WO2012008472A1 - 感光性樹脂組成物及びその硬化物 - Google Patents

感光性樹脂組成物及びその硬化物 Download PDF

Info

Publication number
WO2012008472A1
WO2012008472A1 PCT/JP2011/065923 JP2011065923W WO2012008472A1 WO 2012008472 A1 WO2012008472 A1 WO 2012008472A1 JP 2011065923 W JP2011065923 W JP 2011065923W WO 2012008472 A1 WO2012008472 A1 WO 2012008472A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
resin composition
photosensitive resin
formula
following formula
epoxy
Prior art date
Application number
PCT/JP2011/065923
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
美彩都 大西
尚子 今泉
酒井 亮
那央 本田
清柳 正幸
Original Assignee
日本化薬株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日本化薬株式会社 filed Critical 日本化薬株式会社
Priority to KR1020187014300A priority Critical patent/KR102156990B1/ko
Priority to JP2012524568A priority patent/JP5872470B2/ja
Priority to KR1020137000875A priority patent/KR20130091724A/ko
Priority to US13/809,286 priority patent/US8865392B2/en
Publication of WO2012008472A1 publication Critical patent/WO2012008472A1/ja

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/68Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the catalysts used
    • C08G59/687Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the catalysts used containing sulfur
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0045Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • C08L63/04Epoxynovolacs
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J163/00Adhesives based on epoxy resins; Adhesives based on derivatives of epoxy resins
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0047Photosensitive materials characterised by additives for obtaining a metallic or ceramic pattern, e.g. by firing
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G03F7/0382Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable the macromolecular compound being present in a chemically amplified negative photoresist composition
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G03F7/0385Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable using epoxidised novolak resin
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/075Silicon-containing compounds
    • G03F7/0757Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28Applying non-metallic protective coatings
    • H05K3/285Permanent coating compositions
    • H05K3/287Photosensitive compositions
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/114Initiator containing
    • Y10S430/115Cationic or anionic
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/114Initiator containing
    • Y10S430/122Sulfur compound containing

Definitions

  • the present invention is for MEMS package parts, semiconductor package parts, especially for various types of mechanical quantity sensors such as acceleration, angular velocity, pressure, CMOS, CCD image sensors, optical / RF sensors, temperature / humidity sensors for small and highly airtight surface mounting.
  • mechanical quantity sensors such as acceleration, angular velocity, pressure, CMOS, CCD image sensors, optical / RF sensors, temperature / humidity sensors for small and highly airtight surface mounting.
  • Photoresistable resists have recently been widely used in semiconductor and MEMS / micromachine applications.
  • photolithography is achieved by patterning exposure on a substrate and then developing with a developer to selectively remove exposed or non-exposed areas.
  • Resist that can be processed by photolithography is classified into a positive type and a negative type.
  • An exposed part dissolves in a developing solution is a positive type, and a resist that is insoluble is a negative type.
  • advanced technology electro-package applications and MEMS applications not only the ability to form a uniform spin coating film, but also a high aspect ratio, a straight sidewall shape in a thick film, and a high adhesion to a substrate are required.
  • the aspect ratio is an important characteristic calculated by resist film thickness / pattern line width and showing the performance of photolithography.
  • Photoresist polymerization initiators such as polyfunctional bisphenol A novolak type epoxy resin (trade name: EPON SU-8 resin, Resolution Performance Products) and Dow Chemical's CYRACURE UVI-6974 (such photoresists)
  • a negative-type chemically amplified photoresist composition comprising a photo-cationic polymerization initiator comprising a propylene carbonate solution of aromatic sulfonium hexafluoroantimonate). Since the photoresist composition has very low light absorption in the wavelength region of 350 to 450 nm, it is known as a photoresist composition that can be processed by thick film photolithography.
  • This photoresist composition is applied onto various substrates by a technique such as spin coating or curtain coating, and then a solid photoresist layer having a thickness of 100 ⁇ m or more is formed by volatilizing the solvent by baking, and further contact exposure.
  • Photolithography is performed by irradiating near ultraviolet light through a photomask by various exposure methods such as proximity exposure or projection exposure. Subsequently, a negative image of a high-resolution photomask can be formed on the substrate by immersing in a developing solution and dissolving the non-exposed areas.
  • the physical properties of the package material affect the reliability of the device.
  • MEMS elements and semiconductor elements tend to be damaged by changes in ambient temperature and humidity, or by the influence of fine dust and dust, or by mechanical vibrations and impacts.
  • the MEMS element and the semiconductor element are in a form sealed with various materials or a form enclosed in a hollow structure (cavity) surrounded by the outer wall of various materials, that is, the package. It is used as a form.
  • the resulting package has excellent reliability, but has disadvantages such as high manufacturing cost and poor dimensional accuracy.
  • the conventional resin has a relatively low manufacturing cost and high dimensional accuracy, but has problems in moisture resistance, heat resistance, etc. there were.
  • the sealing material is peeled off from the substrate or the element due to moisture absorbed by the resin material from the external environment, or defective due to outgas generated from the package when exposed to a high temperature environment.
  • it is included in the resin or is generated by a resin curing reaction or the like when urgently issued from a high-temperature heating process such as solder reflow. There is a problem that moisture condenses in the cavity and deteriorates the characteristics of the MEMS and the semiconductor element.
  • Patent Document 1 discloses a photocationic polymerization initiator.
  • a photosensitive composition containing oxetane is cured, a photosensitive resin composition containing a photocationic polymerization initiator having a specific structure and an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule
  • Patent Document 2 when a package having a cavity is produced, a photosensitive resin composition containing a photocationic polymerization initiator having a specific structure and an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule is used.
  • PCT pressure cooker test
  • the sensitivity of the photocation polymerization initiator contained is low, so that it is necessary to contain a large amount of initiator or a short amount of initiator. There was a problem that the mask pattern could not be faithfully reproduced in time.
  • the photocationic polymerization initiator containing hexafluoroantimonate ion (SbF 6 ⁇ ) has a relatively high sensitivity, there is a problem that its use is limited due to toxicity problems.
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, and is a photosensitive resin composition excellent in sensitivity and resolution, and adhesion to a substrate after a PCT test and a package at a sudden temperature change. It aims at providing the hardened
  • a photosensitive resin composition comprising a combination of an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule and a photocationic polymerization initiator having a specific structure. I found that it can be solved.
  • a photosensitive resin composition for MEMS comprising a photocationic polymerization initiator (A) and an epoxy resin (B) having two or more epoxy groups in one molecule, the photocationic polymerization initiator ( A) is the following formula (1)
  • a photosensitive resin composition for MEMS which is a photocationic polymerization initiator (A-1) represented by: (2)
  • the softening point of the epoxy resin (B) is 40 ° C. or higher and 120 ° C. or lower, and the epoxy equivalent is 150 to 500 / eq.
  • the epoxy resin (B) has the following formula (3)
  • each R independently represents a glycidyl group or a hydrogen atom, and at least two of a plurality of R are glycidyl groups.
  • K represents an average value of the number of repeating units, and 0-30
  • each of R 1 , R 2 , and R 3 independently represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
  • P represents an average value of the number of repeating units;
  • R 4 and R 5 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or trifluoromethyl.
  • N and m are each independently the average number of repeating units.
  • an epoxy resin (B-3) represented by a real number independently in the range of 1 to 30), Following formula (6)
  • n represents an average value of the number of repeating units and is a real number in the range of 1 to 30).
  • Epoxy resin (B-5) represented by A polybasic acid anhydride is reacted with a reaction product of an epoxy compound having at least two epoxy groups in one molecule and a compound having at least one hydroxyl group and one carboxyl group in one molecule.
  • Epoxy resin (B-6) obtained by Following formula (9)
  • n represents an average value of the number of repeating units and is a real number in the range of 1 to 10).
  • n represents an average value of the number of repeating units, and is a real number in the range of 0.1 to 5).
  • n represents an average value of the number of repeating units, and is a real number in the range of 0.1 to 6
  • epoxy resin (B-10) represented by the following formula (13) and / Or formula (14)
  • the photosensitive resin composition according to the above item (1) or (2) which is one type or two or more types selected from the group consisting of epoxy resins (B-11) that are co-condensates with compounds represented by: (4) The photosensitive resin composition according to any one of (1) to (3), wherein the photosensitive resin composition is for a wafer level package; (5) The photosensitive resin composition according to any one of (1) to (4), wherein the photosensitive resin composition is used as an adhesive layer between a substrate and an adherend.
  • the photosensitive resin composition of the present invention has good image resolution, thermal stability, chemical resistance and solvent solubility, is highly sensitive and does not deteriorate adhesion to a substrate after a pressure cooker test (PCT). Have Furthermore, since condensation does not occur inside the package even when the temperature changes suddenly, it is preferably used as a photosensitive resin composition for wafer level packages.
  • the photosensitive resin composition of the present invention comprises a photocationic polymerization initiator (A-1) represented by the formula (1) and an epoxy resin (B) having two or more epoxy groups in one molecule.
  • A-1 photocationic polymerization initiator
  • B epoxy resin
  • the cationic photopolymerization initiator (A-1) represented by the formula (1) is GSID 4480-1 (trade name, manufactured by Ciba Specialty Chemicals, Inc., later renamed to “Irgacure PAG290 (trade name, BASF)”) ) Can be obtained.
  • the cationic photopolymerization initiator (A) used in the photosensitive resin composition of the present invention generates cations upon irradiation with ultraviolet rays, far ultraviolet rays, excimer lasers such as KrF and ArF, X-rays and electron beams.
  • the cation is a compound that can serve as a polymerization initiator, and is usually referred to as an energy-sensitive acid generator.
  • the epoxy resin (B) in the present invention is not particularly limited as long as it is an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule. When there are less than two epoxy groups in one molecule, the chemical resistance and heat resistance of the cured product are remarkably lowered, and there is a possibility that it cannot be used as a permanent film.
  • the epoxy resin (B) include novolaks obtained by reacting phenols (phenol, alkyl-substituted phenol, naphthol, alkyl-substituted naphthol, dihydroxybenzene, dihydroxynaphthalene, etc.) with formaldehyde under an acidic catalyst, Examples thereof include novolak-type epoxy resins obtained by reacting halohydrins such as epichlorohydrin and methyl epichlorohydrin, and epoxy compounds obtained by oxidation reaction of olefin-containing compounds.
  • epoxy resins (B) have an epoxy equivalent of 150 to 500 g / eq. Is preferred.
  • the epoxy equivalent is smaller than this range, the curing shrinkage rate of the photosensitive resin composition is increased, and the cured product may be warped or cracked.
  • the epoxy equivalent is larger than this range, the crosslinking density of the photosensitive resin composition becomes small, and the strength, chemical resistance, heat resistance, crack resistance, etc. of the cured film may be lowered.
  • the epoxy equivalent is a value measured by a method based on JIS K7236.
  • the softening point of the epoxy resin (B) when the softening point of the epoxy resin (B) is too low, mask sticking is likely to occur during patterning, and when the photosensitive resin composition is used as a dry film resist, it is softened at room temperature. There is a possibility.
  • the softening point of the epoxy resin (B) when the softening point of the epoxy resin (B) is too high, it is not preferable because the softening is difficult when laminating the dry film resist to the substrate, and the bonding property to the substrate is deteriorated. From these things, the softening point of the epoxy resin (B) used for the photosensitive resin composition of this invention becomes like this. Preferably it is 40 to 120 degreeC, More preferably, it is 50 to 100 degreeC.
  • the softening point as used in this specification is a value measured by the method based on JISK7234. Therefore, the epoxy resin (B) used for the photosensitive resin composition of the present invention preferably has a softening point of 40 ° C. or higher and 120 ° C. or lower, more preferably 50 ° C. or higher and 100 ° C. or lower, and an epoxy equivalent of 150 to 500 ° C. / Eq. An epoxy resin is particularly preferred.
  • epoxy resin (B) having the above softening point and epoxy equivalent include EOCN-102S, EOCN-103S, EOCN-104S, EOCN-1020, EOCN-4400H, EPPN-201, EPPN-501, EPPN- 502, XD-1000, BREN-S, NER-7604, NER-7403, NER-1302, NER-7516, NC-3000H (all trade names, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), Epicoat 157S70 (trade names, Mitsubishi Chemical Co., Ltd.), EHPE3150 (trade name, manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd.) and the like, but are not limited thereto.
  • the epoxy resins (B-1) and (B-) are preferable because the cured product has high chemical resistance, plasma resistance and transparency, and the cured product has low moisture absorption. 2), (B-3), (B-4), (B-5), (B-6), (B-7), (B-8), (B-9), (B-10) And (B-11) are particularly preferred.
  • the epoxy resins represented by the formulas (3) to (12) and the like mean an epoxy resin mainly composed of the epoxy resin represented by each formula, and the epoxy resin is manufactured. Also included in the epoxy resin are subcomponents produced during the process, high molecular weight polymers of the epoxy resin, and the like.
  • Specific examples of the epoxy resin (B-1) represented by the formula (3) include Epicoat 157 (trade name, bisphenol A novolac type epoxy resin, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent of 180 to 250 g / eq. EPON SU-8 (trade name, bisphenol A novolac type epoxy resin, manufactured by Resolution Performance Products, epoxy equivalent 195 to 230 g / eq., Softening point 80 to 90 ° C.), etc. Is mentioned.
  • Specific examples of the epoxy resin (B-2) represented by the formula (4) include NC-3000 (trade name, biphenyl-phenol novolac type epoxy resin, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., epoxy equivalent of 270 to 300 g / eq., softening point 55 to 75 ° C.).
  • epoxy resin (B-3) represented by the formula (5) examples include NER-7604 and NER-7403 (both trade names, bisphenol F type epoxy in which a part of the alcoholic hydroxyl group is epoxidized) Resin, Nippon Kayaku Co., Ltd., epoxy equivalent 200-500 g / eq., Softening point 55-75 ° C.), NER-1302 and NER-7516 (both trade names, part of alcoholic hydroxyl groups were epoxidized) Bisphenol A type epoxy resin, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., epoxy equivalent 200-500 g / eq., Softening point 55-75 ° C.) and the like.
  • epoxy resin (B-4) represented by the formula (6) include EOCN-1020 (trade name, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., epoxy equivalent of 190 to 210 g / eq., Softening point of 55 to 85). ° C).
  • Specific examples of the epoxy resin (B-5) represented by the formula (7) include NC-6300 (trade name, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., epoxy equivalent 230-235 g / eq., Softening point 70-72. ° C).
  • examples of the epoxy resin (B-6) include a polycarboxylic acid epoxy compound whose production method is described in Japanese Patent No.
  • epoxy resin (B-6) 3698499, and its epoxy equivalent and softening point are used as a raw material for the epoxy resin (B-6).
  • the epoxy equivalent is usually 300 to 900 g / eq. It is adjusted in the range.
  • Specific examples of the epoxy resin (B-7) represented by the formula (9) include EPPN-201-L (trade name, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., epoxy equivalent of 180 to 200 g / eq., Softening point 65 ⁇ 78 ° C).
  • epoxy resin (B-8) represented by the formula (10) examples include EPPN-501H (trade name, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., epoxy equivalent 162-172 g / eq., Softening point 51-57. ° C), EPPN-501HY (trade name, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., epoxy equivalent: 163 to 175 g / eq., Softening point: 57-63 ° C.), EPPN-502H (trade name, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., epoxy equivalent) 158 to 178 g / eq., Softening point 60 to 72 ° C.).
  • EPPN-501H trade name, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., epoxy equivalent 162-172 g / eq., Softening point 51-57. ° C
  • EPPN-501HY trade name, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., epoxy equivalent: 163 to 175 g / eq.,
  • epoxy resin (B-9) represented by the formula (11) examples include EHPE3150 (trade name, manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd., epoxy equivalent of 170 to 190 g / eq., Softening point of 70 to 85 ° C.) Is mentioned.
  • Specific examples of the epoxy resin (B-10) represented by the formula (12) include XD-1000 (trade name, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., epoxy equivalent: 245 to 260 g / eq., Softening point: 68 to 78 ° C).
  • An epoxy resin (B-11) which is a cocondensate of the compound represented by the formula (13) and / or the formula (14) and the compound represented by the formula (15) and / or the formula (16), It can be obtained by the method described in JP-A No. 2007-291263, and the epoxy equivalent is usually from 400 to 900 g / eq. It is adjusted in the range.
  • a photocationic polymerization initiator (A) hereinafter sometimes simply referred to as “component (A)”
  • component (B) an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule
  • component (B) is 100% by mass, usually 0.1 to 15% by mass of component (A), 85 to 99.9% of component (B) % Blended.
  • the photocationic polymerization initiator (A) used in the photosensitive resin composition of the present invention has a high molar extinction coefficient at a wavelength of 300 to 380 nm, it is suitable depending on the film thickness when the photosensitive resin composition is used. It is necessary to adjust the blending ratio.
  • the photosensitive resin composition of the present invention may be added with a miscible reactive epoxy monomer (C) (hereinafter sometimes simply referred to as “component (C)”) in order to further improve pattern performance.
  • component (C) a miscible reactive epoxy monomer (hereinafter sometimes simply referred to as “component (C)”) in order to further improve pattern performance.
  • the reactive epoxy monomer (C) means a compound having a relatively small molecular weight and a liquid or semi-solid epoxy group at room temperature, typified by a glycidyl ether compound, and specific examples thereof include diethylene glycol diglycidyl.
  • Ether hexanediol diglycidyl ether, dimethylolpropane diglycidyl ether, polypropylene glycol diglycidyl ether (manufactured by ADEKA, ED506), trimethylolpropane triglycidyl ether (manufactured by ADEKA, ED505), trimethylolpropane triglycidyl ether (Low chlorine type, manufactured by Nagase ChemteX Corporation, EX321L), pentaerythritol tetraglycidyl ether, and the like, but are not limited thereto.
  • the reactive epoxy monomer (C) is used for the purpose of improving the reactivity of the resist and the physical properties of the cured film.
  • the reactive epoxy monomer (C) is often in a liquid form and is sensitive when the component is in a liquid form. When the amount is more than 20% by mass based on the total amount of the conductive resin composition, the film after the solvent is removed becomes sticky, and as a result, mask sticking easily occurs.
  • the blending ratio of the component (A), the component (B) and the component (C) is the solid content of the resist when the sum of the components is the solid content of the resist. 10 mass% or less is preferable and especially 7 mass% or less is suitable.
  • the solvent (D) can be used to lower the viscosity of the photosensitive resin composition of the present invention and improve the coating properties.
  • the solvent can be used without particular limitation as long as it is an organic solvent usually used for inks, paints and the like, and can dissolve each component of the photosensitive resin composition.
  • Specific examples of the solvent (D) include ketones such as acetone, ethyl methyl ketone, cyclohexanone and cyclopentanone, aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene and tetramethylbenzene, dipropylene glycol dimethyl ether and dipropylene glycol diethyl.
  • Glycol ethers such as ether, ethyl acetate, butyl acetate, butyl cellosolve acetate, carbitol acetate, esters such as propylene glycol monomethyl ether acetate and ⁇ -butyrolactone, alcohols such as methanol, ethanol, ceresolve and methyl ceresolve, octane and Examples thereof include aliphatic hydrocarbons such as decane, petroleum solvents such as petroleum ether, petroleum naphtha, hydrogenated petroleum naphtha and solvent naphtha.
  • the solvent (D) is added for the purpose of adjusting the film thickness and applicability when applied to the substrate, and appropriately retains the solubility of the main component, the volatility of the component, the liquid viscosity of the composition, and the like. Therefore, when used, it is preferably 95% by mass or less, and particularly preferably 10 to 90% by mass in the photosensitive resin composition.
  • a miscible adhesion imparting agent may be used for the purpose of further improving the adhesion of the composition to the substrate.
  • a coupling agent such as a silane coupling agent or a titanium coupling agent can be used, and a silane coupling agent is preferable.
  • silane coupling agent examples include 3-chloropropyltrimethoxysilane, vinyltrichlorosilane, vinyltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltris (2-methoxyethoxy) silane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 2 -(3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, N-2- (aminoethyl) -3 -Aminopropyltrimethoxysilane, 3-ureidopropyltriethoxysilane and the like.
  • adhesiveness imparting agents can be used alone or in combination of two or more. Since the adhesion-imparting agent is non-reactive with the main component, components other than those that act at the substrate interface exist as residual components after curing, and if used in a large amount, adverse effects such as deterioration of physical properties will occur. Depending on the substrate, it can be used within a range that does not adversely affect the effect even in a small amount, and the use ratio is 15% relative to the photosensitive resin composition even when used. It is preferably at most 5% by mass, particularly preferably at most 5% by mass.
  • a sensitizer may be used for further absorbing ultraviolet light and supplying the absorbed light energy to the photocationic polymerization initiator.
  • the sensitizer for example, thioxanthones and anthracene compounds having an alkoxy group at the 9th and 10th positions (9,10-dialkoxyanthracene derivatives) are preferable.
  • the alkoxy group include C1-C4 alkoxy groups such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, and a butoxy group.
  • the 9,10-dialkoxyanthracene derivative may further have a substituent.
  • substituents examples include halogen atoms such as fluorine atom, chlorine atom, bromine atom and iodine atom, C1-C4 alkyl groups such as methyl group, ethyl group and propyl group, sulfonic acid alkyl ester groups, and carboxylic acid alkyl ester groups.
  • halogen atoms such as fluorine atom, chlorine atom, bromine atom and iodine atom
  • C1-C4 alkyl groups such as methyl group, ethyl group and propyl group
  • sulfonic acid alkyl ester groups examples include C1-C4 alkyl such as methyl, ethyl, and propyl.
  • the substitution position of these substituents is preferably the 2-position.
  • thioxanthones include 2,4-dimethylthioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2,4-diisopropylthioxanthone, and the like.
  • 2,4-diethylthioxanthone (trade name: Kayacure DETX- S, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) and 2-isopropylthioxanthone are preferable.
  • Examples of the 9,10-dialkoxyanthracene derivative include 9,10-dimethoxyanthracene, 9,10-diethoxyanthracene, 9,10-dipropoxyanthracene, 9,10-dibutoxyanthracene, and 9,10-dimethoxy-2.
  • sensitizer component exerts its effect in a small amount, even if it is used, its use ratio is preferably 30% by mass or less, particularly preferably 20% by mass with respect to the photocationic polymerization initiator (A). It is as follows.
  • trismethoxyaluminum when it is necessary to reduce the adverse effects of ions derived from the photocationic polymerization initiator (A), trismethoxyaluminum, trisethoxyaluminum, trisisopropoxyaluminum, isopropoxydiethoxyaluminum, trisbutoxyaluminum, etc. Alkoxyaluminum, Trisphenoxyaluminum and Trisparamethylphenoxyaluminum, etc.
  • Phenoxyaluminum, Trisacetoxyaluminum, Trisstearatoaluminum, Trisbutyratoaluminum, Trispropionatoaluminum, Trisacetylacetonatoaluminum, Tristrifluoroacetylacetonatoaluminum , Trisethylacetoacetoaluminum, diacetylacetonatodipivaloylmethanato Aluminum and diisopropoxy (ethylacetoacetato) may be added to the ion catcher, such as aluminum and organic aluminum compounds, these ingredients may be used alone or in combination of two or more.
  • the compounding quantity is 10 mass% or less with respect to this solid content, when the sum total of (A) component, (B) component, and (C) component is made into the solid content of a resist.
  • thermoplastic resin examples include polyethersulfone, polystyrene, and polycarbonate.
  • colorant examples include phthalocyanine blue, phthalocyanine green, iodin green, crystal violet, titanium oxide, carbon black, and naphthalene black.
  • thickener examples include olben, benton, and montmorillonite.
  • antifoaming agent examples include antifoaming agents such as silicone-based, fluorine-based, and polymeric-based agents.
  • the amount used is, for example, about 0.1 to 30% by mass in the photosensitive resin composition of the present invention, but can be appropriately increased or decreased depending on the purpose of use.
  • an inorganic filler such as barium sulfate, barium titanate, silicon oxide, amorphous silica, talc, clay, magnesium carbonate, calcium carbonate, aluminum oxide, aluminum hydroxide, mica powder or the like is used.
  • the blending ratio is 0 to 60% by mass in the photosensitive composition of the present invention.
  • the photosensitive resin composition of the present invention preferably contains each component in the proportions shown in Table 1 below, and if necessary, the adhesion imparting agent, sensitizer, ion catcher, thermoplastic resin, colorant, thickener. Antifoaming agents, leveling agents and inorganic fillers may be added. It is only necessary to mix and stir by a usual method, and if necessary, a disperser such as a dissolver, a homogenizer, or a three roll mill may be used for dispersion and mixing. Moreover, after mixing, you may further filter using a mesh, a membrane filter, etc.
  • the photosensitive resin composition of the present invention is preferably used in liquid form.
  • a metal substrate such as silicon, aluminum or copper, a ceramic substrate such as lithium tantalate, glass, silicon oxide or silicon nitride, a substrate such as polyimide or polyethylene terephthalate
  • a photosensitive resin composition layer is formed by applying a thickness of 0.1 to 1000 ⁇ m using a spin coater or the like, and performing a heat treatment at 60 to 130 ° C. for about 5 to 60 minutes to remove the solvent. Thereafter, a mask having a predetermined pattern is placed, irradiated with ultraviolet rays, and subjected to a heat treatment at 50 to 130 ° C. for about 1 to 50 minutes.
  • a permanent protective film satisfying various properties can be obtained.
  • an organic solvent such as ⁇ -butyrolactone, triethylene glycol dimethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, or a mixed solution of the organic solvent and water can be used.
  • a paddle type, spray type, shower type, or other developing device may be used, and ultrasonic irradiation may be performed as necessary.
  • aluminum is mentioned as a preferable metal substrate.
  • the resin composition of the present invention is coated on a base film using a roll coater, die coater, knife coater, bar coater, gravure coater, etc., and then dried in a drying oven set at 45 to 100 ° C.
  • a dry film resist can be obtained by removing a predetermined amount of the solvent and, if necessary, laminating a cover film or the like. At this time, the thickness of the resist on the base film is adjusted to 2 to 100 ⁇ m.
  • the base film and the cover film (these films are also referred to as substrates), for example, films of polyester, polypropylene, polyethylene, TAC, polyimide and the like can be used.
  • a film subjected to a release treatment with a silicone-type release treatment agent, a non-silicone-type release treatment agent, or the like may be used as necessary.
  • the cover film is peeled off and transferred to a substrate at a temperature of 40 to 100 ° C. and a pressure of 0.05 to 2 MPa by a hand roll, a laminator, etc., and the liquid photosensitive resin composition is used.
  • exposure, post-exposure baking, development and heat treatment may be performed.
  • the photosensitive resin composition is supplied as a film as described above, the steps of coating on the support and drying can be omitted, and the photosensitive resin composition of the present invention is used more simply. Pattern formation is possible.
  • metal substrates such as aluminum, gold, copper, chromium, and titanium are deposited on silicon wafers of various shapes by sputtering or vapor deposition to a thickness of 10 to 5000 mm as substrates for MEMS packages and semiconductor packages, and etching methods, etc. Thus, a substrate or the like obtained by finely processing the metal is used.
  • silicon oxide or silicon nitride may be formed as an inorganic protective film with a thickness of 10 to 10,000 mm.
  • the partition wall is formed on the substrate by the above-described method, and further, the dry film is laminated by the above-described method and patterned so as to be a lid on the partition wall.
  • a hollow package structure can be produced. Further, after the production, a MEMS package part and a semiconductor package part satisfying various characteristics can be obtained by performing a heat treatment at 130 to 200 ° C. for 10 to 120 minutes as necessary.
  • the “package” is a sealing method or a sealed one used to block the ingress of gas or liquid in the outside air in order to maintain the stability of the substrate, wiring, elements, and the like.
  • the package described in the present invention is performed in order to prevent deterioration of a package having a driving unit such as a MEMS, a hollow package for packaging a vibrator such as a SAW device, a semiconductor substrate, a printed wiring board, wiring, or the like. It refers to surface protection and resin sealing.
  • “Wafer level package” refers to a packaging method in which a protective film, terminals, wiring processing, and packaging are performed in a wafer state, and then cut into chips.
  • the photosensitive resin composition of the present invention has good image resolution, thermal stability, chemical resistance and solvent solubility, is highly sensitive, and does not decrease adhesion to the substrate after the pressure cooker test (PCT). Because there are features, for example, MEMS (micro electro mechanical system) parts, micro machine parts, micro fluid parts, ⁇ -TAS (micro total analysis system) parts, inkjet printer parts, micro reactor parts, conductive layers, LIGA parts, It is used for the production of molds for micro injection molding and hot embossing or these stamps, screens or stencils for micro printing applications, MEMS package parts, semiconductor package parts, BioMEMS and biophotonic devices, and printed wiring boards. Especially, it is useful in MEMS package parts and semiconductor package parts.
  • Examples 1-3 and Comparative Examples 1-2 Preparation of photosensitive resin composition
  • the photocationic polymerization initiator (A) the epoxy resin (B), and other components ((C), (D), (E) and (F ) And the like in a flask with a stirrer at 60 ° C. for 1 hour to obtain a photosensitive resin composition for comparison with the present invention.
  • the photosensitive resin compositions of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 and 2 were coated on a silicon wafer with a spin coater and then dried, and the film thicknesses shown in Table 2 (“film thickness after coating” in Table 2 are A photosensitive resin composition layer having a thickness after coating and drying was obtained.
  • This photosensitive resin composition layer was pre-baked on a hot plate at 65 ° C. for 5 minutes and at 95 ° C. for 15 minutes. Thereafter, pattern exposure (soft contact, i-line) is performed using an i-line exposure apparatus (mask aligner: manufactured by USHIO INC.), And post-exposure baking (hereinafter referred to as “PEB”) at 95 ° C. for 6 minutes using a hot plate.
  • PEB post-exposure baking
  • the adhesive force of the pattern of the shape typically shown in FIG. 1 was measured, and PCT tolerance was evaluated.
  • the adhesion force is a shear strength at the time when the pattern is peeled from the substrate by applying a force from the side surface of the pattern using a shear tool.
  • evaluation of PCT tolerance was not implemented. It was.
  • (A-1) to (F) in Table 2 are respectively described below.
  • the photosensitive resin compositions (Examples 1 to 3) of the present invention have higher sensitivity and higher PCT resistance (the adhesion to the substrate does not decrease) compared to Comparative Example 1. I found out.
  • Example 4 Photosensitive resin composition laminate
  • the photosensitive resin composition obtained in Example 1 above was uniformly applied on a polypropylene (PP) film (base film, manufactured by Toray Industries, Inc.) having a film thickness of 15 ⁇ m, and 5 ° C. at 65 ° C. with a hot air convection dryer. After drying for 20 minutes and at 80 ° C. for 20 minutes, a 38 ⁇ m-thick PP film (cover film) was laminated on the exposed surface to prepare a photosensitive resin composition laminate having a thickness of 15 ⁇ m.
  • PP polypropylene
  • the photosensitive resin composition according to the present invention possesses good image resolution, thermal stability, chemical resistance and solvent property, is highly sensitive, and does not deteriorate adhesion to the substrate after the pressure cooker test (PCT). It is useful for forming a resin pattern, and particularly suitable for resin molding with high dimensional stability and high durability in the field of MEMS parts, MEMS package parts, and semiconductor packages.
  • FIG. 1 is a cured product of a laminate of the photosensitive resin composition from which the cover film and the base film are removed, 2 is a cured product of the photosensitive resin composition; 3 is an aluminum thin film (thickness 1000 mm), 4 is a silicon wafer (thickness 500 ⁇ m), Respectively.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)

Abstract

 光カチオン重合開始剤(A)と、1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂(B)とを含む感光性樹脂組成物であって、光カチオン重合開始剤(A)が下記式(1) で表される光カチオン重合開始剤(A-1)である、感光性樹脂組成物。

Description

感光性樹脂組成物及びその硬化物
 本発明は、MEMSパッケージ部品、半導体パッケージ部品、特に、加速度・角速度・圧力等の各種の機械量センサ、CMOSやCCDイメージセンサ、光学・RFセンサ、温湿度センサの小型で高気密な表面実装用パッケージ部品の作製、更に、MEMS(微小電子機械システム)部品、マイクロマシン部品、マイクロ流体部品、μ-TAS(微小全分析システム)部品、インクジェットプリンター部品、マイクロ反応器部品、導電性層、LIGA部品、微小射出成型及び熱エンボス向けの型又はこれらのスタンプ、微細印刷用途向けスクリーン又はステンシル、BioMEMS及びバイオフォトニックデバイス、並びにプリント配線板の製作において有用な、感度および解像度に優れた感光性樹脂組成物、並びにPCT試験後の基材との密着性及び急激な温度変化時にパッケージ内部で発生する結露が低減された該感光性樹脂組成物の硬化物に関する。
 フォトリソグラフィー加工可能なレジストは、最近半導体やMEMS・マイクロマシンアプリケーションに広範に用いられている。このようなアプリケーションでは、フォトリソグラフィー加工は基板上でパターニング露光し、ついで、現像液で現像することで露光領域もしくは非露光領域を選択的に除去することで達成される。フォトリソグラフィー加工可能なレジスト(フォトレジスト)にはポジタイプと、ネガタイプがあり、露光部が現像液に溶解するのがポジタイプであり、逆に不溶になるものがネガタイプである。先端技術のエレクトロパッケージアプリケーションやMEMSアプリケーションでは均一なスピンコーティング膜の形成能だけではなく、高アスペクト比、厚膜におけるストレートな側壁形状、基板への高密着性等が要求される。ここで、アスペクト比とは、レジスト膜厚/パターン線幅により算出され、フォトリソグラフィーの性能を示す重要な特性である。
 このようなフォトレジストとしては、多官能ビスフェノールAノボラック型エポキシ樹脂(商品名 EPON SU-8レジン、レゾリューション・パフォーマンス・プロダクツ製)及びダウケミカル製 CYRACURE UVI-6974等の光カチオン重合開始剤(この光カチオン重合開始剤は芳香族スルフォニウムヘキサフルオロアンチモネートのプロピレンカーボネート溶液からなる)からなるネガタイプの化学増幅型フォトレジスト組成物が知られている。該フォトレジスト組成物は350~450nmの波長域に非常に低い光吸収を持つことから、厚膜フォトリソグラフィーが加工可能なフォトレジスト組成物として知られている。このフォトレジスト組成物を種々の基板上にスピンコートもしくはカーテンコート等の手法で塗布し、ついでベーキングにより溶剤を揮発させることで100μmもしくはそれ以上の厚みの固体フォトレジスト層を形成し、さらにコンタクト露光、プロキシミティ露光又はプロジェクション露光等の各種露光方法により、フォトマスクを通して近紫外光を照射することでフォトリソグラフィー加工が施される。続いて、現像液中に浸漬し、非露光領域を溶解させることで、基板上に高解像なフォトマスクのネガイメージを形成することができる。
 一方、MEMS部品や、MEMS及び半導体パッケージ等の分野では、パッケージ材料の物性がデバイスの信頼性に影響することが知られている。MEMS素子及び半導体素子は、周囲の温度や湿度の変化あるいは微細なごみや埃の影響でその特性が劣化したり、また機械的振動や衝撃を受けることにより破損しやすい。これら外的要因から保護するために、MEMS素子及び半導体素子は、各種材料で封止された形態や、各種材料の外壁で囲われた中空構造(キャビティ)に内包された形態、即ち、パッケージの形態として使用されている。封止剤や外壁の材料に金属やセラミックスを用いる気密封止方式の場合、得られるパッケージは信頼性に優れるが、製造コストが高いことや寸法精度が悪いことなどの欠点を有する。これに対して、封止剤や外壁の材料に樹脂を用いる樹脂封止の場合、従来の樹脂では、製造コストは比較的低く、かつ寸法精度も高いが、耐湿性や耐熱性等に問題があった。例えば、樹脂材料が外部環境から吸収した水分によって封止剤が基板や素子から剥離したり、高温環境下に晒された際にパッケージから発生するアウトガスに起因する不良が問題となっている。また、近年では、樹脂材料を用いて設けられたキャビティを有するパッケージにおいて、ハンダリフロー等の高温加熱工程から急令した際に、樹脂中に内包されている、或いは樹脂の硬化反応等により生成する水分がキャビティ内に結露し、MEMS及び半導体素子の特性を低下させるといった問題が発生している。
 特許文献1には、光カチオン重合開始剤が開示されており、実施例には該光カチオン重合開始剤を用いて、3,4-エポキシシクロヘキシルメチルカルボキシレート及び3-エチル-3-ヒドロキシメチル-オキセタンを含有する感光性組成物を硬化させることが記載されているが、特定構造の光カチオン重合開始剤と1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を含有する感光性樹脂組成物が、密着性、パターニング性、湿熱耐性等に優れることはなんら記載されていない。特許文献2には、キャビティを有するパッケージを製造するにあたり、特定構造の光カチオン重合開始剤と1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を含有する感光性樹脂組成物を用いることにより、高感度でかつプレッシャークッカー試験(PCT)後の基板への密着性が低下しないことが記載されているが、キャビティ内の結露低減効果については何ら言及されていない。
特表2009-533377号公報 特開2010-32991号公報
 ノボラック型エポキシ樹脂などの多官能エポキシ樹脂を用いた従来の感光性樹脂組成物では、含有する光カチオン重合開始剤の感度が低いため、大量の開始剤を含有することが必要であったり、短時間でマスクパターンを樹脂パターンに忠実に再現できないという問題点があった。また、六フッ化アンチモン酸イオン(SbF6 )を含有する光カチオン重合開始剤は比較的高感度ではあるが、毒性の問題から用途が限定されるといった問題もあった。一方で、MEMS部品やMEMS及び半導体パッケージ等の分野では樹脂組成物の耐湿性や耐熱性等の理由により、中空パッケージにした際、ハンダリフロー等の高温加熱工程から急令することにより、樹脂中に内包されている、或いは樹脂の硬化反応等により生成する水分がパッケージ内部で結露するといった問題があった。
 本発明は、以上のような事情に鑑みてなされたものであって、感度および解像度に優れた感光性樹脂組成物、並びにPCT試験後の基材との密着性及び急激な温度変化時のパッケージ内部での結露の発生が低減された該感光性樹脂組成物の硬化物を提供することを目的する。
 本発明者らは、鋭意、検討を重ねた結果、1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂と特定構造の光カチオン重合開始剤とを組み合わせた感光性樹脂組成物が上記課題を解決できることを見出した。
 即ち、本発明は、
(1)光カチオン重合開始剤(A)と、1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂(B)とを含むMEMS用感光性樹脂組成物であって、光カチオン重合開始剤(A)が下記式(1)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
で表される光カチオン重合開始剤(A-1)である、MEMS用感光性樹脂組成物、
(2)エポキシ樹脂(B)の軟化点が40℃以上120℃以下で、かつエポキシ当量が150~500/eq.である前項(1)に記載の感光性樹脂組成物、
(3)エポキシ樹脂(B)が下記式(3)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000014
(式(3)において、Rはそれぞれ独立にグリシジル基又は水素原子を示し、複数存在するRのうちの少なくとも2つはグリシジル基である。kは繰り返し単位数の平均値を示し、0~30の範囲にある実数である。)で表されるエポキシ樹脂(B-1)、
下記式(4)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000015
(式(4)において、各R1、R2、及びR3は、それぞれ独立に水素原子又は炭素原子1~4個を有するアルキル基を示す。pは繰り返し単位数の平均値を示し、1~30の範囲にある実数である。)で表されるエポキシ樹脂(B-2)、
下記式(5)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000016
(式(5)において、R4及びR5は、それぞれ独立に水素原子、炭素原子1~4個を有するアルキル基又はトリフルオロメチルを示す。n及びmはそれぞれ独立に繰り返し単位数の平均値を示し、独立に1~30の範囲にある実数である。)で表されるエポキシ樹脂(B-3)、
下記式(6)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000017
(式(6)において、nは繰り返し単位数の平均値を示し、1~30の範囲にある実数である。)で表されるエポキシ樹脂(B-4)、
下記式(7)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000018
で表されるエポキシ樹脂(B-5)、
1分子中に少なくとも2個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物と、1分子中に少なくとも1個以上の水酸基及び1個のカルボキシル基を有する化合物との反応物に、多塩基酸無水物を反応させることにより得られるエポキシ樹脂(B-6)、
下記式(9)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000019
(式(9)において、nは繰り返し単位数の平均値を示し、1~10の範囲にある実数である。)で表されるエポキシ樹脂(B-7)、
下記式(10)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000020
(式(10)において、nは繰り返し単位数の平均値を示し、0.1~5の範囲にある実数である。)で表されるエポキシ樹脂(B-8)、
下記式(11)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000021
(式(11)において、l、m及びnはそれぞれ独立に繰り返し単位数の平均値を示し、l+m+n=2~60の範囲にある実数である。)で表されるエポキシ樹脂(B-9)、
下記式(12)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000022
(式(12)において、nは繰り返し単位数の平均値を示し、0.1~6の範囲にある実数である。)で表されるエポキシ樹脂(B-10)並びに
下記式(13)及び/又は式(14)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000023
で示される化合物と、下記式(15)及び/又は式(16)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000024
で示される化合物との共縮合物であるエポキシ樹脂(B-11)からなる群から選択される1種類又は2種類以上である前項(1)又は(2)に記載の感光性樹脂組成物、
(4)感光性樹脂組成物がウエハーレベルパッケージ用である前項(1)乃至(3)のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物、
(5)感光性樹脂組成物が基板と被着体の接着層として用いられる前項(1)乃至(4)のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物、
(6)前項(1)乃至(5)のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物を基材で挟み込んで得られるドライフィルムレジスト、
(7)前項(1)乃至(5)のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物を硬化して得られる硬化物、
(8)前項(6)に記載のドライフィルムレジストを硬化して得られる硬化物、
に関する。
 本発明の感光性樹脂組成物は、良好な画像解像度、熱安定性、耐薬品及び溶媒溶解性を有し、高感度でかつプレッシャークッカー試験(PCT)後の基板への密着性が低下しない特徴を有する。さらに、急激な温度変化時でもパッケージ内部での結露が起こらないため、ウエハーレベルパッケージ用感光性樹脂組成物として好適に用いられる。
実施例でPCT耐性評価に用いた試験片の断面図である。
 以下に、本発明について説明する。
 本発明の感光性樹脂組成物は、前記式(1)で表される光カチオン重合開始剤(A-1)と、1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂(B)とを含有してなることを特徴とし、この樹脂組成物を用いると、高感度でプレッシャークッカー試験後の基板への密着性が低下しないパターンが形成できる。さらに上記組成物は、毒性の高いアンチモン化合物を含まないため人体及び環境に対する負荷を小さくすることができる。
 前記式(1)で表される光カチオン重合開始剤(A-1)は、GSID4480-1(商品名 チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製、後に「Irgacure PAG290(商品名、BASF社)」に名称変更)として、入手することができる。
 本発明の感光性樹脂組成物に用いられる光カチオン重合開始剤(A)は、紫外線、遠紫外線、KrFやArFなどのエキシマレーザー、X線および電子線などの放射線の照射を受けてカチオンを発生し、そのカチオンが重合開始剤となりうる化合物であり、通常感エネルギー線酸発生剤ともいわれている。
 次に前記エポキシ樹脂(B)について説明する。
 本発明における前記エポキシ樹脂(B)とは、1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂であれば特に限定されるものではない。1分子中に有するエポキシ基が2個未満の場合、硬化物の耐薬品性や耐熱性が著しく低下し、永久膜としての使用に耐えない可能性がある。エポキシ樹脂(B)の具体例としては、フェノール類(フェノール、アルキル置換フェノール、ナフトール、アルキル置換ナフトール、ジヒドロキシベンゼン、ジヒドロキシナフタレン等)とホルムアルデヒドとを酸性触媒下で反応して得られるノボラック類と、エピクロルヒドリン及びメチルエピクロルヒドリンのようなハロヒドリンとを反応させて得られるノボラック型エポキシ樹脂や、オレフィンを有する化合物の酸化反応によって得られるエポキシ化合物等が挙げられる。
 これらエポキシ樹脂(B)のエポキシ当量は150~500g/eq.が好ましい。エポキシ当量がこの範囲よりも小さい場合、感光性樹脂組成物の硬化収縮率が大きくなり、硬化物の反りやクラックが発生する可能性がある。一方、エポキシ当量がこの範囲よりも大きい場合には、感光性樹脂組成物の架橋密度が小さくなり、硬化膜の強度や耐薬品性、耐熱性、耐クラック性等が低下する可能性がある。尚、本願明細書ではエポキシ当量とは、JIS K7236に準拠した方法で測定した値である。
 また、エポキシ樹脂(B)の軟化点が低過ぎる場合には、パターニングする際にマスクスティッキングが発生しやすくなり、更に感光性樹脂組成物をドライフィルムレジストとして使用する際に、常温で軟化してしまう可能性がある。一方、エポキシ樹脂(B)の軟化点が高過ぎる場合には、ドライフィルムレジストを基板にラミネートする際に軟化しにくく、基板への貼合性が悪くなるので好ましくない。これらのことから、本発明の感光性樹脂組成物に用いるエポキシ樹脂(B)の軟化点は、好ましくは40℃以上120℃以下であり、より好ましくは50℃以上100℃以下である。尚、本願明細書でいう軟化点とはJIS K7234に準拠した方法で測定した値である。
 したがって、本発明の感光性樹脂組成物用いるエポキシ樹脂(B)としては、軟化点が好ましくは40℃以上120℃以下、より好ましくは50℃以上100℃以下であり、かつエポキシ当量が150~500/eq.であるエポキシ樹脂が特に好ましい。前記の軟化点及びエポキシ当量を有するエポキシ樹脂(B)の具体例としては、EOCN-102S、EOCN-103S、EOCN-104S、EOCN-1020、EOCN-4400H、EPPN-201、EPPN-501、EPPN-502、XD-1000、BREN-S、NER-7604、NER-7403、NER-1302、NER-7516、NC-3000H(いずれも商品名、日本化薬株式会社製)、エピコート157S70(商品名、三菱化学株式会社製)、EHPE3150(商品名、ダイセル化学工業株式会社製)等が挙げられるが、これらに限定されない。
 これらのエポキシ樹脂(B)の中でも、硬化物の耐薬品性、プラズマ耐性及び透明性が高く、さらに硬化物が低吸湿である等の理由で、前記エポキシ樹脂(B-1)、(B-2)、(B-3)、(B-4)、(B-5)、(B-6)、(B-7)、(B-8)、(B-9)、(B-10)及び(B-11)が特に好ましい。
 尚、本発明において式(3)~(12)等で表されるエポキシ樹脂とは、各式で表されるエポキシ樹脂を主成分とするエポキシ樹脂を意味するものであり、該エポキシ樹脂を製造する際に生成する副成分や、該エポキシ樹脂の高分子量体等が含有される場合も該エポキシ樹脂に含まれる。
 前記式(3)で表されるエポキシ樹脂(B-1)の具体例としては、エピコート157(商品名、ビスフェノールAノボラック型エポキシ樹脂、三菱化学株式会社製、エポキシ当量180~250g/eq.、軟化点80~90℃)、EPON SU-8(商品名、ビスフェノールAノボラック型エポキシ樹脂、レゾリューション・パフォーマンス・プロダクツ社製、エポキシ当量195~230g/eq.、軟化点80~90℃)等が挙げられる。前記式(4)で表されるエポキシ樹脂(B-2)の具体例としては、NC-3000(商品名、ビフェニル-フェノールノボラック型エポキシ樹脂、日本化薬株式会社製、エポキシ当量270~300g/eq.、軟化点55~75℃)が挙げられる。前記式(5)で表されるエポキシ樹脂(B-3)の具体例としては、NER-7604及びNER-7403(いずれも商品名、アルコール性水酸基の一部がエポキシ化されたビスフェノールF型エポキシ樹脂、日本化薬株式会社製、エポキシ当量200~500g/eq.、軟化点55~75℃)、NER-1302及びNER-7516(いずれも商品名、アルコール性水酸基の一部がエポキシ化されたビスフェノールA型エポキシ樹脂、日本化薬株式会社製、エポキシ当量200~500g/eq.、軟化点55~75℃)等が挙げられる。前記式(6)で表されるエポキシ樹脂(B-4)の具体例としては、EOCN-1020(商品名、日本化薬株式会社製、エポキシ当量190~210g/eq.、軟化点55~85℃)が挙げられる。前記式(7)で表されるエポキシ樹脂(B-5)の具体例としては、NC-6300(商品名、日本化薬株式会社製、エポキシ当量230~235g/eq.、軟化点70~72℃)が挙げられる。エポキシ樹脂(B-6)としては、日本国特許第3698499号公報に製法が記載されたポリカルボン酸エポキシ化合物が挙げられ、そのエポキシ当量及び軟化点は、エポキシ樹脂(B-6)の原料として用いるエポキシ樹脂や導入する置換基の導入率によって種々調整が可能であり、エポキシ当量は通常300~900g/eq.の範囲で調整される。前記式(9)で表されるエポキシ樹脂(B-7)の具体例としては、EPPN-201-L(商品名、日本化薬株式会社製、エポキシ当量180~200g/eq.、軟化点65~78℃)が挙げられる。前記式(10)で表されるエポキシ樹脂(B-8)の具体例としては、EPPN-501H(商品名、日本化薬株式会社製、エポキシ当量162~172g/eq.、軟化点51~57℃)、EPPN-501HY(商品名、日本化薬株式会社製、エポキシ当量163~175g/eq.、軟化点57~63℃)、EPPN-502H(商品名、日本化薬株式会社製、エポキシ当量158~178g/eq.、軟化点60~72℃)が挙げられる。前記式(11)で表されるエポキシ樹脂(B-9)の具体例としては、EHPE3150(商品名、ダイセル化学工業株式会社製、エポキシ当量170~190g/eq.、軟化点70~85℃)が挙げられる。前記式(12)で表されるエポキシ樹脂(B-10)の具体例としては、XD-1000(商品名、日本化薬株式会社製、エポキシ当量245~260g/eq.、軟化点68~78℃)が挙げられる。前記式(13)及び/又は式(14)で示される化合物と、前記式(15)及び/又は式(16)で示される化合物との共縮合物であるエポキシ樹脂(B-11)は、特開2007-291263号公報に記載の方法により得ることができ、エポキシ当量は、通常400~900g/eq.の範囲で調整される。
 次に本発明の感光性樹脂組成物における各成分の配合割合について説明する。
 本発明の感光性樹脂組成物における、光カチオン重合開始剤(A)(以下、単に「(A)成分」という場合もある)と1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂(B)(以下、単に「(B)成分」という場合もある)の合計量を100質量%とした場合、通常(A)成分0.1~15質量%、(B)成分85~99.9質量%の割合で配合される。本発明の感光性樹脂組成物に用いられる光カチオン重合開始剤(A)は、波長300~380nmにおけるモル吸光係数が高いので、感光性樹脂組成物を使用する際の膜厚に応じて適切な配合比に調整される必要がある。
 本発明の感光性樹脂組成物には、さらにパターンの性能を改良するため混和性のある反応性エポキシモノマー(C)(以下、単に「(C)成分」という場合もある)を添加してもよい。反応性エポキシモノマー(C)とは、グリシジルエーテル化合物に代表される、分子量の比較的小さい、室温で液状或いは半固形状のエポキシ基を有する化合物を意味し、その具体例としては、ジエチレングリコールジグリシジルエーテル、ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、ジメチロールプロパンジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル(株式会社ADEKA製、ED506)、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル(株式会社ADEKA製、ED505)、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル(低塩素タイプ、ナガセケムテックス株式会社製、EX321L)、ペンタエリスリトールテトラグリシジルエーテル等が挙げられるがこれらに限定されない。さらにこれらエポキシモノマーは塩素含有量が一般的に高いため、低塩素製造法又は精製工程を経た低塩素タイプのものを使用することが好ましい。これらは、単独あるいは2種以上混合して用いることができる。反応性エポキシモノマー(C)はレジストの反応性や硬化膜の物性を改善する目的で使用されるが、反応性エポキシモノマー(C)は液状のものが多く、該成分が液状である場合に感光性樹脂組成物の総量に対して20質量%よりも多く配合すると、溶剤除去後の皮膜にベタツキが生じ、その結果、マスクスティッキングが起きやすくなる。この点から、(C)成分を配合する場合には、その配合割合は、(A)成分、(B)成分及び(C)成分の合計をレジストの固形分とした場合、該固形分中で10質量%以下が好ましく、特に7質量%以下が好適である。
 本発明の感光性樹脂組成物の粘度を下げ、塗膜性を向上させるために溶剤(D)を用いることができる。溶剤としては、インキ、塗料等に通常用いられる有機溶剤であって、感光性樹脂組成物の各構成成分を溶解することができるものであれば特に制限なく用いることができる。溶剤(D)の具体例としては、アセトン、エチルメチルケトン、シクロヘキサノン及びシクロペンタノン等のケトン類、トルエン、キシレン及びテトラメチルベンゼン等の芳香族炭化水素類、ジプロピレングリコールジメチルエーテル及びジプロピレングリコールジエチルエーテル等のグリコールエーテル類、酢酸エチル、酢酸ブチル、ブチルセロソルブアセテート、カルビトールアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びγ-ブチロラクトン等のエステル類、メタノール、エタノール、セレソルブ及びメチルセレソルブ等のアルコール類、オクタン及びデカン等の脂肪族炭化水素、石油エーテル、石油ナフサ、水添石油ナフサ及びソルベントナフサ等の石油系溶剤等が挙げられる。
 これら溶剤は、単独で又は2種以上を混合して用いることができる。溶剤(D)は、基材へ塗布する際の膜厚や塗布性を調整する目的で加えるものであり、主成分の溶解性や成分の揮発性、組成物の液粘度等を適正に保持する為、使用する場合は、感光性樹脂組成物中において95質量%以下が好ましく、特に好ましくは10~90質量%である。
 本発明の感光性樹脂組成物には、さらに基板に対する組成物の密着性を向上させる目的で、混和性のある密着性付与剤を使用してもよい。密着性付与剤としてはシランカップリング剤又はチタンカップリング剤などのカップリング剤を用いることができ、好ましくはシランカップリング剤が挙げられる。
 上記シランカップリング剤としては3-クロロプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニル・トリス(2-メトキシエトキシ)シラン、3-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、2-(3,4-エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3-メルカプトプロピルトリメトキシシラン、3-アミノプロピルトリエトキシシラン、N-2-(アミノエチル)-3-アミノプロピルトリメトキシシラン、3-ユレイドプロピルトリエトキシシラン等が挙げられる。これら密着性付与剤は、単独で、又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
 密着性付与剤は主成分とは未反応性のものであるため、基材界面で作用する成分以外は硬化後に残存成分として存在することになり、多量に使用すると物性低下などの悪影響を及ぼす。基材によっては、少量でも効果を発揮する点から、悪影響を及ぼさない範囲内での使用が適当であり、その使用割合は、使用する場合であっても、感光性樹脂組成物に対して15質量%以下が好ましく、特に好ましくは5質量%以下である。
 本発明の感光性樹脂組成物には、さらに紫外線を吸収し、吸収した光エネルギーを光カチオン重合開始剤に供与するために増感剤を使用してもよい。増感剤としては、例えばチオキサントン類、9位と10位にアルコキシ基を有するアントラセン化合物(9,10-ジアルコキシアントラセン誘導体)が好ましい。前記アルコキシ基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等のC1~C4のアルコキシ基が挙げられる。9,10-ジアルコキシアントラセン誘導体は、さらに置換基を有していてもよい。置換基としては、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子、メチル基、エチル基、プロピル基等のC1~C4のアルキル基やスルホン酸アルキルエステル基、カルボン酸アルキルエステル基等が挙げられる。スルホン酸アルキルエステル基やカルボン酸アルキルエステルにおけるアルキルとしては、例えばメチル、エチル、プロピル等のC1~C4のアルキルが挙げられる。これらの置換基の置換位置は2位が好ましい。
 チオキサントン類の具体例としては、2,4-ジメチルチオキサントン、2,4-ジエチルチオキサントン、2-クロロチオキサントン、2,4-ジイソプロピルチオキサントン等が挙げられ、2,4-ジエチルチオキサントン(商品名 カヤキュアーDETX-S、日本化薬株式会社製)、2-イソプロピルチオキサントンが好ましい。
 9,10-ジアルコキシアントラセン誘導体としては、例えば9,10-ジメトキシアントラセン、9,10-ジエトキシアントラセン、9,10-ジプロポキシアントラセン、9,10-ジブトキシアントラセン、9,10-ジメトキシ-2-エチルアントラセン、9,10-ジエトキシ-2-エチルアントラセン、9,10-ジプロポキシ-2-エチルアントラセン、9,10-ジメトキシ-2-クロロアントラセン、9,10-ジメトキシアントラセン-2-スルホン酸メチルエステル、9,10-ジエトキシアントラセン-2-スルホン酸メチルエステル、9,10-ジメトキシアントラセン-2-カルボン酸メチルエステル等を挙げることができる。
 これらは、単独で又は2種以上混合して用いることができるが、2,4-ジエチルチオキサントン及び、9,10-ジメトキシ-2-エチルアントラセンの使用が最も好ましい。増感剤成分は、少量で効果を発揮する為、その使用割合は、使用する場合であっても、光カチオン重合開始剤(A)に対し30質量%以下が好ましく、特に好ましくは20質量%以下である。
 本発明において、光カチオン重合開始剤(A)由来のイオンによる悪影響を低減する必要がある場合には、トリスメトキシアルミニウム、トリスエトキシアルミニウム、トリスイソプロポキシアルミニウム、イソプロポキシジエトキシアルミニウム及びトリスブトキシアルミニウム等のアルコキシアルミニウム、トリスフェノキシアルミニウム及びトリスパラメチルフェノキシアルミニウム等のフェノキシアルミニウム、トリスアセトキシアルミニウム、トリスステアラトアルミニウム、トリスブチラトアルミニウム、トリスプロピオナトアルミニウム、トリスアセチルアセトナトアルミニウム、トリストリフルオロアセチルアセナトアルミニウム、トリスエチルアセトアセタトアルミニウム、ジアセチルアセトナトジピバロイルメタナトアルミニウム及びジイソプロポキシ(エチルアセトアセタト)アルミニウム等の有機アルミニウム化合物などのイオンキャッチャーを添加してもよく、これら成分は、単独で、又は2種以上を組み合わせて用いることができる。使用する場合、その配合量は、(A)成分、(B)成分及び(C)成分の合計をレジストの固形分とした場合、該固形分に対して10質量%以下である。
 更に本発明においては、必要に応じて、熱可塑性樹脂、着色剤、増粘剤、消泡剤、レベリング剤等の各種添加剤を用いることができる。熱可塑性樹脂としては、例えばポリエーテルスルホン、ポリスチレン、ポリカーボネート等があげられ、着色剤としては、例えばフタロシアニンブルー、フタロシアニングリーン、アイオジン・グリーン、クリスタルバイオレット、酸化チタン、カーボンブラック、ナフタレンブラック等が挙げられ、増粘剤としては、例えば、オルベン、ベントン、モンモリロナイト等が挙げられ、消泡剤としては、例えばシリコーン系、フッ素系および高分子系等の消泡剤が挙げられ、これらの添加剤等を使用する場合、その使用量は本発明の感光性樹脂組成物中、例えば、それぞれ0.1~30質量%程度が一応の目安であるが、使用目的に応じ適宜増減し得る。
 更に、本発明においては、例えば硫酸バリウム、チタン酸バリウム、酸化ケイ素、無定形シリカ、タルク、クレー、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、雲母粉等の無機充填剤を用いることができ、使用する場合、その配合比率は、本発明の感光性組成物中0~60質量%である。
 本発明の感光性樹脂組成物は、好ましくは下記表1の割合で各成分を配合し、必要に応じ前記密着性付与剤、増感剤、イオンキャッチャー、熱可塑性樹脂、着色剤、増粘剤、消泡剤、レベリング剤および無機充填剤を添加してもよい。通常の方法で混合、攪拌するだけでよく、必要に応じディゾルバー、ホモジナイザー、3本ロールミルなどの分散機を用い分散、混合させてもよい。また、混合した後で、さらにメッシュ、メンブレンフィルターなどを用いてろ過してもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000025
 本発明の感光性樹脂組成物は、好ましくは液状で使用される。本発明の感光性樹脂組成物を使用するには、例えばシリコン、アルミニウム、銅等の金属基板、リチウムタンタレート、ガラス、シリコンオキサイド、シリコンナイトライド等のセラミック基板、ポリイミド、ポリエチレンテレフタラート等の基板上に0.1~1000μmの厚みでスピンコーター等を用いて塗布し、60~130℃で5~60分間程度の熱処理をし、溶剤を除去して、感光性樹脂組成物層を形成する。その後、所定のパターンを有するマスクを載置して、紫外線を照射し、50~130℃で1~50分間程度の加熱処理を行った後、未露光部分を、現像液を用い室温~50℃で1~180分間程度現像してパターンを形成する。これを130~200℃で加熱処理をすることで、諸特性を満足する永久保護膜が得られる。現像液としては、例えばγ-ブチロラクトン、トリエチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等の有機溶剤、あるいは、前記有機溶剤と水の混合液等を用いることができる。現像にはパドル型、スプレー型、シャワー型等の現像装置を用いてもよく、必要に応じて超音波照射を行ってもよい。尚、本発明の感光性樹脂組成物を使用する場合、好ましい金属基板としては、アルミニウムが挙げられる。
 本発明の樹脂組成物は、ベースフィルム上にロールコーター、ダイコーター、ナイフコーター、バーコーター、グラビアコーター等を用いて該組成物を塗布した後、45~100℃に設定した乾燥炉で乾燥し、所定量の溶剤を除去することにより、また、必要に応じてカバーフィルム等を積層することによりドライフィルムレジストを得ることができる。この際、ベースフィルム上のレジストの厚さは、2~100μmに調整される。ベースフィルム及びカバーフィルム(これらフィルムを基材ともいう)としては、例えばポリエステル、ポリプロピレン、ポリエチレン、TAC、ポリイミド等のフィルムが使用され得る。これらフィルムは必要に応じてシリコーン系離型処理剤や非シリコーン系離型処理剤等により離型処理されたフィルムを用いてもよい。このドライフィルムレジストを使用するには、例えばカバーフィルムをはがして、ハンドロール、ラミネーター等により、温度40~100℃、圧力0.05~2MPaで基板に転写し、前記液状の感光性樹脂組成物と同様に露光、露光後ベーク、現像、加熱処理をすればよい。
 前述のように感光性樹脂組成物をフィルムとして供給すれば、支持体上への塗布、および乾燥の工程を省略することが可能であり、より簡便に本発明の感光性樹脂組成物を用いたパターン形成が可能となる。
 MEMSパッケージ及び半導体パッケージに用いる場合は、本発明の感光性樹脂組成物で被覆、又は中空構造を作製することにより使用できる。MEMSパッケージ及び半導体パッケージの基板としては種々の形状のシリコンウエハ上に、スパッタリング又は蒸着によりアルミニウム、金、銅、クロム、チタン等の金属薄膜を10~5000Åの膜厚で成膜し、エッチング法等によりその金属を微細加工した基板等が用いられる。場合によっては、さらに無機の保護膜としてシリコンオキサイドやシリコンナイトライドが10~10000Åの膜厚で成膜されることもある。次いで基板上に、MEMSデバイス又は半導体デバイスを作製又は設置し、このデバイスを外気から遮断するために、被覆又は中空構造を作製する必要がある。本発明の感光性樹脂組成物で被覆する場合は、前記の方法で行なうことができる。また、中空構造を作製する場合は、基板上へ前記の方法で隔壁を形成させ、その上にさらに、前記の方法でドライフィルムをラミネート及び隔壁上の蓋となるようにパターニングを行なうことで、中空パッケージ構造を作製することができる。また、作製後、必要に応じて130~200℃で10~120分間、加熱処理をすることで諸特性を満足するMEMSパッケージ部品及び半導体パッケージ部品が得られる。
 尚、「パッケージ」とは、基板、配線、素子等の安定性を保つため、外気の気体、液体の浸入を遮断するために用いられる封止方法又は封止されたものである。本発明で記載するパッケージとは、MEMSのような駆動部があるものや、SAWデバイス等の振動子をパッケージするための中空パッケージや、半導体基板、プリント配線版、配線等の劣化を防ぐために行う表面保護や、樹脂封止等をいう。「ウエハーレベルパッケージ」とはウエハーの状態で保護膜、端子、配線加工、パッケージまで行い、その後チップへ切り出すパッケージ工法のことを表す。
 本発明の感光性樹脂組成物は、良好な画像解像度、熱安定性、耐薬品及び溶媒溶解性を有し、高感度でかつプレッシャークッカー試験(PCT)後の基板への密着性が低下しないという特徴があるので、例えば、MEMS(微小電子機械システム)部品、マイクロマシン部品、マイクロ流体部品、μ-TAS(微小全分析システム)部品、インクジェットプリンター部品、マイクロ反応器部品、導電性層、LIGA部品、微小射出成型及び熱エンボス向けの型又はこれらのスタンプ、微細印刷用途向けスクリーン又はステンシル、MEMSパッケージ部品、半導体パッケージ部品、BioMEMS及びバイオフォトニックデバイス、並びに、プリント配線板の製作等に利用される。中でも特に、MEMSパッケージ部品及び半導体パッケージ部品において有用である。
 以下、本発明を実施例により詳細に説明するが、これらの実施例は、本発明を好適に説明するための例示に過ぎず、なんら本発明を限定するものではない。
実施例1~3及び比較例1~2
(感光性樹脂組成物の調製)
 表2に記載の配合量(単位は質量部)にしたがって、光カチオン重合開始剤(A)、エポキシ樹脂(B)、およびその他の成分((C)、(D)、(E)及び(F)等)を攪拌機付きフラスコで60℃、1時間攪拌混合し、本発明及び比較用の感光性樹脂組成物を得た。
(感光性樹脂組成物のパターニング)
 実施例1~3及び比較例1~2の各感光性樹脂組成物をシリコンウエハ上にスピンコーターで塗布後、乾燥し、表2に示す膜厚(表2における「塗工後膜厚」は塗布、乾燥した後の膜厚を意味する。)を有する感光性樹脂組成物層を得た。この感光性樹脂組成物層をホットプレートにより65℃で5分間そして95℃で15分間プリベークした。その後、i線露光装置(マスクアライナー:ウシオ電機社製)を用いてパターン露光(ソフトコンタクト、i線)を行い、ホットプレートにより95℃で6分間の露光後ベーク(以下「PEB」と記載する)を行い、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(以下「PGMEA」と記載する)を用いて浸漬法により23℃で5分間現像処理を行って、基板(シリコンウエハ)上に硬化した樹脂パターンを得た。
(感光性樹脂組成物の感度評価)
 前記パターン露光において、マスク転写精度が最良となる露光量を最適露光量とし、それぞれの感光性樹脂組成物の感度の評価を行った。最適露光量の値が小さいほど感度が高いことを表す。結果を下記表2に示す。
(感光性樹脂組成物の解像性評価)
 解像性:前記で得られた最適露光量によるパターン露光において、1、5、10及び20μmのラインアンドスペースのフォトマスクを使用し、残渣がなく解像されたレジストパターン中、基板へ密着している最も細かいパターン幅を測定した。結果を下記表2に示した。
(感光性樹脂組成物の密着力及びPCT耐性評価)
 シリコンウエハ上に1000Åのアルミニウム薄膜をスッパッタリングにより成膜し、その基板を用いて実施例1~3及び比較例1で得られた各感光性樹脂組成物について、前記で得られた最適露光量でパターニングを行なった。得られた各試験片に、温風対流式オーブンを用いて150℃、30分間のハードベークを施した。その後、各試験片をHASTチャンバー(エスペック社製)中に入れ、121℃、100%RH、2気圧とし、20時間恒温恒湿状態を保持した(PCT)後、試験片を取り出した。PCT後の試験片について、図1で模式的に示す形状のパターンの密着力を測定し、PCT耐性を評価した。尚、ここでいう密着力とは、シェアツールを用いてパターン側面部から力を加え、基板からパターンが剥離した時点でのシェア強度である。尚、比較例2の感光性樹脂組成物については、2000mJ/cm2までの露光量では基板に密着したパターンが得られず、最適露光量を確認できなかったため、PCT耐性の評価を実施しなかった。
 評価基準
  ○:密着力が50gf以上
  △:密着力が5gf以上50gf未満
  ×:密着力が5gf未満(測定限界以下)
(感光性樹脂組成物の結露試験)
 6インチシリコンウエハを用いて実施例1~3及び比較例1~2で得られた各感光性樹脂組成物について、前記同様のパターニングを行なった。但し、このとき、幅1mmのラインでフレーム状に囲い、縦3mm、横3mmのスペースが作製できるよう格子状のフォトマスクを使用した。パターニング後、被着体として厚さ300μmの6インチテンパックスガラスウエハ(ショット日本株式会社製)基板をパターン上に加熱圧着(加熱圧着条件:150℃、10kN、3分間)により貼りあわせ、キャビティ部を有する結露試験評価用サンプルを得た。このサンプルを180℃で1時間対流式オーブンを用いて加熱硬化し、評価用サンプルを作製した。得られたサンプルに、260℃のホットプレート上で3分間加熱する工程と23℃の水冷クーリングプレート上で2分間冷却する工程とを1セットとするヒートサイクル試験を10セット繰り返した後、キャビティ内のガラス基板面に発生した結露の有無を顕微鏡で確認し、下記の基準で評価した。結果を表2に示した。尚、比較例2の感光性樹脂組成物については、2000mJ/cm2までの露光量では基板に密着したパターンが得られず、最適露光量を確認できなかったため、結露試験を実施しなかった。
 評価基準
  ○:試験直後に結露が見られない
  △:試験直後には結露が見られたが、3分後には結露が見られない
  ×:試験直後及び3分後に結露が見られた
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000026
 尚、表2における(A-1)~(F)をそれぞれ下記する。
(A-1):前記式(1)で表される光カチオン重合開始剤(GSID4480-1(商品名 チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製、後に「Irgacure PAG290(商品名、BASF社)」に名称変更)
(PAG-1):下記式(20)で表される光カチオン重合開始剤(商品名 GSID26-1、BASF社製)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000027
(PAG-2):特表2009-533377号公報の実施例6に準じて調製した下記式(21)で表されるカチオン重合開始剤
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000028
(B-1):前記式(3)で表されるエポキシ樹脂(商品名 EPON SU-8、レゾリューション・パフォーマンス・プロダクツ製、エポキシ当量210g/eq.、軟化点85℃、平均繰り返し数k=4、置換基Rはグリシジル基を表す。)
(B-2):前記式(4)で表されるエポキシ樹脂(商品名 NC-3000H、日本化薬社株式会製、エポキシ当量285g/eq.、軟化点65℃、平均繰り返し数p=2、置換基R~Rはいずれも水素原子を表す。)
(B-3):前記式(5)で表されるエポキシ樹脂(商品名 NER-7604、日本化薬株式会社製、エポキシ当量347g/eq.、軟化点71℃、平均繰り返し数n=4、m≦1、置換基R、Rはいずれも水素原子を表す。)
(B-6):特許3698499号公報の合成例2に準じて合成したエポキシ樹脂(サンプル名を「EP3698499」とする、エポキシ当量350g/eq.、軟化点60℃)
(C):反応性エポキシモノマー(商品名 EX-321L、ナガセケムテックス株式会社製)
(D):溶剤シクロペンタノン
(E):フッ素系レベリング剤(商品名 メガファックF-470、DIC株式会社製)
(F):シランカップリング剤(商品名 S-510、チッソ株式会社製)
 表2に示すとおり、本発明の感光性樹脂組成物(実施例1~実施例3)は比較例1に比べ、高感度で、かつ高PCT耐性(基板への密着性が低下しない)であることが判った。
実施例4
(感光性樹脂組成物積層体)
 上記実施例1にて得られた感光性樹脂組成物を膜厚15μmのポリプロピレン(PP)フィルム(ベースフィルム、東レ株式会社製)上に均一に塗布し、温風対流乾燥機により65℃で5分間及び80℃で20分間乾燥した後、露出面上に膜厚38μmのPPフィルム(カバーフィルム)をラミネートして、15μmの膜厚の感光性樹脂組成物積層体を調製した。
(感光性樹脂組成物積層体のパターニング)
 前記で得られた感光性樹脂組成物積層体のカバーフィルムを剥離して、ロール温度70℃、エアー圧力0.2MPa、速度0.5m/minでシリコンウエハ上にラミネートする工程を4回行い、60μmの感光性樹脂組成物層を得た。この感光性樹脂組成物層に、i線露光装置(マスクアライナー:ウシオ電機社製)を用いてパターン露光(ソフトコンタクト、i線)を行った。その後、ホットプレートにより95℃で4分間PEBを行い、PGMEAを用いて浸漬法により23℃で4分間現像処理を行い、基板上に硬化した樹脂パターンを得た。最適露光量500mJ/cm2で、細線密着10μmであり、良好な結果が得られた。
 本発明にかかる感光性樹脂組成物は、良好な画像解像度、熱安定性、耐薬品及び溶媒性特性を保有し、高感度でかつプレッシャークッカー試験(PCT)後の基板への密着性が低下しない樹脂パターンの形成に有用であり、特に、MEMS部品、MEMSパッケージ部品及び半導体パッケージ等の分野で寸法安定性が高く、耐久性の高い樹脂成形に適している。
 図1において、
 1は、カバーフィルム及びベースフィルムを取り除いた感光性樹脂組成物の積層体の硬化物、
 2は、感光性樹脂組成物の硬化物、
 3は、アルミニウム薄膜(厚さ1000Å)、
 4は、シリコンウエハ(厚さ500μm)、
をそれぞれ示す。

Claims (8)

  1.  光カチオン重合開始剤(A)と、1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂(B)とを含む感光性樹脂組成物であって、光カチオン重合開始剤(A)が下記式(1)
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
    で表される光カチオン重合開始剤(A-1)である、感光性樹脂組成物。
  2.  エポキシ樹脂(B)の軟化点が40℃以上120℃以下で、かつエポキシ当量が150~500/eq.である請求項1に記載の感光性樹脂組成物。
  3. エポキシ樹脂(B)が下記式(3)
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
    (式(3)において、Rはそれぞれ独立にグリシジル基又は水素原子を示し、複数存在するRのうちの少なくとも2つはグリシジル基である。kは繰り返し単位数の平均値を示し、0~30の範囲にある実数である。)で表されるエポキシ樹脂(B-1)、
    下記式(4)
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
    (式(4)において、R1、R2及びR3は、それぞれ独立に水素原子又は炭素原子1~4個を有するアルキル基を示す。pは繰り返し単位数の平均値を示し、1~30の範囲にある実数である。)で表されるエポキシ樹脂(B-2)、
    下記式(5)
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
    (式(5)において、R4及びR5は、それぞれ独立に水素原子、炭素原子1~4個を有するアルキル基又はトリフルオロメチルを示す。n及びmはそれぞれ独立に繰り返し単位数の平均値を示し、独立に1~30の範囲にある実数である。)で表されるエポキシ樹脂(B-3)、
    下記式(6)
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
    (式(6)において、nは繰り返し単位数の平均値を示し、1~30の範囲にある実数である。)で表されるエポキシ樹脂(B-4)、
    下記式(7)
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
    で表されるエポキシ樹脂(B-5)、
    1分子中に少なくとも2個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物と、1分子中に少なくとも1個以上の水酸基及び1個のカルボキシル基を有する化合物との反応物に、多塩基酸無水物を反応させることにより得られるエポキシ樹脂(B-6)、
    下記式(9)
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
    (式(9)において、nは繰り返し単位数の平均値を示し、1~10の範囲にある実数である。)で表されるエポキシ樹脂(B-7)、
    下記式(10)
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
    (式(10)において、nは繰り返し単位数の平均値を示し、0.1~5の範囲にある実数である。)で表されるエポキシ樹脂(B-8)、
    下記式(11)
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
    (式(11)において、l、m及びnはそれぞれ独立に繰り返し単位数の平均値を示し、l+m+n=2~60の範囲にある実数である。)で表されるエポキシ樹脂(B-9)、
    下記式(12)
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
    (式(12)において、nは繰り返し単位数の平均値を示し、0.1~6の範囲にある実数である。)で表されるエポキシ樹脂(B-10)、並びに
    下記式(13)及び/又は式(14)
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
    で示される化合物と、下記式(15)及び/又は式(16)
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
    で示される化合物との共縮合物であるエポキシ樹脂(B-11)からなる群から選択される1種類又は2種類以上である請求項1又は2に記載の感光性樹脂組成物。
  4.  感光性樹脂組成物がウエハーレベルパッケージ用である請求項1乃至3のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
  5.  感光性樹脂組成物が基板と被着体の接着層として用いられる請求項1乃至4のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
  6.  請求項1乃至5のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物を基材で挟み込んで得られるドライフィルムレジスト。
  7.  請求項1乃至5のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物を硬化して得られる硬化物。
  8.  請求項6に記載のドライフィルムレジストを硬化して得られる硬化物。
PCT/JP2011/065923 2010-07-14 2011-07-13 感光性樹脂組成物及びその硬化物 WO2012008472A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020187014300A KR102156990B1 (ko) 2010-07-14 2011-07-13 감광성 수지 조성물 및 이의 경화물
JP2012524568A JP5872470B2 (ja) 2010-07-14 2011-07-13 感光性樹脂組成物及びその硬化物
KR1020137000875A KR20130091724A (ko) 2010-07-14 2011-07-13 감광성 수지 조성물 및 이의 경화물
US13/809,286 US8865392B2 (en) 2010-07-14 2011-07-13 Photosensitive resin composition and cured product thereof

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010159482 2010-07-14
JP2010-159482 2010-07-14

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2012008472A1 true WO2012008472A1 (ja) 2012-01-19

Family

ID=45469469

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2011/065923 WO2012008472A1 (ja) 2010-07-14 2011-07-13 感光性樹脂組成物及びその硬化物

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8865392B2 (ja)
JP (1) JP5872470B2 (ja)
KR (2) KR102156990B1 (ja)
TW (1) TWI523882B (ja)
WO (1) WO2012008472A1 (ja)

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012137741A (ja) * 2010-12-07 2012-07-19 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物及び厚膜レジストパターンの製造方法
US20130323631A1 (en) * 2012-06-01 2013-12-05 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photo-curable resin composition, photo-curable dry film, patterning process, protective film, and electric/electronic part
WO2014080976A1 (ja) * 2012-11-22 2014-05-30 日本化薬株式会社 感光性樹脂組成物、レジスト積層体及びそれらの硬化物(9)
WO2014080975A1 (ja) * 2012-11-22 2014-05-30 日本化薬株式会社 感光性樹脂組成物、レジスト積層体及びそれらの硬化物(8)
WO2014080977A1 (ja) * 2012-11-22 2014-05-30 日本化薬株式会社 感光性樹脂組成物、レジスト積層体及びそれらの硬化物(10)
WO2014080970A1 (ja) * 2012-11-22 2014-05-30 日本化薬株式会社 感光性樹脂組成物、レジスト積層体及びそれらの硬化物(7)
CN104769499A (zh) * 2012-10-26 2015-07-08 日本化药株式会社 感光树脂组合物、其抗蚀剂层压体和固化产物(1)
CN104813234A (zh) * 2012-11-22 2015-07-29 日本化药株式会社 感光树脂组合物、抗蚀剂层压体及它们的固化产物(5)
US9684239B2 (en) 2012-10-26 2017-06-20 Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha Photosensitive resin composition, resist laminate, and cured product thereof (2)
WO2018043395A1 (ja) * 2016-08-31 2018-03-08 東京応化工業株式会社 ネガ型感光性樹脂組成物、感光性レジストフィルム、パターン形成方法、硬化膜、硬化膜の製造方法
JP2018515630A (ja) * 2015-03-20 2018-06-14 ブルー キューブ アイピー エルエルシー 硬化性組成物
WO2018194154A1 (ja) * 2017-04-21 2018-10-25 日本化薬株式会社 感光性樹脂組成物及びその硬化物
KR20200119798A (ko) 2018-02-08 2020-10-20 닛뽄 가야쿠 가부시키가이샤 감광성 수지 조성물 및 그의 경화물
JP2021173852A (ja) * 2020-04-24 2021-11-01 信越化学工業株式会社 感光性樹脂組成物、感光性樹脂皮膜、感光性ドライフィルム及びパターン形成方法
US11955394B2 (en) 2018-12-27 2024-04-09 Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha Hollow package and method for manufacturing same

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9388275B2 (en) * 2009-06-01 2016-07-12 International Business Machines Corporation Method of ring-opening polymerization, and related compositions and articles
SG10201509881VA (en) * 2011-01-20 2016-01-28 Mitsubishi Gas Chemical Co Resin composition, prepreg, and laminate
CN102850722B (zh) * 2012-09-07 2015-08-19 广东生益科技股份有限公司 环氧树脂组合物以及使用其制作的半固化片与覆铜箔层压板
US20160307799A1 (en) * 2015-04-15 2016-10-20 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor substrates, semiconductor packages and processes of making the same
US10569298B2 (en) * 2017-09-27 2020-02-25 Intel Corporation Substrate with epoxy cured by ultraviolet laser
KR102660240B1 (ko) * 2017-12-06 2024-04-23 닛뽄 가야쿠 가부시키가이샤 감광성 수지 조성물, 드라이 필름 레지스트 및 그들의 경화물
JP7259317B2 (ja) * 2018-12-21 2023-04-18 住友ベークライト株式会社 ネガ型感光性樹脂組成物、それを用いた半導体装置および電子機器

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06184170A (ja) * 1992-03-23 1994-07-05 Rhone Poulenc Chim カチオン重合開始剤である新規のオニウム硼酸塩又は有機金属錯体の硼酸塩
JP2000191751A (ja) * 1998-12-25 2000-07-11 Sumitomo Bakelite Co Ltd 紫外線硬化型樹脂組成物
JP2009533377A (ja) * 2006-04-13 2009-09-17 チバ ホールディング インコーポレーテッド スルホニウム塩開始剤
JP2009263544A (ja) * 2008-04-25 2009-11-12 Nippon Kayaku Co Ltd Mems用感光性樹脂組成物及びその硬化物
JP2010032991A (ja) * 2008-07-02 2010-02-12 Nippon Kayaku Co Ltd Mems用感光性樹脂組成物及びその硬化物
WO2011075553A1 (en) * 2009-12-17 2011-06-23 Dsm Ip Assets, B.V. Liquid radiation curable resins for additive fabrication comprising a triaryl sulfonium borate cationic photoinitiator

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6147184A (en) 1992-03-23 2000-11-14 Rhone-Poulenc Chimie Onium borates/borates of organometallic complexes and cationic initiation of polymerization therewith
US6100007A (en) * 1998-04-06 2000-08-08 Ciba Specialty Chemicals Corp. Liquid radiation-curable composition especially for producing cured articles by stereolithography having high heat deflection temperatures
WO2001092368A1 (fr) * 2000-05-30 2001-12-06 Toray Industries, Inc. Composition de résine époxy pour matière composite renforcée par des fibres
JP4288940B2 (ja) * 2002-12-06 2009-07-01 日亜化学工業株式会社 エポキシ樹脂組成物
WO2009104680A1 (ja) * 2008-02-22 2009-08-27 日本化薬株式会社 感放射線性樹脂組成物、その硬化物及び該組成物を用いた層間絶縁膜及び光学用デバイス
WO2009123276A1 (ja) * 2008-04-04 2009-10-08 日本化薬株式会社 保護基を有するエポキシ化合物及びこれを含有する硬化性樹脂組成物

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06184170A (ja) * 1992-03-23 1994-07-05 Rhone Poulenc Chim カチオン重合開始剤である新規のオニウム硼酸塩又は有機金属錯体の硼酸塩
JP2000191751A (ja) * 1998-12-25 2000-07-11 Sumitomo Bakelite Co Ltd 紫外線硬化型樹脂組成物
JP2009533377A (ja) * 2006-04-13 2009-09-17 チバ ホールディング インコーポレーテッド スルホニウム塩開始剤
JP2009263544A (ja) * 2008-04-25 2009-11-12 Nippon Kayaku Co Ltd Mems用感光性樹脂組成物及びその硬化物
JP2010032991A (ja) * 2008-07-02 2010-02-12 Nippon Kayaku Co Ltd Mems用感光性樹脂組成物及びその硬化物
WO2011075553A1 (en) * 2009-12-17 2011-06-23 Dsm Ip Assets, B.V. Liquid radiation curable resins for additive fabrication comprising a triaryl sulfonium borate cationic photoinitiator

Cited By (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012137741A (ja) * 2010-12-07 2012-07-19 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物及び厚膜レジストパターンの製造方法
US20130323631A1 (en) * 2012-06-01 2013-12-05 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photo-curable resin composition, photo-curable dry film, patterning process, protective film, and electric/electronic part
KR101780680B1 (ko) * 2012-06-01 2017-09-21 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 광경화성 수지 조성물, 광경화성 드라이 필름, 패턴 형성 방법 및 전기·전자 부품 보호용 피막 및 전기·전자 부품
TWI567499B (zh) * 2012-06-01 2017-01-21 信越化學工業股份有限公司 Photocurable resin composition, photohardenable dry film, pattern forming method, and electrical equipment for electronic parts protection and electrical ‧ electronic parts
US9012111B2 (en) * 2012-06-01 2015-04-21 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photo-curable resin composition, photo-curable dry film, patterning process, protective film, and electric/electronic part
US10241408B2 (en) 2012-10-26 2019-03-26 Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha Photosensitive resin composition, resist laminate, and cured product thereof (1)
CN104769499B (zh) * 2012-10-26 2019-03-05 日本化药株式会社 感光树脂组合物、其抗蚀剂层压体和固化产物
US9684239B2 (en) 2012-10-26 2017-06-20 Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha Photosensitive resin composition, resist laminate, and cured product thereof (2)
CN104769499A (zh) * 2012-10-26 2015-07-08 日本化药株式会社 感光树脂组合物、其抗蚀剂层压体和固化产物(1)
JP2014123096A (ja) * 2012-11-22 2014-07-03 Nippon Kayaku Co Ltd 感光性樹脂組成物、レジスト積層体及びそれらの硬化物
KR102092989B1 (ko) 2012-11-22 2020-03-24 닛뽄 가야쿠 가부시키가이샤 감광성 수지 조성물, 레지스트 적층체 및 그들의 경화물 (5)
JP2014123093A (ja) * 2012-11-22 2014-07-03 Nippon Kayaku Co Ltd 感光性樹脂組成物、レジスト積層体及びそれらの硬化物
CN104813235A (zh) * 2012-11-22 2015-07-29 日本化药株式会社 感光树脂组合物、抗蚀剂层压体及它们的固化产物(7)
CN104813234A (zh) * 2012-11-22 2015-07-29 日本化药株式会社 感光树脂组合物、抗蚀剂层压体及它们的固化产物(5)
KR20150090064A (ko) * 2012-11-22 2015-08-05 닛뽄 가야쿠 가부시키가이샤 감광성 수지 조성물, 레지스트 적층체 및 그들의 경화물 (5)
EP2924505A4 (en) * 2012-11-22 2016-08-24 Nippon Kayaku Kk PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, PHOTOSENSITIVE RESIN LAMINATE AND ARTICLES OBTAINED BY CURING THEREOF (5)
US9448479B2 (en) 2012-11-22 2016-09-20 Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha Photosensitive resin composition, resist laminate, and articles obtained by curing same (7)
JP2014123094A (ja) * 2012-11-22 2014-07-03 Nippon Kayaku Co Ltd 感光性樹脂組成物、レジスト積層体及びそれらの硬化物
WO2014080970A1 (ja) * 2012-11-22 2014-05-30 日本化薬株式会社 感光性樹脂組成物、レジスト積層体及びそれらの硬化物(7)
WO2014080977A1 (ja) * 2012-11-22 2014-05-30 日本化薬株式会社 感光性樹脂組成物、レジスト積層体及びそれらの硬化物(10)
JP2014123095A (ja) * 2012-11-22 2014-07-03 Nippon Kayaku Co Ltd 感光性樹脂組成物、レジスト積層体及びそれらの硬化物
WO2014080976A1 (ja) * 2012-11-22 2014-05-30 日本化薬株式会社 感光性樹脂組成物、レジスト積層体及びそれらの硬化物(9)
CN104813235B (zh) * 2012-11-22 2019-03-05 日本化药株式会社 感光树脂组合物、抗蚀剂层压体及它们的固化产物
US10012901B2 (en) 2012-11-22 2018-07-03 Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha Photosensitive resin composition, resist laminate, and articles obtained by curing same (5)
WO2014080975A1 (ja) * 2012-11-22 2014-05-30 日本化薬株式会社 感光性樹脂組成物、レジスト積層体及びそれらの硬化物(8)
CN104813234B (zh) * 2012-11-22 2019-03-05 日本化药株式会社 感光树脂组合物、抗蚀剂层压体及它们的固化产物
JP2018515630A (ja) * 2015-03-20 2018-06-14 ブルー キューブ アイピー エルエルシー 硬化性組成物
US11415888B2 (en) 2016-08-31 2022-08-16 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Negative type photosensitive resin composition, photosensitive resist film, pattern forming method, cured film, and method of producing cured film
JP2018036533A (ja) * 2016-08-31 2018-03-08 東京応化工業株式会社 ネガ型感光性樹脂組成物、感光性レジストフィルム、パターン形成方法、硬化膜、硬化膜の製造方法
KR20190045178A (ko) * 2016-08-31 2019-05-02 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 네거티브형 감광성 수지 조성물, 감광성 레지스트 필름, 패턴 형성 방법, 경화막, 경화막의 제조 방법
WO2018043395A1 (ja) * 2016-08-31 2018-03-08 東京応化工業株式会社 ネガ型感光性樹脂組成物、感光性レジストフィルム、パターン形成方法、硬化膜、硬化膜の製造方法
JP7050411B2 (ja) 2016-08-31 2022-04-08 東京応化工業株式会社 ネガ型感光性樹脂組成物、感光性レジストフィルム、パターン形成方法、硬化膜、硬化膜の製造方法
KR102466040B1 (ko) * 2016-08-31 2022-11-10 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 네거티브형 감광성 수지 조성물, 감광성 레지스트 필름, 패턴 형성 방법, 경화막, 경화막의 제조 방법
KR20190139881A (ko) 2017-04-21 2019-12-18 닛뽄 가야쿠 가부시키가이샤 감광성 수지 조성물 및 그의 경화물
WO2018194154A1 (ja) * 2017-04-21 2018-10-25 日本化薬株式会社 感光性樹脂組成物及びその硬化物
KR20200119798A (ko) 2018-02-08 2020-10-20 닛뽄 가야쿠 가부시키가이샤 감광성 수지 조성물 및 그의 경화물
US11955394B2 (en) 2018-12-27 2024-04-09 Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha Hollow package and method for manufacturing same
JP2021173852A (ja) * 2020-04-24 2021-11-01 信越化学工業株式会社 感光性樹脂組成物、感光性樹脂皮膜、感光性ドライフィルム及びパターン形成方法
JP7371566B2 (ja) 2020-04-24 2023-10-31 信越化学工業株式会社 感光性樹脂組成物、感光性樹脂皮膜、感光性ドライフィルム及びパターン形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
US8865392B2 (en) 2014-10-21
TWI523882B (zh) 2016-03-01
KR102156990B1 (ko) 2020-09-16
US20130108961A1 (en) 2013-05-02
JP5872470B2 (ja) 2016-03-01
JPWO2012008472A1 (ja) 2013-09-09
KR20130091724A (ko) 2013-08-19
TW201223991A (en) 2012-06-16
KR20180057733A (ko) 2018-05-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5872470B2 (ja) 感光性樹脂組成物及びその硬化物
JP5247396B2 (ja) Mems用感光性樹脂組成物及びその硬化物
JP5137673B2 (ja) Mems用感光性樹脂組成物及びその硬化物
WO2009151050A1 (ja) 中空パッケージ用感光性樹脂組成物、その硬化物及び該樹脂組成物を用いた積層体並びにマイクロデバイス
CN106662814B (zh) 感光性树脂组合物、光刻胶层叠体以及它们的固化物(11)
JP7085791B2 (ja) 感光性樹脂組成物及びその硬化物
JP2010276694A (ja) 感光性樹脂組成物及びその積層体並びにそれらの硬化物
WO2010134513A1 (ja) レジスト組成物
JP5137674B2 (ja) Mems用感光性樹脂組成物及びその硬化物
WO2019156154A1 (ja) 感光性樹脂組成物及びその硬化物
KR101848968B1 (ko) 감광성 수지 조성물 및 이의 경화물
JP2024065359A (ja) 感光性樹脂組成物及びその硬化物
JP2024065358A (ja) 感光性樹脂組成物及びその硬化物

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 11806802

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2012524568

Country of ref document: JP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 13809286

Country of ref document: US

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20137000875

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 11806802

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1