WO2006095805A1 - 電子回路およびその製造方法 - Google Patents

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bonding
bonding pad
wire
substrate
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Naoki Matsushima
Hideaki Takemori
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Hitachi Kyowa Engineering Co., Ltd.
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Definitions

  • the present invention relates to an electronic circuit and a method of manufacturing the same, and more particularly to an electronic circuit connecting conductor wires to bonding pads formed on the surface of a resin insulating film and a method of manufacturing the same.
  • Patent Document 1 describes a wire bonding method in which a wire is pulled upward after ball bonding and separated at the tip end of a gold ball to form a bump and second bonding of wire bonding is performed on the bump. There is.
  • Patent Document 3 improves the invention described in Patent Document 1, and after bringing a gold metal into contact with a base metal conductor, the ca- bly is moved in the horizontal direction simultaneously with the vertical direction to increase the bonding area. A wire bonding method for forming bumps is described.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-183139
  • FIG. 10 is a plan view and a sectional view of a semiconductor device on which the semiconductor chip 9 is mounted.

Landscapes

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Description

明 細 書
電子回路およびその製造方法
技術分野
[0001] 本発明は、電子回路およびその製造方法に関わり、特に榭脂絶縁膜の表層に形 成されたボンディングパッドに導体ワイヤを接続する電子回路およびその製造方法 に関わる。
背景技術
[0002] 近年の電子回路基板は、製品仕様の高度化により高密度'小形化'特性の広帯域 化が要求されている。これらの要求を満たす有効な手段としては、電子回路基板上 にポリイミド等の薄膜絶縁層を使用した多層配線を形成することが挙げられる。特に、 高周波伝送線路をインピーダンス一定の条件で小型化するためには、層間絶縁膜を 極めて薄くする必要がある。この場合、層間絶縁膜および絶縁膜の上に形成する金 属膜は、薄膜の技術を使う必要がある。
[0003] 一方、電子回路基板においては、基板上に搭載された電子部品と基板と間、もしく は基板と別の部品とを電気的に接続する必要がある。これを実現する有効な手段と しては、 Auや A1力もなる導体ワイヤ (金属ワイヤ）と電子部品上の電極パッドとを超音 波溶接により接合させる、いわゆるワイヤボンディングが挙げられる。
[0004] 特許文献 1には、ボールボンディング後にワイヤを上方に引っ張って金ボールの先 端部で切り離してバンプを形成し、このバンプにワイヤボンディングのセカンドボンデ イングを行うワイヤボンディング方法が記載されている。
[0005] また、特許文献 2には、卑金属の導体にボールボンディングした後、後に実施する ワイヤボンディングのファーストボンディング箇所と反対方向の卑金属の導体部分に ゥエッジボンディングすることでバンプを形成するワイヤボンディング方法が記載され ている。
[0006] 特許文献 3には、特許文献 1に記載された発明を改良する、卑金属の導体に金ボ ールを接触させた後キヤビラリを垂直方向と同時に水平方向に移動し、接合面積の 大き 、バンプを形成するワイヤボンディング方法が記載されて 、る。 [0007] 特許文献 1 :特開平 3-183139号公報
特許文献 2：特許 3344235号公報
特許文献 3：特開 2000— 357700号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0008] し力しながら、ポリイミド等の樹脂絶縁膜上に形成されたボンディングパッド上にワイ ャボンディングにより導体ワイヤをセカンドボンディングすると、図 1 (a)に示すように ボンディング時の超音波出力によりポリイミドとパッドとが界面剥離を起こしたり、図 1 ( b)に示すようにポリイミド自身が破断するという問題が生じたりする問題があり、安定 した接続を行うことができな 、。
[0009] 特許文献 1に記載された発明はワイヤまたは ICのリペアを対象としてなされ、特許 文献 2および 3に記載された発明は卑金属の導体を対象としてなされているので、上 述した課題にっ ヽて記載がな ヽ。
課題を解決するための手段
[0010] 基板に形成された榭脂絶縁膜の上に形成した金属膜にバンプを形成し、このバン プに導体ワイヤを超音波ボンディングすることにより、上記課題を解決することができ る。
発明の効果
[0011] 榭脂絶縁膜の上に金属薄膜からなるボンディングパッドが形成される構造であって も、ボンディングパッドにワイヤボンディングする際に、良好な接続状態を実現するこ とがでさる。
発明を実施するための最良の形態
[0012] 以下本発明の実施の形態について、実施例を用いて図面を参照しながら説明する 実施例 1
[0013] 実施例 1を、図 2ないし図 5を用いて説明する。ここで、図 2ないし図 5は電子回路の 断面図である。 図 2において、基板 1の表面上には、ポリイミド膜 2が形成されている。具体的には、 液状のポリイミドを基板 1にスピン塗布した後、 350°Cでキュア (熱硬化）して形成する 。なお、感光性のポリイミドを用いてキュア前にパタンユングしても良いし、非感光性 のポリイミドを用いて、キュア後にホトレジェ程を経てヒドラジンによるエッチングでパタ ンユングしても良い。基板 1の部材としては、窒化アルミ (A1N)基板を用いた。ポリイミ ド膜 2の膜厚は、 2 m (キュア後）とした。発明者の知見に拠れば、絶縁榭脂膜の膜 厚は 0.1〜： LOO /z mの範囲の場合、効果を最大限発揮できる。
[0014] ポリイミド膜 2の表面には、金属膜をパタンユングした第一のボンディングパッド 31 および第二のボンディングパッド 32が形成されている。ここで、金属膜は、下 (基板 1 側)から順に Ti (チタン)、 Pt (白金）、 Au (金）（以下 Ti/Pt/Auと記載)を、 1台の蒸着 装置で連続して形成した。 Ti/Pt/Auの積層構造をなすそれぞれの膜厚は、基板 1 佃 ら 0. 1 m、 0.2 m、 0.5 mである（以降、（厚さ 0.1/0.2/0.5 m)とも記載）。 である。ここで、 Tiは接着層の役目を、 Ptは Au膜に他の金属を半田で接続するとき の半田バリア層（Ti膜への半田材料の拡散を防ぐ)の役目を、 Auは主たる配線層で 且つワイヤボンディング性を確保する役目をそれぞれ担う。この積層構造をなす Ti膜 、 Pt膜および Au膜は、イオンミリング装置を用いて一括でパタンィ匕される。ボンディン グパッド用金属膜のトータル膜厚に関しては、発明者の実験によれば 0.02〜30 m の範囲が本実施例の効果が現れ、 0.02〜5 μ mの範囲であればさらに効果的である
[0015] 第一のボンディングパッド 31の表面には、 Auの導体バンプ 4が設置されている。こ の導体バンプ 4は、ワイヤボンディング装置を用いて、 25 mの Auワイヤを溶融した Auボール（直径 100 μ m)をボンディングパッド 31にボールボンディングで形成した 。導体バンプの部材に関しては、ボンディングパッド 31と超音波溶接により接合が可 能なものである必要があり、 Auの他に A1を用いてもよい。ここで、導体バンプは高さ 4 0〜80 μ mである。
[0016] この第一のボンディングパッド 31上に形成された導体バンプ 4と第二のボンディン グパッドとを、 Auの導体ワイヤ 5を用いて電気的に接続する。ワイヤボンディングの第 一回目のボンディングであるボールボンディング 51は、導体バンプのない第二のボ ンデイングパッド 32に形成している。ワイヤボンディングの第二回目のボンディングで あるセカンドボンディング 52は、第一のボンディングパッド 31上に形成された導体バ ンプ 4の上に形成している。
[0017] ワイヤボンディングは、 Au等の導体ワイヤと電極とを超音波によって金属を拡散さ せ接合するものである。ワイヤボンディングでは、接続時に印加する超音波により基 板がダメージを受ける場合がある。特に、ボンディングパッドの直下がポリイミド膜のよ うな榭脂絶縁膜の場合、前述の通り超音波によってポリイミド膜とボンディングパッドと が剥離したり、あるいはポリイミド自体が破壊したりする場合がある。ワイヤボンディン グの場合、この現象は第二回目のボンディング、すなわちゥエッジボンディングの際 に生じる。これは、ボールボンディングの場合はボールの存在により超音波が緩和さ れ、ポリイミドに力が掛カりに《なっているのに対し、ゥエッジボンディングの場合は 超音波を緩和する部分がほとんどないためである。本実施例による構造を採ることで 、セカンドボンディングの際にもボールボンディングに相当するバンプの存在によりポ リイミドへ掛力る超音波が緩和され、剥離や破断と 、つた現象を回避することができる
[0018] なお、本実施例による電子回路基板の構造は、図 3ないし図 5に示されるものであ つても構わない。
図 3は、第一のボンディングパッド 31のみがポリイミド膜 2上に形成され、第二のボン デイングパッド 31は、基板 1上に形成されている。このような構造であっても導体バン プ 4がポリイミド膜 2上に形成された第一のボンディングパッド 31上に設置すれば、実 施例の効果は図 2と同様になる。
[0019] また、図 4では、基板 1上にポリイミド層 21が形成され、その上層に第二のボンディ ングパッド 32となる金属膜層とこの金属膜層の上にポリイミド層 22が形成されている 。第一のボンディングパッド 31は、上層のポリイミド膜 22上に形成されている。このよ うな電子回路基板に対し、第一のボンディングパッド 31上に導体バンプ 4を形成し、 導体バンプ 4と第二のボンディングパッド 32とをボンディングワイヤ 5により電気的に 接続することで、図 2と同等の効果を得ることができる。
[0020] さらに、図 5は 2枚の基板 11、 12により構成されたものである。基板 11には、その上 層にポリイミド膜 21を形成し、その上に第一のボンディングパッド 31を形成する。基 板 12には、ポリイミド膜 22が形成され、その上に第二のボンディングパッド 32を形成 する。この実施例では、基板 12側にもポリイミド膜 22がある力 もちろん基板 12上に 存在しな!、形態でも構わな ヽ。第一のボンディングパッド 31上に導体バンプ 4を形成 、導体バンプ 4とボンディングパッド 32とをボンディングワイヤ 5により電気的に接続す れば、図 2と同様の効果を得ることができる。
[0021] 本実施例では、基板として窒化アルミを用いたが A1203 (アルミナ）や SiC (シリコン カーバイド)等のセラミック基板、 Si (シリコン)等の半導体基板、 FR— 4に代表される ガラスエポキシ基板、ガラス基板などでも構わない。また、榭脂絶縁膜としてポリイミド を用いたが、ポリアミドであっても構わず、エポキシ榭脂ゃアクリル榭脂、およびこれら を主成分とする材料を用いても構わな 、。
[0022] ボンディングパッドの部材としては、 A1 (アルミニウム）または Auもしくは A1を主成分 とした材料でも構わない。また上述した金属膜の構成に関し、ボンディングパッドを構 成するそれにお 、て、導体ワイヤを接合できる前記部材は膜表面に存在すればょ ヽ 。ボンディングパッドや後述する配線層をなす金属膜は、本実施例で用いた Ti/Pt/ Auの積層構造以外にも、 Cr (クロム）/ Al、 Ti/Al、 Ti/Ni (ニッケル） /Au、 Cr/Cu ( 銅) /Au等の積層構造であっても良 、。
[0023] この金属膜として Cr/Cu/Auの積層構造を用いると、基板 1側 (基板 11、 12側)か ら Cr膜、 Cu膜および Au膜 (それぞれの厚さは例えば 0.1/0.5/0. l /z m)は、 1台の スパッタリング装置で連続して順次形成できる。この積層構造において、 Cr膜は接着 層の役目を、 Cu膜は主たる配線層の役目を、 Au膜は Cu表面の酸ィ匕防止とワイヤボ ンデイング性を確保する役目をそれぞれ担い、 Au膜と Cu膜は、ヨウ素とヨウ化アンモ ンの水溶液、 Cr膜はフェリシアンの水溶液でそれぞれエッチングして、パタン形成す る。ボンディングパッド用金属膜として好ましい当該積層構造のトータル膜厚は、 Ti/ Pt/Auの積層構造のそれと同じである。
以上に記した基板、榭脂絶縁膜および金属膜 (ボンディングパッド)の変形例の有 用性に付いては、後述する他の実施例でも同様である。
なお、ワイヤボンディングのセカンドボンディングをステッチボンディングと呼ぶこと がある。ボールボンディング、ゥエッジボンディング、ステッチボンディング等は、いず れも超音波ボンディングである。また、ボンディングパッドは、結果としてボンディング する箇所であるが、配線の意味を含む。また、バンプは突起部の意味である。
実施例 2
[0024] 次に、本発明の実施例 2について、図 6および図 7を用いて説明する。ここで、図 6 および図 7は電子回路の断面図である。
[0025] まず、図 6について説明する。実施例 2においても、実施例 1と同様基板 1の表面に ポリイミド膜 2が形成されている。基板 1には窒化アルミ、ポリイミド膜 2にはポリイミドを 用いた。ポリイミドの膜厚は 2 mとした。
[0026] ポリイミド膜 2の上には、第一のボンディングパッド 31および第二のボンディングパッ ド 32が形成されている。ボンディングパッド 31、 32のメタライズは、 Cr/Alであり、その 膜厚はそれぞれ 0.1/1.0 mとした。
[0027] Cr/Alは、 1台のスパッタリング装置で真空を破らずに連続して形成した。ここで、 C rは接着層、 A1は配線層およびワイヤボンディング層である。 A1は、リン酸と酢酸と硝 酸とを混合した水溶液、 Crは硝酸第 2セリウムアンモンと過塩素酸との水溶液でそれ ぞれエッチングして、パタン形成する。
[0028] 第一のボンディングパッド 31および第二のボンディングパッド 32上には、それぞれ 第一の導体バンプ 41および第二の導体バンプ 42が設置されている。すなわち、本 実施例と実施例 1との相違点はボンディングパッド 31、 32の両方に導体バンプが形 成されている点である。導体バンプ 41、 42の部材には Auを用いた。
[0029] 第一のボンディングパッド 31上に形成された導体バンプ 41と第二のボンディングパ ッド 32上に形成された導体バンプ 42とを、導体ワイヤ 5を用いて電気的に接続する。 本実施例では Auワイヤを用い、ボールボンダにより形成した。ボールボンディングの 第一回目のボンディングであるボールボンディング 51は、導体バンプのない第二の ボンディングパッド 32に形成している。ボールボンディングの第二回目のボンディン グであるセカンドボンディング 52は、第一のボンディングパッド 31上に形成された導 体バンプ 4の上に形成している。但し、本実施例では両方のボンディングパッドに超 音波緩和用の導体パッドを形成して 、るので、ボールボンディングの設置場所につ いては上記と逆であっても構わない。このような形態をとることにより、ワイヤボンディ ングによる剥離や榭脂破断等の不良が発生しない、良好な接続を得ることができる。
[0030] 上述の通り、実施例 2ではボンディングパッド 31、 32のどちらにゥエッジボンディン グをしても構わない。また、本構造であれば、図 7に示すようにゥェッジボンダを用い て導体バンプ 41、 42上にゥエッジボンディング 61、 62を行うことで導体ワイヤ 6を接 続しても同様の効果を得ることができる。
[0031] なお、電子回路基板の構造に関しては、実施例 1と同様図 6、 7以外の、図 3ないし 図 5の構造としても同等の効果を得ることができる。
実施例 3
[0032] 次に、本発明の他の実施の形態を、実施例 3として図 8を用いて説明する。ここで図 8は、光通信 ·光記録などに用いられる光モジュールの平面図および断面図である。
[0033] 図 8において、窒化アルミの基板 1上には、 Ti/Pt/Au0f^O.l/O.2/O.5 μ m)から なる配線層 3が形成されている。配線層 3の上層の一部には、ポリイミド膜からなる榭 脂絶縁層 2 (厚さ 2 /z m)が形成されている。さらに、榭脂絶縁層 2の上には Ti/Pt/A u (厚さ 0.1/0.2/0.5 μ m)からなるボンディングパッド 31が形成されている。ボンディ ングパッド 31は配線も兼ねている。ボンディングパッド 31上には、ボールボンダにより 形成された Auカゝらなる導体バンプ 4が具備されている。
[0034] 一方、基板 1上の配線層 3の、榭脂絶縁層 2の存在しない部分には、はんだ等によ り、半導体レーザ 7が搭載されている。半導体レーザ 7は、その下部にある電極 71お よび上部にある電極 72を配線に電気的に接続し、電流を印加することで発光させる 。電極 71は、配線層 3と、図示していないがはんだにより接合されている。
[0035] 一方、電極 72は、図 1における第二のボンディングパッド 32に相当するものである 。導体ワイヤ 5を用いてボンディングパッド 31上の導体パッド 4と半導体レーザ 7の電 極 71を接続する。本実施例では Auワイヤを用い、ボールボンダにより形成した。ボ 一ルボンディングの第一回目のボンディングであるボールボンディング 51を電極 72 に形成し、ワイヤボンディングの第二回目のボンディングであるゥエッジボンディング 5 2は、導体バンプ 4の上に形成している。
[0036] 配線層 3と絶縁榭脂層 2と配線を兼ねたボンディングパッド 31とは、マイクロストリツ プ伝送線路を形成して 、るので、 lOGbit/sの電気信号を効率よく半導体レーザに 伝えることができる。また、このような構造を採ることで、信頼性の高い光モジュールを 得ることができる。本実施例の絶縁榭脂膜は、 2 mと薄いので、インピーダンスを 50 Ωとすると極めて小型の伝送線路を提供できるという効果もある。
[0037] なお、半導体レーザ以外にも、フォトダイオード、光変調器などの光半導体素子、サ 一ミスタ、コンデンサなどのチップ部品に適用することができる。
実施例 4
[0038] 本発明の他の実施の形態を、実施例 4として図 9を用いて説明する。ここで図 9は、 高周波伝送線路の平面図および断面図である。
[0039] 図 9において、窒化アルミからなる基板 1の表面には Cr/Cu/Auからなる配線層 3 が形成されている。配線層 3の上層の一部には、ポリイミド膜からなる榭脂絶縁層 2が 形成されている。さらに、榭脂絶縁層 3の上には Cr/Cu/Auからなる配線層 81、 82、 83を形成する。配線層 81、 82、 83は、電気信号配線が形成しており、 81と 82はグ ランド線、 83は信号線としたコプレーナ型の伝送線路の形態を示して 、る。
[0040] コプレーナ線路の場合、伝送特性を良好にするためには左右のグランド線 81、 82 の電位を等しくする必要があり、その手段として左右グランド線を導体ワイヤにより電 気的に接続するという方法を採用する。すなわち、図 9に示す 81、 82が、実施例 1の ボンディングパッド 31および 32に相当する。グランド線 81の上に Au力もなる導体バ ンプ 4を形成する。導体バンプ 4とグランド線 82とを導体ワイヤ 5で電気的に接続する
[0041] 本実施例によるコプレーナ線路は信頼性が高ぐ誘電体膜が 2 mと薄いので、ィ ンピーダンスを 50 Ωとすると極めて小型の伝送線路を提供できるという効果もある。 実施例 5
[0042] 本発明の他の実施の形態を、実施例 5として図 10を用いて説明する。ここで、図 10 は、半導体チップ 9が搭載された半導体装置の平面図および断面図である。
窒化アルミからなる基板 1上には、 Cr/Cu/Auカゝらなる配線層 3が形成されており、 その上層の一部にはポリイミド膜 2が形成されている。榭脂絶縁層 2の表面には、複 数のボンディングパッド 31が形成されている。ここで、ボンディングパッド 31は、配線 層も兼ねている。ボンディングパッド 31上には、ボールボンダにより形成された Auか らなる導体バンプ 4が具備されて 、る。
[0043] 一方、半導体チップ 9は基板 1上の配線層 3にダイボンディングされている。半導体 チップ 9の上面には電極 91が存在する。この半導体チップの電極 91が、図 1におけ る第二のボンディングパッド 32に相当する。導体ワイヤ 5を用いてボンディングパッド 31上の導体バンプ 4と半導体チップ 9の電極 91を接続する。導体ワイヤは、 Auワイ ャを用い、ワイヤボンダにより形成した。ワイヤボンディングのファーストボンディング であるボールボンディング 51を電極 91に形成し、セカンドボンディング 52は、導体バ ンプ 4の上に形成している。このような構造を採ることで、信頼性の高い半導体装置と することができる。
実施例 6
[0044] 本発明の他の実施の形態である電子回路の製造方法について、実施例 6として、 図 11を用いて説明する。ここで、図 11はワイヤボンディングの工程を説明する図であ る。
[0045] 図 11 (a)において、窒化アルミからなる基板 1上には、ポリイミド膜 2が形成されてお り、その上には第一のボンディングパッド 31と第二のボンディングパッド 32が形成さ れている。ここでボンディングパッド 31、 32は、 Ti/Pt/Au (0.1/0.2/0.5 /z m)である
[0046] まず、第一のボンディングパッド 31に導体バンプを形成する。バンプの形成には、 Auワイヤを用いるワイヤボンダを使用した。第一のボンディングパッド 31にワイヤボ ンダのキヤビラリ 10を近づける。図 11 (b)で、先端にボール 53が形成された Auワイ ャ 5をパッド 31に接触させ、超音波出力を印加することで第一回目のボンディングを 行う。これにより第一のボンディングパッド 31と Auのボール 53は超音波溶接される。
[0047] 次に、図 11 (c)でキヤビラリ 10をー且上に上げ、再びパッド 31に接合したボール 5 3の直上にキヤビラリ 10を着地させ、第二回目のボンディングを行う（図 11 (d) )。その 後、キヤビラリ 10を上昇させると Auワイヤは切断され、導体バンプ 4が完成する（図 1 1 ( ）。
[0048] 次に、図 11 (f)で第二のボンディングパッド 32にキヤビラリを近づけ、ボールボンデ イングを行いパッド 32と Auのボール 51とを超音波溶接させる（図 11 (g) )。キヤビラリ をー且上昇させ（図 11 (h) )、ワイヤのループを形成ながら第一のボンディングパッド 31にキヤビラリ 10を近づけ、第一のボンディングパッド 31の表面に形成した導体バ ンプ 4の直上にキヤビラリ 10を着地させ、再び超音波を印加することにより導体バン プ 4と導体ワイヤ 5とを接合させる（図 11 (i) )。最後にキヤビラリ 10を上昇させると Au ワイヤは切断され導体バンプ 4の上にボンディング 52が形成される（図 11①）。
[0049] 上記の工程に従い製造することで、榭脂絶縁膜上のボンディングパッドにワイヤボ ンデイングしても榭脂とパッドとの界面での剥離ゃ榭脂の破断等の不良を起こさない 、接続性の良好な電子回路の製造方法を提供することができる。
[0050] なお、上述した実施例は 1台のワイヤボンダで、バンプ形成とワイヤボンディングと を行ったが、図 11 (a)から図 11 (e)までのボールパンピングは、専用のボンダで行い 、図 11 (f)から図 11 (j)までをワイヤボンダで実施しても良い。
図面の簡単な説明
[0051] [図 1]榭脂絶縁膜上のボンディングパッドへのセカンドボンディングの問題を説明する 図である。
[図 2]電子回路の断面図である。
[図 3]電子回路の断面図である。
[図 4]電子回路の断面図である。
[図 5]電子回路の断面図である。
[図 6]電子回路の断面図である。
[図 7]電子回路の断面図である。
[図 8]光モジュールの平面図および断面図である。
[図 9]伝送線路の平面図および断面図である。
[図 10]半導体装置の平面図および断面図である。
[図 11A]電子回路の製造工程を説明する図（その 1)である。
[図 11B]電子回路の製造工程を説明する図（その 2)である。
符号の説明
[0052] 1、 11、 12· ··基板、 2、 21、 22· ··ポリイミド膜、 3· ··配線層、 31、 32· ··ボンディング ノ ッド（配線）、 4··· Auバンプ、 5、 6···Αιιワイヤ、 51、 52、 61、 62···導体ワイヤのボ ンデイング部、 7···レーザ素子、 71、 72···光半導体素子の電極、 81、 82、 83···配線 層、 9…半導体チップ、 91···半導体チップの電極、 10…キヤビラリ、 101…ポリイミド とパッド間の剥離部、 102···ポリイミドの破断部。

Claims

請求の範囲
[1] 基板と、この基板に形成された榭脂絶縁膜と、この榭脂絶縁膜上に形成した金属 膜とを含む電子回路であって、
前記金属膜上には、導体ワイヤを超音波ボンディングするバンプが更に形成されて
V、ることを特徴とする電子回路。
[2] 請求項 1に記載の電子回路であって、
前記榭脂絶縁膜はポリイミド、エポキシ榭脂、アクリル榭脂のいずれかを主成分とす る部材であることを特徴とする電子回路。
[3] 請求項 1に記載の電子回路であって、
前記バンプが Au、 A1のいずれ力、あるいはこれらのいずれかを主成分とする部材 であることを特徴とする電子回路。
[4] 請求項 1に記載の電子回路であって、
前記金属膜の表層が Au、 A1のいずれか、もしくはこれらのいずれかを主成分とす る部材であることを特徴とする電子回路。
[5] 請求項 4に記載の電子回路であって、
前記金属膜の膜厚は 0.02 μ mを超え 30 μ m以下であることを特徴とする電子回路
[6] 基板と、この基板に形成された榭脂絶縁膜と、この榭脂絶縁膜の表面に形成された 金属膜からなる第 1のボンディングパッドと、この第 1のボンディングパッド上に形成さ れたバンプと、前記第 1のボンディングパッドと電気的接続をされた第 2のボンディン グパッドとからなる電子回路であって、
前記電気的接続は、前記第 2のボンディングパッドと前記バンプとの間の接続する 金属ワイヤによりなされていることを特徴とする電子回路。
[7] 請求項 6に記載の電子回路であって、
前記榭脂絶縁膜はポリイミド、エポキシ榭脂、アクリル榭脂のいずれかを主成分とす る部材であることを特徴とする電子回路。
[8] 請求項 6に記載の電子回路であって、
前記バンプが Au、 A1のいずれ力、あるいはこれらのいずれかを主成分とする部材 であることを特徴とする電子回路。
[9] 請求項 6に記載の電子回路であって、
前記金属膜の表層が Au、 A1のいずれか、もしくはこれらのいずれかを主成分とす る部材であることを特徴とする電子回路。
[10] 請求項 9に記載の電子回路であって、
前記金属膜の膜厚は 0.02 μ mを超え 30 μ m以下であることを特徴とする電子回路
[11] 基板と、この基板に形成された榭脂絶縁膜と、この榭脂絶縁膜の表面に形成された 金属膜をパタンユングすることによって第 1配線、第 2配線、第 3配線が形成され、前 記第 2配線を間に挟んだ前記第 1配線と前記第 3配線とが電気的に接続されてなる 電子回路であって、
前記第 1配線にはバンプが形成され、このバンプと前記第 3配線とが金属ワイヤに より接続されていることを特徴とする電子回路。
[12] 請求項 11に記載の電子回路であって、
前記榭脂絶縁膜はポリイミド、エポキシ榭脂、アクリル榭脂のいずれかを主成分とす る部材であることを特徴とする電子回路。
[13] 請求項 11に記載の電子回路であって、
前記バンプが Au、 A1のいずれ力、あるいはこれらのいずれかを主成分とする部材 であることを特徴とする電子回路。
[14] 請求項 11に記載の電子回路であって、
前記金属膜の表層が Au、 A1のいずれか、もしくはこれらのいずれかを主成分とす る部材であることを特徴とする電子回路。
[15] 請求項 14に記載の電子回路であって、
前記金属膜の膜厚は 0.02 μ mを超え 30 μ m以下であることを特徴とする電子回路
[16] 基板に榭脂絶縁膜を形成する工程と、
前記榭脂絶縁膜上に金属膜を形成する工程と、
前記金属膜をパタンニングする工程と、 パタンニングされた金属膜に導体ワイヤを超音波ボンディングするバンプを形成す る工程と、
からなる電子回路の製造方法。
基板と、この基板に形成された榭脂絶縁膜と、この榭脂絶縁膜の表面に形成された 金属膜からなる第一のボンディングパッドと第二のボンディングパッドとを具備してな る電子回路の製造方法であって、
前記第一のボンディングパッドに導体バンプを形成する工程と、
前記第二のボンディングパッドにワイヤボンディングの第一回目のボンディングを行 う工程と
前記導体バンプにワイヤボンディングの第二回目のボンディングを行い、前記第一 のボンディングパッドと前記第二のボンディングパッドとを電気的に接続する工程と、 を含む電子回路の製造方法。
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