WO2014092395A1 - 분말 플라즈마 처리 장치 - Google Patents

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WO2014092395A1
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plasma
surface discharge
powder
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processing apparatus
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석동찬
정용호
정현영
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한국기초과학지원연구원
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    • H05H1/2431—Generating plasma using dielectric barrier discharges, i.e. with a dielectric interposed between the electrodes using cylindrical electrodes, e.g. rotary drums

Definitions

  • the present invention relates to a powder plasma processing apparatus, and relates to a powder plasma processing apparatus for uniformly treating powder using a cylindrical surface discharge module.
  • Plasma refers to an ionized gas, and excitation using energy to a gas composed of atoms or molecules forms a plasma composed of electrons, ions, decomposed gases, photons, and the like.
  • Such plasma is widely used for the surface treatment of a to-be-processed object (for example, a board
  • Pulsed corona discharge is a technique for generating plasma using a high voltage pulse power supply, and dielectric film discharge forms a dielectric on at least one of the two electrodes and applies a power source having a frequency of several tens of Hz to several MHz to the two electrodes. It is a technique to generate.
  • DBD Dynamic Barrier Discharge
  • Such a plasma processing apparatus has no particular difficulty in treating one surface or both surfaces in the case of a plate-like member such as a substrate because the object to be disposed is disposed between the flat electrode causing the discharge, but when the object to be treated is a powder, Difficult to handle the entire area. Therefore, when the object to be processed is a powder, a plasma processing apparatus for treating the object to be processed is required.
  • the present inventors have recognized the problems of the prior arts, and after the study, by introducing the following configuration, solved the problems of the conventional plasma processing apparatus, furthermore, the contact time with the plasma to be treated is controlled, uniform
  • a powder plasma processing apparatus has been developed which can provide an efficient method for powder processing.
  • the present invention relates to a powder plasma processing apparatus of a cylindrical surface discharge plasma module, wherein an outer surface of the cylindrical surface discharge plasma module is a substrate type electrode layer, an insulating layer is provided on an inner surface side of the substrate type electrode layer, and a plasma generating electrode is positioned on the insulating layer.
  • the cylindrical surface discharge plasma module is rotated, an alternating voltage is applied to the plasma generating electrode and the substrate-type electrode, and plasma is generated around the plasma generating electrode, and the powder for plasma treatment is the cylindrical surface discharge plasma.
  • a powder plasma processing apparatus is provided, which is processed by the plasma in a module.
  • the plasma generating electrodes are arranged on the insulating layer at intervals along the circumferential direction of the surface discharge plasma module, and extend along the length direction of the surface discharge plasma module.
  • the plasma generating electrode is arranged in a plurality of intervals along the longitudinal direction of the surface discharge plasma module on the insulating layer, and extends along the circumferential direction of the surface discharge plasma module.
  • a high voltage is applied to the substrate type electrode layer, and the plasma generating electrode is a ground electrode.
  • a high voltage is applied to the plasma generating electrode, and the substrate type electrode layer is a ground electrode.
  • the apparatus includes a drive unit.
  • the driving unit is configured to rotate the cylindrical surface discharge plasma module in a state in which the cylindrical surface discharge plasma module is placed horizontally.
  • the specific manner for rotating the cylindrical surface discharge plasma module is not a feature of the present invention, and it will be appreciated that various ways in which the cylindrical surface discharge plasma module can be rotated may be used in the present invention.
  • the drive unit includes a rotation speed control unit.
  • the rotational speed control unit is configured to control the speed at which the driving unit rotates the cylindrical surface discharge plasma module. It will be appreciated that various ways in which the drive can control the speed at which the cylindrical surface discharge plasma module is rotated can be used in the present invention.
  • the powder can be treated uniformly, and the powder is treated in an efficient manner by controlling the time for which the powder is in contact with the plasma.
  • FIG. 1 is a perspective view showing a surface discharge plasma module of the powder plasma processing apparatus according to the present invention.
  • FIG. 2 is a side view of FIG. 1;
  • Figure 3 is a perspective view showing another example of the form in which the ground electrode of the powder plasma processing apparatus according to the present invention are arranged.
  • first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.
  • the first component may be referred to as the second component, and similarly, the second component may also be referred to as the first component.
  • FIG. 1 is a perspective view showing a surface discharge plasma module of the powder plasma processing apparatus according to the present invention
  • Figure 2 is a side view of FIG.
  • the powder plasma processing apparatus is a cylindrical surface discharge plasma module 110 is used.
  • the surface discharge plasma module 110 includes a substrate type electrode layer 111, an insulating layer 112, and a plasma generating electrode 113.
  • the substrate type electrode layer 111 forms an outer surface of the cylindrical surface discharge plasma module 110.
  • the insulating layer 112 insulates the substrate type electrode layer 111 and the plasma generating electrode 113 from each other, and the insulating layer 112 is formed on the inner surface side of the substrate type electrode layer 111.
  • MgO, MgF 2, LiF, CaF 2, alumina, glass, ceramic, magnesium oxide, or the like may be used as a material of the insulating layer 112.
  • a plurality of plasma generating electrodes 113 are arranged on the insulating layer 112, and plasma is generated around the plasma generating electrodes 113.
  • the plasma generating electrode 113 may have a bar shape and may protrude from the insulating layer 112.
  • the arrangement of the plasma generating electrodes 113 may be, for example, a form in which a plurality of the plasma generating electrodes 113 are arranged at intervals along the circumferential direction of the cylindrical surface discharge plasma module 110, and the plasma generating electrodes 113 are surface discharged. It may have a form extending in the longitudinal direction of the plasma module 110.
  • the plasma generating electrode 113 may have a shape in which a plurality of plasma generating electrodes 113 are arranged at intervals along the length direction of the cylindrical surface discharge plasma module 110.
  • the discharge plasma module 110 may extend in a circumferential direction.
  • a high voltage is applied to the substrate-type electrode layer 111, the plasma generating electrode 113 is a ground electrode.
  • the substrate type electrode layer 111 is a ground electrode, and a high voltage is applied to the plasma generating electrode 113.
  • the surface discharge plasma module 110 generates a plurality of plasmas by applying an alternating voltage to the plurality of plasma generating electrodes 113 and the substrate type electrode layer 111 from the plasma power supply device 120 and injecting a plasma reaction gas. Plasma is generated around the electrode 113.
  • the plasma reaction gas is, for example, a gas containing an oxygen component such as O 2 , N 2 O, a gas containing a fluorine component such as CF 4 , SF 6 , a gas containing a chlorine component such as Cl 2 , BCl 3 , Ar Or inert gases such as N 2 may be used alone or in combination.
  • the surface discharge plasma module 110 may be open at both sides in the longitudinal direction, it may be possible to supply and withdraw (recover) the powder through the opening. Then, the surface discharge plasma module 110 is rotated, the surface treatment of the powder by the plasma is made.
  • the present invention includes a driving unit for the rotation of the surface discharge plasma module 110.
  • the driving unit may rotate the surface discharge plasma module 110, for example, a power means such as a driving motor may be connected to the surface discharge plasma module 110.
  • the driving unit is sufficient if the shape capable of rotating the surface discharge plasma module 110 is not particularly limited thereto.
  • the drive unit includes a rotation speed control unit.
  • the rotational speed control unit is configured to control the speed at which the driving unit rotates the cylindrical surface discharge plasma module 110.
  • the rotational speed controller may be in the form of a control box or in the form of a programmable logic controller (PLC).
  • PLC programmable logic controller
  • the powder is introduced into the surface discharge plasma module 110.
  • An alternating voltage is applied from the plasma power supply 120 to the substrate type electrode layer 111 and the plurality of plasma generating electrodes 113, and a reaction gas is injected to generate plasma around the plasma generating electrodes 113.
  • the surface discharge plasma module 110 is rotated by the driver.
  • the powders inside the surface discharge plasma module 110 are lifted and dropped along the rotation direction of the rotated surface discharge plasma module 110. This process is repeated while the surface discharge plasma module 110 is rotated. At this time, the powders are in contact with the plasma.
  • the rotational speed of the surface discharge plasma module 110 is adjusted.
  • the surface discharge plasma module 110 is formed in a cylindrical shape, and the powder is uniformly processed while rotating the cylindrical surface discharge plasma module 110. Can be processed.
  • the speed at which the cylindrical surface discharge plasma module is rotated is controlled, the time for which the powder contacts the plasma can be controlled.
  • insulating layer 113 plasma generating electrode

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Abstract

분말 플라즈마 처리 장치가 개시된다. 분말 플라즈마 처리 장치는, 원통형 면방전 플라즈마 모듈의 분말 플라즈마 처리 장치로서, 상기 원통형 면방전 플라즈마 모듈의 외면은 기판형 전극층이고, 상기 기판형 전극층의 내면 측으로 절연층이 있고, 상기 절연층 위에 플라즈마 발생 전극이 위치하며, 상기 원통형 면방전 플라즈마 모듈은 회전하고, 상기 플라즈마 발생 전극과 상기 기판형 전극층에 교류 전압이 인가되어, 상기 플라즈마 발생 전극 주위에 플라즈마가 발생되고, 플라즈마 처리를 위한 분말은 상기 원통형 면방전 플라즈마 모듈 내에서 상기 플라즈마에 의해 처리된다.

Description

분말 플라즈마 처리 장치
본 발명은 분말 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로, 원통형 면방전 모듈을 이용하여 분말을 균일하게 처리하는 분말 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.
플라즈마(plasma)란 이온화된 가스를 의미하고, 원자 또는 분자로 이루어진 가스에 에너지를 이용하여 여기시키면, 전자, 이온, 분해된 가스, 및 광자(photon) 등으로 이루어진 플라즈마가 형성된다. 이러한 플라즈마는 피처리물(예를 들면, 기판 등)의 표면 처리에 널리 이용되고 있다.
플라즈마를 생성시키는 기술로는 펄스 코로나 방전(pulsed corona discharge)과 유전막 방전이 공지되어 있다. 펄스 코로나 방전은 고전압의 펄스 전원을 이용하여 플라즈마를 생성하는 기술이며, 유전막 방전은 두개의 전극 중 적어도 하나에 유전체를 형성하고 두 전극에 수십 Hz 내지 수 MHz의 주파수를 가진 전원을 인가하여 플라즈마를 생성하는 기술이다.
유전막 방전 기술로는 대표적으로 DBD(Dielectric Barrier Discharge) 방전기술이 이용되고 있다. DBD 방전기술을 이용한 플라즈마 처리장치는 평판 전극 사이에 피처리대상물을 놓고, 불활성 기체를 이용하여 유전막 방전을 일으키면, 플라즈마가 발생되고, 플라즈마를 피처리대상물의 표면에 접촉시켜 피처리대상물의 표면을 처리하게 된다.
그러나 이러한 플라즈마 처리장치는, 방전을 일으키는 평판 전극 사이에 처리대상물이 배치되므로 기판과 같은 판형 부재일 경우에는 일면 또는 양면을 처리하는데 특별한 어려움이 없지만, 피처리대상물이 분말일 경우, 피처리대상물의 전체 면적을 처리하는데 어려움이 있다. 따라서 피처리대상물이 분말일 경우에 그 피처리대상물을 처리하기 위한 플라즈마 처리장치가 요구되었다.
피처리대상물이 분말일 경우에 그 피처리대상물을 처리하기 위한 플라즈마 처리장치에 대한 종래 기술로서, 본 발명자에 의한 대한민국 특허출원번호 10-2012-0078234에 출원된 관형 플라즈마 표면 처리 장치가 있다. 이 특허는 플라즈마를 이용하여 분말의 표면 처리가 가능하지만 분말의 균일한 처리가 어려웠다.
이에, 본 발명자는 종래 기술들의 문제점을 인식하고, 연구 끝에, 아래와 같은 구성을 도입함으로서, 종래의 플라즈마 처리장치의 문제점을 해결하였고, 나아가 피처리대상물이 플라즈마와의 접촉 시간이 제어되고, 균일한 분말 처리에 효율적인 방법을 제공할 수 있는, 분말 플라즈마 처리 장치를 개발하기에 이르렀다.
본 발명은 원통형 면방전 플라즈마 모듈의 분말 플라즈마 처리 장치로서, 상기 원통형 면방전 플라즈마 모듈의 외면은 기판형 전극층이고, 상기 기판형 전극층의 내면 측으로 절연층이 있고, 상기 절연층 위에 플라즈마 발생 전극이 위치하며, 상기 원통형 면방전 플라즈마 모듈은 회전하고, 상기 플라즈마 발생 전극과 상기 기판형 전극에 교류 전압이 인가되어, 상기 플라즈마 발생 전극 주위에 플라즈마가 발생되고, 플라즈마 처리를 위한 분말은 상기 원통형 면방전 플라즈마 모듈 내에서 상기 플라즈마에 의해 처리되는, 분말 플라즈마 처리 장치가 제공된다.
일 예로, 상기 플라즈마 발생 전극은 상기 절연층 위에서, 상기 면방전 플라즈마 모듈의 원주 방향을 따라 간격을 이뤄 다수 배열되고, 상기 면방전 플라즈마 모듈의 길이 방향을 따라 연장되어 있다.
다른 예로, 상기 플라즈마 발생 전극은 상기 절연층 위에서, 상기 면방전 플라즈마 모듈의 길이 방향을 따라 간격을 이뤄 다수 배열되고, 상기 면방전 플라즈마 모듈의 원주 방향을 따라 연장되어 있다.
본 발명의 일 실시예에 따라, 상기 기판형 전극층에는 고전압이 인가되고, 상기 플라즈마 발생 전극은 접지 전극이다.
본 발명의 추가적인 실시예에 따라, 상기 플라즈마 발생 전극에는 고전압이 인가되고, 상기 기판형 전극층은 접지 전극이다.
상기 장치는, 구동부를 포함한다. 상기 구동부는 상기 원통형 면방전 플라즈마 모듈이 수평으로 놓인 상태로 상기 원통형 면방전 플라즈마 모듈을 회전시키도록 구성된다. 원통형 면방전 플라즈마 모듈을 회전시키기 위한 특정된 방식은 본 발명의 특징이 아니며, 원통형 면방전 플라즈마 모듈을 회전시킬 수 있는 다양한 방식이 본 발명에 이용될 수 있음은 인식될 것이다.
상기 구동부는 회전속도 제어부를 포함한다. 상기 회전속도 제어부는 상기 구동부가 상기 원통형 면방전 플라즈마 모듈을 회전시키는 속도를 제어하도록 구성된다. 구동부가 원통형 면방전 플라즈마 모듈을 회전시키는 속도를 제어할 수 있는 다양한 방식이 본 발명에 이용될 수 있음은 인식될 것이다.
본 발명에 따른 분말 플라즈마 처리 장치는, 분말이 균일하게 처리될 수 있고, 분말이 플라즈마에 접촉되는 시간을 제어하여, 효율적인 분말 처리가 가능하다.
도 1은 본 발명에 따른 분말 플라즈마 처리 장치의 면방전 플라즈마 모듈을 나타낸 사시도.
도 2는 도 1의 측면도.
도 3은 본 발명에 따른 분말 플라즈마 처리 장치의 접지 전극이 배열되는 형태의 다른 예를 나타낸 사시도.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 분말 플라즈마 처리장치에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
도 1은 본 발명에 따른 분말 플라즈마 처리 장치의 면방전 플라즈마 모듈을 나타낸 사시도이고, 도 2는 도 1의 측면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 분말 플라즈마 처리장치는 원통형상의 면방전 플라즈마 모듈(110)이 이용된다. 면방전 플라즈마 모듈(110)은 기판형 전극층(111), 절연층(112), 플라즈마 발생 전극(113)을 포함한다.
기판형 전극층(111)은 원통형상의 면방전 플라즈마 모듈(110)의 외면을 형성한다.
절연층(112)은 기판형 전극층(111)과 플라즈마 발생 전극(113)을 서로 절연시키고, 절연층(112)은 기판형 전극층(111)의 내면측으로 형성된다. 일 예로, 절연층(112)의 소재로는 MgO, MgF2, LiF, CaF2, 알루미나, 유리, 세라믹, 산화마그네슘 등이 사용될 수 있다.
플라즈마 발생 전극(113)은 절연층(112) 위에 다수 배열되고, 플라즈마 발생 전극(113)의 주변에 플라즈마가 발생된다. 예를 들면, 플라즈마 발생 전극(113)은 바 형태일 수 있고, 절연층(112)에서 돌출될 수 있다. 플라즈마 발생 전극(113)의 배열된 형태는, 일 예로, 원통 형상의 면방전 플라즈마 모듈(110)의 원주 방향을 따라 간격을 이뤄 다수 배열되는 형태일 수 있고, 플라즈마 발생 전극(113)은 면방전 플라즈마 모듈(110)의 길이 방향을 따라 연장된 형태일 수 있다. 다른 예로, 도 3을 참조하면, 플라즈마 발생 전극(113)은 원통 형상의 면방전 플라즈마 모듈(110)의 길이 방향을 따라 간격을 이뤄 다수 배열되는 형태일 수 있고, 플라즈마 발생 전극(113)은 면방전 플라즈마 모듈(110)의 원주 방향을 따라 연장된 형태일 수 있다.
본 발명의 일 실시예로, 기판형 전극층(111)에는 고전압이 인가되고, 플라즈마 발생 전극(113)은 접지 전극이다.
본 발명의 추가적인 실시예로, 기판형 전극층(111)은 접지 전극이고, 플라즈마 발생 전극(113)에는 고전압이 인가된다.
이러한 면방전 플라즈마 모듈(110)은 플라즈마 전원장치(120)로부터 다수의 플라즈마 발생 전극(113) 및 기판형 전극층(111)에 교류 전압이 인가되고, 플라즈마 반응 가스가 주입되는 것에 의해 다수의 플라즈마 발생 전극(113) 주위에 플라즈마가 발생된다. 플라즈마 반응 가스는, 예를 들면, O2, N2O 등 산소 성분을 포함하는 가스, CF4, SF6 등 불소 성분을 포함하는 가스, Cl2, BCl3 등 염소 성분을 포함하는 가스, Ar, N2 등의 불활성 가스를 단독으로 또는 혼합하여 사용할 수 있다.
또한 면방전 플라즈마 모듈(110)은 길이 방향의 양 측면이 개구될 수 있고, 상기 개구를 통해 분말의 공급 및 인출(회수)이 가능할 수 있다. 그리고 면방전 플라즈마 모듈(110)은 회전하면서 플라즈마에 의한 분말의 표면 처리가 이루어진다.
본 발명은 면방전 플라즈마 모듈(110)의 회전을 위한 구동부를 포함한다. 도시되지는 않았지만 구동부는 면방전 플라즈마 모듈(110)을 회전시킬 수 있는, 예를 들면 구동 모터 등의 동력 수단이 면방전 플라즈마 모듈(110)에 연결되는 형태일 수 있다. 구동부는 면방전 플라즈마 모듈(110)을 회전시킬 수 있는 형태이면 충분하고, 이에 특별히 제한은 없다.
상기 구동부는 회전속도 제어부를 포함한다. 회전속도 제어부는 구동부가 원통형의 면방전 플라즈마 모듈(110)을 회전시키는 속도를 제어하도록 구성된다. 도시되지는 않았지만, 예를 들면, 회전속도 제어부는 콘트롤박스 형태일 수도 있고, PLC(programmable logic controller) 형태일 수도 있다. 회전속도 제어부를 구성하는 것에 특별한 제한은 없다. 면방전 플라즈마 모듈(110)의 회전속도가 조절되면, 분말들이 플라즈마에 접촉되는 횟수 또는 시간이 조절된다.
이하에서는 본 발명에 따른 분말 플라즈마 처리 장치를 이용하여 분말이 처리되는 과정을 간략히 설명한다.
분말이 면방전 플라즈마 모듈(110)의 내부로 투입된다.
플라즈마 전원장치(120)로부터 기판형 전극층(111) 및 다수의 플라즈마 발생 전극(113)에 교류 전압을 인가하고, 반응 가스를 주입하여 플라즈마 발생 전극(113)들 주위에 플라즈마를 발생시킨다.
구동부에 의해 면방전 플라즈마 모듈(110)이 회전된다.
면방전 플라즈마 모듈(110)이 회전되면, 면방전 플라즈마 모듈(110) 내부의 분말들은 회전되는 면방전 플라즈마 모듈(110)의 회전 방향을 따라 승강되었다가 낙하된다. 이 과정은 면방전 플라즈마 모듈(110)이 회전되는 동안 반복된다. 이때, 분말들은 플라즈마에 접촉된다.
필요에 따라, 면방전 플라즈마 모듈(110)의 회전 속도가 조절된다.
본 발명의 실시예에 따른 분말 플라즈마 처리 장치를 이용하면, 면방전 플라즈마 모듈(110)이 원통형으로 구성되고, 원통형 면방전 플라즈마 모듈(110)을 회전 구동시키면서 분말 처리가 이루어짐에 따라, 분말이 균일하게 처리될 수 있다.
또한 원통형 면방전 플라즈마 모듈이 회전되는 속도가 조절됨에 따라, 분말이 플라즈마에 접촉되는 시간이 제어될 수 있다.
[부호의 설명]
110 : 면방전 플라즈마 모듈 111 : 기판형 전극층
112 : 절연층 113 : 플라즈마 발생 전극
120 : 플라즈마 전원장치

Claims (7)

  1. 원통형 면방전 플라즈마 모듈의 분말 플라즈마 처리 장치로서,
    상기 원통형 면방전 플라즈마 모듈의 외면은 기판형 전극층이고,
    상기 기판형 전극층의 내면 측으로 절연층이 있고,
    상기 절연층 위에 플라즈마 발생 전극이 위치하며,
    상기 원통형 면방전 플라즈마 모듈은 회전하고,
    상기 플라즈마 발생 전극과 상기 기판형 전극층에 교류 전압이 인가되어, 상기 플라즈마 발생 전극 주위에 플라즈마가 발생되고,
    플라즈마 처리를 위한 분말은 상기 원통형 면방전 플라즈마 모듈 내에서 상기 플라즈마에 의해 처리되는,
    분말 플라즈마 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기판형 전극층에는 고전압이 인가되고,
    상기 플라즈마 발생 전극은 접지 전극인,
    분말 플라즈마 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 플라즈마 발생 전극에는 고전압이 인가되고,
    상기 기판형 전극층은 접지 전극인,
    분말 플라즈마 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 플라즈마 발생 전극은 상기 절연층 위에서, 상기 면방전 플라즈마 모듈의 원주 방향을 따라 간격을 이뤄 다수 배열되고, 상기 면방전 플라즈마 모듈의 길이 방향을 따라 연장되어 있는,
    분말 플라즈마 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 플라즈마 발생 전극은 상기 절연층 위에서, 상기 면방전 플라즈마 모듈의 길이 방향을 따라 간격을 이뤄 다수 배열되고, 상기 면방전 플라즈마 모듈의 원주 방향을 따라 연장되어 있는,
    분말 플라즈마 처리 장치.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    구동부를 포함하고,
    상기 구동부는 상기 원통형 면방전 플라즈마 모듈이 수평으로 놓인 상태로 상기 원통형 면방전 플라즈마 모듈을 회전시키도록 구성되는,
    분말 플라즈마 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 구동부는 회전속도 제어부를 포함하고,
    상기 회전속도 제어부는 상기 구동부가 상기 원통형 면방전 플라즈마 모듈을 회전시키는 속도를 제어하도록 구성되는,
    분말 플라즈마 처리 장치.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6562273B2 (ja) * 2015-10-16 2019-08-21 学校法人 中村産業学園 プラズマ処理装置およびその方法
CN109302790A (zh) * 2018-06-01 2019-02-01 苏州海唐智能装备有限公司 一种新型等离子体粉体改性装置
CN110572924B (zh) * 2019-08-15 2021-12-03 大连理工大学 一种滚动果蔬表面微生物控制的等离子体系统

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5919539A (ja) * 1982-07-21 1984-02-01 Kyocera Corp 容量結合型グロ−放電分解装置
US20080056928A1 (en) * 2003-10-15 2008-03-06 Timothy Rex Bunce Functionalisation of Particles
US7397013B2 (en) * 2005-11-23 2008-07-08 Heraeus Inc. Plasma lineation electrode
US20120145041A1 (en) * 2009-06-09 2012-06-14 Innovative Carbon Limited Methods and apparatus for particle processing
KR20120078234A (ko) 2010-12-31 2012-07-10 엘지디스플레이 주식회사 도광판 및 이를 구비한 액정표시소자
JP5089521B2 (ja) * 2008-07-31 2012-12-05 学校法人 中村産業学園 粉体のプラズマ処理方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58221203A (ja) * 1982-06-18 1983-12-22 Tdk Corp 分散性を改良した磁性粉
JPS5932940A (ja) * 1982-08-16 1984-02-22 Sankyo Dengiyou Kk 活性化装置
JP3086956B2 (ja) * 1990-08-29 2000-09-11 増田 佳子 沿面プラズマｃｖｄによる微粒子の気相合成方法及び装置
JP2636174B2 (ja) * 1994-07-22 1997-07-30 工業技術院長 放電反応利用化学蒸着法による粉末表面改質装置
KR20010068436A (ko) * 2000-01-05 2001-07-23 황해웅 코로나 플라즈마를 이용한 휘발성 유기화합물 제거 및탈취장치
JP2004089753A (ja) * 2002-08-29 2004-03-25 Aisin Seiki Co Ltd ガス分解装置
CN100349651C (zh) * 2003-02-18 2007-11-21 夏普株式会社 通过正负两种离子的作用使抗原性物质失活的方法和装置
JPWO2004112940A1 (ja) * 2003-06-17 2006-07-27 日鉄鉱業株式会社 酸化触媒と低温プラズマとを利用する気体処理方法及び気体処理装置
JP2005135736A (ja) * 2003-10-30 2005-05-26 Nippon Spindle Mfg Co Ltd 粉粒体用プラズマ処理装置
CN201006026Y (zh) * 2007-03-12 2008-01-16 杭州朗索医用消毒剂有限公司 具有圆管状发射电极的等离子灭菌设备
US7935906B2 (en) * 2007-04-17 2011-05-03 Dynamic Connections, Llc Separation and manipulation of a chiral object
JP5651323B2 (ja) * 2009-11-09 2015-01-07 富士機械製造株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP2011249014A (ja) * 2010-05-21 2011-12-08 Mitsui Chemicals Inc 表面処理装置
CN202205700U (zh) * 2011-09-07 2012-04-25 苏州市奥普斯等离子体科技有限公司 一种颗粒状材料表面低温等离子体处理装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5919539A (ja) * 1982-07-21 1984-02-01 Kyocera Corp 容量結合型グロ−放電分解装置
US20080056928A1 (en) * 2003-10-15 2008-03-06 Timothy Rex Bunce Functionalisation of Particles
US7397013B2 (en) * 2005-11-23 2008-07-08 Heraeus Inc. Plasma lineation electrode
JP5089521B2 (ja) * 2008-07-31 2012-12-05 学校法人 中村産業学園 粉体のプラズマ処理方法
US20120145041A1 (en) * 2009-06-09 2012-06-14 Innovative Carbon Limited Methods and apparatus for particle processing
KR20120078234A (ko) 2010-12-31 2012-07-10 엘지디스플레이 주식회사 도광판 및 이를 구비한 액정표시소자

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
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EP2929932A4 (en) 2016-07-13
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