비율이다.
또한, 제 1 봉지용 수지 시트에 대한 제 1 무기 충전재의 함유 비율(B)와, 제 2 봉지용 수지 시트에 대한 제 2 무기 충전재의 함유 비율(A)가, 소정의 관계이다.
그 때문에, 이 봉지용 다층 수지 시트를 소자에 배치하고, 이것을 가열하여 경화체를 형성할 때에, 소자 및 기판 사이로의 경화체의 침입량을 저감시킬 수 있다.
[도 1] 도 1A∼도 1D는, 본 발명의 봉지용 다층 수지 시트의 일 실시형태를 이용하여, 복수의 전자 소자를 봉지하여, 전자 소자 패키지를 제조하는 공정 단면도이며, 도 1A가, 봉지용 다층 수지 시트를 준비하는 공정, 도 1B가, 전자 소자를 준비하는 공정, 도 1C가, 봉지용 다층 수지 시트를 프레스하여 봉지체를 형성하는 공정, 도 1D가, 봉지체를 가열하여, 경화체를 형성하는 공정이다.
[도 2] 도 2는, 제 1 봉지용 수지 시트(1)에 대한 제 1 무기 충전재의 함유 비율(B)와, 제 2 봉지용 수지 시트(12)에 대한 제 2 무기 충전재의 함유 비율(A)의 관계를 나타내는 그래프이다.
[도 3] 도 3∼도 3D는, 실시예에 있어서의 경화체 침입 길이 Y를 측정하는 방법의 공정 단면도이며, 도 3A가, 봉지용 다층 수지 시트를 준비하는 공정(스텝 A), 도 3B가, 전자 소자(더미 소자)를 준비하는 공정(스텝 B), 도 3C가, 봉지용 다층 수지 시트를 프레스하여 봉지체를 형성하는 공정(스텝 C), 도 3D가, 봉지체를 가열하여, 경화체를 형성하는 공정(스텝 D)이다.
[도 4] 도 4는, 실시예 1∼33 및 비교예 1∼비교예 23에 있어서의 제 1 재료에 대한 제 1 무기 충전재의 함유 비율(B)와, 제 2 재료에 대한 제 2 무기 충전재의 함유 비율(A)의 관계를 나타내는 그래프이다.
본 발명의 봉지용 다층 수지 시트는, 소자를 봉지하기 위한 수지 시트이며, 두께 방향에 직교하는 면방향으로 연장되는 대략 판 형상(필름 형상)을 갖는다.
이 봉지용 다층 수지 시트는, 제 1 봉지용 수지 시트와, 제 2 봉지용 수지 시트를 두께 방향 일방을 향해 순차로 구비한다.
상세하게는, 봉지용 다층 수지 시트는, 제 1 봉지용 수지 시트와, 제 1 봉지용 수지 시트의 두께 방향 일방면에 형성되는 제 2 봉지용 수지 시트를 구비한다. 바람직하게는, 봉지용 다층 수지 시트는, 제 1 봉지용 수지 시트와 제 2 봉지용 수지 시트로 이루어진다.
제 1 봉지용 수지 시트는, 두께 방향에 직교하는 면방향으로 연장되는 대략 판 형상(필름 형상)을 갖는다.
제 1 봉지용 수지 시트의 재료(이하, 제 1 재료로 한다.)는, 층상 규산염 화합물 및 제 1 무기 충전재를 포함한다.
층상 규산염 화합물은, 제 1 재료가, 후술하는 제 1 수지 성분(수지 매트릭스)을 포함하는 경우에는, 제 1 수지 성분에 대해서 분산되어 있다. 또한, 층상 규산염 화합물은, 제 1 봉지용 수지 시트로부터 봉지체 및 경화체(후술)를 형성할 때의 유동 조정제이다. 구체적으로는, 제 1 봉지용 수지 시트를 가열하여 경화체를 형성할 때에, 경화체의 유동성을 저감시키는, 경화 시 유동 저감제이다.
층상 규산염 화합물은, 예를 들어, 이차원(면방향으로)으로 퍼진 층이, 두께 방향으로 겹겹이 쌓인 구조(삼차원 구조)를 갖는 규산염이며, 필로규산염이라고 호칭된다.
구체적으로는, 층상 규산염 화합물로서는, 예를 들어, 몬모릴로나이트, 바이델라이트, 논트로나이트, 사포나이트, 헥토라이트, 소코나이트, 스티븐사이트 등의 스멕타이트, 예를 들어, 카올리나이트, 예를 들어, 할로이사이트, 예를 들어, 탤크, 예를 들어, 마이카 등을 들 수 있다. 층상 규산염 화합물로서, 바람직하게는, 열경화성 수지와의 혼합성을 향상시키는 관점에서 스멕타이트를 들 수 있고, 보다 바람직하게는, 몬모릴로나이트를 들 수 있다.
층상 규산염 화합물은, 표면이 변성되어 있지 않은 미변성물이어도 되고, 또한, 표면이 유기 성분에 의해 변성된 변성물이어도 된다. 바람직하게는, 열경화성 수지 및 열가소성 수지와의 우수한 친화성을 얻는 관점에서, 층상 규산염 화합물은, 표면이 유기 성분에 의해 변성되어 있다. 구체적으로는, 층상 규산염 화합물로서, 표면이 유기 성분으로 변성된 유기화 스멕타이트, 더 바람직하게는, 표면이 유기 성분으로 변성된 유기화 벤토나이트를 들 수 있다.
유기 성분으로서, 암모늄, 이미다졸륨, 피리디늄, 포스포늄 등의 유기 양이온(오늄 이온)을 들 수 있다.
암모늄으로서는, 예를 들어, 다이메틸다이스테아릴암모늄, 다이스테아릴암모늄, 옥타데실암모늄, 헥실암모늄, 옥틸암모늄, 2-헥실암모늄, 도데실암모늄, 트라이옥틸암모늄 등을 들 수 있다. 이미다졸륨으로서는, 예를 들어, 메틸스테아릴이미다졸륨, 다이스테아릴이미다졸륨, 메틸헥실이미다졸륨, 다이헥실이미다졸륨, 메틸옥틸이미다졸륨, 다이옥틸이미다졸륨, 메틸도데실이미다졸륨, 다이도데실이미다졸륨 등을 들 수 있다. 피리디늄으로서는, 예를 들어, 스테아릴피리디늄, 헥실피리디늄, 옥틸피리디늄, 도데실피리디늄 등을 들 수 있다. 포스포늄으로서는, 예를 들어, 다이메틸다이스테아릴포스포늄, 다이스테아릴포스포늄, 옥타데실포스포늄, 헥실포스포늄, 옥틸포스포늄, 2-헥실포스포늄, 도데실포스포늄, 트라이옥틸포스포늄 등을 들 수 있다. 유기 양이온은, 단독 사용 또는 2종 이상 병용할 수 있다. 바람직하게는, 암모늄, 보다 바람직하게는, 다이메틸다이스테아릴암모늄을 들 수 있다.
유기화 층상 규산염 화합물로서, 바람직하게는, 표면이 암모늄으로 변성된 유기화 스멕타이트, 보다 바람직하게는, 표면이 다이메틸다이스테아릴암모늄으로 변성된 유기화 벤토나이트를 들 수 있다.
층상 규산염 화합물의 평균 입자경의 하한은, 예를 들어, 1nm, 바람직하게는, 5nm, 보다 바람직하게는, 10nm이다. 층상 규산염 화합물의 평균 입자경의 상한은, 예를 들어, 100μm, 바람직하게는, 50μm, 보다 바람직하게는, 10μm이다. 한편, 층상 규산염 화합물의 평균 입자경은, 예를 들어, 레이저 산란법에 있어서의 입도 분포 측정법에 의해 구해진 입도 분포에 기초하여, D50치(누적 50%메디안 직경)로서 구해진다.
층상 규산염 화합물로서는, 시판품을 이용할 수 있다. 예를 들어, 유기화 벤토나이트의 시판품으로서, 에스벤 시리즈(호준사제) 등이 이용된다.
제 1 재료에 있어서의 층상 규산염 화합물의 함유 비율의 하한은, 예를 들어, 1질량%, 바람직하게는, 3질량%이다. 제 1 재료에 있어서의 층상 규산염 화합물의 함유 비율의 상한은, 예를 들어, 15질량%, 바람직하게는, 10질량%이다.
제 1 무기 충전재는, 층상 규산염 화합물 이외의 무기 필러이며, 예를 들어, 오쏘규산염, 소로규산염, 이노규산 등의 층상 규산염 화합물 이외의 규산염 화합물, 예를 들어, 석영(규산), 실리카(무수 규산), 질화 규소 등의 규소 화합물(층상 규산염 화합물 이외의 규소 화합물) 등을 들 수 있다. 또한, 제 1 무기 충전재로서, 예를 들어, 알루미나, 질화 알루미늄, 질화 붕소 등도 들 수 있다. 이들은, 단독 사용 또는 2종 이상 병용할 수 있다. 바람직하게는, 층상 규산염 화합물 이외의 규소 화합물, 보다 바람직하게는, 실리카를 들 수 있다.
제 1 무기 충전재의 형상은, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 대략 구(球) 형상, 대략 판 형상, 대략 침 형상, 부정 형상 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 대략 구 형상을 들 수 있다.
제 1 무기 충전재의 최대 길이의 평균치(대략 구 형상이면, 평균 입자경과 동의.)의 상한은, 예를 들어, 50μm, 바람직하게는, 20μm, 보다 바람직하게는, 10μm이다. 제 1 무기 충전재의 최대 길이의 평균치의 하한은, 또한, 예를 들어, 0.1μm, 바람직하게는, 0.5μm이다. 한편, 제 1 무기 충전재의 평균 입자경은, 예를 들어, 레이저 산란법에 있어서의 입도 분포 측정법에 의해 구해진 입도 분포에 기초하여, D50치(누적 50% 메디안 직경)로서 구해진다.
또한, 제 1 무기 충전재는, 제 1 필러와, 제 1 필러의 최대 길이의 평균치보다 작은 최대 길이의 평균치를 갖는 제 2 필러를 포함할 수 있다.
제 1 필러의 최대 길이의 평균치의 하한은, 예를 들어, 1μm, 바람직하게는, 3μm이다. 제 1 필러의 최대 길이의 평균치의 상한은, 예를 들어, 50μm, 바람직하게는, 30μm이다.
제 2 필러의 최대 길이의 평균치의 상한은, 예를 들어, 0.9μm, 바람직하게는, 0.8μm이다. 제 2 필러의 최대 길이의 평균치의 하한은, 예를 들어, 0.01μm, 바람직하게는, 0.1μm이다.
제 1 필러의 최대 길이의 평균치의, 제 2 필러의 최대 길이의 평균치에 대한 비의 하한은, 예를 들어, 2, 바람직하게는, 5이다. 제 1 필러의 최대 길이의 평균치의, 제 2 필러의 최대 길이의 평균치에 대한 비의 상한은, 예를 들어, 50, 바람직하게는, 20이다.
상기한 비가 상기 범위 내이면, 소자 및 기판 사이로의 경화체의 침입량을, 보다 한층, 저감시킬 수 있다.
제 1 필러 및 제 2 필러의 재료는, 함께 동일 혹은 상이해도 된다.
더욱이, 제 1 무기 충전재는, 그 표면이, 부분적 혹은 전체적으로, 실레인 커플링제 등으로 표면 처리되어 있어도 된다.
제 1 재료에 대한 제 1 무기 충전재의 함유 비율(B)에 대해서는, 후술한다.
또한, 상세하게는 후술하지만, 제 1 재료에 대한 제 1 무기 충전재의 함유 비율(B)와, 제 2 재료(후술)에 대한 제 2 무기 충전재의 함유 비율(A)는, 소정의 관계를 갖는다.
층상 규산염 화합물 100질량부에 대한 제 1 무기 충전재의 함유 부수의 하한은, 예를 들어, 1000질량부, 바람직하게는, 1050질량부, 보다 바람직하게는, 1100질량부, 더 바람직하게는, 1150질량부, 특히 바람직하게는, 1200질량부, 가장 바람직하게는, 1250질량부이다. 층상 규산염 화합물 100질량부에 대한 제 1 무기 충전재의 함유 부수의 상한은, 예를 들어, 1500질량부, 바람직하게는, 1450질량부, 보다 바람직하게는, 1400질량부, 더 바람직하게는, 1350질량부이다.
상기한 제 1 무기 충전재의 함유 부수가, 층상 규산염 화합물 100질량부에 대해서 상기 범위 내(예를 들어, 1000∼1500질량부)이면, 소자 및 기판 사이로의 경화체의 침입량을, 보다 한층, 저감시킬 수 있다. 또한, 제 1 무기 충전재의 함유 부수가, 층상 규산염 화합물 100질량부에 대해서 상기 범위 내(예를 들어, 1000∼1500질량부)이면, 소자 및 기판 사이로의 경화체의 침입량을 적당한 값으로 제어할 수 있다.
제 1 무기 충전재가 제 1 필러와 제 2 필러를 포함하는 경우에는, 제 1 재료에 있어서의 제 1 필러의 함유 비율의 하한은, 예를 들어, 32.5질량%, 바람직하게는, 33질량%, 보다 바람직하게는, 36질량%, 더 바람직하게는, 40질량%이다. 제 1 재료에 있어서의 제 1 필러의 함유 비율의 상한은, 예를 들어, 52질량%, 바람직하게는, 50질량%, 보다 바람직하게는, 47질량%, 더 바람직하게는, 43질량%이다. 제 1 재료에 있어서의 제 2 필러의 함유 비율의 하한은, 예를 들어, 1질량%, 바람직하게는, 18질량%, 보다 바람직하게는, 20질량%, 더 바람직하게는, 22질량%이다. 제 1 재료에 있어서의 제 2 필러의 함유 비율의 상한은, 예를 들어, 26.5질량%, 바람직하게는, 25질량%, 보다 바람직하게는, 24질량%이다. 제 1 필러 100질량부에 대한 제 2 필러의 함유 부수의 하한은, 예를 들어, 30질량부, 바람직하게는, 40질량부, 보다 바람직하게는, 50질량부이다. 제 1 필러 100질량부에 대한 제 2 필러의 함유 부수의 상한은, 예를 들어, 70질량부, 바람직하게는, 60질량부, 보다 바람직하게는, 55질량부이다.
제 1 재료는, 바람직하게는, 수지 매트릭스로서의 제 1 수지 성분을 포함한다.
제 1 수지 성분은, 열경화성 수지 및 열가소성 수지를 포함한다. 바람직하게는, 제 1 수지 성분은, 열경화성 수지 및 열가소성 수지로 이루어진다.
열경화성 수지로서는, 예를 들어, 에폭시 수지, 실리콘 수지, 유레테인 수지, 폴리이미드 수지, 요소 수지, 멜라민 수지, 불포화 폴리에스터 수지 등을 들 수 있다.
열경화성 수지는, 단독 사용 또는 2종 이상 병용할 수 있다.
열경화성 수지로서, 바람직하게는, 에폭시 수지를 들 수 있다. 한편, 에폭시 수지는, 주제, 경화제 및 경화 촉진제를 함유하는 에폭시 수지 조성물로서 조제된다.
주제로서는, 예를 들어, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 변성 비스페놀 A형 에폭시 수지, 변성 비스페놀 F형 에폭시 수지, 바이페닐형 에폭시 수지 등의 2작용 에폭시 수지, 예를 들어, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 트리스하이드록시페닐메테인형 에폭시 수지, 테트라페닐올에테인형 에폭시 수지, 다이사이클로펜타다이엔형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지(예를 들어, 트라이글리시딜아미노페놀) 등의 3작용 이상의 다작용 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들 주제는, 단독 사용 또는 2종 이상 병용할 수 있다. 주제로서, 바람직하게는, 2작용 에폭시 수지, 보다 바람직하게는, 비스페놀 F형 에폭시 수지를 들 수 있다.
주제의 에폭시 당량의 하한은, 예를 들어, 10g/eq., 바람직하게는, 80g/eq.이다. 주제의 에폭시 당량의 상한은, 예를 들어, 300g/eq., 바람직하게는, 250g/eq.이다.
주제의 연화점의 하한은, 예를 들어, 50℃, 바람직하게는, 70℃, 보다 바람직하게는, 72℃, 더 바람직하게는, 75℃이다. 주제의 연화점의 상한은, 예를 들어, 130℃, 바람직하게는, 110℃, 보다 바람직하게는, 90℃이다.
주제의 연화점이 상기한 하한 이상이면, 도 1C에 나타내는 공정에 있어서, 봉지용 수지 시트(1)를 유동시킬 수 있다. 따라서, 도 1C에 나타내는 공정에 있어서의 봉지용 수지 시트(1)의 두께 방향 일방면을 평탄하게 할 수 있다.
제 1 재료에 있어서의 주제의 비율의 하한은, 예를 들어, 1질량%, 바람직하게는, 2질량%이다. 제 1 재료에 있어서의 주제의 비율의 상한은, 예를 들어, 30질량%, 바람직하게는, 15질량%이다. 에폭시 수지 조성물에 있어서의 주제의 비율의 하한은, 예를 들어, 30질량%, 바람직하게는, 50질량%이다. 에폭시 수지 조성물에 있어서의 주제의 비율의 상한은, 예를 들어, 80질량%, 바람직하게는, 70질량%이다.
경화제는, 가열에 의해, 상기한 주제를 경화시키는 잠재성 경화제이다. 경화제로서는, 예를 들어, 페놀 노볼락 수지, 트리스하이드록시페닐메테인형 노볼락 수지 등의 페놀 수지를 들 수 있다. 경화제가 페놀 수지이면, 페놀 수지가 주제와 함께, 그들의 경화체가, 높은 내열성과 높은 내약품성을 갖는다. 따라서, 경화체는, 봉지 신뢰성이 우수하다.
이들 경화제는, 단독 사용 또는 2종 이상 병용할 수 있다. 경화제로서 바람직하게는, 페놀 노볼락 수지 및 트리스하이드록시페닐메테인형 노볼락 수지를 병용 한다.
페놀 노볼락 수지 및 트리스하이드록시페닐메테인형 노볼락 수지를 병용하는 경우에는, 페놀 노볼락 수지 및 트리스하이드록시페닐메테인형 노볼락 수지의 총량 100질량부에 대한 페놀 노볼락 수지의 함유 비율의 하한은, 예를 들어, 10질량부이다. 페놀 노볼락 수지 및 트리스하이드록시페닐메테인형 노볼락 수지의 총량 100질량부에 대한 페놀 노볼락 수지의 함유 비율의 상한은, 예를 들어, 30질량부이다. 페놀 노볼락 수지 및 트리스하이드록시페닐메테인형 노볼락 수지의 총량 100질량부에 대한 트리스하이드록시페닐메테인형 노볼락 수지의 함유 비율의 하한은, 예를 들어, 70질량부이다. 페놀 노볼락 수지 및 트리스하이드록시페닐메테인형 노볼락 수지의 총량 100질량부에 대한 트리스하이드록시페닐메테인형 노볼락 수지의 함유 비율의 상한은, 예를 들어, 90질량부이다.
경화제의 비율은, 하기의 당량비가 되도록 설정된다. 구체적으로는, 주제 중의 에폭시기 1당량에 대한, 페놀 수지 중의 수산기의 합계의 하한이, 예를 들어, 0.7당량, 바람직하게는, 0.9당량이다. 주제 중의 에폭시기 1당량에 대한, 페놀 수지 중의 수산기의 합계의 상한이, 예를 들어, 1.5당량, 바람직하게는, 1.2당량이다. 구체적으로는, 주제 100질량부에 대한 경화제의 함유 부수의 하한은, 예를 들어, 20질량부, 바람직하게는, 40질량부이다. 주제 100질량부에 대한 경화제의 함유 부수의 상한은, 예를 들어, 80질량부, 바람직하게는, 60질량부이다.
경화 촉진제는, 가열에 의해, 주제의 경화를 촉진하는 촉매(열경화 촉매)이다. 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 유기 인계 화합물, 예를 들어, 2-페닐-4,5-다이하이드록시메틸이미다졸(2PHZ-PW) 등의 이미다졸 화합물 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 이미다졸 화합물을 들 수 있다. 주제 100질량부에 대한 경화 촉진제의 함유 부수의 하한은, 예를 들어, 0.05질량부이다. 주제 100질량부에 대한 경화 촉진제의 함유 부수의 상한은, 예를 들어, 5질량부이다.
제 1 재료에 있어서의 열경화성 수지의 함유 비율의 하한은, 예를 들어, 10질량%, 바람직하게는, 13질량%, 보다 바람직하게는, 16질량%, 더 바람직하게는, 20질량%이다. 제 1 재료에 있어서의 열경화성 수지의 함유 비율의 상한은, 예를 들어, 37질량%, 바람직하게는, 33질량%, 보다 바람직하게는, 30질량%, 더 바람직하게는, 25질량%이다.
열가소성 수지로서는, 예를 들어, 천연 고무, 뷰틸 고무, 아이소프렌 고무, 클로로프렌 고무, 에틸렌-아세트산 바이닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 에틸렌-아크릴산 에스터 공중합체, 폴리뷰타다이엔 수지, 폴리카보네이트 수지, 열가소성 폴리이미드 수지, 폴리아마이드 수지(6-나일론이나 6,6-나일론 등), 페녹시 수지, 아크릴 수지, 포화 폴리에스터 수지(PET 등), 폴리아마이드이미드 수지, 불소 수지, 스타이렌-아이소뷰틸렌-스타이렌 블록 공중합체 등을 들 수 있다. 이들 열가소성 수지는, 단독 사용 또는 2종 이상 병용할 수 있다.
열가소성 수지로서, 바람직하게는, 열경화성 수지와의 분산성을 향상시키는 관점에서, 아크릴 수지를 들 수 있다.
아크릴 수지로서는, 예를 들어, 직쇄 또는 분기의 알킬기를 갖는 (메트)아크릴산 알킬 에스터와, 그 외의 모노머(공중합성 모노머)를 포함하는 모노머 성분을 중합하여 이루어지는 (메트)아크릴산 에스터 코폴리머(바람직하게는, 카복실기 함유 아크릴산 에스터 코폴리머) 등을 들 수 있다.
알킬기로서는, 예를 들어, 메틸, 에틸, 프로필, 아이소프로필, n-뷰틸, t-뷰틸, 아이소뷰틸, 펜틸, 헥실 등의 탄소수 1∼6의 알킬기 등을 들 수 있다.
그 외의 모노머로서는, 예를 들어, 아크릴산, 메타크릴산, 카복시에틸 아크릴레이트, 카복시펜틸 아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산 등의 카복실기 함유 모노머, 예를 들어, 글리시딜 아크릴레이트, 글리시딜 메타크릴레이트 등의 글리시딜기 함유 모노머, 예를 들어, 무수 말레산, 무수 이타콘산 등의 산 무수물 모노머, 예를 들어, (메트)아크릴산 2-하이드록시에틸, (메트)아크릴산 2-하이드록시프로필, (메트)아크릴산 4-하이드록시뷰틸, (메트)아크릴산 6-하이드록시헥실, (메트)아크릴산 8-하이드록시옥틸, (메트)아크릴산 10-하이드록시데실, (메트)아크릴산 12-하이드록시라우릴 또는 (4-하이드록시메틸사이클로헥실)-메틸 아크릴레이트 등의 하이드록실기 함유 모노머, 예를 들어, 스타이렌설폰산, 알릴설폰산, 2-(메트)아크릴아마이드-2-메틸프로페인설폰산, (메트)아크릴아마이드프로페인설폰산, 설포프로필 (메트)아크릴레이트, (메트)아크릴로일옥시나프탈렌설폰산 등의 설폰산기 함유 모노머, 2-하이드록시에틸아크릴로일 포스페이트 등 인산기 함유 모노머, 예를 들어, 스타이렌 모노머, 예를 들어, 아크릴로나이트릴 등을 들 수 있다. 이들은 단독 사용 또는 2종 이상을 병용할 수 있다.
바람직하게는, 카복실기 함유 모노머, 하이드록실기 함유 모노머를 들 수 있고, 보다 바람직하게는, 카복실기 함유 모노머를 들 수 있다.
그 외의 모노머는 단독 사용 또는 2종 이상을 병용할 수 있다.
열가소성 수지로서, 보다 바람직하게는, 카복실기를 함유하는 아크릴 수지 를 들 수 있고, 더 바람직하게는, 열가소성 수지는, 카복실기를 함유하는 아크릴 수지로 이루어진다.
열가소성 수지의 유리 전이 온도 Tg의 하한은, 예를 들어, -70℃, 바람직하게는, -50℃, 보다 바람직하게는, -30℃이다. 열가소성 수지의 유리 전이 온도 Tg의 상한은, 예를 들어, 0℃, 바람직하게는, 5℃, 보다 바람직하게는, -5℃이다. 유리 전이 온도 Tg는, 예를 들어, Fox식에 의해 구해지는 이론치이며, 그 구체적인 산출 수법은, 예를 들어, 일본 특허공개 2016-1976호 공보 등에 기재된다.
열가소성 수지의 중량 평균 분자량의 하한은, 예를 들어, 100,000, 바람직하게는, 300,000, 보다 바람직하게는, 1,000,000, 더 바람직하게는, 1,100,000이다. 열가소성 수지의 중량 평균 분자량의 상한은, 예를 들어, 1,400,000이다. 한편, 중량 평균 분자량은, 겔 침투 크로마토그래피(GPC)에 의해, 표준 폴리스타이렌 환산치에 기초하여 측정된다.
제 1 재료에 있어서의 열가소성 수지의 비율의 하한은, 예를 들어, 1질량%, 바람직하게는, 2질량%, 보다 바람직하게는, 3질량%이다. 제 1 재료에 있어서의 열가소성 수지의 비율의 상한은, 예를 들어, 7질량%, 바람직하게는, 6질량%, 보다 바람직하게는, 5질량%이다.
또한, 제 1 봉지용 수지 시트에 있어서, 열가소성 수지 및 열경화성 수지의 총량에 대한, 열가소성 수지의 비율의 하한은, 예를 들어, 5질량%, 바람직하게는, 10질량%이다.
제 1 봉지용 수지 시트에 있어서, 열가소성 수지 및 열경화성 수지의 총량에 대한, 열가소성 수지의 비율의 상한은, 예를 들어, 30질량%, 바람직하게는, 20질량%이다.
제 1 재료에는, 추가로, 안료, 실레인 커플링제, 그 외의 첨가제를 첨가할 수 있다.
안료로서는, 예를 들어, 카본 블랙 등의 흑색 안료를 들 수 있다. 안료의 입자경의 하한은, 예를 들어, 0.001μm이다. 안료의 입자경의 상한은, 예를 들어, 1μm이다. 안료의 입자경은, 안료를 전자 현미경으로 관찰하여 구한 산술 평균 직경이다. 제 1 재료에 대한 안료의 비율의 하한은, 예를 들어, 0.1질량%이다. 제 1 재료에 대한 안료의 비율의 상한은, 예를 들어, 2질량%이다.
실레인 커플링제로서는, 예를 들어, 에폭시기를 함유하는 실레인 커플링제를 들 수 있다. 에폭시기를 함유하는 실레인 커플링제로서는, 예를 들어, 3-글리시독시프로필메틸다이메톡시실레인, 3-글리시독시프로필메틸다이에톡시실레인 등의 3-글리시독시다이알킬다이알콕시실레인, 예를 들어, 3-글리시독시프로필트라이메톡시실레인, 3-글리시독시프로필트라이에톡시실레인 등의 3-글리시독시알킬트라이알콕시실레인을 들 수 있다. 바람직하게는, 3-글리시독시알킬트라이알콕시실레인을 들 수 있다. 제 1 재료에 있어서의 실레인 커플링제의 함유 비율의 하한은, 예를 들어, 0.1질량%, 바람직하게는, 0.5질량%이다. 제 1 재료에 있어서의 실레인 커플링제의 함유 비율의 상한은, 예를 들어, 10질량%, 바람직하게는, 5질량%, 보다 바람직하게는, 2질량%이다.
제 1 재료의 유리 전이 온도의 하한은, 예를 들어, 100℃, 바람직하게는, 120℃, 보다 바람직하게는, 145℃, 더 바람직하게는, 150℃이다. 제 1 재료의 유리 전이 온도의 상한은, 예를 들어, 180℃, 바람직하게는, 160℃이다.
제 2 봉지용 수지 시트는, 두께 방향에 직교하는 면방향으로 연장되는 대략 판 형상(필름 형상)을 갖는다.
제 2 봉지용 수지 시트는, 제 1 봉지용 수지 시트의 두께 방향 일방면 전면(全面)에, 제 2 봉지용 수지 시트의 두께 방향 타방면 전면이 접촉하도록, 제 1 봉지용 수지 시트에 접착되어 있다.
제 2 봉지용 수지 시트의 재료(이하, 제 2 재료라고 한다.)는, 층상 규산염 화합물을 포함하지 않고, 제 2 무기 충전재를 포함한다.
제 2 무기 충전재로서는, 상기한 제 1 무기 충전재와 마찬가지의 것을 들 수 있고, 바람직하게는, 실리카를 들 수 있다.
제 2 무기 충전재의 최대 길이의 평균치(대략 구 형상이면, 평균 입자경. 동일.)는, 상기한 제 1 무기 충전재의 최대 길이의 평균치와 동일하다.
또한, 제 2 무기 충전재는, 제 1 무기 충전재와 마찬가지로, 제 1 필러와, 제 1 필러의 최대 길이의 평균치보다 작은 최대 길이의 평균치를 갖는 제 2 필러를 포함할 수 있다.
제 2 무기 충전재에 있어서. 제 1 필러의 최대 길이의 평균치 및 제 2 필러의 최대 길이의 평균치는, 제 1 무기 충전재에 있어서의 제 1 필러의 최대 길이의 평균치 및 제 2 필러의 최대 길이의 평균치와 동일하다.
더욱이, 제 2 무기 충전재는, 그 표면이, 부분적 혹은 전체적으로, 실레인 커플링제 등으로 표면 처리되어 있어도 된다.
제 2 재료에 대한 제 2 무기 충전재의 함유 비율(A)에 대해서는, 후술한다.
또한, 상세하게는 후술하지만, 제 1 재료에 대한 제 1 무기 충전재의 함유 비율(B)와, 제 2 재료에 대한 제 2 무기 충전재의 함유 비율(A)는, 소정의 관계를 갖는다.
제 2 무기 충전재가 제 1 필러와 제 2 필러를 포함하는 경우에는, 제 2 재료에 있어서의 제 1 필러의 함유 비율의 하한은, 예를 들어, 38질량%, 바람직하게는, 40질량%, 보다 바람직하게는, 50질량%, 더 바람직하게는, 52질량%, 특히 바람직하게는, 54질량%이다. 제 2 재료에 있어서의 제 1 필러의 함유 비율의 상한은, 예를 들어, 60질량%, 바람직하게는, 56질량%이다. 제 2 재료에 있어서의 제 2 필러의 함유 비율의 하한은, 예를 들어, 20질량%, 바람직하게는, 22질량%, 보다 바람직하게는, 25질량%, 더 바람직하게는, 28질량%이다. 제 2 재료에 있어서의 제 2 필러의 함유 비율의 상한은, 예를 들어, 35질량%, 바람직하게는, 30질량%이다. 제 1 필러 100질량부에 대한 제 2 필러의 함유 부수의 하한은, 예를 들어, 30질량부, 바람직하게는, 40질량부, 보다 바람직하게는, 50질량부이다. 제 1 필러 100질량부에 대한 제 2 필러의 함유 부수의 상한은, 예를 들어, 70질량부, 바람직하게는, 60질량부, 보다 바람직하게는, 55질량부이다.
제 2 재료는, 바람직하게는, 수지 매트릭스로서의 제 2 수지 성분을 포함한다.
제 2 수지 성분은, 열경화성 수지 및 열가소성 수지를 포함한다. 바람직하게는, 제 2 수지 성분은, 열경화성 수지 및 열가소성 수지로 이루어진다.
열경화성 수지로서는, 상기한 제 1 수지 성분에 있어서 예시한 열경화성 수지를 들 수 있고, 바람직하게는, 에폭시 수지를 들 수 있다. 한편, 에폭시 수지는, 주제, 경화제 및 경화 촉진제를 함유하는 에폭시 수지 조성물로서 조제된다. 열경화성 수지는, 단독 사용 또는 2종 이상 병용할 수 있다.
주제로서는, 상기한 제 1 수지 성분에 있어서 예시한 주제를 들 수 있다.
주제는, 단독 사용 또는 2종 이상 병용할 수 있고, 바람직하게는, 2작용 에폭시 수지 및 3작용 이상의 다작용 에폭시 수지를 병용, 보다 바람직하게는, 2작용 에폭시 수지 및 3작용 에폭시 수지를 병용, 더 바람직하게는, 비스페놀 F형 에폭시 수지 및 글리시딜아민형 에폭시 수지를 병용한다.
주제로서, 2작용 에폭시 수지 및 3작용 에폭시 수지를 병용하는 경우에는, 2작용 에폭시 수지 및 3작용 에폭시 수지의 총량 100질량부에 대한 2작용 에폭시 수지의 비율의 하한은, 예를 들어, 40질량부이다. 2작용 에폭시 수지 및 3작용 에폭시 수지의 총량 100질량부에 대한 2작용 에폭시 수지의 비율의 상한은, 예를 들어, 60질량부이다. 또한, 2작용 에폭시 수지 및 3작용 에폭시 수지의 총량 100질량부에 대한 3작용 에폭시 수지의 비율의 하한은, 예를 들어, 40질량부이다. 2작용 에폭시 수지 및 3작용 에폭시 수지의 총량 100질량부에 대한 3작용 에폭시 수지의 비율의 상한은, 예를 들어, 60질량부이다.
주제의 에폭시 당량 및 연화점은, 상기한 제 1 수지 성분에 있어서 예시한 범위와 동일하다.
제 2 재료에 있어서의 주제의 비율의 하한은, 예를 들어, 4질량%, 바람직하게는, 6질량%이다. 제 2 재료에 있어서의 주제의 비율의 상한은, 예를 들어, 20질량%, 바람직하게는, 15질량%, 보다 바람직하게는, 10질량%, 더 바람직하게는, 8질량%이다. 에폭시 수지 조성물에 있어서의 주제의 비율의 하한은, 예를 들어, 30질량%, 바람직하게는, 50질량%이다. 에폭시 수지 조성물에 있어서의 주제의 비율의 상한은, 예를 들어, 80질량%, 바람직하게는, 70질량%이다.
경화제로서는, 상기한 제 1 수지 성분에 있어서 예시한 경화제를 들 수 있고, 바람직하게는, 페놀 노볼락 수지를 들 수 있다.
경화제의 비율은, 하기의 당량비가 되도록 설정된다. 구체적으로는, 주제 중의 에폭시기 1당량에 대한, 페놀 수지 중의 수산기의 합계의 하한이, 예를 들어, 0.7당량, 바람직하게는, 0.9당량이다. 주제 중의 에폭시기 1당량에 대한, 페놀 수지 중의 수산기의 합계의 상한이, 예를 들어, 1.5당량, 바람직하게는, 1.2당량이다. 구체적으로는, 주제 100질량부에 대한 경화제의 함유 부수의 하한은, 예를 들어, 20질량부, 바람직하게는, 40질량부, 보다 바람직하게는, 60질량부이다. 주제 100질량부에 대한 경화제의 함유 부수의 상한은, 예를 들어, 85질량부이다.
열가소성 수지로서는, 상기한 제 1 수지 성분에 있어서 예시한 열가소성 수지를 들 수 있고, 바람직하게는, 아크릴 수지, 보다 바람직하게는, 카복실기를 함유하는 아크릴 수지를 들 수 있다.
제 2 재료에 있어서의 열가소성 수지의 비율의 하한은, 예를 들어, 0.1질량%, 바람직하게는, 0.6질량%이다. 제 2 재료에 있어서의 열가소성 수지의 비율의 상한은, 예를 들어, 1.5질량%, 바람직하게는, 5질량%이다.
또한, 제 2 봉지용 수지 시트에 있어서, 열가소성 수지 및 열경화성 수지의 총량에 대한, 열가소성 수지의 비율의 하한은, 예를 들어, 1질량%, 바람직하게는, 5질량%이다. 제 2 봉지용 수지 시트에 있어서, 열가소성 수지 및 열경화성 수지의 총량에 대한, 열가소성 수지의 비율의 상한은, 예를 들어, 20질량%, 바람직하게는, 10질량%이다.
제 2 재료에는, 추가로, 안료, 실레인 커플링제, 그 외의 첨가제를 첨가할 수 있다.
안료로서는, 상기한 제 1 재료에 있어서 예시한 안료를 들 수 있다.
안료의 입자경은, 상기한 제 1 재료에 있어서 예시한 범위와 동일하다.
제 2 재료에 대한 안료의 비율의 하한은, 예를 들어, 0.1질량%이다. 제 2 재료에 대한 안료의 비율의 상한은, 예를 들어, 2질량%이다.
실레인 커플링제로서는, 상기한 제 1 재료에 있어서 예시한 실레인 커플링제 를 들 수 있고, 바람직하게는, 바람직하게는, 3-글리시독시알킬트라이알콕시실레인을 들 수 있다. 제 2 재료에 있어서의 실레인 커플링제의 함유 비율의 하한은, 예를 들어, 0.1질량%, 바람직하게는, 0.5질량%이다. 제 2 재료에 있어서의 실레인 커플링제의 함유 비율의 상한은, 예를 들어, 10질량%, 바람직하게는, 5질량%, 보다 바람직하게는, 2질량%이다.
제 2 재료의 유리 전이 온도는, 제 1 재료의 유리 전이 온도보다 낮고, 제 2 재료의 유리 전이 온도의 하한은, 예를 들어, 100℃, 바람직하게는, 130℃이다. 제 2 재료의 유리 전이 온도의 상한은, 예를 들어, 160℃, 바람직하게는, 150℃이다.
그리고, 봉지용 다층 수지 시트를 얻으려면, 제 1 봉지용 수지 시트 및 제 2 봉지용 수지 시트를 각각 제조한다.
제 1 봉지용 수지 시트를 제조하려면, 상기한 각 성분을 상기한 비율로 배합하여, 제 1 재료를 조제한다. 바람직하게는, 상기한 성분을 충분히 교반하여, 층상 규산염 화합물을 제 1 수지 성분(열경화성 수지 및 열가소성 수지)에 대해서 균일하게 분산시킨다.
또한, 필요에 따라, 용매(메틸 에틸 케톤 등의 케톤계 등)를 추가로 배합하여, 바니시를 조제한다. 그 후, 바니시를, 도시하지 않는 박리 시트에 도포하고, 그 후, 가열에 의해 건조시켜, 시트 형상을 갖는 제 1 봉지용 수지 시트를 제조한다. 한편, 바니시를 조제하지 않고, 혼련 압출에 의해, 제 1 재료로부터 제 1 봉지용 수지 시트를 형성할 수도 있다.
한편, 형성되는 제 1 봉지용 수지 시트는, B 스테이지(반경화 상태)이며, 구체적으로는, C 스테이지 전의 상태이다. 즉, 완전 경화 전의 상태이다. 제 1 봉지용 수지 시트는, 상기한 건조에 있어서의 가열이나, 압출 혼련에 있어서의 가열에 의해, A 스테이지의 제 1 재료로부터, B 스테이지 시트로 형성된다.
제 2 봉지용 수지 시트를 제조하려면, 상기한 각 성분을 상기한 비율로 배합하여, 제 2 재료를 조제한다.
또한, 필요에 따라, 용매(메틸 에틸 케톤 등의 케톤계 등)를 추가로 배합하여, 바니시를 조제한다. 그 후, 바니시를, 도시하지 않는 박리 시트에 도포하고, 그 후, 가열에 의해 건조시켜, 시트 형상을 갖는 제 2 봉지용 수지 시트를 제조한다. 한편, 바니시를 조제하지 않고, 혼련 압출에 의해, 제 2 재료로부터 제 2 봉지용 수지 시트를 형성할 수도 있다.
한편, 형성되는 제 2 봉지용 수지 시트는, B 스테이지(반경화 상태)이며, 구체적으로는, C 스테이지 전의 상태이다. 즉, 완전 경화 전의 상태이다. 제 2 봉지용 수지 시트는, 상기한 건조에 있어서의 가열이나, 압출 혼련에 있어서의 가열에 의해, A 스테이지의 제 1 재료로부터, B 스테이지 시트로 형성된다.
그 다음에, 봉지용 다층 수지 시트를 얻으려면, 제 1 봉지용 수지 시트의 두께 방향 일방측에, 제 2 봉지용 수지 시트를 배치(전사)한다.
이것에 의해, 봉지용 다층 수지 시트가 얻어진다.
이와 같은 봉지용 다층 수지 시트에 있어서, 제 1 봉지용 수지 시트의 두께의 하한은, 예를 들어, 10μm, 바람직하게는, 25μm, 보다 바람직하게는, 30μm이다. 제 1 봉지용 수지 시트의 두께의 상한은, 예를 들어, 3000μm, 바람직하게는, 1000μm, 보다 바람직하게는, 500μm, 더 바람직하게는, 300μm, 특히 바람직하게는, 100μm이다.
또한, 제 2 봉지용 수지 시트의 두께의 하한은, 예를 들어, 10μm, 바람직하게는, 30μm, 보다 바람직하게는, 50μm이다. 제 2 봉지용 수지 시트의 두께의 상한은, 예를 들어, 3000μm, 바람직하게는, 1000μm, 보다 바람직하게는, 500μm이다.
또한, 제 1 봉지용 수지 시트의 두께에 대한 제 2 봉지용 수지 시트의 두께의 비율의 하한은, 예를 들어, 0.5, 바람직하게는, 1, 보다 바람직하게는, 1 초과이다. 제 1 봉지용 수지 시트의 두께에 대한 제 2 봉지용 수지 시트의 두께의 비율의 상한은, 예를 들어, 20, 바람직하게는, 10, 보다 바람직하게는, 5이다.
또한, 이와 같은 봉지용 다층 수지 시트의 두께의 하한은, 예를 들어, 20μm, 바람직하게는, 30μm, 보다 바람직하게는, 50μm이다. 봉지용 다층 수지 시트의 두께의 상한은, 예를 들어, 6000μm, 바람직하게는, 3000μm, 보다 바람직하게는, 1500μm, 더 바람직하게는, 1000μm, 특히 바람직하게는, 500μm, 가장 바람직하게는, 300μm이다.
바람직하게는, 제 1 봉지용 수지 시트의 두께는, 상기한 범위 중, 특정 범위이며, 또한, 제 2 봉지용 수지 시트의 두께는, 상기한 범위 중, 특정 범위이다.
구체적으로는, 제 2 봉지용 수지 시트의 두께는, 제 1 봉지용 수지 시트의 두께보다도, 크고, 상세하게는, 제 1 봉지용 수지 시트의 두께의 하한이, 예를 들어, 30μm, 바람직하게는, 40μm이며, 제 1 봉지용 수지 시트의 두께의 상한이, 예를 들어, 100μm, 바람직하게는, 70μm인 경우에, 제 2 봉지용 수지 시트의 두께의 하한이, 예를 들어, 50μm이고, 제 2 봉지용 수지 시트의 두께의 상한이, 500μm, 바람직하게는, 300μm이다. 봉지용 다층 수지 시트의 두께의 하한은, 예를 들어, 80μm, 바람직하게는, 100μm, 보다 바람직하게는, 200μm이다. 봉지용 다층 수지 시트의 두께의 상한은, 예를 들어, 600μm, 바람직하게는, 300μm이다.
이와 같은 경우에는, 봉지용 다층 수지 시트의 휨을 억제할 수 있다. 또한, 제 1 봉지용 수지 시트로부터, 제 1 무기 충전재가 배출되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 제 1 봉지용 수지 시트의 선팽창 계수의 상한은, 90ppm/℃, 바람직하게는, 80ppm/℃, 보다 바람직하게는, 75ppm/℃, 더 바람직하게는, 70ppm/℃, 특히 바람직하게는, 60ppm/℃이다. 제 1 봉지용 수지 시트의 선팽창 계수의 상한은, 낮은 편이 바람직하다. 한편, 제 1 봉지용 수지 시트의 선팽창 계수의 상한이 지나치게 낮으면 제 1 무기 충전재의 양이 지나치게 많아지기 때문에 시트의 성형성이 저하된다. 제 1 봉지용 수지 시트의 선팽창 계수의 하한은, 예를 들어, 20ppm/℃여도 된다.
또한, 제 2 봉지용 수지 시트의 선팽창 계수의 상한은, 예를 들어, 50ppm/℃, 바람직하게는, 40ppm/℃, 보다 바람직하게는, 20ppm/℃이다. 제 2 봉지용 수지 시트의 선팽창 계수의 상한은, 낮은 편이 바람직하다. 한편, 제 2 봉지용 수지 시트의 선팽창 계수의 상한이 지나치게 낮으면 제 2 무기 충전재의 양이 지나치게 많아지기 때문에 시트의 성형성이 저하된다.
제 2 봉지용 수지 시트의 선팽창 계수의 하한은, 예를 들어, 5ppm/℃여도 된다.
제 1 봉지용 수지 시트의 선팽창 계수가, 상기 상한 이하이며, 또한, 제 2 봉지용 수지 시트의 선팽창 계수가, 상기 상한 이하이면, 봉지용 다층 수지 시트의 휨을 억제할 수 있다.
한편, 상기의 선팽창 계수의 측정 방법은, 후술하는 실시예에 있어서, 상술한다.
그 다음에, 봉지용 다층 수지 시트에 의해, 소자의 일례로서의 전자 소자를 봉지하여, 전자 소자 패키지(50)를 제조하는 방법을, 도 1A∼도 1D를 참조하여 설명한다.
이 방법에서는, 도 1A에 나타내는 바와 같이, 우선, 제 1 봉지용 수지 시트(1)와, 제 2 봉지용 수지 시트(12)를 두께 방향 일방을 향해 순차로 구비하는 봉지용 다층 수지 시트(11)를 준비한다(준비 공정). 봉지용 다층 수지 시트(11)는, 두께 방향으로 서로 대향하는 두께 방향 일방면 및 타방면을 갖는다.
별도로, 도 1B에 나타내는 바와 같이, 전자 소자(21)를 준비한다.
전자 소자(21)는, 전자 부품을 포함하고 있고, 예를 들어, 기판(22)에 복수 실장되어 있다. 복수의 전자 소자(21)와, 기판(22)은, 소자 실장 기판(24)에, 범프(23)와 함께, 구비된다. 즉, 이 소자 실장 기판(24)은, 복수의 전자 소자(21)와, 기판(22)과, 범프(23)를 구비한다.
기판(22)은, 면방향으로 연장되는 대략 평판 형상을 갖는다. 기판(22)의 두께 방향 일방면(25)에는, 전자 소자(21)의 전극(도시하지 않음)과 전기적으로 접속되는 단자(도시하지 않음)가 마련되어 있다.
복수의 전자 소자(21)의 각각은, 면방향으로 연장되는 대략 평판 형상(칩 형상)을 갖는다. 복수의 전자 소자(21)는, 서로 면방향으로 간격을 띄워 배치되어 있다. 복수의 전자 소자(21)의 두께 방향 타방면(28)은, 기판(22)의 두께 방향 일방면(25)에 평행하다. 복수의 전자 소자(21)의 각각의 두께 방향 타방면(28)에는, 전극(도시하지 않음)이 마련되어 있다. 전자 소자(21)의 전극은, 다음에 설명하는 범프(23)를 개재시켜, 기판(22)의 단자와 전기적으로 접속되어 있다. 한편, 전자 소자(21)의 두께 방향 타방면(28)은, 기판(22)의 두께 방향 일방면(25)과의 사이의 간극(공간)(26)이 띄워진다.
인접하는 전자 소자(21)의 간격의 하한은, 예를 들어, 50μm, 바람직하게는, 100μm, 보다 바람직하게는, 200μm이다. 인접하는 전자 소자(21)의 간격의 상한은, 예를 들어, 10mm, 바람직하게는, 5mm, 보다 바람직하게는, 1mm이다. 인접하는 전자 소자(21)의 간격이 상기 상한 이하이면, 기판(22)에 보다 많은 전자 소자(21)를 실장할 수 있어, 공간절약화할 수 있다.
범프(23)는, 복수의 전자 소자(21)의 각각의 전극(도시하지 않음)과, 기판(22)의 각각의 단자를 전기적으로 접속한다. 범프(23)는, 전자 소자(21)의 전극과 기판(22)의 단자 사이에 배치된다. 범프(23)의 재료로서는, 예를 들어, 땜납, 금 등의 금속 등을 들 수 있다. 범프(23)의 두께는, 간극(26)의 두께(높이)에 상당한다. 범프(23)의 두께는, 소자 실장 기판(24)의 용도 및 목적에 따라 적절히 설정된다.
그 다음에, 도 1B에 나타내는 바와 같이, 봉지용 다층 수지 시트(11)를, 복수의 전자 소자(21)에 배치한다(배치 공정). 구체적으로는, 봉지용 다층 수지 시트(11)의 두께 방향 타방면(제 1 봉지용 수지 시트(1)측)을, 복수의 전자 소자(21)의 두께 방향 일방면에 접촉시킨다.
그 다음에, 도 1C에 나타내는 바와 같이, 봉지용 다층 수지 시트(11) 및 소자 실장 기판(24)을, 프레스한다(봉지 공정). 바람직하게는, 봉지용 다층 수지 시트(11) 및 소자 실장 기판(24)을, 열프레스한다.
예를 들어, 2개의 평판을 구비하는 프레스(27)에 의해, 봉지용 다층 수지 시트(11) 및 소자 실장 기판(24)을 두께 방향으로 끼우면서, 그들을 프레스한다. 한편, 프레스(27)의 평판에는, 예를 들어, 도시하지 않는 열원이 구비된다.
봉지용 다층 수지 시트(11)의 프레스에 의해, 제 1 봉지용 수지 시트(1)는, 전자 소자(21)의 외형에 대응하여 소성 변형된다. 제 1 봉지용 수지 시트(1)의 두께 방향 타방면은, 복수의 전자 소자(21)의 두께 방향 일방면 및 주측면(周側面)에 대응하는 형상으로 변형된다.
한편, 제 1 봉지용 수지 시트(1)는, B 스테이지를 유지하면서, 소성 변형된다.
이것에 의해, 제 1 봉지용 수지 시트(1)는, 복수의 전자 소자(21)의 각각의 주측면을 피복하면서, 평면시에 있어서, 전자 소자(21)와 중복하지 않는 기판(22)의 두께 방향 일방면(25)에 접촉한다.
한편, 제 2 봉지용 수지 시트(12)는, 층상 규산염 화합물을 함유하지 않으므로, 프레스되어도, 유동성이 향상되지 않고, 낮은 채이며, 인접하는 전자 소자(21) 사이에 침입하는 것이 억제된다.
프레스 조건(압력, 시간, 추가로, 온도 등)은, 특별히 한정되지 않고, 복수의 전자 소자(21) 사이에 제 1 봉지용 수지 시트(1)를 침입시킬 수 있는 한편, 소자 실장 기판(24)이 손상되지 않는 조건이 선택된다. 보다 구체적으로는, 프레스 조건은, 제 1 봉지용 수지 시트(1)가 유동하여, 인접하는 전자 소자(21) 사이에 침입하여, 복수의 전자 소자(21)의 각각의 주측면을 피복하면서, 전자 소자(21)와 평면시로 중복하지 않는 기판(22)의 두께 방향 일방면(25)에 접촉할 수 있도록, 설정된다.
구체적으로는, 프레스압의 하한은, 예를 들어, 0.01MPa, 바람직하게는, 0.05MPa이다. 프레스압의 상한은, 예를 들어, 10MPa, 바람직하게는, 5MPa이다. 프레스 시간의 하한은, 예를 들어, 0.3분, 바람직하게는, 0.5분이다. 프레스 시간의 상한은, 예를 들어, 10분, 바람직하게는, 5분이다.
구체적으로는, 가열 온도의 하한은, 예를 들어, 40℃, 바람직하게는, 60℃이다. 가열 온도의 상한은, 예를 들어, 100℃, 바람직하게는, 95℃이다.
이것에 의해, 봉지용 다층 수지 시트(11)로부터, 복수의 전자 소자(21)를 봉지하는 봉지체(31)가 형성(제작)된다. 봉지체(31)의 두께 방향 일방면은, 평탄면이 된다.
이 때, 봉지체(31)는, 간극(전자 소자(21) 및 기판(22) 사이의 간극)(26)에 약간 침입하는 것이 허용된다. 구체적으로는, 봉지체(31)는, 전자 소자(21)의 측단연을 기준으로 하여, 봉지체(31)가 간극(26)에 침입하는 봉지체 침입 길이 X(도 3C 참조)를 갖는 것이 허용된다.
구체적으로는, 봉지체 침입 길이 X의 상한은, 경화체 침입 길이 Y의 목적으로 하는 상한치에 따라서 적절히 설정할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들어, 봉지체 침입 길이 X의 상한은, 50μm, 바람직하게는, 30μm여도 된다. 한편, 봉지체 침입 길이 X의 하한은, 예를 들어, -15μm인 것이 중요하다.
그 후, 도 1D에 나타내는 바와 같이, 봉지체(31)를 가열하여, 봉지체(31)로부터 경화체(41)를 형성한다(경화 공정).
구체적으로는, 봉지체(31) 및 소자 실장 기판(24)을 프레스(27)로부터 꺼내고, 계속해서, 봉지체(31) 및 소자 실장 기판(24)을 건조기에서, 대기압하에서, 가열한다.
가열 온도(큐어 온도)의 하한은, 예를 들어, 100℃, 바람직하게는, 120℃이다. 가열 온도(큐어 온도)의 상한은, 예를 들어, 200℃, 바람직하게는, 180℃이다. 가열 시간의 하한은, 예를 들어, 10분, 바람직하게는, 30분이다. 가열 시간의 상한은, 예를 들어, 180분, 바람직하게는, 120분이다.
상기한 봉지체(31)의 가열에 의해, 봉지체(31)로부터, C 스테이지화(완전 경화)된 경화체(41)가 형성된다. 경화체(41)의 두께 방향 일방면은, 노출면이다.
한편, 간극으로의 약간의 침입이 허용된 봉지체(31)의 단연이, 간극(26)의 내부에 추가로 약간 침입하여, 경화체(41)가 되는 것이 허용되지만, 상세하게는 후술하지만, 제 1 봉지용 수지 시트(1)에 대한 제 1 무기 충전재의 함유 비율(B)와, 제 2 봉지용 수지 시트(12)에 대한 제 2 무기 충전재의 함유 비율(A)가, 소정의 비율 및 소정의 관계이기 때문에, 그 정도는, 가급적 작게 억제된다. 구체적으로는, 경화체(41)는, 전자 소자(21)의 측단연을 기준으로 하여, 경화체(41)가 간극(26)에 침입하는 경화체 침입 길이 Y(도 3D 참조)로부터, 봉지체 침입 길이 X를 뺀 값(Y-X)(이하, 봉지체 침입량(Y-X)으로 한다.)을 작게 할 수 있다.
경화체 침입 길이 Y의 상한은, 칩이 SAW 필터 용도로 이용되는 경우는 칩 이면의 배선에 접하지 않는 범위에서 적절히 설정할 수 있다. 구체적으로는, 경화체 침입 길이 Y의 상한은, 예를 들어, 30μm, 바람직하게는, 25μm여도 된다. 한편, 경화체 침입 길이 Y의 하한은, 예를 들어, -10μm인 것이 중요하다.
그리고, 이 봉지용 다층 수지 시트(11)에서는, 제 1 봉지용 수지 시트(1)에 대한 제 1 무기 충전재의 함유 비율(B)와, 제 2 봉지용 수지 시트(12)에 대한 제 2 무기 충전재의 함유 비율(A)가, 소정의 비율 및 소정의 관계이다. 그 때문에, 이 봉지용 다층 수지 시트(11)를 전자 소자(21)에 배치하고, 이 봉지용 다층 수지 시트(11)(봉지체(31))를 가열하여, 도 1D에 나타내는 바와 같이, 경화체(41)를 형성할 경우에, 전자 소자(21) 및 기판(22) 사이의 간극(26)으로의 경화체(41)의 침입량을 저감시킬 수 있다.
상세하게는, 제 1 재료에 대한 제 1 무기 충전재의 함유 비율(B)의 하한은, 50질량%, 바람직하게는, 52질량%, 보다 바람직하게는, 55질량%, 더 바람직하게는, 57질량%, 특히 바람직하게는, 60질량%, 가장 바람직하게는, 62질량%이다. 제 1 재료에 대한 제 1 무기 충전재의 함유 비율(B)의 상한은, 예를 들어, 80질량%, 바람직하게는, 75질량%, 보다 바람직하게는, 72질량%, 더 바람직하게는, 70질량%, 특히 바람직하게는, 68질량%이다.
제 1 재료에 대한 제 1 무기 충전재의 함유 비율(B)가, 상기 하한 이상이면, 도 1C에 나타내는 공정에 있어서의 봉지용 수지 시트(1)를 유동시킬 수 있다.
또한, 제 2 재료에 대한 제 2 무기 충전재의 함유 비율(A)의 하한은, 60질량%, 바람직하게는, 65질량%, 보다 바람직하게는, 70질량%, 더 바람직하게는,질량%, 특히 바람직하게는, 82질량%이다. 제 2 재료에 대한 제 2 무기 충전재의 함유 비율(A)의 상한은, 예를 들어, 95질량%, 바람직하게는 90질량%, 보다 바람직하게는, 87질량%, 더 바람직하게는, 86질량%이다.
제 2 재료에 대한 제 2 무기 충전재의 함유 비율(A)가, 상기 하한 이상이면, 도 1C에 나타내는 공정에 있어서의 제 2 봉지용 수지 시트(12)를 유동시킬 수 있다.
또한, 제 1 봉지용 수지 시트(1)에 대한 제 1 무기 충전재의 함유 비율(B)와, 제 2 봉지용 수지 시트(12)에 대한 제 2 무기 충전재의 함유 비율(A)가, 하기 식(1)을 만족한다.
0.4A＋1.7B＜160 (1)
이상으로부터, 제 1 봉지용 수지 시트(1)에 대한 제 1 무기 충전재의 함유 비율(B)와, 제 2 봉지용 수지 시트(12)에 대한 제 2 무기 충전재의 함유 비율(A)가, 소정의 비율 및 소정의 관계라는 것은, 상기 제 1 무기 충전재의 함유 비율(B)의 하한이, 상기 하한 이상이고, 또한, 상기 제 2 무기 충전재의 함유 비율(A)의 하한이, 상기 하한 이상이며, 또한, 상기 제 1 무기 충전재의 함유 비율(B)와 상기 제 2 무기 충전재의 함유 비율(A)가, 상기 식(1)을 만족하는 것을 의미하고, 구체적으로는, 제 1 봉지용 수지 시트(1)에 대한 제 1 무기 충전재의 함유 비율(B)와, 제 2 봉지용 수지 시트(12)에 대한 제 2 무기 충전재의 함유 비율(A)가, 도 2의 사선 부분의 범위인 것을 의미한다.
제 1 봉지용 수지 시트(1)에 대한 제 1 무기 충전재의 함유 비율(B)와, 제 2 봉지용 수지 시트(12)에 대한 제 2 무기 충전재의 함유 비율(A)가, 이와 같은 범위 내이면, 경화체(41)를 형성할 경우에, 전자 소자(21) 및 기판(22) 사이의 간극(26)으로의 경화체(41)의 침입량을 저감시킬 수 있다. 더욱이, 전자 소자(21) 및 기판(22) 사이로의 경화체의 침입량을 적절한 값으로 제어할 수 있다.
한편, 제 1 재료에 대한 제 1 무기 충전재의 함유 비율(B)가, 상기 하한 미만이면(상세하게는, 도 2에 있어서의 영역 A), 신뢰성이 저하된다.
또한, 제 2 재료에 대한 제 2 무기 충전재의 함유 비율(A)의 하한이, 상기 하한 미만이면(상세하게는, 도 2에 있어서의 영역 B), 신뢰성이 저하된다.
또한, 제 1 봉지용 수지 시트(1)에 대한 제 1 무기 충전재의 함유 비율(B)와, 제 2 봉지용 수지 시트(12)에 대한 제 2 무기 충전재(12)의 함유 비율(A)가, 하기 식(2)를 만족하는 경우에는(상세하게는, 도 2에 있어서의 영역 C), 제 1 봉지용 수지 시트(1) 및 제 2 봉지용 수지 시트(12)의 성형성이 저하된다.
0.4A＋1.7B≥160 (2)
특히, 봉지용 수지 시트(1) 및 제 2 봉지용 수지 시트(12)가, 50℃ 이상, 130℃ 이하의 연화점을 갖는 에폭시 수지의 주제를 함유하면, 도 1C에 나타내는 공정에 있어서, 봉지용 수지 시트(1) 및 제 2 봉지용 수지 시트(12)를 유동시킬 수 있다. 따라서, 도 1C에 나타내는 공정의 시간 단축, 및 도 1C에 나타내는 공정에 있어서의 제 2 봉지용 수지 시트(12)의 두께 방향 일방면을 평탄하게 할 수 있다.
더욱이, 봉지용 수지 시트(1) 및 제 2 봉지용 수지 시트(12)가, 에폭시 수지의 주제와 함께 페놀 수지를 경화제로서 함유하면, 경화체(41)가, 높은 내열성과 높은 내약품성을 갖는다. 따라서, 경화체(41)는, 봉지 신뢰성이 우수하다.
한편, 도 1C에 나타내는 공정에 있어서, 제 2 봉지용 수지 시트(12)는, 압압력(押壓力)을 받아 유동화되어, 두께 방향 일방면이 평탄하게 된다. 또한, 도 1C에 나타내는 공정에 있어서, 봉지용 다층 수지 시트(11)에서는, 전술한 바와 같이, 제 2 봉지용 수지 시트(12)와 함께 봉지용 수지 시트(1)가, 압압력을 받아 연화 유동하여, 전자 소자(21)의 외형에 추종하여 변형된다. 도 1C에 나타내는 공정에서는, 봉지용 수지 시트(1)가, 간극(26)에 약간 진입하는 것이 허용된다.
변형예
이하의 각 변형예에 있어서, 상기한 일 실시형태와 마찬가지의 부재 및 공정에 대해서는, 동일한 참조 부호를 붙이고, 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 각 변형예는, 특기하는 이외, 일 실시형태와 마찬가지의 작용 효과를 발휘할 수 있다. 더욱이, 일 실시형태, 그 변형예를 적절히 조합할 수 있다.
봉지용 다층 수지 시트(11)에 있어서의 제 1 봉지용 수지 시트(1) 및/또는 제 2 봉지용 수지 시트(12)는, 다층이어도 된다.
소자의 일례로서, 기판(22)의 두께 방향 일방면(25)에 대해서 간극(26)을 띄워 배치되는 전자 소자(21)를 들고, 이것을 봉지용 다층 수지 시트(11)로 봉지했지만, 예를 들어, 도시하지 않지만, 기판(22)의 두께 방향 일방면(25)에 접촉하는 전자 소자(21)를 들 수 있고, 이것을 봉지용 다층 수지 시트(11)로 봉지할 수 있다.
또한, 소자의 일례로서 전자 소자(21)를 들었지만, 반도체 소자를 들 수도 있다. 한편, 전자 소자로서는, 구체적으로는 표면 탄성파 필터(SAW 필터) 등을 들 수 있다.
실시예
이하에 조제예, 비교 조제예, 실시예 및 비교예를 나타내어, 본 발명을 더 구체적으로 설명한다. 한편, 본 발명은, 어떤 조제예, 비교 조제예, 실시예 및 비교예로 한정되지 않는다.
또한, 이하의 기재에 있어서 이용되는 배합 비율(함유 비율), 물성치, 파라미터 등의 구체적 수치는, 상기의 「발명을 실시하기 위한 구체적인 내용」에 있어서 기재되어 있는, 그들에 대응하는 배합 비율(함유 비율), 물성치, 파라미터 등 해당 기재의 상한(「이하」, 「미만」으로서 정의되어 있는 수치) 또는 하한(「이상」, 「초과」로서 정의되어 있는 수치)으로 대체할 수 있다.
조제예 및 비교 조제예에서 사용한 각 성분을 이하에 나타낸다.
층상 규산염 화합물: 호준사제의 에스벤 NX(표면이 다이메틸다이스테아릴암모늄으로 변성된 유기화 벤토나이트)
에폭시 수지 1: 신닛테쓰 화학사제의 YSLV-80XY(비스페놀 F형 에폭시 수지, 고분자량 에폭시 수지, 에폭시 당량 200g/eq., 고체, 연화점 80℃)
에폭시 수지 2: 미쓰비시 케미컬사제의 JER630(트라이글리시딜아미노페놀(글리시딜아민형 에폭시 수지)), 에폭시 당량 90g/eq.∼105g/eq., 액상
페놀 수지 1: 군에이 화학사제의 LVR-8210DL(노볼락형 페놀 수지, 잠재성 경화제, 수산기 당량: 104g/eq., 고체, 연화점: 60℃)
페놀 수지 2: 군에이 화학사제의 TPM-100(트리스하이드록시페닐메테인형 노볼락 수지), 수산기 당량: 98g/eq.
아크릴 수지 1: 네가미 공업사제의 HME-2006M, 카복실기 함유의 아크릴산 에스터 코폴리머(아크릴 수지), 산가: 32, 작용기수: 736, 중량 평균 분자량: 1290000, 유리 전이 온도(Tg): -13.9℃, 고형분 농도 20질량%의 메틸 에틸 케톤 용액
실레인 커플링제: 신에쓰 화학사제의 KBM-403(3-글리시독시프로필트라이메톡시실레인)
제 1 필러: FB-8SM(구상 용융 실리카 분말), 평균 입자경 7.0μm)
제 2 필러: 아드마텍스사제의 SC220G-SMJ(평균 입경 0.5μm)를 3-메타크릴옥시프로필트라이메톡시실레인(신에쓰 화학사제의 제품명: KBM-503)으로 표면 처리한 무기 필러(비정질 실리카 및 표면 처리된 비정질 실리카), 무기 필러의 100질량부에 대해서 1질량부의 실레인 커플링제로 표면 처리한 무기 입자
경화 촉진제: 시코쿠 화성공업사제의 2PHZ-PW(2-페닐-4,5-다이하이드록시메틸이미다졸)
용매: 메틸 에틸 케톤(MEK)
카본 블랙: 미쓰비시 화학사제의 ＃20, 입자경 50nm
＜제 1 봉지용 수지 시트의 조제＞
조제예 1∼조제예 10
표 1에 기재된 배합 처방에 따라, 재료의 바니시를 조제했다. 바니시를 박리 시트의 표면에 도포한 후, 120℃에서, 2분간 건조시켜, 두께 50μm의 봉지용 수지 시트(1)를 제작했다. 제 1 봉지용 수지 시트(1)는, B 스테이지였다.
＜제 2 봉지용 수지 시트의 조제＞
조제예 11∼조제예 17
표 2에 기재된 배합 처방에 따라, 재료의 바니시를 조제했다. 바니시를 박리 시트의 표면에 도포한 후, 120℃에서, 2분간 건조시켜, 두께 52.5μm의 제 2 봉지용 수지 시트(12)용 전구체를 제작하고, 이 제 2 봉지용 수지 시트(12)용 전구체를 4매 적층시켜, 두께 210μm의 제 2 봉지용 수지 시트(12)를 제작했다. 제 2 봉지용 수지 시트(12)는, B 스테이지였다.
실시예 1∼33 및 비교예 1∼비교예 23
표 3에 나타내는 바와 같은 조제예의 조합으로, 제 1 봉지용 수지 시트(1)의 두께 방향 일방측에, 제 2 봉지용 수지 시트(12)를 배치하여, 두께 260μm의 봉지용 다층 수지 시트(11)를 제작했다.
한편, 비교예 22 및 비교예 23은, 신뢰성이 낮아, 침입량 이외의 특성의 관점에서, 사용이 불가였다.
평가
＜경화체 침입 길이의 측정＞
하기의 스텝 A∼스텝 E를 실시하여, 경화체 침입 길이 Y를 측정했다.
스텝 A: 도 3A에 나타내는 바와 같이, 각 실시예 및 각 비교예의 봉지용 다층 수지 시트(11)로부터, 세로 10mm, 가로 10mm, 두께 260μm의 샘플 시트(61)를 준비한다.
스텝 B: 도 3B에 나타내는 바와 같이, 세로 3mm, 가로 3mm, 두께 200μm의 더미 소자(71)가, 두께 20μm의 범프(23)를 개재시켜 유리 기판(72)에 실장된 더미 소자 실장 기판(74)을 준비한다.
스텝 C: 도 3C에 나타내는 바와 같이, 샘플 시트(61)에 의해, 더미 소자 실장 기판(74)에 있어서의 더미 소자(71)를, 진공 평판 프레스에 의해, 온도 65℃, 압력 0.1MPa, 진공도 1.6kPa, 프레스 시간 1분으로 봉지하여, 샘플 시트(61)로부터 봉지체(31)를 형성한다.
스텝 D: 도 3D에 나타내는 바와 같이, 봉지체(31)를, 150℃, 대기압하, 1시간 가열에 의해 열경화시켜, 봉지체(31)로부터 경화체(41)를 형성한다.
스텝 E: 도 3D의 확대도에 나타내는 바와 같이, 더미 소자(71)의 측단연을 기준으로 하여, 측단연으로부터 더미 소자(71)와 유리 기판(72)의 간극(26)에 경화체(41)가 침입하는 경화체 침입 길이 Y를 측정한다.
얻어진 경화체 침입 길이 Y를 표 3에 나타낸다.
한편, 평가 중, 「마이너스」는, 더미 소자(71)의 측단연보다 외측으로 돌출하는 공간(도 1D의 굵은 파선 참조)이 형성되는 것을 의미한다. 「마이너스」의 절대치가, 그 공간의 돌출 길이에 상당한다.
＜유리 전이 온도의 측정＞
각 실시예 및 각 비교예의 제 1 봉지용 수지 시트(1) 및 제 2 봉지용 수지 시트(12)의 유리 전이 온도를, 동적 점탄성 측정 장치(DMA, 주파수 1Hz, 인장 모드, 승온 속도 10℃/min)를 이용하여 측정되는 손실 정접(tanδ)의 극대치에 의해, 측정했다.
그 결과를 표 3에 나타낸다.
＜선팽창 계수의 측정＞
각 실시예 및 각 비교예의 제 1 봉지용 수지 시트(1) 및 제 2 봉지용 수지 시트(12)의 선팽창 계수를, 열기계 측정 장치(TMA)에 의해, 이하의 조건에 기초하여 측정했다. 그 결과를 표 3에 나타낸다.
(측정 조건)
열기계 측정 장치(TMA): TMA(티·에이·인스트루먼트·재팬사제)
샘플 사이즈: 4.5mm×20mm
모드: 인장 모드
승온 속도: 5℃/분
측정 온도 범위: 25℃로부터 260℃
고찰
실시예 1∼33 및 비교예 1∼비교예 23에 있어서의 제 1 재료에 대한 제 1 무기 충전재의 함유 비율(B)와, 제 2 재료에 대한 제 2 무기 충전재의 함유 비율(A)의 관계를 나타내는 그래프를 도 4에 나타낸다.
이 때, 경화체 침입 길이를 낮게 할 수 있는 제 1 무기 충전재의 함유 비율(B)와, 제 2 재료에 대한 제 2 무기 충전재의 함유 비율(A)의 범위(도 4의 사선 부분)는, 도 4의 관계식(B≥50, A≥60, 0.4A＋1.7B＜160)에 의해 정해짐을 알 수 있었다.
상세하게는, 상기의 범위에 포함되는 실시예 1∼33에서는, 상기 범위에 포함되지 않는 비교예 1∼비교예 23에 비해, 얻어진 전자 소자 패키지는, 적당한 경화체 침입 길이로 성형되고 있다.
Figure pct00001
Figure pct00002
Figure pct00003
한편, 상기 발명은, 본 발명의 예시의 실시형태로서 제공했지만, 이것은 단순한 예시에 지나지 않고, 한정적으로 해석해서는 안 된다. 당해 기술분야의 당업자에 의해 분명한 본 발명의 변형예는, 후기 청구범위에 포함되는 것이다.
봉지용 다층 수지 시트는, 소자의 봉지에 이용된다.
1 제 1 봉지용 수지 시트
11 봉지용 다층 수지 시트
12 제 2 봉지용 수지 시트

Claims (3)

  1. 제 1 봉지용 수지 시트와, 제 2 봉지용 수지 시트를 두께 방향 일방을 향해 순차로 구비하고,
    상기 제 1 봉지용 수지 시트는, 층상 규산염 화합물 및 제 1 무기 충전재를 포함하고,
    상기 제 2 봉지용 수지 시트는, 제 2 무기 충전재를 포함하고,
    상기 제 1 봉지용 수지 시트에 대한 상기 제 1 무기 충전재의 함유 비율(B)는, 50질량% 이상이고,
    상기 제 2 봉지용 수지 시트에 대한 상기 제 2 무기 충전재의 함유 비율(A)는, 60질량% 이상이고,
    상기 제 1 봉지용 수지 시트에 대한 상기 제 1 무기 충전재의 함유 비율(B)와, 상기 제 2 봉지용 수지 시트에 대한 상기 제 2 무기 충전재의 함유 비율(A)가, 하기 식(1)을 만족하는 것을 특징으로 하는, 봉지용 다층 수지 시트.
    0.4A＋1.7B＜160 (1)
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 봉지용 수지 시트의 두께가, 30μm 이상 100μm 이하이며,
    상기 제 2 봉지용 수지 시트의 두께가, 50μm 이상 500μm 이하인 것을 특징으로 하는, 봉지용 다층 수지 시트.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 봉지용 수지 시트의 선팽창 계수가, 80ppm/℃ 이하이며,
    상기 제 2 봉지용 수지 시트의 선팽창 계수가, 50ppm/℃ 이하인 것을 특징으로 하는, 봉지용 다층 수지 시트.
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