JPH1050774A - フレキシブル回路基板の製造方法 - Google Patents
フレキシブル回路基板の製造方法Info
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- JPH1050774A JPH1050774A JP8203997A JP20399796A JPH1050774A JP H1050774 A JPH1050774 A JP H1050774A JP 8203997 A JP8203997 A JP 8203997A JP 20399796 A JP20399796 A JP 20399796A JP H1050774 A JPH1050774 A JP H1050774A
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- Japan
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- flexible circuit
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- tin plating
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ＴＡＢ用フレキシブル回路基板に関し、銅箔リ
ードに施すスズめっきの表面から発生するウィスカー
（針状結晶）を抑制する為に行われる、高温キュア処理
によってできる酸化膜を除去すること。 【解決手段】ＴＡＢ用フレキシブル回路基板の製造方法
において、スズめっき工程、リン酸三ナトリウム中和処
理工程、高温キュア処理工程の後、スズ酸化膜除去工程
として再度リン酸三ナトリウム処理工程を組み込む。リ
ン酸三ナトリウム処理条件は、一般的な範囲として、濃
度１．５〜３．０％、液温５０〜６０℃、処理時間３０
〜６０秒とする。 【効果】高温キュア処理によってできたスズめっき上の
酸化膜を除去できるため次工程の半導体とのボンディン
グ性を向上、安定化できる。
ードに施すスズめっきの表面から発生するウィスカー
（針状結晶）を抑制する為に行われる、高温キュア処理
によってできる酸化膜を除去すること。 【解決手段】ＴＡＢ用フレキシブル回路基板の製造方法
において、スズめっき工程、リン酸三ナトリウム中和処
理工程、高温キュア処理工程の後、スズ酸化膜除去工程
として再度リン酸三ナトリウム処理工程を組み込む。リ
ン酸三ナトリウム処理条件は、一般的な範囲として、濃
度１．５〜３．０％、液温５０〜６０℃、処理時間３０
〜６０秒とする。 【効果】高温キュア処理によってできたスズめっき上の
酸化膜を除去できるため次工程の半導体とのボンディン
グ性を向上、安定化できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はフレキシブル回路基
板の製造方法に関し、例えばＴＡＢ実装用に用いるフレ
キシブル回路基板に好適のものである。
板の製造方法に関し、例えばＴＡＢ実装用に用いるフレ
キシブル回路基板に好適のものである。
【０００２】
【従来の技術】以下は、フレキシブル回路基板の最も好
適な例としてＴＡＢ実装用フレキシブル回路基板を用い
て説明する。
適な例としてＴＡＢ実装用フレキシブル回路基板を用い
て説明する。
【０００３】絶縁性や耐熱性に優れたポリイミドフィル
ム等がベース部材であり、このベース部材を長尺状のフ
レキシブルフィルムにして、例えば銅箔からなる多数の
リ−ドをフィルム上に形成することによりＴＡＢ用のフ
レキシブル回路基板は形成される。そしてこの基板に半
導体素子を実装することにより、ＴＣＰ型の半導体装置
が完成する。ＴＣＰ型の半導体装置は、多量生産に適す
る、小型化できる、ファインパタ−ン化が可能である
等、多くの利点を有するため現在では広く実用化されて
いる。
ム等がベース部材であり、このベース部材を長尺状のフ
レキシブルフィルムにして、例えば銅箔からなる多数の
リ−ドをフィルム上に形成することによりＴＡＢ用のフ
レキシブル回路基板は形成される。そしてこの基板に半
導体素子を実装することにより、ＴＣＰ型の半導体装置
が完成する。ＴＣＰ型の半導体装置は、多量生産に適す
る、小型化できる、ファインパタ−ン化が可能である
等、多くの利点を有するため現在では広く実用化されて
いる。
【０００４】図８はＴＡＢ用フレキシブル回路基板を説
明するための平面図である。図において、１は帯状のフ
レキシブルフィルムであり、そのフィルムには長さ方向
に等間隔にデバイスホ−ル２、２ａ、２ｂが設けられ
る。フィルムの厚さは５０〜１２５μｍ程度、長さ２０
０〜５００ｍ程度である。３はリードであり、ベ−スフ
ィルム１に設けられ、厚さ１５〜４０μｍ、幅５０〜３
００μｍ程度の銅箔からなる。その一部はデバイスホ−
ル２内に突出してインナ−リ−ド３ａを形成している。
４はスプロケット穴であり、ベ−スフィルム１を搬送す
るためのものである。このようなＴＡＢ用フレキシブル
回路基板では、半導体素子との接合（インナーリードボ
ンディング）、や他の回路基板との接合、例えばハンダ
付けによる接合を行うために最終工程として各リードの
特にインナーリードおよびアウターリード（外部との各
接合部）にスズめっきを施していた。更に、時間の経過
とともにスズのウィスカー（針状結晶）が発生、成長
し、時にはパターン間がリークしてしまうことがあるた
め、その発生を抑制すべくスズめっき後高温キュアを施
していた。
明するための平面図である。図において、１は帯状のフ
レキシブルフィルムであり、そのフィルムには長さ方向
に等間隔にデバイスホ−ル２、２ａ、２ｂが設けられ
る。フィルムの厚さは５０〜１２５μｍ程度、長さ２０
０〜５００ｍ程度である。３はリードであり、ベ−スフ
ィルム１に設けられ、厚さ１５〜４０μｍ、幅５０〜３
００μｍ程度の銅箔からなる。その一部はデバイスホ−
ル２内に突出してインナ−リ−ド３ａを形成している。
４はスプロケット穴であり、ベ−スフィルム１を搬送す
るためのものである。このようなＴＡＢ用フレキシブル
回路基板では、半導体素子との接合（インナーリードボ
ンディング）、や他の回路基板との接合、例えばハンダ
付けによる接合を行うために最終工程として各リードの
特にインナーリードおよびアウターリード（外部との各
接合部）にスズめっきを施していた。更に、時間の経過
とともにスズのウィスカー（針状結晶）が発生、成長
し、時にはパターン間がリークしてしまうことがあるた
め、その発生を抑制すべくスズめっき後高温キュアを施
していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら高温キュ
アを行うことにより各リードに施されたスズめっきの表
面が酸化して酸化膜を形成しまい、半導体素子とのボン
ディング性を低下させるという問題点を有していた。
アを行うことにより各リードに施されたスズめっきの表
面が酸化して酸化膜を形成しまい、半導体素子とのボン
ディング性を低下させるという問題点を有していた。
【０００６】そこで本発明はこのような問題点を解決す
るもので、その目的は半導体素子とのボンディング性を
向上させるフレキシブル回路基板を提供することにあ
り、特にその製造方法を提供することにある。
るもので、その目的は半導体素子とのボンディング性を
向上させるフレキシブル回路基板を提供することにあ
り、特にその製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に記載
のフレキシブル回路基板の製造方法は、フレキシブル回
路基板の各リードにスズめっきを施す第一の工程と、前
記第一の工程の後に前記スズめっきされた場所を高温キ
ュアする第二の工程と、前記第二の工程の後に前記スズ
めっき表面の酸化膜を除去する第三の工程とを含んでな
ることを特徴とする。このような方法をとれば、高温キ
ュア処理により生じるスズメッキ表面の酸化膜に対して
酸化膜除去処理を実施することにより高温キュア処理に
よりできた不活性な酸化膜のほとんどを除去でき、次工
程である半導体との接合（ボンディング）工程の安定化
がはかれる。
のフレキシブル回路基板の製造方法は、フレキシブル回
路基板の各リードにスズめっきを施す第一の工程と、前
記第一の工程の後に前記スズめっきされた場所を高温キ
ュアする第二の工程と、前記第二の工程の後に前記スズ
めっき表面の酸化膜を除去する第三の工程とを含んでな
ることを特徴とする。このような方法をとれば、高温キ
ュア処理により生じるスズメッキ表面の酸化膜に対して
酸化膜除去処理を実施することにより高温キュア処理に
よりできた不活性な酸化膜のほとんどを除去でき、次工
程である半導体との接合（ボンディング）工程の安定化
がはかれる。
【０００８】また請求項２に記載のフレキシブル回路基
板の製造方法は上記の製造方法に加え、前記第三の工程
において、リン酸三ナトリウム溶液を用いて前記スズめ
っき表面をエッチングすることを特徴とする。リン酸三
ナトリウム溶液は強アルカリ薬品に比べアルカリ度が弱
い為、スズめっき表面をほどよくソフトエッチングでき
るといった効果があり、有効に酸化膜の除去ができる。
言い換えると、エッチング量が極めて少ない為、スズめ
っき厚を必要以上に減少させる事はない。
板の製造方法は上記の製造方法に加え、前記第三の工程
において、リン酸三ナトリウム溶液を用いて前記スズめ
っき表面をエッチングすることを特徴とする。リン酸三
ナトリウム溶液は強アルカリ薬品に比べアルカリ度が弱
い為、スズめっき表面をほどよくソフトエッチングでき
るといった効果があり、有効に酸化膜の除去ができる。
言い換えると、エッチング量が極めて少ない為、スズめ
っき厚を必要以上に減少させる事はない。
【０００９】また請求項３に記載のフレキシブル回路基
板の製造方法は上記の製造方法に加え、前記エッチング
において、前記スズめっき表面を０．０１〜０．０３μ
ｍ削ることを特徴とする。この範囲であればボンディン
グ性を十分確保できることになる。
板の製造方法は上記の製造方法に加え、前記エッチング
において、前記スズめっき表面を０．０１〜０．０３μ
ｍ削ることを特徴とする。この範囲であればボンディン
グ性を十分確保できることになる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例を図１か
ら図７を用いて説明する。ＴＡＢ用フレキシブル回路基
板は、図１の前処理工程、図２のスズめっき工程、図３
のリン酸三ナトリウム中和処理工程、図４の高温キュア
処理工程を経て、図６のＴＡＢ用フレキシブル回路基板
（断面図）が完成する。
ら図７を用いて説明する。ＴＡＢ用フレキシブル回路基
板は、図１の前処理工程、図２のスズめっき工程、図３
のリン酸三ナトリウム中和処理工程、図４の高温キュア
処理工程を経て、図６のＴＡＢ用フレキシブル回路基板
（断面図）が完成する。
【００１１】実施段階において本発明では、図４の高温
キュア処理工程においてできるスズめっき表面の酸化膜
をいかにして除去するかが課題であった。図４の高温キ
ュア処理工程は、スズめっき後に連続してインラインに
おいて実施する方法と、いったん耐熱エンボススペーサ
ーと共にリールに巻き取り、温調されたオープン内でリ
ール単位で実施する方法とがある。前者は連続してイン
ラインで実施する為、リールへの巻き取りの手間が省け
ると同時に、３００〜５００ｍの長尺加工ができるメリ
ットを有するが、ライン上では装置の長さから長時間の
キュア条件を確保することは難しく、その分温度条件を
高く設定しなければウイスカー抑制効果を確保できない
デメリットを持ち合わせていた。
キュア処理工程においてできるスズめっき表面の酸化膜
をいかにして除去するかが課題であった。図４の高温キ
ュア処理工程は、スズめっき後に連続してインラインに
おいて実施する方法と、いったん耐熱エンボススペーサ
ーと共にリールに巻き取り、温調されたオープン内でリ
ール単位で実施する方法とがある。前者は連続してイン
ラインで実施する為、リールへの巻き取りの手間が省け
ると同時に、３００〜５００ｍの長尺加工ができるメリ
ットを有するが、ライン上では装置の長さから長時間の
キュア条件を確保することは難しく、その分温度条件を
高く設定しなければウイスカー抑制効果を確保できない
デメリットを持ち合わせていた。
【００１２】後者のオーブン方式は時間的制約がない
為、温度条件は比較的低く設定できるメリットはある
が、エンボススペーサーを介してリールに巻き取る為、
１リール当たり５０〜６０ｍを限度として１ロット３０
０ｍの場合、５〜６リールに分けなければならず、作業
能率を低下させるデメリットを有していた。又、半導体
とのボンディング性においては、温度条件を低く設定で
きる後者のほうが酸化膜の程度が軽い点て有利である
が、酸化膜ができることには変わりない為、課題は残
る。
為、温度条件は比較的低く設定できるメリットはある
が、エンボススペーサーを介してリールに巻き取る為、
１リール当たり５０〜６０ｍを限度として１ロット３０
０ｍの場合、５〜６リールに分けなければならず、作業
能率を低下させるデメリットを有していた。又、半導体
とのボンディング性においては、温度条件を低く設定で
きる後者のほうが酸化膜の程度が軽い点て有利である
が、酸化膜ができることには変わりない為、課題は残
る。
【００１３】そこで本発明では、前項の課題を解決する
ために、図３のリン酸三ナトリウム処理工程を図４の高
温キュア処理工程の後へ、図５の本発明のスズ酸化膜除
去工程として再度組み込むことにより、高温キュアによ
りスズの表面にできた酸化膜が除去でき図７の本発明の
ＴＡＢ用フレキシブル回路基板（断面図）が完成する。
ために、図３のリン酸三ナトリウム処理工程を図４の高
温キュア処理工程の後へ、図５の本発明のスズ酸化膜除
去工程として再度組み込むことにより、高温キュアによ
りスズの表面にできた酸化膜が除去でき図７の本発明の
ＴＡＢ用フレキシブル回路基板（断面図）が完成する。
【００１４】スズの酸化膜を除去する方法として、本発
明においてはリン酸三ナトリウムを用いている。リン酸
三ナトリウムの場合、水酸化ナトリウム及び水酸化カリ
ウム等の強アルカリ薬品に比べアルカリ度が弱い為、ス
ズめっき表面をほどよくソフトエッチングする効果があ
り、酸化膜の除去ができる。又、エッチング量は極めて
少ない為、スズめっき厚を必要以上に減少させる事はな
い。これに対して水酸化ナトリウムや水酸化カリウムは
エッチング性が高い為、スズめっき厚を減少させないよ
うにコントロールする事は難しく、次工程のボンディン
グ性を著しく低下させる危険性がある。
明においてはリン酸三ナトリウムを用いている。リン酸
三ナトリウムの場合、水酸化ナトリウム及び水酸化カリ
ウム等の強アルカリ薬品に比べアルカリ度が弱い為、ス
ズめっき表面をほどよくソフトエッチングする効果があ
り、酸化膜の除去ができる。又、エッチング量は極めて
少ない為、スズめっき厚を必要以上に減少させる事はな
い。これに対して水酸化ナトリウムや水酸化カリウムは
エッチング性が高い為、スズめっき厚を減少させないよ
うにコントロールする事は難しく、次工程のボンディン
グ性を著しく低下させる危険性がある。
【００１５】次にリン酸三ナトリウム処理する場合の条
件について解説する。リン酸三ナトリウム処理の目的
は、スズの酸化膜除去にあるため、酸化膜が除去され表
面が活性化できれば必要以上にスズをエッチングするこ
とは返って次工程のボンディング性を低下させる事にな
る。そこで、リン酸三ナトリウムの濃度、温度、処理時
間の範囲を決め実施段階においてコントロールしなけれ
ばならない。最適条件を決めるには、めっき厚、ボンデ
ィング条件によって違うため、実施にあたっては試験に
より確認する事がベストであるが一般的な範囲として、
濃度１．５〜３．０％、液温５０〜６０℃、処理時間３
０〜６０秒が挙げられる。又、リン酸三ナトリウム溶液
のライフ管理も重要な項目である。なぜなら処理条件と
同様に酸化膜除去能力と、ボンディング性確保に影響を
与えるからである。つまり、使いすぎにより酸化膜除去
能力が低下し、その結果ボンディング性を低下させるか
らである。実施段階においては、ＰＨ（ペーハー）の管
理だけでは処理能力を判断するのは難しく、スズの表面
のエッチング量を測定し判断するのが確実であり、エッ
チング量の範囲を０．０１〜０．０３μｍとするのが良
い。つまり、処理前と処理後のスズめっき厚の差を０．
０１〜０．０３μｍで管理すれば良いわけであり、測定
にあたってはケイ光Ｘ線膜厚計により、１０点以上測定
しその平均値の差で判断するのが正確であり、現在考え
られる最も良い方法である。叉、０．０１〜０．０３μ
ｍに範囲指定した理由は、ボンディング性確保に有る。
つまり、０．０３μｍ以上にするとリード部の純スズが
減少しボンディング性が低下し、逆に０．０１μｍ以下
にすると処理効果の得られない部分が発生しボンディン
グ性が低下することが多い。ＴＡＢ用フレキシブル回路
基板のスズめっき厚は０．５〜０．７μｍが一般的であ
るが、ウィスカー抑制のための加熱により、その半分位
が銅とスズの拡散層になってしまい、純スズ層は０．２
〜０．３μｍ残る。従ってエッチング量の範囲指定０．
０１〜０．０３μｍは純スズの減少を１０％程度に抑
え、ボンディング性に影響の無いようにしている。実際
には２０％減少するとボンディング性の低下が始まるこ
とが確認されている。
件について解説する。リン酸三ナトリウム処理の目的
は、スズの酸化膜除去にあるため、酸化膜が除去され表
面が活性化できれば必要以上にスズをエッチングするこ
とは返って次工程のボンディング性を低下させる事にな
る。そこで、リン酸三ナトリウムの濃度、温度、処理時
間の範囲を決め実施段階においてコントロールしなけれ
ばならない。最適条件を決めるには、めっき厚、ボンデ
ィング条件によって違うため、実施にあたっては試験に
より確認する事がベストであるが一般的な範囲として、
濃度１．５〜３．０％、液温５０〜６０℃、処理時間３
０〜６０秒が挙げられる。又、リン酸三ナトリウム溶液
のライフ管理も重要な項目である。なぜなら処理条件と
同様に酸化膜除去能力と、ボンディング性確保に影響を
与えるからである。つまり、使いすぎにより酸化膜除去
能力が低下し、その結果ボンディング性を低下させるか
らである。実施段階においては、ＰＨ（ペーハー）の管
理だけでは処理能力を判断するのは難しく、スズの表面
のエッチング量を測定し判断するのが確実であり、エッ
チング量の範囲を０．０１〜０．０３μｍとするのが良
い。つまり、処理前と処理後のスズめっき厚の差を０．
０１〜０．０３μｍで管理すれば良いわけであり、測定
にあたってはケイ光Ｘ線膜厚計により、１０点以上測定
しその平均値の差で判断するのが正確であり、現在考え
られる最も良い方法である。叉、０．０１〜０．０３μ
ｍに範囲指定した理由は、ボンディング性確保に有る。
つまり、０．０３μｍ以上にするとリード部の純スズが
減少しボンディング性が低下し、逆に０．０１μｍ以下
にすると処理効果の得られない部分が発生しボンディン
グ性が低下することが多い。ＴＡＢ用フレキシブル回路
基板のスズめっき厚は０．５〜０．７μｍが一般的であ
るが、ウィスカー抑制のための加熱により、その半分位
が銅とスズの拡散層になってしまい、純スズ層は０．２
〜０．３μｍ残る。従ってエッチング量の範囲指定０．
０１〜０．０３μｍは純スズの減少を１０％程度に抑
え、ボンディング性に影響の無いようにしている。実際
には２０％減少するとボンディング性の低下が始まるこ
とが確認されている。
【００１６】
【発明の効果】以上の説明の通り本発明は、ＴＡＢ用フ
レキシブル回路基板を構成しているスズめっき表面から
発生する、ウィスカー（針状結晶）を抑制するために実
施する高温キュア処理工程の後へ酸化膜除去処理工程を
入れることにより、次工程の半導体とのボンディング及
びハンダ付け性を、高温キュア処理前と同程度に維持で
きるという効果を有する。
レキシブル回路基板を構成しているスズめっき表面から
発生する、ウィスカー（針状結晶）を抑制するために実
施する高温キュア処理工程の後へ酸化膜除去処理工程を
入れることにより、次工程の半導体とのボンディング及
びハンダ付け性を、高温キュア処理前と同程度に維持で
きるという効果を有する。
【図１】本発明の前処理工程断面図。
【図２】本発明のスズめっき工程断面図。
【図３】本発明のリン酸三ナトリウム中和処理工程断面
図。
図。
【図４】本発明の高温キュア処理工程断面図。
【図５】本発明のスズ酸化膜除去工程断面図。
【図６】本発明のＴＡＢ用フレキシブル回路基板の完成
断面図。
断面図。
【図７】本発明のＴＡＢ用フレキシブル回路基板の完成
断面図。
断面図。
【図８】従来のＴＡＢ用フレキシブル回路基板の完成平
面図。
面図。
１ ベ−スフィルム ２ オ−バ−ハング部 ３ リ−ド ４ スプロケット穴 ５ 接着剤 ６ 銅箔 ７ スズめっき ８ スズ酸化膜 ９ 薬液槽 １０ 水洗槽 １１ スズめっき槽 １２ 加熱炉 １３ 搬送ローラー １４ テープ
Claims (3)
- 【請求項１】 フレキシブル回路基板を製造する方法で
あって、前記フレキシブル回路基板の各リードにスズめ
っきを施す第一の工程と、前記第一の工程の後に前記ス
ズめっきされた場所を高温キュアする第二の工程と、前
記第二の工程の後に前記スズめっき表面の酸化膜を除去
する第三の工程とを含んでなることを特徴とするフレキ
シブル回路基板の製造方法。 - 【請求項２】 前記第三の工程において、リン酸三ナト
リウム溶液を用いて前記スズめっき表面をソフトエッチ
ングすることを特徴とする請求項１記載のフレキシブル
回路基板の製造方法。 - 【請求項３】 前記ソフトエッチングにおいて、前記ス
ズめっき表面を０．０１〜０．０３μｍ削ることを特徴
とする請求項２記載のフレキシブル回路基板の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8203997A JPH1050774A (ja) | 1996-08-01 | 1996-08-01 | フレキシブル回路基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8203997A JPH1050774A (ja) | 1996-08-01 | 1996-08-01 | フレキシブル回路基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1050774A true JPH1050774A (ja) | 1998-02-20 |
Family
ID=16483073
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8203997A Withdrawn JPH1050774A (ja) | 1996-08-01 | 1996-08-01 | フレキシブル回路基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1050774A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006045665A (ja) * | 2004-07-08 | 2006-02-16 | Fujikura Ltd | フレキシブルプリント配線基板端子部或いはフレキシブルフラットケーブル端子部 |
| JP2008085009A (ja) * | 2006-09-27 | 2008-04-10 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 回路基板および電子機器 |
| JP2008283174A (ja) * | 2007-04-11 | 2008-11-20 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置用テープキャリアの製造方法および半導体装置用テープキャリアの製造装置 |
| JP2009004621A (ja) * | 2007-06-22 | 2009-01-08 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置用テープキャリアの製造方法および半導体装置用テープキャリア |
| US7999187B2 (en) | 2008-03-24 | 2011-08-16 | Fujikura Ltd. | Plated flat conductor and flexible flat cable therewith |
-
1996
- 1996-08-01 JP JP8203997A patent/JPH1050774A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006045665A (ja) * | 2004-07-08 | 2006-02-16 | Fujikura Ltd | フレキシブルプリント配線基板端子部或いはフレキシブルフラットケーブル端子部 |
| US8017876B2 (en) | 2004-07-08 | 2011-09-13 | Fujikura Ltd. | Terminal portion of flexible print circuit board or flexible flat cable |
| JP2008085009A (ja) * | 2006-09-27 | 2008-04-10 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 回路基板および電子機器 |
| JP2008283174A (ja) * | 2007-04-11 | 2008-11-20 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置用テープキャリアの製造方法および半導体装置用テープキャリアの製造装置 |
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| US7999187B2 (en) | 2008-03-24 | 2011-08-16 | Fujikura Ltd. | Plated flat conductor and flexible flat cable therewith |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20031007 |