WO2006006534A1

WO2006006534A1 - フレキシブルプリント配線基板端子部或いはフレキシブルフラットケーブル端子部

Info

Publication number: WO2006006534A1
Application number: PCT/JP2005/012681
Authority: WO
Inventors: Masateru Ichikawa; Kunihiro Naoe; Shoji Ajimura
Original assignee: Fujikura Ltd.
Priority date: 2004-07-08
Filing date: 2005-07-08
Publication date: 2006-01-19
Also published as: EP1784064A1; US8017876B2; CN1981565A; JP2006045665A; HK1104755A1; EP1784064A4; KR101156989B1; US20070256856A1; JP4228234B2; CN1981565B; EP1784064B1; KR20070028581A

Abstract

　フレキシブルプリント配線基板或いはフレキシブルフラットケーブルのコネクタ嵌合される、本発明の一実施形態に係る端子部においては、純錫又は錫合金のめっき層が形成された銅或いは銅合金配線が熱処理されることにより、銅或いは銅合金配線上に銅および錫を含む金属間化合物拡散層が形成され、かつ前記純錫又は錫合金のめっき層の残存厚さが０．２～１．６μｍとされる。

Description

明細書

フレキシブルプリント配線基板端子部或いはフレキシブルフラットケープル端子部

技術分野

[0001] 本発明は、ゥイスカーの発生が殆どなく接触抵抗に優れると共に、ピンホールの発生がないフレキシブルプリント配線基板およびフレキシブルフラットケーブルの端子部に関するものである。

背景技術

[0002] 電子機器等に用いられるフレキシブルプリント配線基板 (以下 FPC)やフレキシブルフラットケーブル (以下 FFC)の多くは、銅や銅合金を配線として使用している。そして、これ等を他の配線基板等と電気的に接続する場合、コネクタ接続が多く用いられている。このようなコネクタ接続においては、配線とコネクタの接触抵抗を低くして導通不良を避けるため、銅配線端子に表面処理が行なわれる。その一例に、金、錫 —鉛合金等による電解めつき処理がある。しかし、金めつきは高コストという問題を伴う。また、鉛を含む合金を用いためっき処理では、鉛が溶出して環境を汚染するという問題があるため、鉛フリーめつきの実用化が望まれている。このため、純錫めつきや鉛を含まない錫合金のめっき処理が検討されている。しかし、鉛を含まない錫合金又は純錫でめっきされた銅配線端子部がコネクタと嵌合されると、その配線端子部にはコネクタのピンが押付けられるため、両者の接触部のめっき皮膜から、ゥイスカーと称する髭状の結晶が急速に発生してくることが確認されている。このような現象は、純錫めっきや鉛を含まない錫系合金めつきに於いて顕著であることも判ってきた。さらに実験によると、めっき皮膜を塑性変形させた後にも一定以上の圧力が力かっている時に起こる現象であることが確認された。このようなゥイスカーが成長すると、銅配線間等での短絡が生じ、電子機器等のトラブルに繋がるため、好ましくない。

[0003] ウイスカ一等の問題を解決する技術が、日本国特許公報特開平 11— 343594号公報に開示されている。すなわち、この公報は、少なくとも表面が Cu又は Cu合金からなる基体表面に、 Cu Sn ( ε相）と Cu Sn ( r? ' 相）とがこの順序で積層されてなる中間層を介して、 CuSnを含む層又は CuSnを含む合金層が形成される構成を開示している。これらの層は、いずれも 0. 1〜3重量⁰ /₀の Cuを含有し、または、 1〜20 mの厚さを有している。これらの層は、いずれも Cuイオンを 0. 2〜50ppm含有する S nめっき浴又は Sn合金めつき浴の中で、少なくとも表面が Cu又は Cu合金力もなる基体に電気めつきを行なって製造される。また、この公報には、ゥイスカーの発生防止は、リフロー処理することによって略防止できると記載されている。しかし、前記リフロ一処理のみでは、自然発生するウイスカーに対しては抑制効果が見られる力コネクタ嵌合によって発生するゥイスカーに対しては、必ずしも十分に効果があるとは言えないことが判ってきた。

[0004] 日本国特許第 3014814号公報には、スズでメツキされた銅又は銅合金の微細パターンにおいてショートの原因になるスズメツキホイスカーを抑制する方法が開示されている。すなわち、その方法では、まず銅又は銅合金の微細パターン上に 0. 15 m 以上の厚さを有する純スズ層がメツキにより形成され、ついで加熱処理によりその純スズ層の全体が Cu—Sn拡散層とされる。その後、その上に 0. 15〜0. の厚さを有する純スズメツキ層が形成され、よって、スズメツキホイスカーの発生が抑制される。しかし、この方法では、スズメツキ工程が 2回行なわれるので、工程が複雑になると共に製造コスト等が問題となる。そこで、これ等の問題点を解決する技術が求められていた。

発明の開示

[0005] 本発明の目的は、純錫のめっき層又は鉛を含まない錫合金のめっき層を含み、ウイスカーの発生が殆どなく接触抵抗に優れたフレキシブルプリント配線基板端子部並びにフレキシブルフラットケーブル端子部を提供することである。また、本発明の他の目的は、ゥイスカーの発生がなく接触抵抗に優れると共に、ピンホールがなく光沢性にも優れた実用的なフレキシブルプリント配線基板端子部並びにフレキシブルフラットケーブル端子部を提供することにある。

[0006] 上記の目的を達成するため、本発明の第 1の態様は、 FPC或いは FFCのコネクタ嵌合される端子部であって、純錫若しくは錫合金のめっき層が形成された銅又は銅合金配線が熱処理されることにより、銅又は銅合金配線上に銅および錫を含む金属間化合物拡散層が形成され、かつ前記純錫若しくは錫合金のめっき層の残存厚さが

0. 2〜1. 6 mとされたフレキシブルプリント配線基板端子部或いはフレキシブルフラットケーブル端子部提供する。

[0007] 本発明の第 2の態様は、前記純錫又は錫合金のめっき層の残存厚さが、 0. 2以上

1. O /z m未満である、第 1の態様に係るフレキシブルプリント配線基板端子部或いはフレキシブルフラットケーブル端子部を提供する。

[0008] 本発明の第 3の態様は、前記銅又は銅合金配線上に形成された純錫若しくは錫合金のめっき層の厚さ力初期めつき層の厚さとして 0. 5 m以上である、第 1又は 2の態様に係るフレキシブルプリント配線基板端子部或いはフレキシブルフラットケープル端子部を提供する。

[0009] 本発明の第 4の態様は、前記銅又は銅合金配線上に形成された純錫若しくは錫合金の初期めつき層の厚さ力残存めつき層中及び金属間化合物の拡散層中の錫存在量から求めた厚さとして、 0. 5 m以上である、第 3の態様に係るフレキシブルプリント配線基板端子部或いはフレキシブルフラットケーブル端子部を提供する。

[0010] 本発明の第 5の態様は、前記錫合金めつき層が、錫銅合金、錫銀合金、錫ビスマス合金力も選ばれる、第 1から第 4の態様のいずれか一つに係る、フレキシブルプリント配線基板端子部或いはフレキシブルフラットケーブル端子部を提供する。

[0011] 本発明の第 6の態様は、第 1から第 5の態様のいずれか一つに係るフレキシブルプリント配線基板端子部或、はフレキシブルフラットケーブル端子部に於、て、前記銅又は銅合金配線上に形成された純錫若しくは錫合金の初期めつき層が、 1度のめつき処理によって形成されたフレキシブルプリント配線基板端子部或いはフレキシブルフラットケーブル端子部を提供する。

[0012] 上述の本発明の各態様によれば、純錫若しくは錫合金のめっき層が形成された銅又は銅合金配線が熱処理されることにより、銅又は銅合金配線上に銅および錫を含む金属間化合物拡散層が形成され、かつ前記純錫又は錫合金のめっき層の残存厚さ力 O. 2〜1. とされるので、ウイスカ一は、発生したとしても、微小であり、実用上問題とならない。具体的には、発生する可能性のあるウイスカーの最大長は、 50 μ m以下とすることができ、前記端子部がコネクタに嵌合されたときにゥイスカーによる短絡事故を生じることがない。また前記端子部においては、接触抵抗は 50m Ω未満とすることができる。さらに、鉛による環境汚染の問題も生じない。

[0013] さらに好ましくは、前記純錫又は錫合金のめっき層の残存厚さが、 0. 2以上 1. Ο μ m未満であれば、ゥイスカーの発生をより抑制することができる。具体的には、ゥイスカーが発生しても、その最大長は 30 m以下とすることができ、コネクタ嵌合しても短絡事故を生じることがない。また、端子部の接触抵抗は 50m Ω未満であり、より好ましい。言うまでもなぐ鉛による環境汚染の問題も生じない。

[0014] また、銅又は銅合金配線上に形成された純錫若しくは錫合金の初期めつき層の厚さを 0. 5 m以上としたことにより、前述した効果に加えて、ピンホール等の欠陥の発生を防止でき、よって、下地の銅又は銅合金配線を確実に被覆することができる。また、めっき表面の光沢性も実用上問題ない。さらに、前記初期めつき層の厚さを、前記銅又は銅合金配線上に形成された純錫若しくは錫合金の初期めつき層の厚さは、残存めつき層中と金属間化合物の拡散層中の錫存在量力求めた厚さとして 0. 5 μ m以上としたので、めっき直後にめっき層の厚さを測定することができないような場合でも、製品の初期めつき厚さを知ることができる。

[0015] また錫合金めつき層を、錫銅合金、錫銀合金、錫ビスマス合金カゝら選ぶことによって、種々の鉛フリーの錫合金めつき層を選択できると共に、前述した特性を有する FPC 端子部或いは FFC端子部を提供することができる。

[0016] なお、本発明の FPC端子部或いは FFC端子部においては、前記銅或いは銅合金配線上に形成された純錫又は錫合金の初期めつき層力 1度のめっき処理によって形成されるので、簡便な製造工程により、前述した特性の FPC端子部或いは FFC端子部を得ることができ、よって、製造コストの低減が可能となる。

発明を実施するための最良の形態

[0017] 以下、本発明の実施形態を詳述する。

[0018] (第 1の実施形態）

本発明の第 1の実施形態に係る FPC或、は FFCのコネクタが嵌合される端子部においては、純錫若しくは錫合金のめっき層が形成された銅又は銅合金配線が熱処理されることにより、銅又は銅合金配線上に銅および錫を含む金属間化合物拡散層が形成される。前記純錫又は錫合金のめっき層の残存厚さが 0. 2〜1. とされた FPC或いは FFC端子部である。

[0019] 本発明者等は、 FPC端子部或いは FFCの端子部をコネクタに嵌合した場合、特にピンを有するコネクタに嵌合した場合に発生するゥイスカーについて検討した結果、ゥイスカーの発生はコネクタ力も受ける外部応力の影響が大き、と、う事実を見い出し、この事実に基づき本発明を完成した。本発明によれば、熱拡散処理によって銅および錫を含む金属間化合物拡散層と純錫又は錫合金めつき層との厚さの関係を調整することにより、めっき層に働く外部応力の影響が低減され、よって、ゥイスカーの発生が抑えられる。

[0020] よって、純錫若しくは錫合金のめっき層が形成された銅又は銅合金配線が熱処理されることにより、銅又は銅合金配線上に銅および錫を含む金属間化合物拡散層が形成される。しかも、熱処理は、前記純錫又は錫合金のめっき層の残存厚さが 0. 2 〜1. 6 mとなるように行われる。これにより、コネクタが嵌合した場合でもゥイスカーの発生が抑えられ、またウイスカーが発生しても、その最大長は 50 m以下となることができ、 FPCや FFC端子部に於いてコネクタ嵌合による短絡を生じることがない。

[0021] なお、熱処理後の純錫又は錫合金のめっき層の残存厚さが 0. 2 μ m未満では、当該端子部がコネクタに嵌合した場合、接触抵抗が大きくなつて十分な導通が確保できない。また、その残存厚さが 1. 6 mを超えると、当該端子部がコネクタに嵌合した場合に、ゥイスカーの発生頻度 (発生率や長さ）が大きくなり、また、その最大長が 50 /z mを越えてしまう。一方、めっき層の残存厚さが 1〜1. 6 /z mの場合には、ウイスカ一の最大長を 50 m以下とすることができることが確認された。純錫又は錫合金のめつき層の残存厚さが 0. 2〜1. の場合、銅および錫力なる金属間化合物拡散層の厚さは、 0. 1〜3. 5 m程度であった。そしてこのような端子部は、 50πι Ω未満の優れて低、接触抵抗を有し、また鉛による環境問題もな、。

[0022] (第 2の実施形態）

第 2の実施形態による FPC端子部或いは FFC端子部では、前記純錫又は錫合金のめつき層の残存厚さ力 0. 2以上 1. 0 m未満である。このように、純錫又は錫合金のめっき層の残存厚さを 1. 0 m未満とすることによって、発生するゥイスカーをより抑制することができる。し力も、ゥイスカーが発生しても、その最大長を 30 m以下とすることができる。このため、端子部をコネクタに嵌合しても、短絡事故を生じることがない。また、 FPC端子部或いは FFC端子部は、 50m Ω未満の低い接触抵抗を有し、電気的特性の点においても優れる。さらに鉛フリーのめっきであるから鉛による環境問題を生じることもない。

(第 3の実施形態）

本発明の第 3の実施形態に係る FPC端子部或、は FFC端子部では、さらにピンホールの発生を防止するため、銅或ヽは銅合金配線上に形成された純錫又は錫合金の初期めつき層の厚さが 0. 5 m以上される。具体的には、銅又は銅合金配線上に最初に形成される純錫若しくは錫合金のめっき層力 0. 5 m以上の厚さを有するように、電解めつきによって形成され、ついで熱処理によって、銅および錫からなる金属間化合物拡散層および純錫又は錫合金のめっき層が形成される。熱処理後のめつき層の残存厚さ力 ^s、0. 2〜1. 6 m、好ましくは 0. 2以上 1. 0 m未満となるように処理することによって、ゥイスカーの最大長が 50 μ m以下或いは 30 μ m以下となる F PC或いは FFC端子部が提供される。純錫又は錫合金の初期めつき層の厚さが 0. 5 μ m未満の場合、電解めつきした時にピンホール等の欠陥が生じ、長期間の使用において腐食等の原因になり好ましくない。なお、銅又は銅合金配線上に最初に形成する純錫若しくは錫合金のめっき層は、厚くても 4〜5 m程度とするのがよい。これは、熱処理によってめつき層の残存厚さを 1. 6 m以下とするまでに長時間を要し、しかも、これにより銅および錫力もなる金属間化合物拡散層が厚くなつて、曲げ特性が悪くなる。このため、めっき層にクラックが入り易くなつて好ましくない。また、これらのめつき層は、電解めつきや無電解めつきによって形成されることができる。以上の構成の FPC端子部或いは FFC端子部によれば、ゥイスカーが発生しても、その最大長は 50 m以下、或いは 30 m以下となり、この端子部がコネクタに嵌合してもゥイスカーによる短絡事故を防止することができる。また、前記端子部は、ピンホールがなく、 50m Ω未満の接触抵抗を有し、光沢性も実用上問題ないものである。特に、初期めっき厚さが 1. 以上の場合には、その端子部は、優れた光沢性を有する。さらには、曲げ〖こよるクラックの発生も少なく、銅配線等の強度に悪影響を及ぼすことがない。

[0024] (第 4の実施形態）

本発明の第 4の実施形態に係る FPC端子部或いは FFC端子部では、前述の初期めっきの厚さを、前記銅又は銅合金配線上に形成された純錫若しくは錫合金の初期めっき層の厚さは、残存めつき層中と金属間化合物の拡散層中の錫存在量から求めた厚さとして、 0. 5 m以上とすることもできる。これに初期めつき層の厚さを決定すれば、めっきした直後にめっき層の厚さを測定することができないような場合でも、製品の初期めつき厚さを知ることができるようになる。すなわち、初期めつき層はめつき直後の層であって拡散層が形成されていないが、熱処理後には、下地層からの銅の拡散により銅、錫の金属間化合物力なる拡散層が形成されているため、結果として、初期めつき層は薄くなる。このため、熱処理後の FPC端子部或いは FFC端子部の錫及び錫合金層において、単位面積あたりの錫の存在量力例えば 0. の初期めつき厚さの時と同量あれば、初期めつき厚さが 0. 5 mであったとみなすことができるので、初期めつき厚さを測定することができる。なお、錫の存在量は、例えば、蛍光 X線膜厚計によって錫の特性 X線強度を測定することによって、また試料を溶解しィ匕学分析により錫を定量することによって測定される。

[0025] このような方法によって測定した実験結果を説明する。表 1は、実験条件及び実験結果を示す。この表において、初期めつき層の「厚さ」は、めっき層形成後 10分以内に蛍光 X線膜厚計 (セイコーインスツルメンッ社の SFT— 3200を使用）によって測定した値を示す。すなわち、蛍光 X線膜厚計での測定では、錫 X線強度 (cps : counts p er second)から錫の残存量が求められ、錫の密度により初期めつき層の厚さが求められる。

[0026] なお、蛍光 X線強度の測定は、 0. 025mm X O. 4mmのコリメータを使用した。また、この測定において、 X線は、 0. 4mmの幅を有する配線の長手方向と並列に照射された。

[表 1] iu n-

69Zォ 6X nu

[0027] つぎに、このめつき層を種々の熱処理条件を用いて熱処理することによって銅および錫からなる金属間化合物拡散層が形成され、その結果、種々の厚さの残存めつき層が得られた。ついで、熱処理前と同様に蛍光 X線膜厚計による測定を行い、錫の存在量及び初期めつき層の厚さを求めた。その結果も表 1に示されて、る。

[0028] 表 1の実験例 1〜5から明らかなように、熱処理前の初期めつき厚さと熱処理後の錫存在量から求められた初期めつき厚さはよく一致している。したがって、めっき直後に初期めつき層の厚さを測定して、な、端子部にぉ、ても、後に初期めつき層の厚さを知ることができる。

[0029] (第 5の実施形態）

本発明の第 5の実施形態に係る FPC端子部或いは FFC端子部では、前記錫合金を錫銅合金、錫銀合金、錫ビスマス合金カゝら選ぶことによって、鉛フリーで、良好な半田付け性等の特性を実現できる。具体的には、銅を 0. 2〜3質量％含有する錫銅合金、銀を 0. 5〜5質量％含有する錫銀合金、ビスマスを 0. 5〜4質量％含有する錫ビスマス合金力も選択することが好ま、。

[0030] なお、前述の純錫又は錫合金力なるめっき層の熱処理条件は、 FPCの構成材料やめつき層の種類を考慮して、一番好ましい条件を選定することができる。例えば、 1 40〜180°Cで数時間、または前記純錫若しくは錫合金の融点付近の温度で数秒〜数十秒とすることによって、工業上実用的な製造方法が実現されることができる。このような熱処理条件により、前述した銅或いは銅合金配線上に銅および錫を含む金属間化合物拡散層が形成され、かつ前記純錫又は錫合金のめっき層の残存厚さが 0. 2〜1. 6 m、好ましくは 0. 2以上 1. 0 m未満とされた FPC端子部が得られる。さらに、 FPC端子を構成する絶縁材料にダメージを与えることもない。また FFCの場合には、純錫又は錫合金の融点以上で 0. 05〜数秒とするのが実用の製法からは好ましいが、場合によっては融点以下で長時間の熱処理を行なってもよぐまたこれらの熱処理条件を組み合わせて行なってもよヽ。

[0031] (第 6の実施形態）

本発明の第 6の実施形態に係る FPC端子部或いは FFC端子部では、初期めつき層は、前記銅又は銅合金配線上に形成された純錫若しくは錫合金の初期めつき層は 1度のめっき処理によって形成される。このような 1度の初期めつき処理によって、前述した特性の FPC端子部或、は FFC端子部を得ることができるので、製造コスト的に有利である。し力も、前述のように純錫めつきのみならず、錫銅合金、錫銀合金、錫ビスマス合金等の鉛フリーの錫合金めつきにも適用できるので、めっき処理の使用範囲が広くなり有用である。

表 2に記載した実施例並びに比較例によって、本発明の効果を確認した。実施例においては、まず、 0. 5mmピッチの銅配線を有する FPC端子部及び FFC端子部が用意された。これらに表 2に示す各種類のめっき層が形成された。ついで、 FPC端子部は、オーブン又はリフロー炉を用いて所定の条件により熱処理された。また FFC端子部は、通電ァニーラー又はオーブンを用いて所定の条件により熱処理された。その後、前記めつき層の断面を SEM (走査型電子顕微鏡)を用、て金属間化合物の生成を観察するとともに、残存めつき層の厚さを測定した。表 2における残存めつき層の厚さは、 20箇所の測定点における測定値の平均値である。また、前記端子部にピンの先端の Rが 0. 025mmの ZIF型コネクタを嵌合して試験を行なった。コネクタは、金 Zニッケルめつきしたものと純錫めつきを施した 2種類が使用された。端子部とコネクタは、嵌合されたまま、室温で 1000時間放置された。この後、 FPC端子部又は FF C端子部を ZIF型コネクタからはずし、ゥイスカーが発生して、るか否かを調べるため、端子部のめっき層を観察した。観察は、 500倍以上の観察倍率で SEMにより行なつた。その結果を表 2に示す。表 2における「ウイスカー」欄において、二重白丸印は、観察されたゥイスカーの最大長が 30 m以下であることを、白丸印は、観察されたゥイスカーの最大長が 50 m以下であることを、そして、ばつ印は、観察されたゥイスカーの最大長が 50 mを超えることを示している。また、端子部を ZIF型コネクタと嵌合させて、接触抵抗をテスターにより測定した。その結果を表 2に示す。表 2における「接触抵抗」欄において、ばつ印は、接触抵抗が 50m Ω以上であることを、白丸印は、 50m Ω未満であることを示している。なお接触抵抗は 50m Ω未満であれば、電気的特性に優れた嵌合部を得ることができる。

[表 2]

表 2の実施例 1〜1 3に示されるように、純錫の若しくは鉛フリーの錫合金のめっき層が形成された銅又は銅合金配線が熱処理されることにより、銅又は銅合金配線上に銅および錫を含む金属間化合物拡散層が形成され、かつ前記純錫又は錫合金のめつき層の残存厚さが 0. 2〜1. 6 mとされた FPC或いは FFC端子部においては、例ぇゥイスカーが発生したとしても殆どが 30 m以下のものであり、最大長でも 50 m 以下のものであった。さらに、めっき層の残存厚さが 1. O /z m未満の場合は、ウイスカ一の最大長は 30 m以下であった。また、接触抵抗は全てのものが 50m Ω未満であった。さらに、曲げ性に於いてもめっき層にクラックが生じない良好なものであった。

[0034] これに対して、比較例 1または 2に示されるように、熱処理後の残存めつき層の厚さが 1. 又は 2. 80 /z mと厚い場合は、発生するゥイスカーの最大長さが 50 m を超えていた。また比較例 3〜5のように、熱処理後のめっき層の残存厚さが 0. 2 μ m未満になると、接触抵抗が 50m Ω以上となり電気的特性の点力も好ましくない。

[0035] つぎに、表 3に記載した実施例並びに比較例によって本発明の効果を追認した。

表 3に掲げる実施例及び比較例は、前述した表 2の方法と同様にして作製された。また同様の測定方法によってゥイスカーの発生の有無、接触抵抗を調べた。また、各実施 (比較)例について、めっき層形成後、めっき層のピンホールの有無を 100倍以上の拡大鏡によって調べた。表 3における「ピンホール」欄において、白丸印は、全くピンホールが発見されなかったことを、ばつ印は、一つでもピンホールが確認されたことを示している。また、めっき表面の光沢性を実体顕微鏡によって測定した。その結果を併せて表 3に示す。表 3における「光沢性」欄において、白丸印は表面が良好な光沢であることを、三角印は表面が実用上は問題ないが半光沢であることを示す。

[表 3]

表 3の実施例 14〜28に示されるように、純錫又は鉛フリーの錫合金のめっき層が初期めつき厚さ 0. 5 μ m以上に形成され、銅又は銅合金配線が熱処理されることにより、銅又は銅合金配線上に銅および錫を含む金属間化合物拡散層が形成され、かつ前記純錫若しくは錫合金のめっき層の残存厚さが 0. 2〜1. 以下である FP C或いは FFC端子部においては、ゥイスカーの発生が抑制され、例えウイスカーが発生したとしてもその最大長は 50 m以下であった。そして、純錫又は鉛フリーの錫合金のめっき層が初期めつき厚さ 0. 5 m以上で、めっき層の残存厚さが 0. 2以上 1. 未満の場合は、ゥイスカーの発生がより抑制され、ゥイスカーの最大長も 30 m以下であった。また、接触抵抗は、どの実施例においても 50m Ω未満であった。さらに、初期めつき層の厚さが 0. 以上の場合は、めっき層にはピンホールが全く生じず、光沢性も実用上問題がないものであった。特に初期めつき厚さが 1. 5 m 以上の場合には、光沢性が良好である。さらに、曲げ試験に於いてもめっき層にクラックが生じな力た。

[0037] これに対して、比較例 6〜8に示されるように熱処理後の残存めつき層の厚さが 0. 2 m以上であっても、初期めつき層の厚さが 0. 5 m未満である場合は、ゥイスカーの最大長が 50 /z mを超えることがなぐ接触抵抗も低いけれども、ピンホールが発生するという問題が生じた。ピンホールの発生は、長期間の使用に悪影響を及ぼすと考えられる。

産業上の利用可能性

[0038] 本発明のように、銅或いは銅合金配線上に純錫や錫系合金めつきを形成した FPC 端子部或いは FFC端子部は、コネクタと嵌合して長期間使用されても、発生するウイスカ一は極めて微小なもので短絡を生じることがないので、種々の電子機器類に対して有用なものである。

Claims

請求の範囲 [1] フレキシブルプリント配線基板或、はフレキシブルフラットケーブルのコネクタ嵌合される端子部であって、純錫又は錫合金のめっき層が形成された銅或いは銅合金配線が熱処理されることにより、銅或！ヽは銅合金配線上に銅および錫を含む金属間化合物拡散層が形成され、かつ前記純錫又は錫合金のめっき層の残存厚さが 0. 2〜

1. 6 mとされたことを特徴とするフレキシブルプリント配線基板端子部或いはフレキシブルフラットケーブル端子部。

[2] 前記純錫又は錫合金のめっき層の残存厚さが、 0. 2以上 1. 0 m未満であることを特徴とする請求項 1に記載のフレキシブルプリント配線基板端子部或いはフレキシブルフラットケーブル端子部。

[3] 前記銅或いは銅合金配線上に形成された純錫又は錫合金のめっき層の厚さが、初期めつき層の厚さとして 0. 5 m以上であることを特徴とする請求項 1または 2に記載のフレキシブルプリント配線基板端子部或いはフレキシブルフラットケーブル端子部。

[4] 前記銅或いは銅合金配線上に形成された純錫又は錫合金の初期めつき層の厚さは、残存めつき層中及び金属間化合物の拡散層中の錫存在量から求めた厚さとして、 0. 5 m以上であることを特徴とする請求項 3に記載のフレキシブルプリント配線基板端子部或いはフレキシブルフラットケーブル端子部。

[5] 前記錫合金めつき層が、錫銅合金、錫銀合金、錫ビスマス合金カゝら選ばれることを特徴とする請求項 1〜4のいずれかに記載のフレキシブルプリント配線基板端子部或いはフレキシブルフラットケーブル端子部。

[6] 請求項 1〜5の、ずれかに記載するフレキシブルプリント配線基板端子部或いはフレキシブルフラットケーブル端子部に於ヽて、前記銅或いは銅合金配線上に形成された純錫又は錫合金の初期めつき層力 1度のめっき処理によって形成されたことを特徴とするフレキシブルプリント配線基板端子部或いはフレキシブルフラットケーブル端子部。