JP2019151530A - SiC単結晶の製造方法 - Google Patents
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Description
しかしながら、カーボンのるつぼからSi融液へ溶け出す炭素量は僅かであり(1500℃で0.01%以下、2050℃で約0.45%)、SiC単結晶の成長速度を向上させるには、Siの融液により多くのカーボンを溶解(溶出)させる必要がある。Siの融液に効率的に炭素を溶解する方法として考えられている方法が、炭素の溶出を促進させるCrやTi、Alといった金属を、Siの融液に加える方法である(特許文献1、2、3)。炭素の溶出を促進させる材料として、Cr、Ti、Al以外の材料も提案されている(特許文献4等)。
本発明者は、溶液法を利用してSiC単結晶を成長させる方法として、Siに加えて種々の金属を供給してSiC単結晶を製造する実験を行い、複数種の異種の金属をカーボンを溶解させる促進材として利用することが有効であることを見出し、本発明を想到するに至ったものである。
すなわち、本発明は溶液法を利用して、より効率的にSiC単結晶を製造することを可能にするSiC単結晶の製造方法を提供することを目的とする。
るつぼにSiとともにCrを供給することにより、るつぼから融液中にカーボンが溶出することを促進させることができることは既に知られている。本発明はCrに加えて遷移金属を添加材として加えることで、単にCrを溶解促進材として加える場合と比較して、るるぼ内へのカーボンの溶解を促進させ、融液中の炭素濃度を高めることによってSiC単結晶をより高速で結晶成長させることを可能にする。
添加材として添加する遷移金属は、数at%程度添加するだけで、融液中の炭素濃度を向上させる作用効果がある。
添加材を加えることでSiC単結晶の成長速度が上昇することについては、添加材を加えた場合と添加材を加えない場合について実際にSiC単結晶を成長させて確認した。
また、添加材としてCoを使用した場合は、SiC単結晶の表面がステップフロー状となり、得られるSiC単結晶の結晶性がきわめて良好になる点においても有用である。
また、添加材としてのCoの添加量は、SiとCrを合わせた総量の分量比として数%程度(8at%以下)が好ましいと考えられる。
本発明に係るSiC単結晶の製造方法においては、カーボン製のるつぼからSi融液中にカーボンを溶出させやすくする溶解促進材としてCrを使用し、さらに添加材を加えてSiC単結晶を成長させる。
溶解促進材としてのCrに加えて添加材を使用することにより、るつぼ内のSi融液中の炭素濃度(炭素溶解度)がどのように変化するかを調べるため、炭素濃度の評価用のカーボン製のるつぼを用意し、るつぼにSiとCrと添加材とを供給し、るつぼの昇温温度を1800℃としてるつぼ内の融液中に溶解した炭素濃度を測定する実験を行った。
なお、本明細書では、るつぼにSiの他にCrや遷移金属等のカーボンの溶解促進材を加えた場合も、るつぼ内の融液を「Si融液」もしくは単に「融液」と称する場合がある。
融液中に溶解した炭素濃度の測定は以下の方法により行った。
るつぼの加熱には赤外線炉を利用した。炭素濃度を評価する対象物(サンプル)を供給したるつぼを赤外線炉にセットし、るつぼの昇温温度を1800℃に設定し、融液中に炭素を溶解させる。
具体的には加熱時間を5分、10分、15分等と変えながら、融液中の炭素濃度がどのように変化するか計測した。炭素濃度の計測には燃焼赤外吸収法を利用した。燃焼赤外吸収法を利用するため、所定の加熱時間経過後にるつぼを室温まで冷却して融液を固化させた後、大気中でるつぼを焼却し固化体を取り出し、その固化体について、燃焼赤外吸収法により炭素濃度を計測した。
図4に示す測定結果は、添加材としてAlを除くSc、Ti、V、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Rh、Pdのいずれかを加えたものについては、いずれも、添加材を加えていないサンプル1と比較して融液中における炭素濃度が増加することを示す。
なお、図4でCrについて示す棒グラフは、比較例としたSi0.6Cr0.4よりもCrの分量比を増加させたSi0.56Cr0.44とした組成での炭素濃度を示す。
なお、図4は、添加材としてCoとMnを加えたものが、とくに融液中の炭素濃度を増加させる作用が強く、溶液法を利用してSiC単結晶を高速で成長させる方法としてとくに有効であることを示唆する。
図5に、1800℃におけるSi0.56Cr0.4Co0.04とSi0.56Cr0.4Mn0.04の融液のついて炭素濃度を測定した結果を、同一スケールで示した。図5は、添加材としてCoまたはMnを使用することにより、1800℃における融液中の炭素濃度がCrを加えた場合のみと比較して、顕著に増大することを示している。
図6にSiC単結晶の製造に使用した製造装置の主要部の構成を示す。このSiC単結晶の製造装置は、溶液法(溶液引上げ法)によりSiC単結晶を製造するもので、カーボンからなるるつぼ10と、SiCの種結晶20を支持する支持部12と、るつぼを支持する昇降支持部14とを備える。
るつぼ10は、昇降支持部14の上部に、開口部を上向きとして支持され、SiCの種結晶20は支持部12の下面に装着される。
るつぼ20にはSiとカーボンの溶解を促進させるCrと添加材が供給され、結晶育成時には、るつぼ10がSiC単結晶を成長させる温度まで昇温され、るつぼ10に供給されたSi等は融液30となる。
いずれの結晶も、10mm角程度の大きさの結晶に成長しており、SiCの結晶面が形成され、SiC単結晶として成長している。
3種のうちではMnを添加材として使用したSi0.56Cr0.4Mn0.04の場合が最も結晶成長速度が速く164μm/hとなった。Coを添加材として使用したSi0.56Cr0.4Co0.04の場合の結晶成長速度は148μm/hとなった。一方、添加材を加えていないSi0.6Cr0.4を使用したものでは結晶成長速度が45μm/hであり、CoとMnを添加材として加えたものと比較して、大幅に結晶成長速度が低くなっている。
前述した融液中の炭素濃度を測定した実験によれば、添加材としてSc、Ti、V、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Rh、Pdを加えることにより、添加材を加えない場合と比較して、融液中の炭素濃度が増大することが得られている。したがって、CoまたはMb以外にこれらの添加材(Sc、Ti、V、Fe、Ni、Cu、Rh、Pd)を加えることによってもSiC単結晶の成長速度を高速化すること、すなわち溶液法を利用してより効率的にSiC単結晶を製造することが可能になる。
図10でSi0.56Cr0.4Co0.04の表面状態と、他のSi0.6Cr0.4とSi0.56Cr0.4Mn0.04の表面状態とを比較すると、Coを添加したものでは、結晶表面が細かなステップ状(段差状)の縞状に形成されている(Step-flow状)いるが、Si0.6Cr0.4とSi0.56Cr0.4Mn0.04の結晶表面には比較的大きな段差面が見られ、いわゆるStep-flow状の形態が見られない。
図10は、添加材としてCoを使用することにより、きわめて結晶性の良いSiC単結晶を得ることができることを示している。
種結晶のラマンスペクトルで210cm-1、770cm-1に見られるピークはSiC単結晶に特徴的なピークであり、これらのピーク位置と、上記3種の原料を用いて作製した結晶についてのピーク位置とが完全に一致することから、Si0.6Cr0.4、Si0.56Cr0.4Co0.04、Si0.56Cr0.4Mn0.04を原料として得られた結晶はいずれもSiC単結晶として得られていることが分かる。
上述したSiC単結晶の製造例は、Si0.56Cr0.4Co0.04を原料としてSiC単結晶を製造した例である。以下では、添加材として使用したCoの分量を増やした原料を使用してSiC単結晶を製造した例について説明する。
この実験では、Coの分量比を0.08at%としたSi0.52Cr0.4Co0.08を原料として使用した。SiC単結晶の製造に使用した製造装置及びSiC単結晶を製造するためのるつぼの温度プロフィールも上記例と同様である。
図12(b)は、SiC単結晶の外面に、固化して付着している固化物(原料)を、酸を用いて溶解して除去した状態を示す。結晶の外面に付着していた固化物が除去されSiC単結晶の外面が見えている。
12 支持部
14 昇降支持部
16 発熱体
20 種結晶
30 融液
Claims (5)
- カーボンからなるるつぼを使用し、溶液法によりSiC単結晶を成長させるSiC単結晶の製造方法であって、
前記るつぼに、Siと、融液中にカーボンが溶解することを促進させる溶解促進材であるCrに加えて、添加材として遷移金属を供給してSiC単結晶を成長させることを特徴とするSiC単結晶の製造方法。 - 前記添加材として、Sc、Ti、V、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Rh、Pdから選ばれるいずれか一つを使用することを特徴とする請求項1記載のSiC単結晶の製造方法。
- 前記添加材として、Coを使用することを特徴とする請求項2記載のSiC単結晶の製造方法。
- 前記添加材として、Mnを使用することを特徴とする請求項2記載のSiC単結晶の製造方法。
- 前記添加材として加えるCoの添加量を、るつぼに供給する材料の総量の8at%以下の分量比に設定することを特徴とする請求項3記載のSiC単結晶の製造方法。
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