WO2007066384A1 - 半導体ウェハの収納ケース及び半導体ウェハの収納方法 - Google Patents

半導体ウェハの収納ケース及び半導体ウェハの収納方法 Download PDF

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WO2007066384A1
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conductor
case
semiconductor
holding
state
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Yoshiaki Shinjo
Yuzo Shimobeppu
Kazuo Teshirogi
Kazuhiro Yoshimoto
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Fujitsu Limited
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    • B65DCONTAINERS FOR STORAGE OR TRANSPORT OF ARTICLES OR MATERIALS, e.g. BAGS, BARRELS, BOTTLES, BOXES, CANS, CARTONS, CRATES, DRUMS, JARS, TANKS, HOPPERS, FORWARDING CONTAINERS; ACCESSORIES, CLOSURES, OR FITTINGS THEREFOR; PACKAGING ELEMENTS; PACKAGES
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    • HELECTRICITY
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    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S206/00Special receptacle or package
    • Y10S206/832Semiconductor wafer boat

Definitions

  • a general storage case is formed with a fixed interval (or a set) inside. Semiconductors are stored along this groove. Normally, this case is premised on containing an untreated conductor (eg, a thickness of about 0.7 mm). Therefore, the groove of the case part is formed with a gap of about mm to 2 mm. At around 00006, this case did not have a structure to hold the shoe. Therefore, it has excellent usability, but there is a risk that problems may occur during storage. In other words, as the semiconductor wafer progresses, it is likely that the semiconductor wafer will be cracked or damaged due to movement or shock during transportation.
  • Reference numeral 0008 is a plan view showing the state of Case 4. Is a plan view showing the state of this case 4. C indicates the composition of Case 4.
  • this case 4 is a case with openings formed in the front and back, and a suitable stop (none) in the back mouth.
  • a certain number of spots 6 are formed so as to extend between the top surface 2 and the bottom surface 3.
  • the case 4-2 is provided with 5 for holding the storage case 4.
  • the suit 6 is composed of a face 6a and a face 6b.
  • the ground semiconductor wafer has a favorable shape (wedge) at the tip.
  • the wedge contacts only the face part 6b of the suitcase 6.
  • the storage case 4 When storing and sending the conductor c, the storage case 4 is contracted by applying external force as shown in. For this reason, the conductor is likely to have cracks or other defects during storage and storage.
  • the case in this state is relatively high and has a large storage volume. There is. For this reason, a sufficient space for storing the case 4 is required, and the cost for shipping to other locations is also high. Therefore, a storage case is desired.
  • a king-type storage case has been devised in which a plurality of conductor claws are stacked using a semiconductor claw.
  • the semiconductor wafer surface comes into contact with the wall surface of the storage case, and when applied to the above-mentioned semiconductor window, it is sufficiently resistant to cracks and damage. It is not possible to deal with it.
  • Patent 3 a case as shown in Patent 3 has been devised, but when storing a semiconductor wafer having a sharp edge, problems such as cracks and the like occur. This point will be explained using 2.
  • the semiconductor wafer in the original thickness including the part indicated by the dotted line is ground.
  • the semiconductor device has a tank a and a ground grinding b after grinding (cook grinding). As a result of the work, it is ground to the shape of a semiconductor wafer and is ground to a thickness less than the original thickness. As a result, a sharp edge c is formed on the edge of the semiconductor wafer.
  • the purpose is to provide the law.
  • the explicit conductor case is a semiconductor case that accommodates as many semiconductor windows as are elastically held so as to have a predetermined distance from each other.
  • the conductor case described in 002 may be configured such that the above is the conductor case and the above 2 is the surface of the conductor case on which the circuit tan is formed.
  • the above-mentioned conductor case may be configured such that the above-mentioned conductor case has a clan for holding the conductor case at a predetermined distance from the portion of each conductor case.
  • the above-mentioned conductor case may be made of a resin metal having the above-mentioned holding property.
  • the conductor case described above may be configured such that the holding portion has a clan for holding the conductor window at a predetermined distance from the portion of each conductor window.
  • the conductor case may be configured such that the holding portion is made of an unnatural resin metal.
  • a plurality of holding portions for supporting the conductor w in contact with the other areas of the light conductor w and the semiconductor w, and elastically supporting the holding part are provided.
  • the semiconductor device method using a semiconductor case which comprises pressing the conductor part to the holding part in contact with 2 of the conductor part In the state of the conductor case, the step of inserting a plurality of conductors in the above-mentioned number of holding sections, and in the state of the above-mentioned conductor case, the holding section of each conductor And a step of pushing the conductor w onto the holding portion by elastically supporting the conductor w.
  • the contact portion of the semiconductor case is not the semiconductor case wedge but the crack. It can be used as a semiconductor. Thus, even when the semiconductor case is fixed and held by being inserted from the bottom of the storage case, the conductor case can be prevented from cracking or being damaged. With the above configuration, a conductor case and a semiconductor method capable of storing a twisted semiconductor box with high reliability are provided.
  • FIG. 2 is a plan view showing the shape of two conductors.
  • FIG. 43 is a plan view showing the state of the case of 43.
  • FIG. 7 is a plan view showing the state of the case of FIG.
  • the figure shows the case where the 8th case is put into the closed case when 9A is sent.
  • 9B put the case of 8 into the closed case and fold it with the closed case lid. Is shown.
  • Fig. 1 shows the state before fixing the 1 A 8 case to the case.
  • Fig. 13B shows the composition of the storage case related to the 2nd state of Ming.
  • FIG. 14 is a plan view showing a case state of 14A 3.
  • FIG. 14B is a plan view showing the state of the case of 14B 3.
  • FIG. 14B is a plan view showing the state of the case of 14B 3.
  • FIG. 8 is a diagram showing a state related to the second state of A Ming.
  • FIG. 5B is a view showing another structure of the plate according to the second state of 5B.
  • a It shows the long-term composition of the storage case related to the third state of Ming.
  • 16B shows the composition of the storage case related to the 3rd state of Ming.
  • FIG. 17 is a plan view showing the state of the case of 17B 6.
  • 18B shows the composition of the storage case related to the 4th state of Ming.
  • FIG. 20 is a diagram showing a state in which the fourth state of 20A Ming is applied.
  • FIG. 20 is a diagram showing a printed state according to state 4 of 20B Ming.
  • 21B shows the long-term composition of the storage case according to the 5th state of Ming.
  • 21C shows the structure of the storage case related to the 5th state of Ming.
  • 22A is a clan for the 5 states of Ming. 22B shows another structure of the clan according to the 5th state of Ming.
  • FIG. 23 is a plan view showing the state of the case of 23A 2.
  • FIG. 23 is a front view showing a case state of 23B 2 C.
  • 003 3 shows the long-term composition of the storage case in this embodiment.
  • Figure 4 is a plan view showing the conditions of case 3.
  • the storage case is a contraction case, and 2 is used as a holding part of the semiconductor window to be stored.
  • a semiconductor window is formed on the front side (opening of the letter) and a plurality of elements 4 are formed on the back side.
  • 038 and 2 are connected and held together by several 4 along the outer circumference, and 2 and 5 are mutually about 5 minutes apart.
  • the case 5a and the case 5b are provided via the net 4, respectively.
  • case 7 are provided. Also, in case 5b, case 7
  • 004 2 is larger than the method of the semiconductor device, and the shape of 2 (opposite to the opening of the conductor) is semicircular along the shape of the semiconductor device.
  • the case is composed.
  • the case of the present embodiment can reduce the storage space as compared with the conventional case shown in C.
  • 004 522 is a resin that has been treated
  • the arc-shaped net 4b is provided at the end facing the plate-like 4a and the other clan 4c is provided.
  • 004 is made of resin. It is made of a resinous material of about 2 and a metallic material. Run 4 is when external force
  • the outside is marked between the case 5a and the case 5b in the direction perpendicular to the surface, and is compressed.
  • Figures 6 and 7 show the states 2 and 4 and the semiconductor claw, respectively, when the conductor c is accommodated and the outside is marked.
  • 00536 shows the appearance of the case shown in 3 above, and 7 shows the case in cross section.
  • the plate-shaped 4b and the clan 4c are tilted and moved on the semiconductor claw along with the shape of the arc-shaped claw 4b.
  • the location for example, contact the conductor claw surface, and push the conductor claw to the lower 2 side to hold it elastically.
  • 6 inch case for example, 8 inch case, 96 2 inch case, 298, for example, is provided.
  • 2 It is constructed by stacking multiple nets 4 at regular intervals.
  • No. 2 Since No. 2 is not deformed and its planar shape is always maintained, it can be safely stored without any defects such as chipping even when the conductor C is stored.
  • 00588 shows a state in which the case shown in 3 is contracted and fixed.
  • 006 g shows the state in which the storage case shown in 8 is stored in the closed case ga. g indicates the state in which the sealed case gb is used.
  • the 006 24 is a semiconductor case, in which the processing such as vapor processing is stored in the storage case by the physical processing device (z).
  • the method of taking out the conductor c from the storage case was equipped with a bot for storing it in the case.
  • case 22 will be used. ,,,, in case 23.
  • the cup 8 can be stored. As a result, the storage case is long. Then, as shown in Figure 2, the case supported at one end by case 2 is
  • a self-propelled machine such as a bot
  • the output of the conductor is treated and the case of the conductor is treated (S).
  • 00703 indicates the long-time state of the storage case related to the state 2, and 3 indicates the state of the storage case related to the state 2.
  • 007 is a plan view showing the state of the storage case
  • 4 is a plan view showing the state of the case.
  • 5 indicates the composition according to the present embodiment
  • 5 indicates another structure of the plate according to the present embodiment.
  • Cylindrical chi 25 is used instead of 4 in the state.
  • two or more holding parts of the semiconductor wafer are connected and held to each other by several cylindrical chess 25 arranged along the outer circumference thereof, and two are 5 to each other. It will be done for a while.
  • the tubular chi 25 may be formed of one continuous chi.
  • the tubular tee 25 is made of a flexible material such as mu, etc. 007 7 and the clan 26 is provided in 2.
  • Kura 26 is made of a material that has the same properties as rubber,
  • the 007 clan 26 may be arranged in plurals (26a) in 2 as shown in 5, or may be arranged continuously (26b) along the shape of 2 as shown in 5.
  • the cylindrical chi 25 allows the semiconductor wafer to be ejected by separating the upper and lower parts from each other by a large distance.
  • a plurality of 2's are formed by a cylindrical die 25, and a 2'is formed between the two.
  • a semiconductor wafer supported by a worm is inserted, and it is supported with its surface facing down on 2 shown in the figure.
  • the clan 26 is shown in (4) as shown in Fig. 4.
  • the semiconductor device is fixed between the clan 26 and the clan.
  • the space between the opposing clan 26 (on the surface) (indicated by 4) is the same as above.
  • FIG. 7 is a plan view showing the states of 6 case OCs.
  • the storage case OC in the embodiment is elastic and
  • a plate-shaped hole 27 is used in place of item 4 in the state.
  • two or more semiconductor wafer holding parts are connected and held to each other by a plate 27 arranged along the outer circumference of the semiconductor device, and 2 and 5 are connected to each other for about 5 minutes. To be done.
  • Mu 27 may be made of one continuous material.
  • the cran 26 is made of a material in which the urethane has a material of equimolar property, and is adhered and fixed to the cran 26.
  • the plurality of clan 26 may be arranged in plurals in 2, or may be arranged continuously along the shape of 2 as shown in 5.
  • the plate-shaped hole 27 separates the two vertically positioned parts from each other and allows the semiconductor wafer to be ejected. In the state shown in
  • the clan 26 When the storage case is contracted by applying an external force to the cases 5a and 5b from above and below, the clan 26 is pressed against the surface (tan) of the semiconductor window as shown in 7, and the semiconductor window is pressed. Is set between 2 and. Between the opposing (on the surface) clan 26 (indicated by 7), the same method as described above is used.
  • case OC of this embodiment is also a contracted conductor window due to the configuration.
  • the case OC of the present embodiment can further reduce the height and the storage space as compared with the conventional case shown in C.
  • the storage case OC in this embodiment and the usage in the processing device the same method as in the above-mentioned status can be adopted.
  • 0108 shows the long-term composition of the storage case according to the state 4
  • Item 8 indicates the composition of the storage case related to item 4.
  • 0 0 g is a plan view showing the case of 8 and g is
  • 012 also indicates a state in which the state 4 exists, and 2 O indicates a state in which the state 4 exists.
  • two or more pieces which are the holding parts of the semiconductor wafer, are connected and held to each other by the nets 28 arranged along the outer circumference thereof, and the two are set to a distance of about 5 to each other. .
  • the 0106 net 28 is composed of, for example, S 3-4 CSP of about .about.
  • Clan 26 is on the 0107 side and the 2nd side.
  • the cran 26 is made of a material in which the urethane has a material of equimolar property, and is adhered and fixed to the cran 26.
  • the 0108 clan 26 may be arranged in a plural number in 2 as shown in FIG. 5 related to the above, or may be arranged continuously in the shape of 2 as shown in 5.
  • the 009 net 28 separates the two located above and below and facing each other, and allows the semiconductor wafer to be ejected.
  • a semiconductor wafer supported by a worm is inserted, and is supported with its surface facing down on 2 shown in the figure.
  • the storage case in the present embodiment and the usage in the processing device can adopt the same method as the above-mentioned embodiment.
  • the element 28 may be formed by the open state in the normal state as shown in 2, and the element 28 may be formed by the closed state in the normal state as shown in 2. It's okay.
  • 0117 2 shows the long-term composition of the storage case according to state 5, and 2 shows the long-term composition of the case 2.
  • 2 C indicates the composition of the case shown in 2.
  • 22 indicates a clan according to the state of 5, and 22 indicates
  • 0119 23 is a plan view showing the state of the storage case in the state 5 and 23 is a plan view showing the state of the storage case.
  • 0120, the storage case in this embodiment is different from the above-mentioned one in that it should not be applied as the holding part of the semiconductor window.
  • Ne 29 is applied to form a supporting portion of the semiconductor device corresponding to The same as the conventional technique shown in, is performed. As shown in 0122 2, the following elements 29 are extended with a distance of about 5 from each other when an external force is applied.
  • the 029 element 29 is made of a synthetic resin material such as, for example, potentiometer or poppy.
  • Clan 26 is attached to each of the numbers 0124 and 29 ().
  • the clan 26 is made of a material having the same properties as rubber, and the clan 26 is bonded and fixed to the material 29.
  • a plurality of clan 26 may be arranged in the form of () (26aa), and as shown in 22, even if they are arranged in a continuous form (26bb), 0127.
  • the net 29 extends vertically to form a large space, allowing the semiconductor wafer to be ejected.
  • a semiconductor window supported by a worm is inserted, and is supported with its surface facing down on the element 29 shown in the figure.
  • the clan 26 is pressed against the surface of the semiconductor wafer (tan) as shown in 23.
  • the semiconductor temperature is determined according to 29.
  • the storage case in this embodiment and the usage in the processing device can adopt the same method as the above-mentioned one.
  • the conductive material 2 when the semiconductor device is stored, the conductive material 2 is not deformed and always keeps its flat shape. Therefore, even when the conductor device is stored, the conductor device is not cracked or broken. It can be stored safely without causing
  • the method of 2 is set larger than the method of the semiconductor window, and the shape of 2 is formed in a semicircular shape along the shape of the semiconductor window, so that the storage space can be compared with the conventional case. Can be reduced.
  • case 29 is applied to configure the case with a simpler configuration by using it as the holding part of the semiconductor window. can do.

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Description

細 書
導体 、
ウ の ケ ス び半導体ウ の 法 術分野
0 、半導体 を 保管するための ケ ス 導体 の 法に関する。
0002 年、半導体 ッケ ジは小型 、 が要求され、それに伴 半導体
の 化が進み ある。し し、 された半導体 を 保管する 際に従来の 式をそのまま 用すると、半導体 の れを招来しやす
題があり、新し 式が望まれて る。
0003 導体 の 保管には、通常、一定の おきに されたス ット部が 形成された ケ スが用 られる。この な収納ケ スとして、最大25枚の半導 体 を収納できるものがある。また、半導体 間に 入して複数の 導体 を 、 することに 収納する形態の ケ スもある。 導体 を 保管する形態として、多種多様の ケ スが提案されて る( え ば、特許 、特許 2、特許 3 )。
1 6 85 46
2 2 355392
3 7 6 8 5 報
発明の
明が解決しよ とする課題
0004 述した に、近年の 導体 ッケ ジは小型 、 が要求され、それに伴 半導体 の が進み ある。 さ約0・7mmであ た当初の 導体 ら、最近では厚さ約0・05mmの 導体 まで存在する。
0005 般的な収納ケ スは、内部に一定の おきに された (又はス ット )が 形成されて る。こ 溝に沿 て、半導体 が収納される。 常、この ケ ス には未処理の 導体 ( えば、厚さ約0・7mmのもの)を収納することを前提とし て るため、ケ ス 部の溝は、その 隔を約 mm~2mmとして 成されて る。 0006 ころで、この ケ スは、ウ を固持する構造とはな て な 。その ため 用性には優れて るが、 保管の際に不具合が発生する危険性があ る。すなわち、半導体ウ の が進むと、その さによ ては、 送時の 動 や衝撃により、半導体ウ に割れや けなどの 具合が発生しやす 。
0007 、 Cは、従来の ケ スの 例を示す。
0008 はこの ケ ス4の 態を示す 面図である。 はこの ケ ス4の 態を示す 面図である。 Cはこの ケ ス4 の 成を示す である。
0009 Cに示したよ に、この ケ ス4は の ケ スであり、前面 と背 面 には開口が形成され、背面 の 口には適切なストッ ( なし)が設け てある。 ケ ス4の 側壁面及び 側壁面には、一定の おきに された 数のス ット 6が上面2 底面3の間に延 するよ に形成されて る。 ケ ス4の 2に、収納ケ ス4を把持するための 5が設けてある。 ス ット 6 は 面部6a 面部6bと ら 成される。
0010 ここでは、 された半導体ウ をこの ケ ス4を用 て収納 送する場合に て説明する。
0011 に示したよ に、 研削された半導体ウ は先端にお て 利な形状( ウ ッジ)を有する。この 導体ウ を収納ケ ス4の ス ット 6内に 入すると、ウ ッジがそのス ット 6の 面部6bのみに接触する。
0012 導体ウ を収納 送する際には、 に示したよ に、外力を加えて収 納ケ ス4を収縮さ た状態にする。このため、収納 送する際に、 導体 ウ に割れや 等の不具合が発生しやす 。
0013 このよ 不具合は、元の厚さにおける半導体ウ の周 状にな て る 所が元の厚さの 分以下まで研削されるため発生する。 導体ウ を 工する程、ウ ッジは鋭利になり、わず な外力が加わ ただけで割れてし ま 。
0014 また、この 態の ケ スは、比較的 さが高 、収納容積が大き と がある。このため、 ケ ス4を保管するための きなスペ スが必要であり、 他の場所 送するときの ストも高 な てしま 。 て、収納ケ ス 体の が望まれて る。
0015 これらの 題点を解決する手段として、半導体ウ 間に を用 て、複数の 導体ウ を積み重ねる キング型の収 ケ スが考案されて る。 0016 し しながら、 る手段によれば、半導体ウ 面が収納ケ スの 壁面に接 触することになり、前述した された半導体ウ に適用した場合、割れや け などの 具合の 生に対し十分な対応ができるとは えな 。
0017 また、特許 3に示されるよ の ケ スも考案されて るが、鋭利な ッジを有する半導体ウ を 収納する際に、割れや 等の不具合が発 生してしま 。この点に て 2を用 て説明する。
0018 2にお て、点線で示した部分を含む元の厚さにおける半導体ウ は、研削
( ックグラインド)前の底面 dと、半導体 積回路の タ ンが形成される タ ン a ( )とを有する。
0019 ( ックグラインド)により、 2の 線で示した形状に薄 される。このと き、半導体ウ は、 タ ン aと、研削 ( ックグラインド)後の ックグライ ンド bとを有する。 工の 果、半導体ウ の 状にな て る 、元の厚さの 分以下の さまで研削される。 て、半導体ウ の 端には、鋭利な形状の ッジ cが形成される。
0020 を用 て説明したよ に、 された半導体ウ を収納ケ ス4のス ッ ト 6に 入したとき、 導体ウ の ( ッジ)はス ット 6の 面 部6bのみで支持されて る。このとき、 ス ット 6の 面部6bは めに傾 斜して るため、半導体ウ の周 ス ット 6は の 態である。この ため、 導体ウ は非常に割れやす 状態にある。
0021 その 、半導体ウ を固定するため ケ ス4を収縮さ ると、収納ケ ス4 の 下方向 ら み込む は、半導体ウ の に集中して され、 導体ウ に割れを招来する可能性が極めて高まる。
0022 、上記の 題点に みてなされたものであり、収納スペ スを削減でき、 の 導体ウ を収納する場合でも、半導体ウ の は欠けを発 生することな 、安全に収納できる半導体ウ ケ ス びに半導体ウ
法を提供することを目的とする。
題を解決するための
0023 の 題を解決するため、 明の 導体ウ ケ スは、相互に所定の 隔を有するよ に弾性 持された 数の に半導体ウ を収容する半導体 ウ ケ スであ て、 導体ウ の の の の 域に 接して 導体ウ を支持する複数の 持部 、前記 持部 を弾 性的に支持し、 することにより 導体ウ の 2の に接して 導体ウ を前記 持部 に押 する と らなることを特徴とする。 0024 記の 導体ウ ケ スは、前記 の が当 導体ウ の で あり、前記 2の が回路 タ ンの 成された 導体ウ の 面であるよ に構成してもよ 。
0025 ある は、上記の 導体ウ ケ スは、前記 が各 導体ウ の 部 ら所定の 離の 所にお て 導体ウ を保持するクラン を有 するよ に構成してもよ 。
0026 ある は、上記の 導体ウ ケ スは、前記 持部 性を有する樹脂 金属製の であるよ に構成してもよ 。
0027 ある は、上記の 導体ウ ケ スは、前記 持部 が各 導体ウ の 部 ら所定の 離の 所にお て 導体ウ を保持するクラン を有 するよ に構成してもよ 。
0028 ある は、上記の 導体ウ ケ スは、前記 持部 が非 理のなさ れた樹脂 金属製の であるよ に構成してもよ 。
0029 また、上述の 題を解決するため、 明の 導体ウ 、半導体ウ の の の の 域に接して 導体ウ を支持する複数 の 持部 、前記 持部 を弾性的に支持し、 することによ り前記 導体ウ の 2の に接して 導体ウ を前記 持部 に押 する とを備える半導体ウ ケ スを用 た半導体ウ 法で あ て、前記 導体ウ ケ スの 態にお て、複数の 導体ウ を 前記 数の 持部 入する段階と、前記 導体ウ ケ スの 態にお て、前記 持部 が各 導体ウ の の の の 域に接して 導体ウ を支持すると共に、前記 が弾性 するこ とにより 導体ウ を前記 持部 上に押 する段階とを有することを特徴とす る。
明の
0030 明による半導体ウ ケ スによれば、半導体ウ が収納ケ ス 接触 する側壁 分の 状を変更することによ て、半導体ウ が接触する部分を、半導 体ウ の ッジではな 、割れが発生しに 半導体ウ の とすることがで きる。 て、収納ケ スの 下方向 ら み込んで半導体ウ を固定・ 持する 際にも、 導体ウ にお て、割れや けなどの 具合の 生を防止できる 。 る構成により、より された半導体ウ を、高 頼性をも て収納する ことが可能な 導体ウ ケ ス、並びに半導体ウ 法が提供される。
0031 A 来の ケ スの 態を示す 面図である。
B 来の ケ スの 態を示す 面図である。
c 来の ケ スの 成を示す である。
2 導体ウ の 状を示す 面図である。
3 明の の 態に係る収納ケ スの 長時の 成を示す であ る。
4 3の ケ スの 態を示す 面図である。
5 3の ケ スに設けた の 成を示す である。
6 3の ケ スの の 成を示す である。
7 3の ケ スの 態を示す 面図である。
8 3の ケ スを収縮 定した状態を示す である。
9A 送時に 8の ケ スを密閉ケ スに入れた状態を示す である。 9B 送時に 8の ケ スを密閉ケ スに入れて密閉ケ ス蓋で じた状態 を示す である。
10 8の ケ スを装置で使用する場合を説明するための図である。
1 A 8の ケ スを の 置のケ ス に固定する前の状態を示す である。
B 8の ケ スを の 置のケ ス に固定した後の状態を示す である。
2 の 置のケ ス に固定した後、収納ケ スを伸長 態とした場合 を説明するための図である。
A 明の 2の 態に係る収納ケ スの 長時の 成を示す である。
13B 明の 2の 態に係る収納ケ スの の 成を示す で ある。
14A 3 の ケ スの 態を示す 面図である。
14B 3 の ケ スの 態を示す 面図である。
A 明の 2の 態に係る の を示す図である。
5B 明の 2の 態に係る 板の他の構 を示す図である。 A 明の 3の 態に係る収納ケ スの 長時の 成を示す である。
16B 明の 3の 態に係る収納ケ スの の 成を示す で ある。
A 6 の ケ スの 態を示す 面図である。
17B 6 の ケ スの 態を示す 面図である。
明の 4の 態に係る収納ケ スの 長時の 成を示す である。
18B 明の 4の 態に係る収納ケ スの の 成を示す で ある。
gA 8 の ケ スの 態を示す 面図である。
gB 8 の ケ スの 態を示す 面図である。 20A 明の 4の 態に係るば の た状態を示す図である。 20B 明の 4の 態に係るば の じた状態を示す図である。
A 明の 5の 態に係る収納ケ スの 長時の の 成を示 す である。
21B 明の 5の 態に係る収納ケ スの 長時の の 成を示す である。
21C 明の 5の 態に係る収納ケ スの の の 成を示 す である。
22A 明の 5の 態に係るクラン の を示す である。 22B 明の 5の 態に係るクラン の他の構 を示す である。 23A 2 の ケ スの 態を示す 面図である。
23B 2 Cの ケ スの 態を示す 面図である。
号の
0032 導体ウ 、2 ケ ス 面、3 ケ ス 面、4 来の ケ ス、 5 、6ス ット 、 ケ ス、 2 、 3 、 4 ネ 、 5 クラン 、 5a ケ ス 、 5bケ ス 、 6 、 7ケ ス 。
明を実施するための 良の
0033 明を実施するための 態に て 面を用 て説明する。
0034 明の の 態に係る収納ケ スに て 3 2を用 て説明 する。
0035 3は、本実施 態における収納ケ ス の 長時の 成を示す である 。 4は 3の ケ スの 態を示す 面図である。
0036 実施 態における収納ケ ス は収縮 ケ スであり、収容される半導体 ウ の 持部 として、 2が用 られて る。
0037 持部 として、 る 2を用 ることにより、前面( 字の開 )側に は半導体ウ の の 口が形成され、背面( )側には ネ 4が複 数個 されて る。 0038 、 る 2 数枚は、その 外周に沿 て された 数個の 、 ネ 4により相互に結合・ 持され、 、 2は 相互に5 程の間 とされる。
0039 ネ 4の により、 2の びに 、ほぼ
態となるよ 持されることも可である。
0040 そして、 2の 上部及び 下部には、それぞれ 様に ネ 4 を介して、ケ ス 5a、ケ ス 5bが されて る。 ケ ス 5a の 面には、 ケ ス を把持するための 6と、ケ ス
7が設けられて る。また、ケ ス 5bには、ケ ス 7
3が されて る。
0041 また、 4に示すよ に、本実施 態の ケ ス の 、複数の
2 複数の ネ 4とを一定の おきに積み上げて することにより 成 されて る。
0042 2の 、半導体ウ の 法と比 これより大き 設定さ れ、半導体ウ の 状に沿 に 2の ( 導体ウ の 開口とは反対 )の 状を半円形状とすることで、本実施 態の ケ ス は構成される。
0043 このため、本実施 態の ケ ス は、 Cに示した従来の ケ ス 比 較して収納スペ スを削減できる。
0044 5は、前記 2の 成を示す である。
0045 2は、 理がなされた 度の 性のある樹脂
は金属製の により 成する。このため、 2は変形 ず常に平面 状が維持される。
0046 て、 の 導体ウ を収納する場合でも れや 等の不具合が発生す ることな 、安全に収納することができる。
0047 方、 ネ 4は、 4に示されるよ に、板状 4aの 向の 端に円弧 状 ネ 4bが、他方の クラン 4cを具備して る。
0048 弧状 ネ 4bは に位置する 2上に固定され、板状 4aは 2上に載 される半導体ウ 上に延び、そしてクラン 4cは に位置する 2の に固定されて る。
0049 ネ 4は、 理がなされた ・ 2 程の樹脂性 ネ、 は 金属 ネにより 成される。 る ネ 4は、外部 力の 時
には、上下に位置して対向する 2間を分離して、半導体ウ の ・ り出しを可能とする。
0050 、 3に示される状態にお て、ケ ス 5a ケ ス 5bとの間に位 置する複数の 2は、 ネ 4により相互に され、 2 互の間に が形成される。 る状態にお て、ウ ア ム( ず) により支持された半導体ウ が、半導体ウ の 開口部Sより 入され、 4に示す 2上に、その 面を下にして支持される。
0051 ケ ス に必要とされる半導体ウ が収納された後、ケ ス
5a ケ ス 5bとの間にその 面に垂直の 向に外部 が印 され、圧縮さ れる。
0052 導体ウ が収容され、外部 が印 された際の 2、 ネ 4 び半導体ウ の 態を図6、 7に示す。
0053 6は、前記 3に示した ケ ス の の 態の 観を示し、また 7 は、 ケ ス の 態を断面図をも て 。
0054 、 る 縮の際には、円弧状 ネ 4bの 形と共に、板状 4b びにクラン 4cが半導体ウ 上に傾斜・ 動し、 クラン 4cは、半導 体ウ の ッジ( ) ら所定の W( えば )の 所にお て 導体ウ 面に接し、 導体ウ を下 に位置する 2 側に押 して弾性保持する。
0055 この 、対向する( 面上 )クラン 4c間の間 ( 7の で示す)は、 6インチ ケ スの 例えば 、8インチ ケ ス の 例えば 96 2インチ ケ スの 例えば298 と される。
0056 3、 4に示すよ に、本実施 態の ケ ス の 、複数の 2 複数の ネ 4とを一定の おきに積み上げて することにより 成 されて る。
0057 導体ウ を収納する際に、ケ ス 5a ケ ス 5bとの間に位置す る複数の 2の間は ネ 4により相互に拡張され、また 性を有する
2は変形 ず、常に平面 状が維持されるので、 の 導体ウ を収 納する場合でも は欠け等の不具合が発生することな 、安全に収納すること ができる。
0058 8は、 3に示す ケ ス を収縮さ 、固定する状態を示す。
0059 ケ ス を収縮さ た後、ケ ス 5a ケ ス 5bとの間に橋 ク ップ 8を配置して 定する。ク ップ 8をケ ス 5a、ケ ス 5bに されて るケ ス 7に することにより、ケ ス 5a ケ ス 5bとの間の拡張を防止する。ク ップ 9は 金属 ら 成され得る。 0060 この様に半導体ウ が収容され、収縮 態とされた ケ ス は、輸送時に は ケ スに収容されて 送される。
0061 g は、 8に示す 態にある収納ケ ス を、密閉ケ ス gaに収容し た状態を示す。 g は、密閉ケ ス gbにより した状態を示す。
0062 、収納ケ ス をク ン ム外に持ち出す際には、 ケ ス を密閉ケ ス gaに収容 、密閉ケ ス gbにより じて輸送する( g ) 0063 る実施 態における収納ケ ス を、半導体ウ に対する 理装置に お て、適用する状態を図 2を用 て説明する。
0064 は、収納ケ ス を、装置24にお て適用する状態を示す。
0065 24は、半導体ウ に対して ッチング は気相 理などの 理を〒 理装置( ず)にお て、収納ケ ス に収容されて る
導体ウ を収納ケ ス ら取り出す は ケ ス に収納する ための ボット等を備えた である。
0066 まず、 8に示したよ に収縮 定されて る収納ケ ス を、装置24のケ ス
2 上に置き、次 で、 、 に示されるよ に、 ケ ス をスライドさ 、ケ ス 5bに設けられた装置 3をケ ス 2 に されたケ ス ック22に する。 、 、 にあ ては、 ケ ス 23の して る。
0067 で、ク ップ 8を収納ケ ス ら 。この 果、収納ケ ス は 長 する。し る後、図 2に示されるよ に、一端がケ ス 2 に支持されたケ ス
23を、収納ケ ス 部のケ ス 5aに ケ ス
7に 込み、ケ ス 2 上に収納ケ ス を伸長 態で固定する。 0068 この 、 ボット等の自 送機により、 ケ ス らの 導体ウ
の 出、 は処理 の 導体ウ の当 ケ ス の 入が行われ る( ず)。
0069 次に、 明の 2の 態に係る収納ケ ス に て 3 5を 用 て説明する。
0070 3 は、 2の 態に係る収納ケ ス の 長時の 態を示し、 3 は、 2の 態に係る収納ケ ス の の 態を示す。
0071 また、 4 は、収納ケ ス の 態を示す 面図であり、 4 は、 ケ ス の 態を示す 面図である。
0072 また、 5 は、本実施 態に係る の 成を示し、 5 は、本実施 態に係る 板の他の構 を示す。
0073 実施 態における収納ケ ス にあ ては、弾性 として前記 の
態における ネ 4の わりに円筒状チ 25を用 て る。
0074 、 4に示されるよ に、半導体ウ の 持部 である 2 数枚 は、その 外周に沿 て された 数個の 筒状チ 25により相互に結 合・ 持され、 、 2は相互に5 程の間 される。
0075 筒状チ 25の により、 2の びに 、ほぼ 態となるよ 持されることも可である。また、 筒状チ 25は、連続 した一 のチ ら 成されても良 。
0076 筒状チ 25は、 ム等の伸 料を用 た 性体をも て 成される 0077 また、 2の には、クラン 26が されて る。 クラ 26は、ウ タン は ン ム等 性を有する材料により 成され、
2には接着・ 定される。
0078 クラン 26は、 5 に示すよ に、 2に複数個 (26a)に配置 してもよ 、また 5 に示すよ に、 2の 状に沿 て連続して配置(26b )しても良 。
0079 筒状チ 25は、外部 力の 時 には、上下に位置して 対向する 2間を大き 分離して、半導体ウ の ・ り出しを可能と する。
0080 、 4 に示される状態にお て、複数の 2は円筒状チ 25 により され、 2 互の間に が形成される。ウ ア ム( ず)により支持された半導体ウ が 入され、図に示す 2上 に、その 面を下にして支持される。
0081 態と同様に、ケ ス 5a、ケ ス 5bに対して上下方向より外 力を加え、収納ケ ス を収縮さ ると、 4 に示される 、クラン 26が半導 体ウ の ( タ ン )に押し当てられ、半導体ウ は クラン 2 6と 2との間に ・ 定される。
0082 この 、対向する( 面上 )クラン 26間の間 ( 4 の で示す) は、前記 様と同様の 法とされる。
0083 、本実施 態における収納ケ ス の 、ならびに処理装置における 用法は、前記 の 態と同様の 法を採ることができる。
0084 次に、 明の 3の 態に係る収納ケ ス OCに て 6 7を 用 て説明する。
0085 6 は、 3の 態に係る収納ケ ス OCの 長時の 成を示し、
6 は、 3の 態に係る収納ケ ス OCの の 成を示す。
0086 7 は、 6 の ケ ス OCの 態を示す 面図、図 7 は、 6 の ケ ス OCの 態を示す 面図である。
0087 実施 態における収納ケ ス OCにあ ては、弾性 して前記 の
態における ネ 4の わりに、板状 ム 27を用 て る。 0088 、 6 に示されるよ に、半導体ウ の 持部 である 2 数 枚は、その 外周 に沿 て された板状 ム 27により相互に結合・ 持され、 、 2は相互に5 程の間 とされる。
0089 ム 27の により、 2の びに 、ほぼ 態となるよ 持されることも可能である。また、 ム 27は、連続し た一 の 材 ら 成されても良 。
0090 方、当 2の には、クラン 26が されて る。 ク ラン 26は、前記 様と同様、ウ タン は ン ム等 性を有する材料 により 成され、 2には接着・ 定される。
0091 クラン 26は、前記 様に係る図 5 に示したよ に、 2に複 数個 に配置してもよ 、また 5 に示したよ に、 2の 状に沿 て 連続して配置しても良 。
0092 板状 ム 27は、外部 力の 時 には、上下に位置して 対向する 2間を分離して、半導体ウ の ・ り出しを可能とする。 0093 、 7 に示される状態にお て、複数の 2 板状 ム
27により され、 2 互の間に が形成される。ウ ア ム( ず)により支持された半導体ウ が 入され、図に示す
2上に、その 面を下にして支持される。
0094 ケ ス 5a、ケ ス 5bに対して上下方向より外力を加え、収納ケ ス を収縮さ ると、 7 に示される 、クラン 26が半導体ウ の表面( タ ン )に押し当てられ、半導体ウ は 2との間に ・ 定される。 0095 この 、対向する( 面上 )クラン 26間の間 ( 7 の で示す) は、前記 様と同様の 法とされる。
0096 また、本実施 態の ケ ス OCも、 る構成により 縮の 導体ウ
の は欠けを招来することがな 、より高 をも て 縮を可能とす る。
0097 このため、本実施 態の ケ ス OCも、 Cに示した従来の ケ ス 比 較して、高さをより減じることができ、収納スペ スを削減することができる。 0098 、本実施 態における収納ケ ス OCの 、ならびに処理装置における 用法は、前記 の 態と同様の 法を採ることができる。
0099 明の 4の 態に係る収納ケ ス に て 8 2 を用 て 説明する。
0100 8 は、 4の 態に係る収納ケ ス の 長時の 成を示し、
8 は、 4の 態に係る収納ケ ス の の 成を示す。
0 0 g は、 8 の ケ ス の 態を示す 面図であり、 g は、
8 の ケ ス の 態を示す 面図である。
0102 また、 2 は、 4の 態に る ネ の た状態を示し、 2 O は、 4の 態にか る ネ の じた状態を示す。
0103 実施 態における収納ケ ス にあ ては、弾性 として、前記 の 態における ネ 4の わりに ネ 28を用 て る。
0104 、 9に示されるよ に、半導体ウ の 持部 である 2 数枚 は、その 外周 に沿 て された ネ 28により相互に結合・ 持され、 、 2は相互に5 程の間 とされる。
0105 ネ 28の により、 2の びに 、ほぼ 態となるよ 持されることも可である。
0106 ネ 28は、例えば ・ ~ ・ 3 程のS S3 4CSPなど ら 成される。
0107 方、当 2の には、クラン 26が されて る。 ク ラン 26は、前記 様と同様、ウ タン は ン ム等 性を有する材料 により 成され、 2には接着・ 定される。
0108 クラン 26は、前記 様に係る図 5 に示したよ に、 2に複 数個 に配置してもよ 、また 5 に示したよ に、 2の 状に沿 て 連続して配置しても良 。
0109 ネ 28は、外部 力の 時 には、上下に位置して 対向する 2間を分離して、半導体ウ の ・ り出しを可能 する。 0110 、 g に示される状態にお て、複数の 2 互の間は ネ 部 28により され、 2間に が形成される。ウ ア ム ( ず)により支持された半導体ウ が 入され、図に示す 2 上に、その 面を下にして支持される。
0111 ケ ス 5a、ケ ス 5bに対して上下方向より外力を加え、収納ケ ス を収縮さ ると、 g に示される 、クラン 26が半導体ウ の表面( タ ン )に押し当てられ、半導体ウ は 2との間に ・ 定される。 0112 この 、対向する( 面上 )クラン 26間の間 ( 9 の で示す) は、前記 様と同様の 法とされる。
0113 、本実施 態における収納ケ ス の 、ならびに処理装置における 用法は、前記 の 態と同様の 法を採ることができる。
0114 また、 ネ 28は、 2 に示すよ に、通常 態にお ては開 た状態の により 成しても良 、 は、 2 に示すよ に、通常 態にお ては閉じた 状態の により 成しても良 。
0115 態にお ては開 た状態の を適用することにより、圧縮して じる際の 圧 ・ 度を調整することができ、半導体ウ に対する 撃の を防止する事が でき、も て 導体ウ の れを防止することができる。 方、通常 態にお ては閉じた状態の を適用することにより、常時半導体ウ を保持することが 可能であるため、 送時などにお て 導体ウ の 下を防止することがで きる。
0116 次に、 明の 5の 態に係る収納ケ ス に て 2 23 を用 て説明する。
0117 2 は、 5の 態に係る収納ケ ス の 長時の の 成 を示し、 2 は、 2 の ケ ス の 長時の の 成を示す。また 、 2 Cは、 2 に示す ケ ス の の の 成を示す。
0118 また、 22 は、 5の 態に係るクラン の を示し、 22 は、
5の 態に係るクラン の他の構 を示す。
0119 23 は、 5の 態における収納ケ ス の 態を示す 面 図であり、 23 は、収納ケ ス の 態を示す 面図である。 0120 、本実施 態における収納ケ ス にあ ては、前記 態と異なり、半 導体ウ の 持部 として を適用して な 。
0121 実施 態にあ ては、 2 2 Cに示されるよ に、連続する の
ネ 29を適用し、 に相当する半導体ウ の支持部と ネ とを一 体に形成して る。 、 に示した従来 術と同様に、 を成して る。 0122 2 に示されるよ に、 続する の ネ 29は、外部 力の 時 には相互に5 程の間隔をも て伸長される。
0123 の ネ 29は、例えばポ チ ンテ タ ト、ポ プ ピ などの 成樹脂 料 ら 成される。
0124 方、当 の ネ 29の ( ) の には、それぞれ クラン 26が されて る。
0125 クラン 26は、前記 様と同様、ウ タン は ン ム等 性を有 する材料により 成され、 の ネ 29に接着・ 定される。
0126 クラン 26は、 22 に示すよ に、複数個 続して ( )状に配 (26aa)しても良 、また 22 に示すよ に、連続して一体に配 (26bb)しても 0127 の ネ 29は、外部 力の 時 には、上下に 伸長して大きな空間を形成し、半導体ウ の ・ り出しを可能とする。
0128 、 23 に示される状態にお て、 の ネ 29の
に拡張され、 が形成される。ウ ア ム( ず)により支持され た半導体ウ が 入され、図に示す の ネ 29の 上に、 その 面を下にして支持される。
0129 ケ ス 5a、ケ ス 5b( ず)に対して上下方向より外力を加え、収 納ケ ス を収縮さ ると、 23 に示される 、クラン 26が半導体ウ の 表面( タ ン ) に押し当てられ、半導体ウ は の ネ 29の ・ 定される。
0 30 このとき、半導体ウ の に位置するクラン 26は、半導体ウ の
部 ら 上内側の 所に対して は 触状態にて 触し、 の ネ 29 クラン 26が半導体ウ の ッジに接触すること はな 。
0131 て、 された半導体ウ を収納ケ ス に 入した場合であ ても 、その の ッジは上下のクラン 26により支持・ 定され、 ウ の ッジ に割れ、欠けを生じな 。
0132 、本実施 態における収納ケ ス の 、ならびに処理装置における 用法は、前記 の 態と同様の 法を採ることができる。
0133 上 明したよ に、 明の 4の 態の ケ ス
にあ ては、複数の ( 2) ( ネ 4)とを所定 の 隔をも て積層して することにより 成されて る。
0134 る構成によれば、半導体ウ を収納する際に、 性を有する 2は 変形 ず、常に平面 状が維持されるので、 の 導体ウ を収納する場合で も、 導体ウ に割れや 等の不具合が発生することな 、安全に収納する ことができる。
0135 また、半導体ウ の 法と比 て 2の 法を大き 設定し、半導体ウ の 状に沿 に 2の の 状を半円形の 状とすることによ り、従来の ケ ス 比較して収納スペ スを削減することができる。
0136 また、 明の 5の 態の ケ スにあ ては、 の ネ 29 を適用して、半導体ウ の 持部と ネ とを兼用することにより、より簡単な構 成をも て ケ スを構成することができる。
0137 そして、 ケ スにあ ては、 導体ウ の ッジ部を、弾 性を有するクラン により は 触状態にて支持するため、 導体 ウ が されたものであ ても は欠けなどを招来しな 。

Claims

求の
互に所定の 隔を有するよ に弾性 持された 数の に半導体ウ を 収容する半導体ウ ケ スであ て、
導体ウ の の の の 域に接して 導体ウ を 支持する複数の 持部 、
前記 持部 を弾性的に支持し、 することにより 導体ウ の 2の に接して 導体ウ を前記 持部 に押 する と らなることを特徴とする半導体ウ ケ ス。
2 の 導体ウ の であり、前記 2の 回路 タ ンが形成された 導体ウ の 面であることを特徴とする 載の 導体ウ ケ ス。
3 、 導体ウ の 部 ら所定の 離の 所にお て 導体ウ を保持するクラン を有することを特徴とする 載の 導体 ウ ケ ス。
4 持部 、 性を有する樹脂 金属製の であることを特徴と する 載の 導体ウ ケ ス。
5 持部 、 導体ウ の 部 ら所定の 離の 所にお て 導体ウ を保持するクラン を有することを特徴とする 載の 導体 ウ の ケ ス。
6 持部 、 理がなされた樹脂 金属製の であることを 特徴とする 載の 導体ウ の ケ ス。
7 互に所定の 隔を有するよ に弾性 持された 数の に半導体ウ を 収容する半導体ウ ケ スであ て、
導体ウ の の の の 域に接して 導体ウ を 支持する複数の 持部 、
前記 持部 、前記 導体ウ とは異なる面に配 され、 導体ウ の 2の に接して 導体ウ を前記 持部 に押 するクラン 、 前記 持部 を弾性的に支持する らなることを特徴とする半導体ウ ケ ス。
8 の 導体ウ の であり、前記 2の 回路 タ ンが形成された 導体ウ の 面であることを特徴とする 7 載の 導体ウ ケ ス。
9 数の 、一定の おきに された 数の を有するス ット として構成されることを特徴とする 7 載の 導体ウ ケ ス。
0 クラ は、 の 内側の に上下 称に配 される クラ クラン を備えることを特徴とする 7 載の 導体ウ ケ ス。 導体ウ の の の の 域に接して 導体ウ を支 持する複数の 持部 、前記 持部 を弾性的に支持し、
することにより前記 導体ウ の 2の に接して 導体ウ を前記 持 部 に押 する とを備える半導体ウ ケ スを用 た半導体ウ 法であ て、
前記 導体ウ ケ スの 態にお て、複数の 導体ウ を前記 数の 持部 入する段階と、
前記 導体ウ ケ スの 態にお て、前記 持部 が各 導体ウ の の の の 域に接して 導体ウ を支持すると共に 、前記 が弾性 することにより 導体ウ を前記 持部 上に押 する段階と
を有することを特徴とする半導体ウ 。
2 導体ウ の の の の 域に接して 導体ウ を支 持する複数の 持部 、前記 持部 、前記 導体ウ とは異なる面 に配 され、前記 導体ウ の 2の に接して 導体ウ を前記 持 部 に押 するクラン 、前記 数の 持部 を弾性的に支持する
とを備える半導体ウ ケ スを用 た半導体ウ 法であ て、 前記 導体ウ ケ スの 態にお て、複数の 導体ウ を前記 数 持部 入する段階と、
前記 導体ウ ケ スの 態にお て、前記 持部 が各 導体ウ の の の 域に接して 導体ウ を支持すると共に 、前記クラン が 導体ウ を前記 持部 上に押 する段階と
を有することを特徴とする半導体ウ の 。
3 導体ウ を収容する半導体ウ ケ スであ て、
複数の 導体ウ を収容するため 成された、連続する の ネ 、 前記 の ネ 、 導体ウ 接する部位に配 され、
導体 を するクラ と
を備えることを特徴とする半導体ウ ケ ス。
4 数の 導体ウ を収容するため 成された、連続する の ネ 、前 記 の ネ 、 導体ウ 接する部位に配 され、 導体 ウ を するクラン とを備える半導体ウ ケ スを用 た半導体ウ 法であ て、
前記 導体ウ ケ スの 態にお て、複数の 導体ウ を前記 の ネ 入する段階と、
前記 導体ウ ケ スの 態にお て、前記クラン が 導体ウ の の 面及び 2の の の 域に接して 導体ウ を 持する段階と
を有することを特徴とする半導体ウ 。
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