WO2012157223A1

WO2012157223A1 - 横型半導体装置

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Publication number: WO2012157223A1
Application number: PCT/JP2012/003065
Authority: WO
Inventors: 鈴木　隆司; 戸倉　規仁; 白木　聡; 高橋　茂樹; 洋一芦田; 山田　明
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 2011-05-13
Filing date: 2012-05-10
Publication date: 2012-11-22
Anticipated expiration: 2013-11-13
Also published as: JP5748353B2; DE112012002075T5; US20140048911A1; CN103548147A; JP2012256854A; US9240445B2

Abstract

　横型半導体装置（１）は、半導体層（１６）と絶縁層（３７）と抵抗性フィールドプレート（３０）を備えている。前記半導体層（１６）は、表層部に第１半導体領域（２８）と前記第１半導体領域（２８）の周囲を一巡している第２半導体領域（２３）を有している。前記絶縁層（３７）は、前記半導体層（１６）の表面に設けられており、前記第１、第２半導体領域（２８、２３）の間に配置されている。抵抗性フィールドプレート（３０）は、前記絶縁層（３７）の表面に設けられている。前記第１、第２半導体領域（２８、２３）の間には、前記第１半導体領域（２８）の周囲を周方向に沿って隣り合う第１部分と第２部分が存在する。前記抵抗性フィールドプレート（３０）は前記第１、第２部分にそれぞれ設けられた第１、第２抵抗性フィールドプレート部（３４）を有しており、前記第１、第２抵抗性フィールドプレート部（３４）は互いに離れている。

Description

横型半導体装置

関連出願の相互参照

　本開示は、２０１１年５月１３日に出願された日本出願番号２０１１－１０８４８５号と、２０１２年４月９日に出願された日本出願番号２０１２－８８４５５号に基づくもので、ここにその記載内容を援用する。

　本発明は、抵抗性フィールドプレートを備えた横型半導体装置に関する。

　横型半導体装置は、例えばSilicon on Insulator（ＳＯＩ）基板を利用して形成されている。横型半導体装置の一例に、横型ダイオードが知られている。横型ダイオードの半導体層の表面部には、カソード領域とアノード領域が形成されている。アノード領域は、カソード領域の周囲を一巡して配置されている。

　横型ダイオードはさらに、Local Oxidation of Silicon（ＬＯＣＯＳ）膜と抵抗性フィールドプレートを備えている。ＬＯＣＯＳ膜は、半導体層の表面に設けられており、カソード領域とアノード領域の間に配置されている。抵抗性フィールドプレートは、ＬＯＣＯＳ膜の表面に設けられている。抵抗性フィールドプレートの一端は、カソード領域に電気的に接続されており、抵抗性フィールドプレートの他端は、アノード領域に電気的に接続されている。抵抗性フィールドプレートには微小電流が流れており、これにより、カソード領域とアノード領域の間に存在する半導体層の表面の電位分布が均一化され、半導体層の表面電界を緩和することができる。

　特許文献１に示されるように、このような抵抗性フィールドプレートは、平面視したときに、カソード領域とアノード領域の間で渦巻状又は同心円状に構成された抵抗性フィールドプレート部を有している。

特開２０００－２２１７５号公報

　本開示の目的は、抵抗性フィールドプレート部のレイアウトの自由度を高めることができる横型半導体装置を提供することである。

　本開示の一態様に係る横型半導体装置は、半導体層と絶縁層と抵抗性フィールドプレートを備えている。半導体層は、第１半導体領域と第２半導体領域を有している。第１半導体領域は、半導体層の表面部に設けられている。第２半導体領域は、半導体層の表面部に設けられており、第１半導体領域の周囲を一巡している。絶縁層は、半導体層の表面に設けられており、第１半導体領域と第２半導体領域の間に配置されている。抵抗性フィールドプレートは、絶縁層の表面に設けられている。抵抗性フィールドプレートの一端は第１半導体領域に電気的に接続されており、抵抗性フィールドプレートの他端は第２半導体領域に電気的に接続されている。平面視したときに、第１半導体領域と第２半導体領域の間には、第１半導体領域の周囲を周方向に沿って隣り合う第１部分と第２部分が存在している。抵抗性フィールドプレートは、第１抵抗性フィールドプレート部と第２抵抗性フィールドプレート部とを有している。第１抵抗性フィールドプレート部は、第１部分に設けられており、前記周方向に沿って往復を繰返している。第２抵抗性フィールドプレート部は、第２部分に設けられており、前記周方向に沿って往復を繰返している。第１部分に設けられている第１抵抗性フィールドプレート部と第２部分に設けられている第２抵抗性フィールドプレート部は離れている。上記態様の横型半導体装置によると、第１部分の第１抵抗性フィールドプレート部と第２部分の第２抵抗性フィールドプレート部に異なるレイアウトを採用することができる。

　本発明における上記あるいは他の目的、構成、利点は、下記の図面を参照しながら、以下の詳細説明から、より明白となる。図面において、
図１は、本開示の実施例による横型ダイオードを示す平面図であり、図２は、図１のII-II線における横型ダイオードの断面図であり、図３は、図１のIII-III線における横型ダイオードの断面図であり、図４は、横型ダイオードのコーナー部分と直線部分を示す図であり、図５は、第１変形例による横型ダイオードを示す図であり、図６は、第２変形例による横型ダイオードの直線部分ＣとＤの境界を示す図であり、図７は、第３変形例による横型ダイオードの直線部分ＣとＤの境界を示す図であり、図８は、第４変形例による横型ダイオードの中間抵抗性フィールドプレートを構成する各部分の抵抗値の概念を示す図であり、図９は、第５変形例による横型ダイオードの各部分に設けられている中間抵抗性フィールドプレートの抵抗値の概念を示す図である。

　本出願の発明者は、従来の横型半導体装置において、以下の点を見出した。平面視したときに、カソード領域とアノード領域の間の範囲は、レーストラック状の形態を有している。このため、カソード領域とアノード領域の間の領域は、周方向に沿って一様な形態ではなく、コーナー部分、直線部分等が含まれている。通常、コーナー部分に対応する半導体層には、電界が集中し易いことが知られている。したがって、コーナー部分に対応する半導体層では、径方向の長さを直線部分よりも長くすることが望まれる。

　しかしながら、渦巻き状又は同心円状の抵抗性フィールドプレート部は、カソード領域とアノード領域の間を周方向に一巡していることから、コーナー部分と直線部分で異なるレイアウトを採用することが難しい。このため、コーナー部分と直線部分を比較すると、コーナー部分に設けられる抵抗性フィールドプレート部は、カソード領域とアノード領域の間の長さに対して相対的に少なく配置されることとなる。なお、仮に、コーナー部分と直線部分に異なるレイアウトを採用しても、コーナー部分と直線部分の抵抗性フィールドプレート部が接触している限り、その接触部位を介して双方に微小電流が流れることから、少なからずも影響を受けることになる。このような影響を考慮すると、コーナー部分と直線部分に最適ではない妥協したレイアウトを採用せざるを得ない。本出願の発明者は上記点に注目して本発明を創造した。

　本開示の下記実施例に係る横型半導体装置は、支持層と埋込み絶縁層と活性層が積層した積層基板に形成されている。積層基板は、ＳＯＩ基板であるのが望ましい。また、前記横型半導体装置は、活性層を一巡する絶縁分離トレンチで囲まれる島領域に形成されている。横型半導体装置は、半導体層に形成される半導体構造を備える。半導体構造は、複数種類の半導体領域で構成されており、半導体層を流れる電流を制御する。半導体構造には、ダイオード構造、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）構造、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）構造等が用いられる。ダイオード構造の場合、第１半導体領域がｎ型のカソード領域であり、第２半導体領域がｐ型のアノード領域である。ＩＧＢＴの場合、第１半導体領域がｐ型のコレクタ領域であり、第２半導体領域がｎ型のエミッタ領域である。ＭＯＳＦＥＴの場合、第１半導体領域がｎ型のドレイン領域であり、第２半導体領域がｎ型のソース領域である。

　図１～図３に示されるように、本開示の実施例にかかる横型のダイオード１は、ｎ型又はｐ型の支持層１２と埋込み絶縁層１４とｎ-型の活性層１６が積層したＳＯＩ基板１０に形成されている。図１に示されるように、ダイオード１は、絶縁分離トレンチ１８で囲まれた活性層１６の島領域内に形成されている。絶縁分離トレンチ１８は、活性層１６の表面から活性層１６を貫通して埋込み絶縁層１４まで達している。絶縁分離トレンチ１８は、平面視したときに活性層１６の一部を一巡している。一例では、支持層１２と活性層１６の材料には単結晶シリコンが用いられており、埋込み絶縁層１４の材料には酸化シリコンが用いられている。

　ダイオード１は、ｎ型のカソード領域２８とｐ型のアノード領域２３とｎ－型のドリフト領域２６を備えている。カソード領域２８とアノード領域２３とドリフト領域２６はダイオード構造を構成しており、活性層１６を横方向に流れる電流を制御する。具体的には、カソード領域２８とアノード領域２３の間に順バイアスが印加されたときに（アノード領域２３が高圧側に接続されたときに）、カソード領域２８とアノード領域２３の間に電流を導通させる。一方、カソード領域２８とアノード領域２３の間に逆バイアスが印加されたときに（カソード領域２８が高圧側に接続されたときに）、カソード領域２８とアノード領域２３の間を非導通とする。

　図１に示されるように、カソード領域２８は、島領域の中央部に配置されており、一方向に長く伸びて形成されている。カソード領域２８は、例えばイオン注入技術を利用して、活性層１６の表面部にリンイオンを注入して形成することができる。なお、この例ではカソード領域２８が１つの拡散領域で形成されているが、この例に代えて、カソード領域２８が一方向に分散した状態で形成されていてもよい。また、カソード領域２８に接するように、ｐ＋型の領域を部分的に形成してもよい。

　アノード領域２３は、島領域の周辺部に配置されており、絶縁分離トレンチ１８に接しながらカソード領域２８の周囲を一巡して形成されている。アノード領域２３は、高濃度アノード領域２２と低濃度アノード領域２４を有している。低濃度アノード領域２４は、高濃度アノード領域２２よりも深く形成されており、高濃度アノード領域２２を取り囲んでいる。なお、高濃度アノード領域２２と低濃度アノード領域２４の形態はこの例に限られない。例えば、高濃度アノード領域２２の面積がより小さく形成され、低濃度アノード領域２４の一部がアノード電極３２と接するような形態でもよい。また、低濃度アノード領域２４の深さを部分的に変えたような形態でもよい。アノード領域２３は、例えばイオン注入技術を利用して、活性層１６の表面部にボロンイオンを注入して形成することができる。

　ドリフト領域２６は、カソード領域２８とアノード領域２３の間に形成されている。ドリフト領域２６は、活性層１６にカソード領域２８とアノード領域２３を形成した残部である。ドリフト領域２６には、必要に応じて、高耐圧化のための半導体領域（例えば、リサーフ領域）が形成されていてもよい。

　ダイオード１はさらに、活性層１６の表面に設けられているカソード電極３６とアノード電極３２とLocal Oxidation of Silicon（ＬＯＣＯＳ）膜３７と抵抗性フィールドプレート３０を備えている。

　カソード電極３６は、島領域の中央部に配置されており、カソード領域２８に直接的に接触している。アノード電極３２は、島領域の周辺部に配置されており、アノード領域２３に直接的に接触している。

　ＬＯＣＯＳ膜３７は、活性層１６の表面に設けられており、カソード領域２８とアノード領域２３の間に配置されている。ＬＯＣＯＳ膜３７は、ドリフト領域２６上に設けられている。ＬＯＣＯＳ膜３７の材料には、例えば酸化シリコンが用いられている。

　抵抗性フィールドプレート３０は、ＬＯＣＯＳ膜３７の表面に設けられており、内周側抵抗性フィールドプレート部３５と中間抵抗性フィールドプレート部３４と外周側抵抗性フィールドプレート部３３を有している。内周側抵抗性フィールドプレート部３５は、島状領域の中央部を一巡するように配置されており、カソード電極３６を介してカソード領域２８に電気的に接続されている。外周側抵抗性フィールドプレート部３３は、島状領域の周辺部を一巡するように配置されており、アノード電極３２を介してアノード領域２３に接続されている。中間抵抗性フィールドプレート部３４は、内周側抵抗性フィールドプレート部３５と外周側抵抗性フィールドプレート部３３の双方に接続されている。

　図１及び図４に示されるように、平面視したときに、カソード領域２８とアノード領域２３の間は、レーストラック状の形態を有している。図４に示されるように、このレーストラック状の形態は、コーナー部分Ａ，Ｂ，Ｅ，Ｆと、直線部分Ｃ，Ｄ，Ｇ，Ｈを含む。

　図１及び図４に示されるように、各部分Ａ～Ｈに形成されている中間抵抗性フィールドプレート部３４はそれぞれ、一方の端部が内周側抵抗性フィールドプレート部３５に接触しており、他方の端部が外周側抵抗性フィールドプレート部３３に接触している。また、各部分Ａ～Ｈに設けられた中間抵抗性フィールドプレート部３４は、隣接する部分に設けられた中間抵抗性フィールドプレート部３４から離れている。

　コーナー部分Ａ，Ｂ，Ｅ，Ｆに形成される中間抵抗性フィールドプレート部３４は、カソード領域２８とアノード領域２３の間において、カソード領域２８の周方向に沿って往復を繰り返して形成されている。この例では、中間抵抗性フィールドプレート部３４が、カソード領域２８とアノード領域２３の間で５往復している。また、カソード領域２８とアノード領域２３を結ぶ方向で観測したときに、隣り合う中間抵抗性フィールドプレート部３４間の長さは一定であり、特定の値に固定されている。

　直線部分Ｃ，Ｄ，Ｇ，Ｈに形成される中間抵抗性フィールドプレート部３４は、カソード領域２８とアノード領域２３の間において、カソード領域２８の周方向に沿って往復を繰り返して形成されている。この例では、中間抵抗性フィールドプレート部３４が、カソード領域２８とアノード領域２３の間で４往復している。また、カソード領域２８とアノード領域２３を結ぶ方向で観測したときに、隣り合う中間抵抗性フィールドプレート部３４間の長さは一定であり、特定の値に固定されている。なお、コーナー部分Ａ，Ｂ，Ｅ，Ｆにおいてカソード領域２８とアノード領域２３を結ぶ方向で観測したときに隣り合う中間抵抗性フィールドプレート部３４間の長さと直線部分Ｃ，Ｄ，Ｇ，Ｈにおいてカソード領域２８とアノード領域２３を結ぶ方向で観測したときに隣り合う中間抵抗性フィールドプレート部３４間の長さは同一である。

　図２は、コーナー部分Ａ，Ｂ，Ｅ，Ｆに形成される中間抵抗性フィールドプレート部３４の例を示している。図３は、直線部分Ｃ，Ｄ，Ｇ，Ｈに形成される中間抵抗性フィールドプレート部３４の例を示している。コーナー部分Ａ，Ｂ，Ｅ，Ｆに対応するドリフト領域２６は、電界が集中し易い。このため、ドリフト領域２６の横方向の長さ（つまり、カソード領域２８とアノード領域２３の間の長さ）は、直線部分Ｃ，Ｄ，Ｇ，Ｈよりもコーナー部分Ａ，Ｂ，Ｅ，Ｆの方が長い。上記したように、コーナー部分Ａ，Ｂ，Ｅ，Ｆに形成される中間抵抗性フィールドプレート部３４は、直線部分Ｃ，Ｄ，Ｇ，Ｈに形成される中間抵抗性フィールドプレート部３４よりも往復回数が多く形成されている。このため、コーナー部分Ａ，Ｂ，Ｅ，Ｆと直線部分Ｃ，Ｄ，Ｇ，Ｈのいずれにおいても、ドリフト領域２６の上方には、その全部分に亘って一様に中間抵抗性フィールドプレート部３４が形成されている。すなわち、ドリフト領域２６の横方向の長さに対する中間抵抗性フィールドプレート部３４の配置間隔が、コーナー部分Ａ，Ｂ，Ｅ，Ｆと直線部分Ｃ，Ｄ，Ｇ，Ｈで同一である。したがって、コーナー部分Ａ，Ｂ，Ｅ，Ｆと直線部分Ｃ，Ｄ，Ｇ，Ｈのいずれにおいても、ドリフト領域２６の表面電界が緩和されており、高耐圧なダイオード１が具現化される。

　図５に、本実施例の第１変形例に係るダイオード１を示す。このダイオード１は、隣り合う中間抵抗性フィールドプレート部３４間に高抵抗な半導体領域３８が形成されている。このダイオード１では、抵抗性フィールドプレート３０と半導体領域３８が、イオン注入技術を利用して形成されることを特徴としている。具体的には、ＬＯＣＯＳ膜３７の表面に高抵抗半導体層を形成した後に、抵抗性フィールドプレート３０の形成部分に対応して開口を有するマスクをパターニングする。次に、その開口を介して高抵抗半導体層に不純物を導入し、抵抗性フィールドプレート３０の形成部分に対して選択的に不純物を導入する。その後に、アニール処理を実施することで、抵抗性フィールドプレート３０と半導体領域３８を作り分けることができる。この製造方法を利用すると、エッチング技術を利用する必要がないので、加工バラツキを抑えることができる。

　図６は、本実施例の第２変形例による横型ダイオード１の直線部分ＣとＤの境界を示す図である。図６に示されるように、直線部分Ｃの中間抵抗性フィールドプレート部３４は、直線部分Ｄに向けて突出する突出部３４ａを有している。同様に、直線部分Ｄの中間抵抗性フィールドプレート部３４も、直線部分Ｃに向けて突出する突出部３４ａを有している。これにより、直線部分ＣとＤの間において、突出部３４ａがアノード・カソード間方向（図６の上下方向）に繰り返し設けられている。図７は、本実施例の第３変形例による横型ダイオード１の直線部分ＣとＤの境界を示す図である。突出部３４ａは、図７に示すように階段状であってもよい。第２、第３変形例のように突出部３４ａが設けられていると、直線部分ＣとＤの境界部分において、中間抵抗性フィールドプレート部３４が存在しない空白部分が存在しない。このため、直線部分ＣとＤの境界部分においても、ドリフト領域２６の表面電界が緩和されており、高耐圧なダイオード１が具現化される。なお、図６及び図７では、直線部分ＣとＤの境界部分を例示したが、当然に、他の部分の間にも同様な構造が設けられているのが望ましい。

　図８は、本実施例の第４変形例による横型ダイオード１の中間抵抗性フィールドプレート部３４を構成する各部分の抵抗値の概念を示す図である。中間抵抗性フィールドプレート部３４は、周方向に沿って伸びる複数の部分（以下、円弧部分という）によって構成されている。最もカソード側（最内周側）の円弧部分の抵抗値をＲ１とし、最もアノード側（最外周側）の円弧部分の抵抗値をＲＮとする。コーナー部分Ａ，Ｂ，Ｅ，Ｆに形成されている中間抵抗性フィールドプレート部３４では、円弧部分の周方向の長さがカソード側からアノード側に向けて増加する。このため、中間抵抗性フィールドプレート部３４の幅が一定であると、Ｒ１＜Ｒ２＜Ｒ３＜・・・＜ＲＮの関係が成立する。ダイオード１では、中間抵抗性フィールドプレート部３４の幅をカソード側（最内周側）からアノード側（最外周側）に向けて増加させ、Ｒ１＝Ｒ２＝Ｒ３＝・・・＝ＲＮの関係が成立するように構成されている。これにより、ドリフト領域２６の表面電位分布は、アノード・カソード間方向において均一化され、表面電界が緩和される。

　図９は、本実施例の第５変形例による横型ダイオード１の各部分に設けられている中間抵抗性フィールドプレート部３４の抵抗値の概念を示す図である。各部分Ａ～Ｈに形成されている中間抵抗性フィールドプレート部３４は、内周側抵抗性フィールドプレート部３５と外周側抵抗性フィールドプレート部３３の間において並列に接続されている。コーナー部分Ａに形成されている中間抵抗性フィールドプレート部３４の抵抗値がＲａであり、直線部分Ｈに形成されている中間抵抗性フィールドプレート部３４の抵抗値がＲｈである。ダイオード１では、コーナー部分Ａ，Ｂ，Ｅ，Ｆと直線部分Ｃ，Ｄ，Ｇ，Ｈにおいて中間抵抗性フィールドプレート部３４のレイアウトが異なるけれども、Ｒａ＝Ｒｂ＝・・・＝Ｒｈの関係が成立するように構成されている。これにより、各中間抵抗性フィールドプレート部３４に流れる電流値が同じになり、電流の偏りが抑えられ、ドリフト領域２６の表面電界が緩和され、高耐圧なダイオード１が具現化される。

　なお、上記実施例において、活性化層１６が半導体層の一例であり、カソード領域が第１半導体領域の一例であり、アノード領域が第２半導体領域の一例であり、ＬＯＣＯＳ膜３７が絶縁層の一例である。また、部分Ａ～Ｈのうち、隣りあう２つの部分がそれぞれ第１部分と第２部分の一例であり、第１部分に設けられた中間抵抗性フィールドプレート部３４が第１抵抗性フィールドプレート部の一例であり、第２部分に設けられた中間抵抗性フィールドプレート部３４が第２抵抗性フィールドプレート部の一例である。

　以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。

　例えば、上記実施例では半導体材料にシリコンを用いたものを例示したが、この例に代えて、ワイドギャップ半導体を用いてもよい。

　また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。

Claims

　表面部に第１半導体領域（２８）と、前記第１半導体領域の周囲を一巡している第２半導体領域（２３）とを有する半導体層（１６）と、
　前記半導体層（１６）の表面に設けられており、前記第１半導体領域（２８）と前記第２半導体領域（２３）の間に配置されている絶縁層（３７）と、
　前記絶縁層（３７）の表面に設けられ、一端が前記第１半導体領域（２８）に電気的に接続されており、他端が前記第２半導体領域（２３）に電気的に接続されている抵抗性フィールドプレート（３０）と、を備えた横型半導体装置であって、
　平面視したときに、前記第１半導体領域（２８）と前記第２半導体領域（２３）の間には、前記第１半導体領域（２８）の周囲を周方向に沿って隣り合う第１部分と第２部分が存在しており、
　前記抵抗性フィールドプレート（３０）は、前記第１部分に設けられており、前記周方向に沿って往復を繰返す第１抵抗性フィールドプレート部（３４）と、前記第２部分に設けられており、前記周方向に沿って往復を繰返す第２抵抗性フィールドプレート部（３４）と、を有しており、
　前記第１部分に設けられている前記第１抵抗性フィールドプレート部（３４）と前記第２部分に設けられている前記第２抵抗性フィールドプレート部（３４）とが離れている横型半導体装置。
　前記第１部分に設けられている前記第１抵抗性フィールドプレート部（３４）の往復回数と前記第２部分に設けられている前記第２抵抗性フィールドプレート部（３４）の往復回数が異なっている請求項１に記載の横型半導体装置。
　平面視したときに、前記第１半導体領域（２８）と前記第２半導体領域の間の領域（２３）は、コーナー部分と直線部分を有しており、
　前記第１部分は、前記コーナー部分に含まれており、
　前記第２部分は、前記直線部分に含まれており、
　前記第１部分に設けられている前記第１抵抗性フィールドプレート部（３４）の往復回数は、前記第２部分に設けられている前記第２抵抗性フィールドプレート部（３４）の往復回数よりも多い請求項２に記載の横型半導体装置。
　前記第１抵抗性フィールドプレート部（３４）は、前記周方向に沿って伸びる各部分の抵抗値が略等しい請求項３に記載の横型半導体装置。
　前記第１抵抗性フィールドプレート部（３４）は、第２部分に向けて突出する第１抵抗性フィールドプレート突出部（３４ａ）を有しており、
　前記第２抵抗性フィールドプレート部（３４）は、第１部分に向けて突出する第２抵抗性フィールドプレート突出部（３４ａ）を有しており、
　平面視したときに、前記第１抵抗性フィールドプレート突出部（３４ａ）と前記第２抵抗性フィールドプレート突出部（３４ａ）が、前記第１半導体領域（２８）と前記第２半導体領域（２３）を結ぶ方向に沿って繰り返し設けられている請求項１～４のいずれか一項に記載の横型半導体装置。
　前記第１抵抗性フィールドプレート部（３４）の抵抗値と前記第２抵抗性フィールドプレート部（３４）の抵抗値が略等しい請求項１～５のいずれか一項に記載の横型半導体装置。