WO2008065762A1 - Amplificateur opérationnel - Google Patents

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Satoshi Kobayashi
Junji Nakatsuka
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Panasonic Corporation
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Definitions

  • the present invention relates to an operational amplifier that drives a load unit.
  • a negative feedback operational amplifier that drives a load unit, for example, a switched capacitor amplifier
  • it is connected to the output side of the operational amplifier by a change in feedback gain or a temperature change or replacement of a load element in the load unit.
  • the capacity of the load section to be changed changed and the system became unstable.
  • the circuit margin was increased and the design was performed in consideration of the worst conditions for ensuring the stability of the system.As a result, the high speed of the circuit was lost and the power consumption increased tl. was there.
  • a phase compensation capacitor and a phase are provided between a first operational amplification stage and a second operational amplification stage provided in an operational amplifier.
  • a phase adjustment circuit having a compensation resistor is newly provided to adjust the phase margin of the operational amplifier by changing the capacitance value of the phase compensation capacitor and the resistance value of the phase compensation resistor from the outside.
  • the optimal phase margin is secured by adjusting the phase margin, ringing of the operational amplifier output is prevented from oscillating, and the characteristics of the operational amplifier itself are enhanced to achieve high-speed operation.
  • Patent Document 2 JP 2004-120564 A
  • Patent Document 2 Japanese Patent Laid-Open No. 2002-190721 Disclosure of the invention
  • Equation 1 A is the DC gain of the operational amplifier, and the phase margin of the operational amplifier is determined by the positional relationship between the main pole ⁇ and the second pole ⁇ .
  • phase margin increases as the position of ⁇ and the second pole ⁇ increases.
  • FIG. 17 is a circuit diagram showing the overall configuration of a conventional two-stage operational amplifier to which the technique described in Patent Document 1 is applied.
  • a two-stage operational amplifier 1700 includes a first operational amplification stage 150, a second operational amplification stage 160, and a phase adjustment circuit 170.
  • the phase adjustment circuit 170 is disposed between the first operational amplification stage 150 and the second operational amplification stage 160, and includes therein a phase compensation capacitor 171 and a phase compensation resistor 172. It has.
  • the transfer function A is expressed by the following Equation 2, and has a zero ⁇ in the transfer function.
  • phase margin of the operational amplifier is the order of the poles ⁇ , ⁇ and the zero ⁇ .
  • the transient response of an operational amplifier as typified by a step response is generally determined by the phase margin of the operational amplifier, and the optimum range of the phase margin is 45 ° to 60 °. It has been.
  • the operational amplifier phase margin is below the above range, If the response is ringed, overshoot will occur and the settling time of the transient response will be delayed.
  • the phase margin is above the above range, overshoot does not occur in the transient response, but the transient response becomes overbraking and the settling time is delayed. For this reason, it is desirable to design an operational amplifier with a phase margin of 60 ° or more in consideration of factors such as the effects of manufacturing variations and the possibility of oscillation. ing.
  • the transfer function includes only the main pole ⁇ assuming an ideal single-stage operational amplifier.
  • phase margin is always 90 ° or more.
  • the second pole ⁇ is
  • phase margin of a single-stage operational amplifier changes according to the capacitance value of the load section driven by the single-stage operational amplifier, so that when the capacitance value of the load section is too large,
  • phase margin becomes excessive with respect to the optimum value, the speed of the transient response is deteriorated, and the settling time is delayed.
  • the response speed of the operational amplifier is optimized. Therefore, it achieves high-speed operation, and does not improve the characteristics of the operational amplifier itself and set the phase margin to the optimum value. Also, in order to guarantee the effect of stability due to fluctuations in the capacitance value of the load section, it is necessary to provide a resistance element in the load section that functions in the same manner as the phase compensation resistor, and the operational amplifier is driven. A general-purpose load unit cannot be used, and the use of the operational amplifier including the load unit is very limited.
  • the present invention has been made paying attention to the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a phase adjustment circuit that can be applied even to a single-stage operational amplifier, and further, characteristics of the operational amplifier itself. By increasing the phase margin and adjusting the phase margin, high-speed settling characteristics can be realized even when the transient response is degraded.
  • a feedback capacitor connected negatively between the input and output of the operational amplification stage;
  • a phase adjustment circuit having a resistance portion connected in series to the feedback capacitor is newly provided, and the phase margin of the operational amplifier can be adjusted by adjusting the resistance value of the resistance portion.
  • the operational amplifier includes an operational amplification stage that amplifies a signal, a sampling capacitor connected to an input side of the operational amplification stage, and a load driven by an output signal of the operational amplification stage And a phase adjustment circuit having a feedback capacitor connected negatively between the output side of the operational amplification stage and the input side of the operational amplification stage, the phase adjustment circuit being in series with the feedback capacitance It has a connected resistance part.
  • the present invention is characterized in that, in the operational amplifier, the resistance section is disposed between an output side of the operational amplification stage and the feedback capacitor.
  • the present invention is characterized in that, in the operational amplifier, the resistance section is disposed between the feedback capacitor and an input side of the operational amplification stage.
  • the load unit is connected between the resistor unit and the feedback capacitor.
  • the present invention is directed to the operational amplifier, wherein the resistance unit is an output side of the operational amplification stage. And the feedback capacitor, and at least one place between the feedback capacitor and the input side of the operational amplification stage.
  • the input side of the operational amplification stage includes a normal phase input terminal and a negative phase input terminal
  • the output side of the operational amplification stage includes a positive phase output terminal and a reverse phase input terminal
  • a phase output circuit, and the phase adjustment circuit includes a feedback capacitor connected negatively between the negative phase output terminal and the positive phase input terminal, and a resistor connected in series to the feedback capacitor.
  • the present invention provides the operational amplifier, wherein an input side of the operational amplification stage has a normal phase input terminal and a negative phase input terminal, and an output side of the operational amplification stage has an output terminal.
  • the phase adjustment circuit is arranged between the output terminal and the negative phase input terminal.
  • the present invention is characterized in that, in the operational amplifier, the resistor section includes a transistor, and the resistance value of the resistor section is an on-resistance of the transistor.
  • the present invention is characterized in that, in the operational amplifier, the resistance portion is a variable resistance portion whose resistance value changes.
  • the variable resistance unit includes a plurality of resistance elements having different resistance values and a switch, and switches the switch to change a combination of the plurality of resistance elements.
  • the resistance value is changed by the above.
  • variable resistance unit includes a plurality of switches having different on-resistances, and switches the plurality of switches to change the combination thereof, thereby changing the resistance value. Changes.
  • the present invention provides the operational amplifier, wherein the switch is a MOS switch,
  • the resistance value of the variable resistor section is changed by changing the on-resistance of the MOS switch.
  • the on-resistance of the MOS switch is a MOS transistor.
  • the resistance of the variable resistor section changes according to the change of the gate voltage value.
  • the on-resistance of the MOS switch varies depending on a back gate voltage value of the MOS transistor, and the resistance value of the variable resistor section varies depending on the change of the back gate voltage value. It is characterized by doing.
  • the present invention is characterized in that, in the operational amplifier, the resistor section is configured by a bipolar transistor.
  • the phase adjustment circuit in which the feedback capacitor and the resistance unit are connected in series is provided between the input and output of the operational amplification stage, the one-stage operational amplifier having only one operational amplification stage. Even so, phase adjustment is possible, and the capacitance value of the load section driven by the operational amplifier increases, and when the phase margin increases excessively, the resistance value of the resistance section in the phase adjustment circuit must be increased. Thus, it is possible to adjust the phase margin to be within the optimum value range.
  • the phase adjustment circuit in which the feedback capacitor and the resistance unit are connected in series between the input and output of the operational amplification stage is provided, and the operational amplifier of the operational amplifier is provided by the phase adjustment circuit. Since the phase margin is adjusted within the optimum range, high-speed settling characteristics can be realized even when the transient response is degraded.
  • FIG. 1 is a circuit diagram showing an overall configuration of an operational amplifier according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a diagram showing disconnection of a feedback loop in the operational amplifier.
  • FIG. 3 is a circuit diagram showing an overall configuration of a small signal equivalent circuit in the operational amplifier.
  • FIG. 4 is a modification of the operational amplifier according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 shows another modification of the operational amplifier.
  • FIG. 6 is a circuit diagram showing a circuit configuration of a conventional fully differential folded type single-stage operational amplifier.
  • FIG. 7 is a circuit diagram showing the overall configuration of an operational amplifier having a single-ended operational amplifier stage according to the present invention.
  • FIG. 8 shows a modification of the operational amplifier.
  • FIG. 9 is a circuit diagram showing a circuit configuration of a conventional single-ended output type telescopic cascode type one-stage operational amplifier.
  • FIG. 10 is a circuit diagram showing a circuit configuration of a conventional single-ended output type folded type single-stage operational amplifier.
  • FIG. 11 is a circuit diagram showing an overall configuration of an operational amplifier according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 12 shows a modification of the operational amplifier.
  • FIG. 13 shows another modification of the operational amplifier.
  • FIG. 14 is a circuit diagram showing an overall configuration of an operational amplifier according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 15 is a variation of the operational amplifier.
  • FIG. 16 is a circuit diagram showing an overall configuration of another operational amplifier according to the present invention.
  • FIG. 17 is a circuit diagram showing an overall configuration of a two-stage operational amplifier having a conventional phase adjustment circuit.
  • FIG. 18 is a circuit diagram showing a circuit configuration of a conventional fully differential telescopic cascode type one-stage arithmetic amplifier.
  • FIG. 1 is a circuit diagram showing the overall configuration of the operational amplifier according to the first embodiment of the present invention.
  • reference numeral 10 denotes a fully differential operational amplifier (operational amplification stage).
  • the operational amplifier 10 has a positive phase input terminal 21 and a negative phase input terminal 22 on its input side, and The output side has a normal phase output terminal 12 and a reverse phase output terminal 11.
  • Sampling capacitors 36 and 37 are connected to the input side of the operational amplifier 10, and load capacitors (load units) 32 and 33 are connected to the output side and driven by the output signal from the operational amplifier 10.
  • a feedback capacitor 34 connected in negative feedback and a resistance element (resistor section) connected in series to the feedback capacitor 34
  • the first phase adjustment circuit 100 having 30 is provided.
  • a feedback capacitor 35 connected in negative feedback and a resistance element (resistor unit) 31 connected in series to the feedback capacitor 35.
  • a second phase adjustment circuit 110 having the following.
  • an open loop transfer function is obtained.
  • the operational amplifier 10 is composed of a telescopic cascode type one-stage operational amplifier, which is a general fully differential operational amplifier shown in FIG.
  • the two phases formed by the first phase adjustment circuit 100 and the second phase adjustment circuit 110 are used.
  • the operational amplifier in Fig. 1 can be represented by the small signal equivalent circuit in Fig. 3.
  • Equation 3 C is the capacitance value of the sampling capacitor, and C is negative.
  • s is the capacitance value of the load capacitance
  • C is the capacitance value of the feedback capacitance
  • R is the resistance value of the resistance element
  • R is the resistance value of the resistive element in the operational amplifier 10
  • g is the transformer of the operational amplifier 10.
  • Equation 3 since r>> R, Equation 3 is close to Equation 4 below o o
  • Equation 5 Can be expressed by a quadratic expression shown in Equation 5 below.
  • Equation 5 the relationship between the main pole ⁇ and the second pole ⁇ of the single-stage operational amplifier is ⁇
  • Equation 5 Since>> ⁇ , Equation 5 can be approximated to Equation 6 below. [0053] [Equation 6]
  • Equation 7 above ⁇ >> ⁇ holds when r>> R.
  • Equation 8 The open-loop transfer function can be expressed by Equation 8 below.
  • the first and second phase adjustment circuits 100 are provided inside the operational amplifier having one operational amplification stage constituted by the operational amplifier 10. 110, the capacitance value C in the load capacities 32 and 33 is increased.
  • the operational amplifier stage 10 has been described as the fully differential telescopic force-scode-type operational amplifier of FIG. 18, but other types of operational amplifiers, for example, FIG.
  • the present invention can also be applied to the folded type single-stage operational amplifier shown in FIG.
  • the operational amplification stage 10 may be a single-ended output type.
  • the output terminal 12 on the output side of the operational amplification stage 10 and the reverse-phase input terminal 22 on the input side may be used. Even when the phase adjustment circuit 100 connected in negative feedback is provided between and, the phase margin of the operational amplifier can be adjusted to the optimum value range.
  • Examples of the single-ended output type include a telescopic cascode type operational amplifier and a folded type operational amplifier shown in FIGS.
  • the phase margin of the operational amplifier can be adjusted to the optimum value range.
  • the transistor in the phase adjustment circuit may be a transistor, and the transistor may have a resistance value set by the on-resistance of the transistor. It may be.
  • the above open loop transfer function is a typical one according to the present embodiment.
  • the transfer function may take various forms, which are obvious to those skilled in the art. All modifications are included in the present invention.
  • FIG. 11 is a circuit diagram showing the overall configuration of the operational amplifier according to the second embodiment of the present invention.
  • the operational amplifier of FIG. 7 described above is different from the operational amplifier 10 in that the resistance connected in series with the feedback capacitor 35 connected in negative feedback between the input and output of the operational amplifier 10 can change its resistance value. It is only a point that it is a variable resistance part 400. Other configurations are the same as those of the operational amplifier in FIG.
  • reference numeral 400 denotes a variable resistance portion, which includes three resistance elements R 1, R 2, R having different resistance values and corresponding to the resistance elements R 1 to R 3.
  • S switches (switches) M, M, and M are provided.
  • M is an external resistance selection signal (not shown), and the three switches M to
  • the combination of R is changed, and the resistance value of the variable resistance unit 400 changes.
  • the resistance unit in the phase adjustment circuit is configured as a variable resistance unit capable of changing the resistance value, and thus the resistance value of the variable resistance unit is set to a circuit. It is possible to adjust flexibly using simulation results.
  • the resistance value may be adjusted to an optimum value that does not cause overshoot while observing the output waveform with an oscilloscope.
  • it may be automatically adjusted according to the capacitance value of the load section and the output waveform of the operational amplifier so that the transient response is optimized. If the capacitance value of the internal load section changes during the operation of the operational amplifier, the resistance value may be controlled to automatically change according to the capacitance value. Therefore, according to the operational amplifier of this embodiment, the phase margin of the operational amplifier can be adjusted to the optimum value more flexibly than the operational amplifier of the first embodiment.
  • MOS switches M 1, M 2, and M 3 are NMOS, PMOS, CMOS, bipolar, etc.
  • a plurality of MOS switches M 1, M 2, M 3 having different sizes are provided in the variable resistor unit 401, and the on-resistance is substituted for the resistance value of the resistance element.
  • one MOS switch is provided inside the variable resistance unit 403. M and the gate voltage control circuit 402 are provided, and the resistance selection signal 401 from the outside
  • the gate voltage supplied from the gate voltage control circuit 402 to the MOS switch M is adjusted.
  • the on-resistance of the MOS switch M may be changed. Where the gate voltage
  • the gate voltage control circuit 402 that changes the voltage is configured by a booster circuit such as a bootstrap circuit or a DA converter that changes the resistance selection signal to an analog voltage value and outputs it. If you want to reduce the resistance of the variable resistor 403, use the gate of MOS switch M
  • FIG. 14 is a circuit diagram showing the overall configuration of the operational amplifier according to the third embodiment of the present invention.
  • a difference from the operational amplifier of the second embodiment shown in FIG. 11 is that three resistance elements R 1, R 2, and R having different resistance values are provided inside the variable resistance unit 404 and the resistance elements.
  • Variable resistance unit 404 by changing the combination of three resistance elements R to R with different resistance values
  • the gate voltage control circuit 402 controls the three MOS switches M to M.
  • phase margin of the operational amplifier can be adjusted more flexibly. [0081] As shown in Fig. 15, only the ON resistances of the MOS switches M to M are adjusted.
  • the on-resistance of each of the MOS switches M to M may be changed to further finely adjust the phase margin.
  • the phase adjustment circuit is provided between the input and output of the operational amplification stage, the phase adjustment circuit is provided even in a single-stage operational amplifier having only one operational amplification stage.
  • the phase margin is increased by increasing the resistance value of the resistance section in the phase adjustment circuit. It is possible to adjust it so that it falls within the optimum range. Therefore, even if the transient response of the operational amplifier is deteriorated, it is possible to realize high-speed settling characteristics.
  • the operational amplifier provided with one resistance unit in the phase adjustment circuit has been described.
  • a plurality of resistance units may be provided for each resistance unit. It may be set whether the resistance value is fixed or variable.
  • the ON resistance of the MOS switch is changed by the gate voltage control circuit.
  • a substrate control circuit 407 is provided inside the variable resistance unit 406, and each MOS is provided. Use the substrate bias effect of switches M to M to turn them on.
  • a one-stage operational amplifier having only one operational amplification stage has been described.
  • the present invention can also be applied to a two-stage operational amplifier having two operational amplification stages. is there.
  • the present invention can adjust the phase margin of the operational amplifier within the range of the optimum value by the phase adjustment circuit even in the case of a single-stage operational amplifier having only one operational amplification stage.
  • mixed signals such as operational amplifiers that drive load units such as switched capacitor amplifiers, analog front ends, and pipelined analog digital converters. It is useful as an operational amplifier constituting an integrated circuit.

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Description

明 細 書
演算増幅器
技術分野
[0001] 本発明は、負荷部を駆動する演算増幅器に関するものである。
背景技術
[0002] 従来、負荷部を駆動する負帰還演算増幅器、例えばスィッチトキャパシタ増幅器で は、フィードバック利得の変化や、負荷部内の負荷素子の温度変化や置き換えによ つて、演算増幅器の出力側に接続される負荷部の容量値が変化して、系が不安定 になるという課題があった。そのため、回路マージンを大きくとり、系の安定性を確保 する最悪条件を考慮した設計を行っていたが、その結果、回路の高速性が失われた り、消費電力が増力 tlしたりするという問題があった。
[0003] この改善策として、例えば特許文献 1に記載されるように、演算増幅器に備えた 1段 目の演算増幅段と 2段目の演算増幅段との間に、位相補償用容量及び位相補償用 抵抗を有する位相調整回路を新たに設け、前記位相補償用容量の容量値や前記位 相補償用抵抗の抵抗値を外部から変更できるようにして、演算増幅器の位相余裕を 調整するものが知られている。この技術では、位相余裕を調整することによって最適 な位相余裕を確保して、演算増幅器の出力のリンギングゃ発振を防止し、演算増幅 器自体の特性を高めることによって高速ィ匕を実現して 、る。
[0004] また、従来、例えば特許文献 2に記載されるように、演算増幅器が駆動する負荷部 内の負荷素子に対応した抵抗素子を負荷部内に新たに設け、負荷素子を置き換え ることにより負荷部の容量値が変化する場合には、その抵抗素子の抵抗値を調整す ることによって高速ィ匕を実現する技術が知られている。この技術では、演算増幅器に 負帰還する帰還段の時定数と前記演算増幅器が駆動する負荷部の時定数とが等し くなるように前記抵抗素子の抵抗値を調整して、その演算増幅器の応答速度を最適 にし、演算増幅器自体の持つ特性を発揮できるようにして高速ィ匕を実現して 、る。 特許文献 1:特開 2004— 120564号公報
特許文献 2 :特開 2002— 190721号公報 発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0005] ところで、一般には、 2つの極を持つ演算増幅器の伝達関数 A。は以下の数式 1で 表される。
[0006] [数 1]
Figure imgf000004_0001
[0007] 上記の数式 1にお 、て、 Aは演算増幅器の直流利得であり、演算増幅器の位相余 裕は、主極である ω と第 2極である ω との位置関係によって定まる。具体的には、
i 2
前記主極 ω と前記第 2極 ω との位置が近くなるほど位相余裕は減少し、前記主極
i 2
ω と前記第 2極 ω との位置が遠くなるほど位相余裕は増加する。
i 2
[0008] 図 17に、前記特許文献 1記載の技術を適用した従来の 2段演算増幅器の全体構 成の回路図を示す。
[0009] 同図において、 2段演算増幅器 1700は、 1段目の演算増幅段 150と 2段目の演算 増幅段 160と位相調整回路 170とを備えている。前記位相調整回路 170は、前記 1 段目の演算増幅段 150と前記 2段目の演算増幅段 160との間に配置され、その内部 には、位相補償用容量 171と位相補償用抵抗 172とを備えている。
[0010] 上記の図 17に代表されるような位相調整回路を備えた演算増幅器では、伝達関数 Aは以下の数式 2で表され、伝達関数に零点 ωを有する。
[0011] [数 2]
A iX + s o, )
(1 + 5A' )U + fflp2 )
[0012] 上記の数式 2において、演算増幅器の位相余裕は、極 ω 、 ω と零点 ωとの位
pi p2 z 置関係によって定まることが知られている。
[0013] ステップ応答に代表されるような演算増幅器の過渡応答は、一般にその演算増幅 器の位相余裕によって決定され、その位相余裕の最適値の範囲は 45° 〜60° であ ることが知られている。演算増幅器の位相余裕が上記の範囲以下のときには、過渡 応答にリンギングゃオーバーシュートが発生し、過渡応答のセトリング時間が遅くなる 。また、位相余裕が上記の範囲以上のときには、過渡応答にオーバーシュートは生じ ないが、過渡応答が過制動となりセトリング時間が遅くなる要因となる。このため、演 算増幅器の設計にお!、ては、製造ばらつきの影響や発振の可能性等の要因を考慮 して、位相余裕の値を 60° 以上確保して設計することが望ましいとされている。
[0014] 前記特許文献 1記載の技術では、この製造プロセスの変動を吸収するために、位 相補償用容量の容量値や位相補償用抵抗の抵抗値を外部カゝら変更可能にすること によって、演算増幅器の製造後に零点 ωを最も発振しにくい値に最適化して位相余
ζ
裕を調整している。
[0015] 従来、図 18のテレスコーピックカスコードタイプのような 1段演算増幅器の場合、そ の伝達関数には、理想的な 1段演算増幅器を仮定すると、主極 ω のみが含まれて
l
おり、その位相は 90° よりも回ることがなく、常に位相余裕は 90° 以上となる。また、 実際の演算増幅器において、第 2極 ω が含まれているとしても、その第 2極 ω は
p2 p2 寄生容量によって発生する寄生極であり原点力 非常に遠い位置に発生したりする 。さら〖こ、 1段演算増幅器では、 1段演算増幅器に接続される負荷部の容量値が大き いほど、主極 ω が原点側に移動して、主極 ω と第 2極 ω との位置が離れて系の
pl pl p2
安定性が保証される。このように、従来では、過渡応答にリンギングゃオーバーシュ ートが発生しないので、 1段演算増幅器には位相調整回路を設けていな力つた。
[0016] しかしながら、上記のように、 1段演算増幅器の位相余裕は、その 1段演算増幅器 が駆動する負荷部の容量値に応じて変化するので、負荷部の容量値が大きすぎる 場合には、位相余裕が最適値に対して過剰となって、過渡応答の速度が劣化してセ トリング時間が遅くなるという課題がある。
[0017] そこで、特許文献 1記載の技術を採用して、 1段演算増幅器の位相余裕を調整する ことが考えられるが、前記特許文献 1記載の技術では、多段演算増幅器に適用する ことを前提とし、 1段目の演算増幅段 150と 2段目の演算増幅段 160との間に位相調 整回路 170を設けており、この回路構成を 1段演算増幅器に流用することは不可能 である。
[0018] 一方、特許文献 2記載の技術では、演算増幅器の応答速度を最適化することによ つて高速ィ匕を実現するものであり、その演算増幅器自体の特性を高めて位相余裕を 最適値に設定するものではない。また、負荷部の容量値の変動に因る安定性の影響 を保証するためには、負荷部内にも位相補償用抵抗と同様の働きをする抵抗素子を 備える必要があり、演算増幅器が駆動する負荷部には汎用のものを用いることができ ず、その負荷部を備えた演算増幅器の用途が非常に限定されてしまう。
[0019] 本発明は、前記の課題に着目してなされたものであり、その目的は、 1段演算増幅 器であっても適用可能な位相調整回路を提供し、更には演算増幅器自体の特性を 高めて位相余裕を調整可能とすることによって、過渡応答が劣化した場合であっても 高速なセトリング特性を実現することにある。
課題を解決するための手段
[0020] 前記の目的を達成するために、本発明では、信号を増幅する演算増幅段を備えた 演算増幅器において、前記演算増幅段の入出力間に負帰還接続されたフィードバッ ク容量と、前記フィードバック容量に直列に接続された抵抗部とを有する位相調整回 路を新たに設け、前記抵抗部の抵抗値を調整することによって演算増幅器の位相余 裕を調整可能な構成とする。
[0021] 具体的に、本発明の演算増幅器は、信号を増幅する演算増幅段と、前記演算増幅 段の入力側に接続されるサンプリング容量と、前記演算増幅段の出力信号によって 駆動される負荷部と、前記演算増幅段の出力側と前記演算増幅段の入力側との間 に負帰還接続されたフィードバック容量を有する位相調整回路とを備え、前記位相 調整回路は、前記フィードバック容量に直列に接続された抵抗部を有することを特徴 とする。
[0022] 本発明は、前記演算増幅器において、前記抵抗部は、前記演算増幅段の出力側 と前記フィードバック容量との間に配置されることを特徴とする。
[0023] 本発明は、前記演算増幅器において、前記抵抗部は、前記フィードバック容量と前 記演算増幅段の入力側との間に配置されることを特徴とする。
[0024] 本発明は、前記演算増幅器において、前記負荷部は、前記抵抗部と前記フィード バック容量との間に接続されることを特徴とする。
[0025] 本発明は、前記演算増幅器において、前記抵抗部は、前記演算増幅段の出力側 と前記フィードバック容量との間、及び前記フィードバック容量と前記演算増幅段の 入力側との間の少なくとも 1箇所に配置されることを特徴とする。
[0026] 本発明は、前記演算増幅器において、前記演算増幅段の入力側は、正相入力端 子及び逆相入力端子を有し、前記演算増幅段の出力側は、正相出力端子及び逆相 出力端子を有し、前記位相調整回路は、前記逆相出力端子と前記正相入力端子と の間に負帰還接続されたフィードバック容量及び、そのフィードバック容量に直列に 接続された抵抗部を有する第 1の位相調整回路並びに、前記正相出力端子と前記 逆相入力端子との間に負帰還接続されたフィードバック容量及び、そのフィードバッ ク容量に直列に接続された抵抗部を有する第 2の位相調整回路を有することを特徴 とする。
[0027] 本発明は、前記演算増幅器において、前記演算増幅段の入力側は、正相入力端 子及び逆相入力端子を有し、前記演算増増幅段の出力側は、出力端子を有し、前 記位相調整回路は、前記出力端子と前記逆相入力端子との間に配置されることを特 徴とする。
[0028] 本発明は、前記演算増幅器において、前記抵抗部は、トランジスタを有し、前記抵 抗部の抵抗値は、前記トランジスタのオン抵抗であることを特徴とする。
[0029] 本発明は、前記演算増幅器において、前記抵抗部は、その抵抗値が変化する可 変抵抗部であることを特徴とする。
[0030] 本発明は、前記演算増幅器において、前記可変抵抗部は、抵抗値が異なる複数 の抵抗素子と、スィッチとを有し、前記スィッチを切り替えて前記複数の抵抗素子の 組み合わせを変更することによって、その抵抗値が変化することを特徴とする。
[0031] 本発明は、前記演算増幅器において、前記可変抵抗部は、オン抵抗が異なる複数 のスィッチを有し、前記複数のスィッチを切り替えてそれらの組み合わせを変更する こと〖こよって、その抵抗値が変化することを特徴とする。
[0032] 本発明は、前記演算増幅器において、前記スィッチは、 MOSスィッチであり、前記
MOSスィッチのオン抵抗を変化させることによって前記可変抵抗部の抵抗値が変化 することを特徴とする。
[0033] 本発明は、前記演算増幅器において、前記 MOSスィッチのオン抵抗は、 MOSトラ ンジスタのゲート電圧値によって変化し、前記可変抵抗部は、そのゲート電圧値の変 化によって抵抗値が変化することを特徴とする。
[0034] 本発明は、前記演算増幅器において、前記 MOSスィッチのオン抵抗は、 MOSトラ ンジスタのバックゲート電圧値によって変化し、前記可変抵抗部は、そのバックゲート 電圧値の変化によって抵抗値が変化することを特徴とする。
[0035] 本発明は、前記演算増幅器において、前記抵抗部は、バイポーラトランジスタにより 構成されることを特徴とする。
[0036] 以上により、本発明では、演算増幅段の入出力間にフィードバック容量と抵抗部と が直列に接続された位相調整回路を設けたので、演算増幅段を 1段のみ有する 1段 演算増幅器であっても、位相調整が可能となると共に、演算増幅器が駆動する負荷 部の容量値が大きくなり、位相余裕が過剰に増加したときには、位相調整回路内の 抵抗部の抵抗値を大きくすることによって、位相余裕を減少させて最適値の範囲とな るように調整することが可能である。
発明の効果
[0037] 以上説明したように、本発明によれば、演算増幅段の入出力間にフィードバック容 量と抵抗部とが直列に接続された位相調整回路を設け、その位相調整回路によって 演算増幅器の位相余裕を最適値の範囲内に調整するので、過渡応答が劣化した場 合であっても、高速なセトリング特性を実現することが可能となる。
図面の簡単な説明
[0038] [図 1]図 1は、本発明の第 1の実施形態の演算増幅器における全体構成を示す回路 図である。
[図 2]図 2は、同演算増幅器におけるフィードバックループの切断を示した図である。
[図 3]図 3は、同演算増幅器における小信号等価回路の全体構成を示す回路図であ る。
[図 4]図 4は、本発明の第 1の実施形態の演算増幅器の変形例である。
[図 5]図 5は、同演算増幅器の他の変形例である。
[図 6]図 6は、従来の完全差動型のフォールデッドタイプの 1段演算増幅器の回路構 成を示す回路図である。 [図 7]図 7は、本発明のシングルエンド型の演算増幅段を有する演算増幅器の全体 構成を示す回路図である。
[図 8]図 8は、同演算増幅器の変形例である。
[図 9]図 9は、従来のシングルエンド出力型のテレスコーピックカスコードタイプの 1段 演算増幅器の回路構成を示す回路図である。
[図 10]図 10は、従来のシングルエンド出力型のフォールデッドタイプの 1段演算増幅 器の回路構成を示す回路図である。
[図 11]図 11は、本発明の第 2の実施形態の演算増幅器における全体構成を示す回 路図である。
[図 12]図 12は、同演算増幅器の変形例である。
[図 13]図 13は、同演算増幅器の他の変形例である。
[図 14]図 14は、本発明の第 3の実施形態の演算増幅器における全体構成を示す回 路図である。
[図 15]図 15は、同演算増幅器の変形例である。
[図 16]図 16は、本発明の他の演算増幅器の全体構成を示す回路図である。
[図 17]図 17は、従来の位相調整回路を有する 2段演算増幅器の全体構成を示す回 路図である。
[図 18]図 18は、従来の完全差動型のテレスコーピックカスコードタイプの 1段演算増 幅器の回路構成を示す回路図である。
符号の説明
10 オペアンプ (演算増幅段)
11 逆相出力端子
12 正相出力端子
21 正相入力端子
22 逆相入力端子
30、 31 抵抗素子 (抵抗部)
32、 33 負荷容量 (負荷部)
34、 35 フィードバック容量 36、 37 サンプリング容量
100、 110 位相調整回路
C フィードバック容量の容量値
f
C サンプリング容量の容量値
s
cし 負荷容量の容量値
R 抵抗素子の抵抗値
O
g 才ぺアンプのトランスコンダクタンス値
m
r オペアンプ内の抵抗素子の抵抗値
o
400、 401、 403、
404、 405、 406 可変抵抗部
402 ゲート電圧制御回路
407 基板制御回路
410 抵抗選択信号
発明を実施するための最良の形態
[0040] 以下、本発明の実施形態の演算増幅器を図面に基づいて説明する。
[0041] (第 1の実施形態)
図 1は、本発明の第 1の実施形態の演算増幅器の全体構成を示す回路図である。
[0042] 同図において、 10は完全差動型のオペアンプ (演算増幅段)であって、前記オペ アンプ 10は、その入力側に正相入力端子 21及び逆相入力端子 22を有すると共に、 その出力側に正相出力端子 12及び逆相出力端子 11を有している。前記オペアンプ 10の入力側にはサンプリング容量 36、 37が接続され、出力側には負荷容量 (負荷 部) 32、 33が接続されて前記オペアンプ 10からの出力信号によって駆動される。
[0043] 前記オペアンプ 10の逆相出力端子 11と正相入力端子 21との間には、負帰還接続 されたフィードバック容量 34と、そのフィードバック容量 34に直列に接続された抵抗 素子 (抵抗部) 30とを有する第 1の位相調整回路 100が備えられている。また、前記 オペアンプ 10の正相出力端子 12と逆相入力端子 22との間には、負帰還接続された フィードバック容量 35と、そのフィードバック容量 35に直列に接続された抵抗素子( 抵抗部) 31とを有する第 2の位相調整回路 110が備えられている。 [0044] ここで、上記の演算増幅器の安定性を議論するため、開ループ伝達関数を求める 。この際、前記オペアンプ 10が、図 18に示した一般的な完全差動型の演算増幅器 であるテレスコーピックカスコードタイプの 1段演算増幅器で構成されているものとす る。
[0045] 図 1において、図 2に示すようにオペアンプ 10の入力側の切断ポイント a、 j8にお いて、第 1の位相調整回路 100や第 2の位相調整回路 110によって成される 2つのフ イードバックループを切断することによって、図 1の演算増幅器を図 3の小信号等価 回路で表すことが可能となる。
[0046] 図 3の小信号等価回路において、開ループ伝達関数「A =V /V」は以下の数
1 loop X
式 3で表される。尚、以下の数式において、 Cはサンプリング容量の容量値、 Cは負
s し 荷容量の容量値、 Cはフィードバック容量の容量値、 Rは抵抗素子の抵抗値である
f O
。また、 rはオペアンプ 10内の抵抗素子の抵抗値、 g はオペアンプ 10のトランスコン
O m
ダクタンス値である。
[0047] [数 3]
し', + c, i\ + s (CRa + Cro + CLro) + s2CLCR0r0 ) , c, + c.r
[0048] 上記の数式 3において、通常は、 r > >Rであるので、数式 3を以下の数式 4に近 o o
似することができる。
[0049] 画
Figure imgf000011_0001
[0050] また、 2つの極 ω 、 ω を有する演算増幅器の開ループ伝達関数を一般化すると
i 2
、以下の数式 5に示す二次式で表すことができる。
[0051] [数 5]
Figure imgf000011_0002
[0052] 上記の数式 5において、 1段演算増幅器の主極 ω と第 2極 ω との関係は、 ω
i P2
> > ω であるので、数式 5を以下の数式 6に近似することができる。 [0053] [数 6]
Cs + l + sjo)pl + s2 I ω—, ω
[0054] ここで、図 3の小信号等価回路に基づいて算出した数式 4と、一般ィ匕した数式 6とを 比較すると、以下の数式 7に示すように、図 3の小信号等価回路の主極 ω の値と第 l
2極 ω の値とを得ることができる。
[0055] [数 7] ニ^ ω""
Cr + C
[0056] 上記の数式 7において、 r > >Rのときに ω > > ω が成立するので、数式 4の
O O p2 pl
近似式の妥当性が示される。
[0057] ここで、数式 5に、数式 7の ω 、 ω の値を代入すると、本実施形態の演算増幅器 l 2
の開ループ伝達関数を以下の数式 8で表すことができる。
[0058] [数 8]
f
Figure imgf000012_0001
[0059] また、位相調整回路を設けない場合の開ループ伝達関数 Aでは、上記の数式 8 おいて R = 0となり、以下の数式 9で表される。
o
[0060] [数 9]
Cs + Cr (l + sro (Cr + θ)
[0061] 上記の数式 8と数式 9とを比較すると、位相調整回路内に抵抗素子を設けたことに よって、その抵抗素子の抵抗値 Rにより演算増幅器の開ループ伝達関数に第 2極 ο
ω が発生し、演算増幅器の位相余裕が減少している。
ρ2
[0062] 上記のように、図 1に示した本実施形態の演算増幅器では、オペアンプ 10によって 構成される 1段の演算増幅段を有する演算増幅器の内部に第 1及び第 2の位相調整 回路 100、 110を設けたことによって、負荷容量 32、 33における容量値 Cが大きくな
し つて位相余裕が最適値に対して過剰になったときには、前記各位相調整回路 100、 110の抵抗素子 30、 31の抵抗値 Rを増加させることにより、第 2極 ω の位置を調
Ο ρ2
整して、演算増幅器の位相余裕を最適値の範囲に調整する。
[0063] 尚、本実施形態において、オペアンプ 10の出力側とフィードバック容量 34、 35との 間に抵抗素子 30、 31を配置した力 図 4に示すように、フィードバック容量 34、 35と オペアンプ 10の入力側との間に抵抗素子 30、 31を配置した場合であっても、演算 増幅器の位相余裕を最適値の範囲に調整することが可能である。また、図 5に示すよ うに、負荷容量 32、 33を、抵抗素子 30、 31とフィードバック容量 34、 35との間に設 けても良い。
[0064] さらに、上記において、演算増幅段 10は、図 18の完全差動型のテレスコーピック力 スコードタイプの演算増幅器であるとして説明したが、他のタイプの演算増幅器、例 えば、図 6に示すフォールデッドタイプの 1段演算増幅器に本発明を適用することも 可能である。
[0065] 力!]えて、図 7や図 8に示すように、演算増幅段 10はシングルエンド出力型であって も良ぐその演算増幅段 10の出力側の出力端子 12と、入力側の逆相入力端子 22と の間に負帰還接続された位相調整回路 100を設けた場合であっても、演算増幅器 の位相余裕を最適値の範囲に調整することが可能である。シングルエンド出力型の ものとしては、例えば、図 9、図 10に示すテレスコーピックカスコードタイプの演算増 幅器や、フォールデッドタイプの演算増幅器がある。
[0066] カロえて、演算増幅段 10に、演算増幅段が 2段以上備えられた場合であっても、演 算増幅器の位相余裕を最適値の範囲に調整することが可能である。
[0067] 力!]えて、本実施形態の演算増幅器において、位相調整回路内の抵抗部をトランジ スタで構成し、そのトランジスタのオン抵抗によって前記抵抗部における抵抗値を設 定してもよぐ前記トランジスタはバイポーラトランジスタであってもよい。
[0068] 力!]えて、上記の開ループ伝達関数は、本実施形態に係る代表的なものであり、本 発明に適用する演算増幅段によって、その伝達関数は様々な形をとるが、当業者に 自明なそれらの改変はすべて本発明に含まれる。
[0069] (第 2の実施形態) 図 11は、本発明の第 2の実施形態の演算増幅器の全体構成を示す回路図である
[0070] 上述した図 7の演算増幅器と異なる点は、オペアンプ 10の入出力間に負帰還接続 されたフィードバック容量 35に直列に接続された抵抗部が、その抵抗値を変化させ ることが可能な可変抵抗部 400である点のみである。その他の構成については、図 7 の演算増幅器と同様であるので、その説明は省略する。
[0071] 同図において、 400は可変抵抗部であって、その内部には、各々の抵抗値が異な る 3つの抵抗素子 R 、R 、R と、前記各抵抗素子 R 〜R に対応した 3つの MO
11 12 13 11 13
Sスィッチ(スィッチ) M 、M 、M とが備えられる。前記 3つの MOSスィッチ M 〜
11 12 13 11
M は、外部からの抵抗選択信号(図示せず)によって、それら 3つのスィッチ M 〜
13 11
M のオンオフが切り替えられる。その切り替えによって、前記 3つの抵抗素子 R 〜
13 11
R の組み合わせが変更されて、前記可変抵抗部 400の抵抗値が変化する。
13
[0072] 上記のように、本実施形態では、位相調整回路内の抵抗部を、抵抗値を変化させ ることが可能な可変抵抗部として構成することによって、その可変抵抗部の抵抗値を 回路シミュレーションの結果を用いて柔軟に調整することが可能である。また、演算 増幅器の製造後に、出力波形をオシロスコープ等で観測しつつ、オーバーシュート が起こらない最適値に抵抗値を調整しても良い。さらに、過渡応答が最適となるよう に、負荷部の容量値や演算増幅器の出力波形に応じて、自動的に調整しても良い。 カロえて、演算増幅器の駆動中に、その内部の負荷部の容量値が変化する場合には 、その容量値に応じて、自動的に抵抗値が変化するように制御してもよい。従って、 本実施形態の演算増幅器によれば、第 1の実施形態の演算増幅器よりも、演算増幅 器の位相余裕をより柔軟に最適値に調整することが可能である。
[0073] 尚、 MOSスィッチ M 、M 、M は、 NMOS、 PMOS、 CMOS、バイポーラ等の
11 12 13
能動素子であっても良いのは勿論である。
[0074] また、例えば、図 12に示すように、可変抵抗部 401の内部に、サイズの異なる複数 の MOSスィッチ M 、M 、M を備え、それらのオン抵抗を抵抗素子の抵抗値の代
21 22 23
わりに用いても良い。
[0075] さらに、例えば、図 13に示すように、可変抵抗部 403の内部に 1つの MOSスィッチ M と、ゲート電圧制御回路 402とを設け、外部からの抵抗選択信号 401によって前
12
記ゲート電圧制御回路 402から前記 MOSスィッチ M に供給されるゲート電圧を調
12
整して、前記 MOSスィッチ M のオン抵抗を変化させても良い。ここで、ゲート電圧
12
を変化させるゲート電圧制御回路 402として、ブートストラップ回路等の昇圧回路や、 抵抗選択信号をアナログ電圧値に変化して出力する DAコンバータによって構成さ れる。尚、可変抵抗部 403の抵抗値を下げたい場合は、 MOSスィッチ M のゲート'
12 ソース間電圧を上げ、逆に上げたい場合は、ゲート'ソース間に印加する電圧が減少 するように、ゲート電圧制御回路 402の出力電圧を制御する。また、前記 MOSスイツ チ M のバックゲート電圧を調整して、前記 MOSスィッチ M のオン抵抗を変化させ
12 12
ても良い。
[0076] (第 3の実施形態)
図 14は、本発明の第 3の実施形態の演算増幅器の全体構成を示す回路図である
[0077] 図 11に示した第 2の実施形態の演算増幅器と異なる点は、可変抵抗部 404の内部 に、各々の抵抗値が異なる 3つの抵抗素子 R 、R 、R と、前記各抵抗素子 R 〜
11 12 13 11
R に対応した 3つの MOSスィッチ(スィッチ) M 、M 、M と、前記各 MOSスイツ
13 11 12 13
チ M 、M 、M のオン抵抗を制御するゲート電圧制御回路 402とを備えている点
11 12 13
のみである。その他の構成については、図 11の実施形態の演算増幅器と同様である ので、その説明は省略する。
[0078] 同図において、まず、 3つの MOSスィッチ M 〜M をオンオフすることによって、
11 13
抵抗値が異なる 3つの抵抗素子 R 〜R の組み合わせを変更して可変抵抗部 404
11 13
の抵抗値を変更して位相余裕を調整をする。
[0079] その後、ゲート電圧制御回路 402によって、前記 3つの MOSスィッチ M 〜M の
11 13 オン抵抗を変更して、位相余裕のさらなる微調整を行う。
[0080] 上記のように、本実施形態では、抵抗値が異なる 3つの抵抗素子 R 〜R の組み
11 13 合わせを用いた位相調整と、 3つの MOSスィッチ M 〜M のオン抵抗を変更する
11 13
位相調整とを併用するので、より一層、演算増幅器の位相余裕を柔軟に調整するこ とが可能である。 [0081] 尚、図 15に示すように、各々の MOSスィッチ M 〜M のオン抵抗のみを調整し
11 13
て位相余裕を調整する構成であっても良ぐまず、前記 MOSスィッチ M 〜M の組
11 13 み合わせを変更して可変抵抗部 405の抵抗値を調整した後に、前記各々の MOSス イッチ M 〜M のオン抵抗を変更して、位相余裕のさらなる微調整を行ってもよい。
11 13
[0082] 以上説明したように、本発明では、演算増幅段の入出力間に位相調整回路を設け たので、演算増幅段を 1段のみ有する 1段演算増幅器であっても、位相調整回路を 備えることが可能となると共に、演算増幅器が駆動する負荷部の容量値が大きくなり 、位相余裕が過剰に増加したときには、位相調整回路内の抵抗部の抵抗値を大きく することによって、位相余裕を減少させて最適値の範囲となるように調整することが可 能となる。従って、演算増幅器の過渡応答が劣化した場合であっても、高速なセトリン グ特性を実現することが可能となる。
[0083] 尚、上記の実施形態では、位相調整回路の内部に 1つの抵抗部を備えた演算増 幅器について説明したが、抵抗部は複数設けられていてもよぐ各々の抵抗部ごとに 抵抗値が固定であるか可変であるかを設定しても良い。
[0084] また、上記の実施形態では、ゲート電圧制御回路によって MOSスィッチのオン抵 抗変更したが、図 16に示すように、可変抵抗部 406の内部に基板制御回路 407を 設け、各々の MOSスィッチ M 〜M の基板バイアス効果を用いて、それらのオン
31 33
抵抗を変化させる構成であっても良い。
[0085] さらに、本実施形態では、演算増幅段を 1段のみ有する 1段演算増幅器について 説明したが、本発明は、 2段の演算増幅段を有する 2段演算増幅器であっても適用 可能である。
産業上の利用可能性
[0086] 以上説明したように、本発明は、演算増幅段を 1段のみ有する 1段演算増幅器であ つても、位相調整回路によって演算増幅器の位相余裕を最適値の範囲内に調整し て高速なセトリング特性を実現することが可能とであるので、特に、スィッチトキャパシ タ増幅器を代表とする負荷部を駆動する演算増幅器や、アナログフロントエンド、パ ィプライン式アナログ 'デジタルコンバータ等のミックスドシグナル集積回路の構成す る演算増幅器等として有用である。

Claims

請求の範囲
[1] 信号を増幅する演算増幅段と、
前記演算増幅段の入力側に接続されるサンプリング容量と、
前記演算増幅段の出力信号によって駆動される負荷部と、
前記演算増幅段の出力側と前記演算増幅段の入力側との間に負帰還接続された フィードバック容量を有する位相調整回路とを備え、
前記位相調整回路は、前記フィードバック容量に直列に接続された抵抗部を有す る
ことを特徴とする演算増幅器。
[2] 前記請求項 1記載の演算増幅器において、
前記抵抗部は、
前記演算増幅段の出力側と前記フィードバック容量との間に配置される ことを特徴とする演算増幅器。
[3] 前記請求項 1記載の演算増幅器において、
前記抵抗部は、
前記フィードバック容量と前記演算増幅段の入力側との間に配置される ことを特徴とする演算増幅器。
[4] 前記請求項 2記載の演算増幅器において、
前記負荷部は、
前記抵抗部と前記フィードバック容量との間に接続される
ことを特徴とする演算増幅器。
[5] 前記請求項 1記載の演算増幅器において、
前記抵抗部は、
前記演算増幅段の出力側と前記フィードバック容量との間、及び前記フィードバッ ク容量と前記演算増幅段の入力側との間の少なくとも 1箇所に配置される
ことを特徴とする演算増幅器。
[6] 前記請求項 1〜5の何れか一項に記載の演算増幅器において、
前記演算増幅段の入力側は、 正相入力端子及び逆相入力端子を有し、
前記演算増幅段の出力側は、
正相出力端子及び逆相出力端子を有し、
前記位相調整回路は、
前記逆相出力端子と前記正相入力端子との間に負帰還接続されたフィードバック 容量及び、そのフィードバック容量に直列に接続された抵抗部を有する第 1の位相 調整回路並びに、
前記正相出力端子と前記逆相入力端子との間に負帰還接続されたフィードバック 容量及び、そのフィードバック容量に直列に接続された抵抗部を有する第 2の位相 調整回路を有する
ことを特徴とする演算増幅器。
[7] 前記請求項 1〜5の何れか一項に記載の演算増幅器において、
前記演算増幅段の入力側は、正相入力端子及び逆相入力端子を有し、 前記演算増増幅段の出力側は、出力端子を有し、
前記位相調整回路は、前記出力端子と前記逆相入力端子との間に配置される ことを特徴とする演算増幅器。
[8] 前記請求項 1〜7の何れか一項に記載の演算増幅器において、
前記抵抗部は、トランジスタを有し、
前記抵抗部の抵抗値は、前記トランジスタのオン抵抗である
ことを特徴とする演算増幅器。
[9] 前記請求項 1〜8の何れか一項に記載の演算増幅器において、
前記抵抗部は、その抵抗値が変化する可変抵抗部である
ことを特徴とする演算増幅器。
[10] 前記請求項 9記載の演算増幅器において、
前記可変抵抗部は、抵抗値が異なる複数の抵抗素子と、スィッチとを有し、 前記スィッチを切り替えて前記複数の抵抗素子の組み合わせを変更することによつ て、その抵抗値が変化する
ことを特徴とする演算増幅器。
[11] 前記請求項 9記載の演算増幅器において、
前記可変抵抗部は、オン抵抗が異なる複数のスィッチを有し、
前記複数のスィッチを切り替えてそれらの組み合わせを変更することによって、その 抵抗値が変化する
ことを特徴とする演算増幅器。
[12] 前記請求項 10又は 11記載の演算増幅器にお 、て、
前記スィッチは、 MOSスィッチであり、
前記 MOSスィッチのオン抵抗を変化させることによって前記可変抵抗部の抵抗値 が変化する
ことを特徴とする演算増幅器。
[13] 前記請求項 12記載の演算増幅器において、
前記 MOSスィッチのオン抵抗は、 MOSトランジスタのゲート電圧値によって変化し 前記可変抵抗部は、そのゲート電圧値の変化によって抵抗値が変化する ことを特徴とする演算増幅器。
[14] 前記請求項 12記載の演算増幅器において、
前記 MOSスィッチのオン抵抗は、 MOSトランジスタのバックゲート電圧値によって 変化し、
前記可変抵抗部は、そのノ ックゲート電圧値の変化によって抵抗値が変化する ことを特徴とする演算増幅器。
[15] 前記請求項 1〜9の何れか一項に記載の演算増幅器において、
前記抵抗部は、バイポーラトランジスタにより構成される
ことを特徴とする演算増幅器。
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