WO2007102588A1 - 鉛フリーハンダ合金、ハンダボール及び電子部材と、自動車搭載電子部材用鉛フリーハンダ合金、ハンダボール及び電子部材 - Google Patents

鉛フリーハンダ合金、ハンダボール及び電子部材と、自動車搭載電子部材用鉛フリーハンダ合金、ハンダボール及び電子部材 Download PDF

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solder alloy
solder
free solder
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Masamoto Tanaka
Tsutomu Sasaki
Takayuki Kobayashi
Kazuto Kawakami
Masayoshi Fujishima
Original Assignee
Nippon Steel Materials Co., Ltd.
Nippon Micrometal Corporation
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    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C13/00Alloys based on tin
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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
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    • H05K3/3457Solder materials or compositions; Methods of application thereof
    • H05K3/3463Solder compositions in relation to features of the printed circuit board or the mounting process

Definitions

  • Lead-free solder alloys solder balls and electronic components, and lead-free solder alloys, solder balls and electronic components for automotive electronic components
  • the present invention relates to a lead-free solder alloy, a solder ball using the lead-free solder alloy, an electronic member having a solder bump using the lead-free solder alloy, a lead-free solder alloy for an electronic component mounted on an automobile, and the The present invention relates to an electronic component for mounting on automobiles having a lead, a solder ball using a lead-free solder alloy, and a solder bump using the lead-free solder alloy.
  • BGA Bit Grid Array
  • CSP Chip Size Package
  • solder bumps are first formed on a large number of electrodes arranged on a semiconductor substrate, an electronic component, a printed circuit board or the like.
  • the solder bumps are formed on the electrodes on the electronic member by adhering the solder balls to the respective electrodes using the adhesive force of the flux, and then reflowing the solder balls by heating the electronic members to a high temperature.
  • the semiconductor substrate and the printed circuit board are bonded to each other through the solder bump.
  • the solder bump is a solder formed in a hemispherical shape on a copper or aluminum wiring electrode.
  • solder alloys are also required for solder alloys used in electronic devices.
  • a lead-free solder alloy in the binary system, a composition containing 3.5% Sn in Sn becomes a eutectic composition, and its melting point is relatively low at 221 ° C, and it is widely used as lead-free solder.
  • Patent Document 1 As a lead-free solder alloy for electronic equipment, it has excellent thermal fatigue resistance composed of Ag: 3.0 to 5.0%, Cu: 0.5 to 3.0%, and the remainder Sn. High temperature solder is disclosed. Regarding the Ag content, Ag is remarkably effective in improving the heat fatigue characteristics, but if the added amount is 3.0% or less, the effect of improving the heat fatigue characteristics is not sufficient.
  • solder joint portion of the electronic component to be used has an impact resistance that does not break.
  • conventional fatigue-resistant solder alloys are intended to improve fatigue resistance mainly by increasing the strength of the solder, and as a result, impact resistance is rather lowered. The tendency to do was seen.
  • an electronic member mounted on an automobile needs to have sufficient durability against vibration during driving of the automobile. It is required that the solder joint portion of the electronic component to be used has such vibration resistance that it does not break even against such repeated vibration.
  • the solder joint portion of the electronic component to be used has such vibration resistance that it does not break even against such repeated vibration.
  • fatigue resistance is improved mainly by increasing the strength of solder, and as a result, vibration resistance tends to decrease rather. It was observed.
  • an alloy with excellent ductility is used as the solder alloy of the joints in the same way as the improvement of vibration resistance described above. Is most effective.
  • Patent Document 2 as a lead-free solder alloy having a lower Ag content and superior drop impact resistance than that described in Patent Document 1, Ag: l. 0 to 2.0% by mass , Cu: 0.3 to 1.5% by mass, a lead-free solder alloy characterized by remaining Sn and inevitable impurity power is disclosed. As a result, it can be provided at a lower cost than conventional lead-free solder alloys, and at the same time, extremely excellent thermal fatigue resistance and impact resistance are realized.
  • the material described in Patent Document 2 can be added in the range of Ni: 0.05 to 1.5 mass% or Fe: 0.005-0. 5 mass% for the purpose of improving the strength of the solder alloy. It is.
  • Patent Document 3 as a lead-free solder alloy that improves impact resistance and heat cycle resistance, Sb: 0.01 to 1% by mass, Ni: 0.01 to 0.5% by mass, balance Sn Furthermore, a lead-free solder alloy containing Ag: 0.01 to 5% by mass and Z or Cu: 0.01 to 2% by mass is disclosed. Sb has an effect on impact resistance, Ni has an effect on heat cycle resistance, and addition of Cu further improves impact resistance, and addition of Ag further improves heat cycle resistance.
  • Patent Document 4 a solder alloy having excellent strength, thermal stability, and good bondability, Sn as a main component, Ag: 1.0 to 4.0 wt%, Cu Solder alloys containing ⁇ 2.0 wt% and Ni ⁇ 1.0 wt% are disclosed.
  • Cu improves the strength and heat resistance of the alloy without impairing the wettability.
  • Addition of Ni increases the thermal stability of the alloy and improves strength and thermal fatigue characteristics, mainly suppressing the formation of intermetallic compounds that cause a decrease in bonding strength when bonded to a Cu substrate. It is said.
  • Patent Document 5 describes an invention in which Sn-4.7Ag-1.7Cu solder alloy further contains Ni, Fe, and Co. By adding at least about 0.01% by weight of each of the elements Ni, Fe, and Co, the morphological structure of the intermetallic interface with the Cu electrode is improved. In particular, the thickness of the solidified intermetallic interface is reduced. As it gets thinner.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. 5-50286
  • Patent Document 2 JP 2002-239780 A
  • Patent Document 3 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-141910
  • Patent Document 4 Japanese Patent No. 3296289
  • Patent Document 5 Special Table 2001-504760
  • the electrode on the silicon chip and the electrode on the printed circuit board are soldered together, and the rod type probe is dropped on this member on the surface plate.
  • the number of drops until breakage occurs can be evaluated as the number of shock-resistant drops.
  • Rod type In a drop experiment of a probe, a rod type probe with a mass of 30 g is dropped from a position of 5 cm, and an impact resistance evaluation that gives an impact of about 10000 G acceleration. Good impact resistance exceeding 60 times. Sex has come to be required. Under such severe V and conditions, the number of impact-resistant drops of conventional solder alloys is less than 30 times.
  • the vibration resistance of a solder alloy can be evaluated by performing a repeated bending test with a three-point support on a printed circuit board on which electronic components are mounted.
  • Electronic components for automobiles have very high required characteristics, so they are evaluated in an overload condition with a substrate displacement of 3 mm or more!
  • the requirements for the vibration resistance of solder alloys have become more severe.
  • it is required to have good vibration resistance with durability of 1000 times or more when formed on a Cu-OSP electrode and 200 times or more when formed on a NiZAu electrode. It has become.
  • the present invention is impact resistant Accordingly, it is an object of the present invention to provide a lead-free solder alloy that achieves the above target performance, a solder ball using the lead-free solder alloy, and an electronic member having a solder bump using the lead-free solder alloy.
  • the present invention uses a lead-free solder alloy for an automobile-mounted electronic component and the lead-free solder alloy that achieves the above target performance with respect to vibration resistance, and a solder ball and the lead-free solder alloy. It is an object of the present invention to provide an automobile-mounted electronic member having a conventional nonda bump.
  • An intermetallic compound layer is formed, and a solder alloy layer is formed thereon.
  • a Sn—Ag—Cu lead-free solder alloy joint is formed on a standard CuZNi ZAu plating substrate, a Ni Sn intermetallic compound layer is formed on the Ni electrode, and Cu Sn Sn is further formed thereon.
  • An intermetallic compound layer is formed, and a solder alloy layer is formed thereon.
  • fracture occurs between the layers of the intermetallic compound formed in the two layers.
  • the strain of the Cu Sn intermetallic compound layer is the main cause of the breakage.
  • Breakage between the two intermetallic compound layers should be suppressed, and as a result, the impact resistance of the solder joint should be improved.
  • Cu atomic sites in the Cu Sn intermetallic compound layer are smaller than Cu and have an atomic species smaller in atomic radius.
  • the strain of the Cu Sn intermetallic compound layer can be relaxed.
  • Ni is half an atom more than Cu
  • Lead-free solder alloy according to claim 1 of the present invention Ag: 1. 0 ⁇ 2 0 mass 0/0, Cu:. 0 .
  • the lead-free solder alloy according to claim 2 of the present invention has a Ni content of 0.005-0.
  • the lead-free solder alloy according to claim 3 of the present invention is the lead-free solder alloy according to claim 1 or 2, characterized by containing Fe: 0.0001 to 0.005 mass%. .
  • the lead-free solder alloy according to claim 4 of the present invention includes Co: 0.005 to 0.10% by mass and Ni + Co + Fe ⁇ 0.10% by mass.
  • the lead-free solder alloy according to claim 5 of the present invention contains Co: 0.005 to 0.10% by mass, and the additive ratio of Ni, Co, and Fe is Ni: Co:
  • the lead-free solder alloy according to claim 3, wherein Fe 10: (3 to 7): (0.02 to 2).
  • Lead-free solder alloy according to claim 7 of the present invention Cr:. 0. from 0,005 to 0 0050 mass 0/0, V: containing 0. 0005-0 0050 wt% of one or.
  • Alloy [0036] Lead-free solder alloy according to claim 9 of the present invention, P:.. 0 0005 ⁇ 0 005 mass 0/0, G e:. . 0 0005 ⁇ 0 1 or 2 or of 01% by weight The lead-free solder alloy according to any one of claims 1 to 8, wherein the lead-free solder alloy is contained and P + Ge ⁇ 0.01 mass%.
  • a solder ball according to claim 10 of the present invention is a solder ball comprising the lead-free solder alloy according to any one of claims 1 to 9.
  • solder ball according to claim 11 of the present invention is the solder ball according to claim 10, wherein the ball diameter is 300 ⁇ m or less.
  • An electronic member according to a twelfth aspect of the present invention is an electronic member having a solder bump using the lead-free solder alloy according to any one of the first to ninth aspects.
  • the electronic member according to claim 13 of the present invention is the electronic member according to claim 12, wherein a solder bump is formed on a Cu electrode, a Ni electrode, or a CuZNiZAu plating substrate.
  • the electronic member according to claim 14 of the present invention is an electronic member in which a plurality of electronic components are joined together by a solder electrode, and a part or all of the solder electrode is defined in claims 1 to 9.
  • An electronic member comprising the lead-free solder alloy according to any one of the above.
  • a lead-free solder alloy for an electronic component mounted on an automobile according to claim 15 of the present invention is characterized by using the lead-free solder alloy according to any one of claims 1, 2, 3, 5 to 9. This is a lead-free solder alloy for automotive electronic components.
  • the lead-free solder alloy for an electronic component mounted on an automobile according to claim 16 of the present invention is Co: 0.
  • the lead-free solder alloy for an electronic component mounted on an automobile according to claim 17 of the present invention is Ni + Co + Fe ⁇ 0.10 mass%. Lead-free solder alloy for parts.
  • the lead-free solder alloy for an electronic component mounted on a vehicle according to claim 18 of the present invention has an oxygen concentration of 0.0017% by mass or less. It is a lead-free solder alloy for electronic components mounted on moving vehicles.
  • the lead-free solder alloy for electronic components mounted on automobiles according to claim 19 of the present invention is Cr: 0.
  • solder alloy for an electronic component mounted on an automobile according to claim 20 of the present invention is Sb: 0.
  • the lead-free solder alloy for electronic components mounted on automobiles according to any one of claims 16 to 19, characterized by containing 01 to 0.5 mass%.
  • a lead-free solder alloy for an automotive electronic component according to claim 21 of the present invention is P: 0.0
  • a solder ball for an automobile-mounted electronic member according to claim 22 of the present invention is characterized by using the lead-free solder alloy for an automobile-mounted electronic member according to any one of claims 15 to 21. This is a solder ball for electronic components mounted on automobiles.
  • solder ball for an automobile-mounted electronic member according to claim 23 of the present invention has a ball diameter.
  • An electronic component for mounting on an automobile according to claim 24 of the present invention has a solder bump using the lead-free solder alloy for an electronic component mounting on an automobile according to any one of claims 15 to 21. It is an electronic member for mounting on automobiles.
  • the electronic member for mounting on an automobile according to claim 25 of the present invention is a Cu electrode, a Ni electrode, or a CuZ.
  • the automotive electronic member according to claim 26 of the present invention is an electronic member in which a plurality of electronic components are joined together by solder electrodes, and a part or all of the solder electrodes are defined in claims 15 to 15.
  • solder electrodes are joined together by solder electrodes, and a part or all of the solder electrodes are defined in claims 15 to 15.
  • V is an electronic member for mounting on automobiles.
  • An electronic member according to claim 27 of the present invention is an electronic member in which a plurality of electronic components are joined together by a solder electrode, and a part or all of the solder electrode is as defined in claims 15 to 21.
  • the present invention relates to a Sn-Ag-Cu-based lead-free solder alloy containing Ag: l. 0 to 2.0 mass% and Cu: 0.3 to 1.0 mass%, with Ni: 0.005 -0.
  • a Sn-Ag-Cu-based lead-free solder alloy containing Ag: l. 0 to 2.0 mass% and Cu: 0.3 to 1.0 mass%, with Ni: 0.005 -0.
  • the present invention adopts the above configuration to simultaneously increase the fatigue strength of the solder alloy itself and the fatigue strength of the intermetallic compound layer formed at the boundary between the electrode and the solder alloy. be able to. Therefore, according to the present invention, it is possible to greatly improve the vibration resistance of the joint portion using the lead-free solder alloy and to improve the vibration resistance characteristics of the electronic member for mounting on an automobile.
  • An intermetallic compound layer is formed, and a solder alloy layer is formed thereon.
  • a Sn—Ag—Cu lead-free solder alloy joint is formed on a standard CuZNi ZAu plating substrate, a Ni Sn intermetallic compound layer is formed on the Ni electrode, and Cu Sn Sn is further formed thereon.
  • metal An intermetallic compound layer is formed, and a solder alloy layer is formed thereon.
  • Fracture occurs at the interface with the 3 6 5 intermetallic compound.
  • fracture occurs at the interface between the Ni Sn intermetallic compound and the Cu Sn intermetallic compound.
  • Ni corresponds to an atomic species with an atomic radius smaller than that of Cu.
  • a Cu Sn intermetallic compound layer is formed. Detailed examination of Cu Sn intermetallic compounds
  • Ni which is a 3d metal element
  • Ni is a Cu Sn metal inter
  • Ni has a smaller atomic radius than Cu! /. Therefore, Cu Sn intermetallic compound Cu is Ni
  • the average lattice constant becomes smaller compared to the case without substitution, so that the intermetallic compound shrinks, and the compressive stress that the Cu Sn intermetallic compound layer had is relaxed.
  • the Cu Sn intermetallic compound layer grows large and non-uniformly when Ni is not added.
  • Ag Sn—Ag—Cu-based lead-free solder precipitates if the Ag content is too high
  • Cu Sn-Ag-Cu-based lead-free solder
  • the liquidus temperature of the solder alloy increases. If the Cu content is 0.3% by mass or more, the liquidus temperature of the solder alloy can be suppressed to 227 ° C or less. On the other hand, if the Cu content is too high, the Vickers hardness of the solder alloy increases, which is not preferable. If the Cu content is 1.0% by mass or less, for example, when the Ag content is 1.5% by mass, the increase in Vickers hardness can be suppressed to 10% or less.
  • Ni is a main component for improving the impact resistance of the solder alloy in the present invention. If the Ni content is 0.005 mass% or more, Ni is intermetallic compound as described above. The distortion of an object can be reduced and the effect of improving impact resistance can be realized. More preferable if Ni content is 0.04% by mass or more!
  • solder bumps reflowed on the Cu electrode using the solder alloy of the present invention are softer, so that the drop impact resistance is further improved.
  • the Ni content in the solder bumps is too high, the effect of hardening the solder alloy appears.
  • the Ni component contained in the solder alloy is preferentially formed when the intermetallic compound layer is formed on the electrode. Distributed in. Due to this distribution, the Ni content in the liquid phase solder alloy decreases with the progress of solidification of the intermetallic compound layer, and the Ni content in the solder alloy after final solidification is the Ni content in the original solder alloy. It decreases to about 20-50%. As a result of the decrease of the Ni content in the solder alloy, the hardness of the solder alloy itself decreases. Therefore, the non-alloy alloy can absorb the collision energy at the time of the drop impact, which greatly contributes to the improvement of the drop impact resistance.
  • the Ni content in the solder alloy before reflow of the present invention exceeds 0.07 mass%, the residual Ni in the solder alloy after reflow increases and the solder alloy is hardened.
  • the Ni upper limit was set to 0.1% by mass, and at the same time the Ni upper limit was set to 0.07% by mass to keep the hardness change before and after reflowing good.
  • the Ni content exceeds 0.12%, the liquidus temperature becomes higher.
  • the solder alloy described in Patent Document 2 is for the purpose of improving the drop impact resistance and states that it can further contain Ni as a selective element.
  • the purpose of adding Ni is to improve the strength of the solder alloy.
  • an increase in the strength of the solder alloy adversely affects the impact resistance.
  • the Ni content in the examples of the document is 0.3% by mass or more, and the high impact resistance of the present invention cannot be realized with such a high Ni content.
  • the solder alloy contains O as an impurity.
  • O concentration exceeds 0.0019 mass%, the drop impact resistance characteristics decrease as the O concentration increases. Therefore, in the present invention, it is preferable that the oxygen concentration is 0.000020% by mass or less.
  • Ni is effective as a 3d metal element for improving impact resistance as described above.
  • Cr and V are further added, the impact resistance is similarly improved. Has an effect.
  • Cr When the Cr content is 0.0005 mass% or more, the effect of improving impact resistance can be exhibited. On the other hand, if the Cr content is too high, the solder properties after reflowing deteriorate, the wettability of the solder alloy decreases, and the melting point of the solder alloy rapidly increases. If it is 0.0050 mass% or less, the impact resistance improving effect can be exhibited without causing such problems.
  • V content is 0.0005 mass% or more, the effect of improving impact resistance can be exhibited. On the other hand, if the V content is too large, the same problem as the above Cr excess occurs. If the V content is 0.0050% by mass or less, the effect of improving impact resistance is exhibited without causing such a problem. can do.
  • P and Ge Discoloration of the solder surface can be suppressed by adding one or both of P and Ge to the lead-free solder alloy. When both are contained in an amount of 0.0005% by mass or more, a discoloration suppressing effect can be exhibited. On the other hand, if the P or Ge content is too high, the drop impact resistance will decrease. If P: 0.005 mass% or less and Ge: 0.01 mass% or less, good drop impact resistance will be maintained. be able to.
  • solder ball of the present invention is adhered to a large number of electrodes on an electronic member such as a semiconductor substrate, electronic component, printed circuit board, etc. by using the adhesive force of the flux, and the electronic member is heated to a high temperature to reflow the solder ball. By doing so, a solder bump is formed on the electrode.
  • the semiconductor substrate and the printed circuit board are bonded to each other through the solder bump.
  • the joint portion formed by the non-binder alloy formed in this manner can exhibit extremely good impact resistance characteristics.
  • the solder ball of the present invention preferably has a diameter of 300 ⁇ m or less.
  • the smaller the diameter of the solder ball the smaller the cross-sectional area of the solder joint formed using the solder ball, and the more severe the drop impact resistance. For this reason, the smaller the diameter of the solder ball, the more effective the drop impact resistance can be improved according to the present invention. This is because, in a small-diameter ball having a solder ball diameter of 300 ⁇ m or less, the drop impact resistance of the present invention can be sufficiently exhibited.
  • the electronic member has a solder bump using a lead-free solder alloy containing the components described above.
  • a semiconductor substrate or the like and a printed circuit board or the like are joined via the solder bumps.
  • the joint portion formed by the nonda alloy thus formed can exhibit extremely good impact resistance characteristics.
  • the electronic member having the solder bump of the present invention is preferably formed by forming a solder bump on a Cu electrode, a Ni electrode or a CuZNi ZAu plating substrate. This is because it has the effect of improving the impact resistance characteristics at the joint between the lead-free solder alloy and the Cu electrode, Ni electrode or Cu / NiZAu plating substrate.
  • An electronic member of the present invention in which a plurality of electronic components are joined by a solder electrode, and an electronic member in which a part or all of the solder electrode is made of the lead-free solder alloy of the present invention is The solder electrode can exhibit extremely good impact resistance.
  • the Ni component in the solder alloy is preferentially distributed in the intermetallic compound during bonding, and the solder metal The Ni content distributed to the part is less than the Ni content in the original solder alloy.
  • the present inventors have found that the impact resistance of the joint using the lead-free solder alloy is greatly improved.
  • the reason why the impact resistance has been greatly improved by containing a small amount of Fe together with Ni and Co in the solder alloy is as described in the first embodiment. So I will explain briefly.
  • a Cu Sn intermetallic compound layer is formed. Detailed examination of Cu Sn intermetallic compounds
  • solder alloy contains 3d metal elements such as Ni, Co, Fe, etc., these 3d metal elements are contained in the intermetallic compound in the form of substituting Cu in the Cu Sn intermetallic compound.
  • Ni, Co, and Fe all have a smaller atomic radius than Cu. Therefore, Cu Sn metal
  • the substitution of Cu with the adjacent Cu atom is possible regardless of whether the substitution element is Ni, Co, or Fe.
  • the substitution element is Mn, Cr, or V.
  • Cu Sn intermetallic compounds are hexagonal, and there are four types of Cu sites in the crystal.
  • Co and Fe are preferentially substituted, and Ni is presumed to replace many other sites.
  • 311- eight 8 - Ji 11 based solder alloy can be contained 6 traces the Nyori, a large amount of FeSn intermetallic compounds during cooling of the melted Nono Sunda alloy is produced, it is a primary crystal
  • the dendrite structure can be made finer. Since crystals are formed from the primary dendrites during the next heat treatment, an intermetallic compound layer with less irregularities is formed for materials whose dendrite structure is refined by a small amount of Fe addition. Become. However, if the Fe content is too high, the FeSn intermetallic compound phase becomes coarse, which is counterproductive.
  • Ni is a main component that improves the impact resistance of the solder alloy in the present invention, in addition to Fe. If the Ni content is 0.005 mass% or more, the above-described effect of improving the impact resistance by Ni can be realized. It is more preferable that the Ni content is 0.03 mass% or more. On the other hand, if the Ni content exceeds 0.10% by mass, the melting point of the solder alloy increases, which is not preferable. In addition, if the Ni content increases, the hardness of the solder alloy increases, which is not preferable from the viewpoint of impact resistance. A Ni content of 0.06 mass% or less is preferable because the hardness of the solder alloy is at a sufficiently low level. The Ni content is more preferably 0.05% by mass or less.
  • Fe In the present invention, by containing a small amount of Fe, the impact resistance can be remarkably improved by the synergistic action with Ni. If the Fe content is 0.0001% by mass or more, the impact resistance improving effect of the present invention can be realized. More preferably, the Fe content is 0.005% by mass or more. On the other hand, if the Fe content exceeds 0.005 mass%, problems such as deterioration of the surface condition such as the surface of the solder alloy after reflowing becoming rough or ragged, and the solder wettability being reduced may occur. In addition, as described above, if the Fe content is too high, the FeSn intermetallic compound phase becomes coarse, which is counterproductive.
  • Co In the present invention, as described above, even better impact resistance can be obtained by including Co in the solder alloy. If the Co content is 0.005% by mass or more, the impact resistance improvement effect due to the Co content can be realized. On the other hand, if the Co content is too high, the hardness of the solder alloy itself will increase and the drop impact resistance will deteriorate, or the melting point of the solder alloy will increase. The Co content will be 0.10 mass%. This problem will not occur if:
  • the total content of Ni, Co and Fe is preferably 0.10 mass% or less.
  • the content of each of Ni, Co, and Fe is within the content range of each component.
  • the total content of Ni, Co and Fe exceeds 0.10% by mass, the hardness of the solder alloy itself will increase and drop impact resistance will decrease, and the melting point of the solder alloy will increase. appear.
  • the element that can be easily replaced is Fe as described above.
  • Fe When a small amount of Fe is replaced with a Cu atom site, it becomes a trigger and the Cu site is replaced with a Ni atom.
  • Co atoms are not effectively substituted in Cu Sn than Fe atoms, substitution efficiency is superior to Ni atoms.
  • the most efficient atom is Ni.
  • the power of NU is as fast as possible.
  • Ni: Co: Fe 10: (3-7): If the ratio is in the range of (0.02-2-2), the force was found to exhibit superior drop impact resistance. is there.
  • Ni: Co: Fe 10: (3-7): (0.02-2)
  • the Ni content is preferably 0.02% by mass or more.
  • the Ni content is more preferably 0.03 mass% or more. Further, the Ni content is preferably 0.06% by mass or less.
  • the Ni content is more preferably 0.05% by mass or less. Most preferably, it is around 0.04% by mass.
  • Ni and Fe as described above, and a force in which Co is effective are replaced with Fe, or Cr and V are added together with Fe. In the case of dredging, it also has the effect of improving impact resistance.
  • Such a change in the shape of the intermetallic compound layer is considered to effectively prevent the occurrence of cracks starting from the intermetallic compound layer.
  • the vibration resistance is deteriorated because it becomes harder. If the Ag content is 2.0% by mass or less, good vibration resistance can be secured. On the other hand, if the Ag content is too low, The liquidus temperature of the copper alloy increases. If the Ag content is 1.0 mass% or more, a sufficiently low liquidus temperature can be secured. For example, when the Cu content is 0.5% by mass and the Ag content is 1.0% by mass, the liquidus temperature can be secured at 227 ° C.
  • Cu Sn-Ag-Cu-based lead-free solder for electronic components for automobiles
  • the liquidus temperature of the solder alloy increases. If the Cu content is 0.3% by mass or more, the liquidus temperature of the solder alloy can be suppressed to 227 ° C or less. On the other hand, if the Cu content is too high, the Vickers hardness of the solder alloy increases, which is preferable.
  • the Cu content is 1.0% by mass or less, for example, when the Ag content is 1.5% by mass, the increase in picker hardness can be suppressed to 10% or less.
  • Ni is a main component for improving the vibration resistance of the solder alloy in the present invention. If the Ni content is 0.005% by mass or more, the above-described effect of improving vibration resistance by Ni can be realized. More preferably, the Ni content is 0.03 mass% or more. On the other hand, if the Ni content exceeds 0.10 mass%, the melting point of the solder alloy will increase, which is not preferable. In addition, if the Ni content increases, the hardness of the solder alloy increases, which is not preferable from the viewpoint of vibration resistance. If the Ni content is 0.06 mass% or less, the hardness of the nickel alloy is preferably at a sufficiently low level. The Ni content is more preferably 0.05% by mass or less.
  • Fe In the present invention, by containing a small amount of Fe, the vibration resistance can be remarkably improved by the synergistic action with Ni.
  • the Fe content is 0.0001% by mass or more, the vibration resistance improving effect of the present invention can be realized. More preferably, the Fe content is 0.005% by mass or more.
  • the Fe content exceeds 0.005 mass%, problems such as deterioration of the surface condition such as the surface of the solder alloy after reflowing becoming rough or ragged, and the solder wettability being reduced may occur.
  • the Fe content is too high, the FeSn intermetallic compound phase becomes coarse, which is counterproductive.
  • Co In the present invention, as described above, even better vibration resistance can be obtained by including Co in the solder alloy. When the Co content is 0.005 mass% or more, the effect of improving vibration resistance due to the Co content can be realized. On the other hand, if the Co content is too high, the hardness of the solder alloy itself will increase, resulting in a problem that vibration resistance will decrease and the melting point of the solder alloy will increase. The Co content will be less than 0.10 mass%. If so, this problem does not occur.
  • the total content of Ni, Co and Fe is preferably 0.10 mass% or less. Even if the content of each of Ni, Co, and Fe is within the content range of each of the above components, if the total content of Ni, Co, and Fe exceeds 0.10% by mass, the hardness of the solder alloy itself increases. If it is increased, the vibration resistance will be lowered and the melting point of the solder alloy will be raised.
  • the Ni and Co components contained in the solder alloy are preferentially metallized when an intermetallic compound layer is formed on the electrode. It is distributed in the intermetallic compound layer. Due to this distribution, the Ni and Co contents in the liquid phase solder alloy decrease with the progress of solidification of the intermetallic compound layer, and the Ni and Co contents in the solder alloy after the final solidification are in the original solder alloy. Reduced to about 20-50% of Ni and Co content. As a result of the decrease of the Ni and Co contents in the solder alloy, the hardness of the solder alloy itself is lowered. For this reason, shock energy during repeated bending tests can be absorbed by the alloy, which greatly contributes to the improvement of vibration resistance.
  • the most effective element is Cu and Ni, which has a large atomic radius size difference.
  • the element that can be easily replaced is Fe as described above. When a small amount of Fe is replaced with a Cu atom site, it becomes a trigger and the Cu site is replaced with a Ni atom.
  • Co atoms are not effectively substituted in Cu Sn than Fe atoms, substitution efficiency is superior to Ni atoms.
  • Ni: Co: Fe 10: (3 to 7):
  • the Ni content is more than 0.02 mass%. preferable. 0.03% by mass or more is more preferable. Further, the Ni content is more preferably 0.06% by weight or less. More preferably, it is 0.05% by weight or less.
  • the electronic member for mounting on an automobile of the present invention is preferably an electronic member having a solder bump using a lead-free solder alloy containing the components described above.
  • the semiconductor substrate and the printed circuit board are bonded to each other through the solder bumps. Since the joint made of the solder alloy formed in this way can exhibit extremely good vibration resistance, it can be suitably used as an electronic member for mounting on automobiles.
  • the electronic member for mounting on a vehicle having the solder bump of the present invention has a solder bump formed on a Cu electrode, a Ni electrode or a CuZNiZAu plating substrate. This is because it has the effect of improving the vibration resistance at the joint between the lead-free solder alloy and the Cu electrode, Ni electrode or CuZNiZAu plating board.
  • An electronic member of the present invention in which a plurality of electronic components are joined by a solder electrode, and a part or all of the solder electrode is made of the lead-free solder alloy of the present invention.
  • the member can be suitably used as an electronic member for mounting on an automobile because the solder electrode can exhibit extremely good vibration resistance.
  • An electronic member of the present invention in which a plurality of electronic components are joined by a solder electrode, wherein a part or all of the solder electrode is made of the lead-free solder alloy of the present invention.
  • An electronic member mounted on a car can sufficiently withstand vibrations that occur when the automobile is driven because its solder electrode can exhibit extremely good vibration resistance.
  • the solder bump and the solder electrode using the lead-free solder alloy of the present invention are distributed preferentially in the intermetallic compound during the joining, so that the Ni and Co components in the solder alloy are preferentially distributed.
  • the Ni and Co contents distributed to the metal parts are less than the Ni and Co contents in the original solder alloy.
  • solder balls with a diameter of 300 ⁇ m were prepared.
  • a printed circuit board made of FR-4 was prepared as a substrate having electrodes to which solder balls were joined.
  • the size of the printed circuit board is 160mm x 64mm x 0.8mm (thickness).
  • 324 electrodes of 240 ⁇ size are arranged. Two types of electrodes were used, one using Cu-OSP and the other 7 ⁇ 11 (0.03 to 0.05 m plating).
  • a silicon chip of 9.6 mm square and a thickness of 0.7 mm was used as a mounting part to be joined to the printed circuit board via a solder ball.
  • 324 electrodes of 240 ⁇ ⁇ size are arranged at positions corresponding to the electrodes on the printed circuit board.
  • the electrode material is Cr (0. 07 ⁇ ⁇ ) / ⁇ (0. 8 / ⁇ ⁇ ) ⁇ (0 .: L m).
  • a prepared solder ball is mounted on the electrode on the silicon chip side, and then reflowed to form a solder bump.
  • the silicon chip on which the solder bumps were formed was flip-chip connected to the printed circuit board, reflowed at a peak temperature of 250 ° C., and the silicon chip electrode and the printed circuit board electrode were joined to form an evaluation member.
  • Evaluation of the drop impact resistance was performed using a fully automatic impact tester BIT-600S manufactured by TETECH.
  • the bonded evaluation member is placed on the surface plate with the silicon chip side down.
  • a rod type probe with a mass of 30 g is dropped onto the evaluation member from a height of 5 cm.
  • the impact acceleration applied to the evaluation member is monitored with an acceleration sensor (TEAC).
  • the impact acceleration on the evaluation member is 8000G to 12000G.
  • Fracture evaluation is performed by connecting a constant current power source to the circuit in the evaluation member, monitoring the voltage, and calculating the number of repeated drops until the resistance value becomes twice the initial value. It was a number. At this time, a measuring instrument with a sampling rate of 1 MHz was used in order to recognize a momentary break caused by substrate deflection at the time of falling as a break.
  • solder joints improve as the solder alloy after solder reflow becomes softer.
  • the solder is reflowed on the Cu electrode, if the electrode Cu diffuses into the solder, it hardens the solder. Also, if the Ni content in the solder alloy is too high, residual Ni will harden the solder. Therefore, solder balls were mounted on Cu-OSP electrodes and reflowed, and the change in the hardness of the solder alloy before and after reflow was evaluated.
  • HV hardness differential force before and after reflowing ⁇ if less than 0%, X if 40% or more.
  • the prepared evaluation solder balls were placed in a white porcelain square dish, held in an air atmosphere at 150 ° C for 200 hours, and then sensory with the naked eye based on the initial state specimen. Conducted by inspection. The case where there was no change at all was marked as ⁇ , the most changed Sn-3. OAg-0.5Cu ball as X, and the middle color change as ⁇ .
  • This comparative example 2 balance 1.0 0.3 0.120 X X X Liquidus temperature
  • This comparative example 3 balance 1.0 1.0 0.003 ⁇ X X
  • This comparative example 4 balance 1.0 1.0 0.120 X X X Liquidus temperature
  • This comparative example 5 balance 2.0 0.3 0.003 ⁇ X X
  • Example 17 Remaining 2.0 1.0 0.070 ⁇ ⁇ ⁇
  • This comparative example 10 The remainder 1.2 0.5 0.120 X X ⁇ Liquidus temperature
  • This comparative example 11 The remainder 1.0 0.65 0.003 ⁇ X X
  • This comparative example 12 balance 1.0 0.65 0.120 X X X Liquidus temperature
  • This comparative example 13 balance 1.5 0.65 0.003 ⁇ X X
  • the impact resistance was good when the Ni content was in the range of 0.005-0.10% by mass. Furthermore, the hardness change before and after reflow was good when the upper limit of the Ni content was in the range of 0.07 mass%.
  • the Ni content was 0.003 mass%, the impact resistance improvement effect by the Ni-added iron was not obtained, and when the Ni content was 0.1 mass%, the change in hardness before and after reflow increased. Furthermore, when the Ni content was 0.12% by mass, the impact resistance decreased and the liquidus temperature increased.
  • solder alloys having the components shown in Tables 5 to 10 solder balls having a diameter of 300 ⁇ m were prepared.
  • the examples and comparative examples shown in Tables 5 to 10 are prepared separately from the examples and comparative examples shown in Tables 1 to 4 above.
  • a printed circuit board made of FR-4 was prepared as a substrate having electrodes for joining solder balls.
  • the size of the printed circuit board is 160mm x 64mm x 0.8mm (thickness).
  • 324 electrodes of 240 ⁇ size are arranged. Two types of electrodes were used, one using Cu-OSP and the other 7 ⁇ 11 (0.03 to 0.05 m plating).
  • a silicon chip of 9.6 mm square and a thickness of 0.7 mm was used as a mounting part to be joined to the printed circuit board via a solder ball.
  • 324 electrodes of 240 ⁇ ⁇ size are arranged at positions corresponding to the electrodes on the printed circuit board.
  • the electrode material is Cr (0. 07 ⁇ ⁇ ) / ⁇ (0. 8 / ⁇ ⁇ ) ⁇ (0 .: L m).
  • a prepared solder ball is mounted on the electrode on the silicon chip side and then reflowed to form a solder bump.
  • the silicon chip on which the solder bumps were formed was flip-chip connected to the printed circuit board, reflowed at a peak temperature of 250 ° C., and the silicon chip electrode and the printed circuit board electrode were joined to form an evaluation member.
  • Evaluation of the drop impact resistance was performed using a fully automatic impact tester BIT-600S manufactured by TETECH.
  • the bonded evaluation member is placed on the surface plate with the silicon chip side down.
  • a rod type probe with a mass of 30 g is dropped onto the evaluation member from a height of 5 cm.
  • the impact acceleration applied to the evaluation member is monitored with an acceleration sensor (TEAC).
  • the impact acceleration on the evaluation member is 8000G to 12000G.
  • Fracture evaluation is performed by connecting a constant current power source to the circuit in the evaluation member, monitoring the voltage, and calculating the number of repeated drops until the resistance value becomes twice the initial value. It was a number. At this time, a measuring instrument with a sampling rate of 1 MHz was used in order to recognize a momentary break caused by substrate deflection at the time of falling as a break.
  • Thermal fatigue characteristics were measured by using the same mounting product (Cu-OSP electrode) as that used for the drop impact property test, holding at -40 ° C for 20 minutes and holding at 125 ° C for 20 minutes until the circuit breaks. Evaluated by measuring the number of high temperature and low temperature repetitions (the number of thermal cycles), ⁇ when the number of times the fracture starts to be observed is 100 times or more, ⁇ when it is 750 times or more, and X when 500 times or less. did.
  • the prepared evaluation solder balls were placed in a white porcelain square plate, held in an air atmosphere at 150 ° C for 200 hours, and then sensory with the naked eye based on the initial state sample. Conducted by inspection. The case where there was no change at all was marked as ⁇ , the most changed Sn-3. OAg-0.5Cu ball as X, and the middle color change as ⁇ .
  • Tables 5 and 6 describe examples containing Sn, Ag, Cu, Ni, and Fe.
  • Table 7 lists examples in which Sn, Ag, Cu, Ni, and Fe are prepared and Sb, P, Ge, Cr, and V are contained as selective elements.
  • Table 8 lists comparative examples that do not contain Ni or Fe.
  • Example 7 Balance 1.0 0.3 0.060 0.0010 ⁇ ⁇
  • Example 13 Balance 2.0 0.3 0.050 0.0010 ⁇ ⁇
  • Example 15 Balance 2.0 1.0 0.050 0.0010 ⁇ ⁇
  • Example 36 Remaining 1.0 0.65 0.050 0.0010 ⁇ ⁇
  • Example 45 Remaining 1.5 0.65 0.040 0.0010 ⁇ ⁇
  • Table 8 shows comparative examples not containing Ni and Fe. In all levels, the drop impact resistance was poor.
  • Tables 9 and 10 list examples containing Sn, Ag, Cu, Ni, Co, and Fe.
  • Electrode Example 1 0.020 0.010 ⁇ ⁇ ⁇ Example 2 0.030 0.015 ⁇ ⁇ Example 3 0.040 0.020
  • Example 4 0.050 0.025 ⁇ ⁇ Example 5 0.060 0.030 ⁇ ⁇ Example 6 0.020 0.030 ⁇ Example 7 Remaining 1.2 0.5 0.0010 0.060 0.010 ⁇ ⁇ Comparative Example 1 0.020 0.080 ⁇ ⁇ Comparative Example 2 0.040 0.080 XX Comparative Example 3 0.050 0.050 ⁇ ⁇ Comparative Example 4 0.080 0.040 XX Comparative Example 5 0.100 0.050 XX Comparative Example 6 0.080 0.020 ⁇ ⁇ Example 1 1 0.020 0.010 ⁇ ⁇ Example 12 0.030 0.015 ⁇ Example 13 0.040 0.020 ⁇ ⁇ Example 14 0.050 0.025 ⁇ ⁇ Example 15 0.060 0.030
  • Example 16 0.020 0.030 ⁇ ⁇ Example 17 Balance 1.2 0.5 0.0050 0.060 0.010 ⁇ ⁇ Comparative Example 7 0.020 0.080 ⁇ X Comparative Example 8 0.040 0.080 XX Comparative Example 9 0.050 0.050 XX Comparative Example 10 0.080 0.040 XX Comparative Example 1 1 0.100 0.050 XX Comparative Example 12 0.080 0.020 XX Example 18 0.020 0.010 ⁇ ⁇ Example 19 0.030 0.015 ⁇ ⁇ Example 20 0.040 0.020 ⁇ ⁇ Example 21 0.050 0.025 ⁇ Example 22 0.060 0.030 ⁇ ⁇ Example 23 0.020 0.030 ⁇ ⁇ Example 24 Balance 1.0 0.5 0.0010 0.060 0.010 ⁇ ⁇ Comparative Example 13 0.020 0.080 XX Comparative Example 14 0.040 0.080 XX Comparative Example 15 0.050 0.050 ⁇ X Comparative Example 16 0.080 0.040 XX
  • Electrode Example 28 0.020 0.010 ⁇ ⁇ Example 29 0.030 0.015 ⁇ ⁇ Example 30 0.040 0.020 ⁇ ⁇ Example 31 0.050 0.025 ⁇ ⁇ Example 32 0.060 0.030 ⁇ ⁇ Example 33 0.020 0.030 ⁇ ⁇ Example 34 Remaining 1.0 0.5 0.0050 0.060 0.010 ⁇ ⁇ Comparative Example 19 0.020 0.080 XX Comparative Example 20 0.040 0.080 XX Comparative Example 21 0.050 0.050 ⁇ X Comparative Example 22 0.080 0.040 XX Comparative Example 23 0.100 0.050 XX Comparative Example 24 0.080 0.020 XX Example 35 0.020 0.010 ⁇ ® Example 36 0.030 0.015 ⁇ ⁇ Example 37 0.040 0.020 ⁇ ⁇ Example 38 0.050 0.025 ⁇ ⁇ Example 39 0.060 0.030 ⁇ ⁇ Example 40 0.020 0.030 ⁇ ⁇ Example 41 Remaining 2.0 0.5
  • Comparative Example 40 0.0050 0.040 0.020 XX and the level that meets the conditions of claim 3 is good in drop impact resistance. I got it. Above all, the level at which the content ratio of Ni and Co meets the requirements of claim 4 showed particularly good drop impact resistance.
  • Drop impact resistance was particularly good when the Ag content was 1.2% by mass.
  • the level of Ag content of 1.2% by mass and Ni content of 0.03 to 0.05% by mass showed exceptionally good drop impact resistance.
  • Examples 2 to 4 using a Cu-OSP electrode in Example 2, the number of drops until fracture was 183 times, Example 3 was 205 times, and Example 4 was 152 times.
  • Example 17 has 161 drops
  • Example 24 has 148 drops
  • Example 31 has 158 drops
  • Example 38 has 137 drops. It was.
  • solder balls having a diameter of 300 ⁇ m were prepared.
  • the examples and comparative examples shown in Tables 11 to 15 are prepared separately from the examples and comparative examples shown in Tables 1 to 10 above.
  • a printed circuit board made of FR-4 was prepared as a substrate having electrodes to which solder balls were bonded.
  • the size of the printed circuit board is 160mm x 64mm x 0.8mm (thickness).
  • 324 electrodes (pads) of 250 m ⁇ size are arranged in a grid of 18 rows and 18 columns. Two electrodes were used, one using Cu-OSP as the electrode and the other being ⁇ 3-5 / ⁇ ⁇ plating) and ZAu (0.03 to 0.05 m plating).
  • a 9.6 mm square, 0.7 mm thick silicon chip was used as a mounting part to be joined to the printed circuit board via solder balls.
  • Electrodes of 240 ⁇ size are arranged at positions corresponding to the electrodes on the printed circuit board.
  • the electrode material is Cr (0.07 m) ZNi (0.8 m) ZAu (0.1 m).
  • a prepared solder ball is mounted on the electrode on the silicon chip side and then reflowed to form a solder bump.
  • the silicon chip with solder bumps is flip-chip connected to the printed circuit board and reflowed at a peak temperature of 250 ° C.
  • the conchip electrode and the printed circuit board electrode were joined to form an evaluation member.
  • Vibration resistance was evaluated by a repeated bending test with three-point support, with a support span of 100 mm, substrate displacement of 3 mm, and substrate displacement speed of 60 mmZsec.
  • the number of repeated bendings when the electrical resistance of the mounted component was twice the initial value was used.
  • the number of bending times is 0 to 999 times.
  • X, 1000 to 1999 times are ⁇
  • 2000 to 3999 times are ⁇
  • 4000 to 5999 times are ⁇
  • 6000 to 9999 times are ⁇
  • 10,000 or more are ⁇ ( ⁇ ).
  • NiAu electrode When NiAu electrode is used, 0 to 199 times X, 200 to 399 times ⁇ , 400 to 499 times ⁇ , 500 to 999 times ⁇ , 1000 to 1999 times ⁇ ⁇ , 2000 times The above is Shima.
  • Comparative Example 2 0.001 XX Example 6 0.005 ⁇ ⁇ Example 7 0.030 ⁇ ⁇ Example 8 1.0 0.050 ⁇ Example 9 0.060 ⁇ ⁇ Example 10 0.100 ⁇ ⁇ Comparative Example 3 0.120 XX Comparative Example 4 0.001 XX Example 1 1 0.005 ⁇ ⁇ Example 12 0.030 ⁇ ⁇ Example 13 Balance 0.3 0.050 ⁇ ⁇ Example 14 0.060 ⁇ ⁇ Example 15 0.100 ⁇ ⁇ Comparative Example 5 0.120 XX
  • Example 35 0.030 0.0001 ⁇ ⁇
  • Example 36 0.030 0.0005 ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇
  • Example 39 0.030 0.0001 ⁇ ⁇
  • Example 40 0.030 0.0005 ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇
  • Example 45 0.030 0.0050 ⁇ ⁇
  • Example 46 0.030 0.001 0.031 O ⁇
  • Example 47 0.030 0.005 0.035 ⁇ ⁇
  • Example 48 0.3 0.030 0.040 0.070 ⁇ ⁇ ⁇
  • Example 49 30 30 0.100 0.130 ⁇ ⁇ Comparative Example 15 0.030 0.120 0.150
  • Example 50 0.030 0.001 0.031 ⁇ ⁇
  • Example 51 0.030 0.005 0.035 ⁇
  • Example 52 1.0 0.030 0.040 0.070 ⁇ ⁇ ⁇ ⁇
  • Example 53 0.030 0.100 0.130 o ⁇ Comparative Example 16 0.030 0.120 0.150 Melting point increase
  • Example 54 0.030 0.001 0.031 o ⁇
  • Example 55 0.030 0.005 0.035 ⁇
  • Example 56 0.030 0.040 0.070 ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ Example 57 0.030 0.100 0.130 ⁇ ⁇ Comparative Example 17 0.030 0.120 0.150 Increase in melting point
  • Example 58 0.030 0.001 0.031 o ⁇
  • Example 59 0.030 0.005 0.035
  • Example 60 0.030 0.040 0.070 ⁇ ⁇ Example ⁇ 61 0.030 0.100 0.130 o ⁇ Comparative example 18 0.030 0.120 0.150 Melting point escalation Example 62 Remainder 0.030 0.0000 0.001 0.031 o ⁇ Example 63 0.030 0.0001 0.005 0.035 ⁇ ⁇ ⁇ Implementation Example 64 1.2 0.5 0.030 0.0005 0.040 0.071 ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ Example 65 0.030 0.0050 0.100 0.135 ⁇ ⁇ Comparative Example 19 0.030 0.0100 0.120 0.160 Melting point rise Example 71 0.010 0.0002 0.003 0.013 ⁇
  • Example 75 0.030 0.0005 0.020 0.051 ⁇ ⁇
  • Example 76 0.030 0.0010 0.020 0.051
  • Example 79 0.050 0.0001 0.015 0.065 ⁇ ⁇
  • Example 80 0.050 0.0050 0.035 0.090 ⁇ ⁇
  • Table 11 shows the case where the solder alloy of the present invention containing Ni is used. In all of the examples in which the Ni content is within the range of the present invention, improvement is seen in the results of repeated bending characteristics.
  • Table 12 shows the case of using the solder alloy of the present invention containing Ni and Fe. In all of the examples in which the Ni and Fe contents are within the scope of the present invention, a further improvement in the repeated bending property results is observed. When the Fe content exceeded the upper limit of the range of the present invention, the solder surface was rugged and the wettability was reduced, so repeated bending tests were not performed.
  • Table 13 shows the case of using the solder alloy of the present invention containing Ni and Co, Ni and Co and Fe, and Co and Fe.
  • the Co content is within the range of the present invention
  • the same improvement as in the present invention containing Ni and Co is observed in the repeated bending characteristics results.
  • the results of repeated bending characteristics were better than the level outside this range.
  • the Co content exceeded the upper limit of the range of the present invention, since the melting point was increased, repeated bending tests were not performed.
  • Examples 71 to 80 contain Ni, Co, and Fe, and the content ratio of Ni, Co, and Fe satisfies the condition of claim 4 cited in claim 14, and thus results of repeated bending characteristics Was particularly good.
  • Table 14 shows examples of the present invention containing Ni, Co, and Fe.
  • Example 81 is an example in which the oxygen content falls within the range of claim 17.
  • Example 82 is an example in which Cr and V are within the scope of claim 18.
  • Examples 83 and 84 are examples in which Sb falls within the scope of claim 19.
  • Examples 85 to 89 are examples in which P and Ge fall within the scope of claim 20. In all cases, the results of repeated bending characteristics were good.
  • Table 15 is a comparative example that does not contain any of Ni, Co, and Fe. Repeated bending test results were poor.

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Abstract

耐衝撃性、耐振動性について良好な性能を実現する鉛フリーハンダ合金及び該鉛フリーハンダ合金を用いたハンダボール並びに該鉛フリーハンダ合金を用いたハンダバンプを有する電子部材を提供する。 Ag:1.0~2.0質量%、Cu:0.3~1.0質量%、Ni:0.005~0.1質量%を含有し、残部Sn及び不可避不純物からなることを特徴とする鉛フリーハンダ合金である。Cu電極上のSn-Ag-Cu系ハンダ接合部では、Cu電極の直上にCu3Sn金属間化合物の層が形成され、さらにその上にCu6Sn5金属間化合物層が形成される。Cu6Sn5金属間化合物層中のCu原子サイトを、Cuより原子半径の小さいNiで置換することにより、Cu6Sn5金属間化合物層の歪を緩和し、ハンダ接合部の耐衝撃性、耐振動性を向上させることができる。

Description

明 細 書
鉛フリーハンダ合金、ハンダボール及び電子部材と、自動車搭載電子部 材用鉛フリーハンダ合金、ハンダボール及び電子部材
技術分野
[0001] 本発明は、鉛フリーハンダ合金及び該鉛フリーハンダ合金を用いたノヽンダボール 並びに該鉛フリーハンダ合金を用いたハンダバンプを有する電子部材と、自動車搭 載電子部材用鉛フリーハンダ合金及び該鉛フリーハンダ合金を用いたノ、ンダボール 並びに該鉛フリーハンダ合金を用いたハンダバンプを有する自動車搭載用電子部 材に関するものである。
背景技術
[0002] 最近の電子部品の小型化、高密度実装化に伴い、プリント配線基板等に電子部品 を実装する際には、 BGA (ボールグリッドアレイ)、 CSP (チップサイズパッケージ)技 術が用いられるようになつている。また、これらの技術に採用される電極サイズも微細 化の一途をたどっている。
[0003] これらの接合においては、半導体基板、電子部品、プリント基板等の上に配置され た多数の電極にまずハンダバンプを形成する。電子部材上の電極へのハンダバンプ 形成は、各電極にフラックスの粘着力を利用してハンダボールを粘着させ、ついで該 電子部材を高温に熱してハンダボールをリフローさせることによって行なう。このハン ダバンプを介して半導体基板等とプリント基板等との間を接合する。ここで、ハンダバ ンプとは、銅あるいはアルミ配線電極上のメツキの上に半球状に盛り上がって形成さ れたハンダをいう。
[0004] 廃棄された電子装置を廃棄処理するに際し、環境への影響を最少とするため、電 子装置に使用するハンダ合金についても鉛フリーハンダ合金が要求されるようになつ ている。鉛フリーハンダ合金としては、二元系では Snに Agを 3. 5%含有した組成が 共晶組成となり、融点は 221°Cと比較的低ぐ広く鉛フリーハンダとして使用されてい る。
[0005] 近年の電子部品の高密度実装化に伴い、特にノートパソコン、ビデオカメラ、携帯 電話、自動車搭載用の電子部材'電子装置等においては表面実装や BGA実装が 進み、基板電極パッド面積の縮小が急激に進んでいるため、接合部位のハンダ量を 少量ィ匕せざるを得ない状況にある。即ち、ハンダ接合部位の接合面積が低下し、接 合部に力かる応力が増大している。また、高密度実装により、高機能 ·小型化が進ん だため情報伝達機器の携帯化も急速に進展した。加えて経済活動領域が地球規模 に及ぶに至り、従来考えてもいな力つた灼熱の砂漠や極地高地の極寒下等での当 該機器が使用される様になつている。このような状況下では、ハンダ接合部が一層厳 しい環境下に曝されることを考慮したハンダ実装設計が求められており、そのため、 ハンダ材料に対する耐疲労性向上の要求がより一層高まっている。特許文献 1にお いては、電子機器用の鉛フリーハンダ合金として、 Ag : 3. 0〜5. 0%、 Cu: 0. 5〜3 . 0%、残部 Snからなる耐熱疲労特性に優れた高温ハンダが開示されている。 Agの 含有量については、 Agは耐熱疲労特性改善に著しく効果があるが、その添加量が 3 . 0%以下であると耐熱疲労特性を改善する効果が十分でな 、として 、る。
[0006] また、携帯電話等の持ち運び可能なデジタル製品に関しては、その使用上の特質 力 使用中に誤って床面に落下させたりぶっけたりする事態を想定する必要がある。 このような衝撃に対しても使用する電子部品のハンダ接合部位が破壊しないだけの 耐衝撃性を有することが要求される。これに対し、従来の耐疲労性ハンダ合金にお いては、主にハンダの強度を増大することによって耐疲労性の改善を図っており、そ の結果として耐衝撃性にっ 、てはむしろ低下する傾向が見られた。ハンダ接合部位 の耐衝撃性、耐振動性の向上を図るためには、接合部位のハンダ合金として延性の 優れた合金を用いることが最も効果的である。
[0007] さらに、自動車に搭載された電子部材は、自動車走行時の振動に対して十分な耐 久性を有している必要がある。このような繰り返し振動に対しても使用する電子部品 のハンダ接合部位が破壊しな 、だけの耐振動性を有することが要求される。これに 対し、従来の耐疲労性ノヽンダ合金においては、主にハンダの強度を増大すること〖こ よって耐疲労性の改善を図っており、その結果として耐振動性についてはむしろ低 下する傾向が見られた。ハンダ接合部位の耐振動性の向上を図るためには、上記し た耐振動性の向上と同様に接合部位のハンダ合金として延性の優れた合金を用い ることが最ち効果的である。
[0008] 特許文献 2においては、特許文献 1に記載のものよりも Ag含有量が低ぐかつ耐落 下衝撃性に優れた鉛フリーハンダ合金として、 Ag : l. 0〜2. 0質量%、Cu: 0. 3〜1 . 5質量%を含み、残部 Sn及び不可避不純物力 なることを特徴とする無鉛ハンダ 合金が開示されている。これにより、従来の鉛フリーハンダ合金に比較して安価に提 供することが可能になり、同時に極めて優れた耐熱疲労特性と耐衝撃性を実現して いる。特許文献 2に記載のものは、ハンダ合金の強度を向上する目的で、 Ni: 0. 05 〜1. 5質量%又は Fe : 0. 005-0. 5質量%の範囲で添加することができるとしてい る。
[0009] 特許文献 3においては、耐衝撃性と耐ヒートサイクル性を向上する鉛フリーハンダ 合金として、 Sb : 0. 01〜1質量%、 Ni: 0. 01〜0. 5質量%、残部 Snからなり、さら に Ag : 0. 01〜5質量%および Zまたは Cu: 0. 01〜2質量%が添加された鉛フリー ハンダ合金が開示されている。 Sbは耐衝撃性に効果があり、 Niは耐ヒートサイクル性 に効果があり、さらに Cuを添加すると耐衝撃性をより向上させ、 Agを添加すると耐ヒ ートサイクル性をより向上させるとして 、る。
[0010] 特許文献 4には、優れた強度を有するとともに熱的に安定であり、接合性も良好な ハンダ合金として、 Snを主成分とし、 Ag: l . 0〜4. 0重量%、 Cu≤2. 0重量%、 Ni ≤1. 0重量%を含有するハンダ合金が開示されている。 Cuはぬれ性を損なうことな く合金の強度と耐熱性を向上させる。 Niを添加すると合金の熱的安定性が増し、強 度や熱疲労特性が向上すると主に、 Cu基板と接合する際には接合強度を低下させ る要因となる金属間化合物の生成を抑制するとしている。
[0011] 特許文献 5には、 Sn— 4. 7Ag— 1. 7Cuノヽンダ合金に、さらに Ni、 Fe、 Coを含有 させる発明が記載されている。 Ni、 Fe、 Coの各元素は、少なくとも約 0. 01重量%を 添加することにより、 Cu電極との接合金属間界面の形態構造が改良され、特に凝固 したままの金属間界面の厚さが薄くなるとして 、る。
特許文献 1:特開平 5 - 50286号公報
特許文献 2:特開 2002— 239780号公報
特許文献 3:特開 2004— 141910号公報 特許文献 4:特許第 3296289号公報
特許文献 5:特表 2001 - 504760号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0012] ハンダ合金の耐衝撃性については、シリコンチップ上の電極とプリント基板上の電 極とをハンダ接合し、この部材を定盤の上において、ロッドタイプ'プローブを落下さ せ、ハンダ接合に破断が生じるまでの落下回数を耐衝撃落下回数として評価するこ とがでさる。
[0013] 特許文献 1〜5に記載の鉛フリーハンダ合金については、上記方法で加速度 1500 G程度を負荷して耐衝撃性評価を行ったときに耐衝撃落下回数 50〜60回程度であ つた o
[0014] 最近は、ハンダ合金の耐衝撃性に対する要求はさらに厳しくなつている。ロッドタイ プ.プローブの落下実験において、 5cmの位置から質量 30gのロッドタイプ'プローブ を落下させ、加速度約 10000Gの衝撃を与える耐衝撃性評価において、耐衝撃落 下回数 60回を超える良好な耐衝撃性が要求されるようになってきた。このような厳し V、条件では、従来のハンダ合金の耐衝撃落下回数は 30回にも満たな 、。
[0015] 一方、ハンダ合金の耐振動性については、電子部品を搭載したプリント基板に対し て 3点支持による繰返し曲げ試験を行うことで評価することができる。自動車搭載用 電子部材においては、要求特性が非常に高いため、基板変位 3mm以上の過負荷の 状態での評価が行われて!/、る。
[0016] 特許文献 1〜4に記載の鉛フリーハンダ合金については、上記方法で耐振動性評 価を行ったときに、 Cu—OSP電極上に形成した場合はその成績が曲げ試験で 800 回以下程度の耐久性があり、 NiZAu電極上に形成した場合は 200回以下程度の 耐久性であった。
[0017] 最近の自動車搭載用電子部材においては、ハンダ合金の耐振動性に対する要求 はさらに厳しくなつている。上記耐振動性評価の曲げ試験において、 Cu—OSP電極 上に形成した場合で 1000回以上、 NiZAu電極上に形成した場合で 200回以上の 耐久性を示す良好な耐振動性が要求されるようになってきた。 本発明は、耐衝撃性 につ 、て上記目標性能を実現する鉛フリーハンダ合金及び該鉛フリーハンダ合金を 用いたノヽンダボール並びに該鉛フリーハンダ合金を用いたノヽンダバンプを有する電 子部材を提供することを目的とする。
[0018] また、本発明は、耐振動性について上記目標性能を実現する自動車搭載電子部 材用鉛フリ一ハンダ合金及び該鉛フリーハンダ合金を用 、たノヽンダボール並びに該 鉛フリーハンダ合金を用いたノヽンダバンプを有する自動車搭載用電子部材を提供す ることを目的とする。
課題を解決するための手段
[0019] Cu電極の上に Sn— Ag— Cu系鉛フリーハンダ合金による接合部を形成すると、 C u電極の直上に Cu Sn金属間化合物の層が形成され、さらにその上に Cu Sn金属
3 6 5 間化合物層が形成され、その上にハンダ合金層が形成される。また、標準的 CuZNi ZAuメツキ基板の上に Sn— Ag— Cu系鉛フリーハンダ合金による接合部を形成す ると、 Ni電極上に Ni Sn金属間化合物層が形成され、さらにその上に Cu Sn金属
3 4 6 5 間化合物層が形成され、その上にハンダ合金層が形成される。
[0020] これら電極上に形成されたハンダバンプの耐衝撃性を評価する試験を行うと、 Cu 電極上のハンダバンプの場合には Cu Sn金属間化合物と Cu Sn金属間化合物との
3 6 5
界面で破断が発生する。 CuZNiZAuメツキ基板上のハンダバンプの場合には Ni
3
Sn金属間化合物と Cu Sn金属間化合物との界面で破断が発生する。いずれの場
4 6 5
合も、 2層に形成された金属間化合物の層間にお 、て破断が発生して ヽる。
[0021] これら破断発生の原因として、 Cu Sn金属間化合物層の歪が破断の主因であると
6 5
考えることができる。もしそうであれば、 Cu Sn金属間化合物層の歪を緩和すれば、
6 5
2層の金属間化合物層の層間での破断発生が抑えられ、結果としてハンダ接合部の 耐衝撃性を向上させることができるはずである。
[0022] Cu Sn金属間化合物層中の Cu原子サイトを、 Cuより原子半径の小さ 、原子種で
6 5
置換することにより、 Cu Sn金属間化合物層の歪を緩和できる。 Niが Cuより原子半
6 5
径の小さい原子種に該当する。さらに、ハンダ合金中に微量の Feを含有することによ り、効率的に Cu Sn金属間化合物の Cu原子を Niや Coで置換できることを見いだし [0023] そこで、 Ag : 1. 0〜2. 0質量0 /0、 Cu: 0. 3〜1. 0質量%を含有する Sn—Ag— Cu 系鉛フリーハンダ合金に、 Ni: 0. 005〜0. 10質量%を含有させ、このハンダ合金を 用いて Cu電極との接合部を形成し、耐衝撃性を評価したところ、耐衝撃落下回数が 60回を超え、耐落下衝撃特性が向上することが明らかになった。さらに、 Fe : 0. 000 1〜0. 005質量%を含有させ、このハンダ合金を用いて電極との接合部を形成し、 耐衝撃性を評価したところ、耐衝撃落下回数が 80回以上と飛躍的に向上することが 明らかになった。上記成分にさらに Co : 0. 005-0. 1質量%を含有することにより、 一層の耐衝撃性向上効果を得ることができる。
[0024] また、上記電極上に形成されたハンダバンプの耐振動性を評価する繰り返し曲げ 試験を行うと、最終的に亀裂が発生する箇所は、ハンダ合金の成分によって相違す る。特許文献 1に記載のように、 Ag含有量が 3〜4質量%の311— Ag— Cuノヽンダ合 金の場合には、 Cu電極上のハンダバンプの場合には Cu Sn金属間化合物と Cu Sn
3 6 金属間化合物との界面で破断が発生する。 CuZNiZAu
5 メツキ基板上のハンダバ ンプの場合には Ni Sn金属間化合物と Cu Sn金属間化合物との界面で破断が発
3 4 6 5
生する。いずれの場合も、 2層に形成された金属間化合物の層間において破断が発 生している。一方、特許文献 2に記載のように、 Ag含有量が 1〜2質量%程度の Sn — Ag— Cuノヽンダ合金の場合には、亀裂は金属間化合物層ではなぐハンダ合金の 領域内を進展する。即ち、 Ag含有量が 3〜4質量%ではハンダ合金そのものの疲労 強度は高いものの金属間化合物層の疲労強度が十分ではなぐ Ag含有量が 1〜2 質量%程度ではハンダ合金の疲労強度が十分ではなぐいずれの場合も耐振動性 の限界となっていた。
[0025] 以上のとおり、自動車搭載用の電子部材に用いるハンダ合金の耐振動性を向上す るためには、ハンダ合金そのものの疲労強度と、電極とハンダ合金との境界に形成さ れる金属間化合物層の疲労強度とを、同時に増大させることが必要であるとわ力つた 。これらのうち、電極とハンダ合金との境界に形成される金属間化合物層の疲労強度 の増大については、金属間化合物層の境界で発生する破断発生の原因として、 Cu
6
Sn金属間化合物層の歪が破断の主因であると考えることができる。従って、耐衝撃
5
性について上記したと同様に、 Cu Sn金属間化合物層の歪を緩和すれば、 2層の 金属間化合物層の層間での破断発生が抑えられ、結果としてハンダ接合部の耐振 動性を向上させることができるはずである。
[0026] 一方、ハンダ合金そのものの疲労強度の増大について考えると、ハンダ合金中に 微量に添加した Fe、 Ni、 Co等によってハンダ合金の強度が増大し、その結果として ハンダ合金の疲労強度が向上することが判明した。
[0027] 本発明は上記知見に基づいてなされたものであり、その要旨とするところは以下の 通りである。
[0028] 本発明の請求項 1記載の鉛フリーハンダ合金は、 Ag : 1. 0〜2. 0質量0 /0、 Cu: 0.
3〜1. 0質量%、Ni: 0. 005〜0. 10質量%を含有し、残部 Sn及び不可避不純物 力もなることを特徴とする鉛フリーハンダ合金である。
[0029] 本発明の請求項 2記載の鉛フリーハンダ合金は、前記 Niの含有量が 0. 005-0.
07質量%であることを特徴とする請求項 1記載の鉛フリーハンダ合金である。
[0030] 本発明の請求項 3記載の鉛フリーハンダ合金は、 Fe : 0. 0001〜0. 005質量%を 含有することを特徴とする請求項 1又は 2に記載の鉛フリーハンダ合金である。
[0031] 本発明の請求項 4記載の鉛フリーハンダ合金は、 Co : 0. 005〜0. 10質量%を含 有するとともに、 Ni+Co + Fe≤0. 10質量%であることを特徴とする請求項 3に記載 の鉛フリーハンダ合金である。
[0032] 本発明の請求項 5記載の鉛フリーハンダ合金は、 Co : 0. 005〜0. 10質量%を含 有し、 Ni、 Co、 Feの添カ卩量比が、 Ni: Co :Fe = 10 : (3〜7): (0. 02〜2)の範囲で あることを特徴とする請求項 3記載の鉛フリーハンダ合金である。
[0033] 本発明の請求項 6記載の鉛フリーハンダ合金は、含有酸素濃度が 0. 0020質量% 以下であることを特徴とする請求項 1乃至 5のいずれかに記載の鉛フリーハンダ合金 である。
[0034] 本発明の請求項 7記載の鉛フリーハンダ合金は、 Cr: 0. 0005〜0. 0050質量0 /0、 V: 0. 0005-0. 0050質量%の 1種又は 2種を含有することを特徴とする請求項 1 乃至 6のいずれかに記載の鉛フリーハンダ合金である。
[0035] 本発明の請求項 8記載の鉛フリーハンダ合金は、 Sb : 0. 01〜0. 5質量%を含有 することを特徴とする請求項 1乃至 7のいずれかに記載の鉛フリーハンダ合金である [0036] 本発明の請求項 9記載の鉛フリーハンダ合金は、 P:0. 0005〜0. 005質量0 /0、 G e :0. 0005〜0. 01質量%の 1種又は 2種を含有し、かつ P + Ge≤0. 01質量%で あることを特徴とする請求項 1乃至 8のいずれかに記載の鉛フリーハンダ合金である。
[0037] 本発明の請求項 10記載のハンダボールは、請求項 1乃至 9のいずれかに記載の 鉛フリーハンダ合金を用いてなることを特徴とするハンダボールである。
[0038] 本発明の請求項 11記載のハンダボールは、ボール直径が 300 μ m以下であること を特徴とする請求項 10に記載のハンダボールである。
[0039] 本発明の請求項 12記載の電子部材は、請求項 1乃至 9のいずれかに記載の鉛フリ 一ハンダ合金を用いたハンダバンプを有することを特徴とする電子部材である。
[0040] 本発明の請求項 13記載の電子部材は、 Cu電極、 Ni電極又は CuZNiZAuメツキ 基板上にハンダバンプが形成されてなることを特徴とする請求項 12に記載の電子部 材である。
[0041] 本発明の請求項 14記載の電子部材は、複数の電子部品間をノ、ンダ電極によって 接合した電子部材であって、該ハンダ電極の一部又は全部は、請求項 1乃至 9のい ずれかに記載の鉛フリーハンダ合金を用いてなることを特徴とする電子部材である。
[0042] 本発明の請求項 15記載の自動車搭載電子部材用鉛フリーハンダ合金は、請求項 1, 2, 3, 5乃至 9のいずれかに記載の鉛フリーハンダ合金を用いてなることを特徴と する自動車搭載電子部材用鉛フリーハンダ合金である。
[0043] 本発明の請求項 16記載の自動車搭載電子部材用鉛フリーハンダ合金は、 Co: 0.
005-0. 10質量%を含有することを特徴とする請求項 1乃至 3のいずれかに記載の 鉛フリーハンダ合金を用いてなる自動車搭載電子部材用鉛フリーハンダ合金である
[0044] 本発明の請求項 17記載の自動車搭載電子部材用鉛フリーハンダ合金は、 Ni+C o + Fe≤0. 10質量%であることを特徴とする請求項 16に記載の自動車搭載電子部 材用鉛フリーハンダ合金である。
[0045] 本発明の請求項 18記載の自動車搭載電子部材用鉛フリーハンダ合金は、含有酸 素濃度が 0. 0020質量%以下であることを特徴とする請求項 16又は 17に記載の自 動車搭載電子部材用鉛フリーハンダ合金である。
[0046] 本発明の請求項 19記載の自動車搭載電子部材用鉛フリーハンダ合金は、 Cr:0.
0005〜0. 0050質量0 /0、 V:0. 0005〜0. 0050質量0 /0の 1種又は 2種を含有する ことを特徴とする請求項 16乃至 18のいずれかに記載の自動車搭載電子部材用鉛フ リーハンダ合金である。
[0047] 本発明の請求項 20記載の自動車搭載電子部材用鉛フリーハンダ合金は、 Sb: 0.
01〜0. 5質量%を含有することを特徴とする請求項 16乃至 19のいずれかに記載の 自動車搭載電子部材用鉛フリーハンダ合金である。
[0048] 本発明の請求項 21記載の自動車搭載電子部材用鉛フリーハンダ合金は、 P: 0. 0
005〜0. 005質量0 /0、 Ge:0. 0005〜0. 01質量0 /0の 1種又は 2種を含有し、力つ P
+ Ge≤0. 01質量%であることを特徴とする請求項 16乃至 20のいずれかに記載の 自動車搭載電子部材用鉛フリーハンダ合金である。
[0049] 本発明の請求項 22記載の自動車搭載電子部材用ハンダボールは、請求項 15乃 至 21のいずれかに記載の自動車搭載電子部材用鉛フリーハンダ合金を用いてなる ことを特徴とする自動車搭載電子部材用ハンダボールである。
[0050] 本発明の請求項 23記載の自動車搭載電子部材用ハンダボールは、ボール直径が
300 μ m以下であることを特徴とする請求項 22に記載の自動車搭載電子部材用ハ ンダボールである。
[0051] 本発明の請求項 24記載の自動車搭載用電子部材は、請求項 15乃至 21のいずれ かに記載の自動車搭載電子部材用鉛フリーハンダ合金を用いたハンダバンプを有 することを特徴とする自動車搭載用電子部材である。
[0052] 本発明の請求項 25記載の自動車搭載用電子部材は、 Cu電極、 Ni電極又は CuZ
NiZAuメツキ基板上にハンダバンプが形成されてなることを特徴とする請求項 24に 記載の自動車搭載用電子部材である。
[0053] 本発明の請求項 26記載の自動車搭載用電子部材は、複数の電子部品間をハン ダ電極によって接合した電子部材であって、該ハンダ電極の一部又は全部は、請求 項 15乃至 21のいずれかに記載の自動車搭載電子部材用鉛フリーハンダ合金を用
V、てなることを特徴とする自動車搭載用電子部材である。 [0054] 本発明の請求項 27記載の電子部材は、複数の電子部品間をノ、ンダ電極によって 接合した電子部材であって、該ハンダ電極の一部又は全部は、請求項 15乃至 21の いずれかに記載の自動車搭載電子部材用鉛フリーハンダ合金を用いてなり、自動車 に搭載されて ヽることを特徴とする電子部材である。
発明の効果
[0055] 本発明は、 Ag: l. 0〜2. 0質量%、 Cu: 0. 3〜1. 0質量%を含有する Sn— Ag— Cu系鉛フリーハンダ合金に、 Ni: 0. 005-0. 10質量%を含有することにより、電極 とハンダ合金との境界に形成される金属間化合物層の層間での破断発生を抑えるこ とができる。従って、本発明では、鉛フリーハンダ合金を用いた接合部の耐衝撃性を 大幅に改善することが可能となる。
[0056] さらに、本発明は、上記構成を採用することにより、ハンダ合金そのものの疲労強度 と、電極とハンダ合金との境界に形成される金属間化合物層の疲労強度とを、同時 に増大させることができる。従って、本発明では、該鉛フリーハンダ合金を用いた接 合部の耐振動性を大幅に改善し、自動車搭載用電子部材の耐振動特性を向上する ことが可能となる。
発明を実施するための最良の形態
[0057] 1.実施形態
(1)第 1実施形態
本発明においては、 Ag : l. 0〜2. 0質量%、 Cu: 0. 3〜1. 0質量%を含有する S 11ー八8—じ11系鉛フリーハンダ合金に、?^: 0. 005〜0. 10質量0 /0を含有することに より、該鉛フリーハンダ合金を用いた接合部の耐衝撃性を大幅に改善することを見出 した。以下、ハンダ合金中に Niを含有することにより、なぜ耐衝撃性が大幅に改善す るに到ったかについて、詳細に推論を行う。
[0058] Cu電極の上に Sn— Ag— Cu系鉛フリーハンダ合金による接合部を形成すると、 C u電極の直上に Cu Sn金属間化合物の層が形成され、さらにその上に Cu Sn金属
3 6 5 間化合物層が形成され、その上にハンダ合金層が形成される。また、標準的 CuZNi ZAuメツキ基板の上に Sn— Ag— Cu系鉛フリーハンダ合金による接合部を形成す ると、 Ni電極上に Ni Sn金属間化合物層が形成され、さらにその上に Cu Sn金属 間化合物層が形成され、その上にハンダ合金層が形成される。
[0059] 前述のとおり、これら電極上に形成されたハンダバンプの耐衝撃性を評価する試験 を行うと、 Cu電極上のハンダバンプの場合には Cu Sn金属間化合物と Cu Sn金属
3 6 5 間化合物との界面で破断が発生する。 CuZNiZAuメツキ基板上のハンダバンプの 場合には Ni Sn金属間化合物と Cu Sn金属間化合物との界面で破断が発生する。
3 4 6 5
V、ずれの場合も、 2層に形成された金属間化合物の層間にお ヽて破断が発生して!/ヽ る。
[0060] 本発明においては、 Cu Sn金属間化合物層の歪が破断の主因であることを見出し
6 5
、さらに Cu Sn金属間化合物層の歪を緩和することにより、 2層の金属間化合物層
6 5
の層間での破断発生が抑えられ、結果としてハンダ接合部の耐衝撃性を向上させ得 ることを見出した。
[0061] ハンダ接合された電極部付近の応力形成状況を確認すると、 Cu電極の場合の Cu
3
Sn(Ni電極の場合は Ni Sn )金属間化合物には圧縮応力が発生し、その上の Cu S
3 4 6 n金属間化合物層には引張応力が発生している。従って、 Cu Sn金属間化合物層
5 6 5
中の Cu原子サイトを、 Cuより原子半径の小さい原子種で置換することにより、 Cu Sn
6
5金属間化合物層の歪を緩和できることがわかる。 Niが Cuより原子半径の小さい原子 種に該当する。
[0062] 上述のとおり、 Cu電極の上に Sn— Ag— Cu系鉛フリーハンダ合金による接合部を 形成すると、 Cu電極の直上に Cu Sn金属間化合物の層が形成され、さらにその上
3
に Cu Sn金属間化合物層が形成される。 Cu Sn金属間化合物について詳細に検
6 5 6 5
討する。ハンダ合金中に 3d金属元素である Niが含まれる場合、 Niは Cu Sn金属間
6 5 化合物の Cuを置換する形で金属間化合物中に含有される。
[0063] Niは Cuに比較して原子半径が小さ!/、。従って、 Cu Sn金属間化合物の Cuが Ni
6 5
で置換されると、置換されていない場合と比較して平均的格子定数が小さくなるため 金属間化合物が収縮し、 Cu Sn金属間化合物層が有していた圧縮応力が緩和され
6 5
、隣接する Cu Sn金属間化合物層との間の歪が緩和されることとなる。
3
[0064] この点を確認するため、 Cu Sn相の 3d金属元素置換の状態を第一原理計算によ
6 5
つて解析した。 Cu Sn相の特定の Cuサイトを 3d金属元素で置換したときの、置換元 素と隣接 Cu原子及び隣接 Sn原子との距離の平均を第一原理計算によって算出す ると、置換元素が Niの場合、 Cuから置換することによって隣接 Cu原子との距離は増 大し、隣接 Sn原子との距離は短縮している。置換元素が Cr、 Vの場合も同様である
[0065] 実際、 Sn— Ag— Cu系ハンダ合金について金属間化合物層の成長状況を対比す ると、 Niを添加しない場合には Cu Sn金属間化合物層が大きくかつ不均一に成長
6 5
するのに対し、 Niを添加した場合には Cu Sn金属間化合物層の厚さが薄くなり、か
6 5
つ均一成長していることがわ力つた。このような金属間化合物層の形態変化によって も、金属間化合物層間を起点とする割れの発生を効果的に防止しているものと考え られる。
[0066] ハンダ合金中に Niを含有することにより、耐衝撃性が大幅に改善するに到った理 由は、以上のようなメカニズムによるものと推定される。
[0067] 次に、ハンダ合金中の各合金元素の成分限定理由について説明する。
[0068] Ag : Sn— Ag— Cu系鉛フリーハンダにおいて、 Ag含有量が多すぎると、析出する
Ag Sn金属間化合物が多くなり、ハンダ合金が脆くなりあるいは硬くなるため、耐落
3
下衝撃特性が悪ィ匕する。 Ag含有量が 2. 0質量%以下であれば、良好な耐落下衝 撃特性を確保することができる。一方、 Ag含有量が少なすぎると、ハンダ合金の液相 線温度が高くなる。 Ag含有量が 1. 0質量%以上であれば、十分に低い液相線温度 を確保することができる。例えば Cu含有量 0. 5質量%において、 Ag含有量が 1. 0 質量%であれば液相線温度は 227°Cを確保することができる。
[0069] Cu: Sn— Ag— Cu系鉛フリーハンダにおいて、 Cu含有量が低すぎるとハンダ合金 の液相線温度が高くなる。 Cu含有量が 0. 3質量%以上であれば、ハンダ合金の液 相線温度を 227°C以下に抑えることができる。一方、 Cu含有量が多すぎるとハンダ 合金のビッカース硬度が上昇するので好ましくない。 Cu含有量が 1. 0質量%以下で あれば、例えば Ag含有量 1. 5質量%においてビッカース硬度上昇代を 10%以下に 抑えることができる。
[0070] Ni: Niは本発明にお ヽてハンダ合金の耐衝撃性を向上させる主要な含有成分で ある。 Ni含有量が 0. 005質量%以上であれば、前述のとおり Niによって金属間化合 物の歪が低減し耐衝撃性の向上効果を実現することができる。 Ni含有量が 0. 04質 量%以上であればより好まし!/、。
[0071] 従来の Sn— Ag— Cuハンダボールを Cu電極上でリフローすると、電極の Cuがハ ンダ合金中に拡散してハンダバンプを硬くする。これに対し、本発明のように微量 Ni を含有するハンダ合金を用いると、 Niは Cu電極近傍で析出して Cu Sn金属間化合
6 5
物に取り込まれ、 Cuの拡散を抑制する働きを有する。そのため、本発明のハンダ合 金を用いて Cu電極上にリフローしたハンダバンプはハンダ自体が軟らかぐそのため に耐落下衝撃特性がより一層向上する。ただし、ハンダバンプに含まれる Ni含有量 が多すぎると、ハンダ合金を硬くする作用が現れる。
[0072] Cu電極等の電極上において溶融ハンダを用いて接合を行う場合、ハンダ合金中 に含有する Ni成分は、電極上に金属間化合物層が形成される際に優先的に金属間 化合物層中に分配される。この分配のため、液相であるハンダ合金中の Ni含有量は 金属間化合物層の凝固進行とともに減少し、最終凝固後のハンダ合金中 Ni含有量 は、もとのハンダ合金中の Ni含有量の 20〜50%程度にまで減少する。このようにハ ンダ合金中の Ni含有量が減少する結果として、ハンダ合金自身の硬度が低下する。 そのため、落下衝撃時の衝突エネルギーをノヽンダ合金が吸収することができるので、 耐落下衝撃特性改善にも大幅に寄与する。本発明のリフロー前ハンダ合金中の Ni 含有量が 0. 07質量%を超えると、リフロー後ハンダ合金中の残留 Niが多くなりハン ダ合金を硬くするので、本発明では、耐落下衝撃特性を改善するには Ni上限を 0. 1 0質量%、同時にリフロー前後の硬度変化を良好に保つには Ni上限を 0. 07質量% とした。さらに Ni含有量が 0. 12%を超えると液相線温度が高くなるという弊害も発生 する。
[0073] 特許文献 2に記載のハンダ合金は、耐落下衝撃性の向上を目的としたものであり、 選択元素としてさらに Niを含有できるとしている。し力し特許文献 2に記載のものは、 Ni添加の目的がハンダ合金の強度向上にある。ハンダ合金の強度増大は耐衝撃性 にはかえつて悪影響を及ぼすことは特許文献 2にも記載のとおりである。そして、同文 献の実施例における Ni含有量は 0. 3質量%以上であり、このような高い Ni含有量で は本発明の良好な耐衝撃性を実現することはできない。 [0074] 以下、好ま 、選択成分につ!、て説明する。
[0075] O :ハンダ合金中には不純物として Oを含有している。この O濃度が 0. 0020質量 %を超えると、耐落下衝撃特性が O濃度上昇に伴って低下する。そこで、本発明に おいては、含有酸素濃度が 0. 0020質量%以下であると好ましい。
[0076] 本発明において、耐衝撃性を向上させるための 3d金属元素として、上述のように N iが有効であるが、さらに Cr、 Vを添加した場合も同じように耐衝撃性を向上する効果 を有している。
[0077] Cr: Cr含有量 0. 0005質量%以上で耐衝撃性を向上する効果を発揮することがで きる。一方、 Cr含有量が多すぎるとリフロー後のハンダ性状が悪ィ匕したり、ハンダ合 金の濡れ性が低下したり、ハンダ合金の融点が急激に上昇する問題が発生するが、 Cr含有量が 0. 0050質量%以下であればこのような問題を発生させることなく耐衝 撃性向上効果を発揮することができる。
[0078] V:V含有量 0. 0005質量%以上で耐衝撃性を向上する効果を発揮することができ る。一方、 V含有量が多すぎると上記 Cr過多と同様の問題が発生する力 V含有量 が 0. 0050質量%以下であればこのような問題を発生させることなく耐衝撃性向上効 果を発揮することができる。
[0079] Sb :ハンダ合金中に Sbを含有させると、母相である Snデンドライト中に分散し、鉛 フリーハンダ合金の熱サイクル試験等での熱疲労特性を改善することができる。 Sb 含有量が 0. 01質量%以上で熱サイクル疲労特性を改善させることができる。一方、 Sb含有量が 0. 5質量%を超えるとハンダ合金を硬くすることから、耐落下衝撃特性 が悪ィ匕することとなるので、上限を 0. 5質量%とする。
[0080] P及び Ge :鉛フリーハンダ合金中に Pと Geの一方又は両方を添加すると、ハンダ表 面の変色を抑制することができる。ともに 0. 0005質量%以上含有すると変色抑制効 果を発揮することができる。一方、 Pまたは Geの含有量が多すぎると耐落下衝撃特性 が低下する力 P : 0. 005質量%以下、 Ge : 0. 01質量%以下であれば良好な耐落 下衝撃特性を維持することができる。
[0081] Pと Geをともに含有させる場合、 P + Ge≤0. 01質量%とすると耐落下衝撃特性を 良好に保持できるので好まし 、。 [0082] 上記記載の成分を含有する鉛フリーハンダ合金を用いたノ、ンダボールとすると好ま しい。半導体基板、電子部品、プリント基板等の電子部材上の多数の電極にフラック スの粘着力を利用して本発明のハンダボールを粘着させ、っ 、で電子部材を高温に 熱してハンダボールをリフローさせることにより、電極上にハンダバンプを形成する。 このハンダバンプを介して半導体基板等とプリント基板等との間を接合する。このよう にして形成したノヽンダ合金による接合部は、極めて良好な耐衝撃特性を発揮するこ とがでさる。
[0083] 本発明のハンダボールは直径を 300 μ m以下とすると好ましい。ハンダボールの直 径が小さくなるほど、ハンダボールを用いて形成したハンダ接合部の接合断面積が 小さくなるため、耐落下衝撃特性が厳しくなる。そのため、ハンダボールの直径が小 さ 、ほど本発明による耐落下衝撃特性の向上効果を発揮することができる。ハンダボ ール直径が 300 μ m以下の小径ボールにおいて、本発明の耐落下衝撃特性を十分 に発揮することが可能となるからである。
[0084] 上記記載の成分を含有する鉛フリーハンダ合金を用いたノ、ンダバンプを有する電 子部材とすると好ま U、。このハンダバンプを介して半導体基板等とプリント基板等と の間を接合する。このようにして形成したノヽンダ合金による接合部は、極めて良好な 耐衝撃特性を発揮することができる。
[0085] 上記本発明のハンダバンプを有する電子部材は、 Cu電極、 Ni電極又は CuZNi ZAuメツキ基板上にハンダバンプが形成されてなることとすると好ま ヽ。鉛フリーハ ンダ合金と Cu電極、 Ni電極又は Cu/NiZAuメツキ基板との接合部における耐衝 撃特性を改善する効果を有して ヽるからである。
[0086] 複数の電子部品間をノヽンダ電極によって接合した本発明の電子部材であって、該 ハンダ電極の一部又は全部を上記本発明の鉛フリーハンダ合金を用いてなる電子 部材は、そのハンダ電極が極めて良好な耐衝撃特性を発揮することができる。
[0087] なお、上記本発明の鉛フリーハンダ合金を用いてなるハンダバンプ、ハンダ電極は 、前述のとおり、接合時にハンダ合金中の Ni成分は金属間化合物中に優先して分 配され、ハンダ金属部分に分配される Ni含有量はもとのハンダ合金中の Ni含有量よ りも少なくなる。 [0088] (2)第 2実施形態 本発明においては、 Ag : l. 0〜2. 0質量0 /0、 Cu: 0. 3〜1. 0 質量%を含有する Sn— Ag— Cu系鉛フリーハンダ合金に、 Ni: 0. 005〜0. 1質量 %、 Fe : 0. 0001〜0. 005質量0 /0、さらに Co : 0. 005〜0. 1質量0 /0を含有すること により、該鉛フリーハンダ合金を用いた接合部の耐衝撃性を大幅に改善することを見 出した。以下、ハンダ合金中に Niや Coとともに微量の Feを含有することにより、なぜ 耐衝撃性が大幅に改善するに到ったかについての推論は、上記第 1実施形態にお いて述べた通りであるので、簡単に説明する。
[0089] 上述のとおり、 Cu電極の上に Sn— Ag— Cu系鉛フリーハンダ合金による接合部を 形成すると、 Cu電極の直上に Cu Sn金属間化合物の層が形成され、さらにその上
3
に Cu Sn金属間化合物層が形成される。 Cu Sn金属間化合物について詳細に検
6 5 6 5
討する。ハンダ合金中に Ni、 Co、 Fe等の 3d金属元素が含まれる場合、これら 3d金 属元素は Cu Sn金属間化合物の Cuを置換する形で金属間化合物中に含有される
6 5
[0090] Ni、 Co、 Feは、いずれも Cuに比較して原子半径が小さい。従って、 Cu Sn金属
6 5 間化合物の Cuが Ni、 Co、 Feで置換されると、置換されていない場合と比較して平均 的格子定数が小さくなるため金属間化合物が収縮し、 Cu Sn
6 5金属間化合物層が有 していた圧縮応力が緩和され、隣接する Cu Sn金属間化合物層との間の歪が緩和さ
3
れることとなる。
[0091] この点を確認するため、 Cu Sn相の 3d金属元素置換の状態を第一原理計算によ
6 5
つて解析した。 Cu Sn相の特定の Cuサイトを 3d金属元素で置換したときの、置換元
6 5
素と隣接 Cu原子及び隣接 Sn原子との距離の平均を第一原理計算によって算出す ると、置換元素が Ni、 Co、 Feのいずれの場合も、 Cuから置換することによって隣接 Cu原子との距離は増大し、隣接 Sn原子との距離は短縮している。置換元素が Mn、 Cr、 Vの場合も同様である。
[0092] Cu Sn金属間化合物は六方晶系であり、結晶中に 4種類の Cuサイトがある。ここ
6 5
ではこれを Cul、 Cu2、 Cu3、 Cu'と呼ぶ。これら 4種類の各 Cuサイトを Ni、 Co、 Fe が置換するエネルギーと液相 Sn中の Ni、 Co、 Feを模した Sn中での置換エネルギー の差を評価した。その結果、いずれの元素においても Cu'サイトが最も安定であるが 、 Niの方がサイト間のエネルギー差が小さいことと、 NUりも Fe、 Coの方が各 Cuサイ ト特に Cu'サイトに入りやすいことが判明した。従って、ハンダ合金中に Niと Fe、ある いは Niと Coと Feが共存する場合、 Cu Sn金属間化合物の Cu'サイトをまず Feある
6 5
いは Coと Feが優先的に置換し、 Niは他のサイトを多く置換するものと推定される。
[0093] Cu Sn金属間化合物の Cuサイトを他の 3d元素が置換すると、拡散を阻害すること
6 5
ができる。 Coや Feによって Cu'のような特定のサイトのみが優先的に置換されると、 特定の方向の拡散は阻害しがたいが、さらに Niによって他のサイトも置換されると、 等方的に拡散を阻害するため、合金相の成長をさらに抑えることができることとなる。 即ち、 311—八8—じ11系ハンダ合金中に?^と 6、あるいは Niと Coと Feが共存すると、 Cu Sn金属間化合物層の成長を抑えるという効果が期待される。
6 5
[0094] また、 311—八8—じ11系ハンダ合金に微量の 6を含有させることにょり、溶融したノヽ ンダ合金の冷却中に多量の FeSn金属間化合物が生成し、それが初晶の核となるこ
2
とによりデンドライト構造を微細化させることができる。次の熱処理の際に初晶デンドラ イト間から結晶が形成されるため、 Feの微量添カ卩によってデンドライト構造が微細化 された材料については、凹凸の少ない金属間化合物層が形成されることとなる。ただ し、 Fe含有量が多すぎると FeSn金属間化合物相が粗大化するので逆効果となる。
2
[0095] 実際、 Sn— Ag— Cu系ハンダ合金について金属間化合物層の成長状況を対比す ると、 Ni、 Co、 Feを添カ卩しない場合には Cu Sn金属間化合物層が大きくかつ不均
6 5
一に成長するのに対し、 Niと Fe、 Niと Coと Feを添カ卩した場合には Cu Sn金属間化
6 5 合物層の厚さが薄くなり、かつ均一成長していることがわ力つた。このような金属間化 合物層の形態変化によっても、金属間化合物層間を起点とする割れの発生を効果 的に防止しているものと考えられる。
[0096] ハンダ合金中に Niや Coとともに微量の Feを含有することにより、耐衝撃性が大幅 に改善するに到った理由は、以上のようなメカニズムによるものと推定される。
[0097] 次に、ハンダ合金中の各合金元素の成分限定理由について説明する。尚、上記し た第 1実施形態と同様の成分については簡単のため、説明を省略する。
[0098] Ag :Ag含有量が 1. 1〜1. 5質量%、特に 1. 2質量%近傍であると、耐落下衝撃 特'性が特に良好となるので好まし 、。 [0099] Ni:Niは Feとならんで、本発明においてハンダ合金の耐衝撃性を向上させる主要 な含有成分である。 Ni含有量が 0. 005質量%以上であれば、前述の Niによる耐衝 撃性の向上効果を実現することができる。 Ni含有量が 0. 03質量%以上であればよ り好ましい。一方、 Ni含有量が 0. 10質量%を超えると、ハンダ合金の融点が上昇し てしまうので好ましくない。また、 Ni含有量が増大するとハンダ合金の硬さが上昇する ため耐衝撃性の観点力 好ましくない。 Ni含有量が 0. 06質量%以下であればハン ダ合金の硬さが十分に低いレベルにあるので好ましい。 Ni含有量が 0. 05質量%以 下であればより好ましい。
[0100] Fe :本発明においては、微量の Feを含有することにより、上記 Niとの相乗作用によ つて耐衝撃性を画期的に向上することが可能となる。 Fe含有量が 0. 0001質量%以 上であれば本発明の耐衝撃性向上効果を実現することができる。 Fe含有量が 0. 00 05質量%以上であればより好ましい。一方、 Fe含有量が 0. 005質量%を超えると、 リフロー後のハンダ合金表面がザラついたりガサガサになるというような表面状態の 悪化や、ハンダ濡れ性が低下するといつた問題が発生する。また、上述のとおり、 Fe 含有量が多すぎると FeSn金属間化合物相が粗大化するので逆効果となるが、 Fe
2
含有量が 0. 005質量%以下であればこの問題も発生しない。また、 Fe含有量が高 いと耐落下衝撃特性に若干の悪影響を与えるが、 Fe含有量が 0. 001質量%以下 であれば全く問題ない。
[0101] 以下、好ましい選択成分について説明する。尚、上記した第 1実施形態と同様の成 分については簡単のため、説明を省略する。
[0102] Co :本発明においては前述のとおり、ハンダ合金中に Coを含有することによってさ らに良好な耐衝撃性を得ることができる。 Co含有量が 0. 005質量%以上であれば、 Co含有による耐衝撃性向上効果を実現することができる。一方、 Co含有量が多すぎ ると、ハンダ合金自身の硬度が高くなり耐落下衝撃特性が低下したり、ハンダ合金の 融点が上昇するという問題が発生する力 Co含有量が 0. 10質量%以下であればこ の問題は発生しない。
[0103] 本発明においては、 Ni、 Coと Feの含有量を合計で 0. 10質量%以下とすると好ま しい。 Ni、 Co、 Feそれぞれの含有量が前記各成分の含有量範囲に入っていたとし ても、 Ni、 Co、 Feの合計含有量が 0. 10質量%を超えると、ハンダ合金自身の硬度 が高くなつて耐落下衝撃特性が低下したり、ハンダ合金の融点が上昇するという問題 が発生する。
[0104] Ag : l. 0〜2. 0質量0 /0、 Cu: 0. 3〜1. 0質量0 /0、 Ni: 0. 005〜0. 10質量0 /0、 Co
: 0. 005〜0. 10質量0 /o、Fe : 0. 0001〜0. 005質量0 /0を含有し、残部 Sn及び不 可避不純物からなる本発明においては、 Ni、 Co、 Feの添力卩量比力 Ni: Co :Fe= l 0 : (3〜7): (0. 02〜2)の範囲であることとすると好ましい。 Ni、 Co、 Feをともに含有 する本発明のハンダ合金において、 Cu Sn中の Cu原子サイトが、 Cu (原子半径: 1
6 5
. 28A)より原子半径が小さな Ni (原子半径:1. 24A)、Co (原子半径:1. 25A)、 Fe (原子半径: 1. 26 A)のような 8族 3d原子で置換されることにより、 Cu Sn金属間
6 5 化合物層の歪が緩和される。この際、原子半径の観点から、最も効果的な元素は Cu と原子半径サイズ差の大きい Niである。しかしながら Cu Snの Cu原子サイトと最も置
6 5
換されやすい元素は、上述した如く Feである。少量の Feが Cu原子サイトと置換され ると、それがトリガーとなり Cuサイトが Ni原子と置換される。更に Fe原子よりは、 Co原 子は Cu Sn中で効率的に置換されないものの、 Ni原子よりは置換効率が優れてい
6 5
る。 Cu Sn中の Cu原子サイトを Niが部分置換する力 Niが置換できない Cuサイトを
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Coが置換し、トータルとして Cu Sn中の Cu原子サイトを Ni、 Co、 Feで置換すること
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により、金属間化合物中の歪を緩和する。最も効率のより原子は Niである力 NUり 早く析出し Cu Snと置換しやすい元素をそれぞれどのような割合で添加したらよい
6 5
か調べた結果、 Ni: Co :Fe= 10 : (3〜7): (0. 02〜2)の割合の範囲であれば、より 優れた耐落下衝撃特性を発現することを見出した力 である。
[0105] なお、 Ni: Co :Fe= 10 : (3〜7): (0. 02〜2)の範囲とする上記本発明においては
、 Ni含有量が 0. 02質量%以上であると好ましい。 Ni含有量が 0. 03質量%以上で あるとより好ましい。また Ni含有量が 0. 06質量%以下であると好ましい。 Ni含有量 が 0. 05質量%以下であるとより好ましい。 0. 04質量%前後であると最も好ましい。
[0106] 本発明において、耐衝撃性を向上させるための 3d金属元素として、上述のように N iと Fe、さらに Coが有効である力 Feに替え、又は Feとともに、 Cr、 Vを添カ卩した場合 も同じように耐衝撃性を向上する効果を有して 、る。 (3)第 3実施形態
本発明においては、 Ag : l. 0〜2. 0質量%、 Cu: 0. 3〜1. 0質量%を含有する S n— Ag— Cu系の自動車搭載電子部材用鉛フリーハンダ合金に、 Ni: 0. 005-0. 1 質量0 /0、さらに Fe : 0. 0001〜0. 005質量0 /0、 Co : 0. 005〜0. 1質量0 /0を含有す ることにより、該鉛フリーハンダ合金を用いた接合部の耐振動性を大幅に改善するこ とを見出した。以下、ハンダ合金中に Niや Coとともに微量の Feを含有することにより 、なぜ耐振動性が大幅に改善するに到ったかについての推論は、上記第 1及び第 2 実施形態において耐衝撃性について述べたのと同様であるので、簡単に説明する。
[0107] 実際、 Sn— Ag— Cu系ハンダ合金について金属間化合物層の成長状況を対比す ると、 Ni、 Co、 Feを添カ卩しない場合には Cu Sn金属間化合物層が大きくかつ不均
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一に成長するのに対し、 Ni、 Niと Fe、 Coと Fe、 Niと Coと Feを添カ卩した場合には Cu
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Sn金属間化合物層の厚さが薄くなり、かつ均一成長していることがわ力つた。このよ
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うな金属間化合物層の形態変化によっても、金属間化合物層間を起点とする割れの 発生を効果的に防止しているものと考えられる。
[0108] ハンダ合金中に Ni、 Co、 Feを含有させると、その大半は上述のように電極界面に 優先して分配し、金属間化合物層間の歪を緩和し、厚みを均一に薄くするように働く 。一方、ハンダ内においても微量に残存した Ni、 Co、 Feにより、ハンダ合金自身の 疲労強度が向上することが判明した。即ち、これら成分を微量に含有させることにより 、金属間化合物層付近での疲労強度とハンダ合金の疲労強度の両方を同時に改善 することが可能になるのである。
[0109] ハンダ合金中に Niや Coを含有し、さらにこれらとともに微量の Feを含有することに より、耐振動性が大幅に改善するに到った理由は、以上のようなメカニズムによるもの と推定される。
[0110] 次に、ハンダ合金中の各合金元素の成分限定理由について説明する。
[0111] Ag : Sn— Ag— Cu系の自動車搭載電子部材用鉛フリーハンダにおいて、 Ag含有 量が多すぎると、析出する Ag Sn金属間化合物が多くなり、ハンダ合金が脆くなりあ
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るいは硬くなるため、耐振動特性が悪化する。 Ag含有量が 2. 0質量%以下であれ ば、良好な耐振動特性を確保することができる。一方、 Ag含有量が少なすぎると、ハ ンダ合金の液相線温度が高くなる。 Ag含有量が 1. 0質量%以上であれば、十分に 低い液相線温度を確保することができる。例えば Cu含有量 0. 5質量%において、 A g含有量が 1. 0質量%であれば液相線温度は 227°Cを確保することができる。
[0112] Cu: Sn—Ag— Cu系の自動車搭載電子部材用鉛フリーハンダにおいて、 Cu含有 量が低すぎるとハンダ合金の液相線温度が高くなる。 Cu含有量が 0. 3質量%以上 であれば、ハンダ合金の液相線温度を 227°C以下に抑えることができる。一方、 Cu 含有量が多すぎるとハンダ合金のビッカース硬度が上昇するので好ましくな 、。 Cu 含有量が 1. 0質量%以下であれば、例えば Ag含有量 1. 5質量%においてピッカー ス硬度上昇代を 10%以下に抑えることができる。
[0113] Ni: Niは本発明にお ヽてハンダ合金の耐振動性を向上させる主要な含有成分で ある。 Ni含有量が 0. 005質量%以上であれば、前述の Niによる耐振動性の向上効 果を実現することができる。 Ni含有量が 0. 03質量%以上であればより好ましい。一 方、 Ni含有量が 0. 10質量%を超えると、ハンダ合金の融点が上昇してしまうので好 ましくない。また、 Ni含有量が増大するとハンダ合金の硬さが上昇するため耐振動性 の観点力 好ましくない。 Ni含有量が 0. 06質量%以下であればノ、ンダ合金の硬さ が十分に低いレベルにあるので好ましい。 Ni含有量が 0. 05質量%以下であればよ り好ましい。
[0114] 以下、好ましい選択成分について説明する。
[0115] Fe :本発明においては、微量の Feを含有することにより、上記 Niとの相乗作用によ つて耐振動性を画期的に向上することが可能となる。 Fe含有量が 0. 0001質量%以 上であれば本発明の耐振動性向上効果を実現することができる。 Fe含有量が 0. 00 05質量%以上であればより好ましい。一方、 Fe含有量が 0. 005質量%を超えると、 リフロー後のハンダ合金表面がザラついたりガサガサになるというような表面状態の 悪化や、ハンダ濡れ性が低下するといつた問題が発生する。また、上述のとおり、 Fe 含有量が多すぎると FeSn金属間化合物相が粗大化するので逆効果となるが、 Fe
2
含有量が 0. 005質量%以下であればこの問題も発生しない。また、 Fe含有量が高 いと耐振動特性に若干の悪影響を与えるが、 Fe含有量が 0. 001質量%以下であれ ば全く問題ない。 [0116] Co :本発明においては前述のとおり、ハンダ合金中に Coを含有することによってさ らに良好な耐振動性を得ることができる。 Co含有量が 0. 005質量%以上であれば、 Co含有による耐振動性向上効果を実現することができる。一方、 Co含有量が多すぎ ると、ハンダ合金自身の硬度が高くなり耐振動特性が低下したり、ハンダ合金の融点 が上昇するという問題が発生する力 Co含有量が 0. 10質量%以下であればこの問 題は発生しない。
[0117] 本発明においては、 Ni、 Coと Feの含有量を合計で 0. 10質量%以下とすると好ま しい。 Ni、 Co、 Feそれぞれの含有量が前記各成分の含有量範囲に入っていたとし ても、 Ni、 Co、 Feの合計含有量が 0. 10質量%を超えると、ハンダ合金自身の硬度 が高くなつて耐振動特性が低下したり、ハンダ合金の融点が上昇するという問題が発 生する。
[0118] Cu電極等の電極上において溶融ハンダを用いて接合を行う場合、ハンダ合金中 に含有する Ni、 Co成分は、電極上に金属間化合物層が形成される際に優先的に金 属間化合物層中に分配される。この分配のため、液相であるハンダ合金中の Ni、 Co 含有量は金属間化合物層の凝固進行とともに減少し、最終凝固後のハンダ合金中 Ni、 Co含有量は、もとのハンダ合金中の Ni、 Co含有量の 20〜50%程度にまで減 少する。このようにハンダ合金中の Ni、 Co含有量が減少する結果として、ハンダ合金 自身の硬度が低下する。そのため、繰り返し曲げ試験時の衝撃エネルギーをノ、ンダ 合金が吸収することができるので、耐振動特性改善にも大幅に寄与する。
[0119] Ag : l. 0〜2. 0質量0 /0、 Cu: 0. 3〜1. 0質量0 /0、 Ni: 0. 005〜0. 10質量0 /0、 Co
: 0. 005〜0. 10質量0 /o、Fe : 0. 0001〜0. 005質量0 /0を含有し、残部 Sn及び不 可避不純物からなる本発明においては、 Ni、 Co、 Feの添力卩量比力 Ni: Co :Fe= l 0 : (3〜7): (0. 02〜2)の範囲であることとすると好ましい。 Ni、 Co、 Feをともに含有 する本発明のハンダ合金において、 Cu Sn中の Cu原子サイトが、 Cu (原子半径: 1
6 5
. 28A)より原子半径が小さな Ni (原子半径:1. 24A)、Co (原子半径:1. 25A)、 Fe (原子半径: 1. 26 A)のような 8族 3d原子で置換されることにより、 Cu Sn金属間
6 5 化合物層の歪が緩和される。この際、原子半径の観点から、最も効果的な元素は Cu と原子半径サイズ差の大きい Niである。しかしながら Cu Snの Cu原子サイトと最も置 換されやすい元素は、上述した如く Feである。少量の Feが Cu原子サイトと置換され ると、それがトリガーとなり Cuサイトが Ni原子と置換される。更に Fe原子よりは、 Co原 子は Cu Sn中で効率的に置換されないものの、 Ni原子よりは置換効率が優れてい
6 5
る。 Cu Sn中の Cu原子サイトを Niが部分置換する力 Niが置換できない Cuサイトを
6 5
Coが置換し、トータルとして Cu Sn中の Cu原子サイトを Ni、 Co、 Feで置換すること
6 5
により、金属間化合物中の歪を緩和する。最も効率のよい原子は Niである力 NUり 早く析出し Cu Snと置換しやすい元素をそれぞれどのような割合で添加したらよい
6 5
か調べた結果、 Ni: Co :Fe= 10 : (3〜7): (0. 02〜2)の割合の範囲であれば、より 優れた耐振動特性を発現することを見出したからである。
[0120] なお、 Ni: Co :Fe= 10 : (3〜7): (0. 02〜2)の範囲とする上記本発明においては 、 Ni含有量が 0. 02質量%以上であるとより好ましい。 0. 03質量%以上であるとさら に好ましい。また Ni含有量が 0. 06量%以下であるとより好ましい。 0. 05量%以下で あるとさらに好ましい。
[0121] 本発明の自動車搭載用電子部材は、上記記載の成分を含有する鉛フリーハンダ 合金を用いたノヽンダバンプを有する電子部材とすると好まし 、。このハンダバンプを 介して半導体基板等とプリント基板等との間を接合する。このようにして形成したノヽン ダ合金による接合部は、極めて良好な耐振動特性を発揮することができるので、自動 車搭載用電子部材として好適に使用することができる。
[0122] 上記本発明のハンダバンプを有する自動車搭載用電子部材は、 Cu電極、 Ni電極 又は CuZNiZAuメツキ基板上にハンダバンプが形成されてなることとすると好まし い。鉛フリーハンダ合金と Cu電極、 Ni電極又は CuZNiZAuメツキ基板との接合部 における耐振動特性を改善する効果を有しているからである。
[0123] 複数の電子部品間をノヽンダ電極によって接合した本発明の電子部材であって、該 ハンダ電極の一部又は全部を上記本発明の鉛フリーハンダ合金を用いてなる自動 車搭載用電子部材は、そのハンダ電極が極めて良好な耐振動特性を発揮すること ができるので、自動車搭載用電子部材として好適に使用することができる。
[0124] 複数の電子部品間をノヽンダ電極によって接合した本発明の電子部材であって、該 ハンダ電極の一部又は全部を上記本発明の鉛フリーハンダ合金を用いてなり、自動 車に搭載されて ヽる電子部材は、そのハンダ電極が極めて良好な耐振動特性を発 揮することができるので、 自動車走行時に受ける振動に十分に耐えることができる。
[0125] なお、上記本発明の鉛フリーハンダ合金を用いてなるハンダバンプ、ハンダ電極は 、前述のとおり、接合時にハンダ合金中の Ni、 Co成分は金属間化合物中に優先し て分配され、ハンダ金属部分に分配される Ni、 Co含有量はもとのハンダ合金中の Ni 、 Co含有量よりも少なくなる。
2.実施例
( 1)第 1実施形態に対応する実施例
表 1〜4に示す各成分を有するハンダ合金を用い、直径 300 μ mのハンダボールを 作成した。
[0126] ハンダボールを接合する電極を有する基板として、 FR— 4製のプリント基板を用意 した。プリント基板のサイズは 160mm X 64mm X 0. 8mm (厚さ)である。プリント基 板上には、 240 πι φサイズの電極が 324個配置されている。電極として Cu—OSP を用ぃたものと?^ (3〜5 111メッキ)7八11 (0. 03〜0. 05 mメツキ)の 2種類を用い た。ハンダボールを介して上記プリント基板と接合する実装部品として、 9. 6mm角、 厚さ 0. 7mmのシリコンチップを用いた。シリコンチップ上には、プリント基板上の電極 と対応する位置に 240 μ ΐη φサイズの電極が 324個配置されている。電極材質は Cr (0. 07 ^ πι) /Νί (0. 8 /ζ πι) ΖΑιι (0.: L m)である。プリント基板とシリコンチップ の電極間がハンダ接合されると、各電極を直列でつなぐ回路が形成されるようになつ ている。
[0127] 実装プロセスとして、まず上記シリコンチップ側の電極に、用意したノヽンダボールを 搭載した上でリフローし、ハンダバンプを形成する。次にハンダバンプを形成したシリ コンチップをプリント基板にフリップチップ接続し、ピーク温度 250°Cでリフローし、シリ コンチップの電極とプリント基板の電極とを接合し、評価部材を形成した。
[0128] 耐落下衝撃特性の評価は、株式会社ティーテック製全自動衝撃試験装置 BIT— 6 00Sを用いた。上記接合した評価部材を、シリコンチップ側を下にして定盤に配置す る。次に質量 30gのロッドタイプ ·プローブを 5cmの高さから評価部材上に落下させる 。評価部材に加わる衝撃加速度は、加速度センサー (TEAC社製)でモニターして おり、評価部材上での衝撃加速度は 8000Gから 12000Gである。
[0129] 破断の評価は、評価部材中の前記回路に定電流電源を接続し、電圧をモニタリン グして、抵抗値が初期値の 2倍になる時点までの繰り返し落下回数を耐衝撃落下回 数とした。このとき、落下時の基板たわみにより生じる瞬断を破断として認識するため 、 1MHzのサンプリングレートを持つ測定器を使用した。
[0130] 耐落下衝撃特性の評価において、 Cu— OSP電極を用いた基板の場合には、破断 までの落下回数力 S〇〜30回を X、 31〜60回を△、 61〜80回を〇、 81回以上を◎と した。一方、 NiZAu電極を用いた基板の場合には、破断までの落下回数が 0〜10 回を X、 11〜20回を△、 21〜40回を〇、41回以上を◎とした。
[0131] ハンダ接合の耐落下衝撃特性は、ハンダリフロー後のハンダ合金が軟らかいほど 特性が向上する。一方、 Cu電極上にハンダをリフローしたとき、電極の Cuがハンダ 中に拡散するとハンダを硬くする。また、ハンダ合金中の Ni含有量が高すぎると残留 Niがハンダを硬くする。そこで、 Cu—OSP電極上にハンダボールを搭載した上でリ フローし、リフロー前後でのハンダ合金の硬さの変化を評価した。リフロー前後での H V硬度差力 0%未満であれば〇、 40%以上であれば Xとした。
[0132] 熱疲労特性は、落下衝撃特性試験用と同じ実装品 (Cu—OSP電極)を用いて、 - 40°C保持 20分, 125°C保持 20分を繰り返し、回路が破断するまでの高温 低温の 繰り返し数 (熱サイクル数)を計測することで評価し、破断が見られ始める回数が 100 0回以上である場合を〇、 750回以上である場合を△、 500回以下を Xとした。
[0133] 変色についての評価は、作製した評価ハンダボールを、白磁製の角皿に入れ、そ れらを大気雰囲気中に 150°C200時間保持した後、初期状態標本を基にした肉眼 による官能検査により実施した。まったく変化がな力つた場合を〇、最も変化した Sn - 3. OAg-0. 5Cuボールを X、その中間の変色をしめしたものを△とした。
[0134] 表 1〜4において、本発明範囲カゝら外れる成分値にはアンダーラインを付している。
[0135] [表 1] 含有量 (質量%) リフロー前後 耐落下衝撃特性
その他劣化 の硬度変化 Cu-OSP
Sn Ag Cu Ni する品質
(Cu-OSP基板) 電極
本比較例 1 残部 1.0 0.3 0.003 〇 X X
本実施例 1 残部 1.0 0.3 0.005 〇 Δ Δ
本実施例 2 残部 1.0 0.3 0.040 〇 © 〇
本実施例 3 残部 1.0 0.3 0.050 〇 © ©
本実施例 4 残部 1.0 0.3 0.060 〇 ◎ 〇
本実施例 5 残部 1.0 0.3 0.070 〇 ◎ 〇
本実施例 6 残部 1.0 0.3 0.100 X Δ Δ
本比較例 2 残部 1.0 0.3 0.120 X X X 液相線温度 本比較例 3 残部 1.0 1.0 0.003 〇 X X
本実施例 7 残部 1.0 1.0 0.005 〇 Δ Δ
本実施例 8 残部 1.0 1.0 0.050 〇 ◎ 〇
本実施例 9 残部 1.0 1.0 0.070 〇 Δ Δ
本実施例 10 残部 1.0 1.0 0.100 X Δ Δ
本比較例 4 残部 1.0 1.0 0.120 X X X 液相線温度 本比較例 5 残部 2.0 0.3 0.003 〇 X X
本実施例 11 残部 2.0 0.3 0.005 〇 Δ 〇
本実施例 12 残部 2.0 0.3 0.050 〇 〇 〇
本実施例 13 残部 2.0 0.3 0.070 〇 〇 Δ
本実施例 14 残部 2.0 0.3 0.100 X Δ Δ
本比較例 6 残部 2.0 0.3 0.120 X X X 液相線温度 本比較例 7 残部 2.0 1.0 0.003 〇 X X
本実施例 15 残部 2.0 1.0 0.005 〇 Δ Δ
本実施例 16 残部 2.0 1.0 0.050 〇 〇 〇
本実施例 17 残部 2.0 1.0 0.070 〇 Δ Δ
本実施例 18 残部 2.0 1.0 0.100 X Δ Δ
本比較例 8 残部 2.0 1.0 0.120 X X X 液相線温度 bti
含有量 (質量%) リフロー前後
の硬度変化 Cu-OSP N /Au する品質
Sn Ag Cu i (Cu-OSP基板) ¾極 電極 本比較例 9 残部 1.2 0.5 0.003 〇 X X
本実施例 19 残部 1.2 0.5 0.005 〇 Δ Δ
本実施例 20 残部 1.2 0.5 0.030 〇 〇 〇
本実施例 21 残部 1.2 0.5 0.040 〇 〇
本実施例 22 残部 1.2 0.5 0.050 〇 ◎ ◎
本実施例 23 残部 1.2 0.5 0.060 〇 〇
本実施例 24 残部 1.2 0.5 0.070 〇 〇 Δ
本実施例 25 残部 1.2 0.5 0.100 X Δ Δ
本比較例 10 残部 1.2 0.5 0.120 X X χ 液相線温度 本比較例 11 残部 1.0 0.65 0.003 〇 X X
本実施例 26 残部 1.0 0.65 0.005 〇 Δ Δ
本実施例 27 残部 1.0 0.65 0.040 〇 ◎ 〇
本実施例 28 残部 1.0 0.65 0.050 〇 ◎ ©
本実施例 29 残部 1.0 0.65 0.060 〇 〇 〇
本実施例 30 残部 1.0 0.65 0.070 〇 〇 〇
本実施例 31 残部 1.0 0.65 0.100 X Δ Δ
本比較例 12 残部 1.0 0.65 0.120 X X X 液相線温度 本比較例 13 残部 1.5 0.65 0.003 〇 X X
本実施例 32 残部 1.5 0.65 0.005 〇 Δ Δ
本実施例 33 残部 1.5 0.65 0.040 〇 ◎ 〇
本実施例 34 残部 1.5 0.65 0.050 〇 © 〇
本実施例 35 残部 1.5 0.65 0.060 〇 Ο 〇
本実施例 36 残部 1.5 0.65 0.070 〇 〇 Δ
本実施例 37 残部 1.5 0.65 0.100 X Δ △
本比較例 14 残部 1.5 0.65 0.120 X X X 液相線温度
含有量 (質量%) X元素添加量 リフロー前後 耐落下衝撃特性 その他品質 の硖度変化 Cu- OSP Ni/Au
Sn Ag Cu Ni 質量 評価 評価 元素
pm (Cu-OSP基板) 電極 it極 項目 結果 本実施例 38 残部 1.2 0.5 0.050 Sb 10 〇 ◎ 〇 X 本実施例 39 残部 1.2 0.5 0.050 Sb 100 〇 ◎ 〇 〇 本実施例 40 残部 1.2 0.5 0.050 Sb 1000 〇 〇 〇 熱疲労 〇 本実施例 41 残部 1.2 0.5 0.050 Sb 5000 X Δ Δ 〇 本比較例 15 残部 1.2 0.5 0.050 Sb 7500 X X X Δ 本実施例 42 残部 1.2 0.5 0.050 P 1 〇 © © X 本実施例 43 残部 1.2 0.5 0.050 P 5 〇 ◎ 〇 Δ 本実施例 44 残部 1.2 0.5 0.050 P 10 〇 〇 〇 〇 本実施例 45 残部 1.2 0.5 0.050 P 50 〇 Δ Δ 〇 本比較例 16 残部 1.2 0.5 0.050 P 100 X X X 〇 本実施例 46 残部 1.2 0.5 0.050 Ge 1 〇 © © 変色 X 本実施例 47 残部 1.2 0.5 0.050 Ge 5 〇 ◎ 〇 Δ 本実施例 48 残部 1.2 0.5 0.050 Ge 10 〇 〇 〇 〇 本実施例 49 残部 1.2 0.5 0.050 Ge 50 〇 〇 〇 〇 本実施例 50 残部 1.2 0.5 0.050 Ge 100 〇 Δ Δ 〇 本比較例 17 残部 1.2 0.5 0.050 Ge 200 X X X 〇 本実施例 51 残部 1.2 0.5 0.050 P+Ge 1+1 〇 © © X 本実施例 52 残部 1.2 0.5 0.050 P+Ge 5+5 〇 ◎ 〇 Δ 本実施例 53 残部 1.2 0.5 0.050 P+Ge 10+10 〇 © 〇 〇 変色 本実施例 54 残部 1.2 0.5 0.050 P+Ge 25+25 〇 O Δ 〇 本実施例 55 残部 1.2 0.5 0.050 P+Ge 50+50 〇 Δ Δ 〇 本比較例 18 残部 1.2 0.5 0.050 P+Ge 50+75 X X X 〇
[0138] [表 4]
Figure imgf000029_0001
比較実施例におけるコメント: ND
[0139] 表 1, 2に示す結果から明らかなように、 Ni含有量が 0. 005-0. 10質量%の範囲 で、耐衝撃特性が良好であった。さらに、 Ni含有量の上限が 0. 07質量%の範囲で 、リフロー前後の硬度変化が良好であった。 Ni含有量が 0. 003質量%のものは Ni 添カ卩による耐衝撃性向上効果が得られず、 Ni含有量が 0. 1質量%になるとリフロー 前後の硬度変化が大きくなつた。さらに Ni含有量が 0. 12質量%になると耐衝撃特 性が低下するとともに、液相線温度の上昇が見られた。
[0140] 表 3によると、 Sb含有量 0. 01質量%で熱疲労特性の改善が見られた。 Sb含有量 が 0. 5質量%となるとリフロー前後の硬度変化が大きくなり、 Sb含有量が 0. 75質量 %となると耐衝撃特性が悪ィ匕する結果となった。
[0141] 同じく表 3によると、 P含有量 0. 0005質量%以上、 Ge含有量 0. 0005質量%以上 で変色特性が向上した。一方、 P含有量 0. 01質量%、 Ge含有量 0. 02質量%、 P + Ge含有量 0. 0125質量%で耐衝撃特性が低下するとともに、リフロー前後の硬度 変化が高くなつた。 表 4によると、 Niを含有しない比較例において、耐衝撃特性、リ フロー前後の硬度変化はいずれも不良となった。
[0142] (2)第 2実施形態に対応する実施例
表 5〜10に示す各成分を有するハンダ合金を用い、直径 300 μ mのハンダボール を作成した。尚、表 5〜10に示す実施例及び比較例は、上記表 1〜表 4に示す実施 例及び比較例とは別に作成したものである。
[0143] ハンダボールを接合する電極を有する基板として、 FR— 4製のプリント基板を用意 した。プリント基板のサイズは 160mm X 64mm X 0. 8mm (厚さ)である。プリント基 板上には、 240 πι φサイズの電極が 324個配置されている。電極として Cu—OSP を用ぃたものと?^ (3〜5 111メッキ)7八11 (0. 03〜0. 05 mメツキ)の 2種類を用い た。ハンダボールを介して上記プリント基板と接合する実装部品として、 9. 6mm角、 厚さ 0. 7mmのシリコンチップを用いた。シリコンチップ上には、プリント基板上の電極 と対応する位置に 240 μ ΐη φサイズの電極が 324個配置されている。電極材質は Cr (0. 07 ^ πι) /Νί (0. 8 /ζ πι) ΖΑιι (0.: L m)である。プリント基板とシリコンチップ の電極間がハンダ接合されると、各電極を直列でつなぐ回路が形成されるようになつ ている。
[0144] 実装プロセスとして、まず上記シリコンチップ側の電極に、用意したノヽンダボールを 搭載した上でリフローし、ハンダバンプを形成する。次にハンダバンプを形成したシリ コンチップをプリント基板にフリップチップ接続し、ピーク温度 250°Cでリフローし、シリ コンチップの電極とプリント基板の電極とを接合し、評価部材を形成した。
[0145] 耐落下衝撃特性の評価は、株式会社ティーテック製全自動衝撃試験装置 BIT— 6 00Sを用いた。上記接合した評価部材を、シリコンチップ側を下にして定盤に配置す る。次に質量 30gのロッドタイプ ·プローブを 5cmの高さから評価部材上に落下させる 。評価部材に加わる衝撃加速度は、加速度センサー (TEAC社製)でモニターして おり、評価部材上での衝撃加速度は 8000Gから 12000Gである。
[0146] 破断の評価は、評価部材中の前記回路に定電流電源を接続し、電圧をモニタリン グして、抵抗値が初期値の 2倍になる時点までの繰り返し落下回数を耐衝撃落下回 数とした。このとき、落下時の基板たわみにより生じる瞬断を破断として認識するため 、 1MHzのサンプリングレートを持つ測定器を使用した。
[0147] 耐落下衝撃特性の評価において、 Cu— OSP電極を用いた基板の場合には、破断 までの落下回数力 S〇〜30回を X、 31〜40回を△、 41〜80回を〇、 81〜120回を ◎、 121回以上を(§)(§)とした。一方、 NiZAu電極を用いた基板の場合には、破断ま での落下回数力^)〜 20回を X、 21〜30回を△、 31〜40回を〇、 41〜60回を◎、 6 1回以上を◎◎とした。
[0148] 熱疲労特性は、落下衝撃特性試験用と同じ実装品 (Cu—OSP電極)を用いて、 - 40°C保持 20分, 125°C保持 20分を繰り返し、回路が破断するまでの高温 低温の 繰り返し数 (熱サイクル数)を計測することで評価し、破断が見られ始める回数が 100 0回以上である場合を〇、 750回以上である場合を△、 500回以下を Xとした。
[0149] 変色についての評価は、作製した評価ハンダボールを、白磁製の角皿に入れ、そ れらを大気雰囲気中に 150°C200時間保持した後、初期状態標本を基にした肉眼 による官能検査により実施した。まったく変化がな力つた場合を〇、最も変化した Sn - 3. OAg-0. 5Cuボールを X、その中間の変色をしめしたものを△とした。
[0150] (2)— 1 第 1実施例
表 5、 6には、 Sn、 Ag、 Cu、 Ni、 Feを含有する実施例を記載した。表 7には、 Sn、 Ag、 Cu、 Ni、 Feにカロえ、選択元素として Sb、 P、 Ge、 Cr、 Vを含有する実施例を記 載した。表 8には、 Ni、 Feを含有しない比較例を記載した。
[0151] [表 5] 含有量 (質量%) 耐落下衝撃特性
その他劣化
Cu-OSP Ni/Au
Sn Ag Cu Ni Fe する品質 電極 電極
本実施例 1 残部 1.0 0.3 0.005 0.0010 Δ Δ
本実施例 2 残部 1.0 0.3 0.005 0.0050 △ △
本実施例 3 残部 1.0 0.3 0.040 0.0010 ◎
本実施例 4 残部 1.0 0.3 0.040 0.0050 〇 〇
本実施例 5 残部 1.0 0.3 0.050 0.0010
本実施例 6 残部 1.0 0.3 0.050 0.0050 〇 〇
本実施例 7 残部 1.0 0.3 0.060 0.0010 ◎ ◎
本実施例 8 残部 1.0 0.3 0.060 0.0050 〇 〇
本実施例 9 残部 1.0 0.3 0.100 0.0010 Δ Δ
本実施例 10 残部 1.0 0.3 0.100 0.0050 Δ Δ
本実施例 11 残部 1.0 1.0 0.050 0.0010 △ △
本実施例 12 残部 1.0 1.0 0.050 0.0050 Δ Δ
本実施例 13 残部 2.0 0.3 0.050 0.0010 Δ Δ
本実施例 14 残部 2.0 0.3 0.050 0.0050 Δ Δ
本実施例 15 残部 2.0 1.0 0.050 0.0010 △ △
本実施例 16 残部 2.0 1.0 0.050 0.0050 △ △
本比較例 1 残部 1.2 0.5 0.003 く 0.0001 X X
本実施例 17 残部 1.2 0.5 0.005 0.0010 〇 〇
本実施例 18 残部 1.2 0.5 0.005 0.0050 Δ Δ
本実施例 19 残部 1.2 0.5 0.030 0.0010 ◎© ◎
本実施例 20 残部 1.2 0.5 0.030 0.0050 ◎ ◎
本実施例 21 残部 1.2 0.5 0.040 0.0010 禱
本実施例 22 残部 1.2 0.5 0.040 0.0050 ◎ ◎
本実施例 23 残部 1.2 0.5 0.050 0.0001 ◎ ◎
本実施例 24 残部 1.2 0.5 0.050 0.0010
本実施例 25 残部 1.2 0.5 0.050 0.0050 ◎ ◎
本比較例 2 残部 1.2 0.5 0.050 0.0075 〇 〇 濡れ性 本実施例 27 残部 1.2 0.5 0.060 0.0010 ◎© ◎
本実施例 28 残部 1.2 0.5 0.060 0.0050 © ©
本実施例 29 残部 1.2 0.5 0.100 0.0010 Δ Δ
本実施例 30 残部 1.2 0.5 0.100 0.0050 Δ Δ
本比較例 3 残部 1.2 0.5 0.120 0.0050 X X 液相線温度
含 I"量 (質量%) 耐落下衝撃特性
その他劣化
Cu-OSP Ni/Au
Sn Ag Cu Ni Fe する品質 電極 it極
本比較例 4 残部 1.0 0.65 0.003 く 0.0001 X X
本実施例 31 残部 1.0 0.65 0.005 0.0010 〇 〇
本実施例 32 残部 1.0 0.65 0.005 0.0050 〇 〇
本実施例 33 残部 1.0 0.65 0.040 0.0010 ◎ ◎
本実施例 34 残部 1.0 0.65 0.040 0.0050 〇 〇
本実施例 35 残部 1.0 0.65 0.050 0.0001 〇 〇
本実施例 36 残部 1.0 0.65 0.050 0.0010 ◎ ◎
本実施例 37 残部 1.0 0.65 0.050 0.0050 〇 〇
本比較例 5 残部 1.0 0.65 0.050 0.0075 〇 〇 濡れ性 本実施例 39 残部 1.0 0.65 0.060 0.0010 ◎ ◎
本実施例 40 残部 1.0 0.65 0.060 0.0050 〇 〇
本実施例 41 残部 1.0 0.65 0.100 0.0010 Δ Δ
本実施例 42 残部 1.0 0.65 0.100 0.0050 △ △
本比較例 6 残部 1.0 0.65 0.120 0.0050 X X 液相線温度 本比較例 7 残部 1.5 0.65 0.003 く 0.0001 X X
本実施例 43 残部 1.5 0.65 0.005 0.0010 〇 〇
本実施例 44 残部 1.5 0.65 0.005 0.0050 〇 〇
本実施例 45 残部 1.5 0.65 0.040 0.0010 ◎ ◎
本実施例 46 残部 1.5 0.65 0.040 0.0050 〇 〇
本実施例 47 残部 1.5 0.65 0.050 0.0001 〇 〇
本実施例 48 残部 1.5 0.65 0.050 0.0010 ◎ ◎
本実施例 49 残部 1.5 0.65 0.050 0.0050 〇 〇
本比較例 8 残部 1.5 0.65 0.050 0.0075 〇 〇 濡れ性 本実施例 51 残部 1.5 0.65 0.060 0.0010 ◎ ◎
本実施例 52 残部 1.5 0.65 0.060 0.0050 〇 〇
本実施例 53 残部 1.5 0.65 0.100 0.0010 Δ Δ
本実施例 54 残部 1.5 0.65 0.100 0.0050 △ Δ
本比較例 9 残部 1.5 0.65 0.120 0.0050 X X 液相線温度
含有量 (質量%) X元素添加量 耐落下衝撃特性 その他品質
Cu-OSP
Sn Ni Fe 評価 評価
Ag Cu 兀素
PPm 電極 項目 本実施例 55 残部 1.2 0.5 0.050 0.0010 Sb 10 〇 〇 X 本実施例 56 残部 1.2 0.5 0.050 0.0010 Sb 100 〇 〇 〇 本実施例 57 残部 1.2 0.5 0.050 0.0010 Sb 500 〇 〇 熱疲労 〇 本実施例 58 残部 1.2 0.5 0.050 0.0010 Sb 5000 Δ Δ 〇 本比較例 10 残部 1.2 0.5 0.050 0.0010 Sb 7500 X X Δ 本実施例 59 残部 1.2 0.5 0.050 0.0010 P 1 ◎ ◎ X 本実施例 60 残部 1.2 0.5 0.050 0.0010 P 5 〇 〇 Δ 本実施例 61 残部 1.2 0.5 0.050 0.0010 P 10 〇 〇 〇 本実施例 62 残部 1.2 0.5 0.050 0.0010 P 50 Δ Δ 〇 本比較例 11 残部 1.2 0.5 0.050 0.0010 P 100 X X 〇 本実施例 63 残部 1.2 0.5 0.050 0.0010 Ge 1 ◎ ® 変色 X 本実施例 64 残部 1.2 0.5 0.050 0.0010 Ge 5 〇 〇 Δ 本実施例 65 残部 1.2 0.5 0.050 0.0010 Ge 10 〇 〇 〇 本実施例 66 残部 1.2 0.5 0.050 0.0010 Ge 50 〇 〇 〇 本実施例 67 残部 1.2 0.5 0.050 0.0010 Ge 100 Δ Δ 〇 本比較例 12 残部 1.2 0.5 0.050 0.0010 Ge 200 X X 〇 本実施例 68 残部 1.2 0.5 0.050 0.0010 P+Ge 1+1 ◎ ◎ X 本実施例 69 残部 1.2 0.5 0.050 0.0010 P+Ge 5+5 〇 〇 Δ 本実施例 70 残部 1.2 0.5 0.050 0.0010 P+Ge 10+10 〇 〇 〇 変色 本実施例 71 残部 1.2 0.5 0.050 0.0010 P+Ge 25+25 Δ Δ 〇 本実施例 72 残部 1.2 0.5 0.050 0.0010 P+Ge 50+50 Δ Δ 〇 本比較例 13 残部 1.2 0.5 0.050 0.0010 P+Ge 50+75 X X 〇 本実施例 73 残部 1.2 0.5 0.050 0.0010 Cr 10 ◎ 〇
本実施例 74 残部 1.2 0.5 0.050 0.0010 V 10 ◎ 〇
本実施例 75 残部 1.2 0.5 0.050 0.0010 Cr 50 〇 Δ
本実施例 76 残部 1.2 0.5 0.050 0.0010 V 50 〇 Δ
[0154] [表 8] 藤 >
Figure imgf000034_0001
比較実施例におけるコメント: ND
[0155] 表 5、 6において、 Ag、 Cu、 Ni、 Feの含有量が本発明範囲内にある水準について は、耐落下衝撃特性が良好であり、その他品質も特に問題はな力つた。 Ag、 Cu、 Ni 、 Feの含有量が本発明範囲の上限にある水準については、耐落下衝撃性の評価が △であった。 Ni、 Fe含有量が本発明範囲を下側に外れた水準、 Ni含有量が本発明 範囲を上側に外れた水準については、液相線温度が上昇するとともに、耐落下衝撃 特性が不良であった。 Fe含有量が本発明範囲を上側に外れた水準については濡れ 性が低下した。 Ag含有量が 1. 2質量%の水準は特に耐落下衝撃特性が良好であ つた o
[0156] 表 7において、 Sb含有量が本発明範囲内の水準は熱疲労特性が良好であった。 S b含有量が本発明範囲を上側に外れる本比較例 10は、耐落下衝撃特性が不良であ るとともに熱疲労特性がやや低下した。
[0157] 同じ表 7において、 P、 Ge及びその合計含有量が本発明範囲内の水準は変色状況 が良好であった。 P、 Ge含有量又はその合計含有量が本発明範囲の上限を外れる 水準は、耐落下衝撃特性が不良であった。
[0158] 同じ表 7において、 Cr、 Vを本発明範囲内で含有する水準は、耐落下衝撃特性が 良好であった。
[0159] 表 8には、 Ni、 Feを含有しない比較例を記載している。いずれの水準も、耐落下衝 撃特性が不良であった。
[0160] (2) - 2 第 2実施例
表 9、 10には、 Sn、 Ag、 Cu、 Ni、 Co、 Feを含有する実施例を記載した。
[0161] [表 9]
含有量 (質量%) 耐落下衝撃特性
Cu-OSP
Sn Ag Cu Fe Ni Co
電極 実施例 1 0.020 0.010 聽 ©◎ 実施例 2 0.030 0.015 禱 禱 実施例 3 0.040 0.020
実施例 4 0.050 0.025 髓 髓 実施例 5 0.060 0.030 禱 禱 実施例 6 0.020 0.030 ◎ 実施例 7 残部 1.2 0.5 0.0010 0.060 0.010 ◎ ◎ 比較例 1 0.020 0.080 Δ Δ 比較例 2 0.040 0.080 X X 比較例 3 0.050 0.050 △ Δ 比較例 4 0.080 0.040 X X 比較例 5 0.100 0.050 X X 比較例 6 0.080 0.020 △ △ 実施例 1 1 0.020 0.010 禱 禱 実施例 12 0.030 0.015 聽 実施例 13 0.040 0.020 髓 髓 実施例 14 0.050 0.025 禱 禱 実施例 15 0.060 0.030
実施例 16 0.020 0.030 ◎ ◎ 実施例 17 残部 1.2 0.5 0.0050 0.060 0.010 ◎ ◎ 比較例 7 0.020 0.080 Δ X 比較例 8 0.040 0.080 X X 比較例 9 0.050 0.050 X X 比較例 10 0.080 0.040 X X 比較例 1 1 0.100 0.050 X X 比較例 12 0.080 0.020 X X 実施例 18 0.020 0.010 ◎ ◎ 実施例 19 0.030 0.015 ◎ ◎ 実施例 20 0.040 0.020 ◎ ◎ 実施例 21 0.050 0.025 © 実施例 22 0.060 0.030 ◎ ◎ 実施例 23 0.020 0.030 〇 〇 実施例 24 残部 1.0 0.5 0.0010 0.060 0.010 〇 〇 比較例 13 0.020 0.080 X X 比較例 14 0.040 0.080 X X 比較例 15 0.050 0.050 Δ X 比較例 16 0.080 0.040 X X 比較例 17 0.100 0.050 X X 比較例 18 0.080 0.020 Δ X 含有量 (質量%) 耐落下衝撃特性
Cu-OSP Ni/Au
Sn Ag Cu Fe Ni Co
電極 実施例 28 0.020 0.010 © © 実施例 29 0.030 0.015 ◎ © 実施例 30 0.040 0.020 © © 実施例 31 0.050 0.025 ◎ © 実施例 32 0.060 0.030 ◎ © 実施例 33 0.020 0.030 〇 〇 実施例 34 残部 1.0 0.5 0.0050 0.060 0.010 〇 〇 比較例 19 0.020 0.080 X X 比較例 20 0.040 0.080 X X 比較例 21 0.050 0.050 △ X 比較例 22 0.080 0.040 X X 比較例 23 0.100 0.050 X X 比較例 24 0.080 0.020 X X 実施例 35 0.020 0.010 ◎ ® 実施例 36 0.030 0.015 ◎ ◎ 実施例 37 0.040 0.020 ◎ © 実施例 38 0.050 0.025 © © 実施例 39 0.060 0.030 © © 実施例 40 0.020 0.030 〇 〇 実施例 41 残部 2.0 0.5 0.0010 0.060 0.010 〇 〇 比較例 25 0.020 0.080 X X 比較例 26 0.040 0.080 X X 比較例 27 0.050 0.050 △ X 比較例 28 0.080 0.040 X X 比較例 29 0.100 0.050 X X 比較例 30 0.080 0.020 △ X 実施例 45 0.020 0.010 © @ 実施例 46 0.030 0.015 © 実施例 47 0.040 0.020 ◎ © 実施例 48 0.050 0.025 ◎ © 実施例 49 0.060 0.030 © © 実施例 50 0.020 0.030 〇 〇 実施例 51 残部 2.0 0.5 0.0050 0.060 0.010 〇 〇 比較例 31 0.020 0.080 X X 比較例 32 0.040 0.080 X X 比較例 33 0.050 0.050 △ X 比較例 34 0.080 0.040 X X 比較例 35 0.100 0.050 X X 比較例 36 0.080 0.020 X X 比較例 37 0.0010 0.040 0.020 X X 残部 0.5
比較例 38 0.0050 0.040 0.020 X X 比較例 39 0.0010 0.040 0.020 X X 残部 4Λ) 0.5
比較例 40 0.0050 0.040 0.020 X X いて、請求項 3の条件に合致する水準は耐落下衝撃特: 性が良好であ つた。中でも Niと Coとの含有量比率が請求項 4の条件に合致する水準は、特に良好 な耐落下衝撃特性を示した。
[0164] Ag含有量が 1. 2質量%の水準は特に耐落下衝撃特性が良好であった。 Ag含有 量が 1. 2質量%かつ Ni含有量が 0. 03〜0. 05質量%の水準については、その中 でも際だって良好な耐落下衝撃特性を示した。 Cu— OSP電極を用いた実施例 2〜 4について見ると、実施例 2では破断までの落下回数が 183回、実施例 3では 205回 、実施例 4では 152回という良好な成績であった。
[0165] Ag含有量が 1. 0質量%、 2. 0質量%の水準についても、 Ni含有量が 0. 02質量 %における耐落下衝撃特性が特に良好であった。実施例 17は落下回数が 161回、 実施例 24は落下回数が 148回、実施例 31は落下回数が 158回、実施例 38は落下 回数が 137回と、それぞれ良好な成績を挙げることができた。
(3)第 3実施形態に対応する実施例
表 11〜 15に示す各成分を有するハンダ合金を用 、、直径 300 μ mのハンダボ一 ルを作成した。尚、表 11〜 15に示す実施例及び比較例は、上記表 1〜表 10に示す 実施例及び比較例とは別に作成したものである。
[0166] ハンダボールを接合する電極を有する基板として、 FR— 4製のプリント基板を用意 した。プリント基板のサイズは 160mm X 64mm X 0. 8mm (厚さ)である。プリント基 板上には、 250 m φサイズの電極(パッド)が 18行 18列の格子状に 324個配置さ れている。電極として Cu— OSPを用いたものと Ν 3〜5 /ζ πιメツキ) ZAu (0. 03〜 0. 05 mメツキ)の 2種類を用いた。ハンダボールを介して上記プリント基板と接合 する実装部品として、 9. 6mm角、厚さ 0. 7mmのシリコンチップを用いた。シリコンチ ップ上には、プリント基板上の電極と対応する位置に 240 μ ΐη φサイズの電極が 324 個配置されている。電極材質は Cr (0. 07 m) ZNi (0. 8 m) ZAu (0. 1 m)で ある。プリント基板とシリコンチップの電極間がハンダ接合されると、各電極を直列で つなぐ回路が形成されるようになって!/、る。
[0167] 実装プロセスとして、まず上記シリコンチップ側の電極に、用意したノヽンダボールを 搭載した上でリフローし、ハンダバンプを形成する。次にハンダバンプを形成したシリ コンチップをプリント基板にフリップチップ接続し、ピーク温度 250°Cでリフローし、シリ コンチップの電極とプリント基板の電極とを接合し、評価部材を形成した。
[0168] 耐振動特性の評価は、 3点支持による繰返し曲げ試験とし、支持スパン 100mm、 基板変位 3mm、基板変位速度 60mmZsecとした。破断の評価として、実装部品の 電気抵抗が初期値の 2倍になった時点の繰返し曲げ回数とした。
[0169] 耐振動性評価基準として、 Cu—OSP電極を用いた場合は、曲げ回数 0〜999回を
X、 1000〜1999回を△、 2000〜3999回を〇、 4000〜5999回を◎、 6000〜99 99回を◎〇、 10000回以上を©(§)とした。
[0170] また NiAu電極を用いた場合は、 0〜199回を X、 200〜399回を△、 400〜499 回を〇、 500〜999回を◎、 1000〜1999回を◎〇、 2000回以上を嶋とした。
[0171] 結果を表 11〜15に示す。
[0172] [表 11]
繰返し曲げ 含有量 (質量%)
特性結果
Cu-OSP
Sn Ag し u Ni Fe Co その他
£極 比較例 0 0.001 X X 実施例 1 0.005 Δ △ 実施例 2 0.030 〇 〇 実施例 3 0.3 0.050 ◎ 実施例 4 0.060 ◎ 〇 実施例 5 0.100 △ Δ 比較例 1 0.120 X X
1.0
比較例 2 0.001 X X 実施例 6 0.005 Δ △ 実施例 7 0.030 〇 〇 実施例 8 1.0 0.050 ◎ 実施例 9 0.060 〇 〇 実施例 10 0.100 Δ △ 比較例 3 0.120 X X 比較例 4 0.001 X X 実施例 1 1 0.005 Δ Δ 実施例 12 0.030 〇 〇 実施例 13 残部 0.3 0.050 ◎ ◎ 実施例 14 0.060 〇 〇 実施例 15 0.100 Δ Δ 比較例 5 0.120 X X
2.0
比較例 6 0.001 X X 実施例 16 0.005 △ Δ 実施例 17 0.030 〇 〇 実施例 18 1.0 0.050 ◎ ◎ 実施例 19 0.060 〇 〇 実施例 20 0.100 △ Δ 比較例 7 0.120 X X 比較例 8 0.001 X X 実施例 21 0.005 Δ △ 実施例 22 0.030 〇 〇 実施例 23 1.2 0.5 0.050 ©〇 ©〇 実施例 24 0.060 ◎ 〇 実施例 25 0.100 Δ Δ 比較例 9 0.120 X X
繰返し曲げ
含有量 (質量%)
特性結果 その他劣化する
Cu-OSP 品質
Sn Ag Cu Ni Fe Co その他
電極
実施例 26 0.030 ND 〇 〇
実施例 27 0.030 0.0001 © ©
実施例 28 0.030 0.0005 ◎〇 ◎〇
0.3
実施例 29 0.030 0.0050 © ©
表面ガサガサ, 比較例 10 0.030 0.0100
ぬれ性低下
1.0
実施例 30 0.030 ND 〇 〇
実施例 31 0.030 0.0001 ◎ ◎
実施例 32 0.030 0.0005 ◎〇 ◎〇
1.0
実施例 33 0.030 0.0050 ◎ ◎
表面ガサガサ, 比較例 11 0.030 0.0100
ぬれ性低下 実施例 34 0.030 ND 〇 〇
実施例 35 0.030 0.0001 ◎ ◎
0.3
実施例 36 0.030 0.0005 ◎〇 ◎〇
残部
実施例 37 0.030 0.0050 ◎ @
表面ガサガサ, 比較例 12 0.030 0.0100
ぬれ性低下
2.0
実施例 38 0.030 ND 〇 〇
実施例 39 0.030 0.0001 © ©
1.0
実施例 40 0.030 0.0005 ©〇 ◎〇
実施例 41 0.030 0.0050 ◎ ◎
表面ガサガサ, 比較例 13 0.030 0.0100
ぬれ性低下 実施例 42 0.030 ND 〇 〇
実施例 43 0.030 0.0001 ◎ ◎〇
実施例 44 0.030 0.0005 ◎〇 ◎〇
1.2 0.5
実施例 45 0.030 0.0050 ◎ ◎
表面ガサガサ, 比較例 14 0.030 0.0100
ぬれ性低下 13]
特性
含有量 (質量%) t返し曲 f
,1' その他劣 化する品
Cu-OSP Ni/Au
Sn Ag Cu Ni Fe Co Ni+Fe+Coその他 質 電極 電極 実施例 46 0.030 0.001 0.031 O 〇 実施例 47 0.030 0.005 0.035 ◎ ◎ 実施例 48 0.3 0.030 0.040 0.070 ◎〇 ◎〇 実施例 49 0.030 0.100 0.130 〇 〇 比較例 15 0.030 0.120 0.150
1.0 融点上昇 実施例 50 0.030 0.001 0.031 〇 〇 実施例 51 0.030 0.005 0.035 ◎ ◎ 実施例 52 1.0 0.030 0.040 0.070 ©〇 ◎〇 実施例 53 0.030 0.100 0.130 o 〇 比較例 16 0.030 0.120 0.150 融点上昇 実施例 54 0.030 0.001 0.031 o 〇 実施例 55 0.030 0.005 0.035 ©
0.3 ◎ 実施例 56 0.030 0.040 0.070 ◎〇 ◎〇 実施例 57 0.030 0.100 0.130 〇 〇 比較例 17 0.030 0.120 0.150 融点上昇
2.0
実施例 58 0.030 0.001 0.031 o 〇 実施例 59 0.030 0.005 0.035
1.0 © ◎ 実施例 60 0.030 0.040 0.070 ©〇 ©〇 実施例 61 0.030 0.100 0.130 o 〇 比較例 18 0.030 0.120 0.150 融点上昇 実施例 62 残部 0.030 0.0000 0.001 0.031 o 〇 実施例 63 0.030 0.0001 0.005 0.035 ◎ ◎〇 実施例 64 1.2 0.5 0.030 0.0005 0.040 0.071 ◎〇 ◎〇 実施例 65 0.030 0.0050 0.100 0.135 〇 〇 比較例 19 0.030 0.0100 0.120 0.160 融点上昇 実施例 71 0.010 0.0002 0.003 0.013 ©©
実施例 72 0.010 0.0020 0.007 0.019 @© 聽
実施例 73 0.020 0.0005 0.006 0.027 @© 聽
実施例 74 0.020 0.0040 0.012 0.036 ◎◎ 聽
実施例 75 0.030 0.0005 0.020 0.051 ◎◎ ◎◎
1.2 0.5
実施例 76 0.030 0.0010 0.020 0.051 ◎◎
実施例 77 0.040 0.0005 0.015 0.056 漏 籠
実施例 78 0.040 0.0010 0.015 0.056
実施例 79 0.050 0.0001 0.015 0.065 聽 聽
実施例 80 0.050 0.0050 0.035 0.090 ©◎
[0175] [表 14]
Figure imgf000042_0001
[0176] [表 15]
Figure imgf000043_0001
[0177] 表 11は Niを含有する本発明のハンダ合金を用いた場合である。 Ni含有量が本発 明範囲内にある実施例は、いずれも繰り返し曲げ特性結果で改善が見られている。
[0178] 表 12は Ni、 Feを含有する本発明のハンダ合金を用いた場合である。 Ni、 Fe含有 量が本発明範囲内にある実施例は、いずれも繰り返し曲げ特性結果についてより一 層の改善が見られている。 Fe含有量が本発明範囲の上限を超える水準については 、ハンダ表面がガサガサになり、かつぬれ性の低下が見られたので、繰り返し曲げ試 験は行わなかった。
[0179] 表 13は Niと Co、 Niと Coと Fe、 Coと Feを含有する本発明のハンダ合金を用いた場 合である。 Co含有量が本発明範囲内にある実施例は、いずれも繰り返し曲げ特性結 果につ 、て Niと Coを含有する本発明と同様の改善が見られて!/、る。 Ni + Co + Feの 含有量が請求項 16の範囲内に入っている水準については、この範囲を外れた水準 に比較して繰り返し曲げ特性結果がより良好であった。 Co含有量が本発明範囲の上 限を超える水準については、融点の上昇が見られたので、繰り返し曲げ試験は行わ なかった。実施例 71〜80については、 Niと Coと Feを含有するとともに、 Niと Coと Fe との含有量比率が請求項 14で引用する請求項 4の条件を満足するため、繰り返し曲 げ特性結果が特に良好であった。
[0180] 表 14は Niと Coと Feを含有する本発明例である。実施例 81は酸素含有量が請求 項 17の範囲に入っている例である。実施例 82は Cr、 Vが請求項 18の範囲に入って いる例である。実施例 83、 84は Sbが請求項 19の範囲に入っている例である。実施 例 85〜89は、 P、 Geが請求項 20の範囲に入っている例である。いずれも、繰り返し 曲げ特性結果は良好であった。
[0181] 表 15は、 Ni、 Co、 Feのいずれをも含有しない比較例である。繰り返し曲げ試験結 果が不良であった。

Claims

請求の範囲
[I] Ag:l.0〜2.0質量0 /0、 Cu:0.3〜1.0質量0 /0、 Ni:0.005〜0.10質量0 /0を含 有し、残部 Sn及び不可避不純物力 なることを特徴とする鉛フリーハンダ合金。
[2] 前記 Niの含有量が 0.005〜0.07質量%であることを特徴とする請求項 1記載の 鉛フリーハンダ合金。
[3] さらに、 Fe:0.0001〜0.005質量%を含有することを特徴とする請求項 1又は 2 に記載の鉛フリーハンダ合金。
[4] さらに、 Co:0.005〜0.10質量%を含有するとともに、 Ni+Co+Fe≤0.10質量
%であることを特徴とする請求項 3に記載の鉛フリーハンダ合金。
[5] さらに、 Co:0.005〜0.10質量0 /0を含有し、 Ni、 Co、 Feの添カ卩量比が、 Ni:Co:
Fe=10: (3〜7): (0.02〜2)の範囲であることを特徴とする請求項 3記載の鉛フリ 一ハンダ合金。
[6] さらに、含有酸素濃度が 0.0020質量%以下であることを特徴とする請求項 1乃至
5のいずれか〖こ記載の鉛フリーハンダ合金。
[7] さらに、 Cr:0.0005〜0.0050質量0 /0、 V:0.0005〜0.0050質量0 /0の 1種又 は 2種を含有することを特徴とする請求項 1乃至 6のいずれかに記載の鉛フリーハン ダ合金。
[8] さらに、 Sb:0.01〜0.5質量%を含有することを特徴とする請求項 1乃至 7のいず れかに記載の鉛フリーハンダ合金。
[9] さらに、 P:0.0005〜0.005質量0 /0、 Ge:0.0005〜0.01質量0 /0の 1種又は 2種 を含有し、かつ P + Ge≤0.01質量%であることを特徴とする請求項 1乃至 8のいず れかに記載の鉛フリーハンダ合金。
[10] 請求項 1乃至 9のいずれかに記載の鉛フリーハンダ合金を用いてなることを特徴と するハンダボール。
[II] ボール直径が 300 μ m以下であることを特徴とする請求項 10に記載のハンダボ一 ル。
[12] 請求項 1乃至 9のいずれかに記載の鉛フリーハンダ合金を用いたノヽンダバンプを有 することを特徴とする電子部材。
[13] Cu電極、 Ni電極又は CuZNiZAuメツキ基板上にハンダバンプが形成されてなる ことを特徴とする請求項 12に記載の電子部材。
[14] 複数の電子部品間をノヽンダ電極によって接合した電子部材であって、該ハンダ電 極の一部又は全部は、請求項 1乃至 9のいずれかに記載の鉛フリーハンダ合金を用
V、てなることを特徴とする電子部材。
[15] 請求項 1, 2, 3, 5乃至 9のいずれかに記載の鉛フリーハンダ合金を用いてなること を特徴とする自動車搭載電子部材用鉛フリーハンダ合金。
[16] さらに、 Co : 0. 005-0. 10質量%を含有することを特徴とする請求項 1乃至 3のい ずれかに記載の鉛フリーハンダ合金を用いてなる自動車搭載電子部材用鉛フリーハ ンダ合金。
[17] さらに、 Ni + Co + Fe≤0. 10質量%であることを特徴とする請求項 16に記載の自 動車搭載電子部材用鉛フリーハンダ合金。
[18] さらに、含有酸素濃度が 0. 0020質量%以下であることを特徴とする請求項 16又 は 17に記載の自動車搭載電子部材用鉛フリーハンダ合金。
[19] さらに、 Cr: 0. 0005〜0. 0050質量0 /0、 V: 0. 0005〜0. 0050質量0 /0の 1種又 は 2種を含有することを特徴とする請求項 16乃至 18のいずれかに記載の自動車搭 載電子部材用鉛フリーハンダ合金。
[20] さらに、 Sb : 0. 01〜0. 5質量%を含有することを特徴とする請求項 16乃至 19のい ずれかに記載の自動車搭載電子部材用鉛フリーハンダ合金。
[21] さらに、 P : 0. 0005〜0. 005質量0 /0、 Ge : 0. 0005〜0. 01質量0 /0の 1種又は 2種 を含有し、かつ P + Ge≤0. 01質量%であることを特徴とする請求項 16乃至 20のい ずれかに記載の自動車搭載電子部材用鉛フリーハンダ合金。
[22] 請求項 15乃至 21のいずれかに記載の自動車搭載電子部材用鉛フリーハンダ合 金を用いてなることを特徴とする自動車搭載電子部材用ハンダボール。
[23] ボール直径が 300 μ m以下であることを特徴とする請求項 22に記載の自動車搭載 電子部材用ハンダボール。
[24] 請求項 15乃至 21のいずれかに記載の自動車搭載電子部材用鉛フリーハンダ合 金を用いたノ、ンダバンプを有することを特徴とする自動車搭載用電子部材。
[25] Cu電極、 Ni電極又は CuZNiZAuメツキ基板上にハンダバンプが形成されてなる ことを特徴とする請求項 24に記載の自動車搭載用電子部材。
[26] 複数の電子部品間をノヽンダ電極によって接合した電子部材であって、該ハンダ電極 の一部又は全部は、請求項 15乃至 21のいずれかに記載の自動車搭載電子部材用 鉛フリーハンダ合金を用いてなることを特徴とする自動車搭載用電子部材。
[27] 複数の電子部品間をノヽンダ電極によって接合した電子部材であって、該ハンダ電 極の一部又は全部は、請求項 15乃至 21のいずれかに記載の自動車搭載電子部材 用鉛フリーハンダ合金を用いてなり、自動車に搭載されていることを特徴とする電子 部材。
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