WO2012002434A1

WO2012002434A1 - プリプレグ、配線板および半導体装置

Info

Publication number: WO2012002434A1
Application number: PCT/JP2011/064913
Authority: WO
Inventors: 大東　範行; 忠相遠藤
Original assignee: 住友ベークライト株式会社
Priority date: 2010-07-01
Filing date: 2011-06-29
Publication date: 2012-01-05
Also published as: CN102958984A; TW201220977A; CN102958984B; KR20130089235A; US20130105200A1; JPWO2012002434A1

Abstract

　薄膜化に対応することが可能であり、両面それぞれに異なる用途、機能、性能または特性等を付与することができ、一方の面が導体層との密着性に優れ、且つ微細回路形成が可能であるプリプレグを提供することを目的の一つとし、本発明は繊維基材を具備するコア層、第１樹脂層、および第２樹脂層を具備し、第１樹脂層側表面及び第２樹脂層側表面のうち少なくとも一方に、キャリアフィルムが積層されたプリプレグであって、前記第１樹脂層は、平均粒径が１～１００ｎｍのシリカナノ粒子と、熱可塑性樹脂と、エポキシ樹脂とを含む第１エポキシ樹脂組成物を含有する層であり、この第１樹脂層は前記繊維基材と接している、または第１樹脂層の一部が繊維基材に含浸されており、前記第２樹脂層は、無機充填材と、エポキシ樹脂とを含む第２エポキシ樹脂組成物を含有し、第２樹脂層の一部が繊維基材に含浸されていることを特徴とする、プリプレグを提供する。

Description

プリプレグ、配線板および半導体装置

　本発明は、プリプレグ、配線板および半導体装置に関するものである。
　本願は、２０１０年７月１日に、日本に出願された特願２０１０－１５１２５９号にもとづき優先権を主張し、その内容をここに援用する。

　配線板（回路基板）は、一般にガラス繊維基材等に熱硬化性樹脂を含浸して得られるプリプレグを複数枚積層して加熱、加圧することにより形成されている。そしてプリプレグは、厚さ５０～２００μｍ程度のガラス繊維基材等を熱硬化性樹脂組成物（ワニス）に浸漬する方法等によって得られる（例えば、特許文献１参照）。

　プリプレグには、一方の面には回路配線の間隙を埋め込むための埋め込み性が要求され、他方の面には回路を形成するための導体層との密着性が要求される場合があった。しかし、ガラス繊維基材等に熱硬化性樹脂組成物を含浸する従来の方法で得られるプリプレグは、その両面が同じ熱硬化性樹脂組成物で形成されるものであった。そのために、その両方の特性を満足するような熱硬化性樹脂組成物が用いられていた。

　さらに、近年の電子部品・電子機器等の小型化・薄膜化等に伴って、それらに用いられる配線板等にもさらなる小型化・薄膜化が要求されている。このような要求に対応するために、配線板を構成するプリプレグの薄膜化も検討されているが、プリプレグを薄膜化した場合に埋め込み性および導体層との密着性の両方を満足し、且つ、当該プリプレグに導体層を積層した際に微細回路形成を可能とすることは困難であった。

特開２００４－２１６７８４号公報

　本発明の目的は、薄膜化に対応することが可能であり、両面それぞれに異なる用途、機能、性能または特性等を付与することができ、一方の面が導体層との密着性に優れ、且つ当該面に積層した導体層は微細回路形成が可能であるプリプレグを提供することにある。
　また、本発明の目的は、前記プリプレグを有する配線板、および前記配線板を有する半導体装置を提供することにある。

　上記目的は、下記発明（１）～（１３）により達成される。
　（１）繊維基材を具備するコア層と、前記コア層の一方面側に形成された第１樹脂層と、前記コア層の他方面側に形成された第２樹脂層とを有し、
　前記第１樹脂層側表面および前記第２樹脂層側表面のうち少なくとも一方に、金属箔および樹脂フィルムよりなる群から選ばれるキャリアフィルムが積層されたプリプレグであって、
　前記第１樹脂層は、平均粒径が１～１００ｎｍのシリカナノ粒子と、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、およびポリエーテルスルホン樹脂よりなる群から選ばれる熱可塑性樹脂と、エポキシ樹脂とを含む第１エポキシ樹脂組成物を含有し、この第１樹脂層は前記繊維基材と接している、または第１樹脂層の一部が繊維基材に含浸されており、
　前記第２樹脂層は、無機充填材と、エポキシ樹脂とを含む第２エポキシ樹脂組成物を含有し、第２樹脂層の一部が繊維基材に含浸されていることを特徴とする、プリプレグ。
　（２）前記第１エポキシ樹脂組成物は、平均粒径が１～１００ｎｍのシリカナノ粒子を１～２５重量％含むものである、上記（１）に記載のプリプレグ。
　（３）前記第１樹脂層は、前記繊維基材と接合しない側の表面の表面粗さ（以下、表面粗さをＲａと表記することがある）が０．８μｍ以下である、上記（１）又は（２）に記載のプリプレグ。
　（４）前記第２エポキシ樹脂組成物が含有する前記無機充填材の平均粒子径が０．３～３μｍである、上記（１）乃至（３）のいずれか一に記載のプリプレグ。
　（５）前記第２エポキシ樹脂組成物は、さらに、シアネート樹脂を含むものである、上記（１）乃至（４）のいずれか一に記載のプリプレグ。
　（６）前記第１樹脂層の厚さが、前記第２樹脂層よりも薄い、上記（１）乃至（５）のいずれか一に記載のプリプレグ。
　（７）前記第１樹脂層の厚みが、コア層、第１樹脂層及び第２樹脂層の各厚みを合計した全厚みの５％以上４０％未満である、上記（１）乃至（６）のいずれか一に記載のプリプレグ。
　（８）前記コア層、第１樹脂層および第２樹脂層の各厚みを合計した全厚みが１２０μｍ以下である、上記（１）乃至（７）のいずれか一に記載のプリプレグ。
　（９）前記繊維基材の厚さが１００μｍ以下である、上記（１）乃至（８）のいずれか一に記載のプリプレグ。
　（１０）前記第２樹脂層を形成している前記第２エポキシ樹脂組成物の溶融粘度が５０～５，０００Ｐａ・ｓである、上記（１）乃至（９）のいずれか一に記載のプリプレグ。
　（１１）前記第１エポキシ樹脂組成物は、さらに、平均粒径が０．１～２μｍの球状シリカを１～５０重量％を含むものである、上記（１）乃至（１０）のいずれか一に記載のプリプレグ。
　（１２）導体回路上に、上記（１）乃至（１１）のいずれか一に記載のプリプレグを、その第２樹脂層側が接合するように積層されていることを特徴とする、配線板。
　（１３）上記（１２）に記載の配線板を有することを特徴とする、半導体装置。

　本発明によれば、薄膜化に対応することが可能であり、両面それぞれに異なる用途、機能、性能または特性等を付与することができ、一方の面が導体層との密着性に優れ、且つ当該面に積層した導体層は微細回路形成が可能であるプリプレグが得られる。
　また、前記プリプレグを用いて作製した配線板および半導体装置は、絶縁信頼性、接続信頼性および実装信頼性に優れる。

本発明のプリプレグの一例を模式的に示す断面図である。本発明のプリプレグが有するコア層がプリプレグの厚さ方向に偏在している状態を模式的に示す断面図である。本発明の配線板の一例を模式的に示す断面図である。本発明の半導体装置の一例を模式的に示す断面図である。

　本発明のプリプレグは、繊維基材を具備するコア層と、前記コア層の一方面側に形成された第１樹脂層と、前記コア層の他方面側に形成された第２樹脂層とを有し、第１樹脂層側表面および第２樹脂層側表面のうち少なくとも一方に、金属箔および樹脂フィルムよりなる群から選ばれるキャリアフィルムが積層されたプリプレグであって、前記第１樹脂層は、平均粒径が１～１００ｎｍのシリカナノ粒子と、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂よりなる群から選ばれる熱可塑性樹脂と、エポキシ樹脂とを含む第１エポキシ樹脂組成物を含有する層であり、この第１樹脂層は前記繊維基材と接している、または第１樹脂層の一部が繊維基材に含浸されており、
　前記第２樹脂層は、無機充填材と、エポキシ樹脂とを含む第２エポキシ樹脂組成物を含有し、第２樹脂層の一部が繊維基材に含浸されていることを特徴とする。

　以下、本発明のプリプレグの好適な実施形態について図面に基づいて説明する。
　図１は、本発明のプリプレグの一例を示す断面図である。
　プリプレグ１０は、主に繊維基材１で構成されるコア層１１と、コア層１１の一方面側に形成される第１樹脂層２と、他方の面側に形成される第２樹脂層３と、前記第１樹脂層２に積層されたキャリアフィルム４ａと、前記第２樹脂層３に積層されたキャリアフィルム４ｂとを有する。
　第１樹脂層２を構成する第１エポキシ樹脂組成物と、第２樹脂層３を構成する第２エポキシ樹脂組成物とが異なる。このため、各層に要求される特性等に応じた樹脂処方を設計することができるようになる。その結果、各層に要求される特性を維持した状態でプリプレグ全体の厚さを薄くすることもできる。
　以下、各層について説明する。

（コア層）
　コア層１１は、主として繊維基材１で構成されている。コア層１１は、プリプレグ１０の強度を向上する機能を有している。
　繊維基材１に上記の第１樹脂層２および／又は第２樹脂層３の一部が含浸してこのコア層１１が形成されている。
　このような繊維基材１としては、ガラス織布、ガラス不織布等のガラス繊維基材、ポリアミド樹脂繊維、芳香族ポリアミド樹脂繊維、全芳香族ポリアミド樹脂繊維等のポリアミド系樹脂繊維、ポリエステル樹脂繊維、芳香族ポリエステル樹脂繊維、全芳香族ポリエステル樹脂繊維等のポリエステル系樹脂繊維、ポリイミド樹脂繊維、フッ素樹脂繊維等を主成分とする織布または不織布で構成される合成繊維基材、クラフト紙、コットンリンター紙、リンターとクラフトパルプとの混抄紙等を主成分とする紙基材等の有機繊維基材等の繊維基材、およびポリエステル、ポリイミド等の樹脂フィルム等が挙げられる。これらの中でもガラス繊維基材が好ましい。ガラス繊維基材を使用することにより、プリプレグ１０の強度を向上させることができ、また、プリプレグ１０の熱膨張係数を小さくすることができる。

　このようなガラス繊維基材を構成するガラスとしては、例えばＥガラス、Ｃガラス、Ａガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、ＮＥガラス、Ｔガラス、Ｈガラス等が挙げられる。これらの中でもＳガラス、または、Ｔガラスが好ましい。Ｓガラス、または、Ｔガラスをしようすることにより、ガラス繊維基材の熱膨張係数を小さくすることができ、それによってプリプレグの熱膨張係数を小さくすることができる。

　繊維基材１の厚さは、特に限定されないが、本発明のプリプレグを得る場合には１００μｍ以下が好ましく、特に５～６０μｍが好ましい。繊維基材１の厚さが前記範囲内であると、後述する基板の薄膜化と強度とのバランスに優れる。さらには層間接続の加工性や信頼性にも優れる。

（第１樹脂層）
　図１に示すように第１樹脂層２は、コア層１１の一方面側（図１では上側）に形成されている。
　第１樹脂層２は、平均粒径が１～１００ｎｍのシリカナノ粒子と、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂よりなる群から選ばれる熱可塑性樹脂と、エポキシ樹脂とを含む第１エポキシ樹脂組成物で形成されている。この第１樹脂層２は繊維基材１と接している。または前記繊維基材１と接合する側の一部が当該繊維基材１に含浸されている。つまり、第１樹脂層をなす前記第１エポキシ樹脂組成物の一部が繊維基材に含浸して第１樹脂層を形成している。
　前記第１樹脂層２は、特に導体層との密着性に優れるように設計されており、導体層を積層する樹脂層として好適に使用することができる。

　本発明の第１エポキシ樹脂組成物は、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、およびポリエーテルスルホン樹脂よりなる群から選ばれる熱可塑性樹脂を含有する。これにより、可とう性、および靭性が向上するため、前記第１エポキシ樹脂組成物からなる第１樹脂層と導体層との密着性が向上する。さらに、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂との相溶性に優れるため、均一な樹脂組成物を得ることができる。また、熱硬化性樹脂としてシアネート樹脂を用いる場合は、前記熱可塑性樹脂中に存在する極性基の効果により、シアネート樹脂単独で用いるより硬化性に優れ、更に機械強度にも優れる。

　前記ポリイミド樹脂としては、特に限定されず、例えば、公知のテトラカルボン酸二無水物とジアミンを原料にして脱水縮合して得られるものを用いることができる。中でも、テトラカルボン酸二無水物とジイソシアネートを原料にして得られる、イミド骨格を有する下記構造式（１）で表されるものが好ましい。

（式中、Ｘはテトラカルボン酸二水和物由来の骨格、Ｙはジアミンまたはジイソシアネート由来の骨格を示す。）
　これらの中でも、溶剤可溶となり均一な組成物が得られる点から、下記構造式（２）で表わされるシリコーン変性ポリイミド樹脂が好ましい。

（式中、Ｒ_１、Ｒ_２は炭素数１～４で二価の脂肪族基または芳香族基、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_５、およびＲ_６は一価の脂肪族基または芳香族基、Ａ、Ｂは三価または四価の脂肪族基または芳香族基、Ｒ_７は二価の脂肪族基または芳香族基を示す。また、ｋ、ｍ、ｎは繰り返し単位数を表し、５～５，０００の整数である。）

　また、ポリイミドブロック内にアミド骨格を有するポリアミドイミド樹脂も溶剤可溶となるため好ましい。

　前記ポリアミド樹脂としては、特に限定されないが、下記構造式（３）で表されるものが好ましい。

（式中、Ａｒ_１、Ａｒ_２は二価の炭化水素基、または芳香族基を示し、繰り返しで異なっていてもよく、Ｘは末端に付加的に反応させた末端基を示す。また、ｎは繰り返し単位を示し、５～５，０００の整数である。）

　これらの中でも、ゴム変性ポリアミド樹脂が好ましい。ゴム変性ポリアミド樹脂を用いると、可とう性が向上し、導体層との密着性を向上させることができる。ゴム変性ポリアミド樹脂とは、前記構造式（３）のＸとして、ゴム成分を反応させて得られるものを含む。

　前記ポリアミド樹脂と反応させるゴム成分としては、天然ゴム及び合成ゴムのいずれであってもよく、変性ゴムであっても未変性ゴムであってもよい。
　合成ゴムとしては、特に限定されるものではないが、ＮＢＲ（ニトリルゴム）、アクリルゴム、ポリブタジエン、イソプレン、カルボン酸変性ＮＢＲ、水素転化型ポリブタジエン、エポキシ変性ポリブタジエンなどが挙げられる。また、ポリアミドイミドとの相溶性を上げる為にカルボン酸変性、水酸基変性やエポキシ変性したものや熱劣化を防止するために水素転化型の合成ゴムなどを用いてもよいが、ＮＢＲおよびポリブタジエンを用いることがより好ましい。更には、フェノール性水酸基を有するポリアミド樹脂がより好ましい。こうすることで、柔軟性に加え、熱硬化性樹脂との相溶性に優れ、かつ熱硬化によりポリアミドポリマーとの三次元架橋が可能になり機械強度に優れる。具体的には、下記構造式（４）で表されるもの等が挙げられる。

（式中、ｎ、ｍは仕込みモル数を表し、ｎ／（ｍ＋ｎ）＝０．０５～２（仕込みモル比）であり、ｘ、ｙ、ｐは重量比を表し（ｘ＋ｙ）／ｐ＝０．２～２（重量比）である。重量平均分子量は、８，０００～１００，０００、水酸基当量は、１，０００～５，０００ｇ／ｅｑの範囲である。）

　前記フェノキシ樹脂としては、特に限定されないが、例えば、ビスフェノール骨格を有するフェノキシ樹脂、ナフタレン骨格を有するフェノキシ樹脂、ビフェニル骨格を有するフェノキシ樹脂、およびビスフェノールアセトン骨格を有するフェノキシ樹脂等が挙げられる。また、これらの骨格を複数種類有した構造のフェノキシ樹脂を用いることもできる。これらの中でも、ビフェニル骨格、ビスフェノールＳ骨格、およびビスフェノールアセトン骨格から選ばれる２つ以上の組合せのフェノキシ樹脂が好ましい。これにより、ガラス転移温度を高くすることができる。更にビフェニル骨格が有すると剛直性により低熱膨張に優れると共に、ビスフェノールＳ骨格により、配線板の製造時にメッキ金属の付着性を向上させることができる。
　また、ビスフェノールＡ骨格およびビスフェノールＦ骨格を有するフェノキシ樹脂も好ましい。これにより、配線板の製造時に内層回路基板への密着性をさらに向上させることができる。

　前記ポリフェニレンオキサイド樹脂としては、特に限定されないが、下記構造式（５）で表されるものが好ましい。

（式中、ｎは繰り返し単位数を表し、１０～４００の整数である。Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、およびＲ_４は、水素または、炭素数１～６の炭化水素基であり、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、およびＲ_４は同じ基でも異なる基でも構わない。式中、ＸおよびＹはポリマー末端を示し、水素、炭化水素、または、水酸基、カルボキシル基、グリシジルエーテル基等の官能基を示す。）

　前記ポリフェニレンオキサイド樹脂としては、例えば、ポリ（２，６－ジメチル－１，４－フェニレン）オキサイド、ポリ（２，６－ジエチル－１，４－フェニレン）オキサイド、ポリ（２－メチル－６－エチル－１，４－フェニレン）オキサイド、ポリ（２－メチル－６－プロピル－１，４－フェニレン）オキサイド、ポリ（２、６－ジプロピル－１，４－フェニレン）オキサイド、ポリ（２－エチル－６－プロピル－１，４－フェニレン）オキサイド等が挙げられる。
　これらの中でも、末端を官能基で変性した反応性オリゴフェニレンオキサイドが好ましい。これにより、熱硬化性樹脂との相溶性が向上し、ポリマー間の３次元架橋構造を形成することできるため機械強度に優れる。例えば、特開２００６－２８１１１号公報に記載されている２，２′，３，３′，５，５′－ヘキサメチルビフェニル‐４，４′－ジオール－２，６－ジメチルフェノール重縮合物とクロロメチルスチレンとの反応生成物が挙げられる。

　このような反応性オリゴフェニレンオキサイドは、公知の方法により製造することができる。また、市販品を用いることもできる。例えば、ＯＰＥ－２ｓｔ　２２００（三菱瓦斯化学社製）を好適に使用することができる。

　反応性オリゴフェニレンオキサイドの重量平均分子量は、２，０００～２０，０００であることが好ましく、４，０００～１５，０００であることがより好ましい。反応性オリゴフェニレンオキサイドの重量平均分子量が２０，０００を超えると、揮発性溶剤に溶解し難くなる可能性がある。一方、重量平均分子量が２,０００未満であると、架橋密度が高くなりすぎ、硬化物の弾性率や可撓性に悪影響がでる可能性がある。

　前記ポリエーテルスルホン樹脂としては、特に限定されないが、下記構造式（６）で表されるものが好ましい。

（式中、ｎは繰り返し単位数を表す。）
　前記構造式（６）で表わされるポリエーテルスルホン樹脂としては、公知のものを用いることができ、例えば、住友化学社製のＰＥＳ４１００Ｐ、ＰＥＳ４８００Ｐ、ＰＥＳ５００３Ｐ、およびＰＥＳ５２００Ｐなどを挙げることができる。

　これらポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂よりなる群から選ばれる熱可塑性樹脂の中でも、特にポリアミド樹脂、またはフェノキシ樹脂が好ましい。溶剤可溶性に優れるため取扱いしやすく、熱硬化性樹脂との反応架橋点を有するため硬化物の機械強度に優れ、導体層との密着性に優れるからである。

　前記熱可塑性樹脂の含有量は、特に限定されないが、前記第１エポキシ樹脂組成物全体の固形分基準で１０～７０重量％であることが好ましく、特に２０～５０重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であると、可とう性、および機械強度に劣る傾向がある。一方、前記上限値を超えると、熱膨張係数が高くなる恐れがある。熱可塑性樹脂の含有量を前記範囲内とすることにより、これらの特性のバランスに優れたものとすることができる。

　前記熱可塑性樹脂のガラス転移温度は、１１０～２８０℃が好ましい。この範囲内であると耐熱性、熱硬化性樹脂との相溶性、コア層との密着性に優れる。

　また、熱可塑性樹脂の重量平均分子量は、２，０００～１００，０００が好ましい。この範囲内であると溶剤溶解性、熱硬化樹脂との相溶性に優れる。

　また、本発明の第１エポキシ樹脂組成物はさらにエポキシ樹脂を含有する。
　前記エポキシ樹脂としては、特に限定されないが、実質的にハロゲン原子を含まないエポキシ樹脂である。例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂（４，４’－シクロヘキシジエンビスフェノール型エポキシ樹脂）、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂（４，４’－（１，４－フェニレンジイソプリジエン）ビスフェノール型エポキシ樹脂）、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂（４，４’－（１，３－フェニレンジイソプリジエン）ビスフェノール型エポキシ樹脂）等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、キシリレン型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂、トリスフェノールメタンノボラック型エポキシ樹脂、１，１，２，２－（テトラフェノール）エタンのグリシジルエーテル類、３官能、又は４官能のグリシジルアミン類、テトラメチルビフェニル型エポキシ樹脂等のアリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン骨格変性クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、メトキシナフタレン変性クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、メトキシナフタレンジメチレン型エポキシ樹脂、ナフトールアルキレン型エポキシ樹脂等のナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、上記エポキシ樹脂をハロゲン化した難燃化エポキシ樹脂等が挙げられる。これらの中の１種類を単独で用いることもできるし、異なる重量平均分子量を有する２種類以上を併用することもでき、１種類又は２種類以上と、それらのプレポリマーを併用することもできる。
　これらのエポキシ樹脂の中でも特に、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、ナフタレン骨格変性クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、及びナフタレン型エポキシ樹脂よりなる群から選ばれる少なくとも１種が好ましい。このエポキシ樹脂を使用することにより、低吸水性、耐熱性及び難燃性が向上する。

　前記エポキシ樹脂の含有量は、特に限定されないが、前記第１エポキシ樹脂組成物全体の固形分基準で５～７０重量％が好ましく、特に１５～６０重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であるとシアネート樹脂の反応性が低下したり、得られる製品の耐湿性が低下したりする場合があり、前記上限値を超えると耐熱性が低下する場合がある。

　前記エポキシ樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、重量平均分子量３００～２０，０００が好ましく、特に５００～５，０００が好ましい。重量平均分子量が前記下限値未満であるとプリプレグ１０にタック性が生じる場合が有り、前記上限値を超えるとプリプレグ１０の作製時に基材への含浸性が低下し、均一な製品が得られない場合がある。
　前記エポキシ樹脂の重量平均分子量は、例えば、ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定し、ポリスチレン換算の重量分子量として特定することができる。

　本発明の第１エポキシ樹脂組成物は硬化剤を含有していてもよい。
　前記硬化剤としては、特に限定されないが、例えば、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、ビスアセチルアセトナートコバルト（II）、トリスアセチルアセトナートコバルト（III）等の有機金属塩、フェノール、ビスフェノールＡ、ノニルフェノール等のフェノール化合物、酢酸、安息香酸、サリチル酸、パラトルエンスルホン酸等の有機酸、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジアザビシクロ［２，２，２］オクタン等の３級アミン類、２－エチル－４－エチルイミダゾール、２－フェニル－４－メチルイミダゾール、２－フェニル－４－メチル－５－ヒドルキシメチルイミダゾール、２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール、２，４－ジアミノ－６－〔２’－メチルイミダゾリル－（１’）〕－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－（２’－ウンデシルイミダゾリル）－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－〔２’－エチル－４－メチルイミダゾリル－（１’）〕－エチル－ｓ－トリアジン、１－ベンジル－２－フェニルイミダゾール等のイミダゾール系化合物等が挙げられる。
　これらの中でも導体層との密着性を向上させる点から、３級アミン類およびイミダゾール系化合物が好ましく、より好ましくは、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、ヒドロキシアルキル基およびシアノアルキル基の中から選ばれる官能基を２個以上有しているイミダゾール系化合物であり、さらに好ましくは、２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾールである。このようなイミダゾール系化合物の使用により、導体層との密着性を向上させ、且つ、樹脂組成物の耐熱性を向上させることができると共に、この樹脂組成物で形成される樹脂層に低熱膨張性、低吸水性を付与することができる。

　前記硬化剤の含有量は、特に限定されないが、前記第１エポキシ樹脂組成物全体の固形分基準で０．０１～３重量％が好ましく、特に０．１～１重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であると硬化を促進する効果が現れない場合があり、前記上限値を超えるとプリプレグ１０の保存性が低下する場合がある。

　また、本発明の第１エポキシ樹脂組成物は、シリカナノ粒子を含有する。これにより、プリプレグを薄膜化（厚さ１２０μｍ以下）しても強度に優れ、プリプレグの低熱膨張化を向上することもでき、また、アディティブ法によるめっき銅の密着性に優れ、微細回路形成が可能となる。更に、樹脂表面を過マンガン酸等による処理を施した場合、耐薬品性に優れ、低Ｒａの粗面形成が可能になる。なお、Ｒａは樹脂表面の算術平均粗さであり、ＪＩＳ　Ｂ０６０１に準拠して測定することができる。

　前記シリカナノ粒子の平均粒子径は、１～１００ｎｍであることが好ましく、特に２５～７５ｎｍであることが好ましい。平均粒子径が前記範囲内であると、分散性に優れ、低Ｒａの粗面形成が可能である。
　前記シリカナノ粒子の平均粒子径は、例えば、レーザー回折散乱法により測定することができる。粒子を水中で超音波により分散させ、動的光散散乱式粒度分布測定装置（ＨＯＲＩＢＡ製、ＬＢ－５５０）により、粒子の粒度分布を体積基準で測定し、そのメディアン径（Ｄ５０）を平均粒子径とする。

　前記シリカナノ粒子としては、特に限定されないが、例えば、ＶＭＣ（Ｖａｐｏｒｉｚｅｄ　Ｍｅｔａｌ　Ｃｏｍｂｕｓｔｉｏｎ）法、ＰＶＳ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ）法等の燃焼法、破砕シリカを火炎溶融する溶融法、沈降法、ゲル法等の方法によって製造したものを用いることができる。これらの中でもＶＭＣ法が特に好ましい。前記ＶＭＣ法とは、酸素含有ガス中で形成させた化学炎中にシリコン粉末を投入し、燃焼させた後、冷却することで、シリカ微粒子を形成させる方法である。前記ＶＭＣ法では、投入するシリコン粉末の粒子径、投入量、火炎温度等を調整することにより、得られるシリカ微粒子の粒子径を調整できる。
　また、前記シリカナノ粒子としては、ＮＳＳ－５Ｎ（トクヤマ（株）製）、Ｓｉｃａｓｔａｒ４３－００－５０１（Ｍｉｃｒｏｍｏｄ社製）等の市販品を用いることもできる。

　前記シリカナノ粒子の含有量は、特に限定されないが、第１エポキシ樹脂組成物全体の固形分基準で１～２５重量％であることが好ましく、より好ましくは１～１５重量％であり、さらに好ましくは２～１０重量％である。含有量が前記範囲内であると、特に分散性に優れ、導体層との密着性が高く、低Ｒａの表面粗化形状が可能である。

　前記第１エポキシ樹脂組成物は、前記シリカナノ粒子と組み合わせて、球状シリカを含有することが好ましい。前記シリカナノ粒子と前記球状シリカとを組み合わせて第１エポキシ樹脂組成物に含有させることで、シリカナノ粒子および球状シリカの充填性を向上させる。また、緻密な粗化状態とすることができ、高密度回路形成が容易となる。また、高速信号の伝送に適した回路形成を可能とすることができ、さらに、低熱膨張、樹脂層の流動性、及びガラスクロスへのラミネート性を向上させる。

　前記球状シリカの平均粒子径は、０．１～２μｍであることが好ましく、特に０．１～１．５μｍであることが好ましい。平均粒子径が前記範囲内であると、低Ｒａの表面粗化形状にでき、かつ分散性に優れ、取り扱いが容易にできる。
　前記球状シリカの平均粒子径は、前記シリカナノ粒子と同様に、例えば、レーザー回折式粒度分布測定装置（ＨＯＲＩＢＡ製、ＬＡ－５００）により、粒子の粒度分布を体積基準で測定し、そのメディアン径（Ｄ５０）を平均粒子径とする。

　前記球状シリカの含有量は、特に限定されないが、第１エポキシ樹脂組成物全体の固形分基準で１～５０重量％であることが好ましく、特に２～２０重量％であることが好ましい。含有量が前記範囲内であると、特に分散性、低Ｒａの表面粗化形状、および導体との密着性に優れる。

　さらに、本発明の第１エポキシ樹脂組成物は、特性を損なわない範囲で、ベーマイト、タルク、アルミナ、ガラス、マイカ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、酸化亜鉛、酸化鉄等の無機充填剤、および無機充填材と併用して、液晶ポリマー、ポリイミド等の有機充填材を含んでいてもよい。

　前記第１エポキシ樹脂組成物は、特に限定されないが、カップリング剤を用いることが好ましい。前記カップリング剤は、前記硬化性樹脂と、前記無機充填材との界面の濡れ性を向上させることにより、繊維基材１に対して硬化性樹脂および無機充填材を均一に定着させ、耐熱性、特に吸湿後の半田耐熱性を改良することができる。

　前記カップリング剤としては、例えばエポキシシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アミノシランカップリング剤、及び、シリコーンオイル型カップリング剤の中から選ばれる１種以上のカップリング剤を使用すること好ましい。これにより、樹脂と無機充填材との界面の濡れ性を特に高めることができ、耐熱性をより向上させることができる。

　前記カップリング剤の含有量は、特に限定されないが、第１エポキシ樹脂組成物全体の固形分基準で０．０４～３．７５重量％であることが好ましく、特に０．０４～　１．５０重量％であることが好ましい。含有量が前記下限値未満であると無機充填材を十分に被覆できないため耐熱性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると反応に影響を与え、曲げ強度等が低下する場合がある。カップリング剤の含有量を前記範囲内とすることで、カップリング剤の使用による効果は両者のバランスに優れる。

　また、本発明の第１エポキシ樹脂組成物は、前記熱可塑性樹脂およびエポキシ樹脂の他に、特性を損なわない範囲で、ユリア（尿素）樹脂、メラミン樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、シアネートエステル樹脂等の硬化性樹脂を含有していてもよい。

　さらに、前記第１エポキシ樹脂組成物は、以上に説明した成分のほか、必要に応じて消泡剤、レベリング剤、顔料、酸化防止剤等の添加剤、さらには各種溶剤を含有することができる。

　本発明の配線板は、前記第１エポキシ樹脂組成物からなる前記第１樹脂層に、アディティブ法等の公知の方法により導体回路を形成するが、前記第１樹脂層は、当該導体回路とのピール強度が０．５ｋＮ／ｍ以上であることが好ましく、特に０．６ｋＮ／ｍ以上であることが好ましい。ピール強度が前記下限未満であると、導体回路との密着性に乏しく、微細加工が困難である。

　前記第１樹脂層（粗化処理後）の前記繊維機材と接合しない側の表面の表面粗さＲａ（算術平均粗さ、ＪＩＳ　Ｂ０６０１）は、特に限定されないが、０．８μｍ以下が好ましく、特に０．５μｍ以下が好ましい。表面粗さＲａが前記範囲内であると、微細な回路を形成する際においてもレジスト密着性に特に優れる。

　前記第１樹脂層を形成している前記第１エポキシ樹脂組成物の溶融粘度は、　１,０００～５０，０００Ｐａ・ｓが好ましく、特に１，５００～２０，０００Ｐａ・ｓが好ましい。溶融粘度が前記範囲内であると、多層積層時の繊維基材の露出がない。また、本発明のプリプレグをラミネートした後、無加重での硬化後に発生する繊維織り目の凹凸の浮き上がり現象を低減することができる。
　なお、前記溶融粘度は、プリプレグに形成されている前記第１樹脂層の表面を取り出した場合の溶融粘度であり、前記第１樹脂層は、半硬化状態（Ｂステージ）でもよく、硬化状態でもよい。

（第２樹脂層）
　図１に示すように第２樹脂層３は、コア層１１の他方面側（図１でが下側）に形成されている。
　このような第２樹脂層３は、無機充填材と、エポキシ樹脂とを含む第２エポキシ樹脂組成物で形成され、前記繊維基材１と接合する側の一部が当該繊維基材１に含浸されている。つまり、第２エポキシ樹脂組成物の一部が当該繊維基材１に含浸して第２樹脂層を形成している。
　前記第２樹脂層３を構成する第２エポキシ樹脂組成物は、前記第１樹脂層２を構成する第１エポキシ樹脂組成物とは組成が異なる。つまり、前記第２樹脂層３が前記第１樹脂層２と異なる特性（例えば回路埋め込み性等）等を有するように設計されている。
　ここで、異なる樹脂組成物とは、それぞれの樹脂組成物を構成する樹脂、充填材等の種類、樹脂、充填材等の含有量、樹脂の分子量等の少なくとも１つが異なる樹脂組成物を意味する。

　前記エポキシ樹脂は、上述の第１エポキシ樹脂組成物に用いられるエポキシ樹脂と同様のものを用いることができる。
　前記エポキシ樹脂の含有量は、特に限定されないが、第２エポキシ樹脂組成物全体の固形分基準で１～５０重量％であることが好ましく、特に５～３０重量％であることが好ましい。含有量が前記範囲内であると、回路埋め込み性、および低吸水性に優れる。

　また、本発明の第２エポキシ樹脂組成物は、シアネート樹脂を含有することが好ましい。これにより、プリプレグ１０の熱膨張係数を小さくすることができ、さらに、プリプレグ１０の電気特性（低誘電率、低誘電正接）等を向上させることができ、さらには、耐熱性、剛性、および導体回路との密着性を向上させることができる。

　前記シアネート樹脂としては、例えば、ハロゲン化シアン化合物とフェノール類とを反応させ、必要に応じて加熱等の方法でプレポリマー化することにより得ることができる。
　具体的には、ノボラック型シアネート樹脂、アルキレンナフトール型シアネート樹脂等のナフタレン型シアネート樹脂、ビスフェノールＡ型シアネート樹脂、ビスフェノールＥ型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型シアネート樹脂等のビスフェノール型シアネート樹脂等を挙げることができる。これらの中でもノボラック型シアネート樹脂およびナフタレン型シアネート樹脂等の多官能、かつシアネート当量が大きいものが好ましい。これにより、架橋密度増加による耐熱性向上と、第２エポキシ樹脂組成物等の難燃性を向上することができる。ノボラック型シアネート樹脂は、硬化反応後にトリアジン環を形成するからである。さらに、ノボラック型シアネート樹脂は、その構造上ベンゼン環の割合が高く、炭化しやすいためと考えられる。さらに、プリプレグ１０を薄膜化（厚さ１２０μｍ以下）した場合であってもプリプレグ１０に優れた剛性を付与することができる。特に加熱時における剛性に優れるので、半導体素子実装時の信頼性にも特に優れる。

　前記ノボラック型シアネート樹脂としては、例えば下記構造式（７）で表わされるものを使用することができる。

　前記構造式（７）で示されるノボラック型シアネート樹脂の平均繰り返し単位ｎは、特に限定されないが、１～１０が好ましく、特に２～７が好ましい。平均繰り返し単位ｎが前記下限値未満であるとノボラック型シアネート樹脂は結晶化しやすくなり、汎用溶媒に対する溶解性が比較的低下するため、取り扱いが困難となる場合がある。また、平均繰り返し単位ｎが前記上限値を超えると溶融粘度が高くなりすぎ、プリプレグの成形性が低下する場合がある。

　前記シアネート樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、重量平均分子量５００～４，５００が好ましく、特に６００～３，０００が好ましい。重量平均分子量が前記下限値未満であるとプリプレグ１０を作製した場合にタック性が生じ、プリプレグ１０同士が接触したとき互いに付着したり、樹脂の転写が生じたりする場合がある。また、重量平均分子量が前記上限値を超えると反応が速くなりすぎ、配線板とした場合に、成形不良が生じたり、層間ピール強度が低下したりする場合がある。
　前記シアネート樹脂等の重量平均分子量は、例えば、ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定し、ポリスチレン換算の重量分子量として特定することができる。
　また、前記シアネート樹脂として、重量平均分子量が異なるシアネート樹脂を併用しても良い。これにより、タック性を改良できる場合がある。

　前記シアネート樹脂としては、これをプレポリマー化したものも用いることができる。
すなわち、前記シアネート樹脂を単独で用いてもよいし、重量平均分子量の異なるシアネート樹脂を併用したり、前記シアネート樹脂とそのプレポリマーとを併用したりすることもできる。
　前記プレポリマーとは、通常、前記シアネート樹脂を加熱反応などにより、例えば３量化することで得られるものであり、樹脂組成物の成形性、流動性を調整するために好ましく使用されるものである。

　前記シアネート樹脂の含有量は、特に限定されないが、前記第２エポキシ樹脂組成物全体の固形分基準で１～４５重量％が好ましく、特に５～３０重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であるとプリプレグ１０を用いた絶縁層の熱膨張係数が高くなる場合があり、前記上限値を超えるとプリプレグ１０の硬化後の吸湿耐熱性、および機械強度が低下する場合がある。

　本発明の第２エポキシ樹脂組成物は、無機充填材を含有することが好ましい。これにより、プリプレグ１０を薄膜化（厚さ１２０μｍ以下）にしても強度に優れることができ、さらに、プリプレグ１０の低熱膨張化を向上することができる。
　前記無機充填材としては、例えば、ベーマイト、タルク、アルミナ、ガラス、シリカ、マイカ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等を挙げることができる。これらの中でもシリカが好ましく、溶融シリカ（特に球状溶融シリカ）が低熱膨張性に優れる点で好ましい。前記無機充填材の形状は、破砕状または球状があるが、繊維基材１への含浸性を確保するために当該樹脂組成物の溶融粘度を下げるには球状シリカを使う等、その目的に合わせた使用方法が採用される。

　前記無機充填材の平均粒子径は、０．３～３μｍであることが好ましく、特に０．３～１．５μｍであることが好ましい。平均粒子径が前記下限値未満であると、第２エポキシ樹脂組成物の溶融粘度が高くなるため、プリプレグ１０の導体回路への埋め込み性が悪化する場合があり、前記上限値を超えると、組成物を溶剤に溶解または分散させた場合、無機充填材の沈降等の現象が起こり、均一な樹脂層を得ることが困難になる場合があり、また、内層基板の導体回路がＬ／Ｓが２０μｍ／２０μｍを下回る際には、配線間の絶縁性に影響する場合がある。
　前記無機充填材の平均粒子径は、例えば、レーザー回折式粒度分布測定装置（ＨＯＲＩＢＡ製、ＬＡ－５００）により、粒子の粒度分布を体積基準で測定し、そのメディアン径（Ｄ５０）を平均粒子径とする。

　前記無機充填材の含有量は、特に限定されないが、前記第２エポキシ樹脂組成物全体の固形分基準で５０～８５重量％が好ましく、特に６０～７５重量％が好ましい。含有量が前記範囲内であると、特に分散性および含浸性に優れ、導体回路への埋め込み性に優れる。
　さらに、前記第２エポキシ樹脂組成物は、以上に説明した成分のほか、必要に応じて消泡剤、レベリング剤、顔料、酸化防止剤等の添加剤、さらには各種溶剤を含有することができる。

　前記第２樹脂層を形成している第２エポキシ樹脂組成物の溶融粘度は、５０～　５，０００Ｐａ・ｓであり、特に１００～２，０００Ｐａ・ｓが好ましい。溶融粘度が前記範囲内であると埋め込み性に優れ、および多層積層時の成形スジ（樹脂分だけ流動する現象）を抑制する。
　なお、前記溶融粘度は、プリプレグに形成されている前記第２樹脂層の表面を取り出した場合の溶融粘度であり、前記第２樹脂層は、半硬化状態（Ｂステージ）でもよく、硬化状態でもよい。

　次に、本発明のプリプレグを得る方法を、図１に示すプリプレグ１０を例にとって説明する。
　前記プリプレグは、例えば、まず、第１エポキシ樹脂組成物をキャリアフィルム４ａに塗工して第１キャリア材料を製造し、第２エポキシ樹脂組成物をキャリアフィルム４ｂに塗工して第２キャリア材料を製造する。これら第１及び第２キャリア材料を繊維基材１にラミネートすることにより、第１樹脂層２側表面および第２樹脂層３側表面にキャリアフィルム４ａ、４ｂがそれぞれ積層されたプリプレグを得ることができる。
　ただし、本発明のプリプレグは、プリプレグ１０のように第１樹脂層側表面および第２樹脂層側表面の両方にキャリアフィルムが積層されている形態に限定されず、第１樹脂層側表面および第２樹脂層側表面のうち少なくとも一方にキャリアフィルムが積層されていればよい。

　前記キャリアフィルムは、金属箔および樹脂フィルムよりなる群から選ばれる。
　前記金属箔としては、例えば、銅箔、アルミ箔等の金属箔、支持体上に銅メッキ処理を行って形成した銅薄膜等が挙げられる。これらの中でも金属箔または、樹脂フィルムを支持体として銅メッキ処理を行って形成した銅薄膜が好ましい。これにより、微細な回路を容易に形成することができる。
　前記樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレートなどのポリエステル、ポリカーボネート、シリコーンシート等の離型紙、フッ素系樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性を有した熱可塑性樹脂フィルム等が挙げられる。これらの中でも、ポリエステルで構成されるフィルムが最も好ましい。これにより、絶縁層から適度な強度で剥離することが容易となる。

　前記第１キャリア材料が有するキャリアフィルム４ａとしては、特に限定されないが、前記支持体に銅メッキ処理を行って形成した銅薄膜シートを用いることが好ましい。前記銅箔膜シートは、導体回路の一部として使用することもできるし、全面エッチングしてセミアディティブ法で導体回路加工することもできる。
　前記第２キャリア材料が有するキャリアフィルム４ｂとしては、特に限定されないが、前記樹脂フィルムを用いることが好ましい。前記樹脂フィルムは、当該プリプレグを保存する際に、回路埋め込み層となる第２樹脂層を保護し、当該プリプレグを用いて配線板を製造する際には、適度な強度で第２樹脂層から剥離することができる。

　第１及び第２キャリア材料を繊維基材１にラミネートする方法としては、例えば、真空ラミネート装置を用いて、繊維基材１の一方面側から第１キャリア材料を重ね合わせ、他方面側から第２キャリア材料を重ね合わせて、減圧下、ラミネートロールで接合、かつ密封した後、熱風乾燥装置で第１及び第２キャリア材料を構成する樹脂組成物の溶融温度以上の温度で加熱処理する方法がある。このとき、繊維基材中は前記減圧下を保持しているため、毛細管現象によりに溶融含浸させることができる。前記加熱処理する他の方法は、例えば赤外線加熱装置、加熱ロール装置、平板状の熱盤プレス装置等を用いて実施することができる。

　また、このようなプリプレグ１０を得る他の方法としては、例えば、繊維基材１の片面に、第１エポキシ樹脂組成物を含浸、乾燥させ、その上にキャリアフィルム４ａを重ね合わせる。さらに、繊維基材１のもう一方の片面に、第２エポキシ樹脂組成物を含浸、乾燥させ、その上にキャリアフィルム４ｂを重ね合わせて、加熱、加圧する方法が挙げられる。

　また更に、プリプレグ１０を得る他の方法として、（１）繊維基材１に、第１樹脂層２となる第１エポキシ樹脂組成物を塗布、含浸、乾燥し、この片面に第２樹脂層３となる第２エポキシ樹脂組成物をロールコーター、コンマコーター等にて塗布、乾燥してＢステージとし、このＢステージ化した第２樹脂層３となる樹脂組成物層側および第１樹脂層となるもう一方の樹脂組成物層側にそれぞれキャリアフィルム４ｂ、４ａを重ね合わせて、加熱、加圧下にラミネートする方法、（２）繊維基材１に、第１エポキシ樹脂組成物を塗布、含浸、乾燥し、第１樹脂層２となる樹脂組成物層側にはキャリアフィルム４ａを重ね合わせて、更に、第２樹脂層３となるキャリアフィルム４ｂ付きＢステージ樹脂組成物シートを別々に作製し、第２樹脂層３となるキャリアフィルム４ｂ付きＢステージ樹脂組成物シートの樹脂組成物側に、キャリアフィルム４ａ付き前記プリプレグを重ね合わせて、加熱、加圧下にラミネートする方法もある。

　このようにして得られる本発明のプリプレグ１０は、図２に示すように、主として繊維基材１で構成されるコア層１１がプリプレグ１０の厚さ方向に対して偏在している。これにより、回路パターンに応じて、第１樹脂層２および第２樹脂層３の樹脂量を調整することができる。なお、コア層１１がプリプレグ１０の厚さ方向に対して偏在しているとは、図２に示すように、プリプレグ１０の厚さ方向の中心線Ａ－Ａに対して、コア層１１の中心がずれて配置されていることを意味する。

　前記プリプレグが有する前記第１樹脂層の厚さは、前記第２樹脂層よりも薄いことが好ましい。
　さらに、前記第１樹脂層の厚みが、コア層、第１樹脂層及び第２樹脂層の各厚みを合計したプリプレグ全厚みの５％以上４０％未満であることが好ましく、特に５％以上３０％未満であることが好ましい。第１樹脂層の厚みが前記範囲内であることにより、微細回路形成が可能であり、さらに、導体との密着性、および平坦性に優れる。

　また、前記プリプレグの厚さは、キャリアフィルムを除いた状態、つまり、コア層、第１樹脂層および第２樹脂層の各厚みを合計した全厚みが１２０μｍ以下であることが好ましく、特に２５～１００μｍであることが好ましい。プリプレグの厚さが前記範囲内であると、内層回路基板の導体層の埋め込み性、多層基板の薄型化に優れる。

　次に、本発明の配線板について説明する。
　本発明の配線板は、導体回路上に第２樹脂層側が接合するように、前記プリプレグを積層して得られる。

　以下、図３に示される、コア基板の上下面にそれぞれ３層のプリプレグを積層した６層の配線板１００を例にとって、詳細に説明する。
　配線板１００は、スルーホール７が形成されたコア基板１０１と、コア基板１０１の上側（図３中の上側）に設けられた３層のプリプレグ（１０ａ、１０ｂ、１０ｃ）と、コア基板１０１の下側（図３中の下側）に設けられた３層のプリプレグ（１０ｄ、１０ｅ、１０ｆ）とで構成されている。
　コア基板１０１とプリプレグ１０ｃおよび１０ｄとの間、各プリプレグ間（１０ａと１０ｂ、１０ｂと１０ｃ、１０ｄと１０ｅおよび１０ｅと１０ｆ）には、所定の回路層４１が形成されている。また、少なくともプリプレグ１０ａおよび１０ｆの表面には、パッド部５が設けられている。このようなプリプレグ１０ａ～１０ｆの少なくとも１枚（好ましくは全部）に上述した厚さ１２０μｍ以下のプリプレグ１０を用いることが好ましい。これにより、配線板１００の厚さを薄くすることができる。
　各回路層４１は、各プリプレグ１０ａ～１０ｆを貫通して設けられたフィルドビア部６を介して電気的に接続されている。

　配線板１００を構成する各プリプレグ１０ａ～１０ｆは、回路層４１（導体層）が形成される側（各プリプレグ１０ａ～１０ｃの図３中上側と、１０ｄ～１０ｆの図３中下側）の第１樹脂層２を構成する第１エポキシ樹脂組成物の組成と、反対側の第２樹脂層３を構成する第２エポキシ樹脂組成物の組成とが異なる。第１樹脂層２を構成する第１エポキシ樹脂組成物は、導体層との密着性に優れるような組成になっている。また、第２樹脂層３を構成する第２エポキシ樹脂組成物は、回路層４１の埋め込み性を向上し、埋め込みを行う回路の導体との応力を緩和するような組成になっている。さらに、第２樹脂層３は低熱膨張化が図れるような組成になっており、このため回路層４１と第２樹脂層３との線熱膨張係数の差が小さくなり、配線板１００は絶縁樹脂層間の接続信頼性に優れ、反りが小さくなる。
　さらに、第１樹脂層２の厚さを、導体層との密着性を得るために必要最低限な厚さとし、第２樹脂層３の厚さを回路層の埋め込みに必要最低限な厚さとなるように調整することにより、配線板１００の厚さを薄くすることもできる。

　なお、図３では、６層の配線板について説明したが、本発明の配線板はこれに限定されず、３層、４層、５層等、または７層、８層等の多層基板にも好適に用いることができる。
　また、本発明の配線板では、上述したような第１樹脂層２を構成する第１エポキシ樹脂組成物と第２樹脂層３を構成する第２エポキシ樹脂組成物とが異なるプリプレグ１０と、従来から用いられていたプリプレグとを併用しても構わない。

　次に、本発明の半導体装置について説明する。
　本発明の半導体装置は、前記配線板に半導体素子を搭載することにより得られる。
　例えば、図３に示すような配線板１００に、半導体素子８のバンプ８１と配線板１００のパッド部５とを接続して半導体素子８を搭載することにより半導体装置２００を得ることができる（図４）。このような半導体装置２００は、配線板１００を構成する各プリプレグ１０ａ～１０ｆを構成する第１樹脂層２および第２樹脂層３の厚さを最適な厚さに調整できるので、プリプレグ１０全体の厚さを最適なものとすることができ、要求される特性に必要な最低限の厚さの半導体装置２００を得ることができる。また、前記配線板１００を用いた半導体装置２００は、反りが小さく、実装信頼性に優れる。

　以下、本発明を実施例および比較例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
　まず、プリプレグの実施例について説明する。実施例１～２１で得られたプリプレグの成分含有量（重量部）を表１～表３に示す。

　（実施例１）
１．第１エポキシ樹脂組成物の調製
　エポキシ樹脂として、ナフタレン変性クレゾールノボラックエポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＨＰ－５０００）３０重量部、フェノール硬化剤としてビフェニルアラルキル型フェノール樹脂（明和化成社製、ＭＥＨ７８５１－５Ｈ）２０重量部、熱可塑性樹脂として、フェノキシ樹脂（ｊＥＲ社製、ＹＸ－８１００ＢＨ３０、固形分３０重量％）を固形分で３０重量部、１～１００ｎｍのシリカナノ粒子として平均粒径７５ｎｍの球状シリカ（トクヤマ社製、ＮＳＳ－５Ｎ）２０重量部、硬化剤としてイミダゾール（四国化成社製、キュアゾール２Ｅ４ＭＺ）０．５重量部を、メチルエチルケトンに混合溶解させ、不揮発分４５重量％となるように調整し、第１エポキシ樹脂組成物を調製した。

２．第２エポキシ樹脂組成物の調製
　エポキシ樹脂として、ナフタレン変性クレゾールノボラックエポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＨＰ－５０００）１０重量部、フェノール硬化剤として、ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂（明和化成株式会社、ＭＥＨ７８５１－４Ｌ）１０重量部、フェノールノボラック型シアネート樹脂（ＬＯＮＺＡ社製、Ｐｒｉｍａｓｅｔ　ＰＴ－３０）２０重量部、球状溶融シリカ（アドマテックス社製、ＳＯ－２５Ｒ、平均粒径０．５μｍ）６０重量部を、メチルエチルケトンに混合溶解させ、不揮発分７０重量％となるように調整し、第２エポキシ樹脂組成物を調製した。

３．キャリア材料の製造
　前記、第１樹脂組成物をキャリア付き極薄銅箔（三井金属鉱業、マイクロシンＭＴ１８Ｅｘ－２μｍ）の極薄銅箔上に、コンマコーター装置を用いて乾燥後の樹脂層の厚さが５．０μｍとなるように塗工し、これを１６０℃の乾燥装置で５分間乾燥して、第１樹脂層用の銅箔付き樹脂シートを得た。
　また、第２樹脂組成物をＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート、帝人デュポンフィルム製ピューレックスフィルム３６μｍ）上に同様に塗工し、乾燥後の樹脂層の厚さが２７．５μｍになるように、１６０℃の乾燥機で５分間乾燥して、第２樹脂層用のＰＥＴ付き樹脂シートを得た。

４．プリプレグの製造
　前記第１樹脂層用の銅箔付き樹脂シート、および第２樹脂層用のＰＥＴ付き樹脂シートをガラス織布（坪重量２０ｇ、厚さ２０μｍ、日東紡績社製Ｔガラス織布、ＷＴＸ－１０２７）の両面に樹脂層がガラス織布に接するように配し、圧力０．５ＭＰａ、温度１４０℃で１分間の条件で真空プレスにより加熱加圧して、エポキシ樹脂組成物を含浸させ、キャリアフィルムが積層されたプリプレグを得た。このとき、第１樹脂層が５μｍ、コア層が２０μｍ、第２樹脂層が１５μｍで、総厚４０μｍとなり、第１樹脂層は、コア層、第１樹脂層及び第２樹脂層の各厚みを合計したプリプレグ全厚みの１２．５％であった。

５．配線板および半導体装置の製造
　コア基板（住友ベークライト社製ＥＬＣ－４７８５ＧＳ－Ｂ、厚み０．４ｍｍ、１２μｍ銅箔）に回路パターン形成（残銅率７０％、Ｌ／Ｓ＝５０／５０μｍ）した内層回路基板の表裏に、前記で得られたキャリアフィルムが積層されたプリプレグのＰＥＴを剥離し、第２樹脂層を内側にして両面重ね合わせ、これを、真空加圧式ラミネーター装置を用いて、温度１５０℃、圧力１ＭＰａ、時間１２０秒で真空加熱加圧成形し、その後、熱風乾燥装置にて２２０℃で６０分間加熱硬化を行い、多層配線板を製造した。

　前記で得られた多層配線板から、キャリア銅箔を剥離し、更に極薄銅箔をエッチング除去した。次いで炭酸レーザーによりブラインドビアホール（非貫通孔）を形成した。次にビア内および、第１樹脂層表面を、６０℃の膨潤液（アトテックジャパン株式会社製、スウェリングディップ　セキュリガント　Ｐ）に５分間浸漬し、さらに８０℃の過マンガン酸カリウム水溶液（アトテックジャパン株式会社製、コンセントレート　コンパクト　ＣＰ）に１０分浸漬後、中和して粗化処理を行った。
　これを脱脂、触媒付与、活性化の工程を経た後、無電解銅めっき皮膜を約１μｍ、めっきレジスト形成、無電解銅めっき皮膜を給電層としパターン電気めっき銅１２μｍ形成させＬ／Ｓ＝１２／１２μｍの微細回路加工を施した。次に、熱風乾燥装置にて２００℃で６０分間アニール処理を行った後、フラッシュエッチングで給電層を除去した。

　次に、ソルダーレジスト（太陽インキ製造（株）製、ＰＳＲ－４０００　ＡＵＳ７０３）を印刷し、半導体素子搭載パッド等が露出するように、所定のマスクで露光し、現像、キュアを行い、回路上のソルダーレジスト層厚さが１２μｍとなるように形成した。

　最後に、ソルダーレジスト層から露出した回路層上へ、無電解ニッケルめっき層３μｍと、さらにその上に無電解金めっき層０．１μｍとを具備するめっき層を形成し、得られた基板を５０ｍｍ×５０ｍｍサイズに切断し、半導体装置用の多層配線板を得た。

　半導体装置は、前記半導体装置用の多層配線板上に半田バンプを有する半導体素子（ＴＥＧチップ、サイズ１５ｍｍ×１５ｍｍ、厚み０．６ｍｍ）を、フリップチップボンダー装置により、加熱圧着により搭載し、次に、ＩＲリフロー炉で半田バンプを溶融接合した後、液状封止樹脂（住友ベークライト社製、ＣＲＰ－４１５２Ｓ）を充填し、当該液状封止樹脂を硬化させることで得た。なお、液状封止樹脂は、温度１５０℃、１２０分の条件で硬化させた。なお、前記半導体素子の半田バンプは、Ｓｎ／Ｐｂ組成の共晶で形成されたものを用いた。

　（実施例２）
　第１エポキシ樹脂組成物の調製において、ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂及びキュアゾール２Ｅ４ＭＺを用いず、フェノールノボラック型シアネート樹脂（ロンザジャパン株式会社製、プリマセットＰＴ－３０）２０重量部及びキュアゾール１Ｂ２ＰＺ（四国化成工業社製）０．３重量部を用いた以外は、実施例１と同様にした。

　（実施例３）
　第１エポキシ樹脂組成物の調製において、ナフタレン変性クレゾールノボラックエポキシ樹脂を用いず、アントラセン型エポキシ樹脂（ｊＥＲ社製、ＹＸ－８８００）３０重量部を用いた以外は、実施例２と同様にした。

　（実施例４）
　第１エポキシ樹脂組成物の調製において、ナフタレン変性クレゾールノボラックエポキシ樹脂を用いず、ナフタレンジメチレン型エポキシ樹脂（東都化成工業社製、ＥＳＮ－１７５）３０重量部を用いた以外は、実施例２と同様にした。

　（実施例５）
　第１エポキシ樹脂組成物の調製において、ナフタレン変性クレゾールノボラックエポキシ樹脂を用いず、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ－３０００）３０重量部を用いた以外は、実施例２と同様にした。

　（実施例６）
　第１エポキシ樹脂組成物の調製において、ナフタレン変性クレゾールノボラックエポキシ樹脂を用いず、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、Ｎ－６９０）３０重量部を用いた以外は、実施例２と同様にした。

　（実施例７）
　第１エポキシ樹脂組成物の調製において、ビスＳ／ビフェニル型フェノキシ樹脂を用いず、シリコーン変性ポリイミド樹脂３０重量部を用いた以外は、実施例２と同様にした。
　以下、前記シリコーン変性ポリイミド樹脂の合成方法（合成例１）を詳細に説明する。
　（合成例１）
　温度計、攪拌機、原料投入口を備えた四つ口のセパラブルフラスコ中に、酸成分として４，４’－ビスフェノールA酸二無水物４３．３８ｇ（０．０８３３モル）をアニソール２２０．２４ｇ、トルエン５５．０６ｇに懸濁させた。そして、ジアミン成分としては２，２－ビス（４－（４－アミノフェノキシ）フェニル）プロパン２３．３９ｇ（０．０５モル）とα，ω－ビス（３－アミノプロピル）ポリジメチルシロキサン（平均分子量８３６）２７．８７ｇ（０．０３３３モル）を投入しアミック酸を形成した。
　次いで、ディーンスターク還流冷却管を取り付け、オイルバスにより加熱すると懸濁溶液が溶解し透明になった。この際、イミド化に伴い発生する水をトルエンとの共沸により系外へ除去した。２時間加熱還流したところで反応を終了した。冷却後、大量のメタノール中に投入しポリイミド樹脂を析出させた。固形分を濾過後、７０～８０℃で１２時間減圧乾燥し溶剤を除き固形のポリイミド樹脂１を得た。重量平均分子量はＭｗ＝４６，０００であった。

　（実施例８）
　第１エポキシ樹脂組成物の調製において、ビスＳ／ビフェニル型フェノキシ樹脂を用いず、ゴム変性フェノール水酸基含有ポリアミド３０重量部を用いた以外は、実施例２と同様にした。
　以下、前記ゴム変性フェノール水酸基含有ポリアミドの合成方法（合成例２）を詳細に説明する。
　（合成例２）
　温度計、冷却管、撹拌器を取り付けた５００ｍｌフラスコに窒素ガスパージを施し、５－ヒドロキシイソフタル酸１４．６ｇ（０．０８０モル）、イソフタル酸５０．５ｇ（０．３０４モル）、１，３－ビス（３－アミノフェノキシ）ベンゼン１２１．６ｇ（０．４１６モル）、塩化リチウム９．０ｇ、Ｎ－メチルピロリドン８６０ｇ、ピリジン１７０ｇを加え、撹拌溶解させた後、亜りん酸トリフェニル２００ｇを加えて９５℃で８時間反応させ、フェノール水酸基含有ポリアミド樹脂を得た。これに、末端カルボキシル基変性ポリブタジエンーアクリロニトリルゴム（宇部興産社製、ＨｙｃａｒＣＴＢＮ２０００Ｘ１６２、重量平均分子量３６００）１００ｇをピリジン１６５ｇとＮ－メチルピロリドン１８０ｇに溶かした溶液に加え、更に４時間反応させた。得られたポリマー溶液を貧溶媒のメタノール中に析出させ濾別し、更にメタノール洗浄を繰り返し、８０℃オーブン中で乾燥させ、固形のゴム変性フェノール水酸基含有ポリアミドを得た。

　（実施例９）
　第１エポキシ樹脂組成物の調製において、ビスＳ／ビフェニル型フェノキシ樹脂を用いず、ゴム変性フェノール水酸基含有ポリアミド（日本化薬社製、ＫＡＹＡＦＬＥＸ　ＢＰＡＭ－１５５）３０重量部を用いた以外は、実施例２と同様にした。

　（実施例１０）
　第１エポキシ樹脂組成物の調製において、ビスＳ／ビフェニル型フェノキシ樹脂を用いず、ゴム変性フェノール水酸基含有ポリアミド（日本化薬社製、ＫＡＹＡＦＬＥＸ　ＢＰＡＭ－０１）３０重量部を用いた以外は、実施例２と同様にした。

　（実施例１１）
　第１エポキシ樹脂組成物の調製において、ナフタレン変性クレゾールノボラックエポキシ樹脂の含有量を３６重量部とし、フェノールノボラック型シアネート樹脂の含有量を１８重量部とし、ゴム変性フェノール水酸基含有ポリアミド（日本化薬社製、ＫＡＹＡＦＬＥＸ　ＢＰＡＭ－１５５）の含有量を３６重量部とし、シリカナノ粒子（ＮＳＳ－５Ｎ）の含有量を１０重量部とした以外は、実施例９と同様にした。

　（実施例１２）
　第１エポキシ樹脂組成物の調製において、ナフタレン変性クレゾールノボラックエポキシ樹脂の含有量を３８重量部とし、フェノールノボラック型シアネート樹脂の含有量を１９重量部とし、ゴム変性フェノール水酸基含有ポリアミド（日本化薬社製、ＫＡＹＡＦＬＥＸ　ＢＰＡＭ－１５５）の含有量を３８重量部とし、シリカナノ粒子（ＮＳＳ－５Ｎ）の含有量を５重量部とした以外は、実施例９と同様にした。

　（実施例１３）
　第１エポキシ樹脂組成物の調製において、ビスＳ／ビフェニル型フェノキシ樹脂を用いず、ポリエーテルスルホン樹脂（住友化学社製、ＰＥＳ５００３Ｐ）３０重量部を用いた以外は、実施例２と同様にした。

　（実施例１４）
　第１エポキシ樹脂組成物の調製において、ビスＳ／ビフェニル型フェノキシ樹脂を用いず、ポリフェニレンオキサイド樹脂（三菱瓦斯化学社製、ＯＰＥ－２ｓｔ）３０重量部を用いた以外は、実施例２と同様にした。

　（実施例１５）
　第１エポキシ樹脂組成物の調製において、シリカナノ粒子（ＮＳＳ－５Ｎ）を用いず、シリカナノ粒子（アドマテックス社製、Ａｄｍａｎａｎｏ、平均粒径５６ｎｍ、ビニルシラン処理品）２０重量部を用いた以外は、実施例２と同様にした。

　（実施例１６）
　第１エポキシ樹脂組成物の調製において、ナフタレン変性クレゾールノボラックエポキシ樹脂の含有量を２４重量部にし、フェノールノボラック型シアネート樹脂の含有量を２４重量部とし、ビスＳ／ビフェニル型フェノキシ樹脂の含有量を１２重量部とし、シリカナノ粒子（アドマテックス社製、Ａｄｍａｎａｎｏ、平均粒径５６ｎｍ、ビニルシラン処理品）の含有量を２重量部とし、さらに球状シリカ（トクヤマ社製、ＮＳＳ－３Ｎ、平均粒径０．１２５μｍ）３８重量部を用いた以外は、実施例１５と同様にした。

　（実施例１７）
　第１エポキシ樹脂組成物の調製において、シリカナノ粒子（ＮＳＳ－５Ｎ）を用いず、シリカナノ粒子（アドマテックス社製、Ａｄｍａｎａｎｏ、平均粒径５６ｎｍ、ビニルシラン処理品）１０重量部および球状シリカ（トクヤマ社製、ＮＳＳ－３Ｎ、平均粒径０．１２５μｍ）５重量部を用いた以外は、実施例９と同様にした。

　（実施例１８）
　第１エポキシ樹脂組成物の調製において、シリカナノ粒子（ＮＳＳ－５Ｎ）を用いず、シリカナノ粒子（アドマテックス社製、Ａｄｍａｎａｎｏ、平均粒径５６ｎｍ、ビニルシラン処理品）２重量部およびベーマイト（河合石灰工業社製、ＢＭＢ、平均粒径０．５μｍ）１８重量部を用いた以外は、実施例９と同様にした。

　（実施例１９）
　第２エポキシ樹脂組成物の調製において、ナフタレン変性クレゾールノボラックエポキシ樹脂の含有量を７．５重量部とし、ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂の含有量を７．５重量部とし、フェノールノボラック型シアネート樹脂の含有量を１５重量部とし、球状シリカ（アドマテックス社製、ＳＯ－２５Ｒ、０．５μｍ）の含有量を７０重量部とした以外は、実施例１７と同様にした。

　（実施例２０）
　第２エポキシ樹脂組成物の調製において、ナフタレン変性クレゾールノボラックエポキシ樹脂を用いず、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ－３０００）７．５重量部を用いた以外は、実施例１９と同様にした。

　（実施例２１）
　第２エポキシ樹脂組成物の調製において、ナフタレン変性クレゾールノボラックエポキシ樹脂を用いず、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＨＰ－７２００Ｌ）７．５重量部を用いた以外は、実施例１９と同様にした。

　（実施例２２）
　キャリア材料の製造において、第１樹脂層となるキャリア材料に、厚み１μｍ銅スパッタ蒸着したＰＥＴを用い、蒸着面に樹脂層を形成した以外は実施例２１と同様にした。

　（実施例２３）
　キャリア材料の製造において、第１樹脂ワニスをＰＥＴ上に塗工した以外は実施例２１と同様にした。

　（実施例２４）
　キャリア材料の製造において、第１樹脂ワニス乾燥後の樹脂層の厚みが２．０μｍとなるようにし、また、第２樹脂ワニス乾燥後の樹脂層の厚みが３０．５μｍにした以外は、実施例１６と同様にした。このとき、第１樹脂層が２μｍ、コア層が２０μｍ、第２樹脂層が１８μｍで、総厚４０μｍとなり、第１樹脂層は、コア層、第１樹脂層及び第２樹脂層の各厚みを合計したプリプレグ全厚みの５％であった。

　（実施例２５）
　キャリア材料の製造において、第１樹脂ワニス乾燥後の樹脂層の厚みが８．０μｍとなるようにし、また、第２樹脂ワニス乾燥後の樹脂層の厚みが２４．５μｍにした以外は、実施例１６と同様にした。このとき、第１樹脂層が８μｍ、コア層が２０μｍ、第２樹脂層が１２μｍで、総厚４０μｍとなり、第１樹脂層は、コア層、第１樹脂層及び第２樹脂層の各厚みを合計したプリプレグ全厚みの２０％であった。

　（比較例１）
　実施例１で得られる第２樹脂ワニスと同様の樹脂ワニスに、ガラス織布（坪重量２０ｇ、厚さ２０μｍ、日東紡績社製Ｔガラス織布、ＷＴＸ－１０２７）を浸漬含浸させ、１８０℃の加熱炉で２分間乾燥して、プリプレグ中のエポキシ樹脂組成物が固形分基準で約６７重量％のプリプレグを得た。配線板および半導体装置の製造は、実施例１と同様にした。

　（比較例２）
　第１エポキシ樹脂組成物の調製において、１～１００ｎｍのシリカナノ粒子を平均粒径１．０μｍの球状シリカ（アドマテック社製、ＳＯ３２Ｒ）に変えた以外は、実施例１と同様にした。

　（比較例３）
　第１エポキシ樹脂組成物の調製において、１～１００ｎｍのシリカナノ粒子を用いなかった以外は、実施例１と同様にした。

　（評価）
　各実施例および各比較例で得られたプリプレグ、配線板および半導体装置について、以下の評価を行った。評価内容を項目と共に示す。また、得られた評価結果を表４および表５に示す。

（１）溶融粘度
　粘弾性測定装置（アントンパール社製、Ｐｈｙｓｉｃａ　ＭＣＲシリーズ）を用いて、昇温速度５℃／分、周波数１Ｈｚで、振幅０．３％、荷重０．１Ｎで測定し、最低溶融粘度を測定した。
　なお、評価サンプルとしては、各実施例及び比較例で得られた第２樹脂ワニスを用いて、乾燥後の樹脂層の厚さが４０μｍになるようにＰＥＴ上に塗工し、１６０℃の乾燥装置で５分間乾燥して得られた樹脂シートを２枚貼り合わせて作製した８０μｍの樹脂を用いた。
（２）埋め込み性
　加熱硬化後の多層配線板（段落００９８の段階）の外層銅箔を全面エッチングした後に、内層パターンへの埋め込み性を目視し、さらに断面観察を実施し、評価した。
　符号は以下の通りである。
　　優良：全面埋め込み性問題なし
　　良い：実質上問題なし（最終個片化後の非製品部分の基板端部に一部不良あり）
　　劣る：パターン埋め込み不良あり

（３）熱膨張係数（５０～１００℃）
　熱膨張係数は、ＴＭＡ（熱機械的分析）装置（ＴＡインスツルメント社製、Ｑ４００）を用いて、４ｍｍ×２０ｍｍの試験片を作製し、温度範囲３０～３００℃、１０℃／分、荷重５ｇの条件で２サイクル目の５０～１００℃における線膨張係数（ＣＴＥ）を測定した。なお、評価サンプルとしては、各実施例および比較例で得られたプリプレグを２枚用いて、第２樹脂層を向かい合わせて、温度２２０℃、圧力１ＭＰａ、時間１２０分の条件でプレス積層した後、銅箔を除去したものを用いた。

（４）絶縁層表面の算術平均粗さ（Ｒａ）
　絶縁層表面の算術平均粗さ（Ｒａ）は、ＪＩＳ　Ｂ０６０１に準じて、Ｖｅｅｃｏ社製ＷＹＫＯ　ＮＴ１１００を用いて第１樹脂層の表面の測定を行った。なお、評価サンプルとしては粗化処理後の多層配線板（段落００９９の段階）を用いた。

（５）めっきピール（ｋＮ／ｍ）
ピール強度測定は、ＪＩＳＣ６４８１に準拠して行った。なお、評価サンプルとしては、実施例（段落００９９）に記載の無電解銅めっき皮膜を１μｍ、次いで電気めっき銅２９μｍを形成し、計３０μｍとしたものを用いた。

（６）ＰＣＴ（プレッシャークッカーテスト）処理後の外観
　飽和プレッシャークッカー装置を用いて、温度１２１℃、湿度１００％、時間１９６時間処理後に、表面の膨れ等の外観を目視で確認した。なお、評価サンプルとしては、ソルダーレジスト形成前の多層配線板（段落００９９の段階）の基板を用いた。
　符号は以下の通りである。
　　優良：異常なし
　　良い：実質上問題なし（最終個片化後の非製品部分の基板端部に一部不良あり）
　　劣る：回路パターン部に膨れ発生

（７）細線配線加工性
　ソルダーレジスト形成前の多層配線板（段落００９９の段階）のＬ／Ｓ＝１２／１２μｍのパターンを、レーザー顕微鏡での細線の外観検査、及び導通チェックにより評価した。
　符号は以下の通りである。
　　優良：形状、導通ともに問題なし
　　良い：ショート、配線切れはなく、実質上問題ない
　　劣る：ショート、配線切れあり

（８）多層配線板の反り
　５０ｍｍ×５０ｍｍサイズに切断した多層配線板（段落０１０１の段階）を室温にて、温度可変レーザー三次元測定機（日立テクノロジーアンドサービス社製　形式ＬＳ２２０－ＭＴ１００ＭＴ５０）を用い、高さ方向の変位を測定し、変位差の最も大きい値を反り量とした。
　符号は以下の通りである。
　　優良：１００μｍ以下
　　良い：１００～１５０μｍ未満
　　劣る：１５０μｍ以上

（９）線間絶縁信頼性（ＨＡＳＴ：高度加速寿命試験）
　ソルダーレジスト形成前の多層配線板（段落００９９の段階）のＬ／Ｓ＝１２／１２μｍのパターン上に、ソルダーレジストの代わりに絶縁樹脂シート（住友ベークライト社製、ＢＬＡ－３７００ＧＳ）を積層、温度２２０℃で硬化したサンプルを用いて、温度１３０℃、湿度８５％、印加電圧３．３Ｖの条件で連続湿中絶縁抵抗を評価した。なお、抵抗値１０^６Ω以下を故障とした。
　符号は以下の通りである。
　　優良：３００時間以上故障なし
　　良い：１５０～３００時間未満で故障あり
　　劣る：１５０時間未満で故障あり

（１０）半導体装置の反り特性
　半導体装置の室温での反りを温度可変レーザー三次元測定機（日立テクノロジーアンドサービス社製形式ＬＳ２２０－ＭＴ１００ＭＴ５０）を用い、上記測定機のサンプルチャンバーに半導体素子面を下にして設置し、高さ方向の変位を測定し、変位差の最も大きい値を反り量とした。
　符号は以下の通りである。
　　優良：１００μｍ以下
　　良い：１００～１５０μｍ未満
　　劣る：１５０μｍ以上

　（結果）
　表４および表５に記載されている評価結果からわかるように、実施例１～２５では、前記評価（２）～（１０）において良好な結果が得られた。つまり、実施例１～２５では、プリプレグは低熱膨張性に優れ、配線板は絶縁層表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が好適であり、ＰＣＴ処理後の外観に問題がなく、埋め込み性、めっきピール強度、細線加工性、および線間絶縁信頼性に優れ、反りが小さく、半導体装置は反りが小さかった。
　一方、比較例１では、本発明の第１樹脂層、コア層、および第２樹脂層を有するプリプレグではなく、第２樹脂ワニスをガラス織布に浸漬含浸させて得られるプリプレグを用いているため、前記評価（２）～（１０）において、実施例１～２５よりも劣る結果となった。
　比較例２では、第１エポキシ樹脂組成物の調製において、１～１００ｎｍのシリカナノ粒子を用いず、平均粒径１．０μｍの球状シリカを用いたため、プリプレグの低熱膨張性、配線板の埋め込み性、めっきピール強度、ＰＣＴ処理後の外観、及び反り特性、並びに半導体装置の反り特性は良好であるものの、配線板の絶縁層表面の算術平均粗さ、細線加工性、および線間絶縁信頼性は実施例１～２５に比べて劣っていた。
　比較例３では、第１エポキシ樹脂組成物の調製において、１～１００ｎｍのシリカナノ粒子を用いなかったため、配線板の埋め込み性は良好であるものの、前記評価（３）～（１０）の結果は実施例１～２５に比べて劣っていた。

１…繊維基材
１１…コア層
２…第１樹脂層
３…第２樹脂層
４ａ、４ｂ…キャリアフィルム
４１…回路層
５…パッド部
６…フィルドビア部
７…スルーホール
８…半導体素子
８１…バンプ
１０、１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄ、１０ｅ、１０ｆ…プリプレグ
１００…配線板
１０１…コア基板
２００…半導体装置

Claims

　繊維基材を具備するコア層と、前記コア層の一方面側に形成された第１樹脂層と、前記コア層の他方面側に形成された第２樹脂層とを有し、
　第１樹脂層側表面および第２樹脂層側表面のうち少なくとも一方に、金属箔および樹脂フィルムよりなる群から選ばれるキャリアフィルムが積層されたプリプレグであって、
　前記第１樹脂層は、平均粒径が１～１００ｎｍのシリカナノ粒子と、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、およびポリエーテルスルホン樹脂よりなる群から選ばれる熱可塑性樹脂と、エポキシ樹脂とを含む第１エポキシ樹脂組成物を含有し、この第１樹脂層は前記繊維基材と接している、または第１樹脂層の一部が繊維基材に含浸されており、
　前記第２樹脂層は、無機充填材と、エポキシ樹脂とを含む第２エポキシ樹脂組成物を含有し、第２樹脂層の一部が繊維基材に含浸されていることを特徴とする、プリプレグ。
　前記第１エポキシ樹脂組成物は、平均粒径が１～１００ｎｍのシリカナノ粒子を１～２５重量％含むものである、請求項１に記載のプリプレグ。
　前記第１樹脂層は、前記繊維基材と接合しない側の表面の表面粗さＲａが０．８μｍ以下である、請求項１又は２に記載のプリプレグ。
　前記第２エポキシ樹脂組成物が含有する前記無機充填材の平均粒子径が０．３～３μｍである、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のプリプレグ。
　前記第２エポキシ樹脂組成物は、さらに、シアネート樹脂を含むものである、請求項１乃至４のいずれか一項に記載のプリプレグ。
　前記第１樹脂層の厚さが、前記第２樹脂層よりも薄い、請求項１乃至５のいずれか一項に記載のプリプレグ。
　前記第１樹脂層の厚みが、コア層、第１樹脂層及び第２樹脂層の各厚みを合計した全厚みの５％以上４０％未満である、請求項１乃至６のいずれか一項に記載のプリプレグ。
　前記コア層、第１樹脂層および第２樹脂層の各厚みを合計した全厚みが１２０μｍ以下である、請求項１乃至７のいずれか一項に記載のプリプレグ。
　前記繊維基材の厚さが１００μｍ以下である、請求項１乃至８のいずれか一項に記載のプリプレグ。
　前記第２樹脂層を形成している前記第２エポキシ樹脂組成物の溶融粘度が５０～５，０００Ｐａ・ｓである、請求項１乃至９のいずれか一項に記載のプリプレグ。
　前記第１エポキシ樹脂組成物は、さらに、平均粒径が０．１～２μｍの球状シリカを１～５０重量％を含むものである、請求項１乃至１０のいずれか一項に記載のプリプレグ。
　導体回路上に、前記請求項１乃至１１のいずれか一項に記載のプリプレグを、その第２樹脂層側が接合するように積層されていることを特徴とする、配線板。
　前記請求項１２に記載の配線板を有することを特徴とする、半導体装置。