JP4934958B2 - 炭化珪素単結晶の製造方法 - Google Patents
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Description
昇華法は、原料の炭化珪素粉末を2200〜2500℃の高温で昇華させ、低温部に配置した炭化珪素単結晶の種結晶(シード)上に炭化珪素単結晶を再結晶化させる方法である。
本発明は、SiとCとM(M:Fe及びCoの一方または両方)とを含み、Mのモル濃度を[M]、Siのモル濃度を[Si]として、[M]/([M]+[Si])の値が、
MがFeである場合は、0.2以上、0.7以下、
MがCoである場合は、0.05以上、0.25以下
である合金の融液中に、炭化珪素の種結晶基板を浸漬し、少なくとも前記種結晶基板周辺における前記合金融液をSiCの過飽和状態とすることによって前記種結晶基板上に炭化珪素単結晶を成長させることを特徴とする、SiC単結晶の製造方法である。
MがFeである場合は0.2以上,0.7以下、
MがCoである場合は0.05以上、0.25以下、
である。
[M]/([M]+[Si])の好ましい値は、
MがFeである場合は0.4以上、0.6以下、
MがCoである場合は0.07以上、0.18以下、
である。
融液原料として、Siと合金元素M(M=FeまたはCo)を表1(M=Fe)または表2(M=Co)に示す種々の割合で秤量し、高さ120mm×内径40mm(外径50mm)の黒鉛坩堝に入れた後、黒鉛蓋で坩堝を閉じた。円柱状の黒鉛製の種結晶支持冶具(シード軸)の先端には、種結晶として、昇華法により得られた10mm×10mm×0.35mm厚の6H−SiCの単結晶基板を取り付けた。
Claims (1)
- 溶融Si−M合金(M:Fe及びCoの一方または両方)を溶媒とするSiC溶液を形成している融液であって、Mのモル濃度を[M]、Siのモル濃度を[Si]として、[M]/([M]+[Si])の値が、
MがFeである場合は、0.40以上、0.65以下、
MがCoである場合は、0.07以上、0.18以下
である融液中に、炭化珪素の種結晶基板を浸漬し、少なくとも前記種結晶基板周辺における前記合金融液をSiCの過飽和状態とすることによって前記種結晶基板上に炭化珪素単結晶を成長させることを特徴とする、炭化珪素単結晶の製造方法。
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