JP4787384B1 - 低銀はんだ合金およびはんだペースト組成物 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明の低銀はんだ合金は、銀が0.05〜2.0質量%、銅が1.0質量%以下、アンチモンが3.0質量%以下、ビスマスが2.0質量%以下、インジウムが4.0質量%以下、ニッケルが0.2質量%以下、ゲルマニウムが0.1質量%以下、コバルトが0.5質量%以下(但し、前記銅、アンチモン、ビスマス、インジウム、ニッケル、ゲルマニウム、およびコバルトは、それぞれ0質量%ではない)、および残部が錫からなる。
【選択図】 なし
Description
(1)銀が0.05〜2.0質量%、銅が1.0質量%以下、アンチモンが3.0質量%以下、ビスマスが2.0質量%以下、インジウムが4.0質量%以下、ニッケルが0.2質量%以下、ゲルマニウムが0.1質量%以下、コバルトが0.5質量%以下(但し、前記銅、アンチモン、ビスマス、インジウム、ニッケル、ゲルマニウム、およびコバルトは、それぞれ0質量%ではない)、および残部が錫からなることを特徴とする、低銀はんだ合金。
(2)上記銀の含有量が、0.05〜1.0質量%であることを特徴とする、(1)に記載の低銀はんだ合金。
(3)前記銅の含有量が、0.01〜0.9質量%であることを特徴とする、(1)または(2)に記載の低銀はんだ合金。
(4)前記アンチモンの含有量が、0.1〜3.0質量%であることを特徴とする、(1)〜(3)のいずれかの項に記載の低銀はんだ合金。
(5)前記ビスマスの含有量が、0.1〜2.0質量%であることを特徴とする、(1)〜(4)のいずれかの項に記載の低銀はんだ合金。
(6)前記インジウムの含有量が、0.1〜3.0質量%であることを特徴とする、(1)〜(5)のいずれかの項に記載の低銀はんだ合金。
(7)前記ニッケルの含有量が、0.001〜0.2質量%であることを特徴とする、(1)〜(6)のいずれかの項に記載の低銀はんだ合金。
(8)前記ゲルマニウムの含有量が、0.001〜0.1質量%であることを特徴とする、(1)〜(7)のいずれかの項に記載の低銀はんだ合金。
(9)前記コバルトの含有量が、0.001〜0.5質量%であることを特徴とする、(1)〜(8)のいずれかの項に記載の低銀はんだ合金。
(10)200〜250℃の融点を有する、(1)〜(9)のいずれかの項に記載の低銀はんだ合金。
(11)(1)〜(10)のいずれかの項に記載の低銀はんだ合金からなるはんだ粉末およびはんだ付け用フラックスを含有することを特徴とする、はんだペースト組成物。
(12)前記低銀はんだ合金からなるはんだ粉末と前記はんだ付け用フラックスとを、70:30〜90:10の重量比で含有する、(11)に記載のはんだペースト組成物。
(I)はんだ付け界面に形成されるSn−Cu、Sn−Co、Sn−Cu−Coなどの金属間化合物層が、はんだ付け面に平行に比較的厚く形成されるため、この層は熱の負荷あるいは熱変化の負荷によっても成長しにくくなる。
(II)コバルトがはんだ中に分散析出してはんだを強化する。
表1に記載の各金属の粉末を、表1に記載の割合で混合した。この金属混合物を、溶解炉で溶解し均一化させて低銀はんだ合金を調製した。
上記の錫、銀、銅、アンチモン、ビスマス、インジウム、コバルト、ニッケル、およびゲルマニウムの各粉末中から、所定の金属を表1に記載の割合で用いたこと以外は、それぞれ実施例1と同様にして低銀はんだ合金を調製した。
チップ部品搭載用基板に上記はんだペースト組成物を印刷後、加熱溶融(リフロー)させることにより、はんだ付けを行った。得られた基板を試験基板として接合強度の測定を行った。接合強度は、強度測定器(DAGE社製:ボンドテスターSeries 4000)を用い、20回の測定結果から平均値を算出して求めた。
バルク強度およびバルク伸びを、JIS Z 3198−2に準拠して測定した。すなわち、規定された形状の試験片(評価間φ10.0mm)を作製し、10t万能引張試験機(株式会社島津製作所製:AUTOGRAPH AG-10TB)を用いて、測定温度21℃および引張速度25mm/分(歪速度50%/分)にて測定を行った。
Claims (12)
- 銀が0.05〜2.0質量%、銅が1.0質量%以下、アンチモンが3.0質量%以下、ビスマスが2.0質量%以下、インジウムが4.0質量%以下、ニッケルが0.2質量%以下、ゲルマニウムが0.1質量%以下、コバルトが0.5質量%以下(但し、前記銅、アンチモン、ビスマス、インジウム、ニッケル、ゲルマニウム、およびコバルトは、いずれも0質量%ではない)、および残部が錫からなることを特徴とする、低銀はんだ合金。
- 前記銀の含有量が、0.05〜1.0質量%であることを特徴とする、請求項1に記載の低銀はんだ合金。
- 前記銅の含有量が、0.01〜0.9質量%であることを特徴とする、請求項1または2に記載の低銀はんだ合金。
- 前記アンチモンの含有量が、0.1〜3.0質量%であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれかの項に記載の低銀はんだ合金。
- 前記ビスマスの含有量が、0.1〜2.0質量%であることを特徴とする、請求項1〜4のいずれかの項に記載の低銀はんだ合金。
- 前記インジウムの含有量が、0.1〜3.0質量%であることを特徴とする、請求項1〜5のいずれかの項に記載の低銀はんだ合金。
- 前記ニッケルの含有量が、0.001〜0.2質量%であることを特徴とする、請求項1〜6のいずれかの項に記載の低銀はんだ合金。
- 前記ゲルマニウムの含有量が、0.001〜0.1質量%であることを特徴とする、請求項1〜7のいずれかの項に記載の低銀はんだ合金。
- 前記コバルトの含有量が、0.001〜0.5質量%であることを特徴とする、請求項1〜8のいずれかの項に記載の低銀はんだ合金。
- 200〜250℃の融点を有する、請求項1〜9のいずれかの項に記載の低銀はんだ合金。
- 請求項1〜10のいずれかの項に記載の低銀はんだ合金からなるはんだ粉末およびはんだ付け用フラックスを含有することを特徴とする、はんだペースト組成物。
- 前記低銀はんだ合金からなるはんだ粉末と前記はんだ付け用フラックスとを、70:30〜90:10の重量比で含有する、請求項11に記載のはんだペースト組成物。
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