WO2006012840A1 - Laserdotierung von festkörpern mit einem linienfokussierten lasterstrahl und darauf basierende herstellung von solarzellen-emittern - Google Patents

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Jürgen Köhler
Ainhoa Esturo-Breton
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Werner Juergen H
Koehler Juergen
Ainhoa Esturo-Breton
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    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Definitions

  • the present invention relates to a method for the generation of a doped region in a solid according to the preamble of patent claim 1 and to an apparatus for carrying out the method.
  • the invention further relates to a method based on the method according to the invention for producing an emitter region of a solar cell.
  • the invention further relates to a method based on the inventive method for producing an ohmic contact between a semiconductor and a metal.
  • the solar cell emitter is produced by a high-temperature step.
  • the diffusion of the dopant generally phosphorus
  • the time required for this is about 30 minutes.
  • the conventional production of the solar cell emitter by diffusion in a diffusion furnace is thus energy and time consuming.
  • the upper region of the semiconductor conductor is thereby melted, and during this period of melting, dopant atoms diffuse into the molten region of the semiconductor.
  • the previously molten region of the semiconductor recrystallizes, with the dopant atoms being incorporated into the crystal lattice. In this way, it is possible in principle to produce near-surface doped regions of high dopant concentration in a solid. So far, however, it has not been possible to perform the laser doping of a semiconductor such as silicon in such a way that the silicon can recrystallise in a molten surface layer having a thickness of approximately 1 ⁇ m or less without defects.
  • a medium containing a dopant is first brought into contact with a surface of the solid. Subsequently, by irradiation with laser pulses, a region of the solid is melted below the surface contacted with the medium, so that the dopant diffuses into the molten region and recrystallizes the melted region during cooling.
  • the laser beam is focused in a line focus on the solid.
  • the width of the line focus is preferably chosen smaller than 10 microns.
  • the focus width can be in a range of 5 ⁇ m to 10 ⁇ m.
  • the focus width may also be about 5 microns or less.
  • the method according to the invention is a low-temperature method of doping solids, which produces doped regions of high crystallinity and freedom from defects.
  • the method according to the invention thus makes it possible to carry out the previous processing of semiconductor wafers in chips
  • the laser beam was formed into a 5 ⁇ m wide and several 100 ⁇ m long line.
  • the length of the line focus is generally preferably in a range of 100 ⁇ m to 10 mm.
  • the depth extent of the regions to be doped can be determined by a suitable choice of the wavelength of the laser. This is done by selecting such a wavelength that the absorption length or penetration depth of the laser radiation in the solid body corresponds to the desired depth extent of the region to be doped. For solar cell emitters, a depth of 1 ⁇ m or less is often chosen. Accordingly, when the solid state of the semiconductor is silicon, the wavelength of the laser radiation should be 600 nm or less.
  • the pulse length should be chosen such that the heat diffusion length of the dopant atoms in the molten solid is of the order of magnitude of the desired depth extent. If the Solid body of the semiconductor is silicon and the desired depth is 1 micron, the pulse length should be below half of 100 ns, in particular below 50 ns.
  • a region is to be doped whose lateral expansions are larger than the laser focus in at least one direction, so that the radiation beam must be scanned over the solid body.
  • the solid is mounted on an X-Y linear displacement table and the laser beam remains stationary in space.
  • the solid body remains stationary and the optical system of the laser beam is designed to scrape the laser beam over the solid.
  • the medium containing the dopant can be applied to the interface in the form of a liquid or solid coating by means of a spin coating or screen printing or film printing process.
  • the medium is gaseous and is in direct contact with the surface of the solid.
  • the medium containing the dopant is applied to the solid in the form of a solid coating by a sputtering process, wherein the laser beam does not necessarily have to be formed into a line focus during subsequent melting , It may be provided that the medium is first applied to a starting substrate, then sputtered from the starting substrate in a first sputtering process step and deposited on an intermediate target, and finally in a second sputtering process step Sputtered intermediate target and deposited on the solid to be doped.
  • the starting substrate such as the intermediate target can be given by silicon substrates such as silicon wafers.
  • the medium can consist essentially or entirely of the dopant itself and can be applied in powder form, for example, on the starting substrate.
  • the dopant elements phosphorus, arsenic, antimony, boron, aluminum, gallium, indium, tantalum or titanium which are usually provided, can therefore first be deposited in powder form on a silicon wafer and subsequently these elements can be transferred from the silicon wafer to the silicon wafer Sputtered between target.
  • the layer finally deposited on the solid to be doped by the intermediate target can thus consist of more than 90% of the doping material, since during sputtering at most in the first sputtering process step small
  • a solid to be doped is mentioned in this application, then a semiconductor to be doped itself may be meant hereby.
  • the solid contains a main body, which is the actual semiconductor body to be doped, and an intermediate layer applied to a surface of the main body, wherein the medium is applied to the intermediate layer according to a further inventive method ,
  • the laser beam it is not absolutely necessary for the laser beam to be formed into a line contour in the subsequent laser beam doping.
  • Such an embodiment is given, for example, when an intermediate layer acting as an antireflection layer for the laser radiation is applied to the semiconductor body.
  • the antireflection coating ensures that the complete light output of the laser Radiation exploited and used to melt the lying under the Zwi ⁇ rule layer surface area of the semiconductor body.
  • the dopant may then diffuse into the semiconductor body during reflow through the intermediate layer.
  • the intermediate layer it is also possible in this way to produce high dopant concentrations in the semiconductor body since, in particular, previously very high dopant concentrations on the intermediate layer can be generated beforehand in particular by the sputtering methods described above.
  • the dopant also diffuses through the intermediate layer at high speed.
  • the intermediate layer may alternatively or additionally be formed as a passivation layer for passivation of the surface of the semiconductor body.
  • the intermediate layer may in particular contain silicon nitride, silicon dioxide or amorphous silicon or be composed of one of these materials.
  • the intermediate layer can be produced by a sputtering method.
  • dopant layer and intermediate layer can be produced in one and the same sputtering system.
  • the method according to the invention can be used in particular for the production of an emitter region of a solar cell, wherein regions of a semiconductor surface which are used as solar cell emitters are doped by the method according to the invention.
  • the inventive method can also be used for the production of an ohmic contact between a semiconductor and a metal, wherein in a semiconductor, a doped region according to the inventive method is generated and then applied to the doped region, a metallic layer.
  • ohmic contacts with very low contact resistance can be generated on both p-type and n-type wafers.
  • the methods described in this application also allow the production of point contacts or strip contacts.
  • the invention also relates to a device for carrying out the method according to the invention, which has a pulsed laser beam source, a cylindrical lens for the generation of the line focus and an objective for the reduced imaging of the line focus on the surface of the solid.
  • This device preferably has an autofocus device, which measures the distance of the solid-body surface to a reference point and regulates the distance between the objective and the solid-state surface in such a way that the focus length remains within the depth of focus on the solid surface. This ensures that, even with curved or rough surfaces, the focus position can be kept within the depth of focus on the wafer surface.
  • Fig. 1 shows an embodiment of a device for
  • Fig. 3 shows an embodiment for carrying out the method according to the invention with an additional antireflection layer on the semiconductor body.
  • the pulse frequency is typically in a range between 10 kHz to 100 kHz.
  • the optimal pulse energy density is in the range of 2 to 6 J / cm- 2 .
  • the laser beam is then passed through a cylindrical lens, optionally after an expansion, to produce a line focus.
  • the laser beam is imaged by a lens on the silicon wafer.
  • the silicon wafer is supported on an XY linear translation stage with the XY plane perpendicular to the laser beam. Due to the displacement of the silicon wafer with respect to the incident radiation beam, a larger area can be scanned on the silicon wafer.
  • a commercial phosphorus-containing doping liquid was applied to the silicon wafer by means of a spin coating method with the aid of a spin coater. The doping is carried out by one or more laser pulses, wherein the wafer surface is briefly melted to a depth of 1 .mu.m or less, and phosphorus atoms pass from the dosing liquid into the liquid silicon. After cooling and solidification of the melt, a highly doped n-type emitter region is completed.
  • Boron-doped p + -type emitters have also already been processed on a Si-n-type wafer using the method according to the invention.
  • the radiation beam is preferably guided continuously over the wafer surface at a predetermined speed. It is determined in advance how many laser pulses are necessary for each area of the surface in order to achieve a sufficient degree of doping.
  • the raster or scan speed can then be determined from this number and the pulse frequency.
  • the scan speed is in a range of 0.1 to 0.5 m / s. Alternatively, however, it may also be provided to move the displacement table in dis ⁇ continuous steps, which correspond substantially to the ⁇ width.
  • the silicon wafer is stationarily charged with a predetermined number of laser pulses, and then, without exposure to laser pulses, the line focus is moved perpendicular to the alignment of the line to a next point.
  • FIGS. 2a, b show a variant of the process according to the invention, in which the medium is applied in the form of a solid coating by a two-stage sputtering process to the solid to be doped.
  • a dopant 2 for example pure phosphorus
  • the powdered dopant 2 is sputtered in a first sputtering process step and thus applied to an intermediate target 3 likewise formed by a silicon wafer and deposited on this intermediate target 3 as dopant layer 4.
  • a coherent dopant layer 4 which may have, for example, a dopant concentration of more than 90%.
  • silicon may also be present in the dopant layer 4 which has additionally been removed by the silicon wafer 1 in the first sputtering process step.
  • the dopant layer 4 is then sputtered and in this way deposited on the actual solid body 5 to be doped in the form of a second dopant layer 6.
  • this dopant layer 6 has an even greater spatial homogeneity in its material composition, so that a very homogeneous dopant distribution in the solid body 5 can be achieved during the subsequent laser beam doping.
  • the dopant layer 6 may have a thickness of a few nm, for example 1-10 nm.
  • the laser beam is focused onto the solid body 5 with the applied dopant layer and, for a short time, melted in a surface area, whereby a line focus does not necessarily have to be used.
  • the dopant of the dopant layer 6 then diffuses into the molten near-surface W
  • FIG. 3 shows a further variant of the method according to the invention, in which an antireflection coating 11 is applied on a semiconductor body, such as a silicon wafer 10, above a region of the semiconductor body 10 to be doped.
  • the antireflection layer 11 is designed in such a way that the laser radiation used later for the melting undergoes the lowest possible reflection coefficient so that its light output can be almost completely coupled into the semiconductor body 10.
  • a medium 12 containing the dopant is then applied to the antireflection layer 11.
  • the medium can, for example, itself consist of the dopant and be applied to the antireflection coating 11 by a sputtering process.
  • doping elements such as phosphorus or the like can be applied to the antireflection film 11 in a high concentration.
  • the antireflection coating 11 can likewise be produced by a sputtering process, preferably in one and the same sputtering chamber.
  • the laser beam is focused on the semiconductor body 10 and, in this way, briefly melted in a surface area, whereby a line focus does not necessarily have to be used.
  • the dopant then diffuses through the antireflection layer 11 into the molten near-surface region of the semiconductor body 10 and is incorporated in the lattice structure of the semiconductor body during recrystallization.
  • multistage emitters are also known, which according to previous methods also require high temperature processes as well as photolithographic structuring methods.
  • the inventive method can additionally and simultaneously provide lateral structuring of the doping concentration for generating multi-stage emitters.
  • the so-called “back surface field” which reduces the recombination of minority carriers on the rear side can also be produced additionally (or per se)
  • the process is as described above, with boron-containing doping paste the rear side of the p-type wafer is applied and then the surface is treated with the laser.

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Abstract

Bei dem erfindungsgemäßen Laserdotierverfahren wird zunächst ein Medium, welches einen Dotierstoff enthält, mit einer Oberfläche des Festkörpers in Kontakt gebracht. Dann wird durch Bestrahlung mit Laserimpulsen ein Bereich des Festkörpers unterhalb der mit dem Medium kontaktierten Oberfläche kurzzeitig aufgeschmolzen, so dass der Dotierstoff in den aufgeschmolzenen Bereich eindiffundiert und während des Abkühlens der aufgeschmolzene Bereich kristallisiert. Der Laserstrahl wird in einem Linienfokus auf den Festkörper fokussiert, wobei vorzugsweise die Breite des Linienfokus kleiner 10 µm beträgt.

Description

Beschreibung
Laserdotierung von Festkörpern mit einem linienfokussierten Laserstrahl und darauf basierende Herstellung von Solarzel- len-Emittern
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erzeu¬ gung eines dotierten Bereichs in einem Festkörper nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 und auf eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens. Die Erfindung bezieht sich ferner auf ein auf dem erfindungsgemäßen Verfahren beruhendes Verfahren zur Herstellung eines Emitterbereichs einer Solar¬ zelle. Die Erfindung bezieht sich ferner auf ein auf dem er¬ findungsgemäßen Verfahren beruhendes Verfahren zur Herstel- lung eines ohmschen Kontakts zwischen einem Halbleiter und einem Metall.
Bei der kommerziellen Herstellung von Solarzellen aus einkri¬ stallinem oder multikristallinem Silizium wird der Solarzel- len-Emitter durch einen Hochtemperaturschritt erzeugt. Hier¬ bei erfolgt die Diffusion des Dotierstoffs, im Allgemeinen Phosphor, in einem Diffusionsofen bei einer Temperatur von ca. 1000 K. Die hierfür benötigte Zeitdauer beträgt ca. 30 Minuten. Die konventionelle Herstellung des Solarzellen- Emitters durch Diffusion in einem Diffusionsofen ist somit energie- und zeitaufwändig.
Darüber hinaus kann bei dem konventionellen Diffusionsprozess aufgrund der langen Prozesszeit für die Emitter-Diffusion die Fabrikation nur im Batch-Betrieb in einer Produktionsanlage durchgeführt werden. Eine kostengünstige Herstellung von So¬ larzellen erfordert jedoch einfache und schnelle Einzel- Prozessschritte, die sich in einen kontinuierlichen Ferti- gungsprozess, d.h. einen Inline-Prozess integrieren lassen. Die Herstellung des Solarzellen-Emitters durch Diffusion in einem Diffusionsofen erfüllt diese Anforderungen nicht. Aus der Druckschrift US 5,918,140 ist ein Verfahren zur La¬ serdotierung von Halbleitern bekannt, bei welchem zuerst eine dünne Schicht eines einen Dotierstoff enthaltenden Materials auf die Oberfläche des Halbleiters aufgebracht wird. Dann wird die Halbleiter-Oberfläche mit gepulster Laserstrahlung beaufschlagt, wobei die Energie der Laserimpulse in dem Be¬ reich der Grenzfläche zwischen der Halbleiter-Oberfläche und der aufgebrachten DotierstoffSchicht absorbiert und in ther¬ mische Energie umgewandelt wird. Der obere Bereich des HaIb- leiters wird dadurch aufgeschmolzen und während dieser Zeit¬ dauer des Aufschmelzens diffundieren Dotierstoffatome in den aufgeschmolzenen Bereich des Halbleiters. Während und nach der Abfallzeit des Laserpulses rekristallisiert der zuvor aufgeschmolzene Bereich des Halbleiters, wobei die Dotier- stoffatome in das Kristallgitter eingebaut werden. Auf diese Weise ist es prinzipiell möglich, oberflächennahe dotierte Bereiche hoher Dotierstoff-Konzentration in einem Festkörper zu erzeugen. Bisher ist es jedoch nicht möglich gewesen, die Laserdotierung eines Halbleiters wie Silizium derart durchzu- führen, dass das Silizium in einer aufgeschmolzenen Oberflä¬ chenschicht mit einer Dicke von ca. 1 μm oder weniger ohne Defekte rekristallisieren kann. Bei Versuchen wurden mit ei¬ nem kommerziellen Laser-Bearbeitungssystem dotierte Bereiche in Silizium erzeugt, die anschließend als Solarzellen-Emitter eingesetzt wurden. Dabei zeigte sich, dass die Solarzellen- Emitter von sehr schlechter Qualität waren und dass insbeson¬ dere LeerlaufSpannung und Wirkungsgrad der Solarzellen sehr niedrige Werte zeigen. Durch TEM-Untersuchungen zeigt sich darüber hinaus, dass die Solarzellen-Emitter vor allem durch eine hohe Versetzungsdichte geschädigt sind.
Es ist demzufolge Aufgabe der vorliegenden Erfindung, Verfahren zur Erzeugung eines dotierten Bereichs in einem Festkörper mittels Laserdotierung anzugeben, durch welche ei- ne hohe Defektfreiheit des Festkörpers in dem dotierten Be¬ reich erhalten werden kann oder mit welchen auf andere Weise die konventionellen Verfahren hinsichtlich der Bereitstellung der Dotierstoffschicht, der Erreichbarkeit hoher Dotierstoff- konzentrationen oder der Effizienz der Einkopplung der Laser¬ strahlleistung verbessert werden können.
Diese Aufgabe wird durch die kennzeichnenden Merkmale des Pa¬ tentanspruchs 1 sowie der nebengeordneten Patentansprüche ge¬ löst. Vorteilhafte Weiterbildungen und Ausgestaltungen sind Gegenstand von Unteransprüchen. Ein Verfahren zur Herstellung eines Emitterbereichs einer Solarzelle mittels des erfin- dungsgemäßen Verfahrens ist ebenfalls angegeben. Ein Verfah¬ ren zur Herstellung eines ohmschen Kontakts zwischen einem Halbleiter und einem Metall mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens ist ebenfalls angegeben. Weiterhin ist eine Vor¬ richtung zur Durchführung der erfindungsgemäßen Verfahren an- gegeben.
Bei den erfindungsgemäßen Verfahren zur Erzeugung eines do¬ tierten Bereichs in einem Festkörper wird zunächst ein Medi¬ um, welches einen Dotierstoff enthält, in Kontakt mit einer Oberfläche des Festkörpers gebracht. Anschließend wird durch Bestrahlung mit Laserimpulsen ein Bereich des Festkörpers un¬ terhalb der mit dem Medium kontaktierten Oberfläche aufgeschmolzen, so dass der Dotierstoff in den aufgeschmolze¬ nen Bereich eindiffundiert und während des Abkühlens der auf- geschmolzene Bereich rekristallisiert.
Ein wesentlicher Aspekt eines erfindungsgemäßen Verfahrens besteht darin, dass der Laserstrahl in einem Linienfokus auf den Festkörper fokussiert wird. Dabei wird bevorzugterweise die Breite des Linienfokus kleiner als 10 μm gewählt. Bei¬ spielsweise kann die Fokusbreite in einem Bereich 5 μm bis 10 μm liegen. Die Fokusbreite kann aber auch etwa 5 μm oder darunter betragen.
Es hat sich mittlerweile bei Versuchen herausgestellt, dass sich durch die Bereitstellung eines Linienfokus für das La¬ serdotierverfahren rekristallisierte dotierte Bereiche hoher Defektfreiheit erzeugen lassen. Dies erreicht das erfindungs¬ gemäße Verfahren ohne den Einsatz eines Hochtemperatur- Prozesses und ohne die Notwendigkeit langer Prozesszeiten. Vielmehr stellt das erfindungsgemäße Verfahren ein Niedertem- peratur-Verfahren der Dotierung von Festkörpern dar, welches dotierte Bereiche hoher Kristallinität und Defektfreiheit er¬ zeugt.
Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht es somit, die bis- herige tranchenweise Bearbeitung von Halbleiter-Wafern in
Hochtemperaturöfen (Batch-Betrieb) abzulösen und durch einen logistisch effektiveren Inline-Prozess zu ersetzen und direkt in die Fertigungslinie von elektronischen Bauelementen wie Solarzellen zu integrieren.
Bei den durchgeführten Versuchen wurde der Laserstrahl zu ei¬ ner 5 μm breiten und mehrere 100 μm langen Linie geformt. Die Länge des Linienfokus liegt generell vorzugsweise in einem Bereich von 100 μm bis 10 mm.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren kann die Tiefenausdehnung der zu dotierenden Bereiche durch geeignete Wahl der Wellen¬ länge des Lasers festgelegt werden. Dies geschieht dadurch, dass eine derartige Wellenlänge gewählt wird, dass die Ab- sorptionslänge oder Eindringtiefe der Laserstrahlung in dem Festkörper der gewünschten Tiefenausdehnung des zu dotieren¬ den Bereichs entspricht. Für Solarzellen-Emitter wird häufig eine Tiefenausdehnung von 1 μm oder weniger gewählt. Wenn der Festkörper der Halbleiter Silizium ist, so sollte demzufolge die Wellenlänge der Laserstrahlung 600 nm oder weniger betra¬ gen.
Des Weiteren sollte, wenn eine bestimmte Tiefenausdehnung des zu dotierenden Bereichs gewünscht wird, die Pulslänge derart gewählt werden, dass die Wärmediffusionslänge der Dotier¬ stoffatome in dem aufgeschmolzenen Festkörper in der Größen¬ ordnung der gewünschten Tiefenausdehnung liegen. Wenn der Festkörper der Halbleiter Silizium ist und die gewünschte Tiefenausdehnung 1 μm beträgt, so sollte die Pulslänge unter¬ halb von 100 ns, insbesondere unterhalb von 50 ns liegen.
Im Normalfall soll ein Bereich dotiert werden, dessen latera¬ le Ausdehnungen mindestens in einer Richtung größer als der Laserfokus sind, so dass das Strahlungsbündel über den Fest¬ körper gerastert werden muss. Es wird eine Relativbewegung zwischen dem Festkörper und dem Strahlungsbündel erzeugt, welche senkrecht zur Linie des Linienfokus ausgerichtet ist. Vorzugsweise ist der Festkörper auf einem X-Y-Linear- Verschiebetisch montiert und der Laserstrahl bleibt stationär im Raum. Es kann jedoch auch vorgesehen sein, dass der Fest¬ körper stationär bleibt und das optische System des Laser- Strahls dafür ausgebildet ist, um den Laserstrahl über dem Festkörper zu rastern.
Das den Dotierstoff enthaltende Medium kann in Form einer flüssigen oder festen Beschichtung mittels eines Schleuderbe- Schichtungsverfahrens oder eines Siebdruck- oder Filmdruck¬ verfahrens auf die Grenzfläche aufgebracht werden. Es kann aber auch vorgesehen sein, dass das Medium gasförmig ist und mit der Oberfläche des Festkörpers direkt in Kontakt steht.
Ein wesentlicher Aspekt eines weiteren erfindungsgemäßen Ver¬ fahrens besteht darin, dass das den Dotierstoff enthaltende Medium in Form einer festen Beschichtung durch ein Sputter- Verfahren auf den Festkörper aufgebracht wird, wobei der La¬ serstrahl beim späteren Aufschmelzen nicht notwendigerweise zu einem Linienfokus geformt werden muss. Es kann dabei vor¬ gesehen sein, dass das Medium zunächst auf ein Startsubstrat aufgebracht wird, anschließend in einem ersten Sputter- Verfahrensschritt von dem Startsubstrat gesputtert und auf ein Zwischen-Target abgeschieden wird, und schließlich in ei- nem zweiten Sputter-Verfahrensschritt von dem Zwischen-Target gesputtert und auf den zu dotierenden Festkörper abgeschieden wird. Das Startsubstrat wie das Zwischen-Target können dabei je¬ weils durch Silizium-Substrate wie Silizium-Wafer gegeben sein. Das Medium kann im Wesentlichen oder zur Gänze aus dem Dotierstoff selbst bestehen und beispielsweise auf dem Start¬ substrat pulverförmig aufgebracht werden. Insbesondere die üblicherweise vorgesehenen Dotierstoffelemente Phosphor, Ar¬ sen, Antimon, Bor, Aluminium, Gallium, Indium, Tantal oder Titan können also zunächst in Pulverform auf einen Silizium- Wafer abgeschieden werden und anschließend können diese Ele¬ mente von dem Silizium-Wafer auf das Zwischen-Target gesput- tert werden. Die schließlich von dem Zwischen-Target auf den zu dotierenden Festkörper abgeschiedene Schicht kann somit zu über 90% aus dem Dotiermaterial bestehen, da beim Sputtern allenfalls in dem ersten Sputter-Verfahrensschritt geringe
Mengen des Substrat-Siliziums mitgesputtert werden. Bei einer derartigen Verfahrensführung benötigt man somit nur eine sehr dünne, beispielsweise nur wenige Nanometer dicke Dotier¬ schicht auf dem zu dotierenden Festkörper, um eine sehr hohe Dotierstoffkonzentration, beispielsweise bis zu 1022/cm3 in dem Festkörper zu erzeugen.
Wenn in dieser Anmeldung von einem zu dotierenden Festkörper die Rede ist, so kann hiermit ein zu dotierender Halbleiter selbst gemeint sein. Es kann aber auch darunter verstanden werden, dass der Festkörper einen Hauptkörper, welcher der eigentliche zu dotierende Halbleiter-Körper ist, und eine auf eine Oberfläche des Hauptkörpers aufgebrachte Zwischenschicht enthält, wobei gemäß einem weiteren erfindungsgemäßen Verfah- ren das Medium auf der Zwischenschicht aufgebracht wird. Da¬ bei ist nicht zwingend erforderlich, dass bei dem anschlie¬ ßenden Laserstrahldotieren der Laserstrahl zu einem Linienfo¬ kus geformt wird. Eine solche Ausführungsform ist beispiels¬ weise dann gegeben, wenn auf den Halbleiter-Körper eine als Antireflexschicht für die Laserstrahlung wirkende Zwischen¬ schicht aufgebracht wird. Durch die Antireflexschicht wird dafür gesorgt, dass die vollständige Lichtleistung der Laser- Strahlung ausgenutzt und zum Aufschmelzen des unter der Zwi¬ schenschicht liegenden Oberflächenbereichs des Halbleiter- Körpers verwendet wird. Der Dotierstoff kann dann während des Aufschmelzens durch die Zwischenschicht in den Halbleiter- Körper diffundieren. Trotz der Zwischenschicht können auch auf diese Weise hohe Dotierstoffkonzentrationen in dem Halb¬ leiter-Körper erzeugt werden, da insbesondere durch die oben beschriebenen Sputter-Verfahren zuvor sehr hohe Dotierstoff¬ konzentrationen auf der Zwischenschicht erzeugt werden kön- nen. Infolge des hohen Dotierstoff-Gradienten diffundiert der Dotierstoff auch durch die Zwischenschicht mit hoher Ge¬ schwindigkeit.
Die Zwischenschicht kann alternativ dazu oder auch zusätzlich als Passivierungsschicht zur Passivierung der Oberfläche des Halbleiterkörpers ausgebildet sein.
Die Zwischenschicht kann insbesondere Siliziumnitrid, Sili¬ ziumdioxid oder amorphes Silizium enthalten oder aus einem dieser Materialien aufgebaut sein.
Die Zwischenschicht kann durch ein Sputter-Verfahren erzeugt werden. Insbesondere wenn die DotierstoffSchicht durch ein Sputter-Verfahren hergestellt wird, können DotierstoffSchicht und Zwischenschicht in ein und derselben Sputter-Anlage her¬ gestellt werden.
Das erfindungsgemäße Verfahren kann insbesondere für die Her¬ stellung eines Emitterbereichs einer Solarzelle verwendet werden, wobei durch das erfindungsgemäße Verfahren Bereiche einer Halbleiter-Oberfläche dotiert werden, die als Solarzel¬ len-Emitter eingesetzt werden.
Das erfindungsgemäße Verfahren kann ferner auch für die Her- Stellung eines ohmschen Kontakts zwischen einem Halbleiter und einem Metall verwendet werden, wobei in einem Halbleiter ein dotierter Bereich nach dem erfindungsgemäßen Verfahren erzeugt wird und anschließend auf den dotierten Bereich eine metallische Schicht aufgebracht wird. Auf diese Weise können sowohl auf p-Typ- als auch auf n-Typ-Wafern ohmsche Kontakte mit sehr niedrigem Kontaktwiderstand erzeugt werden. Die in dieser Anmeldung beschriebenen Verfahren ermöglichen außerdem die Herstellung von Punktkontakten oder Streifenkontakten.
Die Erfindung bezieht sich auch auf eine Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens, welche eine gepulste Laserstrahlquelle, eine Zylinderlinse für die Erzeu¬ gung des Linienfokus und ein Objektiv für die verkleinerte Abbildung des Linienfokus auf die Oberfläche des Festkörpers aufweist.
Diese Vorrichtung weist vorzugsweise eine Autofokus- Vorrichtung auf, welche den Abstand der Festkörperoberfläche zu einem Referenzpunkt misst und den Abstand zwischen Objek¬ tiv und Festkörperoberfläche derart regelt, dass die Fokusla¬ ge innerhalb der Tiefenschärfe auf der Festkörperoberfläche bleibt. Dadurch wird sichergestellt, dass auch bei gekrümmten oder rauen Oberflächen die Fokuslage innerhalb der Tiefen¬ schärfe auf der Wafer-Oberflache gehalten werden kann.
Im Folgenden werden Ausführungsbeispiele für das erfindungs- gemäße Verfahren und eine Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens dargestellt. Es zeigen:
Fig. 1 ein Ausführungsbeispiel für eine Vorrichtung zur
Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens;
Fig. 2a,b ein Ausführungsbeispiel für die Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens unter Verwendung eines zweistufigen Sputterverfahrens,-
Fig. 3 ein Ausführungsbeispiel für die Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens mit einer zusätzlichen Antireflexschicht auf dem Halbleiter-Körper. In der in der Fig. 1 dargestellten Vorrichtung wird als La¬ serstrahlquelle wird im vorliegenden Fall ein gütegeschalte¬ ter Nd:YVO4-Laser verwendet, der durch Frequenzverdopplung Laserstrahlung bei einer Wellenlänge von λ = 532 nra emit¬ tiert. Die Pulsfrequenz liegt typischerweise in einem Bereich zwischen 10 kHz bis 100 kHz. Bei Laserdotierung von Silizium liegt die optimale Pulsenergiedichte im Bereich 2 bis 6 J/cm"2.
Der Laserstrahl wird dann, gegebenenfalls nach einer Aufwei¬ tung, durch eine Zylinderlinse geführt, um einen Linienfokus zu erzeugen. Die Zylinderlinse weist im vorliegenden Fall ei¬ ne Brennweite von f = 200 mm auf.
Schließlich wird der Laserstrahl durch ein Objektiv auf den Silizium-Wafer abgebildet. Das Objektiv weist im Ausführungs¬ beispiel eine Brennweite f = 50 mm auf. Durch das Objektiv wird der Linienfokus verkleinert auf den Silizium-Wafer abge- bildet. Dabei muss dafür gesorgt werden, dass die Fokuslage selbst bei gekrümmten oder rauen Oberflächen ständig inner¬ halb der Tiefenschärfe der Abbildungsoptik auf der Wafer- Oberflache bleibt. Dies kann durch eine Autofokus-Vorrichtung erreicht werden, die während des Prozesses ständig den Ab- stand der Wafer-Oberflache zu einem Referenzpunkt misst und den Abstand zwischen Objektiv und Silizium-Wafer nachregelt. Im dargestellten Ausführungsbeispiel wird die Position des Objektivs bei dieser Nachregelung auf der Strahlachse ver¬ schoben. Es kann jedoch ebenso vorgesehen sein, dass die Po- sition des Silizium-Wafers bei der Nachregelung auf der Strahlachse verschoben wird.
Der Silizium-Wafer ist auf einem X-Y-Linear-Verschiebetisch gehaltert, wobei die X-Y-Ebene senkrecht zu dem Laserstrahl liegt. Durch die Verschiebung des Silizium-Wafers gegenüber dem auftreffenden Strahlungsbündel kann ein größerer Bereich auf dem Silizium-Wafer abgerastert werden. Bei Versuchen zur Herstellung von Solarzellen-Emittern wurde auf den Silizium-Wafer eine kommerzielle phosphorhaltige Do¬ tierflüssigkeit durch ein Schleuderbeschichtungs-Verfahren mit Hilfe eines Spin-Coaters aufgebracht. Die Dotierung wird durch einen oder mehrere Laserpulse durchgeführt, wobei die Wafer-Oberflache bis zu einer Tiefe von 1 μm oder weniger kurzzeitig aufgeschmolzen wird und Phosphor-Atome aus der Do¬ tierflüssigkeit in das flüssige Silizium gelangen. Nach der Abkühlung und Verfestigung der Schmelze ist ein hochdotierter n-Typ-Emitterbereich fertiggestellt.
Es wurden auch bereits mit dem erfindungsgemäßen Verfahren Bor-dotierte p+-Typ-Emitter auf einem Si-n-Typ-Wafer prozes- siert.
Das Strahlungsbündel wird vorzugsweise kontinuierlich mit vorgegebener Geschwindigkeit über die Wafer-Oberflache ge¬ führt. Es wird vorher ermittelt, wie viele Laserimpulse für jeden Bereich der Oberfläche notwendig sind, um einen ausrei¬ chenden Dotierungsgrad zu erreichen. Aus dieser Anzahl und der Pulsfrequenz kann dann die Raster- oder Scan-Geschwindig¬ keit bestimmt werden. Vorzugsweise liegt die Scan-Geschwin¬ digkeit in einem Bereich 0,1 bis 0,5 m/s. Alternativ dazu kann jedoch auch vorgesehen sein, den Verschiebetisch in dis¬ kontinuierlichen Schritten, die im Wesentlichen der Fokus¬ breite entsprechen, zu verfahren. An jedem angefahrenen Punkt, wird der Silizium-Wafer stationär mit einer vorgegebe¬ nen Anzahl von Laserimpulsen beaufschlagt und anschließend wird ohne Beaufschlagung mit Laserimpulsen der Linienfokus senkrecht zur Ausrichtung der Linie an einen nächsten Punkt gefahren.
Bei Verwendung eines 30-W-Lasersystems kann ein Durchsatz von ca. 10 cm2/s erreicht werden. In der Fig. 2a,b ist eine Variante des erfindungsgemäßen Ver¬ fahrens dargestellt, bei welcher das Medium in Form einer festen Beschichtung durch ein zweistufiges Sputter-Verfahren auf den zu dotierenden Festkörper aufgebracht wird. Es wird zunächst ein Dotierstoff 2, beispielsweise reiner Phosphor, in Pulverform auf einen Silizium-Wafer 1 als Startsubstrat aufgebracht. Anschließend wird gemäß Fig. 2a in einem ersten Sputter-Verfahrensschritt der pulverförmige Dotierstoff 2 gesputtert und solchermaßen auf ein ebenfalls durch einen Si- lizium-Wafer gebildetes Zwischen-Target 3 aufgebracht und auf diesem Zwischen-Target 3 als DotierstoffSchicht 4 abgeschie¬ den. Dadurch wird zunächst erreicht, dass eine zusammenhän¬ gende Dotierstoffschicht 4 bereitgestellt wird, welche bei¬ spielsweise eine Dotierstoffkonzentration von über 90% auf- weisen kann. Außer dem Dotierstoff selbst, also beispielswei¬ se Phosphor, kann in der DotierstoffSchicht 4 auch noch Sili¬ zium enthalten sein, welches in dem ersten Sputter-Verfah¬ rensschritt von dem Silizium-Wafer 1 zusätzlich abgetragen wurde.
In einem zweiten Sputter-Verfahrensschritt gemäß Fig. 2b wird dann die DotierstoffSchicht 4 gesputtert und solchermaßen auf dem eigentlichen zu dotierenden Festkörper 5 in Form einer zweiten Dotierstoffschicht 6 abgeschieden. Diese Dotierstoff- Schicht 6 weist verglichen mit der DotierstoffSchicht 4 eine noch größere räumliche Homogenität in ihrer Materialzusammen¬ setzung auf, sodass bei der anschließenden Laserstrahldotie¬ rung eine sehr homogene Dotierstoffverteilung in dem Festkör¬ per 5 erreicht werden kann. Die Dotierstoffschicht 6 kann ei- ne Dicke von wenigen nm, beispielsweise 1 - 10 nm aufweisen.
Anschließend wird der Laserstrahl auf den Festkörper 5 mit der aufgebrachten Dotierstoffschicht fokussiert und solcher¬ maßen in einem Oberflächenbereich kurzzeitig zum Aufschmelzen gebracht, wobei nicht notwendigerweise ein Linienfokus ver¬ wendet werden muss. Der Dotierstoff der Dotierstoffschicht 6 diffundiert dann in den aufgeschmolzenen oberflächennahen Be- W
12 reich des Festkörpers 5 ein und wird beim Rekristallisieren in das Gittergefüge des Festkörpers eingebaut.
In der Fig. 3 ist eine weitere Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens dargestellt, bei welcher auf einem Halbleiter- Körper wie etwa einem Silizium-Wafer 10 eine Antireflex- schicht 11 oberhalb eines zu dotierenden Bereichs des Halb¬ leiter-Körpers 10 aufgebracht wird. Die Antireflexschicht 11 ist so ausgebildet, dass die später für das Aufschmelzen ver- wendete Laserstrahlung einen möglichst niedrigen Reflexions- Koeffizienten erfährt, sodass deren Lichtleistung nahezu vollständig in den Halbleiter-Körper 10 eingekoppelt werden kann.
Auf die Antireflexschicht 11 wird dann ein den Dotierstoff enthaltendes Medium 12 aufgebracht. Das Medium kann bei¬ spielsweise selbst aus dem Dotierstoff bestehen und durch ein Sputter-Verfahren auf die Antireflexschicht 11 aufgebracht werden. Insbesondere durch ein, wie oben beschrieben, zwei- stufiges Sputter-Verfahren können solchermaßen Dotierelemente wie Phosphor oder dergleichen in hoher Konzentration auf die Antireflexschicht 11 aufgebracht werden. Die Antireflex¬ schicht 11 kann ebenfalls durch ein Sputter-Verfahren, vor¬ zugsweise in ein und derselben Sputter-Kammer, erzeugt wer- den.
Anschließend wird der Laserstrahl auf den Halbleiter-Körper 10 fokussiert und solchermaßen kurzzeitig in einem Oberflä¬ chenbereich zum Aufschmelzen gebracht, wobei nicht notwendi- gerweise ein Linienfokus verwendet werden muss. Der Dotier¬ stoff diffundiert dann durch die Antireflexschicht 11 in den aufgeschmolzenen oberflächennahen Bereich des Halbleiter- Körpers 10 und wird beim Rekristallisieren in das Gittergefü¬ ge des Halbleiter-Körpers eingebaut.
Für besonders effiziente Solarzellen sind auch mehrstufige Emitter bekannt, die nach bisherigen Verfahren außerdem wei- tere Hochtemperaturprozesse sowie fotolithographische Struk- turierungsverfahren erfordern. Durch das erfindungsgemäße Verfahren kann bei Verwendung eines Lasers mit relativ hoher Pulsfrequenz zusätzlich und gleichzeitig eine laterale Struk- turierung der Dotierkonzentration zur Erzeugung mehrstufiger Emitter erfolgen.
Mithilfe des erfindungsgemäßen Verfahrens kann auch zusätz¬ lich (oder für sich genommen) das sogenannte „back surface field" hergestellt werden, welches die Rekombination von Mi¬ noritätsträgern an der Rückseite verringert. Der Prozess ist wie oben beschrieben, wobei Bor-haltige Dotierpaste auf die Rückseite des p-Typ-Wafers aufgebracht und dann die Oberflä¬ che mit dem Laser behandelt wird.

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zur Erzeugung eines dotierten Bereichs in einem Festkörper, bei welchem - ein Medium, welches einen Dotierstoff enthält, mit einer Oberfläche des Festkörpers in Kontakt gebracht wird,
- durch Bestrahlung mit Laserimpulsen ein Bereich des Fest¬ körpers unterhalb der mit dem Medium kontaktierten Oberflä¬ che aufgeschmolzen wird, so dass der Dotierstoff in den aufgeschmolzenen Bereich eindiffundiert und während des Ab- kühlens der aufgeschmolzene Bereich rekristallisiert, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass
- der Laserstrahl in einem Linienfokus auf den Festkörper fo- kussiert wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass
- die Breite des Linienfokus kleiner als 10 μm beträgt.
3. Verfahren nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass
- die Länge des Strichfokus im Bereich 100 μm bis 10 mm liegt.
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass
- die Wellenlänge des Lasers derart gewählt ist, dass die Ab¬ sorptionslänge der Laserstrahlung in dem Festkörper einer vorgegebenen Länge, insbesondere 1 μm, entspricht.
5. Verfahren nach Anspruch 4, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass
- der Festkörper Silizium ist und die Wellenlänge der Laser¬ strahlung unterhalb von 600 ntn liegt.
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass - die Pulslänge derart gewählt ist, dass die Wärmediffusions- länge der Dotierstoffatome in dem aufgeschmolzenen Festkör¬ per einer vorgegebenen Länge, insbesondere 1 μm, ent¬ spricht.
7. Verfahren nach Anspruch 6, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass
- der Festkörper Silizium ist und die Pulslänge unterhalb von 100 ns, insbesondere unterhalb von 50 ns, liegt.
8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass
- das auftreffende Strahlungsbündel über die Oberfläche be¬ wegt wird, indem eine Relativbewegung zwischen dem Strah- lungsbündel und dem Festkörper erzeugt wird.
9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass
- das Medium in Form einer flüssigen oder festen Beschichtung mittels eines Schleuderbeschichtungs-Verfahrens oder eines
Siebdruck- oder Filmdruck-Verfahrens auf die Oberfläche aufgebracht wird.
10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche oder dem Oberbegriff des Anspruchs 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass
- das Medium in Form einer festen Beschichtung (6) durch ein Sputter-Verfahren aufgebracht wird.
11. Verfahren nach Anspruch 10, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass
- das Medium zuerst auf ein Startsubstrat (1) aufgebracht wird,
- in einem ersten Sputter-Verfahrensschritt von dem Startsub- strat (1) gesputtert und auf ein Zwischen-Target (3) abge¬ schieden wird, und - in einem zweiten Sputter-Verfahrensschritt von dem Zwi- schen-Target (3) gesputtert und auf den zu dotierenden Festkörper (5) abgeschieden wird.
12. Verfahren nach Anspruch 11, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass
- das Zwischen-Target (3) ein Silizium-Substrat ist.
13. Verfahren nach Anspruch 11 oder 12, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass
- das Medium aus dem Dotierstoff besteht und auf dem Start¬ substrat (1) pulverförmig aufgebracht wird.
14. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche oder dem Oberbegriff des Anspruchs 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass
- der Festkörper einen Hauptkörper (10) und eine auf einer Oberfläche des Hauptkörpers (10) aufgebrachte Zwischen¬ schicht (11) enthält und das Medium auf der Zwischenschicht (11) aufgebracht wird.
15. Verfahren nach Anspruch 14, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass
- die Zwischenschicht (11) eine Passivierungsschicht ist.
16. Verfahren nach Anspruch 14 oder 15, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass
- die Zwischenschicht (11) als Antireflexschicht für die La¬ serstrahlung wirkt.
17. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 16, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass
- die Zwischenschicht (11) Siliziumnitrid, Silizium-Dioxid oder amorphes Silizium enthält oder aus einem dieser Mate- rialien aufgebaut ist.
18. Verfahren zur Herstellung eines Emitterbereichs einer So¬ larzelle durch ein Verfahren zur Erzeugung eines dotierten Bereichs in einem Halbleiter nach einem der vorhergehenden Ansprüche .
19. Verfahren zur Herstellung eines ohmschen Kontakts zwi¬ schen einem Halbleiter und einem Metall, bei welchem Verfah¬ ren in einem Halbleiter ein dotierter Bereich nach einem der Ansprüche 1 bis 17 erzeugt wird und anschließend auf den do- tierten Bereich eine metallische Schicht aufgebracht wird.
20. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der vorhergehenden Ansprüche, mit
- einer gepulsten Laserstrahlquelle, - einer Zylinderlinse für die Erzeugung des Linienfokus,
- einem Objektiv für die verkleinerte Abbildung des Linienfo¬ kus auf die Oberfläche des Festkörpers.
21. Verfahren nach Anspruch 20, g e k e n n z e i c h n e t d u r c h
- eine Autofokus-Vorrichtung, welche den Abstand der Festkör¬ peroberfläche zu einem Referenzpunkt misst und den Abstand zwischen Objektiv und Festkörperoberfläche derart regelt, dass die Fokuslage innerhalb der Tiefenschärfe auf der Festkörperoberfläche bleibt.
PCT/DE2005/001280 2004-07-26 2005-07-21 Laserdotierung von festkörpern mit einem linienfokussierten lasterstrahl und darauf basierende herstellung von solarzellen-emittern WO2006012840A1 (de)

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EP05771164A EP1738402B1 (de) 2004-07-26 2005-07-21 Laserdotierung von festkörpern mit einem linienfokussierten lasterstrahl und darauf basierende herstellung von solarzellen-emittern
JP2007522910A JP2008507849A (ja) 2004-07-26 2005-07-21 線形焦点式レーザビームを用いた固形物のレーザドーピング方法、および該方法に基づいて製造された太陽電池エミッタ
DE502005005402T DE502005005402D1 (de) 2004-07-26 2005-07-21 Laserdotierung von festkörpern mit einem linienfokellung von solarzellen-emittern
US11/627,372 US20080026550A1 (en) 2004-07-26 2007-01-25 Laser doping of solid bodies using a linear-focussed laser beam and production of solar-cell emitters based on said method

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006003607A1 (de) * 2006-01-25 2007-08-02 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren und Vorrichtung zur lokalen Dotierung von Festkörpern sowie dessen Verwendung
DE102010010813A1 (de) 2010-03-03 2011-09-08 Centrotherm Photovoltaics Ag Verfahren zur Dotierung eines Halbleitersubstrats und Solarzelle mit zweistufiger Dotierung
US8586862B2 (en) 2009-11-18 2013-11-19 Solar Wind Technologies, Inc. Method of manufacturing photovoltaic cells, photovoltaic cells produced thereby and uses thereof
US8796060B2 (en) 2009-11-18 2014-08-05 Solar Wind Technologies, Inc. Method of manufacturing photovoltaic cells, photovoltaic cells produced thereby and uses thereof

Families Citing this family (67)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7442629B2 (en) 2004-09-24 2008-10-28 President & Fellows Of Harvard College Femtosecond laser-induced formation of submicrometer spikes on a semiconductor substrate
US7057256B2 (en) 2001-05-25 2006-06-06 President & Fellows Of Harvard College Silicon-based visible and near-infrared optoelectric devices
EP1988773B1 (de) * 2006-02-28 2014-04-23 Basf Se Antimikrobielle verbindungen
US8542102B2 (en) * 2006-05-04 2013-09-24 Intermec Ip Corp. Method for operating an RFID network
JP2008283069A (ja) * 2007-05-11 2008-11-20 Sony Corp 照射装置、半導体装置の製造装置、半導体装置の製造方法および表示装置の製造方法
JP2011514664A (ja) * 2008-01-31 2011-05-06 プレジデント アンド フェローズ オブ ハーバード カレッジ パルスレーザ照射を介してドープされる材料の平坦面の工学
US20090239363A1 (en) * 2008-03-24 2009-09-24 Honeywell International, Inc. Methods for forming doped regions in semiconductor substrates using non-contact printing processes and dopant-comprising inks for forming such doped regions using non-contact printing processes
KR100974221B1 (ko) 2008-04-17 2010-08-06 엘지전자 주식회사 레이저 어닐링을 이용한 태양전지의 선택적 에미터형성방법 및 이를 이용한 태양전지의 제조방법
US8053867B2 (en) 2008-08-20 2011-11-08 Honeywell International Inc. Phosphorous-comprising dopants and methods for forming phosphorous-doped regions in semiconductor substrates using phosphorous-comprising dopants
US8679959B2 (en) * 2008-09-03 2014-03-25 Sionyx, Inc. High sensitivity photodetectors, imaging arrays, and high efficiency photovoltaic devices produced using ion implantation and femtosecond laser irradiation
US7951696B2 (en) * 2008-09-30 2011-05-31 Honeywell International Inc. Methods for simultaneously forming N-type and P-type doped regions using non-contact printing processes
US20100147383A1 (en) * 2008-12-17 2010-06-17 Carey James E Method and apparatus for laser-processing a semiconductor photovoltaic apparatus
WO2010071638A1 (en) * 2008-12-17 2010-06-24 Sionyx, Inc. Method and apparatus for laser-processing a semiconductor photovoltaic apparatus
US8518170B2 (en) 2008-12-29 2013-08-27 Honeywell International Inc. Boron-comprising inks for forming boron-doped regions in semiconductor substrates using non-contact printing processes and methods for fabricating such boron-comprising inks
US7820532B2 (en) * 2008-12-29 2010-10-26 Honeywell International Inc. Methods for simultaneously forming doped regions having different conductivity-determining type element profiles
FR2941156A1 (fr) * 2009-01-19 2010-07-23 Cummins Filtration Dispositif de filtration pour liquide circulant dans un moteur ou un equipement hydraulique, comprenant des moyens de chauffage du liquide jouxtant les moyens de filtration
CN102484051B (zh) * 2009-02-11 2015-07-29 新南创新私人有限公司 光致电压器件结构和方法
DE102009010841A1 (de) 2009-02-27 2010-09-02 Jenoptik Automatisierungstechnik Gmbh Laserkristallisation durch Bestrahlung
WO2010104842A1 (en) * 2009-03-09 2010-09-16 Sionyx, Inc. Multi-junction semiconductor photovoltaic apparatus and methods
US20120145229A1 (en) * 2009-03-17 2012-06-14 Wuxisuntech Power Co., Ltd. Irradiating A Plate Using Multiple Co-Located Radiation Sources
US20100243041A1 (en) * 2009-03-26 2010-09-30 Bp Corporation North America Inc. Apparatus and Method for Solar Cells with Laser Fired Contacts in Thermally Diffused Doped Regions
US8207051B2 (en) 2009-04-28 2012-06-26 Sionyx, Inc. Semiconductor surface modification
JP2010283339A (ja) * 2009-05-02 2010-12-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換装置及びその作製方法
DE102009022018A1 (de) 2009-05-19 2010-11-25 Rena Gmbh Metallisierungsverfahren zur Herstellung von Solarzellen
KR101155563B1 (ko) * 2009-05-27 2012-06-19 주식회사 효성 레이저를 이용한 태양전지 제조방법
US8324089B2 (en) 2009-07-23 2012-12-04 Honeywell International Inc. Compositions for forming doped regions in semiconductor substrates, methods for fabricating such compositions, and methods for forming doped regions using such compositions
KR101893331B1 (ko) * 2009-09-17 2018-08-30 사이오닉스, 엘엘씨 감광성 이미징 장치 및 이와 관련된 방법
US9911781B2 (en) 2009-09-17 2018-03-06 Sionyx, Llc Photosensitive imaging devices and associated methods
US9673243B2 (en) 2009-09-17 2017-06-06 Sionyx, Llc Photosensitive imaging devices and associated methods
WO2011038718A2 (de) 2009-09-30 2011-04-07 Systaic Cells Gmbh Behandlung und herstellung selektiver emitter von solarzellen
CA2780913A1 (en) 2009-11-18 2011-05-26 B-Solar Ltd. Method of manufacturing photovoltaic cells, photovoltaic cells produced thereby and uses thereof
DE102009053776A1 (de) 2009-11-19 2011-06-01 Systaic Cells Gmbh Emitterbildung mit einem Laser
TWI528418B (zh) 2009-11-30 2016-04-01 應用材料股份有限公司 在半導體應用上的結晶處理
DE102009059193B4 (de) * 2009-12-17 2024-02-15 Innolas Solutions Gmbh Verfahren zur Dotierung von Halbleitermaterialien
CN102222717A (zh) * 2010-04-16 2011-10-19 益通光能科技股份有限公司 形成太阳能电池的方法
US8692198B2 (en) 2010-04-21 2014-04-08 Sionyx, Inc. Photosensitive imaging devices and associated methods
EP2583312A2 (de) 2010-06-18 2013-04-24 Sionyx, Inc. Lichtempfindliche hochgeschwindigkeitsvorrichtungen und verfahren dafür
DE102010044480A1 (de) 2010-09-03 2012-03-08 Institut Für Photonische Technologien E.V. Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Dünnschichtsolarzelle
DE102010048522A1 (de) 2010-10-14 2012-04-19 Manz Automation Ag Optisches System mit kaskadierten, verstellbaren Strahlteilern
DE102010061296A1 (de) 2010-12-16 2012-06-21 Schott Solar Ag Verfahren zum Herstellen von elektrisch leitenden Kontakten auf Solarzellen sowie Solarzelle
CN102142479A (zh) * 2010-12-18 2011-08-03 广东爱康太阳能科技有限公司 一种选择性发射极及氮化硅薄膜开槽同步实现工艺
JP2014500633A (ja) 2010-12-21 2014-01-09 サイオニクス、インク． 基板損傷の少ない半導体素子および関連方法
KR101046953B1 (ko) * 2011-01-20 2011-07-06 주식회사 엘티에스 레이저를 이용한 태양전지의 선택적 에미터 제조장치
JP2014514733A (ja) 2011-03-10 2014-06-19 サイオニクス、インク． ３次元センサ、システム、および関連する方法
US9496308B2 (en) 2011-06-09 2016-11-15 Sionyx, Llc Process module for increasing the response of backside illuminated photosensitive imagers and associated methods
DE102011107605A1 (de) 2011-06-30 2013-01-03 Iai Industrial Systems B.V. Verfahren zur Herstellung mono- oder polykristalliner Solarzellen basierend auf n-Silizium
CN102263164A (zh) * 2011-07-06 2011-11-30 杨雪 硅太阳能电池金属半导体接触合金化制备工艺
US20130016203A1 (en) 2011-07-13 2013-01-17 Saylor Stephen D Biometric imaging devices and associated methods
JP5853333B2 (ja) * 2011-08-12 2016-02-09 株式会社ブイ・テクノロジー レーザードーピング方法及びレーザードーピング装置
US8629294B2 (en) 2011-08-25 2014-01-14 Honeywell International Inc. Borate esters, boron-comprising dopants, and methods of fabricating boron-comprising dopants
US8865507B2 (en) 2011-09-16 2014-10-21 Sionyx, Inc. Integrated visible and infrared imager devices and associated methods
US8664015B2 (en) * 2011-10-13 2014-03-04 Samsung Sdi Co., Ltd. Method of manufacturing photoelectric device
US8975170B2 (en) 2011-10-24 2015-03-10 Honeywell International Inc. Dopant ink compositions for forming doped regions in semiconductor substrates, and methods for fabricating dopant ink compositions
DE102011055604A1 (de) 2011-11-22 2013-05-23 Helmholtz-Zentrum Dresden - Rossendorf E.V. Funktionalisierte Festkörperoberflächen von Metallen, Halbleitern und Isolatoren mit Nanostrukturen
DE102012202367A1 (de) 2012-02-16 2013-08-22 Robert Bosch Gmbh Verfahren und Anordnung zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung
US9064764B2 (en) 2012-03-22 2015-06-23 Sionyx, Inc. Pixel isolation elements, devices, and associated methods
CN102723265B (zh) * 2012-06-18 2014-12-24 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种硅片的铝掺杂方法
CN102916077A (zh) * 2012-09-27 2013-02-06 奥特斯维能源（太仓）有限公司 一种用于提高金属电极与晶体硅附着力的激光掺杂工艺
DE102012221409A1 (de) 2012-11-22 2014-05-22 Helmholtz-Zentrum Dresden - Rossendorf E.V. Funktionalisierte Festkörperoberflächen aus Zwei- und Mehrstoffsystemen mit Komposit-Nanostrukturen aus Metallen, Halbleitern und Isolatoren
JP6466346B2 (ja) 2013-02-15 2019-02-06 サイオニクス、エルエルシー アンチブルーミング特性を有するハイダイナミックレンジｃｍｏｓ画像センサおよび関連づけられた方法
US9939251B2 (en) 2013-03-15 2018-04-10 Sionyx, Llc Three dimensional imaging utilizing stacked imager devices and associated methods
WO2014209421A1 (en) 2013-06-29 2014-12-31 Sionyx, Inc. Shallow trench textured regions and associated methods
WO2015043606A1 (en) * 2013-09-27 2015-04-02 Danmarks Tekniske Universitet Nanostructured silicon based solar cells and methods to produce nanostructured silicon based solar cells
DE102013112638A1 (de) 2013-11-15 2015-05-21 Universität Stuttgart Verfahren zur Herstellung rückseitenkontaktierter Solarzellen aus kristallinem Silizium
WO2017072758A1 (en) 2015-10-25 2017-05-04 Solaround Ltd. Method of bifacial cell fabrication
CN105428224B (zh) * 2015-12-03 2018-06-12 上海大族新能源科技有限公司 硅片硼掺杂方法
DE102016107802A1 (de) 2016-04-27 2017-11-02 Universität Stuttgart Verfahren zur Herstellung rückseitenkontaktierter Solarzellen aus kristallinem Silizium

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3420719A (en) * 1965-05-27 1969-01-07 Ibm Method of making semiconductors by laser induced diffusion
US4370175A (en) * 1979-12-03 1983-01-25 Bernard B. Katz Method of annealing implanted semiconductors by lasers
US4436557A (en) * 1982-02-19 1984-03-13 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Modified laser-annealing process for improving the quality of electrical P-N junctions and devices
US20020191301A1 (en) * 2001-06-15 2002-12-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation stage, laser irradiation optical system, laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method of manufacturing a semiconductor device
US6531681B1 (en) * 2000-03-27 2003-03-11 Ultratech Stepper, Inc. Apparatus having line source of radiant energy for exposing a substrate

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3329704A (en) * 1964-04-07 1967-07-04 Jr Charles V Goebel Production of normal alpha, omega-dicyanoalkanes
US3640782A (en) * 1967-10-13 1972-02-08 Gen Electric Diffusion masking in semiconductor preparation
US4147563A (en) * 1978-08-09 1979-04-03 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Method for forming p-n junctions and solar-cells by laser-beam processing
JPH01248615A (ja) * 1988-03-30 1989-10-04 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JPH02205668A (ja) * 1989-01-31 1990-08-15 Kobe Steel Ltd スパッタリングターゲット
US5316969A (en) * 1992-12-21 1994-05-31 Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Method of shallow junction formation in semiconductor devices using gas immersion laser doping
WO1995000865A1 (en) * 1993-06-17 1995-01-05 Xmr, Inc. Improved optical beam integration system
US5538564A (en) * 1994-03-18 1996-07-23 Regents Of The University Of California Three dimensional amorphous silicon/microcrystalline silicon solar cells
JP3669384B2 (ja) * 1995-08-22 2005-07-06 独立行政法人理化学研究所 半導体基板中へのドーピング層の形成方法
JPH10161195A (ja) * 1996-12-02 1998-06-19 Sony Corp オートフォーカス方法及びオートフォーカス装置
US5918140A (en) * 1997-06-16 1999-06-29 The Regents Of The University Of California Deposition of dopant impurities and pulsed energy drive-in
JP3639423B2 (ja) * 1997-12-26 2005-04-20 新日本無線株式会社 半導体熱拡散層の形成方法
DE19813188A1 (de) * 1998-03-25 1999-10-07 Siemens Solar Gmbh Verfahren zur einseitigen Dotierung eines Halbleiterkörpers
AUPP437598A0 (en) * 1998-06-29 1998-07-23 Unisearch Limited A self aligning method for forming a selective emitter and metallization in a solar cell
JP2001110864A (ja) * 1999-10-06 2001-04-20 Seiko Epson Corp 多結晶性半導体膜の検査方法および多結晶性半導体膜の検査装置
US6329704B1 (en) * 1999-12-09 2001-12-11 International Business Machines Corporation Ultra-shallow junction dopant layer having a peak concentration within a dielectric layer
EP1329946A3 (de) * 2001-12-11 2005-04-06 Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Herstellungsverfahren von Halbleitervorrichtungen mit Laserkristallisationsschritt
JP2003209271A (ja) * 2002-01-16 2003-07-25 Hitachi Ltd 太陽電池およびその製造方法
US7405114B2 (en) * 2002-10-16 2008-07-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus and method of manufacturing semiconductor device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3420719A (en) * 1965-05-27 1969-01-07 Ibm Method of making semiconductors by laser induced diffusion
US4370175A (en) * 1979-12-03 1983-01-25 Bernard B. Katz Method of annealing implanted semiconductors by lasers
US4436557A (en) * 1982-02-19 1984-03-13 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Modified laser-annealing process for improving the quality of electrical P-N junctions and devices
US6531681B1 (en) * 2000-03-27 2003-03-11 Ultratech Stepper, Inc. Apparatus having line source of radiant energy for exposing a substrate
US20020191301A1 (en) * 2001-06-15 2002-12-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation stage, laser irradiation optical system, laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method of manufacturing a semiconductor device

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006003607A1 (de) * 2006-01-25 2007-08-02 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren und Vorrichtung zur lokalen Dotierung von Festkörpern sowie dessen Verwendung
US8586862B2 (en) 2009-11-18 2013-11-19 Solar Wind Technologies, Inc. Method of manufacturing photovoltaic cells, photovoltaic cells produced thereby and uses thereof
US8796060B2 (en) 2009-11-18 2014-08-05 Solar Wind Technologies, Inc. Method of manufacturing photovoltaic cells, photovoltaic cells produced thereby and uses thereof
DE102010010813A1 (de) 2010-03-03 2011-09-08 Centrotherm Photovoltaics Ag Verfahren zur Dotierung eines Halbleitersubstrats und Solarzelle mit zweistufiger Dotierung
WO2011107092A2 (de) 2010-03-03 2011-09-09 Centrotherm Photovoltaics Ag Verfahren zur dotierung eines halbleitersubstrats und solarzelle mit zweistufiger dotierung

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