JPS5919539A - 容量結合型グロ−放電分解装置 - Google Patents

容量結合型グロ−放電分解装置

Info

Publication number
JPS5919539A
JPS5919539A JP12812982A JP12812982A JPS5919539A JP S5919539 A JPS5919539 A JP S5919539A JP 12812982 A JP12812982 A JP 12812982A JP 12812982 A JP12812982 A JP 12812982A JP S5919539 A JPS5919539 A JP S5919539A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
drum
electrode plate
glow discharge
electrode plates
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP12812982A
Other languages
English (en)
Inventor
Takao Kawamura
河村 孝夫
Naooki Miyamoto
宮本 直興
Hideaki Iwano
岩野 英明
Yasuo Nishiguchi
泰夫 西口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Priority to JP12812982A priority Critical patent/JPS5919539A/ja
Publication of JPS5919539A publication Critical patent/JPS5919539A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は容量結合型グロー放電分解装置の改良に関する
ものである。
近年、アモルファス材料が注目される中で、アモルファ
スシリコン(以下、a −81〕カ31fA材料として
実用化されており、電子写真の分野ではa−8i  感
光層から成る導電性ドラムか開発されている。
前記導電性ドラムは主に容量結合型グロー放電分解装置
を用いて製造されているが、従来の容量結合型グロー放
電分解装置では長期間使用すると電極板表面等の反応室
内部部材の汚染が目立ってきた。その汚染の実体は成膜
するシリコンに対して過剰の水素を含有したもので、(
8i膜g )Hの鎖状構造を主体とする、粒径約0.1
μm程度の重合状シリコンである(以下、この汚染物を
粉末状シリコンと呼ぶ)。成膜中、電極板表面に堆積し
た粉末状シリコンは、ガスの流れ番こ乗って導電性ドラ
ム表面に吹き付けられ、旧著するため膜質の低下を来た
していた。
すなわち、成膜中に粉末状シリコンが付着するとその上
に成膜したa−8i膜は単に該粉末をカバーする状態で
成膜したものではなく、該粉末を核としてa−8i膜本
来の特性を欠いた欠陥領域が成長していくためである。
かかる欠陥領域は、所望の高抵抗・高光感度という特性
を欠いており、コピー画像を出すと該欠陥領域だけが帯
電しないのでトナーが付着せず、白抜けのスポットとし
て現われる。更に、帯電・露光という耐久試験を繰り返
すと、該欠陥領域が耐久性に劣るため、次第に周辺まで
ダメージを受け、スポットが太きくなる現象が見られる
。本発明者らは前記の欠陥が、a−84感光体の初期画
像特性・耐久性を低下させている一番大きな原因だと考
える。
この粉末状シリコンはシランガスの分解が充分起きない
、例えば低い基板温度、低電力、高いガス圧等によって
発生ずるが、本発明者らはガスの流通状態も大きな影響
を及ぼすことを知見し、スリット状のガス噴出部・ガス
吸引部を有した電極板にすることで、電極板の汚染問題
は一時的な解決が見られた。
ところが、長期間使用すると、電極板が徐々に汚染され
てくるため根本的な解決には末だ至っていない。
本発明は上記の事情に鑑み、主1こ電極板表面での粉末
状シリコンの発生を長期間防止し、n−8iの膜質の向
上を図ることができ、しかも、装置の維持管理が容易な
容量結合型グロー放電分解装置を提供することを目的と
している。
本発明の要旨は容置結合型グロー放電分解装置において
、反応室内の電極板を加熱するだめの加熱源を付設する
ことにより、電極板を加熱し、これ(こより粉末状シリ
コンにょる電極板表面の汚染を防止することにある。
加えて、この加熱源は導電性基板を同時に加熱すること
がてき、導電性基板を)ヌr定温度1こ保っことになる
。その結果、この基板からの熱エネルギが81とHの結
合状態を決め、電子写真感光体として高抵抗・高光感度
という望ましい電気特性を示すことになる。
以下、実施例を具体的に説Iす]する。
この説明においては、導電性ドラムの周面上にa −8
i悪感光を生成してなる感光体ドラムを製造するものと
して示されているが、不発明番こ係る容量結合型グロー
放電分解装置は、他の種類の感光層を生成してなる感光
体ドラムを製造するの1こも使用され得るものである。
第1図は本発明に係る容量結合型グロー放電分解装置の
概略構成を示す図面であり、図中、第1〜4タンク(υ
、(21、(3)、(4)の各々には、1112.8i
114.1391J、+3、(JBガスが封入されてい
る。尚、H2ガスは8iH+ガスのキャリア、及びBs
1Jaガスのキャリアとして機能する。ところで、これ
らのガスは、その各々に対応して設けられている第1〜
4調整弁(5)、(6)、(7)、(8)を開放するこ
と−によって放出され、その流量がマスフローコントロ
ーラ(15+ (16! u71(1& iこよって規
制されつつ、第1〜3タンク(1)、(2)、(3)か
らのガスは混合されつつ第1主管u3へと、一方、第4
タンク(4)からのガスは第2生管(141へと送られ
るようになっている。なお、図中(9)0(j(1]J
uHHOは止め弁である。
反応室(2υは、減圧可能であると共に、その内部にお
いて導電性ドラムO2の周面に対して感光層生成ガスを
吹き伺けること番こより、容量結合型グロー放電分解法
に基づき、導電性ドラムC2の周面上(こ感光層を生成
するためのものである。そして、この反応室(21)内
において、導電性ドラムのはドラム支持台(24)lこ
よって回転可能1こ支持されるようになっている。前記
導電性ドラム(27Jは、アルミニウム、ステンレス、
あるいはNE8Aガラス等の導電材を円筒状に形成した
ものであり、この容量結合型グロー放電分解装置によっ
てその周面上lこB−8i悪感光か生成される。一方、
前記ドラム支持台(241は、その台上に導電性ドラム
のが嵌装載置されるものであり、電気的に接地されてい
る。このため、このドラム支持台124)上(こ導電性
ドラム支持台を嵌装載置した場合、導電性ドラム器はド
ラム支持台はを介して接地される。また、前記ドラム支
持台04)は、駆動モータilこ対して駆動連結されて
おり、感光層生成時において回転駆動され、導電性ドラ
ムC2Zを第2図中矢印(&)方向に、そのドラム軸を
中心に回転する様になっている。
前記反応室回内の感光層生成ガス噴出側、即ち第1図中
左側には、第1電極板4’lllが、また、ガス吸引側
、即ち第1図中右側には、第2電極板pzが各々対向し
て設けられている。これらff1l、  2ffl極板
如)い2は、第2図(こ図示される如く、ドラム支持台
C!(イ)上に嵌装載置される導電性ドラムc!zの周
面に沿った形状をしており、具体的には、前記導電性ド
ラム(221の局面に対して同心円状の円弧形状をして
いる。そして、前記第1電極板翰)の外面には、前記、
第1.2主管(131(141に接続されている第1゜
2ガス噴出管Q71(281が導電性ドラムC!2の醐
1方向に沿って取り付けられている。また、同様に前記
第2電極板9zの外面には、後記の第3主管C則に接続
されているガス吸引管−が取り付けられている。
ところで、第3図に図示される如く、第1主管θ3を通
じて第1ガス噴出管07)内に導かれる感光層生成ガス
を導電性ドラム支持台の周面に対して吹き付けるために
、第1電極板pHlこ対しではスリット状ガス噴出部(
348)が穿設さねている。このスリット幅は0.5乃
至5朋、長さは導電性ドラムの高さよりも大きく、ドラ
ム支持台は上1こ嵌装載置される導電性ドラムC21の
軸方向に沿って設けられている。なお、このガス噴出部
(311m)から噴出される感光層生成ガスは、第2図
中矢印(1)I)(b2)方向と導電性ドラムのの局面
接線方向か第2図に図示される如く一致するようにした
うえで、矢印(b+) (b2)方向の間を一様に噴出
される。
望ましくは、前記噴出部(31B )が導電性ドラムC
2側に末広がり状:こ形成されるとよい。又、第1電極
板p++の厚さは1乃至3闘であることが望ましい。
また、第2主管Iを通じて導かれる酸素ガスについては
第1電極板(311の両端に付設されたガスrrJ(小
管(28)から導電性ドラム支持台の局面に対して吹き
伺けられる。尚、この酸素ガス噴出部の形状として、通
常08ガス量がF3iH+ガスに比べ極めて少なく、粉
末状シリコンの発生番こ対しはとんと影響を与えないの
で、スリット状や、直列状Iこ並んた丸孔状等に限らず
、特にその形状は限定されるものではない。
一方、第4図に図示される如く、8電性ドラムc!zの
周面(こ吹き刊けられた後の感光層生成ガスをガス吸引
管(2鵠、第3主管(3!を通じて反応室CfJ外へと
排出させるために、第2電極板(社)に対してはスリッ
ト状ガス吸引部(32B )が穿設されている。
この幅は1乃至10闘、長さは導電性ドラム臣zの高さ
よりも大きく、ドラム支持台(2(イ)上に嵌装載置さ
れる導電性ドラムc221の軸方向に沿って設置すられ
ている。尚、このガス吸引部(321%)は第2図1こ
おいて前記ガス噴出部(3M)と導電性ドラJ!h(2
21の軸とを結ぶ直線上に位置するように設けられてい
る。
前記第1.2電極板(31)(支)は電路06)を介じ
そ各々ff1i気的に短絡されていると共に1.高周波
電源Q5)によって0.05〜1.5KWの高周波電力
が印加されるようになっている。この際、その周波数は
1〜50■hであることが好ましい。このため、感光層
生成時において導電性ドラム(22)が接地されている
関係上、第1.2電極板賄)(3zと導電性ドラムC2
zの周面との間1こ高周波電界が形成される。ところで
、前記容量結合型グロー放電分解装置においては、第1
.2電極板の1)(9)が導電性ドラムc!2の局面に
対して同心円状の円弧形状をしているため、第1.2電
極板(3II (321の内面と導電性ドラムC2の周
面との間の間隙は一定であり、前記の如く形成される高
周波電界の強度は全体的に等しい。このため、反応室c
!D内においてガス噴出部(31111)から噴出され
る感光層生成ガスはこの均−電界下で良好にグロー放電
分解され、導電性ドラムC21の周面上に均一な膜厚の
感光層を生成する。
また、反応室(2Dの内部は、感光層生成時(こ高度の
真空状態、具体的には、0.5〜2. Oi’Or r
程度の真空状態を必要とすることにより回転ポンプ酸、
拡散ポンプ@引が反応室(21)lこ対して連結されて
いる。
なお、ガス吸引部(321からガス吸引管C2!])内
へと吸引されたガスは、第3主管C1otを通じて回転
ポンプ酸へと導かれるようになっている。
本発明(こおいては、」ニ記のような客月結合型グロー
放電分解装置(こおいて、電極板C’31t321を加
熱するための加熱源を設けることが重要である。
このため、例えば第5図に示すように、電極板01)(
社)の外側に、絶縁板0ωを介在してシーズ線ヒーター
が貼り伺けられ、この加熱源(37)により電極板いI
IK2が加熱されると共に、電極板賄1倣が熱輻躬する
ことによって導電性ドラムのが加熱される。
以上の椅成の客員結合型グロー放電分解装置において、
R−8i悪感光を導電性ドラムC!zの周面上に生成す
る番こ際しては、第1.2調整弁(51(61を開放し
て適当な流量比で第1.2タンク(1バ2Iより、fl
p、8iH4ガスを、また必要に応じて第4調整弁(8
)を開放して第4タンク(4)より02ガスを、更に硼
素を含有するときは第3調整弁ffi’4…」放して第
3タンク(3)よりB2116ガ゛スを放出する。放出
がはマスフローコントローラQ51(1G+(171(
lfuにより規制され、18をキャリアーガスとする8
iu4ガス、あるいはそれにJ3p+llaガスが混合
されたガスが!81主%’(131を介して、一方、5
ilJ41こ対し一定のモル比にある02ガスが第2主
繁04)を介して送られ、感光層生成ガスが構成される
。このような感光層生成ガスは第1.2ガス噴出管(2
71G!8)へと送られ、9I″J1ガス;大小’1に
’ (27+から吹き出されるガスについては第1電極
板賄)に設けられているガス噴出部(31B)より導電
性ドラム0力の周面に対して吹き付けられることとなる
。この際、ガス噴出部(318)から噴出される感光層
生成ガスの噴出方向と導電性ドラム(221の周面の接
線方向とが一致されていることにより、導電性ドラムO
2の周面(こ対して感光層生成ガスが直接勢いよく吹き
付けられることはない。
一方、反応室(21)の内部が0.5−2.0 ’1.
’Tl r r程度の真空状態に、導電性ドラム膿の表
aj1温度が100〜400℃に、第1.2電極板賄)
(1加こ印加されている高周波電力が0.05〜1.5
KJこ、また周波数か1〜5〇八但Zに設定されると共
に、 梼電性゛、ドラムCカか矢印(n1方向に回転さ
れていることにより、第1.2電極板賄)(ハ)と導電
性ドラム1221の周面との間でグロー放電が生じ、感
光層生成ガスが分解されることとなる。そして、導電性
ドラムのの周面上に、少なくとも、水素を含有したn−
)ii感光層が約05〜5μm / hourの速さで
生成される。この際、第1.2N極板(31)い2が導
電性ドラム器の周面に治った形状をしているので、前記
グロー放電は安定した状態で生じ、1.71性ドラムの
の周面上には均一な膜厚の8−81感光層が生成される
しかも、ガス噴出部(31Fk)、カース吸引部(32
a)がスリット状をしているため、電極板イ1)(3i
刊近でガスの滞留がなくなり、成膜中、粉末状シリコン
の生成が著しく抑えられることになる。
更に、加熱源1;17+は電極板(311嗅を約200
〜500℃まで高めるため、電極板(311(321表
面番こ飼猫ずべき、粉末状シリコンの中間生成物が加熱
分解し、過剰水素が除かれる。そのため、粉末状シリコ
ンに至らず、r+−8i膜となって、電極板頭1い力表
面に形成される。従って、粉末状シリコンの飛散がなく
なり、均質なa−8i感光層が生成される。
更に、導電性ドラムC!zを加熱すること1こ関して、
従来、基板加熱源として導電性ドラム0421の内側に
第6図のようなドラムボルダ(38)か設けられており
、ドラムボルダ贈の内2面にシーズ線上−タイ9)が巻
きつけられて、導電性ドラムC2が加熱される。
ところがドラムホルダの&が熱伝導の媒体となるため、
導電性ドラム(221の周面温度を均一にするには、加
熱源としてのドラムホルダ(38)を導電性ドラム(2
力の形状に適合させる必要があった。従って、導電性ド
ラムt2zの内径がわずかでも異なれば、相応した形状
のドラムホルダの8)と交換したり、シーズ線ヒータ(
3!11を巻き直さねばならず、多様なドラム形状に速
やかに対応できないという欠点があった。本発明では導
電性ドラムシ2)を回転させながら、熱輻射をするので
、導電性ドラムC4カ周面の温度は均一になる。しかも
、ドラムボルダ贈は導電性ドラムc!力内面と均等に接
触している必要が゛なく、円筒状番こ限定されないし、
ドラム形状が変更しても、前述のような繁雑な工程が省
略できる。
次に、本発明の変形態様Iこついて説明する。
第7図Iこおいては、両電極板@ II pZのそれぞ
れの両端刊近に、加熱源として棒状の赤外線ランプ14
0)を設けである。これにより導電性ドラム膿が加熱さ
れ、同時1こ電極板頭)姫も熱輻射(こより加熱され、
粉末状シリコンの発生を長期的に防止することが可能f
こなる。
第8図は複数個の導電性ドラム器の周面上(こ同時に感
光層を生成するのに適した展開例を示すものであり、第
1.2電極板1411(6)は処理する導電性ドラムc
!21の数(こ対応した波形状とする。第1.2電極板
(41)u力の外面には、第5図と同様な加熱源37)
として、シーズ線ヒータ(36)と絶縁板の5)が設り
られている。勿論、前記導電性ドラム(2力の数に対応
して分割された第1.2.3主督Q3(+41c力や、
第1゜2ガス噴出管(271(2ξ虹ガス吸引管c!■
も設けられている。
第9図は本発明を更番こ展開した実施例であり、a−8
i太陽電池等に使われている平板状基板にa−8i薄膜
を生成するだめの、反応室内概略構成図を示している。
同図中、旧は反応室、Hは電極板、ケ51は平板状基板
、146jは絶縁板、1471はシーズ線ヒータから成
る加熱源、1411914!Q+はガス配管である。
その他、反応室l外の装置構成は第1図表同様である。
上記構成1こより、電極板部のガス噴出部からガスが噴
出され、グロー放電によって平板状基板145Hにa−
1:li膜が生成される。その際、シーズ線ヒータt4
71は電極板部を加熱するため粉末状シリコンの発生を
長期間防止することが可能となった。
更に熱輻射によって平板状基板I461を加熱するため
、所定の基板温度に保たれ、高抵抗・高光感度という望
ましい電気特性が得られる。
尚、第5図、第7図、第8図及び第9図に示された加熱
源は、シーズ線ヒータ、赤外線ランプの他、ニクロム、
モリブデン、タングステン及びタンタル等の抵抗加熱体
、熱媒流体などでもよい。
以上の実施例から明らかなように、型枠板と導電性基板
を同一の加熱源によって加熱することで、電極板の粉末
状シリコン発生を、長期間防止することが可能となり、
第5図に示す装置で約500時間のテストをおこなって
も、電極板には何ら汚染が認められなかった。尚、比較
テストとし−C1従来通りのドラムホルダを加熱源とし
た場合、電極板のガス噴出部・ガス吸引部がスリット状
のため、初期には何ら電極板に汚染が認められなかった
が、100〜150時間も経過すると汚染が確認で き
 ブこ。
更に、導電性ドラムの場合、所望形状のドラム1こ対し
てドラム外側から加熱されるため、維持管理が容易とな
り、且つ猷産に好適となった。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る容量結合型グロー放電分解装置の
概略構成図、第2〜7図はその装置の各要部を示す図面
である。ここで、第2図は反応室内の構成を示す平面図
、第3図はff1l電極板の内面を示す図面、第4図は
第2N極板の内面を示す図面、585図はシーズ線ヒー
タが電極板外面に付設された状態を示す斜視図、第6図
は従来のドラムホルダを示す破断面図、第7図は赤外線
ランプが電極刊近に付設された状態を示す斜視図である
。 また、第8図は他の実施例を示す斜視図であり、第9図
も他の実施例を示す反応室内の概略断面図である。 22・・・導電性ドラム、31.32・・・電極板、3
5・・・絶縁板、36・・・シーズ線ヒータ、37・・
・加熱源、40・・・赤外線ランプ 出願人 京都セラミック株式会社 同    河  村   孝  夫 第2図 第3図   第4・図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 減圧可能な反応室内で、表面上にアモルファス薄膜が生
    成される基板と、グロー放重用電極板が対向しているグ
    ロー放電分解装置において、該電極板を加熱するための
    加熱源を付設したことを特徴とする容量結合型グロー放
    電分解装置。
JP12812982A 1982-07-21 1982-07-21 容量結合型グロ−放電分解装置 Pending JPS5919539A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12812982A JPS5919539A (ja) 1982-07-21 1982-07-21 容量結合型グロ−放電分解装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12812982A JPS5919539A (ja) 1982-07-21 1982-07-21 容量結合型グロ−放電分解装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5919539A true JPS5919539A (ja) 1984-02-01

Family

ID=14977108

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12812982A Pending JPS5919539A (ja) 1982-07-21 1982-07-21 容量結合型グロ−放電分解装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5919539A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014092395A1 (ko) * 2012-12-10 2014-06-19 한국기초과학지원연구원 분말 플라즈마 처리 장치

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014092395A1 (ko) * 2012-12-10 2014-06-19 한국기초과학지원연구원 분말 플라즈마 처리 장치
US10418227B2 (en) 2012-12-10 2019-09-17 Korea Basic Science Institute Plasma equipment for treating powder

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS61502900A (ja) バレル反応器及び光化学蒸着方法
JPH0459390B2 (ja)
JP4095205B2 (ja) 堆積膜形成方法
JPS5919539A (ja) 容量結合型グロ−放電分解装置
JP3145536B2 (ja) 触媒cvd装置
JPS6010618A (ja) プラズマcvd装置
US5624776A (en) Electrophotographic photosensitive member provided with a light receiving layer composed of a non-single crystal silicon material containing columnar structure regions and process for the production thereof
US20040261716A1 (en) Deposition film forming apparatus and deposition film forming method
JP5058510B2 (ja) 堆積膜形成装置および堆積膜形成方法
JPS6013075A (ja) プラズマcvd装置
JPH0426764A (ja) 堆積膜形成装置
JPH0438449B2 (ja)
JP2005163163A (ja) 堆積膜形成装置、及び堆積膜形成方法
JP2620939B2 (ja) グロー放電分解装置
JP2005015877A (ja) 堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法
JPH0565590B2 (ja)
JPH03120374A (ja) マイクロ波プラズマcvd法による堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置
JP2006009040A (ja) 堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法
JPS58190812A (ja) 電子写真感光体の製造方法
JPS60116783A (ja) 堆積膜製造装置
JP2000054146A (ja) 堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置
JPS63241184A (ja) グロ−放電分解装置
JP2006104544A (ja) 堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法
JP2005163164A (ja) 堆積膜形成装置、及び堆積膜形成方法
JP2002294459A (ja) 真空処理装置および真空処理方法