JP6129065B2 - 炭化珪素の結晶成長方法 - Google Patents
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Description
2 耐熱性炭素材料から成る第2の坩堝
3 種結晶
4 Si−C溶液
5 坩堝回転軸
6 種結晶回転軸
7 サセプタ
8 断熱材
9 上蓋
10 高周波コイル
Claims (4)
- 溶液法による炭化珪素の結晶成長方法であって、
Si−C溶液の収容部としてSiCを主成分とする坩堝を用い、
前記Si−C溶液に、金属元素M(Mは、Al、Ga、Ge、Sn、Pb、Znの群から選択される少なくとも1種の金属元素)を含有させ、
前記坩堝を加熱して、前記坩堝内のSi−C溶液の温度が上側から下側に向かって高くなる温度分布を形成するとともに、前記坩堝内における等温線が下側に凸となる温度分布となる状態として、前記Si−C溶液と接触する坩堝表面の高温領域から前記坩堝の主成分であるSiCを源とするSiおよびCを前記Si−C溶液内に溶出せしめて、前記Si−C溶液と接触する坩堝表面でのSiC多結晶の析出を抑制し、
前記坩堝の上部から、前記Si−C溶液にSiC種結晶を接触させて、該SiC種結晶上にSiC単結晶を成長させる、ことを特徴とする炭化珪素の結晶成長方法。 - 前記金属元素Mの前記Si−C溶液中の総含有量を1at%〜80at%とする、請求項1に記載の炭化珪素の結晶成長方法。
- 前記加熱により、前記Si−C溶液を1300℃〜2300℃の温度範囲に制御する、請求項1または2に記載の炭化珪素の結晶成長方法。
- 前記加熱が、前記SiCを主成分とする坩堝を耐熱性炭素材料から成る第2の坩堝内に収容した状態で行われる、請求項1〜3の何れか1項に記載の炭化珪素の結晶成長方法。
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