JPS5919539A - 容量結合型グロ−放電分解装置 - Google Patents
容量結合型グロ−放電分解装置Info
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- JPS5919539A JPS5919539A JP12812982A JP12812982A JPS5919539A JP S5919539 A JPS5919539 A JP S5919539A JP 12812982 A JP12812982 A JP 12812982A JP 12812982 A JP12812982 A JP 12812982A JP S5919539 A JPS5919539 A JP S5919539A
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- drum
- electrode plate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は容量結合型グロー放電分解装置の改良に関する
ものである。
ものである。
近年、アモルファス材料が注目される中で、アモルファ
スシリコン(以下、a −81〕カ31fA材料として
実用化されており、電子写真の分野ではa−8i 感
光層から成る導電性ドラムか開発されている。
スシリコン(以下、a −81〕カ31fA材料として
実用化されており、電子写真の分野ではa−8i 感
光層から成る導電性ドラムか開発されている。
前記導電性ドラムは主に容量結合型グロー放電分解装置
を用いて製造されているが、従来の容量結合型グロー放
電分解装置では長期間使用すると電極板表面等の反応室
内部部材の汚染が目立ってきた。その汚染の実体は成膜
するシリコンに対して過剰の水素を含有したもので、(
8i膜g )Hの鎖状構造を主体とする、粒径約0.1
μm程度の重合状シリコンである(以下、この汚染物を
粉末状シリコンと呼ぶ)。成膜中、電極板表面に堆積し
た粉末状シリコンは、ガスの流れ番こ乗って導電性ドラ
ム表面に吹き付けられ、旧著するため膜質の低下を来た
していた。
を用いて製造されているが、従来の容量結合型グロー放
電分解装置では長期間使用すると電極板表面等の反応室
内部部材の汚染が目立ってきた。その汚染の実体は成膜
するシリコンに対して過剰の水素を含有したもので、(
8i膜g )Hの鎖状構造を主体とする、粒径約0.1
μm程度の重合状シリコンである(以下、この汚染物を
粉末状シリコンと呼ぶ)。成膜中、電極板表面に堆積し
た粉末状シリコンは、ガスの流れ番こ乗って導電性ドラ
ム表面に吹き付けられ、旧著するため膜質の低下を来た
していた。
すなわち、成膜中に粉末状シリコンが付着するとその上
に成膜したa−8i膜は単に該粉末をカバーする状態で
成膜したものではなく、該粉末を核としてa−8i膜本
来の特性を欠いた欠陥領域が成長していくためである。
に成膜したa−8i膜は単に該粉末をカバーする状態で
成膜したものではなく、該粉末を核としてa−8i膜本
来の特性を欠いた欠陥領域が成長していくためである。
かかる欠陥領域は、所望の高抵抗・高光感度という特性
を欠いており、コピー画像を出すと該欠陥領域だけが帯
電しないのでトナーが付着せず、白抜けのスポットとし
て現われる。更に、帯電・露光という耐久試験を繰り返
すと、該欠陥領域が耐久性に劣るため、次第に周辺まで
ダメージを受け、スポットが太きくなる現象が見られる
。本発明者らは前記の欠陥が、a−84感光体の初期画
像特性・耐久性を低下させている一番大きな原因だと考
える。
を欠いており、コピー画像を出すと該欠陥領域だけが帯
電しないのでトナーが付着せず、白抜けのスポットとし
て現われる。更に、帯電・露光という耐久試験を繰り返
すと、該欠陥領域が耐久性に劣るため、次第に周辺まで
ダメージを受け、スポットが太きくなる現象が見られる
。本発明者らは前記の欠陥が、a−84感光体の初期画
像特性・耐久性を低下させている一番大きな原因だと考
える。
この粉末状シリコンはシランガスの分解が充分起きない
、例えば低い基板温度、低電力、高いガス圧等によって
発生ずるが、本発明者らはガスの流通状態も大きな影響
を及ぼすことを知見し、スリット状のガス噴出部・ガス
吸引部を有した電極板にすることで、電極板の汚染問題
は一時的な解決が見られた。
、例えば低い基板温度、低電力、高いガス圧等によって
発生ずるが、本発明者らはガスの流通状態も大きな影響
を及ぼすことを知見し、スリット状のガス噴出部・ガス
吸引部を有した電極板にすることで、電極板の汚染問題
は一時的な解決が見られた。
ところが、長期間使用すると、電極板が徐々に汚染され
てくるため根本的な解決には末だ至っていない。
てくるため根本的な解決には末だ至っていない。
本発明は上記の事情に鑑み、主1こ電極板表面での粉末
状シリコンの発生を長期間防止し、n−8iの膜質の向
上を図ることができ、しかも、装置の維持管理が容易な
容量結合型グロー放電分解装置を提供することを目的と
している。
状シリコンの発生を長期間防止し、n−8iの膜質の向
上を図ることができ、しかも、装置の維持管理が容易な
容量結合型グロー放電分解装置を提供することを目的と
している。
本発明の要旨は容置結合型グロー放電分解装置において
、反応室内の電極板を加熱するだめの加熱源を付設する
ことにより、電極板を加熱し、これ(こより粉末状シリ
コンにょる電極板表面の汚染を防止することにある。
、反応室内の電極板を加熱するだめの加熱源を付設する
ことにより、電極板を加熱し、これ(こより粉末状シリ
コンにょる電極板表面の汚染を防止することにある。
加えて、この加熱源は導電性基板を同時に加熱すること
がてき、導電性基板を)ヌr定温度1こ保っことになる
。その結果、この基板からの熱エネルギが81とHの結
合状態を決め、電子写真感光体として高抵抗・高光感度
という望ましい電気特性を示すことになる。
がてき、導電性基板を)ヌr定温度1こ保っことになる
。その結果、この基板からの熱エネルギが81とHの結
合状態を決め、電子写真感光体として高抵抗・高光感度
という望ましい電気特性を示すことになる。
以下、実施例を具体的に説Iす]する。
この説明においては、導電性ドラムの周面上にa −8
i悪感光を生成してなる感光体ドラムを製造するものと
して示されているが、不発明番こ係る容量結合型グロー
放電分解装置は、他の種類の感光層を生成してなる感光
体ドラムを製造するの1こも使用され得るものである。
i悪感光を生成してなる感光体ドラムを製造するものと
して示されているが、不発明番こ係る容量結合型グロー
放電分解装置は、他の種類の感光層を生成してなる感光
体ドラムを製造するの1こも使用され得るものである。
第1図は本発明に係る容量結合型グロー放電分解装置の
概略構成を示す図面であり、図中、第1〜4タンク(υ
、(21、(3)、(4)の各々には、1112.8i
114.1391J、+3、(JBガスが封入されてい
る。尚、H2ガスは8iH+ガスのキャリア、及びBs
1Jaガスのキャリアとして機能する。ところで、これ
らのガスは、その各々に対応して設けられている第1〜
4調整弁(5)、(6)、(7)、(8)を開放するこ
と−によって放出され、その流量がマスフローコントロ
ーラ(15+ (16! u71(1& iこよって規
制されつつ、第1〜3タンク(1)、(2)、(3)か
らのガスは混合されつつ第1主管u3へと、一方、第4
タンク(4)からのガスは第2生管(141へと送られ
るようになっている。なお、図中(9)0(j(1]J
uHHOは止め弁である。
概略構成を示す図面であり、図中、第1〜4タンク(υ
、(21、(3)、(4)の各々には、1112.8i
114.1391J、+3、(JBガスが封入されてい
る。尚、H2ガスは8iH+ガスのキャリア、及びBs
1Jaガスのキャリアとして機能する。ところで、これ
らのガスは、その各々に対応して設けられている第1〜
4調整弁(5)、(6)、(7)、(8)を開放するこ
と−によって放出され、その流量がマスフローコントロ
ーラ(15+ (16! u71(1& iこよって規
制されつつ、第1〜3タンク(1)、(2)、(3)か
らのガスは混合されつつ第1主管u3へと、一方、第4
タンク(4)からのガスは第2生管(141へと送られ
るようになっている。なお、図中(9)0(j(1]J
uHHOは止め弁である。
反応室(2υは、減圧可能であると共に、その内部にお
いて導電性ドラムO2の周面に対して感光層生成ガスを
吹き伺けること番こより、容量結合型グロー放電分解法
に基づき、導電性ドラムC2の周面上(こ感光層を生成
するためのものである。そして、この反応室(21)内
において、導電性ドラムのはドラム支持台(24)lこ
よって回転可能1こ支持されるようになっている。前記
導電性ドラム(27Jは、アルミニウム、ステンレス、
あるいはNE8Aガラス等の導電材を円筒状に形成した
ものであり、この容量結合型グロー放電分解装置によっ
てその周面上lこB−8i悪感光か生成される。一方、
前記ドラム支持台(241は、その台上に導電性ドラム
のが嵌装載置されるものであり、電気的に接地されてい
る。このため、このドラム支持台124)上(こ導電性
ドラム支持台を嵌装載置した場合、導電性ドラム器はド
ラム支持台はを介して接地される。また、前記ドラム支
持台04)は、駆動モータilこ対して駆動連結されて
おり、感光層生成時において回転駆動され、導電性ドラ
ムC2Zを第2図中矢印(&)方向に、そのドラム軸を
中心に回転する様になっている。
いて導電性ドラムO2の周面に対して感光層生成ガスを
吹き伺けること番こより、容量結合型グロー放電分解法
に基づき、導電性ドラムC2の周面上(こ感光層を生成
するためのものである。そして、この反応室(21)内
において、導電性ドラムのはドラム支持台(24)lこ
よって回転可能1こ支持されるようになっている。前記
導電性ドラム(27Jは、アルミニウム、ステンレス、
あるいはNE8Aガラス等の導電材を円筒状に形成した
ものであり、この容量結合型グロー放電分解装置によっ
てその周面上lこB−8i悪感光か生成される。一方、
前記ドラム支持台(241は、その台上に導電性ドラム
のが嵌装載置されるものであり、電気的に接地されてい
る。このため、このドラム支持台124)上(こ導電性
ドラム支持台を嵌装載置した場合、導電性ドラム器はド
ラム支持台はを介して接地される。また、前記ドラム支
持台04)は、駆動モータilこ対して駆動連結されて
おり、感光層生成時において回転駆動され、導電性ドラ
ムC2Zを第2図中矢印(&)方向に、そのドラム軸を
中心に回転する様になっている。
前記反応室回内の感光層生成ガス噴出側、即ち第1図中
左側には、第1電極板4’lllが、また、ガス吸引側
、即ち第1図中右側には、第2電極板pzが各々対向し
て設けられている。これらff1l、 2ffl極板
如)い2は、第2図(こ図示される如く、ドラム支持台
C!(イ)上に嵌装載置される導電性ドラムc!zの周
面に沿った形状をしており、具体的には、前記導電性ド
ラム(221の局面に対して同心円状の円弧形状をして
いる。そして、前記第1電極板翰)の外面には、前記、
第1.2主管(131(141に接続されている第1゜
2ガス噴出管Q71(281が導電性ドラムC!2の醐
1方向に沿って取り付けられている。また、同様に前記
第2電極板9zの外面には、後記の第3主管C則に接続
されているガス吸引管−が取り付けられている。
左側には、第1電極板4’lllが、また、ガス吸引側
、即ち第1図中右側には、第2電極板pzが各々対向し
て設けられている。これらff1l、 2ffl極板
如)い2は、第2図(こ図示される如く、ドラム支持台
C!(イ)上に嵌装載置される導電性ドラムc!zの周
面に沿った形状をしており、具体的には、前記導電性ド
ラム(221の局面に対して同心円状の円弧形状をして
いる。そして、前記第1電極板翰)の外面には、前記、
第1.2主管(131(141に接続されている第1゜
2ガス噴出管Q71(281が導電性ドラムC!2の醐
1方向に沿って取り付けられている。また、同様に前記
第2電極板9zの外面には、後記の第3主管C則に接続
されているガス吸引管−が取り付けられている。
ところで、第3図に図示される如く、第1主管θ3を通
じて第1ガス噴出管07)内に導かれる感光層生成ガス
を導電性ドラム支持台の周面に対して吹き付けるために
、第1電極板pHlこ対しではスリット状ガス噴出部(
348)が穿設さねている。このスリット幅は0.5乃
至5朋、長さは導電性ドラムの高さよりも大きく、ドラ
ム支持台は上1こ嵌装載置される導電性ドラムC21の
軸方向に沿って設けられている。なお、このガス噴出部
(311m)から噴出される感光層生成ガスは、第2図
中矢印(1)I)(b2)方向と導電性ドラムのの局面
接線方向か第2図に図示される如く一致するようにした
うえで、矢印(b+) (b2)方向の間を一様に噴出
される。
じて第1ガス噴出管07)内に導かれる感光層生成ガス
を導電性ドラム支持台の周面に対して吹き付けるために
、第1電極板pHlこ対しではスリット状ガス噴出部(
348)が穿設さねている。このスリット幅は0.5乃
至5朋、長さは導電性ドラムの高さよりも大きく、ドラ
ム支持台は上1こ嵌装載置される導電性ドラムC21の
軸方向に沿って設けられている。なお、このガス噴出部
(311m)から噴出される感光層生成ガスは、第2図
中矢印(1)I)(b2)方向と導電性ドラムのの局面
接線方向か第2図に図示される如く一致するようにした
うえで、矢印(b+) (b2)方向の間を一様に噴出
される。
望ましくは、前記噴出部(31B )が導電性ドラムC
2側に末広がり状:こ形成されるとよい。又、第1電極
板p++の厚さは1乃至3闘であることが望ましい。
2側に末広がり状:こ形成されるとよい。又、第1電極
板p++の厚さは1乃至3闘であることが望ましい。
また、第2主管Iを通じて導かれる酸素ガスについては
第1電極板(311の両端に付設されたガスrrJ(小
管(28)から導電性ドラム支持台の局面に対して吹き
伺けられる。尚、この酸素ガス噴出部の形状として、通
常08ガス量がF3iH+ガスに比べ極めて少なく、粉
末状シリコンの発生番こ対しはとんと影響を与えないの
で、スリット状や、直列状Iこ並んた丸孔状等に限らず
、特にその形状は限定されるものではない。
第1電極板(311の両端に付設されたガスrrJ(小
管(28)から導電性ドラム支持台の局面に対して吹き
伺けられる。尚、この酸素ガス噴出部の形状として、通
常08ガス量がF3iH+ガスに比べ極めて少なく、粉
末状シリコンの発生番こ対しはとんと影響を与えないの
で、スリット状や、直列状Iこ並んた丸孔状等に限らず
、特にその形状は限定されるものではない。
一方、第4図に図示される如く、8電性ドラムc!zの
周面(こ吹き刊けられた後の感光層生成ガスをガス吸引
管(2鵠、第3主管(3!を通じて反応室CfJ外へと
排出させるために、第2電極板(社)に対してはスリッ
ト状ガス吸引部(32B )が穿設されている。
周面(こ吹き刊けられた後の感光層生成ガスをガス吸引
管(2鵠、第3主管(3!を通じて反応室CfJ外へと
排出させるために、第2電極板(社)に対してはスリッ
ト状ガス吸引部(32B )が穿設されている。
この幅は1乃至10闘、長さは導電性ドラム臣zの高さ
よりも大きく、ドラム支持台(2(イ)上に嵌装載置さ
れる導電性ドラムc221の軸方向に沿って設置すられ
ている。尚、このガス吸引部(321%)は第2図1こ
おいて前記ガス噴出部(3M)と導電性ドラJ!h(2
21の軸とを結ぶ直線上に位置するように設けられてい
る。
よりも大きく、ドラム支持台(2(イ)上に嵌装載置さ
れる導電性ドラムc221の軸方向に沿って設置すられ
ている。尚、このガス吸引部(321%)は第2図1こ
おいて前記ガス噴出部(3M)と導電性ドラJ!h(2
21の軸とを結ぶ直線上に位置するように設けられてい
る。
前記第1.2電極板(31)(支)は電路06)を介じ
そ各々ff1i気的に短絡されていると共に1.高周波
電源Q5)によって0.05〜1.5KWの高周波電力
が印加されるようになっている。この際、その周波数は
1〜50■hであることが好ましい。このため、感光層
生成時において導電性ドラム(22)が接地されている
関係上、第1.2電極板賄)(3zと導電性ドラムC2
zの周面との間1こ高周波電界が形成される。ところで
、前記容量結合型グロー放電分解装置においては、第1
.2電極板の1)(9)が導電性ドラムc!2の局面に
対して同心円状の円弧形状をしているため、第1.2電
極板(3II (321の内面と導電性ドラムC2の周
面との間の間隙は一定であり、前記の如く形成される高
周波電界の強度は全体的に等しい。このため、反応室c
!D内においてガス噴出部(31111)から噴出され
る感光層生成ガスはこの均−電界下で良好にグロー放電
分解され、導電性ドラムC21の周面上に均一な膜厚の
感光層を生成する。
そ各々ff1i気的に短絡されていると共に1.高周波
電源Q5)によって0.05〜1.5KWの高周波電力
が印加されるようになっている。この際、その周波数は
1〜50■hであることが好ましい。このため、感光層
生成時において導電性ドラム(22)が接地されている
関係上、第1.2電極板賄)(3zと導電性ドラムC2
zの周面との間1こ高周波電界が形成される。ところで
、前記容量結合型グロー放電分解装置においては、第1
.2電極板の1)(9)が導電性ドラムc!2の局面に
対して同心円状の円弧形状をしているため、第1.2電
極板(3II (321の内面と導電性ドラムC2の周
面との間の間隙は一定であり、前記の如く形成される高
周波電界の強度は全体的に等しい。このため、反応室c
!D内においてガス噴出部(31111)から噴出され
る感光層生成ガスはこの均−電界下で良好にグロー放電
分解され、導電性ドラムC21の周面上に均一な膜厚の
感光層を生成する。
また、反応室(2Dの内部は、感光層生成時(こ高度の
真空状態、具体的には、0.5〜2. Oi’Or r
程度の真空状態を必要とすることにより回転ポンプ酸、
拡散ポンプ@引が反応室(21)lこ対して連結されて
いる。
真空状態、具体的には、0.5〜2. Oi’Or r
程度の真空状態を必要とすることにより回転ポンプ酸、
拡散ポンプ@引が反応室(21)lこ対して連結されて
いる。
なお、ガス吸引部(321からガス吸引管C2!])内
へと吸引されたガスは、第3主管C1otを通じて回転
ポンプ酸へと導かれるようになっている。
へと吸引されたガスは、第3主管C1otを通じて回転
ポンプ酸へと導かれるようになっている。
本発明(こおいては、」ニ記のような客月結合型グロー
放電分解装置(こおいて、電極板C’31t321を加
熱するための加熱源を設けることが重要である。
放電分解装置(こおいて、電極板C’31t321を加
熱するための加熱源を設けることが重要である。
このため、例えば第5図に示すように、電極板01)(
社)の外側に、絶縁板0ωを介在してシーズ線ヒーター
が貼り伺けられ、この加熱源(37)により電極板いI
IK2が加熱されると共に、電極板賄1倣が熱輻躬する
ことによって導電性ドラムのが加熱される。
社)の外側に、絶縁板0ωを介在してシーズ線ヒーター
が貼り伺けられ、この加熱源(37)により電極板いI
IK2が加熱されると共に、電極板賄1倣が熱輻躬する
ことによって導電性ドラムのが加熱される。
以上の椅成の客員結合型グロー放電分解装置において、
R−8i悪感光を導電性ドラムC!zの周面上に生成す
る番こ際しては、第1.2調整弁(51(61を開放し
て適当な流量比で第1.2タンク(1バ2Iより、fl
p、8iH4ガスを、また必要に応じて第4調整弁(8
)を開放して第4タンク(4)より02ガスを、更に硼
素を含有するときは第3調整弁ffi’4…」放して第
3タンク(3)よりB2116ガ゛スを放出する。放出
がはマスフローコントローラQ51(1G+(171(
lfuにより規制され、18をキャリアーガスとする8
iu4ガス、あるいはそれにJ3p+llaガスが混合
されたガスが!81主%’(131を介して、一方、5
ilJ41こ対し一定のモル比にある02ガスが第2主
繁04)を介して送られ、感光層生成ガスが構成される
。このような感光層生成ガスは第1.2ガス噴出管(2
71G!8)へと送られ、9I″J1ガス;大小’1に
’ (27+から吹き出されるガスについては第1電極
板賄)に設けられているガス噴出部(31B)より導電
性ドラム0力の周面に対して吹き付けられることとなる
。この際、ガス噴出部(318)から噴出される感光層
生成ガスの噴出方向と導電性ドラム(221の周面の接
線方向とが一致されていることにより、導電性ドラムO
2の周面(こ対して感光層生成ガスが直接勢いよく吹き
付けられることはない。
R−8i悪感光を導電性ドラムC!zの周面上に生成す
る番こ際しては、第1.2調整弁(51(61を開放し
て適当な流量比で第1.2タンク(1バ2Iより、fl
p、8iH4ガスを、また必要に応じて第4調整弁(8
)を開放して第4タンク(4)より02ガスを、更に硼
素を含有するときは第3調整弁ffi’4…」放して第
3タンク(3)よりB2116ガ゛スを放出する。放出
がはマスフローコントローラQ51(1G+(171(
lfuにより規制され、18をキャリアーガスとする8
iu4ガス、あるいはそれにJ3p+llaガスが混合
されたガスが!81主%’(131を介して、一方、5
ilJ41こ対し一定のモル比にある02ガスが第2主
繁04)を介して送られ、感光層生成ガスが構成される
。このような感光層生成ガスは第1.2ガス噴出管(2
71G!8)へと送られ、9I″J1ガス;大小’1に
’ (27+から吹き出されるガスについては第1電極
板賄)に設けられているガス噴出部(31B)より導電
性ドラム0力の周面に対して吹き付けられることとなる
。この際、ガス噴出部(318)から噴出される感光層
生成ガスの噴出方向と導電性ドラム(221の周面の接
線方向とが一致されていることにより、導電性ドラムO
2の周面(こ対して感光層生成ガスが直接勢いよく吹き
付けられることはない。
一方、反応室(21)の内部が0.5−2.0 ’1.
’Tl r r程度の真空状態に、導電性ドラム膿の表
aj1温度が100〜400℃に、第1.2電極板賄)
(1加こ印加されている高周波電力が0.05〜1.5
KJこ、また周波数か1〜5〇八但Zに設定されると共
に、 梼電性゛、ドラムCカか矢印(n1方向に回転さ
れていることにより、第1.2電極板賄)(ハ)と導電
性ドラム1221の周面との間でグロー放電が生じ、感
光層生成ガスが分解されることとなる。そして、導電性
ドラムのの周面上に、少なくとも、水素を含有したn−
)ii感光層が約05〜5μm / hourの速さで
生成される。この際、第1.2N極板(31)い2が導
電性ドラム器の周面に治った形状をしているので、前記
グロー放電は安定した状態で生じ、1.71性ドラムの
の周面上には均一な膜厚の8−81感光層が生成される
。
’Tl r r程度の真空状態に、導電性ドラム膿の表
aj1温度が100〜400℃に、第1.2電極板賄)
(1加こ印加されている高周波電力が0.05〜1.5
KJこ、また周波数か1〜5〇八但Zに設定されると共
に、 梼電性゛、ドラムCカか矢印(n1方向に回転さ
れていることにより、第1.2電極板賄)(ハ)と導電
性ドラム1221の周面との間でグロー放電が生じ、感
光層生成ガスが分解されることとなる。そして、導電性
ドラムのの周面上に、少なくとも、水素を含有したn−
)ii感光層が約05〜5μm / hourの速さで
生成される。この際、第1.2N極板(31)い2が導
電性ドラム器の周面に治った形状をしているので、前記
グロー放電は安定した状態で生じ、1.71性ドラムの
の周面上には均一な膜厚の8−81感光層が生成される
。
しかも、ガス噴出部(31Fk)、カース吸引部(32
a)がスリット状をしているため、電極板イ1)(3i
刊近でガスの滞留がなくなり、成膜中、粉末状シリコン
の生成が著しく抑えられることになる。
a)がスリット状をしているため、電極板イ1)(3i
刊近でガスの滞留がなくなり、成膜中、粉末状シリコン
の生成が著しく抑えられることになる。
更に、加熱源1;17+は電極板(311嗅を約200
〜500℃まで高めるため、電極板(311(321表
面番こ飼猫ずべき、粉末状シリコンの中間生成物が加熱
分解し、過剰水素が除かれる。そのため、粉末状シリコ
ンに至らず、r+−8i膜となって、電極板頭1い力表
面に形成される。従って、粉末状シリコンの飛散がなく
なり、均質なa−8i感光層が生成される。
〜500℃まで高めるため、電極板(311(321表
面番こ飼猫ずべき、粉末状シリコンの中間生成物が加熱
分解し、過剰水素が除かれる。そのため、粉末状シリコ
ンに至らず、r+−8i膜となって、電極板頭1い力表
面に形成される。従って、粉末状シリコンの飛散がなく
なり、均質なa−8i感光層が生成される。
更に、導電性ドラムC!zを加熱すること1こ関して、
従来、基板加熱源として導電性ドラム0421の内側に
第6図のようなドラムボルダ(38)か設けられており
、ドラムボルダ贈の内2面にシーズ線上−タイ9)が巻
きつけられて、導電性ドラムC2が加熱される。
従来、基板加熱源として導電性ドラム0421の内側に
第6図のようなドラムボルダ(38)か設けられており
、ドラムボルダ贈の内2面にシーズ線上−タイ9)が巻
きつけられて、導電性ドラムC2が加熱される。
ところがドラムホルダの&が熱伝導の媒体となるため、
導電性ドラム(221の周面温度を均一にするには、加
熱源としてのドラムホルダ(38)を導電性ドラム(2
力の形状に適合させる必要があった。従って、導電性ド
ラムt2zの内径がわずかでも異なれば、相応した形状
のドラムホルダの8)と交換したり、シーズ線ヒータ(
3!11を巻き直さねばならず、多様なドラム形状に速
やかに対応できないという欠点があった。本発明では導
電性ドラムシ2)を回転させながら、熱輻射をするので
、導電性ドラムC4カ周面の温度は均一になる。しかも
、ドラムボルダ贈は導電性ドラムc!力内面と均等に接
触している必要が゛なく、円筒状番こ限定されないし、
ドラム形状が変更しても、前述のような繁雑な工程が省
略できる。
導電性ドラム(221の周面温度を均一にするには、加
熱源としてのドラムホルダ(38)を導電性ドラム(2
力の形状に適合させる必要があった。従って、導電性ド
ラムt2zの内径がわずかでも異なれば、相応した形状
のドラムホルダの8)と交換したり、シーズ線ヒータ(
3!11を巻き直さねばならず、多様なドラム形状に速
やかに対応できないという欠点があった。本発明では導
電性ドラムシ2)を回転させながら、熱輻射をするので
、導電性ドラムC4カ周面の温度は均一になる。しかも
、ドラムボルダ贈は導電性ドラムc!力内面と均等に接
触している必要が゛なく、円筒状番こ限定されないし、
ドラム形状が変更しても、前述のような繁雑な工程が省
略できる。
次に、本発明の変形態様Iこついて説明する。
第7図Iこおいては、両電極板@ II pZのそれぞ
れの両端刊近に、加熱源として棒状の赤外線ランプ14
0)を設けである。これにより導電性ドラム膿が加熱さ
れ、同時1こ電極板頭)姫も熱輻射(こより加熱され、
粉末状シリコンの発生を長期的に防止することが可能f
こなる。
れの両端刊近に、加熱源として棒状の赤外線ランプ14
0)を設けである。これにより導電性ドラム膿が加熱さ
れ、同時1こ電極板頭)姫も熱輻射(こより加熱され、
粉末状シリコンの発生を長期的に防止することが可能f
こなる。
第8図は複数個の導電性ドラム器の周面上(こ同時に感
光層を生成するのに適した展開例を示すものであり、第
1.2電極板1411(6)は処理する導電性ドラムc
!21の数(こ対応した波形状とする。第1.2電極板
(41)u力の外面には、第5図と同様な加熱源37)
として、シーズ線ヒータ(36)と絶縁板の5)が設り
られている。勿論、前記導電性ドラム(2力の数に対応
して分割された第1.2.3主督Q3(+41c力や、
第1゜2ガス噴出管(271(2ξ虹ガス吸引管c!■
も設けられている。
光層を生成するのに適した展開例を示すものであり、第
1.2電極板1411(6)は処理する導電性ドラムc
!21の数(こ対応した波形状とする。第1.2電極板
(41)u力の外面には、第5図と同様な加熱源37)
として、シーズ線ヒータ(36)と絶縁板の5)が設り
られている。勿論、前記導電性ドラム(2力の数に対応
して分割された第1.2.3主督Q3(+41c力や、
第1゜2ガス噴出管(271(2ξ虹ガス吸引管c!■
も設けられている。
第9図は本発明を更番こ展開した実施例であり、a−8
i太陽電池等に使われている平板状基板にa−8i薄膜
を生成するだめの、反応室内概略構成図を示している。
i太陽電池等に使われている平板状基板にa−8i薄膜
を生成するだめの、反応室内概略構成図を示している。
同図中、旧は反応室、Hは電極板、ケ51は平板状基板
、146jは絶縁板、1471はシーズ線ヒータから成
る加熱源、1411914!Q+はガス配管である。
、146jは絶縁板、1471はシーズ線ヒータから成
る加熱源、1411914!Q+はガス配管である。
その他、反応室l外の装置構成は第1図表同様である。
上記構成1こより、電極板部のガス噴出部からガスが噴
出され、グロー放電によって平板状基板145Hにa−
1:li膜が生成される。その際、シーズ線ヒータt4
71は電極板部を加熱するため粉末状シリコンの発生を
長期間防止することが可能となった。
出され、グロー放電によって平板状基板145Hにa−
1:li膜が生成される。その際、シーズ線ヒータt4
71は電極板部を加熱するため粉末状シリコンの発生を
長期間防止することが可能となった。
更に熱輻射によって平板状基板I461を加熱するため
、所定の基板温度に保たれ、高抵抗・高光感度という望
ましい電気特性が得られる。
、所定の基板温度に保たれ、高抵抗・高光感度という望
ましい電気特性が得られる。
尚、第5図、第7図、第8図及び第9図に示された加熱
源は、シーズ線ヒータ、赤外線ランプの他、ニクロム、
モリブデン、タングステン及びタンタル等の抵抗加熱体
、熱媒流体などでもよい。
源は、シーズ線ヒータ、赤外線ランプの他、ニクロム、
モリブデン、タングステン及びタンタル等の抵抗加熱体
、熱媒流体などでもよい。
以上の実施例から明らかなように、型枠板と導電性基板
を同一の加熱源によって加熱することで、電極板の粉末
状シリコン発生を、長期間防止することが可能となり、
第5図に示す装置で約500時間のテストをおこなって
も、電極板には何ら汚染が認められなかった。尚、比較
テストとし−C1従来通りのドラムホルダを加熱源とし
た場合、電極板のガス噴出部・ガス吸引部がスリット状
のため、初期には何ら電極板に汚染が認められなかった
が、100〜150時間も経過すると汚染が確認で き
ブこ。
を同一の加熱源によって加熱することで、電極板の粉末
状シリコン発生を、長期間防止することが可能となり、
第5図に示す装置で約500時間のテストをおこなって
も、電極板には何ら汚染が認められなかった。尚、比較
テストとし−C1従来通りのドラムホルダを加熱源とし
た場合、電極板のガス噴出部・ガス吸引部がスリット状
のため、初期には何ら電極板に汚染が認められなかった
が、100〜150時間も経過すると汚染が確認で き
ブこ。
更に、導電性ドラムの場合、所望形状のドラム1こ対し
てドラム外側から加熱されるため、維持管理が容易とな
り、且つ猷産に好適となった。
てドラム外側から加熱されるため、維持管理が容易とな
り、且つ猷産に好適となった。
第1図は本発明に係る容量結合型グロー放電分解装置の
概略構成図、第2〜7図はその装置の各要部を示す図面
である。ここで、第2図は反応室内の構成を示す平面図
、第3図はff1l電極板の内面を示す図面、第4図は
第2N極板の内面を示す図面、585図はシーズ線ヒー
タが電極板外面に付設された状態を示す斜視図、第6図
は従来のドラムホルダを示す破断面図、第7図は赤外線
ランプが電極刊近に付設された状態を示す斜視図である
。 また、第8図は他の実施例を示す斜視図であり、第9図
も他の実施例を示す反応室内の概略断面図である。 22・・・導電性ドラム、31.32・・・電極板、3
5・・・絶縁板、36・・・シーズ線ヒータ、37・・
・加熱源、40・・・赤外線ランプ 出願人 京都セラミック株式会社 同 河 村 孝 夫 第2図 第3図 第4・図
概略構成図、第2〜7図はその装置の各要部を示す図面
である。ここで、第2図は反応室内の構成を示す平面図
、第3図はff1l電極板の内面を示す図面、第4図は
第2N極板の内面を示す図面、585図はシーズ線ヒー
タが電極板外面に付設された状態を示す斜視図、第6図
は従来のドラムホルダを示す破断面図、第7図は赤外線
ランプが電極刊近に付設された状態を示す斜視図である
。 また、第8図は他の実施例を示す斜視図であり、第9図
も他の実施例を示す反応室内の概略断面図である。 22・・・導電性ドラム、31.32・・・電極板、3
5・・・絶縁板、36・・・シーズ線ヒータ、37・・
・加熱源、40・・・赤外線ランプ 出願人 京都セラミック株式会社 同 河 村 孝 夫 第2図 第3図 第4・図
Claims (1)
- 減圧可能な反応室内で、表面上にアモルファス薄膜が生
成される基板と、グロー放重用電極板が対向しているグ
ロー放電分解装置において、該電極板を加熱するための
加熱源を付設したことを特徴とする容量結合型グロー放
電分解装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12812982A JPS5919539A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | 容量結合型グロ−放電分解装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12812982A JPS5919539A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | 容量結合型グロ−放電分解装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5919539A true JPS5919539A (ja) | 1984-02-01 |
Family
ID=14977108
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12812982A Pending JPS5919539A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | 容量結合型グロ−放電分解装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5919539A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014092395A1 (ko) * | 2012-12-10 | 2014-06-19 | 한국기초과학지원연구원 | 분말 플라즈마 처리 장치 |
-
1982
- 1982-07-21 JP JP12812982A patent/JPS5919539A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014092395A1 (ko) * | 2012-12-10 | 2014-06-19 | 한국기초과학지원연구원 | 분말 플라즈마 처리 장치 |
US10418227B2 (en) | 2012-12-10 | 2019-09-17 | Korea Basic Science Institute | Plasma equipment for treating powder |
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