WO2008059889A1 - Structure collectrice de nanotubes de carbone multicouches - Google Patents

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WO2008059889A1
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carbon nanotubes
carbon nanotube
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sem photograph
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Takuji Komukai
Kumiko Yoshihara
Tomoki Yamasaki
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Sonac Incorporated
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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
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    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
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    • C01B2202/20Nanotubes characterized by their properties
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Definitions

  • the present invention relates to an aggregate structure of multi-walled carbon nanotubes grown by catalytic action of catalyst fine particles on a substrate surface, and particularly relates to an aggregate density of multi-walled carbon nanotubes on a substrate surface. .
  • multi-walled carbon nanotubes have excellent electron generating ability and durability, and are regarded as useful as electron-generating materials for large-screen field emission displays, and multi-walled carbon nanotubes have high corrosion resistance. Therefore, it is a material that is expected to be used in various applications, such as suitable for applications that require corrosion resistance, such as catalyst electrode layers in fuel cells.
  • a catalyst film is formed on the substrate and heat-treated to obtain a catalyst structure composed of a plurality of catalyst fine particles, There is a method in which a gas containing carbon is allowed to act on the catalyst fine particles on the catalyst structure to grow multi-walled carbon nanotubes starting from the catalyst fine particles.
  • a base film such as an anodium that does not have a catalytic action on the growth of carbon fibers is formed on the substrate.
  • carbon nanotubes are grown by depositing a catalyst film such as iron on the base film (see Patent Document 1).
  • the multi-walled carbon nanotubes when multi-walled carbon nanotubes are grown using the above-described conventional catalyst structure, the multi-walled carbon nanotubes have a uniform height on the substrate and the linearity of the shape and the vertical alignment on the substrate. It was difficult to grow with high control and consequently high density, and it was difficult to produce multi-walled carbon nanotubes excellent as electron emission materials with high efficiency and reproducibility.
  • the multi-walled carbon nanotubes grown by the conventional method contain a large amount of impurities derived from the catalytic metal, and the multi-walled carbon nanotube deteriorates or is removed due to the process of removing these. Having problems such as many impurities remaining afterwards Yes.
  • conventional multi-walled carbon nanotube films begin to thermally decompose in air at temperatures below 500 ° C, they suffer from problems such as deterioration in the heating process in the process, such as the process of forming a film on the substrate! /
  • Patent Document 1 JP 2001-303250 A
  • the problem to be solved by the present invention is that the linearity of the shape and the vertical alignment on the surface of the substrate are both increased, and the multi-walled carbon nanotubes are assembled with a high density and a substantially uniform height. Is to provide a structure.
  • An aggregate structure of multi-walled carbon nanotubes according to the present invention is an aggregate structure of a plurality of multi-walled carbon nanotubes grown by the action of catalyst fine particles on the surface of the substrate. And a vertical orientation with respect to the substrate surface, and gather at a density of 50 (mg / cm 3 ) or more! /.
  • the density is preferably 90 (mg / cm 3 ) or more.
  • the multi-walled carbon nanotubes have linearity and vertical orientation of the shape and gather at a density of 50 (mg / cm 3 ) or more! /, An SEM photograph enlarged at a predetermined magnification, for example, 20k, etc. It is possible to observe that both the linearity of the shape and the vertical orientation are provided even in the microphotographs of SEM photographs etc. enlarged at 100k with higher magnification.
  • Judgment of the linearity of the shape in this SEM photograph and the presence or absence of the vertical orientation with respect to the substrate surface is based on multi-layer carbon nanotubes that have been confirmed to grow vertically by low magnification observation. For example, in a range of 1 Hm, for example, 90% or more of multi-layered single-bonn nanotubes are performed on the SEM screen enlarged to a magnification at which the vertical orientation of the multi-walled carbon nanotubes can be sufficiently confirmed.
  • the inner diameter of the innermost layer is 3 nm or more and 8 nm or less, more preferably 4.5 nm or more and 7 nm or less, and the outer diameter of the outermost layer is 5 nm or more and 35 nm or less. More preferably, it is 8 nm or more and 25 nm or less.
  • the multi-walled carbon nanotube has 3 or more and 35 or less layers, more preferably 5 or more and 25 or less.
  • the obtained multi-walled carbon nanotubes have a weight loss starting temperature (heat resistance) due to heat oxidation in air of 500 ° C or higher.
  • the residue (impurities) after pyrolysis at 900 ° C in air is very low at 1% or less.
  • a plurality of multi-layered single-bonn nanotubes on the substrate surface can be assembled with high density because both the linearity and the vertical orientation of each other are high.
  • An excellent electron emission material can be provided.
  • FIG. 1 is a cross-sectional image diagram showing an aggregate structure of multi-walled carbon nanotubes according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2A is a diagram for explaining the straight spring property of the shape of the multi-walled carbon nanotube.
  • FIG. 2B is a view for explaining the vertical alignment in the growth direction with respect to the substrate surface of the multi-walled carbon nanotube.
  • Figure 2C is an SEM photograph of the aggregate structure of multi-walled carbon nanotubes at a magnification of 30k
  • FIG. 3A is a SEM photograph at a magnification of 20 k of the aggregate structure of multi-walled carbon nanotubes of the embodiment.
  • FIG. 3B is an SEM photograph at a magnification of 100k of the aggregate structure of carbon nanotubes of the embodiment.
  • FIG. 4A is a TEM photograph of one multi-walled carbon nanotube in the aggregate structure of multi-walled carbon nanotubes of the embodiment.
  • FIG. 4B is a diagram showing the bare-surface structure of the multi-walled carbon nanotube shown in the TEM photograph of FIG. 4A.
  • FIG. 5 shows a conventional multi-walled carbon nanotube and a multi-walled carbon nanotube according to the present invention. It is a figure which shows the thermogravimetric change characteristic with respect to the temperature change in a probe.
  • FIG. 1 shows an assembly of multi-walled carbon nanotubes according to an embodiment.
  • a base film made of a metal having no catalytic action, such as aluminum, on a substrate 1 such as a silicon substrate.
  • multi-walled carbon nanotubes having almost uniform growth height and linearity in the shape and vertical alignment to the substrate 1 51, 52, ..., 5n is growing.
  • the multi-walled carbon nanotubes 51, 52,..., 5n may be collectively referred to as the multi-walled carbon nanotube 5 for convenience of explanation.
  • the multi-walled carbon nanotube 5 is formed by using the substrate 1 having the above-described catalyst structure in a gas atmosphere such as acetylene, ethylene, methane, propane, propylene, or the like at a predetermined temperature, for example, 700 ° C, for a predetermined time, for example, 10
  • a gas atmosphere such as acetylene, ethylene, methane, propane, propylene, or the like
  • a predetermined temperature for example, 700 ° C
  • a predetermined time for example, 10
  • the catalyst is grown by the catalytic action of the catalyst fine particles 41, 42,..., 4n on the substrate 1.
  • a is a slope and b is an intercept, which can be obtained from experimental data.
  • b is an intercept, which can be obtained from experimental data.
  • a straight line is fitted so that the sum of the squares of the variation error is minimized.
  • the vertical orientation of multi-walled carbon nanotube 5 is the difference in horizontal direction along the surface of substrate 1 between the position of lower base end 5a and the position of upper end 5b of multi-walled carbon nanotube 5 (P)
  • the height of the lower base end 5a of the multi-walled carbon nanotube 5 from the substrate surface is zero.
  • the multi-walled carbon nanotube 5 has more vertical orientation with respect to the substrate surface.
  • FIG. 2C is an SEM photograph of the aggregate structure of multi-walled carbon nanotubes at a magnification of 30k.
  • the magnification of the SEM photograph used to explain this judgment index is an example.
  • the dotted lines that are entered in the SEM photograph.
  • the magnification for example, the linearity of the multi-walled carbon nanotube that has been confirmed to grow in the vertical direction by low magnification observation
  • 90% or more of the multi-walled carbon nanotubes have a determination coefficient R2 of 970 or more, 1.0 or less, preferably 0.980. If the condition is above 1.0, the multilayer carbon nanotube can be determined to have linear shape.
  • the multi-walled carbon nanotubes that have been confirmed to grow in the vertical direction by low-magnification observation are sufficiently confirmed.
  • 90% or more of multi-walled carbon nanotubes exhibit vertical alignment in the range of l ⁇ m on the SEM photograph of Fig. 2C expanded to a magnification (for example, 30k), such that V is 8 or more, preferably more than 9 If it meets that multi-walled carbon nanotube Can be determined to have vertical alignment.
  • the multi-walled carbon nanotube 5 indicated by the dots and lines in the SEM photograph of FIG. 2C indicates the position a that intersects the horizontal line L1 indicating the lower limit of the above 1 ⁇ m range
  • the horizontal difference from the position b intersecting with the horizontal line L2 indicating the upper limit of the range of m is P
  • the vertical length of both lines LI and L2 of the multi-walled carbon nanotube is the height of the multi-walled single-bonn nanotube Dimension Q.
  • V can be obtained by actually measuring Q and P in the SEM photograph and calculating Q / P from the measured values.
  • a plurality of multi-walled carbon nanotubes 5 have a shape linearity and a vertical orientation in the growth direction with respect to the substrate surface, so that they grow together in high density and serve as an electron emission material.
  • An excellent multi-walled carbon nanotube can be provided.
  • the substrate 1 is a silicon substrate
  • the base film 2 is an aluminum film
  • the catalyst fine particles 41, 42,..., 4n are iron fine particles, 700 ° C. for 10 minutes, 200 Pa in an acetylene gas atmosphere.
  • a SEM (scanning electron microscope) photograph of 20k (k is 1000) of multi-walled carbon nanotubes 5 grown by thermal CVD under reduced pressure is shown.
  • Fig. 3B shows a further magnified SEM photograph of 100k. Show.
  • reference numeral 5A is a multi-walled carbon nanotube having linearity and vertical alignment of the shape
  • reference numeral 5B is a multi-walled carbon nanotube having no linearity
  • 5C is a multi-walled single-bonn nanotube with no vertical alignment.
  • the above-mentioned multi-walled carbon nanotubes 5B and 5C are considered to have no vertical alignment, but this is because the vertical alignment is lost at the time of photography and is excluded from the embodiment. is there.
  • both the linearity and the vertical alignment of the shape of the multi-walled carbon nanotube 5A are provided.
  • the shape of the multi-walled carbon nanotube 5A is almost linear. Can be similar.
  • the vertical alignment is generally perpendicular to the substrate surface.
  • the multi-walled carbon nanotube 5A has both linearity and vertical orientation of the shape! RU
  • the multi-walled carbon nanotubes 5B and 5C are excluded from the embodiment.
  • Fig. 4A shows a TEM (transmission electron microscope) photograph of the cross-sectional structure of multi-walled carbon nanotube 5 shown in the SEM photograph above
  • Fig. 4B shows the bare carbon structure of multi-walled carbon nanotube 5 shown in the SEM photograph of Fig. 4A. Show.
  • this multi-walled carbon nanotube 5 has an inner diameter of 3 nm or more and 8 nm or less, and an outer diameter of the outermost layer of 5 nm or more and 35 nm or less, and the number of layers is 3 or more. 35 or less.
  • the apparatus used for thermal analysis measurement was EXSTAR6000 TG / DTA manufactured by SII Nano Technology Co., Ltd., and the thermal analysis measurement conditions were 10 ° C / min under an atmosphere of 100 ml / min air. Hold for 10 minutes after heating up to 900 ° C.
  • thermogravimetric change (TG:%). This measures the change in weight of the multi-walled carbon nanotube 5 in an air atmosphere while raising the temperature.
  • A is a TG curve of the conventional multi-walled carbon nanotube
  • the carbon nanotube 5 of the present invention has a high component and a high purity in addition to high crystallinity.

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Description

明 細 書
多層カーボンナノチューブの集合構造
技術分野
[0001] 本発明は、基板表面上の触媒微粒子の触媒作用で成長する多層カーボンナノチ ユーブの集合構造に関するものであり、特に基板表面上での多層カーボンナノチュ ーブの集合密度に関するものである。
背景技術
[0002] 多層カーボンナノチューブは、周知されるように、電子発生能と耐久性に優れ、大 画面のフィールドェミッションディスプレイ用の電子発生材料等に有用視され、また、 多層カーボンナノチューブは耐食性が高いため、燃料電池の触媒電極層等の耐食 性が要求される用途にも適するなど、各種用途が期待されて!/、る物質である。
[0003] このような多層カーボンナノチューブを基板上に成長する製造方法の一つに、基板 上に触媒膜を成膜し、熱処理して触媒膜を複数の触媒微粒子からなる触媒構造を 得ると共に、この触媒構造上の触媒微粒子にカーボンを含むガスを作用させて触媒 微粒子を成長起点として多層カーボンナノチューブを成長させる方法がある。
[0004] この触媒構造には、触媒微粒子が熱処理中に基板中に拡散して作製されないこと を防止するため、基板上にカーボンファイバの成長に対する触媒作用を持たないァ ノレミニゥム等の下地膜を成膜し、この下地膜の上に鉄等の触媒膜を成膜してカーボ ンナノチューブを成長させるものがある(特許文献 1参照)。
[0005] し力もながら、上記従来の触媒構造を用いて多層カーボンナノチューブを成長させ る場合、多層カーボンナノチューブを基板上に高さ均等で形状の直線性と基板上で の垂直配向性とを共に高く制御して成長させ、結果として高密度に成長させることは 難しく電子放出用材料として優れた多層カーボンナノチューブを高効率で再現性よく 製造することが困難であった。
[0006] また、従来の方法にて成長させた多層カーボンナノチューブは触媒金属由来の不 純物などを多く含んでおり、これらを除去する工程を経るために多層カーボンナノチ ユーブが劣化したり、除去後にも残存する不純物が多く存在するなどの問題を抱えて いる。さらに従来の多層カーボンナノチューブ膜は 500°C以下にて空気中で熱分解 を開始するために、基板上へ膜形成させる工程などプロセス上の加熱工程において 劣化が進行するなどの問題を抱えて!/、た。
特許文献 1:特開 2001— 303250号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0007] 本発明により解決する課題は、形状の直線性と、基板表面上での垂直配向性とが 共に高くして高密度でかつほぼ高さ均等な高さで多層カーボンナノチューブを集合 させた構造を提供することである。
課題を解決するための手段
[0008] 本発明に係る多層カーボンナノチューブの集合構造は、基板表面上の触媒微粒子 の作用で成長する複数の多層カーボンナノチューブの集合構造であって、上記多層 カーボンナノチューブそれぞれ力 S、形状の直線性と基板表面に対する垂直配向性と を備えて 50 (mg/cm3)以上の密度で集合して!/、ることを特徴とするものである。上 記密度は好ましくは 90 (mg/cm3)以上である。
[0009] 上記多層カーボンナノチューブの形状の直線性と垂直配向性を有して 50 (mg/c m3)以上の密度で集合して!/、るため、所定倍率例えば 20kで拡大した SEM写真等 の微細写真でも、さらに倍率を高くして 100kで拡大した SEM写真等の微細写真で も形状の直線性と垂直配向性とを共に備えていることが観察することができることであ
[0010] この SEM写真での形状の直線性と基板表面に対する垂直配向性の有無の判定は 、低倍率観察で垂直方向に成長していることが確認されている多層カーボンナノチュ ーブにおいて、多層カーボンナノチューブの垂直配向性が十分に確認できる倍率に 拡大した SEM画面上で、例えば 1 H mの範囲において、例えば 90%以上の多層力 一ボンナノチューブに対して、実施する。
[0011] 好ましくは、上記多層カーボンナノチューブは、最内層の内径が 3nm以上、 8nm 以下、より好ましくは 4. 5nm以上、 7nm以下であり、かつ、最外層の外径が 5nm以 上、 35nm以下、より好ましくは 8nm以上、 25nm以下である。 [0012] 好ましくは上記多層カーボンナノチューブは、層数が 3以上、 35以下、より好ましく は 5以上、 25以下である。
[0013] 好ましくは、得られた多層カーボンナノチューブは、空気中加熱酸化による重量減 開始温度(耐熱性)が 500°C以上である。
[0014] さらに、空気中における 900°C熱分解後の残渣(不純物)が 1 %以下と非常に少な くなつている。
発明の効果
[0015] 本発明の多層カーボンナノチューブの集合構造では、基板表面上に複数の多層力 一ボンナノチューブが互いの形状の直線性と垂直配向性とが共に高いために高密 度で集合することができ優れた電子放出用材料を提供することができる。
図面の簡単な説明
[0016] [図 1]図 1は本発明の実施の形態に係る多層カーボンナノチューブの集合構造を示 す断面イメージ図である。
[図 2A]図 2Aは多層カーボンナノチューブの形状の直泉性を説明するための図であ
[図 2B]図 2Bは多層カーボンナノチューブの基板表面に対する成長方向の垂直配向 性を説明するための図である。
[図 2C]図 2Cは多層カーボンナノチューブの集合構造の倍率 30kの SEM写真である
[図 3A]図 3Aは実施の形態の多層カーボンナノチューブの集合構造の倍率 20kの S EM写真である。
[図 3B]図 3Bは実施の形態のカーボンナノチューブの集合構造の倍率 100kの SEM 写真である。
[図 4A]図 4Aは実施の形態の多層カーボンナノチューブの集合構造内の 1つの多層 カーボンナノチューブの TEM写真である。
[図 4B]図 4Bは図 4Aの TEM写真で示す多層カーボンナノチューブの素面構造を示 す図である。
[図 5]図 5は従来の多層カーボンナノチューブと本発明に係る多層カーボンナノチュ ーブとにおける温度変化に対する熱重量変化特性を示す図である。
符号の説明
[0017] 1 基板
2 下地膜
41, 42, 4n 触媒微粒子
5, 51, 52, 5n 多層カーボンナノチューブ
発明を実施するための最良の形態
[0018] 以下、添付した図面を参照して、本発明の実施の形態に係る多層カーボンナノチュ ーブの集合構造を詳細に説明する。
[0019] 図 1は、実施の形態の多層カーボンナノチューブの集合を示す。図 1を参照して、 シリコン基板等の基板 1上に触媒作用が無い金属例えばアルミニウムからなる下地膜
2を介して触媒作用が有る金属例えば鉄からなる触媒微粒子 41, 42, ···, 4nが形成 されている。
[0020] この基板 1上の触媒微粒子 41, 42, ···, 4n上には、成長高さがほぼ均等でかつ形 状の直線性と基板 1への垂直配向性とを持つ多層カーボンナノチューブ 51, 52, ··· , 5nが成長している。なお、多層カーボンナノチューブ 51, 52, ···, 5nは総称すると きは説明の都合で多層カーボンナノチューブ 5と言う場合がある。
[0021] なお、この多層カーボンナノチューブ 5は、上記した触媒構造を備えた基板 1をァセ チレン、エチレン、メタン、プロパン、プロピレン等のガス雰囲気中で所定温度例えば 700°C、所定時間例えば 10分間、例えば 200Paの減圧下で加熱する熱 CVD法を 実施したとき、基板 1上の触媒微粒子 41, 42, ···, 4nの触媒作用により、成長したも のである。
[0022] ここで図 2A—図 2Cを参照して上記多層カーボンナノチューブ 5の形状の直線性と 垂直配向性とを説明する。
[0023] 図 2Aで示すように、実施の形態で定義する多層カーボンナノチューブ 5の形状の 直線性は、最小二乗法による直線近似式 (y=ax + b)で決めることができる。ここで、 aは傾き、 bは切片であり、これらは実験データから求めることができる。この場合、ば らつき誤差の 2乗の和が最小となるよう直線を当てはめる。なお、実験条件を変えて 得られた様々な yの値の変化のうち、どれだけの割合力 Sy=ax + bの直線式で説明で きているかを表す指標(決定係数) R2があり、この R2の値が 1に近づくほど多層カー ボンナノチューブ 5の形状がより直泉性を有するようになる。
[0024] また、図 2Bを参照して多層カーボンナノチューブ 5の垂直配向性は多層カーボン ナノチューブ 5の下部基端 5aの位置と上部先端 5bの位置との基板 1表面に沿う水平 方向差 (P)と、多層カーボンナノチューブ 5の上記下部基端 5aから上部先端 5bまで の基板 1表面からの高さ寸法(Q)として、 V = Q/Pを垂直配向性 (V)とすることがで きる。多層カーボンナノチューブ 5の下部基端 5aの基板表面からの高さはゼロである 。そして、上記水平方向差 (P)がゼロに近づくほど多層カーボンナノチューブ 5は基 板表面に対して垂直配向性をより有するようになる。
[0025] 図 2Cを参照して実際の SEM写真等で多層カーボンナノチューブの形状の直線性 と垂直配向性の有無を判定する指標を説明する。図 2Cは多層カーボンナノチュー ブの集合構造の倍率 30kの SEM写真である。ただし、この判定の指標の説明に用 いる SEM写真の倍率は一例である。また、この SEM写真中で垂直配向性の判定対 象とする多層カーボンナノチューブを分力、りやすくするうえで SEM写真中に記入した 点線で示す。
[0026] まず、形状の直線性の指標の場合、低倍率観察で垂直方向に成長していることが 確認されている多層カーボンナノチューブを対象とし、その直線性が十分に確認でき る倍率(例えば 30k)に拡大した例えば図 2Cの SEM写真上の 1 μ mの範囲におい て、 90%以上の多層カーボンナノチューブが、決定係数 R2が、 0. 970以上、 1. 0 以下、好ましくは 0. 980超、 1. 0以下の条件を満たす場合、その多層カーボンナノ チューブは形状の直線性を有すると判定することができる。ここで、 R2とは、上記図 2 Aで説明した、最小二乗法による直線近似式 (y=ax + b)における決定係数である。
[0027] 垂直配向性の指標の場合、形状の直線性と同様、低倍率観察で垂直方向に成長 していることが確認されている多層カーボンナノチューブを対象とし、その垂直配向 性が十分に確認できる倍率(例えば 30k)に拡大した例えば図 2Cの SEM写真上の l〃mの範囲において、 90%以上の多層カーボンナノチューブが、垂直配向性を示 す Vが 8以上、好ましくは 9超の条件を満たす場合、その多層カーボンナノチューブ は垂直配向性を有すると判定することができる。
[0028] また、図 2Bでは理論的には多層カーボンナノチューブ 5の下部基端 5aと上部先端 5bで垂直配向性 V = Q/Pとなる力 S、 SEM写真を用いた実測での垂直配向性を示 す Vにおいては、図 2Cの SEM写真中において例えば点,線で示す多層カーボンナノ チューブ 5は、上記 1 μ mの範囲の下限を示す水平方向ライン L1と交わる位置 aと、 上記 1 μ mの範囲の上限を示す水平方向ライン L2と交わる位置 bとの水平方向の差 が Pであり、多層カーボンナノチューブの両ライン LI , L2の垂直方向の長さが多層力 一ボンナノチューブの高さ寸法 Qとなる。そして、 Vは、 SEM写真中の Q、 Pを実測し 、その実測した値から Q/Pを演算することにより得ることができる。
[0029] 実施の形態では複数の多層カーボンナノチューブ 5が、形状の直線性と、基板表 面に対する成長方向の垂直配向性とを備えることにより高密度に集合して成長し電 子放出用材料として優れた多層カーボンナノチューブを提供することができる。
[0030] 図 3Aに、基板 1をシリコン基板、下地膜 2をアルミニウム膜、触媒微粒子 41 , 42, · · · , 4nを鉄微粒子とし、アセチレンガス雰囲気中で 700°C、 10分間、 200Paの減圧下 で加熱する熱 CVD法の実施により成長した多層カーボンナノチューブ 5の倍率 20k (kは 1000)の SEM (走査型電子顕微鏡)写真を示し、図 3Bに、さらに拡大した倍率 100kの SEM写真を示す。
[0031] これら SEM写真では、多層カーボンナノチューブ 5は図 3Aの SEM写真での観察 ではその形状に直線性を有しかつ基板 1表面に対する垂直配向性を有していること が示されている。
[0032] 図 3Aの SEM写真で示す多層カーボンナノチューブに符号を付けると、符号 5Aは 形状の直線性と垂直配向性とが有る多層カーボンナノチューブであり、符号 5Bは直 線性が無い多層カーボンナノチューブであり、符号 5Cは垂直配向性が無い多層力 一ボンナノチューブである。図 3Aの SEM写真中で上記多層カーボンナノチューブ 5 B, 5Cは垂直配向性が無いと見られるがこれは写真撮影時に際して垂直配向性が 無くなつたものであり実施の形態から除外されるものである。
[0033] 実施の形態では、多層カーボンナノチューブ 5Aの形状の直線性と垂直配向性とを 共に有する。この場合、多層カーボンナノチューブ 5Aの形状はその全体が直線に近 似すること力できる。また、垂直配向性は基板表面に概ね垂直配向している。
[0034] さらに図 3Aの SEM写真を拡大した図 3Bの SEM写真でも多層カーボンナノチュー ブ 5Aは形状の直線性、垂直配向性とを共に有して!/、ること力 S示されてレ、る。
[0035] 図 3Bの SEM写真で示す多層カーボンナノチューブにも上記と同様の符号を付け
、多層カーボンナノチューブ 5B, 5Cは実施の形態から除外する。
[0036] この多層カーボンナノチューブ 5の密度を測定すると、 90 (mg/cm3)というように高 密度であった。これは、 SEM写真で示す多層カーボンナノチューブ 5は形状の直線 性と垂直配向性とを共に有する多層カーボンナノチューブが多いからと考えられる。
[0037] 図 4Aに上記 SEM写真で示した多層カーボンナノチューブ 5の断面構造の TEM ( 透過型電子顕微鏡)写真、図 4Bに図 4Aの SEM写真で示す多層カーボンナノチュ ーブ 5の素面構造を示す。この TEM写真で示すようにこの多層カーボンナノチュー ブ 5は最内層の内径が 3nm以上、 8nm以下であり、かつ、最外層の外径が 5nm以 上、 35nm以下であり、層数が 3以上、 35以下、であった。
[0038] SEM写真で示した多層カーボンナノチューブ 5に対して図 5の TG (ThermoGravi metry)曲線による熱分析測定を実施した。
[0039] 図 5に関して、熱分析測定に用いた装置はエスアイアイ'ナノテクノロジー株式会社 製の EXSTAR6000 TG/DTAであり、熱分析測定条件は空気 100ml/分雰囲 気下、 10°C/分にて 900°Cまで昇温後 10分間保持する。
[0040] 一般にカーボンは結晶性が低いと加熱に弱ぐ結晶性が高いと加熱に強くなる。図
5において横軸は温度 (T : °C)、縦軸は熱重量変化 (TG : %)である。これは温度を 上昇させていきつつ空気雰囲気下で多層カーボンナノチューブ 5の重量変化を測定 している。
[0041] 図 5で Aは従来の多層カーボンナノチューブの TG曲線であり、 Bは本発明の多層 カーボンナノチューブの TG曲線である。従来の多層カーボンナノチューブは結晶性 が低いため、 TG曲線 Aで示すように温度が 450°C付近から分解開始し、 630°C付近 で分解終了した。さらに従来の多層カーボンナノチューブでは残渣 C (629. 1°Cで T G = 6. 7%)残った。これは従来の多層カーボンナノチューブが低純度であることを 示している。 [0042] これに対して本発明の多層カーボンナノチューブ 5は、 TG曲線 Bで示すように温度 力 S600°C付近から分解開始し、 760〜780°C付近で分解終了して残渣(768. 3°Cで TG= -0. 2%)が残らなかった。これは本発明の多層カーボンナノチューブ 5が加 熱に強く高結晶性であることを示している。また、分解終了して残渣が残らな力、つたこ とから高純度であることを示してレ、る。
[0043] 以上から本発明のカーボンナノチューブ 5は高結晶性であることに加えて高純度で ること力分力、る。
[0044] 本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなぐ特許請求の範囲に記 載した範囲内で、種々な変更ないしは変形を含むものである。

Claims

請求の範囲
[1] 基板表面上の触媒微粒子の作用で成長する複数の多層カーボンナノチューブの 集合構造であって、上記多層カーボンナノチューブそれぞれが、形状の直線性と基 板表面に対する垂直配向性とを備えて 50 (mg/cm3)以上の密度で集合している、 ことを特徴とする多層カーボンナノチューブの集合構造。
[2] 上記多層カーボンナノチューブは、最内層の内径が 3nm以上、 8nm以下であり、 かつ、最外層の外径が 5nm以上、 35nm以下である、ことを特徴とする請求項 1に記 載の多層カーボンナノチューブの集合構造。
[3] 上記多層カーボンナノチューブは、層数が 3以上、 35以下である、ことを特徴とする 請求項 2に記載の多層カーボンナノチューブの集合構造。
[4] 上記多層カーボンナノチューブは、空気中における熱分解開始温度が 500°C以上 である、ことを特徴とする請求項 1に記載の多層カーボンナノチューブの集合構造。
[5] 上記多層カーボンナノチューブは、空気中における 900°C熱分解後の残渣が 1 % 以下である、ことを特徴とする請求項 1に記載の多層カーボンナノチューブの集合構
Λ &。
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