WO2006004127A1

WO2006004127A1 - インターポーザおよびインターポーザの製造方法

Info

Publication number: WO2006004127A1
Application number: PCT/JP2005/012424
Authority: WO
Inventors: Kenichi Kagawa; Tomohisa Hoshino; Masami Yakabe
Original assignee: Tokyo Electron Limited
Priority date: 2004-07-06
Filing date: 2005-07-05
Publication date: 2006-01-12
Also published as: KR100786166B1; EP1783832A1; US20120085655A1; EP1783832A4; TWI301392B; KR100786156B1; US20080067073A1; TW200614896A; KR20070086502A; KR20060060722A

Abstract

　インターポーザの製造方法においては、基板１０の裏面１２側の貫通孔１３の開口部にシード層１４を形成し、そのシード層１４を基にメッキ用電極層１５を形成し、そこから、基板１０の表面１１側にメッキ層１６を形成して貫通孔１３を埋める。その結果、製造工程が簡単で、かつ貫通孔の内部に巣が生じない、インターポーザの製造方法を提供できる。

Description

明細書

インターポーザおよびインターポーザの製造方法

技術分野 '

[0001] この発明は、インターポーザおよびその製造方法に関し、特に、貫通孔内でピンチオフが生じない、インターポーザおよびその製造方法に関する。

背景技術

[0002] 従来の、基板に導通孔が設けられたインターポーザ力たとえば、特開 2004— 16 5291号公報に記載されて、る。

[0003] 同公報によれば、あるパターンに配置され、導電性部材が充填された複数の貫通孔を有するグリーンシートと、それと同じパターンに配置された径の異なる複数の貫通孔を有するグリーンシートとを積層した、セラミック基板において、導電性部材がー方面側から他方面側に向けて連続的、または、段階的に径が大きくなる、または小さくなるように構成されたセラミック基板を開示して 1/、る。

[0004] 図 9は、シリコン基に導通孔を設けてインターポーザを製造する場合の、従来の問題点を説明するための、シリコン基板の断面図である。図 9を参照して、従来は、シリコン基板 80にまず貫通孔 91を設ける。このとき、貫通孔 91は、まっすぐな円柱状とならずに、図 9に示すように、中央部が凸状に膨らんだ形状になる。

[0005] この貫通孔 91に対して、基板の表面 81と裏面 82において、貫通孔 91の周囲にまずスパッタリングでシード層 83、 84を設け、次いで、シード層 83, 84をシードとして、電界メツキ等を用、て導電層 85, 86を形成する。

[0006] 従来のインターポーザは上記のように構成されていた。特開 2004— 165291号公報によれば、セラミック基板を用いているため、その孔開けに、ドリルや、サンドブラストを用いるため、貫通孔の径を小さくできないという問題があった。また、 2枚のセラミック基板を接合する必要があるため、製造工程が煩雑である、という問題があった。

[0007] また、シリコン基板を用いて貫通孔を形成する場合は、貫通孔の中央部が凸状であり、表面または裏面から内部へ向力うほど、径が広がっているため、シード層を貫通孔の内部に設けようとしても、内部まで十分にシード層を形成できな力た。そのため、シード層からメツキ等により導電層を成長させても、導電層が十分に成長せず、貫通孔 91の内部に、導電層の存在しない、いわゆる「巣」 92が形成され、貫通孔 91が断線したり、加工精度が悪、と、う問題があった。

発明の開示

[0008] この発明は、上記のような課題に鑑みてなされたもので、製造工程が簡単で、かつ貫通孔の内部に巣が生じない、インターポーザおよびその製造方法を提供することを目的とする。

[0009] この発明にかかるインターポーザは、一方面と、一方面に対向する他方面とを有し、一方面から他方面に貫通する貫通孔を有する基板と、基板の一方面側の貫通孔の開口部に設けられたシード層と、シード層を覆って設けられたメツキ用電極層と、メツキ用電極層から、他方面側へ延び、貫通孔を埋めるように形成されたメツキ層とを含む。

[0010] この発明にかかるインターポーザは、貫通孔の一方面側の開口部に設けられたシード層と、シード層を覆って設けられたメツキ用電極層と、メツキ用電極層から、他方面側へ延び、メツキによって貫通孔を埋めるように形成されたメツキ層とを含むため、基板の一方面側のシード層から他方面側に向けて、メツキ層が確実に形成される。

[0011] その結果、製造工程が簡単で、かつ貫通孔の内部に巣が生じない、インターポーザが提供できる。

[0012] 貫通孔は、中央部が膨らんだ形状であってもよい。また、シード層、メツキ用電極層およびメツキ層とは、同一の材質であってもよぐ相互に異なる材質であってもよい。

[0013] この発明の他の局面においては、インターポーザの製造方法は、一方面と、一方面に対向する他方面とを有する基板を準備するステップと、基板に貫通孔を形成するステツプと、一方面側の貫通孔の開口部にシード層を形成するステップと、一方面側のシード層から、他方面側にメツキ層を形成して貫通孔を埋めるステップとを含む。

[0014] ンターポーザの製造方法は、基板の一方面側の貫通孔の開口部にシード層を形成し、そのシード層から、基板の他方面側にメツキ層を形成して貫通孔を埋める。貫通孔の基板の一方面側から他方面側へ確実にメツキによる導電層が形成されるため、貫通孔の内部にピンチオフが生じない。 [0015] その結果、製造工程が簡単で、かつ貫通孔の内部に巣が生じない、インターポーザの製造方法が提供できる。

[0016] 好ましくは、一方面側のシード層から、他方面側にメツキ層を形成して貫通孔を埋めるステップは、一方面側の貫通孔を閉じてメツキ用電極層を形成するステップと、電極層を用いてメツキ層を形成するステップとを含む。

[0017] さらに好ましくは、貫通孔を形成するステップは、中央部が膨らんだ貫通孔を形成するステップを含む。

なお、シード層、メツキ用電極層およびメツキ層とは、同一の材質で形成してもよいし、相互に異なる材質で形成してもよい。

[0018] この発明のさらに他の局面によれば、インターポーザは、一方側の表面から他方側の表面に設けられた貫通孔を有し、貫通孔は、一方側の表面において第 1開口面積を有し、一方側の表面から内部に向けて、順に第 1開口面積より小さい面積を有するとともに、他方側の表面において第 2開口面積を有し、他方側の面から内部に向けて、順に第 2開口面積より小さい面積を有し、貫通孔には、導電層が設けられる。

[0019] 基板の一方面および他方面から内部に向かって順に開口面積が狭くなる貫通孔を有するため、貫通孔を導電層で容易に埋めることができる。

[0020] その結果、製造工程が簡単で、貫通孔の内部に巣が生じない、インターポーザを提供できる。

[0021] 好ましくは、第 1開口面積と第 2開口面積とは異なる。

[0022] 一方面側と他方面側とで開口面積を変えることによって、両面の配線ルールを独立に設定でき、配線幅や引き回し方法の設計自由度を広げることができる。

[0023] さらに好ましくは、貫通孔は、基板の一方側の表面と他方側の表面との間に開口面積が等しい円筒状の孔部を有する。

[0024] この発明のさらに他の局面においては、インターポーザは、一方側の面から他方側の面に設けられた貫通孔を有し、貫通孔は、一方側の面において第 1の開口面積を有し、一方側の面力も他方側の面に向けて、順に第 1の開口面積より小さい面積を有し、貫通孔には、導電層が設けられる。

[0025] この発明のさらに他の局面においては、インターポーザの製造方法は、一方面と、一方面に対向する他方面とを有する基板を準備するステップと、基板の一方面および他方面から内部に向力つて順に開口面積が狭くなるようにエッチングを行なうことにより、貫通孔を形成するステップと、貫通孔に導電層を形成するステップとを含む。

[0026] インターポーザの製造方法は、基板の一方面および他方面から内部に向力つて順に開口面積が狭くなるようにエッチングを行なって貫通孔を形成するため、貫通孔に導電層を形成するときに、その内部に途切れることなく導電層を形成できる。

[0027] その結果、製造工程が簡単で、かつ貫通孔の内部に巣が生じない、インターポーザの製造方法を提供できる。

[0028] 好ましくは、エッチングを行なうステップは、一方面における開口面積と、他方面における開口面積との寸法が異なるようにエッチングを行なう。

[0029] さらに好ましくは、基板の一方面と他方面との間に開口面積が等しい孔を形成するステップをさらに含む。

[0030] この発明のさらに他の局面によれば、インターポーザの製造方法は、一方面と、一方面に対向する他方面とを有する基板を準備するステップと、基板の一方面から他方面に向力つて順に開口面積が狭くなるようにエッチングを行なうことにより、貫通孔を形成するステップと、貫通孔に導電層を形成するステップとを含む。

[0031] なお、エッチングを行なうステップは、ドライエッチングを行なうのが好ましい。また、導電層は、蒸着で形成してもよいし、電界メツキで形成してもよいし、無電解メツキで形成してちょい。

図面の簡単な説明

[0032] [図 1A]第 1実施の形態に力かるインターポーザの製造方法をステップごとに示す図である。

[図 1B]第 1実施の形態に力かるインターポーザの製造方法をステップごとに示す図である。

[図 1C]第 1実施の形態に力かるインターポーザの製造方法をステップごとに示す図である。

[図 1D]第 1実施の形態に力かるインターポーザの製造方法をステップごとに示す図である。 [図 2]第 2の実施の形態に力かるインターポーザの製造方法を示す図である。

[図 3A]この発明の第 3の実施の形態が適用される貫通孔の形状を示す図である。

[図 3B]この発明の第 3の実施の形態が適用される貫通孔の形状を示す図である。

[図 4A]第 4実施の形態に力かるインターポーザの製造方法をステップごとに示す図である。

[図 4B]第 4実施の形態に力かるインターポーザの製造方法をステップごとに示す図である。

[図 4C]第 4実施の形態に力かるインターポーザの製造方法をステップごとに示す図である。

[図 4D]第 4実施の形態に力かるインターポーザの製造方法をステップごとに示す図である。

[図 5]第 5実施の形態に力かるインターポーザの貫通孔の断面図である。

[図 6]第 6実施の形態に力かるインターポーザの貫通孔の断面図である。

[図 7]図 6で示した断面構造を有する基板の斜視図である。

[図 8A]第 7実施の形態に力かるインターポーザの貫通孔の断面図である。

[図 8B]第 7実施の形態に力かるインターポーザの貫通孔の製造ステップを示す図である。

[図 9]従来のインターポーザの問題点を示す図である。

発明を実施するための最良の形態

(1)第 1実施の形態

以下、図面を参照して、この発明の一実施形態を図面を参照して説明する。図 1A 〜図 1Dは、この発明の第 1実施の形態に係るインターポーザの製造工程をステップごとに示す図である。図 1A〜図 1Dを参照して、まず、表面 11および裏面 12を有するシリコンの基板 10を準備し、それに貫通孔 13を設ける（図 1A)。このとき、貫通孔 1 3は、図に示すように、従来と同様に、中央部が凸状に膨らんで形成されてもよい。この状態で、まず、貫通孔 13の内部を含んで、基板 10に、図示のない、絶縁膜が形成される。この絶縁膜は、 SiO、 SiN等の絶縁膜であってもよぐスパッタリング、 CVD

2

または酸ィ匕によって形成される。 [0034] 次いで、基板 10の裏面 12側の絶縁膜が形成された貫通孔 13の周囲に、まずバリァ層として Tiをスパッタリング等で形成する（図示無し)。そして、このバリア層の上に、スパッタリング等で Cuのシード層（メツキのための電流を流す電極の基となる層） 14 を形成する（図 1B)。次いで、この Cuのシード層 14を基に、裏面 12側から電界メツキを行なう。このメツキは、メツキの端面が接合して貫通孔 13の裏面 12側が閉じるまで行い、 Cuのメツキ層 15からなるメツキ用電極層を形成する（図 1C)。

[0035] 次に、この Cuのメツキ用電極層 15を電極として、表面 11側へ Cuの電界メツキを行なう。すると、図 1Dにおいて矢印で示す方向に Cuのメツキが成長し、メツキ層 16が得られる（図 1D)。

[0036] このように、この実施の形態によれば、貫通孔 13の内部に凸状の孔が形成されていても、内部に巣が生じることなぐ貫通孔 13を Cuの導電層とすることができる。

[0037] なお、上記実施の形態においては、 Tiをバリア層として用いた力これは省略してもよい。

[0038] (2)第 2実施の形態

次に、第 2実施の形態について説明する。図 2は、この実施の形態における図 1D に対応する図であり、基本的に同じ構造である。図 2を参照して、第 2実施の形態においては、シリコン基板 20に貫通孔 23が設けられ、その貫通孔 23がシード層 24、メツキ用電極層 25およびメツキ層 26で埋められて、る。

[0039] 第 1実施の形態においては、シリコン基板に Cuのシード層およびメツキ層を設けた 1S この実施の形態においては、シード層 24と、メツキ用電極層 25およびメツキ層 26 は Cuに限らず、 Ni、 Cr、 Au、 Ag等の電界メツキを行えるものであれば、任意の材料が選ばれる。また、シード層 24、メツキ用電極層 25およびメツキ層 26の材質を相互に変えてもよい。たとえば、シード層を Cuとし、それをメツキ用電極層として、 Auのメツキを行ってもよい。

[0040] (3)第 3実施の形態

次に、この発明の第 3実施の形態について説明する。図 3は、この実施の形態が適用される貫通孔の形状を示す図である。第 1および第 2の実施の形態においては、中央部が凸状に膨らんだ貫通孔にこの発明を適用したが、この発明は、基板 30に、円柱状の貫通孔 31 (図 3A)や、表面から裏面に向けて順に孔の径が小さくなる貫通孔 32にも適用可能である。

[0041] 上記実施の形態においては、基板としてシリコン基板を用いた例について説明した力これに限らず、ガラス基板ゃサフアイャ基板のような絶縁基板を用いてもよい。この場合は、上記した絶縁膜の形成は不要になる。

[0042] 上記実施の形態においては、貫通孔への導電性材料の埋め込みを電界メツキを用レ、て行なう場合について説明した力 ^s、これに限らず、無電解メツキで埋め込んでもよい。

[0043] (4)第 4実施の形態

次に、この発明の第 4実施形態を説明する。図 4A〜図 4Dは、この発明の第 4実施の形態に係るインターポーザの製造工程をステップごとに示す図である。図 4A〜図 4Dを参照して、この実施の形態においては、まず、表面 41および裏面 45を有するシリコンの基板 40を準備する（図 4A)。次いで、基板 40の表面 41の所定の位置に、表面 41側からドライエッチングを行なって、表面 41から内部に向けて順に径が小さくなる、表面側の孔 42を形成する。具体的には、等方性エッチングと異方性エッチングとのエッチング条件を適切に組み合わせてエッチングを行なう。

[0044] 次！/、で、基板 40の裏面 45から内部に向けて同様に、径が順に小さくなる、裏面側の孔 46を形成し、両者を基板 40のほぼ中央部でその中心をほぼ一致させる。

[0045] このようにして、基板 40において、表面 41および裏面 45から内部に向けて、順に径が小さくなる貫通孔 49を形成する（図 4B)。

[0046] この状態で、まず、貫通孔 49の内部を含んで、基板 40に、図示のない、絶縁膜が形成される。この絶縁膜は、 SiO、 SiN等の絶縁膜であってもよぐスパッタリング、 C

2

VDまたは酸化によって形成される。

[0047] 次いで、絶縁膜の上であって、貫通孔 49，46の内部おょぴ、貫通孔 49,46に隣接する、表面 41および裏面 45にスパッタリングで、メツキ層のシードとなるシード層 43， 47を形成する（図 4C)。このとき、貫通孔 49,46は、従来のように、内部に向かって広くなつていないため、シード層 43,47は、容易に貫通孔 49,46の内部およびそれに連続する表面 41および裏面 45の開口部の周辺に形成される。訂正された用紙（規則 91) [0048] 次に、このシード層 43, 47を基に貫通孔 49に対して、電界または、無電解メツキを行ない、 Cu等の導電層 44を形成する（図 4D)。その結果、貫通孔 49の内部に巣の生じない導電層を有するインターポーザを簡単な製造工程で形成できる。

[0049] 上記実施の形態においては、貫通孔 49がーつの場合について説明した力複数の貫通孔 49が設けられる場合も同様である。

[0050] なお、同様の、内部に傾斜を有する貫通孔を、ウエットエッチングで形成することも考えられる。し力しながら、ウエットエッチングであれば、貫通孔の傾斜が広がりすぎて、所望の形状が得られないという問題が生じうる。これに対して、ドライエッチングであれば、貫通孔の傾斜の制御が容易であるため、所望の傾斜を得ることができる。

[0051] (5)第 5実施の形態

次に、この発明の第 5実施の形態について説明する。図 5は、この発明の第 5実施の形態を示す、基板の断面図であり、第 4実施の形態の図 4Bに対応する図である。第 4実施の形態においては、シリコン基板 20の両側から、エッチングを行なう場合について説明した。この実施の形態においては、シリコン基板 20の表面側からのみェツチングを行なうことにより、図 5に示すように、基板 50の表面または裏面の一方面側からのみ、内部に向かって、径が順に小さくなる貫通孔 51を形する。そして、貫通孔 51の内部に、図 4A〜図 4Dと同様の方法で、導電性の材料を満たして、貫通孔 51 を導電性の貫通孔にする。

[0052] この場合も、第 4実施の形態と同様にシード層やそれに基づく導電層が容易に形成でき、第 4実施の形態と同様の効果を奏する。

[0053] (6)第 6実施の形態

次に、この発明のさらに他の実施の形態について説明する。図 6は、この発明の第 6実施の形態に力かるインターポーザを示す、基板 60の断面図であり、第 4実施の形態における、図 4Bに対応する。

[0054] この実施の形態においては、第 4実施の形態と同様に、基板 60の表面 61側と、裏面 62側とからそれぞれ、内部に向かって径の小さくなる孔 63、 64を形成する力それらの表面 61および裏面 62における径が異なる。

[0055] すなわち、図 6を参照して、基板 60は、厚さ tを有し、表面 61側の径は aであり、裏面 62側の径は bであり、 aく bであるとともに、表面 61側の孔 63は、内部方向に厚さ t 1の深さを有し、裏面 62側の孔 64は、内部方向に厚さ t2の深さを有する。その結果、基板 60の内部に段部 68が形成される。なお、第 4実施の形態と同様に、表面 61と裏面 62とから、それぞれ異なる径で内部にエッチングを行ない、両者が任意の位置で貫通孔 69を形成し、それによつて、図において、点線で示すように、段部 68を設けない構造としてもよい。このように加工後、貫通孔 69の内部を導電層で満たす。

[0056] 図 7は、図 6で示した断面構造を有する基板 60の斜視図である。図 7を参照して、この実施の形態においては、表面 61側と裏面 62側とで、上記のように貫通孔 69の径が定められるため、表面 61側には裏面 62側に比べて多くの配線領域 67が存在する。そのため、表面 61側と裏面 62側の配線ルールを独立に設定でき、表面 61側においては、配線幅や引き回し方法の設計自由度を広げることができる。また、裏面 62では、貫通孔 39の開口部の寸法を大きく設計できるため、メツキ液の回り込みをよくしたり、深堀のアスペクト比を小さくできる等、貫通配線プロセスウィンドウを広げることができる。

[0057] なお、図 7において、配線 65は、孔 63に埋め込まれた導電層の表面に形成されたノッド 63b, 63cに設けられた端子 66b, 66cを介して行われる。

[0058] (7)第 7実施の形態

次に、この発明の第 7実施の形態について説明する。図 8Aは、この実施の形態における基板 70の断面構造を示す図である。図 8Aを参照して、この実施の形態においては、基板 70の表面 71および裏面 75において、貫通孔 76は半球状の開口部 72 , 74を有し、中央部において、円柱状の孔 73が設けられている。

[0059] 貫通孔 76をこのような形状とすることにより、メツキ液の回り込みを改善し、付き回りの改善が期待できる。また、付いたメツキ膜の剥がれの抑制が期待できる。

[0060] 次に、先の実施の形態と同様に、メツキ等によって、貫通孔 76を導電性の材料で埋めて、導通孔を完成する。

[0061] 次に、この実施の形態における貫通孔 76の製造方法について説明する。図 8Bは、図 8Aに示した貫通孔 76を形成するための工程を示す図である。図 8Bを参照して、基板 70の表面 71の上にレジスト 77を載置し、所定の位置に開口部を設けて、等方性エッチングを行なう。それによつて、表面 71側に半球状の開口部 72を形成する。裏面 75側も同様にして半球状の開口部 74を形成する。その後、異方性エッチングを行い、円柱状の孔 73を形成する。

[0062] なお、この実施の形態における、円筒状の孔の形成は、先に示した各実施の形態において採用してもよい。

[0063] 上記実施の形態においては、円形または、円柱状の貫通孔を用いた場合について説明したが、これに限らず、矩形や多角形等であってもよい。

[0064] 上記実施の形態においては、シード層をベースにメツキを用いて導電層を形成する場合について説明したが、これに限らず、シード層だけで形成してもよい。

[0065] 上記実施の形態においては、貫通孔への導電性材料の埋め込みを電界メツキを用いて行なう場合について説明したが、これに限らず、無電解メツキや、真空蒸着で埋め込んでもよい。

[0066] 上記実施の形態においては、貫通孔の形成をドライエッチングを用いて行なう場合について説明した力これに限らず、ウエットエッチングを用いてもよい。

産業上の利用可能性

[0067] この発明に係るインターポーザの製造方法は、通孔の基板の一方面側から他方面側へ確実にメツキによる導電層が形成されるため、貫通孔の内部にピンチオフが生じな、インターポーザの製造方法として有利に利用されうる。

Claims

請求の範囲

[1] 一方面と、前記一方面に対向する他方面とを有し、前記一方面から他方面に貫通する貫通孔を有する基板と、

前記基板の前記一方面側の貫通孔の開口部に設けられたシード層と、前記シード層を覆って設けられたメツキ用電極層と、

前記メツキ用電極層から、前記他方面側へ延び、前記貫通孔を埋めるように形成されたメツキ層とを含む、インターポーザ。

[2] 前記貫通孔は、中央部が膨らんだ形状である、請求項 1に記載のインターポーザ。

[3] 前記シード層、前記メツキ用電極層および前記メツキ層とは、同一の材質である、請求項 1に記載のインターポーザ。

[4] 前記シード層、前記メツキ用電極層および前記メツキ層とは、相互に異なる材質である、請求項 1に記載のインターポーザ。

[5] 一方面と、前記一方面に対向する他方面とを有する基板を準備するステップと、前記基板に貫通孔を形成するステップと、

前記一方面側の貫通孔の開口部にシード層を形成するステップと、

前記一方面側のシード層から、前記他方面側にメツキ層を形成して貫通孔を埋めるステップとを含む、インターポーザの製造方法。

[6] 前記一方面側のシード層から、前記他方面側にメツキ層を形成して貫通孔を埋めるステップは、前記一方面側の貫通孔を閉じてメツキ用電極層を形成するステップと、前記電極層を用いてメツキ層を形成するステップとを含む、請求項 5に記載のインタ一ポーザの製造方法。

[7] 前記貫通孔を形成するステップは、中央部が膨らんだ貫通孔を形成するステップを含む、請求項 5に記載のインターポーザの製造方法。

[8] 前記シード層、前記メツキ用電極層および前記メツキ層とは、同一の材質である、請求項 6に記載のインターポーザの製造方法。

[9] 前記シード層、前記メツキ用電極層および前記メツキ層とは、相互に異なる材質である、請求項 6に記載のインターポーザの製造方法。

[10] 一方側の表面から他方側の表面に設けられた貫通孔を有し、前記貫通孔は、前記一方側の表面において第 1開口面積を有し、前記一方側の表面から内部に向けて、順に前記第 1開口面積より小さい面積を有するとともに、前記他方側の表面において第 2開口面積を有し、前記他方側の面から内部に向けて、順に前記第 2開口面積より小さヽ面積を有し、

前記貫通孔には、導電層が設けられる、インターポーザ。

[11] 前記第 1開口面積と前記第 2開口面積とは異なる、請求項 10に記載のインターポーザ。

[12] 前記貫通孔は、前記基板の一方側の表面と他方側の表面との間に開口面積が等しい円筒状の孔部を有する、請求項 10に記載のインターポーザの製造方法。

[13] 一方側の面から他方側の面に設けられた貫通孔を有し、

前記貫通孔は、前記一方側の面において第 1の開口面積を有し、前記一方側の面力も他方側の面に向けて、順に前記第 1の開口面積より小さい面積を有し、

前記貫通孔には、導電層が設けられる、インターポーザ。

[14] 一方面と、前記一方面に対向する他方面とを有する基板を準備するステップと、前記基板の一方面および他方面から内部に向かって順に開口面積が狭くなるようにエッチングを行なうことにより、貫通孔を形成するステップと、

前記貫通孔に導電層を形成するステップとを含む、インターポーザの製造方法。

[15] 前記エッチングを行なうステップは、前記一方面における開口面積と、前記他方面における開口面積との寸法が異なるようにエッチングを行なう、請求項 14に記載のインターポーザの製造方法。

[16] 前記基板の一方面と他方面との間に開口面積が等しい孔を形成するステップをさらに含む、請求項 14に記載のインターポーザの製造方法。

[17] 一方面と、前記一方面に対向する他方面とを有する基板を準備するステップと、前記基板の一方面力他方面に向力つて順に開口面積が狭くなるようにエッチングを行なうことにより、貫通孔を形成するステップと、

前記貫通孔に導電層を形成するステップとを含む、インターポーザの製造方法

[18] 前記エッチングを行なうステップは、ドライエッチングを行なうステップを含む、請求項 14に記載のインターポーザの製造方法。前記導電層を形成するステップは、蒸着、電界メツキ、または無電解メツキで形成するステップを含む、請求項 14に記載のインターポーザの製造方法。