WO2009069564A1 - 炭化珪素単結晶の成長法 - Google Patents

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Yukio Terashima
Yasuyuki Fujiwara
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Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha
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    • C30B9/04—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents by cooling of the solution
    • C30B9/06—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents by cooling of the solution using as solvent a component of the crystal composition

Definitions

  • the present invention relates to a novel method of growing a silicon carbide single crystal by a solution method, and more specifically, by a solution method using a novel melt (sometimes referred to as a solution), and the morphology of a crystal growth surface
  • the present invention relates to a method for growing a silicon carbide single crystal that achieves one improvement and has a relatively high growth rate.
  • Silicon carbide (SiC) single crystal is very thermally and chemically stable, excellent in mechanical strength, resistant to radiation, and has a higher dielectric breakdown voltage and higher thermal conductivity than Si
  • the addition of impurities makes it easy to control p- and n-conducting type electrons, and has a wide forbidden band (approximately 3.0 e V in 6 H-type single crystal S i C. 4 H-type single crystal S i C has a feature of about 3.3 eV). Therefore, it is possible to realize high temperature, high frequency, withstand voltage, and environmental resistance that cannot be realized with existing semiconductor materials such as silicon (Si) and gallium arsenide (GaAs). Expectations are growing as a material. Conventionally, as a growth method of a silicon carbide single crystal, a vapor phase method, an ac h esson method and a solution method are typically known.
  • the sublimation method causes various defects in the crystal and is easily polycrystallized.
  • the crystals produced from this are thin films, making it difficult to produce bulk single crystals.
  • the Atchison method uses quartzite and coke as raw materials and heats them in an electric furnace, it cannot be highly purified due to impurities in the raw materials.
  • a silicon-containing alloy is melted in a graphite crucible, carbon is dissolved in the melt from the graphite crucible, and a silicon carbide crystal layer is grown on the seed crystal substrate placed in a low temperature portion by solution precipitation. Is the way.
  • the solution method is known to be advantageous as a method for obtaining a bulk single crystal although the growth rate is low.
  • a raw material containing at least one element of transition metals, S i, and C is melted to form a melt.
  • a single crystal silicon carbide seed crystal is brought into contact with the liquid, and the temperature of the melt is cooled to a melt state having a temperature lower than the liquidus phase of the melt, so that the silicon carbide single crystal is deposited and grown.
  • a method for producing crystals is described.
  • transition metals are Fe, Co, Ni (above VIII group), Ti, Zr, Hf (above group IVb), V, Nb, Ta (above) Forces that are group Vb), Cr, Mo and W (group VIb above)
  • the specifically disclosed composition is only when the transition metal is Mo, Cr, Co.
  • the measurement method and confirmation method are not disclosed, and macro defects on the crystal growth surface are not recognized.
  • Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2 0 0 6 — 1 4 3 5 5 5 includes 3 1 binding and ⁇ 1 (M: one of F e or Co), and the molar concentration of M is [M], S i When the molar concentration is [S i], the value of [M] / ([M] + [S i]) is 0.2 or more and 0.7 or less when M is Fe, and M is Co
  • a silicon carbide seed crystal substrate is immersed in a melt of an alloy that is not less than 0.05 and not more than 0.25, so that the combined liquid around the seed crystal substrate is oversaturated with silicon carbide.
  • a method for producing a silicon carbide single crystal is described in which a silicon carbide seed crystal is grown on a seed crystal substrate.
  • macro defects on the crystal growth surface are not recognized.
  • Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2 0 7 — 7 9 8 6 includes S i, T i and M (M: Co and / or M n) and C, and the atomic ratio of S i, T i and M Is expressed as S i x T i y M z and satisfies the following conditions: 0. 1 7 ⁇ yZx ⁇ 0. 3 3 and 0.9.9 0 ⁇ (y + z) / X ⁇ 1. 8 0, or Including S i, Ding 1 and 1 ⁇ ( ⁇ : 8 1) and C, the atomic ratio of 3 1 and Ding 1 is expressed as S i x T i y M z , 0.
  • a single crystal substrate for silicon carbide growth is brought into contact with a melt satisfying 0. 3 3 and 0. 3 3 ⁇ (y + z) / X ⁇ 0.6 0, and the melt is cooled around the single crystal substrate.
  • a method for producing a silicon carbide single crystal is described in which silicon carbide single crystal is grown on a single crystal substrate by bringing silicon carbide dissolved in the melt into a supersaturated state.
  • the present inventors have found that a relatively large growth rate can be obtained by adding a certain amount or more of Cr in a Si 1 C r 1 C melt.
  • the surface of the silicon carbide single crystal growth layer obtained is unstable, and minute changes in growth conditions adversely affect the surface of the growth layer. It has been found that the surface morphology (morphology) is not sufficient, which in turn may affect the quality of the grown crystal obtained.
  • An object of the present invention is to provide a method for growing a silicon carbide single crystal that realizes an improvement in the morphology of the surface of a crystal growth layer by a solution method.
  • This invention melts Si heated in a graphite crucible.
  • Cr and X In the method of growing a silicon carbide single crystal on a single crystal substrate by bringing a silicon carbide single crystal into contact with the melt, Cr and X (X is at least one of Ni and Co) in the melt.
  • the morphology of the surface of the crystal growth layer is improved and the growth rate is equal to or higher than that of the solution method described in the known literature.
  • a silicon single crystal can be grown.
  • FIG. 1 shows one embodiment of a manufacturing apparatus for carrying out the method of the present invention.
  • Figure 2 shows the equipment used for the silicon carbide single crystal growth experiments in each example.
  • Fig. 3A shows a photograph of the morphology of the silicon carbide crystal growth layer surface obtained in Comparative Example 1 when the Si: Cr composition ratio (at.%) Is 50:50. Show.
  • FIG. 3B shows the composition ratio (at.%) Of S i: C r obtained in Comparative Example 1.
  • FIG. 4 shows a photograph of the morphology of the crystal growth layer surface of the silicon carbide crystal obtained in Example 1.
  • FIG. 1 shows one embodiment of a manufacturing apparatus for carrying out the method of the present invention.
  • silicon carbide single crystal growth is performed using a graphite crucible 5 surrounded by a heat insulating material 6 as a reaction vessel.
  • Silicon carbide single crystal growth consists of a silicon carbide single crystal at the tip of a graphite rod 3 (also called a graphite shaft), which is an example of a silicon carbide seed crystal support member, in a melt 2 heated by a high-frequency coil 1 as a heating device. This can be achieved by bonding and fixing the single crystal substrate 4 and immersing this in the melt 2 to grow the single crystal substrate 4.
  • a method for growing a silicon carbide single crystal by a solution method is used.
  • S i and C, Cr and X (X is at least one of N i and C o)
  • C r and X in combination, for example, Mo—S i — C 3 element, C r ⁇ S i-C 3 element, Co o-Si i C 3 element can improve the growth rate, but the quality of the precipitated crystals is insufficient
  • the Si_Cr-X-C melt if the Cr is less than 3 O at.%, The growth rate of the silicon carbide single crystal is remarkably small. It is not suitable because it becomes difficult to carry out the growth of only a single crystal with a polycrystal around it.
  • the Si — C r _ X _ C melt if the X force is less than 1 at •%, the surface morphology of the silicon carbide single crystal does not improve, and if it exceeds 25 at. Part or all of the silicon crystal is polycrystallized, making it difficult to achieve stable growth as a single crystal. Rejected ⁇ This is not preferable In this invention, the Si—Cr—X—C melt having the above composition is used.
  • the reason for this is that the growth rate of the silicon carbide single crystal is increased and the morphology of the crystal surface is improved. This is because the melting ability of C (carbon) from the graphite (crucible in Fig. 1) with which the melt is in contact with Cr As a result, this C is considered to be the raw material of the silicon carbide crystal, and X decreases the energy of the solid-liquid interface or the surface energy of the melt (solution).
  • a Si-Cr-XC melt having the above composition was prepared.
  • the method for obtaining a silicon carbide single crystal manufactured For example, first, Si, Cr and X are added as raw materials to a graphite crucible as a reaction vessel, the raw materials are melted, and the solid line of the produced alloy is obtained. Heat to a temperature higher than the temperature to form a melt.
  • at least a part of C in the above S i — C r _ X— C melt is dissolved in the melt from the graphite crucible, and in particular, all of C is dissolved by dissolution from the graphite crucible. It is preferable to supply.
  • a part of C may be charged using carbide or carbon as a raw material.
  • a method in which a part of C is supplied by blowing a carbon-containing gas such as methane into the melt.
  • the crucible By continuing to heat the melt, the crucible, the raw material consisting of Si, Cr and X, and C are sufficiently dissolved, and the carbon concentration in the resulting melt becomes the saturation concentration of silicon carbide using the melt as a solvent. If it becomes close and constant, the seed crystal substrate for silicon carbide growth is brought into contact with the melt, and the melt is prepared by operating a temperature gradient method or a heating device that provides a temperature gradient of, for example, about 50 to 50 cm to the melt.
  • the silicon carbide dissolved in the melt is supersaturated by supercooling the melt around the seed crystal substrate to a temperature of 2 100 or less, in particular from 1600 to 1800, by the cooling method of cooling. By doing so, a silicon carbide single crystal is grown on the single crystal substrate.
  • a single crystal substrate having the same crystal form as that of the target silicon carbide It is preferable to use a single crystal substrate having the same crystal form as that of the target silicon carbide.
  • a single crystal of silicon carbide manufactured by a sublimation method can be used.
  • a production method known per se in the solution method for example, the shape of the graphite crucible, the heating method, the heating time, the atmosphere, the heating rate and the cooling rate can be applied.
  • high-frequency induction heating can be used as a heating method, and the heating time (approximately the time from the preparation of raw materials until reaching the S i C saturation concentration) is several hours to 10 hours, depending on the size of the crucible.
  • a rare gas as an atmosphere for example H e, N e, include those portions thereof or an inert gas such as A r was replaced with N 2 and methane.
  • a conventionally known three-component system for example, S i — C r — C melt system
  • four-component system for example, S i — T i — A 1 — C melt system, S i —
  • a silicon carbide single crystal that realizes improved morphology on the surface of the crystal growth layer can be produced by the method of the present invention.
  • the method of the present invention can be applied not only to a bulk single crystal growth method but also to a liquid phase epitaxial growth layer forming technique on the surface of a silicon carbide substrate.
  • a silicon carbide single crystal growth experiment was performed using an apparatus having a black lead crucible shown in FIG. 2 as a reaction vessel.
  • the graphite rod 3 has a built-in W—Re thermocouple 7 and the graphite crucible 5 has a radiation thermometer 8 installed.
  • the morphology of the surface of the crystal growth layer was observed visually and with a microscope.
  • thermometer and a thermocouple are used to measure the temperature of the solution, etc.
  • the radiation thermometer is installed in the observation window above the solution surface where the solution surface can be directly observed, and before and after contact with the solution. It was possible to measure temperature.
  • a thermocouple was installed inside the black smoke stick to which the single crystal substrate was bonded (2 mm from the single crystal substrate), and the temperature immediately after contact with the solution was measured.
  • the growth rate of the silicon carbide single crystal was 2 10 mZ h.
  • FIG. 3A shows the S i: Cr composition ratio 50:50 at%.
  • FIG. 3B shows the S i: Cr composition ratio 60:40 at%. From Fig. 3A and Fig. 3B, according to the S i — C r — C melt, the morphology (state) of the growth surface of the silicon carbide single crystal shows that many steps appear on the surface and the morphology is poor. I understand.
  • Example 1 Raw materials having composition ratios of S i, Cr and Ni at 50 at.%, 45 at.% And 5 at.%, Respectively, were added to the graphite crucible 5 and dissolved by heating. Crystal growth was carried out by maintaining a constant temperature and immersing the single crystal substrate in the solution. The obtained silicon carbide crystal was confirmed to be a single crystal.
  • the growth rate of the S 1 C single crystal was 2440 mZ h.
  • Figure 4 shows the morphology of the crystal growth layer surface. From Figure 4,
  • the ratio of A 1 is 0 ⁇ ! In the range of O at.%, The raw materials of S i, T i and A 1 are put in the graphite crucible 5, heated and dissolved, and kept at a constant temperature (at about 1 8 1 0), Crystal growth was performed in the same manner as in Example 1 except that the seed crystal was immersed in the solution.
  • the growth rate was at most 14 O / z mZ h or less even when the proportion of A 1 in the total composition was changed.
  • the growth rate of the silicon carbide single crystal was 2 2 5; mZ h.
  • the morphology of the crystal growth layer surface was the same as in Fig. 4. From this result, it was confirmed that the morphology of the growth surface of the silicon carbide single crystal was remarkably improved with the Si—Cr—Co—C melt.
  • N i is not added, and the ratio of C r is changed within the range of 3 to 95 at.%, And the raw materials of S i and C r are put in the graphite crucible 5 and heated to dissolve at a constant temperature (about 19% The crystal growth was performed in the same manner as in Example 1 except that the seed crystal was immersed in the solution.
  • the morphology of the surface of the crystal growth layer of the obtained silicon carbide crystal is poor as in Comparative Example 1, and is obtained when the ratio of Cr in the total amount of S i binding r is more than 7 O at.%. Some or all of the silicon carbide crystals were polycrystallized.
  • the silicon carbide single crystal growth method of the present invention is capable of achieving high temperature, high frequency, withstand voltage and environmental resistance, and obtaining a single crystal of silicon carbide that has potential as a next-generation semiconductor material. Can be possible.
  • the silicon carbide single crystal growth method of the present invention can improve the morphology of the surface of the silicon carbide growth crystal.
  • the silicon carbide single crystal growth method of the present invention can make it possible to grow a silicon carbide single crystal at a crystal growth rate equal to or higher than that of a conventionally known solution method.

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Abstract

黒鉛るつぼ内で加熱されたＳｉを融解した融液に炭化珪素結晶を接触させて単結晶基板上に炭化珪素単結晶を成長させる方法において、前記融液内に、ＣｒおよびＸ（ＸはＮｉおよびＣｏのうちの少なくとも１種である）の元素を全組成中の各々の元素の割合としてＣｒが３０～７０ａｔ．％、Ｘが１～２５ａｔ．％となる範囲として添加したＳｉ−Ｃｒ−Ｘ−Ｃ融液より炭化珪素単結晶を析出および成長させることを特徴とする炭化珪素単結晶の成長法。溶液法による結晶成長層表面のモフォロジーの向上を実現できる。

Description

明 細 書 炭化珪素単結晶の成長法 技術分野
この発明は、 溶液法による新規な炭化珪素単結晶の成長法に関し 、 さらに詳しくは、 新規な融液 （溶液ということもある） を用いた 、 溶液法によるものであって、 結晶成長表面のモフォロジ一の向上 を実現しかつ成長速度が比較的大きい炭化珪素単結晶の成長法に関 する。 背景技術
炭化珪素 （ S i C) 単結晶は、 熱的、 化学的に非常に安定であり 、 機械的強度にも優れ、 放射線にも強く、 しかも S i に比べて高い 絶縁破壊電圧、 高い熱伝導率などの優れた物性を有し、 不純物の添 加によって p、 n伝導型の電子制御も容易にできるとともに、 広い 禁制帯幅 （ 6 H型の単結晶 S i Cで約 3. 0 e V、 4 H型の単結晶 S i Cで約 3. 3 e V) を有するという特徴を備えている。 従って 、 珪素 （ S i ) やガリウム砒素 （G a A s ) などの既存の半導体材 料では実現できない高温、 高周波、 耐電圧 · 耐環境性を実現するこ とが可能であり、 次世代の半導体材料として期待が高まっている。 従来、 炭化珪素単結晶の成長法としては、 代表的には気相法、 ァ チソン （A c h e s o n ) 法および溶液法が知られている。
気相法の代表例である昇華法および化学気相成長法 （C VD) の うち昇華法は結晶に種々の欠陥が生じまた多結晶化しやすく、 C V D法は原料供給がガスに限定されることから生成する結晶が薄膜で ありバルク単結晶の製造は困難である。 また、 アチソン法では原料として珪石とコ一クスを使用し電気炉 中で加熱するため、 原料中の不純物等により高純度化が不可能であ る。
そして、 溶液法は、 黒鉛るつぼ中で珪素含有合金を融解し、 その 融液中に黒鉛るつぼから炭素を溶解させ、 低温部に設置した種結晶 基板上に炭化珪素結晶層を溶液析出によって成長させる方法である 。 そして、 溶液法は成長速度は低いがバルク単結晶を得る方法とし ては好都合であることが知られている。
このため、 最近では、 気相法やアチソン法における前記の問題点 を有しない溶液法による炭化珪素単結晶の成長方法の成長速度を高 める検討が種々されている。
そして、 特開 2 0 0 0 — 2 6 4 7 9 0公報には、 遷移金属のうち の少なく とも 1種の元素と、 S i と、 Cとを含む原料を溶融して融 液とし、 融液に単結晶の炭化珪素種結晶を接触させるとともに、 融 液の温度を融液の液相線よりも低い温度の融液の状態に冷却して、 炭化珪素単結晶を析出成長させる炭化珪素単結晶の製造方法が記載 されている。 そして、 具体的に例示されている遷移金属は F e、 C o、 N i (以上 VIII族） 、 T i 、 Z r、 H f (以上 IV b族） 、 V 、 N b、 T a (以上 V b族） 、 C r、 M oおよび W (以上 V I b族 ) である力 具体的に開示されている組成は遷移金属が M o、 C r 、 C oである場合のみである。 しかし、 析出する単結晶の品質に関 して、 測定法や確認手段について開示されてなく、 結晶成長表面の マクロ欠陥について認識されていない。
特開 2 0 0 4— 2 1 7 3号公報には、 3 1 とじと^1 (M : M n又 は T i の一方） とを含み S i と Mの原子比が、 S i ！ ― x x で表 して、 Mが M nである場合は 0. 1≤X≤ 0. 7、 Mが T i である 場合は 0. 1 ≤X≤ 0. 2 5である合金の未溶解の Cを含有しない 融液中に、 炭化珪素の種結晶基板を浸漬し、 種結晶基板周辺の合金 融液の過冷却により炭化珪素を過飽和状態とすることによって種結 晶基板上に炭化珪素種結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法 が記載されている。 さ らに、 特開 2 0 0 0 — 2 6 4 7 9 0公報に記 載されている炭化珪素単結晶の製造方法について、 原料として仕込 んだ炭素によって炭化珪素が多結晶化しやすいことが記載されてい る。
特開 2 0 0 6 — 1 4 3 5 5 5号公報には、 3 1 とじと^1 (M ： F e又は C oの一方） とを含み Mのモル濃度を [M] 、 S i のモル濃 度を [ S i ] として、 [ M ] / ( [ M ] + [S i ] ) の値が、 Mが F eである場合は 0. 2以上 0. 7以下、 Mが C oである場合は 0 . 0 5以上 0. 2 5以下である合金の融液中に、 炭化珪素の種結晶 基板を浸漬し、 種結晶基板周辺における合金融液を炭化珪素の過飽 和状態とすることによって種結晶基板上に炭化珪素種結晶を成長さ せる炭化珪素単結晶の製造方法が記載されている。 しかし、 結晶成 長表面のマクロ欠陥について認識されていない。
特開 2 0 0 7 — 7 9 8 6号公報には、 S i と T i とM (M ： C o および/または M n ) と Cとを含み、 S i と T i と Mの原子比が、 S i x T i y Mz で表して、 0. 1 7≤yZx≤ 0. 3 3かつ 0. 9 0≤ ( y + z ) / X≤ 1. 8 0を満たす融液、 あるいは、 S i と 丁 1 と1^ (¥ : 八 1 ) と Cとを含み、 3 1 と丁 1 と の原子比が、 S i x T i y Mz で表して、 0. 1 7≤yZx≤ 0. 3 3かつ 0. 3 3≤ (y + z ) / X≤ 0. 6 0を満たす融液に、 炭化珪素成長用 の単結晶基板を接触させ、 単結晶基板周辺における融液の過冷却に より融液に溶解している炭化珪素を過飽和状態とすることによって 、 単結晶基板上に炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製 造方法が記載されている。 しかし、 結晶成長表面のマクロ欠陥につ いて認識されていなレ 発明の開示
以上のように、 公知文献に記載の溶液法による炭化珪素バルク単 結晶の成長法には、 成長結晶表面のマクロ欠陥について認識されて なく、 結晶成長層表面のモフォロジ一の向上を実現することは困難 であった。
本発明者らは、 この溶液法による炭化珪素単結晶の成長法につい て検討した結果、 S i 一 C r 一 C融液で一定量以上の C r を添加す ることによって比較的大きい成長速度が得られるが、 S i - C r - C融液では得られる炭化珪素単結晶成長層の表面が不安定であり、 微小な成長条件の変動が成長層の表面に悪影響を与える、 すなわち 成長結晶表面のモフォロジー （形態） が十分でなく、 ひいては得ら れる成長結晶の品質に影響を与える場合があることを見出した。
この発明の目的は、 溶液法による結晶成長層表面のモフォロジ一 の向上を実現する炭化珪素単結晶の成長方法を提供することである この発明は、 黒鉛るつぼ内で加熱された S i を融解した融液に炭 化珪素単結晶を接触させて単結晶基板上に炭化珪素単結晶を成長さ せる方法において、 前記融液内に、 C rおよび X (Xは N i および C oのうち少なく とも 1種である） の元素を全組成中の各々の元素 の割合として C r力 3 0〜 7 0 a t . %、 Xが l〜 2 5 a t . %と なる範囲として添加した S i — C r 一 X— C融液より前記炭化珪素 単結晶を析出および成長させることを特徴とする炭化珪素単結晶の 成長法に関する。
この発明によれば、 結晶成長層表面のモフォロジ一の向上を実現 しかつ公知文献に記載の溶液法に比べて成長速度が同等以上で炭化 珪素単結晶を成長させることができる。 図面の簡単な説明
図 1 は、 この発明の方法を実施するための製造装置の 1実施態様 を示す。
図 2は、 各例において炭化珪素単結晶の成長実験を行った装置を 示す。
図 3 Aは、 比較例 1で得られた、 S i ： C r の組成比 （ a t . % ) が 5 0 ： 5 0の場合の炭化珪素結晶の結晶成長層表面のモフォロ ジ一の写真を示す。
図 3 Bは、 比較例 1で得られた、 S i ： C r の組成比 （ a t . %
) が 6 0 ： 4 0の場合の炭化珪素結晶の結晶成長層表面のモフォロ ジ一の写真を示す。
図 4は、 実施例 1で得られた炭化珪素結晶の結晶成長層表面のモ フォロジ一の写真を示す。
発明を実施するための最良の形態
この発明について、 この発明の方法を実施するための製造装置の 1実施態様を示す図 1 を参照して説明する。
図 1 において、 炭化珪素単結晶成長は、 断熱材 6によって包囲さ れた黒鉛るつぼ 5を反応容器として使用して実施する。 炭化珪素単 結晶成長は、 加熱装置として高周波コイル 1 によって加熱された融 液 2 に炭化珪素種結晶支持部材の 1例である黒鉛棒 3 (黒鉛軸とも いう） の先端に炭化珪素単結晶からなる単結晶基板 4を接着 ， 固定 し、 これを融液 2中に浸潰させて単結晶基板 4を成長させることに よって達成することができる。
この発明においては、 溶液法による炭化珪素単結晶の成長法にお いて、 S i および Cとともに C rおよび X ( Xは N i および C oの うち少なく とも 1種である） の元素を全組成中の各々の割合として
C r力 3 0〜 7 0 a t . %、 X力 S 1〜 2 5 a t . % ( 1 a t . %以 上、 2 5 a t . %未満） 、 好適には 3〜 7 a t . となる範囲とし て添加した S i _ C r _ X— C融液より炭化珪素 口晶を析出成長さ せることが必要である。
C r と Xとを併用せずに、 例えば特開 2 0 0 0 ― 2 6 4 7 9 0号 公報に具体例として示されているような M o— S i ― C 3元素、 C r - S i - C 3元素、 C o— S i 一 C 3元素では 、 成長速度の改善 は見込めるが、 析出する結晶の品質は不充分である
また、 S i _ C r — X— C融液において、 C rが 3 O a t . %未 満では炭化珪素単結晶の成長速度が著しく小さくな Ό 7 0 a t . % より多いと炭化珪素単結晶の周囲に多結晶を伴うよ Όになり単結晶 のみの成長を安定して行うことが難しくなるので適当ではない。 ま た、 S i — C r _ X _ C融液において、 X力 1 a t • %未満では炭 化珪素単結晶の表面のモフォロジ一が向上せず、 2 5 a t . %より 多くなると得られる炭化珪素結晶の一部または全部が多結晶化して しまい、 単結晶として安定成長が困難となり、 却 ■oて好ましくない この発明において、 上記組成の S i — C r — X— C融液を使用す ることによって炭化珪素単結晶の成長速度が増大しかつ結晶表面の モフォロジ一が向上する理由としては、 C r によって融液が接する 黒鉛 （図 1 においてはるつぼ） より C (炭素） の溶解能を向上させ 、 この Cが結果として炭化珪素結晶の原料となり、 Xが固液界面の エネルギー又は融液 （溶液） の表面エネルギーを低下させるためと 考えられる。
この発明の方法における上記組成の S i - C r 一 X— C融液を調 製し炭化珪素単結晶を得る方法としては特に制限はなく、 例えば、 先ず S i 、 C rおよび Xを原料として反応容器である黒鉛るつぼに 加え、 原料を融解させ、 生成した合金の固相線温度より高温に加熱 して融液を形成する。 また、 上記の S i — C r _ X— C融液におけ る Cの少なく とも一部は黒鉛るつぼから融液中に溶解させたもので あり、 特に Cの全部を黒鉛るつぼからの溶解によって供給すること が好ましい。 また、 Cの一部を炭化物や炭素を原料として仕込んで もよい。 さ らに、 Cの一部をメタンなどの炭素含有ガスを融液中に 吹き込むことによって供給する方法も挙げられる。
融液の加熱を続けて、 るつぼ、 S i と C r と Xとからなる原料お よび Cが十分に溶解し、 生成した融液中の炭素濃度が融液を溶媒と する炭化珪素飽和濃度に近くなり一定になれば、 炭化珪素成長用の 種結晶基板を融液に接触させ、 例えば融液に 5 〜 5 0 c m程度 の温度勾配を設ける温度勾配法又は加熱装置を操作して融液を冷却 する冷却法によって種結晶基板周辺の融液を 2 1 0 0 以下、 特に 1 6 0 0 〜 1 8 0 0で程度の温度に過冷却させて融液に溶解してい る炭化珪素を過飽和状態とすることによって、 単結晶基板上に炭化 珪素単結晶を成長させる。
単結晶基板としては、 目的とする炭化珪素と同じ結晶形のものを 使用することが好ましい。 例えば、 昇華法によって製造された炭化 珪素の単結晶を使用することができる。
この発明の方法においては、 溶液法におけるそれ自体公知の製造 法、 例えば黒鉛るつぼの形状、 加熱方法、 加熱時間、 雰囲気、 昇温 速度および冷却速度を適用することができる。
例えば、 加熱方法としては高周波誘導加熱が挙げられ、 加熱時間 (原料の仕込みから S i C飽和濃度に達するまでの凡その時間） と してはるつぼの大きさにもよるが数時間〜 1 0時間程度 （例えば 3 〜 7時間程度） で、 雰囲気としては希ガス、 例えば H e、 N e、 A rなどの不活性ガスやそれらの一部を N2 やメタンガスで置き換え たものが挙げられる。
この発明の方法によって、 従来公知の 3成分系 （例えば、 S i — C r — C融液系） あるいは 4成分系 （例えば、 S i — T i — A 1 — C融液系、 S i — T i — M n— C融液系、 S i — T i — C o— C融 液系） の溶液法による炭化珪素単結晶の成長法に比べて同等以上の 成長速度で多結晶を実質的に含まない炭化珪素単結晶、 好適には n 一型炭化珪素単結晶を製造することができる。
しかも、 この発明の方法によって、 結晶成長層表面のモフォロジ 一の向上を実現した炭化珪素単結晶を製造することができる。
この発明の方法は、 バルク単結晶の成長方法は勿論、 炭化珪素基 板表面への液相ェピタキシャル成長層形成技術においても適用可能 である。 実施例
以下、 この発明の実施例を示す。
以下の各例において、 炭化珪素単結晶の成長実験を図 2に示す黒 鉛るつぼを反応容器とする装置を用いて行った。 なお、 黒鉛棒 3は W— R e熱電対 7 を内蔵し、 また、 黒鉛るつぼ 5には放射温度計 8 を設置した。
黒鉛るつぼ 5に S i 次いで C rおよび Xを同時に加え、 2〜 3時 間程加熱を続けて設定温度 （ 1 8 0 0〜 2 1 0 0 ） に維持した後 、 黒鉛るつぼ 5から Cが溶解して炭化珪素飽和濃度に達した融液 2 に黒鉛棒 3の先端に取付けた炭化珪素単結晶基板 4を浸漬させた。 設定温度に保持した後、 加熱装置である高周波コイル 1 を操作して 融液温度を 0. 8〜 3. 0で mmの温度勾配を単結晶基板 4およ び成長中の結晶 （図示せず） の前面に設けて単結晶基板 4上に炭化 珪素単結晶を成長させた。 成長時間経過後、 融液 2より成長結晶を 完全に引き上げ黒鉛るつぼ 5を室温まで徐冷して、 成長した炭化珪 素単結晶を得た。
各実施例で得られた炭化珪素結晶について、 結晶成長層表面のモ フォロジ一は目視および顕微鏡によって観察した。 また、 各実施例 で得られた炭化珪素結晶について単結晶であるか多結晶であるかは 、 X線 （ X R D ) によって確認した。
比較例 1
S i および C rの組成割合が各々 4 5 a t . %および 4 5 a t . の原料を黒鉛るつぼ内に添加して、 加熱溶解した。 一定の温度に保 持し、 単結晶基板を溶液内に浸漬させて結晶成長を行った。 得られ た炭化珪素結晶は単結晶であることが確認された。
溶液等の温度測定は、 図 2に示したように放射温度計および熱電 対を用い、 放射温度計は溶液面を直接観察可能な溶液面上方の観察 窓に設置し、 溶液に接触させる前後の温度を測定することが可能で あった。 また、 単結晶基板が接着された黒煙棒の内側 （単結晶基板 から 2 mmの位置） に熱電対を設置し、 溶液接触直後からの温度を 測定した。
炭化珪素単結晶の成長速度は、 2 1 0 mZ hであった。
また、 結晶成長層表面のモフォロジーを図 3 Aおよび図 3 Bに示 す。 図 3 Aは S i ： C r組成比 5 0 ： 5 0 a t . %を示し、 図 3 B は S i ： C r組成比 6 0 : 4 0 a t . %を示す。 図 3 Aおよび図 3 Bから、 S i — C r — C融液によれば、 炭化珪素単結晶の成長表面 のモフォロジー （状態） は数多くのステップがその表面に現れてい てモフォロジー不良であることがわかる。
実施例 1 S i 、 C rおよび N i の組成割合が各々 5 0 a t . %、 4 5 a t . %および 5 a t . %の原料を黒鉛るつぼ 5内に添加して、 加熱溶 解した。 一定の温度に保持し、 単結晶基板を溶液内に浸潰させて結 晶成長を行った。 得られた炭化珪素結晶は単結晶であることが確認 された。
溶液等の温度測定、 モフォロジ一観察、 炭化珪素単結晶の成長速 度測定を比較例 1 と同様にして行った。
S 1 C単結晶の成長速度は、 2 4 0 mZ hであった。
また、 結晶成長層表面のモフォロジーを図 4に示す。 図 4から、
S i 一 C r - N i 一 C融液によれば、 炭化珪素単結晶の成長表面の モフォロジ一が著しく改善されていることが確認された。
比較例 2
A 1 の割合を 0〜；！ O a t . %の範囲内で変えて S i 、 T i およ び A 1 の原料を黒鉛るつぼ 5内に入れて、 加熱溶解し、 一定の温度 (約 1 8 1 0で） に保持し、 種結晶を溶液内に浸潰させた他は実施 例 1 と同様にして、 結晶成長を行った。
3 1 —丁 1 ー八 .1 _ 融液系では、 全組成中の A 1 の割合を変え ても成長速度は最高でも 1 4 O /z mZ h以下であった。
実施例 2
S i 、 C rおよび C oの組成割合が各々 5 0 a t . %、 4 5 a t . %および 5 a t . %の原料を黒鉛るつぼ 5内に添加して、 加熱溶 解した。 一定の温度に保持し、 単結晶基板を溶液内に浸漬させて結 晶成長を行った。 得られた炭化珪素結晶は単結晶であることが確認 された。
溶液等の温度測定、 モフォロジー観察、 炭化珪素単結晶の成長速 度測定を比較例 1 と同様にして行った。
炭化珪素単結晶の成長速度が 2 2 5 ； mZ hであった。 また、 結晶成長層表面のモフォロジ一は図 4 と同じであった。 こ の結果から、 S i — C r 一 C o— C融液によれば、 炭化珪素単結晶 の成長表面のモフォロジ一が著しく改善されていることが確認され た。
比較例 3
N i を加えず C r の割合を 3〜 9 5 a t . %の範囲内で変えて S i および C r の原料を黒鉛るつぼ 5内に入れて、 加熱溶解し、 一定 の温度 （約 1 9 8 0 ） に保持し、 種結晶を溶液内に浸漬させた他 は実施例 1 と同様にして、 結晶成長を行った。
得られた炭化珪素結晶の結晶成長層表面のモフォロジ一は比較例 1 と同様に不良であり、 また S i とじ r合計量中の C r の割合が 7 O a t . %より多いと、 得られた炭化珪素結晶の一部もしく は全体 が多結晶化していた。 産業上の利用可能性
この発明の炭化珪素単結晶の成長法は、 高温、 高周波、 耐電圧 · 耐環境性を実現する可能性があり、 次世代の半導体材料としての可 能性がある炭化珪素の単結晶を得ることを可能とし得る。
また、 この発明の炭化珪素単結晶の成長法は、 炭化珪素成長結晶 表面のモフォロジ一の向上を可能とし得る。
さ らに、 この発明の炭化珪素単結晶の成長法は、 従来公知の溶液 法に比べて同等以上の結晶成長速度で炭化珪素単結晶を成長させる ことを可能とし得る。

Claims

1. 黒鉛るつぼ内で加熱された S i を融解した融液に炭化珪素単 結晶を接触させて単結晶基板上に炭化珪素単結晶を成長させる方法 において、 前記融液内に、 C rおよび X ( Xは N i および C oのう ち少なく とも 1種である） の元素を全組成中の各々の元素の割合と C r 請
して 力 3 0〜 7 0 a t . %、 Xが l〜 2 5 a t . %となる範囲 として添加した S i — C r 一 X— C融液より前記炭化珪素単結晶を 析出および成長させることを特徴のとする炭化珪素単結晶の成長法。
2. Xの割合が 3〜 7 a t %となる範囲として添加される請求項 範
1記載の成長法。
囲
3. S i 、 C rおよび Xを原料として黒鉛るつぼに加え、 原料を 融解させ、 生成した合金の固相線温度より高温に加熱して前記融液 を調製する請求項 1記載の成長法。
4. 前記融液における Cの少なく とも一部は前記黒鉛るつぼから 融液中に融解させたものである請求項 1記載の成長法。
5. Cの全部を黒鉛るつぼから供給する請求項 1記載の成長法。
6. 前記単結晶基板は、 目的とする炭化珪素と同じ結晶形を有し ている請求項 1記載の成長法。
7. バルク単結晶の成長に用いられる請求項 1記載の成長法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8328937B2 (en) 2009-07-21 2012-12-11 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Seed crystal axis for solution growth of single crystal
CN114232097A (zh) * 2021-12-31 2022-03-25 广州半导体材料研究所 一种制备碳化硅单晶的方法

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5428706B2 (ja) * 2009-09-25 2014-02-26 トヨタ自動車株式会社 ＳｉＣ単結晶の製造方法
US10167573B2 (en) * 2010-11-26 2019-01-01 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method of producing SiC single crystal
JP5287840B2 (ja) * 2010-12-16 2013-09-11 株式会社デンソー 炭化珪素単結晶の製造装置
JP5568054B2 (ja) 2011-05-16 2014-08-06 トヨタ自動車株式会社 半導体素子の製造方法
CN104246026B (zh) * 2012-04-20 2017-05-31 丰田自动车株式会社 SiC单晶及其制造方法
JP5828810B2 (ja) * 2012-07-18 2015-12-09 新日鐵住金株式会社 溶液成長法に用いられるＳｉＣ単結晶の製造装置、当該製造装置に用いられる坩堝及び当該製造装置を用いたＳｉＣ単結晶の製造方法
WO2014103394A1 (ja) * 2012-12-28 2014-07-03 トヨタ自動車株式会社 ｎ型ＳｉＣ単結晶の製造方法
JP5761264B2 (ja) * 2013-07-24 2015-08-12 トヨタ自動車株式会社 ＳｉＣ基板の製造方法
JP5854013B2 (ja) 2013-09-13 2016-02-09 トヨタ自動車株式会社 ＳｉＣ単結晶の製造方法
CN106012021B (zh) * 2016-06-30 2019-04-12 山东天岳先进材料科技有限公司 一种液相生长碳化硅的籽晶轴及方法
CN106521629B (zh) * 2016-09-19 2018-12-28 山东天岳晶体材料有限公司 一种获得液体硅的方法及实现该方法的坩埚
JP2019151530A (ja) * 2018-03-05 2019-09-12 国立大学法人信州大学 ＳｉＣ単結晶の製造方法
CN116926670B (zh) * 2023-07-12 2024-04-16 通威微电子有限公司 一种用液相法制备碳化硅的方法和制得的碳化硅

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000264790A (ja) * 1999-03-17 2000-09-26 Hitachi Ltd 炭化珪素単結晶の製造方法
WO2006070749A1 (ja) * 2004-12-28 2006-07-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 炭化珪素（ＳｉＣ）単結晶の製造方法及びそれにより得られた炭化珪素（ＳｉＣ）単結晶
JP2006321681A (ja) * 2005-05-19 2006-11-30 Toyota Motor Corp 炭化珪素単結晶の製造方法
JP2007076986A (ja) * 2005-09-16 2007-03-29 Sumitomo Metal Ind Ltd 炭化珪素単結晶の製造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7014336B1 (en) * 1999-11-18 2006-03-21 Color Kinetics Incorporated Systems and methods for generating and modulating illumination conditions
US6837605B2 (en) * 2001-11-28 2005-01-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Led illumination system
JP4100228B2 (ja) 2002-04-15 2008-06-11 住友金属工業株式会社 炭化珪素単結晶とその製造方法
JP4118742B2 (ja) * 2002-07-17 2008-07-16 シャープ株式会社 発光ダイオードランプおよび発光ダイオード表示装置
TWI282022B (en) * 2003-03-31 2007-06-01 Sharp Kk Surface lighting device and liquid crystal display device using the same
US7334918B2 (en) * 2003-05-07 2008-02-26 Bayco Products, Ltd. LED lighting array for a portable task light
US20040228127A1 (en) * 2003-05-16 2004-11-18 Squicciarini John B. LED clusters and related methods
CN1864027B (zh) * 2003-10-06 2010-08-25 照明管理解决方案有限公司 使用发光二极管的改良光源和从中采集辐射能量的改良方法
KR100638611B1 (ko) * 2004-08-12 2006-10-26 삼성전기주식회사 다중 렌즈 발광 다이오드
JP4934958B2 (ja) 2004-11-24 2012-05-23 住友金属工業株式会社 炭化珪素単結晶の製造方法
JP2007261844A (ja) 2006-03-28 2007-10-11 Sumitomo Metal Ind Ltd 炭化珪素単結晶の製造方法
CN102003636A (zh) * 2009-09-03 2011-04-06 富准精密工业(深圳)有限公司 发光二极管模组

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000264790A (ja) * 1999-03-17 2000-09-26 Hitachi Ltd 炭化珪素単結晶の製造方法
WO2006070749A1 (ja) * 2004-12-28 2006-07-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 炭化珪素（ＳｉＣ）単結晶の製造方法及びそれにより得られた炭化珪素（ＳｉＣ）単結晶
JP2006321681A (ja) * 2005-05-19 2006-11-30 Toyota Motor Corp 炭化珪素単結晶の製造方法
JP2007076986A (ja) * 2005-09-16 2007-03-29 Sumitomo Metal Ind Ltd 炭化珪素単結晶の製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8328937B2 (en) 2009-07-21 2012-12-11 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Seed crystal axis for solution growth of single crystal
CN114232097A (zh) * 2021-12-31 2022-03-25 广州半导体材料研究所 一种制备碳化硅单晶的方法

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