WO2005085324A1 - 無端管状ポリイミドフイルム - Google Patents

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WO2005085324A1
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aromatic tetracarboxylic
acid
solution
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Naoki Nishiura
Takashi Kuraoka
Naoyuki Maruichi
Tsutomu Yoshida
Junya Kanetake
Toru Murakami
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Gunze Limited
Ube Industries, Ltd.
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Definitions

  • the present invention relates to an improved non-conductive or semi-conductive endless tubular polyimide film, and a method for producing the same.
  • the semiconductive endless tubular polyimide film is used, for example, as an electrophotographic intermediate transfer belt used in a color printer, a color copier, and the like. Background art
  • a non-conductive tubular polyimide film is generally processed into a belt shape, and is used, for example, as a belt for conveying heated articles and as a fixing belt of an electrophotographic system.
  • the semiconductive tubular polyimide film is obtained by mixing and dispersing conductive carbon black in a nonconductive tubular polyimide film.
  • a nonconductive tubular polyimide film For example, an intermediate transfer belt for a copying machine, a printer, a facsimile, and a printing machine is used. It is used as
  • the non-conductive and semi-conductive tubular polyimide films can be produced by forming a predetermined molding material into a flat film, connecting both ends of the film to form a tube, or centrifugal casting.
  • a method of forming an endless tubular film is known. The centrifugal casting performed under substantially no centrifugal force to perform molding is also described in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-263568 by the present applicant.
  • a polyamic acid (or polyamic acid) solution having a high molecular weight (number average molecular weight is usually about 10,000 to 30,000), which is a polymer precursor of polyimide, is generally used.
  • the above polyamic acid solution specifically includes, for example, 1,2,4,5-dibenzenetetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′, 4,4, -biphenyltetracarboxylic dianhydride, An acid anhydride group is formed at a point symmetrical position such as 1,3 ', 4,4' monobenzophenonetetracarboxylic dianhydride and 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride.
  • the process for producing a polyimide film generally employs three steps of once producing a polyamic acid solution as a forming raw material, forming the same into a polyamic acid film, and finally imidizing to obtain a polyimide film.
  • the polyamic acid solution obtained by the above-mentioned molding method has a pot life, there is a drawback that partial gelation easily occurs gradually during storage. The gelation proceeds more easily as the temperature is higher, but it progresses with time even at a low temperature.Even if the amount of gelation is extremely small, it does not adversely affect the physical properties of the final polyimide film, but also deteriorates the flatness. Also invite. Particularly, in the case of the film mixed with the conductive carbon black, the variation of the electric resistance is increased.
  • polyamic acid resin has a drawback that its solubility in organic polar solvents is limited and it cannot be concentrated (up to 25% by weight as the concentration of nonvolatile components in the solution).
  • low-concentration polyamic acid solutions have the drawback that it is difficult to form a thicker film at a time, and that a large amount of solvent is required, and that much time is required for evaporating and removing the solvent. .
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. H10-182828 discloses that an asymmetric aromatic tetracarboxylic acid or an ester thereof is used as a main component (specifically, 2, 3, 3 ′, 4′—biphene). (Polytetracarboxylic acid or an ester thereof of 60 mol% or more) is used.
  • a polyimide precursor composition mainly composed of a monomer is used by mixing approximately equimolar amounts of an aromatic tetracarboxylic acid component and an aromatic diamine component.
  • a molding method is described.
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-182080 discloses that the polyimide precursor composition is applied to a glass plate, cast and heated (stepwise at 80 to 350 ° C.). It is disclosed that a method of forming a polyimide film by raising the temperature, and that silver powder, copper powder, force pump rack, and the like can be mixed and used as a conductive paste.
  • the semiconductive polyimide film obtained by the above-mentioned molding method has an electric resistance when used for an electrophotographic intermediate transfer belt used in a color printer, a color copying machine, etc., which require high precision in recent years. There was room for further improvement in such characteristics. Disclosure of the invention
  • An object of the present invention is to provide a high quality non-conductive or semi-conductive endless (seamless) tubular polyimide film in view of the above-mentioned problems of the prior art. It is an object of the present invention to provide an efficient and economical manufacturing method.
  • the present inventors have conducted intensive studies in order to solve the above-mentioned problems, and as a result, have found that a specific amount of asymmetric aromatic tetracarboxylic acid or its ester and a specific amount of symmetric aromatic tetracarboxylic acid or its ester
  • a mixed solution in a substantially monomer state in which an aromatic tetracarboxylic acid component and an aromatic diamine component are mixed in approximately equimolar amounts, is formed into a tubular material by a rotational molding method, and is heated to form an imide. It has been found that by forming the film, a high-quality endless tubular polyimide film can be produced.
  • the present invention provides the following nonconductive or semiconductive endless tubular polyimide film.
  • Item 1 Two or more kinds of aromatic carboxylic acids comprising a mixture of 15 to 55 mol% of an asymmetric aromatic tetracarboxylic acid component and 85 to 45 mol% of a symmetric aromatic tetracarboxylic acid component It consists of a polyimide formed from a tracarboxylic acid component and an aromatic diamine component, has a yield strength ( ⁇ ⁇ ) of 2 O MPa or more, and has a ratio of rupture strength to yield strength ( ⁇ cr / h ⁇ ). An endless tubular polyimide film having a thickness of 1.1 or more.
  • Two or more aromatic tetracarboxylic acid components comprising a mixture of 15 to 55 mol% of asymmetric aromatic tetracarboxylic acid component and 85 to 45 mol% of symmetric aromatic tetracarboxylic acid component
  • the polyimide formed from an aromatic Jiamin component force one carbon black is dispersed, the surface resistivity of 1 0 3 to 1 0 1 5 semiconductive Ru Ah in ⁇ port endless tubular polyimide film.
  • the standard deviation of the logarithmic converted value of the surface electrical resistivity is within 0.2
  • the standard deviation of the logarithmic converted value of the volume electrical resistivity is within 0.2
  • the logarithmic converted value of the surface electrical resistivity Item 3 The semiconductive endless tubular polyimide film according to Item 2, wherein the difference between the logarithmic converted value of the back surface electrical resistivity is within 0.
  • the present invention has the above features, but more specifically includes the following first to fourth inventions.
  • an aromatic tetracarboxylic acid component composed of a specific amount of an asymmetric aromatic tetracarboxylic acid or an ester thereof and a specific amount of a symmetric aromatic tetracarboxylic acid or an ester thereof, and an aromatic diamine component.
  • first invention also referred to as “first invention”.
  • the first invention provides the following non-conductive or semi-conductive endless tubular polyimide film and a method for producing the same.
  • Aromatic diamine component is mixed in approximately equimolar amount
  • a method for producing an endless tubular polyimide film comprising: forming a mixed solution in a substantially monomeric state into a tubular material by a rotational molding method; Item 5.
  • An aromatic tetracarboxylic acid component comprising 15 to 55 mol% of an asymmetric aromatic tetracarboxylic acid or an ester thereof and 85 to 45 mol% of a symmetric aromatic tetracarboxylic acid or an ester thereof;
  • the aromatic diamine component is mixed in an approximately equimolar amount, 1 to 3 parts per 100 parts by weight of the total amount of the aromatic tetracarboxylic acid component and the aromatic diamine component is added.
  • Item 6 A semiconductive endless tubular polyimide film used for an electrophotographic intermediate transfer belt produced by the production method according to Item 5.
  • the present inventors have conducted intensive studies in order to solve the above-mentioned problems, and as a result, heat-treated the aromatic tetracarboxylic acid component and the aromatic diamine to substantially partially polycondense the aromatic amide and once the aromatic amide.
  • a mixed solution containing an acid oligomer an aromatic amic acid having a number average molecular weight of about 1,000 to 7000
  • conductive black a semiconductive endless tubular polyimide film having a uniform electric resistivity can be obtained.
  • second invention has been completed by further developing based on this finding.
  • the second invention provides the following semiconductive aromatic amic acid composition and a method for producing the same, a semiconductive endless tubular polyimide film using the composition, and a method for producing the same.
  • Item 7 An aromatic amic acid oligomer, carbon black, and an organic polar solvent obtained by performing a polycondensation reaction of substantially equimolar amounts of two or more aromatic tetracarboxylic acid components with an aromatic diamine. A semiconductive aromatic amic acid composition.
  • the aromatic amic acid oligomer may be prepared by mixing substantially equimolar amounts of two or more aromatic tetracarboxylic dianhydrides and aromatic diamines in an organic polar solvent at a temperature of about 80 or less.
  • the two or more aromatic tetracarboxylic dianhydrides are composed of 15 to 55 mol% of asymmetric aromatic tetracarboxylic dianhydride and 85 to 45 mol% of symmetric aromatic tetracarboxylic dianhydride.
  • Item 9 The semiconductive aromatic amic acid composition according to Item 8, which is a mixture of:
  • Item 10 The aromatic amic acid oligomer undergoes a polycondensation reaction in a polar organic solvent at a temperature of about 90 to 120 ° C. in an approximately equimolar amount of two or more aromatic tetracarboxylic diesters and an aromatic diamine.
  • Item 8 The semiconductive aromatic amic acid composition according to Item 7, which is an aromatic acid amic acid obtained by the above method.
  • Item 1 A mixture comprising two or more aromatic tetracarboxylic diesters comprising 15 to 55 mol% of an asymmetric aromatic tetracarboxylic diester and 85 to 45 mol% of a symmetric aromatic tetracarboxylic ester.
  • Item 10 The semiconductive aromatic amic acid composition according to item 10, wherein
  • Item 1 The semiconductive aromatic amic acid composition according to Item 7, wherein the aromatic amic acid oligomer has a number average molecular weight of about 1,000 to 7000.
  • Item 13 The semiconductive aromatic amic acid according to Item 7, wherein the compounding amount of the carbon black is about 3 to 30 parts by weight based on 100 parts by weight of the total amount of the aromatic tetracarboxylic acid component and the organic diamine. Composition. '
  • Item 14 A method for producing a semiconductive endless tubular polyimide film, which comprises subjecting the semiconductive aromatic amic acid composition according to Item 7 to rotary molding and heat treatment.
  • Item 15 A semiconductive endless tubular polyimide film used for an electrophotographic intermediate transfer belt, which is produced by the production method according to Item 14.
  • An aromatic amic acid oligomer solution obtained by partially polycondensing an approximately equimolar amount of two or more aromatic tetracarboxylic acid components with an aromatic diamine in an organic polar solvent to form an aromatic amic acid oligomer solution.
  • a method for producing a semiconductive aromatic amic acid composition which comprises uniformly mixing bonbon black powder.
  • a nylon salt-type monomer solution in which two or more aromatic tetracarboxylic acid diesters and aromatic diamines are dissolved in an approximately equimolar amount in a neutral solvent, a predetermined high amount of a polyimide precursor solution or a high molecular weight polyamideimide It has been found that a mixed solution obtained by mixing the solutions is excellent in dispersion stability of carbon black.
  • a semiconductive polyimide precursor composition obtained by uniformly mixing the above mixed solution and carbon black is subjected to rotational molding, followed by imidation treatment to obtain a semiconductive polyimide having a uniform electric resistivity.
  • the present invention provides the following semiconductive polyimide precursor composition and a method for producing the same, a semiconductive endless tubular polyimide film using the same, and a method for producing the same.
  • a semiconductive polyimide precursor composition obtained by mixing a polyimide solution to prepare a mixed solution and uniformly dispersing carbon black in the mixed solution.
  • Item 18 A mixture comprising two or more aromatic tetracarboxylic diesters of 10 to 55 mol% of asymmetric aromatic tetracarboxylic diester and 90 to 45 mol% of symmetric aromatic tetracarboxylic ester.
  • Item 17 The semiconductive polyimide-based precursor composition according to item 17, wherein
  • the two or more aromatic tetracarboxylic diesters are asymmetric 2,3,3 ', 4'-biphenyltetracarboxylic diester 10-55 mol% and symmetric 3,3', 4,4 Item 17.
  • Item 20 The half of Item 17, wherein the high molecular weight polyimide precursor solution is a polyamic acid solution having a number average molecular weight of 10,000 or more, and the high molecular weight polyamideimide solution is a polyamideimide solution having a number average molecular weight of 10,000 or more.
  • Conductive polyimide precursor composition is a polyamic acid solution having a number average molecular weight of 10,000 or more.
  • Item 21 The polyamic acid solution having a number average molecular weight of 10,000 or more is pifenilteto Item 20.
  • the semiconductive polyimide-based precursor composition according to item 20 which is produced by reacting a substantially equimolar amount of a dicarboxylic dianhydride and diaminodiphenyl ether in an organic polar solvent.
  • Item 2 The polyamideimide solution having a number average molecular weight of 10,000 or more is substantially equimolar to an acid anhydride composed of trimellitic anhydride and benzophenonetetracarboxylic dianhydride and an aromatic isocyanate.
  • the semiconductive polyimide-based precursor composition according to Item 20 which is produced by reacting the amount in an organic polar solvent.
  • Item 2 A semiconductive endless tubular polyimide-based material, wherein the semiconductive polyimide precursor composition according to Item 17 is formed into a tubular material by a rotational molding method, and then heat-treated to imidize the tubular material. Film production method. - Section 2 4. term 2 3 produced by the process according to the surface resistivity is the ⁇ 10 14 Omega B semiconductive endless tubular Poryi bromide system used for the intermediate transfer belt of an electrophotographic system film.
  • a method for producing a semiconductive polyimide-based precursor composition comprising: preparing a mixed solution by mixing the polyamideimide solution of (1) with (2), and uniformly dispersing carbon black in the mixed solution.
  • an aromatic tetracarboxylic acid was added to a carbon black dispersion obtained by uniformly dispersing carbon black in an organic polar solvent.
  • a semiconductive high-concentration polyimide precursor composition having excellent dispersibility of carbon black can be prepared.
  • a semiconductive endless tubular polyimide film having a uniform electric resistivity can be obtained by spin-molding a semi-conductive high-concentration polyimide precursor composition followed by imidization.
  • the present invention was further developed to complete the present invention (hereinafter, also referred to as “fourth invention”).
  • the fourth invention provides the following semiconductive high-concentration polyimide precursor composition and a method for producing the same, a semiconductive endless tubular polyimide film using the same, and a method for producing the same.
  • -Item 26 Dissolving approximately equimolar amounts of aromatic tetracarboxylic acid diester and aromatic diamine in a car pump rack dispersion liquid in which carbon black is uniformly dispersed in an organic polar solvent.
  • the aromatic tetracarboxylic acid diester is a mixture comprising 10 to 55 mol% of asymmetric aromatic tetracarboxylic acid diester and 90 to 45 mol% of symmetric aromatic tetracarboxylic acid diester.
  • the aromatic tetracarboxylic acid diester has an asymmetric 2,3,3 ', 4'-biphenyltetracarboxylic acid diester of 10 to 55 mol% and a symmetrical 3,3', 4,4 ' Item 26.
  • Item 29 The semiconductive high-concentration polyimide precursor according to Item 26, wherein the carbon black is about 5 to 35 parts by weight based on 100 parts by weight of the total amount of the aromatic tetracarboxylic acid diester and the aromatic diamine.
  • a method for producing a body composition is provided.
  • Item 30 A semiconductive high-concentration polyimide precursor composition produced by the production method according to Item 26.
  • Item 31 A semiconductive endless tubular polyimide, wherein the semiconductive high-concentration polyimide precursor composition according to Item 30 is formed into a tubular material by a rotational molding method, and is heated to be imidized. Film production method.
  • Item 32 A semiconductive endless tubular polyimide film used for an electrophotographic intermediate transfer belt, having a surface resistivity of not more than 10 14 ⁇ produced by the production method according to Item 31. Detailed description of the invention
  • CB carbon black
  • the aromatic tetracarboxylic acid component as a molding raw material includes an asymmetric aromatic tetracarboxylic acid component (at least one side of the asymmetric aromatic tetracarboxylic acid or an ester thereof and a symmetric aromatic tetracarboxylic acid component (symmetric A mixture with an aromatic tetracarboxylic acid or at least one of its esters) is used.
  • An asymmetric aromatic tetracarboxylic acid is a compound in which a monocyclic or polycyclic aromatic ring (benzene nucleus, naphthalene nucleus, biphenyl nucleus, anthracene nucleus, etc.) is linked to four non-symmetric positions by four lipoxyl groups. Or a compound in which two monocyclic aromatic rings (benzene nucleus, etc.) are —CO—, —CH 2 —, —S ⁇ 2 —, etc. And a compound bonded to a position other than.
  • asymmetric aromatic tetracarboxylic acids include 1,2,3,4-benzenetetracarboxylic acid, 1,2,6,7-nabenzenetetracarboxylic acid, 2,3,3 ', 4, —Biphenyltetracarboxylic acid, 2,3,3 ', 4,1-Benzophenonetetracarboxylic acid, 2,3,3', 4'Diphenylethertetracarboxylic acid, 2,3,3,4 , —Diphenylmethanetetracarboxylic acid, 2,3,3,4, —diphenylsulfonetetracarboxylic acid and the like.
  • Examples of the asymmetric aromatic tetracarboxylic acid ester used in the present invention include the above-mentioned diesters of the asymmetric aromatic tetracarboxylic acid (81-ester). Compounds in which two of the four carboxyl groups of the carboxylic acid are esterified and one of the two adjacent carboxyl groups on the aromatic ring is esterified.
  • two esters Examples thereof include di-lower alkyl esters, preferably di ( ⁇ _ 3 alkyl esters (particularly, dimethyl ester)) such as dimethyl ester, getyl ester and dipropyl ester.
  • 2,3,3 ', 4,1-biphenyltetracarboxylic dimethyl ester and 2,3,3', 4,1-biphenyltetracarboxylic geronate are preferred.
  • 2,3,3 ', 4'-biphenyltetracarboxylic acid dimethyl ester is preferably used.
  • the asymmetric aromatic tetracarboxylic acid diester is commercially available or can be produced by a known method.
  • ⁇ corresponding to the asymmetric aromatic tetracarboxylic dianhydride 1 the corresponding alcohol easily by a known method such as reacting (lower alcohol, is good Mashiku _ 3 alcohol) 2 (molar ratio) Can be manufactured.
  • the acid anhydride of the raw material reacts with the alcohol to open the ring, thereby producing a diester (half ester) having an ester group and a hydroxyl group on adjacent carbons on the aromatic ring.
  • symmetric aromatic tetracarboxylic acid is a monocyclic or polycyclic aromatic ring (such as a benzene nucleus, a naphthylene nucleus, a biphenyl nucleus, and an anthracene nucleus) in which four carboxyl groups are point-symmetric.
  • a compound in which four carboxyl groups are bonded at point-symmetric positions.
  • symmetric aromatic tetracarboxylic acids include 1, 2, 4, 5-benzenetetracarboxylic acid, 2, 3, 6, 7-naphthylenetetracarboxylic acid, 3, 3 ', 4, 4, and 1-biphenyltetracarboxylic acid, 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic acid, 3,3', 4,4, diphenylethertetracarboxylic acid, 3,3 ', 4,4, And diphenylmethanetetracarboxylic acid, 3,3 ′, 4,4,1-diphenylsulfonetetracarboxylic acid.
  • Examples of the symmetric aromatic tetracarboxylic acid ester used in the present invention include the above-mentioned diesters (half esters) of the symmetric aromatic tetracarboxylic acid. Specifically, the above-mentioned symmetric aromatic tetracarboxylic acid Two of the four lipoxyl groups of the above are esterified and are adjacent to the aromatic ring Compounds in which one of the two carboxylic groups is esterified.
  • Examples of the two esters in the above-mentioned symmetrical aromatic tetracarboxylic diesters include di-grade alkyl esters, preferably ⁇ 3 alkyl esters (particularly, dimethyl esters) such as dimethyl ester, getyl ester, and dipropyl ester.
  • di-grade alkyl esters preferably ⁇ 3 alkyl esters (particularly, dimethyl esters) such as dimethyl ester, getyl ester, and dipropyl ester.
  • 3,3 ', 4,4'-biphenyltetra-dimethyl dimethyl ester, 3,3', 4,4'-biphenyltetra-methyl rupulonic acid, 2,3,5,6-Benzenetetracarboxylic acid dimethyl ester is preferable, and 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarbonic acid dimethyl ester is particularly preferably used.
  • the said symmetric aromatic tetra-carboxylic diester is marketed or can be manufactured by a well-known method.
  • it can be easily produced by reacting the corresponding symmetric aromatic tetracarboxylic dianhydride 1 with the corresponding alcohol (lower alcohol, preferably ⁇ 3 alcohol, etc.) 2 (molar ratio). You.
  • the acid anhydride of the raw material reacts with the alcohol to open the ring, thereby producing a diester having one ester group and one carboxyl group on adjacent carbons on the aromatic ring.
  • the mixing ratio of the asymmetric and symmetric aromatic tetracarboxylic acids or their esters is such that the asymmetric aromatic tetracarboxylic acids or their esters are about 15 to 55 mol% (preferably 20 to 50 mol%),
  • the aromatic aromatic tetracarboxylic acid or its ester is specified at about 85 to 45 mol% (preferably 80 to 50 mol%).
  • the addition of the asymmetric aromatic tetracarboxylic acid or its ester causes the polyamic acid molecule to bend, thereby providing flexibility.
  • the above-mentioned coexistence effect of the symmetric and asymmetric aromatic tetracarboxylic acids or esters thereof is most effectively exerted when both are in the above-mentioned mixing ratio.
  • aromatic diamine component a compound having two amino groups on one aromatic ring (such as a benzene nucleus) or two or more aromatic rings (such as a benzene nucleus) are represented by —O—, —S—, — CO-, one CH 2 -, - S O-, one S 0 2 - compound having a group or two amino groups which are crosslinked with a single bond, and the like.
  • 4,4, diaminodiphenyl ether is particularly preferred.
  • an aprotic organic polar solvent is preferable.
  • N-methyl-1-pyrrolidone hereinafter, referred to as “NMP”
  • N, N-dimethylformamide , N, N-getylformamide, N, N-dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, hexamethylphosphonamide, 1,3-dimethyl-12-imidazolidinone and the like are used.
  • NMP N-methyl-1-pyrrolidone
  • N, N-dimethylformamide , N, N-getylformamide, N, N-dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, hexamethylphosphonamide, 1,3-dimethyl-12-imidazolidinone and the like are used.
  • NMP is preferred.
  • Organic polar solvent The amount of the medium used is about 65 to 300 'parts by weight (preferably about 80 to 230 parts by weight, more preferably about 80 to 230 parts by weight, based on the total weight of the aromatic tetracarboxylic acid component and the aromatic diamine component as the raw materials). Is about 100 to 200 parts by weight).
  • Carbon black (CB) Carbon black
  • CB powder is used for imparting electric resistance characteristics in addition to the above-described components.
  • the reason why Ripbon Black is used is that its dispersibility and stability with the prepared monomer mixed solution (compared to other commonly known conductive materials of metals and metal oxides) Change) and no adverse effect on the polycondensation reaction.
  • This CB powder has various physical properties (electrical resistance, volatile matter, specific surface area, particle size, pH value, etc.) depending on its raw material (natural gas, acetylene gas, coal tar, etc.) and production conditions (combustion conditions). DBPP and oil volume).
  • This conductive CB powder usually has an average particle diameter of about 15 to 65 nm, and particularly when used for an electrophotographic intermediate transfer belt used in a color printer, a color copying machine, etc., has an average particle diameter of 20 to 65 nm. Those having a thickness of about 40 nm are preferred.
  • channel black For example, channel black, oxidized furnace black and the like can be mentioned.
  • Specific examples include Special Black 4 (pH 3, volatile content 14%, particle size 25 nm) and Special Black 5 (pH 3, volatile content 15%, particle size 20 plates) manufactured by Degussa.
  • the amount of the CB powder to be added is about 1 to 35 parts by weight based on 100 parts by weight of the total amount of the aromatic tetracarboxylic acid component and the aromatic diamine component which are the raw materials for forming the mixed solution in a substantially monomer state ( (Preferably about 5 to 25 parts by weight).
  • the CB powder is used in the above range because the volume of the film in the semiconductive region This is for giving the resistivity ( ⁇ ⁇ cm) (VR) and the surface resistivity ( ⁇ mouth) (SR).
  • the lower limit is about 1 part by weight or more because this amount is necessary to obtain sufficient conductivity
  • the upper limit is about 35 parts by weight or less. This is to develop resistance and to maintain the moldability and prevent the physical properties of the film itself from deteriorating.
  • a predetermined amount of an aromatic tetracarboxylic acid component, an aromatic diamine component and a predetermined amount of an organic polar solvent are mixed to prepare a mixed solution in a substantially monomer state for molding (hereinafter, also referred to as “monomer mixed solution”).
  • the difference between the non-conductive tubular PI film and the semi-conductive tubular PI film of the present invention is only the presence or absence of CB powder, and the monomer mixture solution as a forming raw material is prepared under the same conditions.
  • the preparation procedure is not particularly limited.
  • aromatic tetracarboxylic acid component used in the present invention is different from the case where a highly reactive aromatic tetracarboxylic dianhydride is used, at a low temperature (for example, 30 to 40 ° C. or lower) at a low temperature. Is not substantially reacted, which is one of the advantages in preparing a monomer mixed solution.
  • the monomer mixture solution is prepared by mixing and dissolving the above-mentioned aromatic tetracarboxylic acid component and aromatic diamine component in an organic polar solvent in a reaction ratio of substantially equimolar amounts. Since these components are monomers, they can be dissolved in an organic polar solvent immediately and uniformly at a high concentration, and the resulting solution can be kept substantially in a monma state.
  • the present invention uses the mixed solution in the monomer state as a raw material for molding.
  • the substantially equimolar amount means a reaction ratio at which a polycondensation reaction between an aromatic tetracarboxylic acid component and an aromatic diamine component proceeds smoothly to obtain a polyimide having a predetermined high molecular weight.
  • substantially monomeric state means that almost all of the components are in a monomeric state in the mixed solution, but within the range that does not adversely affect the present invention, the molecular weight is as low as that of the oligomer.
  • the polycondensation reaction product may contain a small amount.
  • the amount of the organic polar solvent used is about 65 to 300 parts by weight (preferably about 80 to 230 parts by weight, based on 100 parts by weight of the total amount of the raw material aromatic tetracarboxylic acid component and aromatic diamine component). (Preferably, about 100 to 200 parts by weight).
  • the produced mixed solution in a substantially monomeric state is dissolved in the above-mentioned organic polar solvent.
  • the advantage is that the amount of solvent used can be reduced as much as possible.
  • a predetermined mole% of the symmetric and asymmetric aromatic tetracarboxylic acid component is mixed and dissolved in an organic polar solvent.
  • an aromatic diamine component in an approximately equimolar amount to the aromatic tetracarboxylic acid component is added with stirring, and uniformly dissolved to obtain a monomer mixture solution for molding.
  • a solution composed of the above-mentioned predetermined amount of a symmetric aromatic tetracarboxylic acid component and an approximately equimolar amount of an aromatic diamine component, a predetermined amount of an asymmetric aromatic tetracarboxylic acid component, and an approximately Solutions consisting of equimolar aromatic diamine components are each separately prepared.
  • Each of these solutions is mixed so that the two kinds of aromatic tetracarboxylic acid components become a predetermined mol% to obtain a monomer mixture solution for molding.
  • a predetermined amount of a symmetric and asymmetric aromatic tetracarboxylic acid component and an aromatic diamine component are simultaneously added to an organic polar solvent to prepare a uniform monomer mixture solution.
  • the non-volatile component concentration in the monomer mixture solution of the present invention is a high concentration solution up to about 45% by weight (particularly about 30 to 45% by weight), while the conventional polyamic acid solution is at most 25% by weight. be able to.
  • the “non-volatile concentration” used in this specification means a concentration measured by the method described in Examples.
  • the imidazole-based compound (2-methylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-methyl-14-methylimidazole, 2-methylimidazole, etc.) is contained in the above-mentioned monomer mixed solution as long as the effects of the present invention are not adversely affected.
  • Additives such as —ethyl 4-ethylimidazole, 2-phenylimidazole) and surfactants (fluorine surfactants, etc.) may be added.
  • a semiconductive monomer mixed solution in which carbon black is dispersed is used for the monomer mixed solution.
  • the method of mixing the CB powder with the monomer mixture solution is not particularly limited as long as a known method such as stirring is used. This agitation In the case of stirring, it is preferable to use a pole mill, whereby a mixed semiconductive monomer solution for molding in which CB is uniformly dispersed is obtained.
  • the amount of carbon black used is 1 to 35 parts by weight, preferably 5 to 25 parts by weight based on 100 parts by weight of the total amount of the aromatic tetracarboxylic acid component and the aromatic diamine component.
  • a rotary forming method using a rotary drum is adopted. First, the monomer mixture solution is poured into the inner surface of the rotating drum, and is uniformly cast over the entire inner surface.
  • Injecting and casting methods include, for example, injecting the amount of the monomer mixed solution corresponding to the final film thickness into a stopped rotating drum, and then gradually increasing the rotation speed to the speed at which centrifugal force works. It is evenly cast over the entire inner surface by centrifugal force.
  • casting can be performed without using centrifugal force.
  • a horizontally long slit-shaped nozzle is arranged on the inner surface of a rotating drum, and the nozzle is rotated (at a speed higher than the rotation speed) while the drum is slowly rotated. Then, a monomer mixture solution for molding is sprayed uniformly from the nozzle toward the inner surface of the drum.
  • the drum is mounted on a rotating roller, and is rotated indirectly by the rotation of the roller.
  • a heat source such as a far-infrared heater is disposed around the drum, and indirect heating is performed from the outside.
  • the size of the drum is determined by the desired size of the semiconductive tubular PI film.
  • the inner surface of the drum is gradually heated to reach about 100 to 190 ° C, preferably about 110 to about 130 (first heating stage).
  • the heating rate may be, for example, about l to 2 ° CZmin. Maintain the above temperature for 30 to 120 minutes, and evaporate about half or more of the solvent to form a self-supporting tubular film.
  • the polyimide will develop high crystallization, not only affecting the dispersion state of CB, but also There is a problem that a tough film is not formed. Therefore, as the first heating step, the upper limit temperature is suppressed to at most about 190 ° C., and the polycondensation reaction is terminated at this temperature to obtain a tough tubular PI film.
  • the second heating step is followed by heating to complete the imidization, which is at a temperature of about 280 to 400 ° C (preferably about 300 to 38 (TC). It is better not to reach this temperature all at once from the temperature of one heating stage, but to raise it gradually to reach that temperature.
  • the second heating step may be performed with the endless tubular film adhered to the inner surface of the rotating drum.
  • the endless tubular film is peeled off from the rotating drum, taken out, and separately imidized.
  • the time required for this imidization is usually about 2 to 3 hours. Therefore, the time required for the entire first and second heating steps is usually about 4 to 7 hours.
  • the non-conductive (or semi-conductive) PI film of the present invention is produced.
  • the thickness of this film is not particularly limited, it is generally about 30-200 mm, preferably about 60-120.
  • 75 when used as an electrophotographic intermediate transfer belt, 75
  • the semiconductivity of this film is an electrical resistance characteristic determined by a balance between volume resistivity ( ⁇ cm) (VR) and surface resistivity ( ⁇ / D) (SR).
  • This property is provided by mixing and dispersing CB powder.
  • the range of the resistivity can be freely changed basically by the mixing amount of the CB powder.
  • the range of resistivity in the onset Ming film, VR: 1 0 2 ⁇ 1 0 1 4, SR: 1 0 a 3 to 1 0 1 5, as a preferred range, VR: 1 0 6 to 1 0 1 3, SR: 1 0 7 ⁇ : L 0 1 4 can be exemplified.
  • These ranges of resistivity can be easily attained by adopting the compounding amount of the CB powder described above.
  • the content of CB in the film of the present invention is usually about 5 to 25% by weight, preferably about 8 to 20% by weight.
  • the semiconductive PI film of the present invention has a very uniform electric resistivity. That is, the semiconductive PI film of the present invention has a characteristic that the logarithmic conversion value of the surface resistivity SR and the volume resistivity VR has a small variation, and the semiconducting PI film has a characteristic that all the measurement points in the film are measured. The standard deviation of each logarithmic conversion value is within 0.2, preferably 0.15 or less. In addition, the film has a feature that the difference in surface resistivity (logarithmic value) between the film surface and the back surface is small, and the difference is within 0.4, preferably within 0.2.
  • the value obtained by subtracting the logarithmic conversion value LogVR of the volume resistivity from the logarithmic conversion value LogSR of the surface resistivity can be maintained at a high value of 1.0 to 3.0, preferably 1.5 to 3.0.
  • the semiconductive PI film of the present invention has a wide variety of applications due to its excellent functions such as electric resistance characteristics.
  • an important application requiring charging characteristics is an electrophotographic intermediate transfer belt used in a color printer, a color copying machine, and the like.
  • the non-conductive or semi-conductive PI film of the present invention has excellent performance as a belt, and has high yield strength ( ⁇ ⁇ ) and shear strength (a cr ).
  • the yield strength ( ⁇ ⁇ ) is 120 MPa or more, especially 120 to 16 OMPa, and the ratio of breaking strength to yield strength ( cr / CT Y ) is 1.10 or more, especially about 1.10 to 1.35.
  • the semiconductive endless tubular polyimide film (hereinafter, also referred to as “semiconductive tubular PI film”) of the present invention comprises an aromatic amic acid oligomer, a conductive carpump rack (hereinafter, also referred to as “CB”) and an organic It is produced by subjecting a semiconductive aromatic amic acid composition containing a polar solvent to rotational molding and imidization.
  • CB conductive carpump rack
  • the semiconductive aromatic amic acid composition of the present invention is obtained by subjecting a substantially equimolar amount of two or more aromatic tetracarboxylic acid components and an aromatic diamine to partial polycondensation reaction in an organic polar solvent. It is prepared by preparing a solution of an aromatic amic acid oligomer (aromatic amic acid having a number average molecular weight of about 1,000 to 7000) and uniformly mixing the solution with a conductive carbon black powder.
  • aromatic amic acid oligomer aromatic amic acid having a number average molecular weight of about 1,000 to 7000
  • Aromatic tetracarboxylic acid component (1) Aromatic tetracarboxylic acid component
  • a mixture of at least one asymmetric aromatic tetracarboxylic acid derivative and at least one symmetric aromatic tetracarboxylic acid derivative is used as the two or more aromatic tetracarboxylic acid components that are the molding materials.
  • Asymmetric aromatic tetracarboxylic acid derivative-In the present invention examples of the asymmetric aromatic tetracarboxylic acid derivative include an asymmetric aromatic tetracarboxylic dianhydride or an asymmetric aromatic tetracarboxylic diester (a monoester).
  • the asymmetric aromatic tetracarboxylic acid is defined as a position where four carboxyl groups on a monocyclic or polycyclic aromatic ring (such as a benzene nucleus, a naphthalene nucleus, a biphenyl nucleus, and an anthracene nucleus) are not targeted. Or a compound in which two monocyclic aromatic rings (such as benzene nucleus) are crosslinked by a group such as —CO—, —CH 2 —, —S ⁇ 2 — or a single bond. Compounds in which a carboxyl group is bound to a position that is not symmetrical.
  • asymmetric aromatic tetracarboxylic acids include 1,2,3,4-benzenetetracarboxylic acid, 1,2,6,7-naphthylenetetracarboxylic acid, 2,3,3 ,, 4,1-biphenyltetracarboxylic acid, 2,3,3 ', 4,1-benzophenonetetracarboxylic acid, 2,3,3', 4, -diphenylethertetracarboxylic acid, 2,3,3, , 4, diphenylmethanetetracarboxylic acid, 2,3,3 ', 4,1-diphenylsulfonetetracarboxylic acid and the like.
  • Examples of the asymmetric aromatic tetracarboxylic dianhydride used in the present invention include dianhydrides of the above asymmetric aromatic tetracarboxylic acids, and specifically, the above asymmetric aromatic tetracarboxylic diacids
  • conjugates in which adjacent carboxyl groups on the aromatic ring form two acid anhydrides there may be mentioned conjugates in which adjacent carboxyl groups on the aromatic ring form two acid anhydrides.
  • 2,3,3 ', 4,1-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 1,2,6,7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride and the like are preferable, and particularly 2,3,3', 4, -Biphenyltetracarboxylic dianhydride is preferably used.
  • Examples of the asymmetric aromatic tetracarboxylic diester (one ester) used in the present invention include the above-described diesters (half esters) of the asymmetric aromatic tetracarboxylic acids. Two of the four lipoxyl groups of the aromatic aromatic tetrapropyl acid are esterified, and one of the two adjacent lipoxyl groups on the aromatic ring is esterified. And the like.
  • two esters examples include di-lower alkyl esters, preferably dimethyl ester, dimethyl ester, dipropyl ester and like di (: 3 alkyl ester (particularly, dimethyl ester).
  • 2,3,3,4, -piphenyltetracarboxylic acid dimethyl ester and 2,3,3 ', 4, -biphenyltetracarboxylic acid getyl ester are preferred.
  • 2,3,3 ', 4,1-biphenyltetracarboxylic acid dimethyl ester is preferably used.
  • the asymmetric aromatic tetracarboxylic acid diester is commercially available or can be produced by a known method.
  • the compound can be easily produced by a known method such as -reacting the corresponding asymmetric aromatic tetracarboxylic dianhydride 1 with the corresponding alcohol (lower alcohol, preferably alcohol, etc.) 2 (molar ratio). can do.
  • the acid anhydride of the raw material reacts with the alcohol to open the ring, thereby producing a diester (half ester) having an ester group and a carboxyl group on adjacent carbons on the aromatic ring.
  • examples of the symmetric aromatic tetracarboxylic acid conductor include symmetric aromatic tetracarboxylic dianhydride or symmetric aromatic tetracarboxylic diester (Hafestel).
  • the symmetric aromatic tetracarboxylic acid is a position in which four carboxyl groups are point-symmetrical in a monocyclic or polycyclic aromatic ring (such as a benzene nucleus, a naphthalene nucleus, a biphenyl nucleus, and an anthracene nucleus).
  • a monocyclic or polycyclic aromatic ring such as a benzene nucleus, a naphthalene nucleus, a biphenyl nucleus, and an anthracene nucleus.
  • a compound in which the carbonyl group is bonded to a point-symmetric position.
  • symmetric aromatic tetracarboxylic acid examples include 1,2,4,5-benzenetetracarboxylic acid, 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic acid, 3,3 ', 4,4'-biph Enyltetracarboxylic acid, 3,3 ', 4,4,1-benzophenonetetracarboxylic acid, 3,3', 4,4'-diphenylethertetracarboxylic acid, 3,3 ', 4,4'-diphenyl Enylmethanetetracarboxylic acid, 3,3 ′, 4,4′-diphenylsulfontetracarboxylic acid and the like.
  • Examples of the symmetric aromatic tetracarposic dianhydride used in the present invention include the above symmetric aromatic tetracarboxylic dianhydrides. Specifically, in the above symmetric aromatic tetracarboxylic acid, Compounds that form two anhydrides with adjacent carboxylic groups are included. Of these, 1,2,4,5-benzenebenzenetetracarboxylic dianhydride and 3,3 ', 4,4, -biphenyltetracarboxylic dianhydride are preferred, and 3,3', 4,4,1-biphenyl is particularly preferred. An enyltetracarboxylic dianhydride is preferably used. This is because it works favorably in terms of strength formation of the obtained film.
  • Examples of the symmetric aromatic tetracarboxylic acid diester (monoester) used in the present invention include the above-mentioned asymmetric aromatic tetracarboxylic acid diester (monoester).
  • Examples of the two esters in the symmetric aromatic tetracarboxylic acid diester include di-lower alkyl esters, preferably alkyl esters (particularly, dimethyl esters) such as dimethyl ester, getyl ester, and dipropyl ester.
  • the symmetric aromatic tetracarboxylic acid diester is commercially available or can be produced by a known method.
  • the corresponding alcohol lower alcohol, preferably rather is _ 3 alcohol
  • the acid anhydride of the raw material reacts with the alcohol to open the ring, and a diester having an ester group and a hydroxyl group on adjacent carbons on the aromatic ring, respectively.
  • —Festel is produced.
  • the mixing ratio of the asymmetric and symmetric aromatic tetracarboxylic acid derivatives is such that the asymmetric aromatic tetracarboxylic acid derivative is 10 to 55 mol% (preferably 15 to 55 mol%, more preferably 20 to 50 mol%).
  • aromatic diamine a compound having two amino groups on one aromatic ring (benzene nucleus, etc.) or two or more aromatic rings (benzene nucleus, etc.) are — 0—, — S—, —CO—. , One CH 2 —, —SO—, —S 0 2 — and the like, or a compound having two amino groups cross-linked by a single bond.
  • 4,4′-diaminodiphenyl ether is particularly preferred.
  • an aprotic organic polar solvent is preferable.
  • N-methyl-2-pyrrolidone hereinafter referred to as “NMP”
  • N, N-dimethylformamide, N, N-getylformamide , N, N-dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, hexamethylphosphonamide, 1,3-dimethyl-12-imidazolidinone and the like are used.
  • NMP N-methyl-2-pyrrolidone
  • N, N-dimethylformamide, N, N-getylformamide , N, N-dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, hexamethylphosphonamide, 1,3-dimethyl-12-imidazolidinone and the like are used.
  • NMP is preferred.
  • the amount of the organic polar solvent used is about 100 to 300 parts by weight (preferably about 150 to 250 parts by weight) based on 100 parts by weight of the total amount of the aromatic tetracarboxylic acid component and the aromatic diamine as raw materials. Should be decided.
  • the produced aromatic amic acid oligomer is relatively easy to dissolve in the above-mentioned organic polar solvent, and thus has an advantage that the amount of the solvent used can be reduced as much as possible.
  • an approximately equimolar amount of two or more aromatic tetracarboxylic dianhydrides and an aromatic diamine is polycondensed in an organic polar solvent at a temperature of about 80: about or less.
  • an aromatic amic acid oligomer (number average molecular weight of about 1,000 to 7000) can be produced.
  • the asymmetric aromatic tetracarboxylic dianhydride 15 to 55 mol% (preferably 20 to 50 mol%) and the symmetric aromatic tetracarboxylic dianhydride 85 to 45 mol% preferably Is used for the condensation polymerization reaction.
  • the reason for setting the reaction temperature at about 80 ° C. or less is to suppress the occurrence of an imidization reaction when forming an aromatic amic acid oligomer.
  • a more preferred reaction temperature is 30 to 70 ° C.
  • the reaction temperature exceeds 80 ° C. polyimide is easily formed by an imidization reaction, which is not preferable.
  • the reaction time varies depending on the reaction temperature and the like, but is usually several hours to 72 hours.
  • the molecular weight of the aromatic amic acid oligomer may be adjusted by any known method. For example, after polymerizing an aromatic tetracarboxylic acid component / aromatic diamine with a molar ratio of 0.5 to 0.95 to form an aromatic amic acid oligomer having a predetermined molecular weight, the aromatic Tetracarboxylic acid component Z A method of adding an aromatic tetracarboxylic acid component so that the aromatic diamine becomes substantially equimolar (see Japanese Patent Publication No. 1-222090), and an aromatic tetracarboxylic acid component Z aromatic.
  • the aromatic diamine When the aromatic diamine is reacted in approximately equimolar amounts, it is preferably performed by a method in which a predetermined amount of a compound such as water that suppresses the increase in molecular weight is coexisted (see Japanese Patent Publication No. 2-38020). Can be.
  • a method for preparing the second aromatic amide acid oligomer approximately equimolar amounts of two or more aromatic tetracarboxylic acid diesters and aromatic diamines are polymerized in an organic polar solvent at a temperature of about 90 to 120 ° C. By reacting, an aromatic amic acid oligomer (several average molecular weight of about 1,000 to 7000) can be produced.
  • the asymmetric aromatic tetracarboxylic diester 15 to 55 mol% (preferably 20 to 50 mol%) and the symmetric aromatic tetracarboxylic diester 85 to 45 mol% (preferably 80 to 50 mol%) Mol%) is subjected to a polycondensation reaction.
  • the organic polar solvent those described above are employed, and NMP is particularly preferred.
  • the heating temperature is usually 90 ⁇ !
  • the temperature may be about 20 ° C., but when the reaction temperature is in a high temperature range, it is preferable to shorten the reaction time in order to suppress the amount of imide (imidation ratio) and high molecular weight.
  • the temperature may be gradually raised to a predetermined temperature, reacted at a predetermined temperature for about 1 to 3 hours, and then cooled. For example, the temperature may be raised to about 90 to 120 ° C. over about 1 hour to 4 hours, and the reaction may be carried out at the same temperature for about 30 minutes to 2 hours for cooling.
  • the substantially equimolar amount means a reaction ratio at which an aromatic amic acid having a degree of a predetermined oligomer can be prepared, and an intended semiconductive tubular PI film can be obtained.
  • heating for example, about 40 to 70 ° C.
  • the aromatic oligomeric amic acid solution is prepared by the first and second preparation methods described above, and the number average molecular weight (Mn) is adjusted to about 1000 to 7000 (preferably about 3000 to 7000).
  • Mn number average molecular weight
  • the significance of specifying in this range is that the number average molecular weight of 1000 or less (that is, about monomer or monomer) has no effect on the conductive properties, and the number average molecular weight of 7000 or more does not have the solubility of the oligomer. Is extremely low, so that the solution becomes unusable due to gelation (for example, see Comparative Example B-1).
  • the number average molecular weight can be measured, for example, by the method described in Examples.
  • the aromatic amic acid oligomer prepared according to the present invention having a number average molecular weight (Mn) of about 100 to 700 is usually in a ratio (MwZMn) of 2 or less to the weight average molecular weight (Mw). .
  • the aromatic amic acid oligomer solution produced by this heat treatment is mainly composed of aromatic amic acid oligomers, and even if a part of the solution contains an imidized product or the like that has further progressed in reaction. Good.
  • the rate of imidization (imidization rate) in the aromatic amide acid oligomer is preferably 30% or less, more preferably 25% or less, and particularly preferably 20% or less.
  • the amount of the imide compound produced as a by-product (imidation rate) can be measured, for example, by the method described in Examples.
  • the concentration of nonvolatile components in the aromatic amic acid oligomer solution can be adjusted to a high concentration of about 30 to 45% by weight.
  • the reason why the concentration of the non-volatile components can be adjusted to such a high level is that the oligomer is not dissolved in a solvent because it is an oligomer having a high molecular weight. Therefore, a film having a large thickness can be easily produced, and the amount of the solvent used is small, so that the cost is suppressed and the evaporation and removal of the solvent are simplified.
  • the “non-volatile concentration” used in this specification means the concentration measured by the method described in Example B-1.
  • CB powder is used for imparting electrical resistance properties is that it is compared with other commonly known conductive materials such as metals and metal oxides.
  • This CB powder has various physical properties (electric resistance, volatile matter, specific surface area, particle size, pH value, etc.) depending on the raw material (natural gas, acetylene gas, coal tar, etc.) and the production conditions (combustion conditions). (DBP oil absorption etc.). It is preferable to select a material that has a small amount of mixing and dispersing as much as possible, and has a desired electric resistance without barracks and can be stably obtained.
  • This conductive CB powder usually has an average particle diameter of about 15 to 65 nm, and particularly when used for an electrophotographic intermediate transfer belt used in color printers, color copiers, etc. Those having a thickness of about 40 nm are preferred.
  • channel black channel black, oxidized furnace black and the like can be mentioned.
  • Specific examples include Special Black 4 (pH 3, volatile content 14%, particle size 25 nm) and Special Black 5 (pH 3, volatile content 15%, particle diameter 20 nm) manufactured by Degussa.
  • the method for mixing the CB powder with the aromatic amic acid oligomer solution is not particularly limited as long as the CB powder is uniformly mixed and dispersed in the aromatic amic acid oligomer solution.
  • a pole mill, a sand mill, an ultrasonic mill and the like are used.
  • the amount of the CB powder added is about 3 to 30 parts by weight (preferably 10 to 30 parts by weight) based on 100 parts by weight of the total amount of the aromatic tetracarboxylic acid component and the organic diamine, which are the raw materials of the aromatic amic acid oligomer. (About 25 parts by weight).
  • the reason why the CB powder is used in the above range is to give the film a volume resistivity (VR) and a surface resistivity (SR) in the semiconductive region.
  • the lower limit is about 3 parts by weight or more because this amount is necessary to obtain sufficient conductivity
  • the upper limit of about 30 parts by weight or less is a lower resistance. This is to prevent the deterioration of the physical properties of the film itself while maintaining the formability.
  • the nonvolatile content of the semiconductive aromatic amic acid composition is about 30 to 45% by weight, and the concentration of CB powder in the nonvolatile content is about 3 to 25% by weight (preferably about 10 to 20% by weight).
  • the concentration of nonvolatile components derived from the aromatic amide acid oligomer is about 75 to 97% by weight (preferably about 80 to 90% by weight).
  • imidazole-based compounds (2-methylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-methyl-1-methylimidazole, 2-ethylimidazole) are contained in the above composition within a range that does not adversely affect the effects of the present invention.
  • Additives such as tilimidazole, 2-phenylimidazole) and surfactants (fluorinated surfactants and the like) may be added.
  • a rotary forming method using a rotary drum is adopted.
  • a semiconductive aromatic amic acid composition is injected into the inner surface of a rotating drum, and is uniformly cast over the entire inner surface.
  • the method of casting and casting is, for example, a stationary rotation; after injecting the drum with a semiconductive aromatic amic acid composition in an amount corresponding to the final film thickness, up to the speed at which centrifugal force acts.
  • the rotation speed is gradually increased, and the mixture is uniformly cast over the entire inner surface by centrifugal force.
  • casting and casting can be done without using centrifugal force.
  • a horizontally elongated slit-shaped nozzle is arranged on the inner surface of a rotating drum, and the nozzle is rotated (at a speed higher than the rotation speed) while the drum is slowly rotated. Then, a semiconductive aromatic amic acid composition for molding is sprayed uniformly from the nozzle toward the inner surface of the drum.
  • the inner surface of the rotating drum is mirror-finished, and pallets are provided around both edges to prevent liquid leakage.
  • the drum is mounted on a rotating roller, and is indirectly rotated by the rotation of the roller.
  • a heat source such as a far-infrared heater is disposed around the drum, and indirect heating is performed from the outside.
  • the size of the drum is determined by the size of the desired semiconductive tubular PI film. Heating gradually raises the temperature of the drum inner surface, firstly about ioo ⁇ r9o ° c, preferably iio ° c
  • the heating rate may be, for example, about l to 2 ° C / min. Maintain the above temperature for 1 to 2 hours, and evaporate about half or more of the solvent to form a self-supporting tubular film.
  • the polyimide In order to perform imidization, it is necessary to reach a temperature of 280 ° C or higher, but if heated at such a high temperature from the beginning, the polyimide will develop high crystallization, not only affecting the dispersion state of CB, but also There is a problem that a strong film is not formed. Therefore, in the first heating step, the upper limit temperature is kept at most to about 190 ° C, and the polycondensation reaction is terminated at this temperature to obtain a tough tubular PI film.
  • heating is performed as a second step heating to complete the imidization, and the temperature is about 280 to 400 ° C (preferably about 300 to 380). In this case as well, it is better not to reach this temperature all at once from the first stage heating temperature, but to raise it gradually to reach that temperature.
  • the second-stage heating may be performed with the endless tubular film adhered to the inner surface of the rotating drum.
  • the endless tubular film is peeled from the rotating drum, taken out, and separately imidized.
  • the time required for the imidization is usually about 2 to 3 hours. Therefore, the time required for all steps of the first and second heating stages is usually about 4 to 7 hours.
  • the semiconductive endless tubular PI film of the present invention is manufactured.
  • the thickness of the film is not particularly limited, but is usually about 50 to 150 mm, preferably about 60 to 120 m. In particular, when used as an electrophotographic intermediate transfer belt, it is preferably about 75 to 100 m.
  • the semiconductivity of this film is determined by the balance between volume resistivity ( ⁇ ⁇ cm) (hereinafter referred to as “VR”) and surface resistivity ( ⁇ / D) (hereinafter referred to as “SR”). It is an electric resistance characteristic, and this characteristic is provided by mixing and dispersing CB powder. Basically, the range of the resistivity can be freely changed by the mixing amount of the CB powder.
  • the range of resistivity in the film of the present invention VR: 10 2 ⁇ 10 14, SR: 10 3 to 10 15, a preferable range, VR: 10 6 ⁇ 10 13, SR: 1 0 7 ⁇ 10 14 can be exemplified.
  • the range of these resistivity is determined by the amount of the CB powder described above. Can be easily achieved by employing
  • the content of CB in the film of the present invention is usually about 3 to 25% by weight, preferably about 10 to 20% by weight.
  • the semiconductive PI film of the present invention has a very uniform electric resistivity. That is, the semiconductive PI film of the present invention has a feature that the logarithmic conversion values of the surface resistivity SR and the volume resistivity VR are small, and the logarithmic conversion values at all the measurement points in the film. Is within 0.2, preferably within 0.15. Further, the film has a feature that the difference in surface resistivity (logarithmic value) between the front and back surfaces of the film is small, and the difference is within 0.4, preferably within 0.2.
  • a value obtained by subtracting the logarithmic conversion value LogVR of the volume resistivity from the logarithmic conversion value LogSR of the surface resistivity can be maintained at a high value of 1.0 to 3.0, preferably 1.3 to 3.0. ing.
  • the PI film of the present invention has the above-mentioned excellent electric properties. It is thought that it is because we adopt thing. That is, in the composition, the CB powder is uniformly dispersed in the aromatic amic acid oligomer. It is considered that the PI film had excellent properties.
  • the PI film of the present invention has a wide variety of applications due to its excellent functions such as electric resistance characteristics.
  • important applications requiring charging characteristics include an electrophotographic intermediate transfer belt used in a color printer, a color copier, and the like.
  • the required semiconductive as a belt (resistivity) is, for example, a VR 1 0 9 ⁇ 1 0 1 2 , SR 1 0 1 Q ⁇ 1 0 13, preferably a semi-conductive endless tubular PI film of the present invention Can be used.
  • the semiconductive PI film of the present invention is excellent in performance as a belt, and has high emitter breakdown strength (sigma gamma) and breaking strength (a cr).
  • the yield strength ( ⁇ ⁇ ) is 120 MPa or more, especially 120 to 16 O MPa, and the ratio between the breaking strength and the yield strength (a cr / ⁇ ⁇ ) is 1.10 or more. In particular, it is about 1.10 to 1.35.
  • the semiconductive endless tubular polyimide film of the present invention (hereinafter, referred to as ⁇ semiconductive tubular ⁇ I-based A film is also manufactured by spin-molding a semiconductive polyimide precursor composition (hereinafter, also referred to as a “semiconductive PI precursor composition”) and subjecting it to heat treatment (imidization). You.
  • the semiconductive polyimide-based precursor composition of the present invention is a monomeric monomer having a substantially equimolar amount of two or more aromatic tetracarboxylic diesters and an aromatic diamine dissolved in an organic polar solvent.
  • the solution is mixed with a high molecular weight polyimide precursor solution or a large amount of a polyamide imide solution to prepare a mixed solution, and carbon black (hereinafter also referred to as “CB”) is uniformly dispersed in the mixed solution.
  • CB carbon black
  • a mixture of at least one asymmetric aromatic tetracarboxylic diester and at least one symmetric aromatic tetracarboxylic diester is used as the two or more aromatic tetracarboxylic diesters as the molding raw materials. .
  • the asymmetric aromatic tetracarboxylic acid refers to a monocyclic or polycyclic aromatic ring (such as a benzene nucleus, a naphthalene nucleus, a biphenyl nucleus, an anthracene nucleus) and four carboxyl groups.
  • compound bound to the position not, or two monocyclic aromatic ring (benzene nucleus, etc.) is one CO-, -CH 2 -, one S_ ⁇ 2 - or the like group or a single bond I ⁇ compound cross-linked with the And compounds in which four carboxyl groups are bonded to positions that are not symmetrical.
  • asymmetric aromatic tetracarboxylic acids include 1,2,3,4-benzenetetracarboxylic acid, 1,2,6,7-naphthalenetetracarboxylic acid, 2,3,3,4, —Biphenyltetracarboxylic acid, 2,3,3,4,1-benzophenonetetracarboxylic acid, 2,3,3,4, —diphenylethertetracarboxylic acid, 2,3,3,4 , —Diphenylmethanetetracarboxylic acid, 2,3,3 ′, 4 ′ diphenylsulfontetracarboxylic acid and the like.
  • Examples of the asymmetric aromatic tetracarboxylic diester (half ester) used in the present invention include the above-mentioned diesters of the asymmetric aromatic tetracarboxylic acid.
  • the above-mentioned asymmetric aromatic tetracarboxylic acid The four carbs Compounds in which two carboxyl groups of the xyl group are esterified and one of two adjacent carbonyl groups on the aromatic ring is esterified.
  • Examples of the two esters in the asymmetric aromatic tetracarboxylic diester include di-lower alkyl esters, preferably alkyl esters (particularly, dimethyl esters) such as dimethyl ester, getyl ester, and dipropyl ester.
  • diesters of the above-mentioned asymmetric aromatic tetracarboxylic acids 2,3,3 ', 4'-dimethylbiphenyltetrahydroruponate and 2,3,3', 4,4-biphenyltetrahydroruponic acid getyl ester are exemplified.
  • 2,3,3 ', 4, -biphenyltetracarboxylic acid dimethyl ester is used.
  • the asymmetric aromatic tetracarboxylic diester is commercially available or produced by a known method. For example, it can be easily produced by reacting the corresponding asymmetric aromatic tetracarbonic dianhydride 1 with the corresponding alcohol (lower alcohol, preferably C 3 alcohol or the like) 2 (molar ratio). As a result, the raw acid anhydride reacts with the alcohol to open the ring, thereby producing a diester having an ester group and a carbonyl group on adjacent carbons on the aromatic ring. .
  • the symmetric aromatic tetracarboxylic acid is a position in which four carboxyl groups are point-symmetrical in a monocyclic or polycyclic aromatic ring (such as a benzene nucleus, a naphthalene nucleus, a biphenyl nucleus, and an anthracene nucleus). Or a compound in which two monocyclic aromatic rings (benzene nucleus, etc.) are cross-linked by a group such as —CO—, mono-O—, —CH 2 —, —S ⁇ 2 — or a single bond. And a compound in which two hydroxyl groups are bonded at point-symmetric positions.
  • symmetric aromatic tetracarboxylic acid examples include 1,2,4,5-benzenetetracarboxylic acid, 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic acid, 3,3 ', 4,4'-bifu Enyltetracarboxylic acid, 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic acid, 3,3,4,4'-diphenylethertetracarboxylic acid, 3,3,4,4 4, -diphenylmethanetetracarponic acid, 3,3,4,4,1-diphenylsulfone Tetracarboxylic acid and the like can be mentioned.
  • symmetric aromatic tetracarboxylic acid diester (81-ester) used in the present invention include the above-mentioned symmetric aromatic tetracarboxylic acid diester (half ester). Two of the four lipoxyl groups of the symmetric aromatic tetracarboxylic acid are esterified and one of the two adjacent lipoxyl groups on the aromatic ring is esterified. Compounds.
  • Examples of the two esters in the symmetric aromatic tetracarboxylic acid diester include di-lower alkyl esters, preferably ( ⁇ 3 alkyl esters (particularly, dimethyl esters) such as dimethyl ester, getyl ester, and dipropyl ester). .
  • Esters are preferably used.
  • the said symmetric aromatic tetra-carboxylic diester is marketed or can be manufactured by a well-known method.
  • it can be easily produced by a known method such as reacting a corresponding symmetric aromatic tetracarboxylic dianhydride 1 with a corresponding alcohol (lower alcohol, preferably alcohol, etc.) 2 (molar ratio).
  • a corresponding alcohol lower alcohol, preferably alcohol, etc. 2 (molar ratio).
  • the acid anhydride of the raw material reacts with the alcohol to open the ring, thereby producing a diester having an ester group and a carbonyl group on adjacent carbons on the aromatic ring.
  • the mixing ratio of the asymmetric and symmetric aromatic tetracarboxylic diesters is about 10 to 50 mol% (preferably 20 to 40 mol%) of the asymmetric aromatic tetracarboxylic diesters.
  • the aromatic tetracarboxylic acid diester is specified at about 90 to 50 mol% (preferably 80 to 60 mol%). In particular, about 20 to 30 mol% of asymmetric and tetracarboxylic acid diesters, and symmetrical aromatic tetracarboxylic diesters It is preferable to use about 70 to 80 mol%.
  • the reason why the symmetric and asymmetric aromatic tetracarboxylic acid diesters must be blended is as follows. With only the symmetric aromatic tetracarboxylic acid diester, the polyimide film develops crystallinity, so that the film is powdered during the heat treatment and cannot be formed into a film. On the other hand, only an asymmetric aromatic tetracarboxylic acid derivative can be formed as an endless tubular PI film, but the yield strength and elastic modulus of the obtained film are weak, and when the film is used as a rotating belt, it cannot be driven. In addition to poor response, there are problems such as belt elongation occurring at an early stage. -In contrast, the use of mixed aromatic tetra-carboxylic diesters enables extremely high film-forming properties (formability) and a semi-conductive endless tubular PI film with high yield strength and elastic modulus. can get.
  • aromatic diamine a compound having a 2 ⁇ amino group on one aromatic ring (benzene nucleus or the like) or two or more aromatic rings (benzene nucleus or the like) is represented by —O—, 1S—, 1CO —, —CH 2 —, —SO—, —S ⁇ 2 — and the like, or a compound having two amino groups cross-linked by a single bond.
  • 4,4′-diaminodiphenyl ether is particularly preferred.
  • Nylon salt type monomer solution Approximately equimolar amounts of the two or more aromatic tetracarboxylic diesters and the aromatic diamine are uniformly dissolved in an organic polar solvent to prepare a nylon salt type monomer solution. When both components are uniformly dissolved in an organic polar solvent, heating (for example, about 40 to 70 ° C.) may be performed as necessary.
  • the amphoteric component may be dissolved in an organic polar solvent using a known mixing method such as stirring.
  • an aprotic organic polar solvent is preferred.
  • N-methyl-2-pyrrolidone hereinafter, referred to as “NMP”
  • N, N-dimethylformamide, N, N-getylformamide, N, N-dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, hexamethylphosphonamide, 1, -3-dimethyl-2-imidazolidinone and the like are used.
  • NMP N-methyl-2-pyrrolidone
  • N, N-dimethylformamide, N, N-getylformamide, N, N-dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, hexamethylphosphonamide, 1, -3-dimethyl-2-imidazolidinone and the like are used.
  • NMP N-methyl-2-pyrrolidone
  • the amount of the organic polar solvent used is about 100 to 300 parts by weight (preferably about 120 to 200 parts by weight) based on 100 parts by weight of the total of two or more aromatic tetracarboxylic acid diesters and aromatic diamines as raw materials. ).
  • nylon salt type monomer solution for example, in an organic polar solvent, it is considered that a carboxylate ion of an aromatic tetracarboxylic diester and an ion pair of an ammonium diamine are substantially in a monomer state (for example, see the following formula).
  • a carboxylate ion of an aromatic tetracarboxylic diester and an ion pair of an ammonium diamine are substantially in a monomer state (for example, see the following formula).
  • it since it is in a substantially monomeric state, it is extremely soluble in the above-mentioned organic polar solvent and has the advantage that the amount of solvent used can be reduced as much as possible.
  • Ar is a tetravalent group obtained by removing two carboxylic groups and two ester groups from an aromatic tetracarboxylic acid
  • Ar ′ is a divalent group obtained by removing two amino groups from an aromatic diamine.
  • R represents an alkyl group.
  • High molecular weight polyimide precursor solution or high molecular weight polyamide imide solution A polyamic acid solution having a number average molecular weight of 10,000 or more is used as the high molecular weight polyimide precursor solution, and a number average molecular weight is used as the high molecular weight polyamide imide solution. More than 10,000 polyamideimide solutions are used.
  • the number average molecular weight in the present specification is a value measured by a GPC method (solvent: opaque, converted to polyethylene oxide).
  • the polyamic acid solution having a number average molecular weight of 10,000 or more is produced by a known method using, for example, a biphenyltetrahydrosulfonic acid dianhydride and a diaminodiphenyl ether component as starting materials in an organic polar solvent.
  • an organic polar solvent the organic polar solvent used in the above-mentioned nylon salt type monomer solution can be used.
  • biphenyltetracarboxylic dianhydride examples include 2,3,3 ', 4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride (a-BPDA) and 3,3', 4,4'-biphenyltetracarboxylic acid Examples thereof include dianhydride (s-BPDA), 2,2,3,3'-biphenyltetracarboxylic dianhydride.
  • diaminodiphenyl ether component examples include 4,4, diaminodiphenyl ether, 3,3′-diaminodiphenyl ether, 3,4′-diaminodiphenyl ether, and the like.
  • the amount of the biphenyltetracarboxylic dianhydride and diaminodiphenylether component to be combined may be approximately equimolar.
  • a known method can be adopted for the polycondensation reaction of the two.
  • a biphenyltetracarboxylic acid component is added to a solution containing a diaminodiphenylether component at room temperature (about 15 to 30 ° C.) to effect amidation.
  • a polyamic acid solution The number average molecular weight of the obtained polyamic acid is 10,000 or more, preferably 12,000 to 20,000.
  • a polyamideimide solution having a number average amount of 10,000 or more can be prepared by, for example, condensation polymerization of an acid anhydride composed of trimellitic anhydride and benzophenonetetracarboxylic anhydride with an aromatic isocyanate in an organic polar solvent. It is produced by a known reaction.
  • the organic polar solvent the organic polar solvent used in the above-mentioned nylon salt type monomer solution can be used.
  • trimellitic anhydride may be about 70 to 95 mol% and benzophenonetetracarboxylic anhydride may be about 5 to 30 mol%.
  • aromatic isocyanate include vitriylene diisocyanate, 3,3'-diphenylsulfone diisocyanate, isophorone dicissinate, 1,4-didisocyanate, and 4,4'-dicyclohexylmethane Examples thereof include diisocyanate, m-xylene diisosocyanate, P-xylene diisocyanate, and 1,4-cyclohexylene diisocyanate.
  • the number average molecular weight of the polyamideimide is 10,000 or more, preferably about 15,000 to 20,000. -(5) Mixed solution
  • a mixed solution is prepared by mixing the above-mentioned nylon salt type monomer solution and a high molecular weight polyimide precursor solution or a high molecular weight polyamideimide solution.
  • a known method such as a propeller-type stirrer, a magnetic stirrer, or a pot mill can be employed.
  • the mixing amount (ratio) of the two is based on 100 parts by weight of non-volatile components in the nylon salt type monomer solution, high molecular weight polyimide precursor solution (particularly polyamic acid solution having a number average molecular weight of 10,000 or more) or high Molecular weight polyamideimide solution (number average molecular weight
  • the non-volatile content of the polyamideimide solution of 10,000 or more is preferably about 10 ⁇ 50 parts by weight (preferably about 20 to 30 parts by weight).
  • the term “weight of nonvolatile matter” as used herein means an amount measured by the method described in Example C-11. If the weight of the non-volatile content of the high molecular weight polyimide precursor solution or the high molecular weight polyamide imide solution is less than 10 parts by weight with respect to the weight of the non-volatile content of the Niopen salt type monomer, it is difficult to achieve the effects of the present invention.
  • the conductive CB powder is uniformly dispersed in the mixed solution to prepare a semiconductive PI precursor composition.
  • the reason why CB powder is used for imparting electrical resistance properties is that it can be mixed with the prepared monomer mixture solution (compared to other commonly known conductive materials such as metals and metal oxides). Due to excellent stability (change over time after mixing and dispersion) and no adverse effect on the polycondensation reaction.
  • This CB powder has various physical properties (electric resistance, volatile matter, specific surface area, particle size, pH value, DBP, etc.) depending on the raw material (natural gas, acetylene gas, coal tar, etc.) and the production conditions (combustion conditions). Oil absorption etc.). It is preferable to select a material that has a small amount of mixing and dispersing as much as possible, and has a desired electric resistance without barracks and can be stably obtained.
  • This conductive CB powder usually has an average particle size of about 15 to 65 nm, especially when it is used for electrophotographic intermediate transfer belts used in color printers, photocopiers, etc. Those having an average particle size of about 20 to 40 nm are preferred.
  • High conductivity indicators such as Ketjen Black and acetylene black are liable to secondary aggregation (structure) and are prone to conductive chains, making it difficult to control in the semiconductive region. Therefore, it is effective to use acidic carbon black, which hardly forms a structure.
  • channel black channel black, oxidized furnace black and the like can be mentioned.
  • Specific examples include Special Black 4 (pH 3, volatile content 14%, particle size 25 nm) and Special Black 5 (pH 3, volatile content 15%, particle size 20 mn) manufactured by Degussa.
  • the method of mixing the CB powder is not particularly limited as long as the CB powder is uniformly mixed and dispersed in the mixed solution C.
  • a pole mill, a sand mill, an ultrasonic mill and the like are used.
  • CB powder is as follows: 1) aromatic tetracarboxylic acid component and organic diamine, which are the raw materials of the hydrate salt type monomer; and 2) acid anhydride and diamine, which are the raw materials of the high molecular weight polyimide precursor. About 5 to 40 parts by weight (preferably about 10 to 30 parts by weight) is added to 100 parts by weight of the total of acid anhydride and aromatic isocyanate, which are raw materials of high molecular weight polyamideimide. Is preferred.
  • CB powder is used in the above range because the film has a volume resistivity (VR) and surface resistance in the semiconductive region. This is to provide a drag ratio (SR).
  • VR volume resistivity
  • SR drag ratio
  • the lower limit is 5 parts by weight or more because this amount is necessary to obtain sufficient conductivity, and the upper limit of 40 parts by weight or less expresses lower resistance. At the same time, it is to maintain the formability and prevent the physical properties of the film from being reduced.
  • the concentration of non-volatile components in the semiconductive PI precursor composition is about 20 to 60% by weight, and the concentration of CB powder in the non-volatile components is about 5 to 30% by weight (preferably 9 to 23%). (% By weight)
  • the “non-volatile concentration” used in the present specification means the concentration measured by the method described in Example C-1.
  • imidazole-based compounds (2-methylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-methyl-4-methylimidazole, 2-ethyl-) are contained in the above composition within a range that does not adversely affect the effects of the present invention.
  • Additives such as 4-ethylimidazole, 2-phenylimidazole) and surfactants (fluorinated surfactants, etc.) may be added.
  • a semiconductive PI precursor composition for molding in which the CB powder is uniformly dispersed is produced.
  • the semiconductive PI precursor composition of the present invention by mixing a high-molecular-weight polyimide precursor solution or a high-molecular-weight polyamideimide solution with a nylon salt-type monomer, the storage stability in a state in which the pump rack is uniformly dispersed is obtained. Is significantly improved.
  • the conductive tubular polyimide-based film obtained by spin-molding the semiconductive PI precursor composition using this material has conductivity that has extremely stable and uniform electrical resistivity in the thickness direction. Is done.
  • the presence of a polymer having a relatively high number average molecular weight in the polyimide-based precursor composition causes the physical entanglement and viscosity of this polymer component and carbon black to increase the carbon content. This is probably due to the suppression of black aggregation.
  • the effect of centrifugal force on the carbon black particles in rotational molding is not only reduced by the viscosity of the polymer, but also the effects of temperature convection and evaporation convection on solvent volatilization may be reduced.
  • the semiconductive PI precursor composition is injected into the inner surface of the rotating drum, and is uniformly cast over the entire inner surface.
  • injecting and casting methods include, for example, injecting a semi-conductive PI precursor composition into a stationary rotating drum in an amount corresponding to the final film thickness, and then gradually increasing the centrifugal force. Increase the rotation speed. It is uniformly cast over the entire inner surface by centrifugal force. Or casting and casting can be done without using centrifugal force.
  • a horizontally long slit-shaped nozzle is arranged on the inner surface of a rotating drum, and the nozzle is rotated (at a speed higher than the rotation speed) while rotating the drum slowly. Then, a semiconductive PI precursor composition for molding is sprayed uniformly from the nozzle toward the inner surface of the drum.
  • the rotating drum has a mirror-finished inner surface. At both end edges, a barrier for preventing liquid leakage is provided around the drum, and the drum is mounted on a rotating roller, and is rotated indirectly by the rotation of the roller.
  • a heat source such as a far-infrared ray heater is arranged around the drum, and indirect heating is performed from the outside.
  • the size of the drum is determined by the desired size of the semiconductive tubular PI film.
  • the inner surface of the drum is gradually heated to first reach about 100 to 190 ° C, preferably about 110 to 130 (first heating stage).
  • the heating rate may be, for example, about l to 2 ° CZmin. Maintain at the above temperature for 1 to 3 hours and evaporate about half or more of the solvent to form a self-supporting tubular film.
  • the polyimide will develop high crystallization, not only affecting the dispersion state of CB, but also There is a problem that a tough film is not formed. Therefore, in the first heating step, the upper limit temperature is kept at most to about 190, and the polycondensation reaction is terminated at this temperature to obtain a tough tubular PI film.
  • heating is performed as a second step heating to complete the imidization, and the temperature is about 280 to 400 ° C (preferably about 300 to 380 ° C). In this case as well, it is better not to reach this temperature all at once from the first stage heating temperature, but to raise it gradually to reach that temperature.
  • the endless tubular film is attached to the inner surface of the rotating drum.
  • the endless tubular film may be peeled off from the rotating drum, taken out, separately provided with a heating means for imidization, and heated to 280 to 400.
  • the time required for this imidization is usually about 2 to 3 hours. Therefore, the time required for all the steps of the first and second heating steps is usually about 4 to 7 hours.
  • the conductive endless tubular polyimide film of the present invention is produced.
  • the thickness of this film is not particularly limited, but is usually about 30 to 200 m, preferably about 50 to 120 m. In particular, when used as an electrophotographic intermediate transfer belt, it is preferably about 70 to 100 zm.
  • the semiconductivity of this film is determined by the balance between volume resistivity ( ⁇ ⁇ cm) (hereinafter referred to as “VR”) and surface resistivity ( ⁇ / port) (hereinafter referred to as “SR”). It is an electric resistance characteristic, and this characteristic is provided by mixing and dispersing CB powder. Basically, the range of the resistivity can be freely changed by the mixing amount of the CB powder.
  • the range of resistivity in the film of the present invention VR: 1 0 2 ⁇ 1 0 1 4, SR: a 1 0 3 to 1 0 1 5, as a preferred range, VR: 1 0 6 ⁇ : L 0 1 3, SR: 1 0 7 ⁇ : L 0 1 4 can be exemplified. These ranges of resistivity can be easily attained by adopting the compounding amount of the CB powder described above.
  • the content of CB in the film of the present invention is usually about 5 to 30% by weight, preferably about 9 to 23% by weight.
  • the semiconductive PI film of the present invention has a very uniform electric resistivity. That is, the semiconductive PI film of the present invention has a feature that the logarithmic conversion values of the surface resistivity SR and the volume resistivity VR are small, and the standard deviation of the logarithmic conversion value of all the measurement points in the film is respectively. Is within 0.2, preferably within 0.15. Further, it has a feature that the difference in surface resistivity (logarithmic conversion value) between the film surface and the back surface is small, and the difference is within 0.4, preferably within 0.2.
  • a value obtained by subtracting the logarithmic conversion value LogVR of the volume resistivity from the logarithmic conversion value LogSR of the surface resistivity can be maintained at a high value of 1.0 to 3.0, preferably 1.5 to 3.0. ing.
  • the PI film of the present invention has the above-mentioned excellent electrical properties because CB is physically uniform in the entangled structure of the polymer chains by mixing a high molecular weight polyimide precursor or a high molecular weight polyamideimide solution.
  • CB is physically uniform in the entangled structure of the polymer chains by mixing a high molecular weight polyimide precursor or a high molecular weight polyamideimide solution.
  • a conductive endless tubular polyimide-based film can be obtained in a homogeneous CB dispersion state achieved by the precursor composition solution. It is thought to be from.
  • the PI film of the present invention has a wide variety of applications due to its excellent functions such as electric resistance characteristics.
  • important applications that require charging characteristics include an electrophotographic intermediate transfer belt used in a color printer, a color copier, and the like.
  • Required semiconductive as the belt (resistivity) for example VR10 9 to 10 12, a S Rl 0 1Q ⁇ 10 13, you are possible to have use a semi-conductive endless tubular PI-based film of the present invention preferably .
  • the semiconductive PI film of the present invention is excellent in performance as a belt, and has a high emitter breakdown strength (sigma gamma) and breaking strength ( ⁇ ⁇ .).
  • the yield strength ( ⁇ ⁇ ) is 120 MPa or more, especially 120 to 16 OMPa, and the ratio between the breaking strength and the yield strength (a cr / ⁇ ⁇ ) is 1.10 or more, especially about 1.10 to 1.35. is there.
  • the semiconductive endless tubular polyimide film of the present invention (hereinafter, also referred to as “semiconductive tubular II film”) is a semiconductive, high-concentration polyimide precursor composition (hereinafter, “semiconductive, high-concentration II film”). ), And is subjected to heat treatment (imidization).
  • the semiconducting high-concentration polyimide precursor composition of the present invention comprises an aromatic tetracarboxylic acid diester in a carbon black dispersion obtained by uniformly dispersing carbon black (hereinafter, also referred to as “CB”) in an organic polar solvent. It is produced by dissolving approximately equimolar amounts of and an aromatic diamine. That is, it is characterized in that it is produced by a procedure of adding an equimolar amount of a monomer (equimolar amount of an aromatic tetrapyruponic acid diester and an aromatic diamine) as a molding material to a previously prepared homogeneous dispersion of CB. Have.
  • conductive CB powder is used to impart semiconductivity to the PI precursor composition.
  • the reason that this CB powder is used is (other commonly known Excellent CB mixing dispersibility and dispersion stability (change over time after mixing and dispersion) in the prepared semiconductive high concentration polyimide precursor composition (compared to conductive materials such as metals and metal oxides). Because there is no adverse effect on the polycondensation reaction.
  • This CB powder has various physical properties (electric resistance, volatile matter, specific surface area, particle size, pH value, DBP, etc.) depending on the raw material (natural gas, acetylene gas, coal tar, etc.) and the production conditions (combustion conditions). Oil absorption etc.). It is preferable to select a material that has a small amount of mixing and dispersing as much as possible, and has a desired electric resistance without barracks and can be stably obtained.
  • This conductive CB powder usually has an average particle diameter of about 15 to 65 nm, and particularly when used for an electrophotographic intermediate transfer belt used in color printers, color copiers, etc., has an average particle diameter of 20 to 40 nm. Those having a size of about nm are preferred.
  • High conductivity indicators such as Ketjen Black and acetylene black are liable to cause secondary aggregation (structure 1), tend to form conductive chains, and are difficult to control in the semiconductive region. Therefore, it is effective to use a pump rack which is difficult to form the structure.
  • channel black channel black, oxidized furnace black and the like can be mentioned.
  • Specific examples include Special Black 4 (pH 3, volatile content 14%, particle size 25 nm) and Special Black 5 (pH 3, volatile content 15%, particle size 20 nm) manufactured by Degussa.
  • an aprotic solvent is preferable, for example, N-methyl-2-pyrrolidone (hereinafter, referred to as “NMP”), N, N-dimethylformamide, N-Getylformamide, N, N-dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, hexamethylphosphonamide, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone and the like are used. One or a mixture of two or more of these may be used. In particular, NMP is preferred.
  • the force pump rack dispersion is produced by uniformly dispersing CB powder in the above-mentioned organic polar solvent.
  • the method of mixing the CB powder is not particularly limited as long as the CB powder is uniformly mixed and dispersed in the organic polar solvent.
  • a pole mill, a sand mill, an ultrasonic mill and the like are used.
  • the compounding amount of the CB powder is about 3 to 25 parts by weight, preferably about 5 to 15 parts by weight, based on 100 parts by weight of the organic polar solvent. This amount is within a range that does not increase the viscosity of the organic polar solvent or that CB does not form secondary aggregates by van der Waalska.
  • the upper limit is 25 parts by weight or less in order to secure a sufficient distance between uniformly dispersed CB particles and prevent secondary aggregation by van der Waalska.
  • Examples of the two or more aromatic tetracarboxylic diesters which are molding materials include a mixture of at least one asymmetric aromatic tetracarboxylic diester and at least one symmetric aromatic tetracarboxylic diester. Used.
  • the asymmetric aromatic tetracarboxylic acid refers to a monocyclic or polycyclic aromatic ring (such as a benzene nucleus, a naphthalene nucleus, a biphenyl nucleus, an anthracene nucleus) and four carboxyl groups.
  • asymmetric aromatic tetracarboxylic acids include 1,2,3,4-benzenetetracarboxylic acid, 1,2,6,7-naphthalenetetracarboxylic acid, 2,3,3 ', 4,1 Biphenyltetracarboxylic acid, 2,3,3 ', 4,1-benzophenonetetracarboxylic acid, 2,3,3', 4, -Diphenylethertetracarboxylic acid, 2,3,3 ', 4, -Diph Enylmethanetetracarboxylic acid, 2,3,3 ', 4'-diphenylsulfonetetracarboxylic acid and the like.
  • Examples of the asymmetric aromatic tetracarboxylic diester (half ester) used in the present invention include the above-mentioned diesters of the asymmetric aromatic tetracarboxylic acid.
  • the above-mentioned asymmetric aromatic tetracarboxylic acid Two of the four lipoxyl groups are esterified, and on the aromatic ring Compounds in which one of two adjacent hydroxyl groups is esterified.
  • Examples of the two esters in the asymmetric aromatic tetracarboxylic acid diester include di-lower alkyl esters, preferably alkyl esters such as dimethyl ester, getyl ester, and dipropyl ester (particularly, dimethyl ester).
  • diesters of the asymmetric aromatic tetracarboxylic acids mentioned above 2,3,3 ', 4'-dimethyl diphenyl biphenyltetracaprate and 2,3,3', 4'-ethyl acetyl biphenyltetracarboxylate And particularly preferably 2,3,3 ', 4'-biphenyltetracarboxylic acid dimethyl ester.
  • asymmetric aromatic tetracarboxylic diester is commercially available or produced by a known method.
  • the corresponding asymmetric aromatic tetracarbonic dianhydride 1 with the corresponding alcohol (lower alcohol, preferably C ⁇ 3 alcohol or the like) 2 (molar ratio).
  • the raw acid anhydride reacts with the alcohol to open the ring, thereby producing a diester having an ester group and a carbonyl group on adjacent carbons on the aromatic ring.
  • the symmetric aromatic tetracarboxylic acid is a position in which four carboxyl groups are point-symmetrical in a monocyclic or polycyclic aromatic ring (such as a benzene nucleus, a naphthalene nucleus, a biphenyl nucleus, and an anthracene nucleus). Or four monocyclic aromatic rings (benzene nucleus, etc.) cross-linked by a group such as —CO—, —O—, —CH 2 —, —S0 2 — or a single bond In which the carboxyl group is bonded to a point-symmetric position.
  • a monocyclic or polycyclic aromatic ring such as a benzene nucleus, a naphthalene nucleus, a biphenyl nucleus, and an anthracene nucleus.
  • symmetric aromatic tetracarboxylic acids include 1,2,4,5-benzenetetracarboxylic acid, 2,3,6,7-naphthylenetetracarboxylic acid, 3,3 ', 4,4' —Biphenyltetracarboxylic acid, 3,3 ′, 4,4 ′ —Benzophenonetetracarboxylic acid, 3,3 ′, 4,4 ′ —Diphenylethertetracarboxylic acid, 3,3 ′, 4,4 ′ —Diphenyl methanetetracarboxylic acid, 3,3 ′ 4,4 ′ —diphenylsulfonetetracarboxylic acid and the like.
  • Examples of the symmetric aromatic tetracarboxylic acid diester (diester) used in the present invention include the above-mentioned symmetric aromatic tetracarboxylic acid diesters (half esters). Two of the four carboxyl groups of the aromatic aromatic tetracarboxylic acid are esterified, and one of the two adjacent carboxyl groups on the aromatic ring is esterified. No.
  • Examples of the two esters in the symmetric aromatic tetracarboxylic acid diester include di-lower alkyl esters, preferably C g alkyl esters such as dimethyl ester, getyl ester, and dipropyl ester (particularly, dimethyl ester).
  • Acid dimethyl ester is preferably used.
  • the said symmetric aromatic tetra-carboxylic diester is marketed or can be manufactured by a well-known method.
  • it can be easily produced by a known method such as reacting a corresponding symmetric aromatic tetracarboxylic dianhydride 1 with a corresponding alcohol (lower alcohol, preferably alcohol, etc.) 2 (molar ratio).
  • a corresponding alcohol lower alcohol, preferably alcohol, etc. 2 (molar ratio).
  • the acid anhydride of the raw material reacts with the alcohol to open the ring, thereby producing a diester having one ester group and one carboxyl group on adjacent carbons on the aromatic ring.
  • the mixing ratio of the asymmetric and symmetric aromatic tetracarboxylic diesters is about 10 to 50 mol% (preferably 20 to 40 mol%) of the asymmetric aromatic tetracarboxylic diesters.
  • the aromatic tetracarboxylic acid diester is specified at about 90 to 50 mol% (preferably 80 to 60 mol%). In particular, it is preferable to use about 20 to 30 mol% of an asymmetric and tetracarboxylic diester and about 70 to 80 mol% of a symmetric aromatic tetracarboxylic diester.
  • the reason why the symmetric and asymmetric aromatic tetracarboxylic acid diesters must be blended is as follows.
  • the polyimide film develops crystallinity, so that the film is crushed during the heat treatment and cannot be formed into a film.
  • an asymmetric aromatic tetracarboxylic acid derivative can be formed as an endless tubular PI film, but the yield strength and elastic modulus of the obtained film are weak, and when the film is used as a rotating belt, it cannot be driven. In addition to poor response, there are problems such as belt elongation occurring at an early stage.
  • the use of the mixed aromatic tetracarboxylic diester diester enables extremely high film-forming properties (formability) and obtains a semiconductive endless tubular PI film having high yield strength and elastic modulus.
  • aromatic diamine a compound having two amino groups on one aromatic ring (benzene nucleus, etc.) or two or more aromatic rings (benzene nucleus, etc.) are — 0—, — S—, —CO—. , One CH 2 —, —SO—, —S ⁇ 2 — or the like, or a compound having two amino groups cross-linked by a single bond.
  • p-phenylenediamine 0-phenylenediamine, m-phenylenediamine, 4, 4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenylthioether, 4,4 ' -Diaminodiphenylcarbonyl, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene and the like.
  • 4,4′-diaminodiphenyl ether is particularly preferred.
  • the resulting power "pump rack dispersion liquid" is added to the aromatic tetra-carboxylic acid diester. Approximately equimolar amounts of toluene and aromatic diamine are added and dissolved.
  • the amount of the aromatic tetracarboxylic acid diester and the aromatic diamine is 5 to 35 parts per million of the carbon black dispersion in the carbon black dispersion with respect to 100 parts by weight of the total amount of the aromatic tetracarboxylic acid diester and the aromatic diamine. It may be prepared so as to be about 10 parts by weight (preferably about 8 to 30 parts by weight).
  • the blending amount is in the above range in order to give the film a volume resistivity (VR) and a surface resistivity (SR) in the semiconductive region.
  • the above semiconducting high-concentration polyimide precursor composition is, for example, an organic polar solvent in which an ion pair of a carboxylate ion of an aromatic tetracarboxylic acid diester and an ammonium ion of an aromatic diamine takes a substantially monomer state. It is thought that there is. (See, for example, the formula below).
  • Ar is a tetravalent group obtained by removing two carboxyl groups and two ester groups from aromatic tetracarboxylic acid
  • Ar ′ is a divalent group obtained by removing two amino groups from aromatic diamine.
  • R represents an alkyl group.
  • the concentration of the nonvolatile components in the composition can be set to a high concentration of, for example, about 35 to 60% by weight, preferably about 40 to 60% by weight.
  • the CB concentration in the nonvolatile component can be set to, for example, about 4 to 30% by weight, preferably about 10 to 25% by weight.
  • the “non-volatile concentration” used in the present specification was measured by the method described in Example D-1. Means the given concentration. '
  • an imidazole compound (2-methylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-methyl-4-methylimidazole, 2-ethyl) is contained in the above composition within a range that does not adversely affect the effects of the present invention.
  • Additives such as -4-ethylimidazole, 2-phenylimidazole) and surfactants (fluorinated surfactants and the like) may be added.
  • a carbon black dispersion is prepared by uniformly dispersing CB powder, and an aromatic tetracarboxylic acid diester and an aromatic diamine component are dissolved therein.
  • the CB powder is uniformly dispersed, and the storage stability in a state where the CB powder is uniformly dispersed is remarkably improved.
  • the conductive polyimide tubing obtained by spin-molding the semiconductive PI precursor composition using the same is provided with conductivity having extremely stable and uniform electric resistivity in the thickness direction. .
  • the semiconductive high-concentration PI precursor composition of the present invention dissolves the monomer as a molding material in the carbon black dispersion, so that the non-volatile content can be significantly increased to about 35 to 60% by weight. Therefore, with the semiconductive high-concentration PI precursor composition of the present invention, a film having a large thickness can be easily produced, and the amount of the solvent to be used is small, so that the cost is suppressed and the evaporation and removal of the solvent are simple. become.
  • the semiconducting high-concentration PI precursor composition of the present invention can also have a viscosity as high as about 10 to 60 boise, so that it is less susceptible to the centrifugal force of rotational molding of the PI film.
  • the semiconductive PI precursor composition is injected into the inner surface of the rotating drum, and is uniformly cast over the entire inner surface.
  • the casting method involves, for example, injecting a rotating drum at rest with an amount of semiconductive PI precursor composition corresponding to the final film thickness and then applying the centrifugal force to the rotating drum. Increase the rotation speed gradually until. It is uniformly cast over the entire inner surface by centrifugal force. Or casting and casting can be done without using centrifugal force.
  • a horizontally long slit-shaped nozzle is arranged on the inner surface of a rotating drum, and the nozzle is rotated (at a speed higher than the rotation speed) while rotating the drum slowly.
  • a semiconductive PI precursor composition for molding is uniformly sprayed from the nozzle toward the inner surface of the drum.
  • the drum is mounted on a rotating roller, and is rotated indirectly by the rotation of the roller.
  • a heat source such as a far-infrared ray heater is arranged around the drum, and indirect heating is performed from the outside.
  • the size of the drum is also determined by the size of the desired semiconductive tubular PI film.
  • the inner surface of the drum is gradually heated to first reach about 100 to 190 ° C, preferably about 110 to 130 ° C (first heating stage).
  • the heating rate may be, for example, about l to 2 ° C. min. Maintain at the above temperature for 1 to 3 hours and evaporate about half or more of the solvent to form a self-supporting tubular film.
  • the polyimide will develop high crystallization, not only affecting the dispersion state of CB, but also There is a problem that a tough film is not formed. Therefore, in the first heating step, the upper limit temperature is kept at most to about 190 ° C, and the polycondensation reaction is terminated at this temperature to obtain a tough tubular PI film.
  • heating is performed as a second step heating to complete the imidization, and the temperature is about 280 to 400 ° C (preferably about 300 to 380 ° C). In this case as well, it is better not to reach this temperature all at once from the first stage heating temperature, but to raise it gradually to reach that temperature.
  • the second-stage heating may be performed with the endless tubular film adhered to the inner surface of the rotating drum.After the first heating stage, the endless tubular film is peeled from the rotating drum, taken out, and separately imidized. To 280 to 400 ° C. for heating. The time required for this imidization is usually about 2 to 3 hours. Therefore, the time required for the entire first and second heating steps is usually about 4 to 7 hours.
  • the semiconductive tubular PI film of the present invention is manufactured.
  • the thickness of this film is not particularly limited, but is usually about 30 to 200 m, preferably about 60 to 120 m. In particular, when used as an electrophotographic intermediate transfer belt, it is preferably about 75 to 100 / zm.
  • the semiconductivity of this film is determined by the balance between volume resistivity ( ⁇ ⁇ cm) (hereinafter referred to as “VR”) and surface resistivity ( ⁇ / port) (hereinafter referred to as “SR”). It is an electric resistance characteristic, and this characteristic is provided by mixing and dispersing CB powder. Basically, the range of the resistivity can be freely changed by the mixing amount of the CB powder.
  • the range of the resistivity of the film of the present invention is VR: 10 2 to 10 14 , SR: 10 3 to 10 15 , and the preferable range is VR: ⁇ 10 6 to 10 13 , SR: 10 7 to : L 0 14 can be exemplified. These ranges of resistivity can be easily attained by adopting the compounding amount of the CB powder described above.
  • the content of CB in the film of the present invention is usually about 5 to 25% by weight, preferably about 8 to 20% by weight.
  • the semiconductive tubular PI film of the present invention has a very homogeneous electrical resistivity. That is, the semiconductive tubular PI film of the present invention has a feature that the logarithmic conversion value of the surface resistivity SR and the volume resistivity VR has a small variation, and the standard deviation of the logarithmic conversion value of all measurement points in the film is small. It is within 0.2, preferably 0.15 or less. In addition, the film has a feature that the difference in surface resistivity (logarithmic conversion value) between the film surface and the back surface is small, and the difference is within 0.4, preferably within 0.2.
  • the value obtained by subtracting the logarithmic conversion value LogVR of the volume resistivity from the logarithmic conversion value LogSR of the surface resistivity can be maintained at a high value of 1.0 to 3.0, preferably 1.5 to 3.0.
  • the PI film of the present invention has a wide variety of applications due to its excellent functions such as electric resistance characteristics.
  • important applications requiring charging characteristics include an electrophotographic intermediate transfer belt used in color printers, color copiers and the like.
  • the semiconductive PI film of the present invention is excellent in performance as a belt, and has high emitter breakdown strength (sigma gamma) ⁇ Pi sectional intensity (ratio cr).
  • Yield strength ( ⁇ ⁇ ) is 120 It is not less than MPa, especially 120 to 16 OMPa, and the ratio between the breaking strength and the yield strength ( cr / h ⁇ ) is 1.10 or more, especially about 1.10 to 1.35.
  • yield strength yield stress
  • rupture strength rupture strength
  • volume resistivity VR
  • SR surface resistivity
  • non-volatile content referred to in this example were measured as follows.
  • Width 5 mm film obtained in each example was cut to a length 10 Omm, this The test piece was measured with a uniaxial tensile tester (Autograph manufactured by Shimadzu Corporation) at a tensile span of 4 Omm and a strain rate of 20 Omm / min. Were read and sigma gamma and a cr from recorded S- S curve curves.
  • the yield strength and the rupture strength are important strength factors in the material design of the belt, and at least the yield strength is required to be 12 OMPa. This is because there must be no plastic deformation (dimensional change due to elongation) due to the stress applied during mounting.
  • a sample (monomer mixed solution, etc.) is precisely weighed in a heat-resistant container such as a metal cup, and the weight of the sample at this time is defined as Ag.
  • the heat-resistant container containing the sample is placed in an electric open and heated and dried at 120 ° C for 12 minutes, 180 ° C for 12 minutes, 260 ° C for 30 minutes, and 300 ° C for 30 minutes, and dried to obtain a solid. Minute weight (non-volatile weight) is Bg.
  • Nonvolatile content B / AX100 (%) (I)-Example A-1
  • Rotating Drum A metal drum with an inner diameter of 100 mm and a width of 530 mm with a mirror finish was placed on two rotating rollers, and was arranged to rotate with the rotation of the rollers.
  • Heating temperature A far-infrared heater was arranged on the outer surface of the drum, and the inner surface temperature of the drum was controlled at 170 ° C. -With the rotating drum stopped first, 45.9 g of the same monomer solution was evenly injected into the bottom of the drum. Then, rotation was started immediately and the speed was gradually increased to reach 24 rad / s, and the mixture was uniformly cast over the entire inner surface and heating was started. The heating gradually increased to reach 170 ° C., and heating was performed at that temperature for 90 minutes while maintaining the rotation.
  • Asymmetric monomer solution A Asymmetric monomer «A and raw monomer
  • Solution A Solution B Solution A Solution B part)
  • Example A-1 200 200 50 50 50 0
  • Example A- 1 1 85 132.5 147 1.11 2.8X10 "1.0X10 16
  • Comparative Example A-2 8 85 119.5 120 1 4.2X10 10 5.0X10 12
  • Example A-1 Using the asymmetric monomer solution A and the symmetric monomer solution B in Example A-1, first uniformly mixed in the same manner as in the example, using the quantitative ratios described in A ⁇ 7 shown in Table A-1. After that, 14.0 g of CB powder ( ⁇ 3, particle size of 23 nm) (8.33 parts by weight based on 100 parts by weight of the total amount of all monomers) was added thereto, and The mixture was thoroughly mixed and dispersed by a machine, and finally defoamed. This was used as a semiconductive monomer solution for molding. The nonvolatile content in the semiconductive monomer solution was 36.8% by weight, and the CB concentration in the nonvolatile content was 9.19% by weight.
  • Example A-2 The results are shown in Table A-2.
  • Example A-1 Using the asymmetric monomer solution A of Example A-1 and the symmetric monomer solution B, the amount ratios described in Tables A-1 and ⁇ 8 and 9 were the same as in the above example. After uniform mixing, add 8.33 parts by weight of CB powder to 100 parts by weight of all monomers in the same manner as in Example II-2, and mix thoroughly with a pole mill. Dispersed and finally degassed. This was used as a semiconductive monomer solution for molding. The nonvolatile content in the semiconductive monomer solution was 36.8% by weight, and the CB concentration in the nonvolatile content was 9.19% by weight.
  • Rotating Drum A metal drum with an inner surface of 175 thighs and a width of 540, with a mirror finish on the inside, was placed on two rotating ports and placed so that it could rotate with the rotation of the rollers. Heating temperature A far-infrared heater was arranged on the outer surface of the drum so that the inner surface temperature of the drum was controlled at 120 ° C.
  • the rotating drum was separated without cooling and left in a hot-air residence type oven to start heating for imidization. This heating also reached 320 ° C while gradually increasing the temperature. After heating at this temperature for 30 minutes, the temperature was cooled to room temperature, and the semiconductive tubular PI film formed on the inner surface of the drum was peeled and taken out. The file The thickness of the lm was 90 m.
  • The“ nonvolatile content concentration ”in this specification is a value calculated as follows.
  • the sample (semiconductive oligomer solution, etc.) is refined in a heat-resistant container such as a metal cup, and the weight of the sample at this time is defined as Ag.
  • the heat-resistant container containing the sample is placed in an electric oven, heated and dried at 120 ° C for 12 minutes, 180 ° C for 12 minutes, 260 ° C for 30 minutes, and 300 ° C for 30 minutes, and dried to obtain a solid. Minute weight (non-volatile weight) is Bg.
  • -Non-volatile content B / AX100 () (I)
  • Example B-1 Dimethyl sulfonic acid ester and diaminodiphenyl ether were mixed in the same quantitative ratio as in Example B-1, and the solution dissolved in 60 was cooled as it was. This solution had a volatile matter concentration of 32.9% by weight and was substantially a monomeric solution. This is hereinafter referred to as “Monomer solution A”.
  • CB powder (pH3, particle size 23nm) 31. Og and 60.0 g of NMP were added to this monomer solution AlOOOg, and the mixture was thoroughly mixed and dispersed by a poll mill and finally defoamed. This was used as a semiconductive monomer solution for molding.
  • the concentration of nonvolatile components in the semiconductive monomer solution was 33.0% by weight, and the concentration of CB in the nonvolatile components was 8.61% by weight.
  • Example B-1 109 g was sampled from the solution, and then heat-molded in the same manner as in Example B-1, and the semiconductive tubular H film was peeled and taken out.
  • the thickness of the film is 92 m and the thickness is 7 mm.
  • oligomer mixed solution B This solution had a volatile matter concentration of 32.9% by weight and was an oligomer-like solution having a number average molecular weight of 4000. Hereinafter, this is referred to as “oligomer mixed solution B”.
  • the dimethyl sulfonate and diaminodiphenyl ether were mixed in the same quantitative ratio as in Example B-1 and dissolved in, followed by heating to 130 ° C over lhr, heating at 130 ° C for lhr, and cooling. . However, after cooling, this solution became a turbid gel-like solid and could not be used for molding.
  • the gel did not redissolve upon dilution with the solvent.
  • the imidation ratio of the obtained gel was measured, it was confirmed that the imidization reaction had progressed by about 35%. In other words, it is considered that the solubility was reduced due to the high heating temperature and the imidization reaction proceeded excessively, and the resin component was precipitated.
  • Table B-1 shows the film production conditions of Examples B-1 to B-2, Reference example B-1 and Comparative example B-1 and the measurement results of the electrical resistance of the obtained film.
  • the average and standard deviation of surface resistivity and volume resistivity in Table B-1 are all expressed in logarithmic values.
  • the number average molecular weight was measured by the GPC method (solvent: concealed, converted to polyethylene oxide).
  • the volume resistivity (VR) was measured 10 seconds after applying a voltage of 100 V
  • the surface resistivity (SR) was measured 10 seconds after applying a voltage of 500 V.
  • the film of the example has a very small difference in surface resistivity (logarithmic conversion value) between the film front side and the back side as compared with the reference example and the comparative example, and has characteristics preferable as an intermediate transfer belt for a color copying machine. are doing.
  • a-BPDAJ 2,3,3,3,4,1-biphenyltetracarboxylic dianhydride
  • s -BPDA 3,3,3,4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride
  • non-volatile content concentration in this specification is a value calculated as follows. Refine the sample (nylon salt-type monomer solution, etc.) in a heat-resistant container such as a metal cup, and let the weight of the sample at this time be Ag. The heat-resistant container containing the sample is placed in an electric oven, and heated and dried while heating at 120 ° C for 12 minutes, 180 ° C for 12 minutes, and 26 (TCX for 30 minutes and 300 ° C for 30 minutes, and the solid obtained.
  • Non-volatile content B / AX100 () (I)
  • the polyamic acid solution had a number average molecular weight of 12000, a viscosity of 12 voids, and a nonvolatile content of 18.0% by weight.
  • a polyimide-based precursor solution 180 g was prepared by blending 100 g of the above-mentioned nip salt-type monomer solution and 80 g of a polyamic acid solution. Viscosity 5.2 Boyes, Non-volatile content 28.2 % By weight.
  • This master patch solution had a nonvolatile content of 28.6% by weight, a CB concentration in the nonvolatile content of 15.1% by weight, an average particle size of carbon black of 0.31 m, and a maximum particle size of 0.77 m. After 10 days, the carbon black had an average particle size of 0.31 m and a maximum particle size of 0.88 m, which was almost unchanged.
  • Polyamide imide solution (number average molecular weight: 21,000, solid content: 14% by weight, viscosity: 500 boise) llOg blended with 200 g of this nylon salt-type monomer and polyamide-imide solution 310 g was prepared.
  • the viscosity was 18 boys, and the nonvolatile content was 23.0% by weight.
  • a polyimide precursor solution was prepared by blending 80 g of this solution with 100 g of the nylon salt-type monomer prepared in Example C-2, and 9.5 g of acidic carbon (PH 3.0) and 120 g of an organic solvent (NMP) were added. The mixture was polished and the main dispersion was performed on a pole mill.
  • This solution had a viscosity of 6 Boys, a non-volatile content of 19.8% by weight, a CB concentration in the non-volatile content of 15.5% by weight, and an average particle size of carbon black of 0.26 III and a maximum particle size of 0.87. m. After 10 days, the average particle size of the carbon black was 0.77 m, and the maximum particle size was 5.10 m, confirming the aggregation of carbon black.
  • Example C-4 Production of tubular polyimide film by rotational molding method
  • this tubular material was put into a high-temperature heating furnace while being adhered to the inner surface of the cylindrical mold, heated to 320 ° C in 120 minutes, and heated at 320 ° C for 60 minutes to convert the polyimide. Then, it cooled to normal temperature and took out the tubular polyimide film from the metal mold. The surface condition was visually determined.
  • the surface resistivity (SR) and volume resistivity (VR) were measured using a resistance measurement method manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, which was obtained by cutting the obtained polyimide-based tubular material to a length of 40 mm and using it as Sankare. Using the “Hireless Evening IP ⁇ HR probe”, three points at equal pitches in the width direction and four points in the vertical (circumferential) direction were measured at a total of 12 points, and the average value of the whole was shown. .
  • the volume resistivity (VR) was measured 10 seconds after the application of a voltage of 100 V
  • the surface resistivity (SR) was measured 10 seconds after the application of a voltage of 500 V.
  • Table C-1 The measurement results are summarized in Table C-1.
  • the average and standard deviation of surface resistivity and volume resistivity in Table C-1 are all expressed in logarithmic values.
  • Table C-1 also shows the CB content in the tubular article and the thickness of the tubular article.
  • a-BPDAJ 2,3,3,4,1-biphenyltetracarboxylic dianhydride
  • s -BPDA 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride
  • non-volatile content concentration in this specification is a value calculated as follows.
  • a sample such as a high-concentration polyimide precursor composition dispersed in a pump rack
  • a heat-resistant container such as a metal cup
  • the weight of the sample at this time is defined as Ag.
  • the heat-resistant container containing the sample is placed in an electric oven, and heated and dried while sequentially heating at 120 ° C for 12 minutes, 180 ° C for 12 minutes, 260 ° C for 30 minutes, and 300 ° C for 30 minutes.
  • the weight (non-volatile content weight) of this is Bg.
  • Non-volatile content B / AX100 (%) (I)
  • Example D-2 To 120 g of the organic polar solvent N-methyl-2-pyrrolidone, 10 g of furnace black (pH 9.0, volatile matter 1.5%) was added, and after preliminary dispersion, main dispersion was carried out with a pole mill. Force—The average particle size of the pump rack was 0.67 m and the maximum particle size was 3.92 m. Next, 35 g of a-BPDA, 35 g of S-BPDA, and 22.8 g of methanol were added to 125 g of the solution, and the mixture was reacted at a bath temperature of 70 ° C under a nitrogen flow.
  • examples D-1 and D- were applied to the inner surface of the cylindrical mold.
  • the solution of 2- or Comparative Example D-1 and Reference Example D-1 was uniformly applied with a width of 480 cm.
  • the coating thickness was calculated from the non-volatile component concentration and determined so that the polyimide belt thickness was 100 m.
  • the volatilization of the solvent was increased to 100 ° C in 60 minutes, and then the volatilization of the solvent was visually observed at 100 ° C, and the time required for the completion of the solvent volatilization was measured.
  • the tube was put into a high-temperature heating furnace while being adhered to the inner surface of the cylindrical mold, heated to 320 ° C in 120 minutes, and heated at 320 ° C for 60 minutes to convert the polyimide. Thereafter, the tube was cooled to room temperature and the tubular polyimide film was taken out of the mold.
  • Table D-1 The results are shown in Table D-1.
  • the content of CB in the tubular material and the thickness of the tubular film are also shown in Table D-1.
  • the surface resistivity (SR) was measured using a sample obtained by cutting the obtained tubular polyimide film to a length of 40 mm, using a resistance tester manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, "Hires Yu IP / HR PRO- Using three steps, three points at equal pitches in the width direction and four points in the longitudinal (circumferential) direction were measured at a total of 12 points, and the average value was shown as a whole. The measurement was performed after a lapse of 10 seconds under a voltage of 500 V.
  • the non-volatile content of the molding raw material is low, and a large amount of organic polarity It takes a lot of time to evaporate the solvent, and the production efficiency is very poor. Also, in the method of dispersing CB by adding CB to a monomer solution or the like, the reaction of the monomer solution proceeds due to heat generated during the dispersion, and the state of the solution becomes unstable. The invention's effect
  • the tubular PP film of the present invention can easily, efficiently, and economically produce a high-quality non-conductive or semi-conductive endless (seamless) tubular polyimide film.
  • an endless tubular PI film can be directly obtained by a combination of a monomer material of polyimide having a specific composition and a rotational molding means. Also, compared to the conventional method for producing an endless tubular PI film via polyamic acid, the time can be greatly reduced. In addition, productivity has been improved through a significant rationalization of process control, and a more stable and high-quality tubular PI film has been obtained.
  • the obtained endless tubular PI film can be used for various purposes. Among them, the semiconductive endless tubular film can be further used as an electrophotographic intermediate transfer belt for use in, for example, a color printer, a color copier, and the like. It can be used suitably.
  • the semiconductive tubular PI film of the second invention uses an aromatic amic acid oligomer obtained by polycondensation of a predetermined aromatic tetracarboxylic acid component and an aromatic diamine component as a raw material for molding, so that a uniform electric power is obtained. It has resistivity. That is, the semiconductive tubular PI film of the present invention has a small variation in surface resistivity and volume resistivity, a small difference in surface resistivity (logarithmic value) between the film surface and the back surface, and a logarithmic conversion of surface resistivity. It has an excellent characteristic that the value obtained by subtracting the logarithmic conversion value LogVR of the volume resistivity from the value LogSR can be maintained at a high value (1.0 to 3.0). Therefore, the semiconductive tubular PI film of the present invention can be suitably used, for example, as an intermediate transfer belt for a color copying machine and the like, and can perform charge elimination and charging appropriately, thus providing excellent image quality. Processing becomes possible.
  • the semiconductive tubular PI film of the third invention is a mixture comprising a nylon salt type monomer solution and a high molecular weight polyimide precursor solution or a high molecular weight polyamideimide solution. Since a semiconductive polyimide-based precursor composition obtained by uniformly dispersing carbon black in a solution is used as a raw material for molding, it has a uniform electric resistivity. That is, the semiconductive tubular PI-based film of the present invention is excellent in that the variation in the surface resistivity and the volume resistivity is small and the difference in the surface resistivity (logarithmic value) between the film surface and the back surface is small. Has characteristics. Therefore, the semiconductive tubular PI film of the present invention can be suitably used as an intermediate transfer belt of, for example, an electrophotographic system of a power roller, and is excellent in that it can appropriately perform charge removal and charging. Image processing becomes possible.
  • the CB powder is uniformly dispersed, and the storage stability in a state where the CB powder is uniformly dispersed is remarkably improved.
  • the conductive tubular PI film obtained by spin-molding the semiconductive PI precursor composition using the same is provided with conductivity having extremely stable and uniform electric resistivity in the thickness direction.
  • the semiconducting high-concentration PI precursor composition of the present invention dissolves the monomer as a molding raw material in the force pump rack dispersion, so that the non-volatile content is significantly increased to about 35 to 60% by weight. be able to. Therefore, in the semiconducting high-concentration PI precursor composition of the present invention, a film having a large thickness can be easily produced, and the amount of the solvent to be used is small, so that the cost is suppressed and the solvent can be removed by evaporation. Become simple.

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Abstract

本発明は、簡便、効率的、且つ経済的に、高品質の非導電性又は半導電性の無端状(繋目なし)の管状ポリイミドフイルムを製造する方法等を提供する。具体的には、非対称性芳香族テトラカルボン酸成分15~55モル%と対称性芳香族テトラカルボン酸成分85~45モル%とからなる2種以上の芳香族テトラカルボン酸成分と、芳香族ジアミン成分とから形成されたポリイミドからなり、必要に応じ所定量のカーボンブラックが分散されてなる非導電性又は半導電性無端管状ポリイミドフイルム、及びその製造方法等に関する。

Description

明 細 書
無端管状ポリイミドフィルム 技術分野
本発明は、 改良された非導電性又は半導電性の無端管状ポリイミドフィルム、 及びその製造方法に関する。半導電性の無端管状ポリイミドフィルムは、例えば、 カラ一プリンター、 カラ一複写機等に用いる電子写真方式の中間転写ベルト等と して使用される。 背景技術
非導電性の管状ポリイミドフィルムは、 一般にベルト形状に加工されて、 例え ば、 加熱物品の搬送用ベルトとして、 また電子写真方式の定着用ベルトとして用 いられることは良く知られている。
また、 半導電性の管状ポリイミドフィルムは、 非導電性管状ポリイミドフィル ムに導電性カーボンブラックを混合分散したものであり、 例えば、 複写機、 プリ ン夕一、 ファクシミリ及び印刷機用の中間転写ベルトとして用いられている。 これらの非導電性及び半導電性の管状ポリイミドフィルムの製法としては、 所 定の成形材料を一旦フラット状のフィルムに成形した後フィルムの両端を繋いで 管状に加工する方法、 遠心注型によって一挙に無端の管状フィルムに成形する方 法が知られている。 また、 この遠心注型を実質的無遠心力下で実施して成形する ことも、 例えば本願出願人による特開 2 0 0 0 - 2 6 3 5 6 8号公報に記載され ている。
これらの管状ポリイミドフィルムの成形原料としては、 一般に、 ポリイミドの ポリマ前駆体である高分子量(数平均分子量は通常 10000〜30000程度)のポリア ミド酸 (或いはポリアミック酸) 溶液が用いられている。
上記のポリアミド酸溶液は、 具体的には例えば、 1, 2 , 4 , 5—ベンゼンテ トラカルボン酸二無水物、 3 , 3 ' , 4 , 4, ービフエニルテトラカルボン酸二無 水物、 3 , 3 ' , 4, 4 ' 一べンゾフエノンテトラカルボン酸二無水物、 2 , 3, 6, 7—ナフタレンテトラカルボン酸二無水物等の点対称位置に酸無水物基を結 合する芳香族テトラカルボン酸二無水物と、 p—フ X二レンジァミン、 4, 4 ' ージアミノジフエニルエーテル、 4 , 4 ' —ジアミノジフエニルメタン等の芳香 族ジ ミンとの等モル量を、 有機極性溶媒中で、 イミド化しない程度の低温で重 縮合反応させて製造されている。
ポリイミドフィルムの製法は、成形原料であるポリアミド酸溶液を一旦製造し、 これをポリアミド酸フィルムに成形して、 最後にイミド化してポリイミドフィル ムを得るという 3工程を採用するのが通常である。
しかし、 上記の成形方法で得られる上記ポリアミド酸溶液にはポットライフが あるため、 保存により徐々に部分的ゲル化が起こり易いという欠点があった。 こ のゲル化は、 温度が高い程進行し易いが低温でも経時的に進行し、 ゲル化が極微 量あっても最終物であるポリイミドフィルムの物性に悪影響を与えることは勿論、 平面性の悪化も招いてしまう。 特に、 導電性カーボンブラックを混合した該フィ ルムにあつては、 電気抵抗のパラツキの増大にまで及んでしまう。
また、 ポリアミド酸樹脂は、 有機極性溶媒に対する溶解性に限度があり、 高濃 度化ができない(溶液中の不揮発分濃度としてせいぜい 25重量%まで)という欠 点があった。
また、 ポリアミド酸溶液にカーボンブラックを添加すると、 粘度が大きく上昇 し、 ポールミルなどの分散機中で行われるポ一ル間の衝撃力によってもカーボン ブラックの粉碎が困難となる場合があった。 通常、 カーボンブラックをポリアミ ド酸溶液に均一に分散させるには、 分散機によるカーボンブラックの粉砕と、 ほ ぐされていくカーボンブラックの溶媒による 「ぬれ」 という界面現象が伴わなけ ればならない。 そのため、 有機極性溶媒を多量に添加することで、 力一ボンブラ ックを均一分散する方法が取られている。 しかし、 その結果、 カーボンブラック を高濃度に含むマスタ一バッチ溶液は、不揮発分濃度が 16重量%以下の低濃度の ものしか得ることができなかった。
さらに、 低濃度ポリアミド酸溶液では、 一度により厚いフィルムを成形するこ とが困難であり、 多くの溶媒を必要とするとともに、 溶媒の蒸発除去に多くの時 間を必要とするという欠点もあった。
また、 前記の通り 3工程を必要とするので、 全工程に要する時間とコストがか かり効率性及び経済的性の観点からも改善の余地があつた。
ところで、 特開平 1 0— 1 8 2 8 2 0号公報には、 非対称性の芳香族テトラ力 ルボン酸又はそのエステルを主成分(具体的には 2, 3, 3 ' , 4 ' —ビフエ二ル テトラカルボン酸又はそのエステル 6 0モル%以上) とする芳香族テトラ力ルポ ン酸成分と芳香族ジァミン成分との略等モルを混合した、 モノマを主とするポリ イミド前駆体組成物を用いる成形方法が記載されている。 そして、 該特開平 1 0 - 1 8 2 8 2 0号公報には、 該ポリイミド前駆体組成物をガラス板に塗布流延し て加熱(8 0〜3 5 0 °Cの間で階段的に昇温)してポリイミド膜を形成する方法、 銀粉、 銅粉、 力一ポンプラック等を混合して導電性べ ストとして使用できるこ とが開示されている。
しかし、 上記の成形方法で得られる半導電性ポリイミドフィルムは、 近年高 精度が求められる力ラープリンター、 力ラー複写機等に用いる電子写真方式の中 間転写ベルト等に用いる場合には、 電気抵抗等の特性において更なる改善の余地 があった。 発明の開示
本発明の目的は、 上記の従来技術の問題点に鑑み、 高品質の非導電性又は半導 電性の無端状 (繋目なし) の管状ポリイミドフィルムを提供すること、 及び該フ イルムを簡便、 効率的、 且つ経済的に製造する方法を提供することにある。 本発明者は、 上記の課題を解決するため鋭意検討を行った結果、 特定量の非対 称性芳香族テトラカルボン酸又はそのエステルと特定量の対称性芳香族テトラカ ルボン酸又はそのエステルとからなる芳香族テトラカルボン酸成分と芳香族ジァ ミン成分とが略等モル量で混合されてなる実質的モノマ状態の混合溶液を、 回転 成形法にて管状物に成形し、 加熱処理してイミド化することにより、 高品質の無 端管状ポリイミドフィルムを製造し得ることを見出した。
即ち、 本発明は、 以下の非導電性又は半導電性無端管状ポリイミドフィルムを 提供する。
項 1 . 非対称性芳香族テトラカルボン酸成分 1 5〜 5 5モル%と対称性芳香族 テトラカルボン酸成分 8 5〜4 5モル%との混合物からなる 2種以上の芳香族テ トラカルボン酸成分と、 芳香族ジァミン成分とから形成されたポリイミドからな り、 その降伏強度 ( σ γ) が 2 O MPa以上であり、 破断強度と降伏強度の比 (σ c r /ひ γ)が 1 . 1 0以上であることを特徴とする無端管状ポリイミドフィルム。 項 2. 非対称性芳香族テトラカルボン酸成分 1 5〜5 5モル%と対称性芳香族 テトラカルボン酸成分 8 5〜4 5モル%との混合物からなる 2種以上の芳香族テ トラカルボン酸成分と、 芳香族ジァミン成分とから形成されたポリイミドに、 力 一ボンブラックが分散されてなり、 その表面抵抗率が 1 0 3〜1 0 1 5 ΩΖ口であ る半導電性無端管状ポリイミドフィルム。
項 3 . 表面電気抵抗率の対数換算値の標準偏差が 0. 2以内であり、 体積電気抵 抗率の対数換算値の標準偏差が 0. 2以内であり、 表面電気抵抗率の対数換算値と 裏面電気抵抗率の対数換算値との差が 0. 以内である項 2に記載の半導電性無端 管状ポリイミドフィルム。
本発明は、 上記の特徴を有しているが、 さらに具体的には次の第 1発明〜第 4 発明を包含するものである。
Α. 第 1発明
また、 本発明者は、 特定量の非対称性芳香族テトラカルボン酸又はそのエステ ルと特定量の対称性芳香族テトラカルボン酸又はそのエステルとからなる芳香族 テトラカルボン酸成分と芳香族ジアミン成分とが略等モル量で混合されてなる実 質的モノマ状態の混合溶液に、 特定量のカーボンブラックが分散された半導電性 ポリイミド前駆体組成物を、 回転成形法にて管状物に成形し、 加熱処理してイミ ド化することにより、 高品質の半導電性無端管状ポリイミドフィルムを製造し得 ることを見出した。
これらの知見に基づいて、 さらに研究を重ねることにより、本発明(以下、 「第 1発明」 とも呼ぶ) を完成するに至った。
すなわち、 第 1発明は、 以下の非導電性又は半導電性無端管状ポリイミドフィ ルム及びその製造方法を提供する。
項 4. 非対称性芳香族テトラカルボン酸又はそのエステル 1 5〜5 5モル%と 対称性芳香族テトラカルボン酸又はそのエステル 8 5〜4 5モル%とからなる芳 香族テトラカルボン酸成分と、 芳香族ジアミン成分とが略等モル量で混合されて なる実質的モノマ状態の混合溶液を、 回転成形法にて管状物に成形し、 加熱処理 してイミド化することを特徴とする無端管状ポリイミドフィルムの製造方法。 項 5 . 非対称性芳香族テトラカルボン酸又はそのエステル 1 5〜5 5モル%と 対称性芳香族テトラカルボン酸又はそのエステル 8 5〜4 5モル%とからなる芳 香族テトラカルボン酸成分と、 芳香族ジァミン成分とが略等モル量で混合されて なる実質的モノマ状態の混合溶液に、 芳香族テトラカルボン酸成分と芳香族ジァ ミン成分の合計量 1 0 0重量部に対し 1〜 3 5重量部のカーボンブラックが分散 された半導電性のモノマ混合溶液を、 回転成形法にて管状物に成形し、 加熱処理 してイミド化することを特徴とする半導電性無端管状ポリイミドフィルムの製造 方法。
項 6. 項 5に記載の製造方法により製造される電子写真方式の中間転写ベルト に用いられる半導電性無端管状ポリイミドフィルム。
B . 第 2発明
また、 本発明者は、 上記の課題を解決するため鋭意検討を行った結果、 芳香族 テトラカルボン酸成分と芳香族ジァミンを加熱処理して、 実質的に一部を重縮合 させ一旦芳香族アミド酸オリゴマー (数平均分子量が 1000〜7000程度の芳香族ァ ミド酸) を含む混合溶液とし、 これに導電性力一ボンブラックを混合した後、 回 転成形し続いてィミド化処理することにより、 均質な電気抵抗率を有する半導電 性無端管状ポリイミドフィルムが得られるヒとを見出した。 この知見に基づいて さらに発展させることにより本発明(以下、 「第 2発明」 とも呼ぶ)を完成するに 至った。
すなわち、 第 2発明は、 以下の半導電性芳香族アミド酸組成物及びその製造方 法、 それを用いた半導電性無端管状ポリイミドフィルム及びその製造方法を提供 する。
項 7 . 2種以上の芳香族テトラカルボン酸成分と芳香族ジァミンとの略等モル 量を重縮合反応して得られる芳香族アミド酸オリゴマー、 カーボンブラック、 及 び有機極性溶媒を含有してなる半導電性芳香族ァミド酸組成物。
項 8 . 前記芳香族アミド酸オリゴマーが、 2種以上の芳香族テトラカルボン酸 二無水物と芳香族ジアミンとの略等モル量を有機極性溶媒中 80 程度以下の温 度で重縮合反応して得られる芳香族アミド酸オリゴマーである項 7に記載の半導 電性芳香族アミド酸組成物。 '
項 9 . 2種以上の芳香族テトラカルボン酸二無水物が、 非対称性芳香族テトラ カルボン酸二無水物 15〜55モル%と対称性芳香族テトラカルボン酸二無水物 85 〜45 モル%とからなる混合物である項 8に記載の半導電性芳香族アミド酸組成 物。
項 1 0 . 前記芳香族アミド酸オリゴマーが、 2種以上の芳香族テトラカルボン 酸ジエステルと芳香族ジアミンとの略等モル量を有機極性溶媒中 90〜120°C程度 の温度で重縮合反応して得られる芳香族ァミド酸ォリゴマ一である項 7に記載の 半導電性芳香族アミド酸組成物。
項 1 1 . 2種以上の芳香族テトラカルボン酸ジエステルが、 非対称性芳香族テ トラ力ルポン酸ジエステル 15〜55モル%と対称性芳香族テトラカルボン酸ジェ ステル 85〜45 モル%とからなる混合物である項 1 0に記載の半導電性芳香族ァ ミド酸組成物。
項 1 2.前記芳香族アミド酸オリゴマーの数平均分子量が 1000〜7000程度であ る項 7に記載の半導電性芳香族アミド酸組成物。
項 1 3 . カーボンブラックの配合量が、 芳香族テトラカルボン酸成分と有機ジ アミンの合計量 100重量部に対し、 3〜30重量部程度である項 7に記載の半導電 性芳香族アミド酸組成物。 '
項 1 4. 項 7に記載の半導電性芳香族アミド酸組成物を回転成形し、 加熱処理 することを特徴とする半導電性無端管状ポリイミドフィルムの製造方法。
項 1 5 . 項 1 4に記載の製造方法により製造される、 電子写真方式の中間転写 ベルトに用いられる半導電性無端管状ポリイミドフィルム。
項 1 6 . 有機極性溶媒中で 2種以上の芳香族テトラカルボン酸成分と芳香族ジ アミンとの略等モル量を一部縮重合反応して芳香族アミド酸オリゴマー溶液とし、 これと導電性力一ボンブラック粉体とを均一混合することを特徴とする半導電性 芳香族アミド酸組成物の製造方法。
C . 第 3発明
また、 本発明者は、 上記の課題を解決するため鋭意検討を行った結果、 有機極 性溶媒に 2種以上の芳香族テトラカルボン酸ジエステルと芳香族ジァミンとの略 等モル量を溶解したナイロン塩型モノマ一溶液に、 所定の高奸量のポリイミド 前駆体溶液又は高分子量のポリアミドイミド溶液を混合して得られる混合溶液が、 力一ボンブラックの分散安定性に優れていることを見出した。 また、 上記の混合 液とカーボンブラックとを均一混合してなる半導電性ポリイミド系前駆体組成物 を用いて回転成形し続いてイミド化処理することにより、 均質な電気抵抗率を有 する半導電性無端管状ポリイミド系フィルムが得られることを見出した。 さらに これを発展させて本発明 (以下、 「第 3発明」 とも呼ぶ) を完成するに至った。 すなわち、 第 3発明は、 以下の半導電性ポリイミド系前駆体組成物及びその製 造方法、 それを用いた半導電性無端管状ポリイミド系フィルム及びその製造方法 を提供する。
項 1 7 . 有機極性溶媒に 2種以上の芳香族テトラカルボン酸ジエステルと芳香 族ジァミンとの略等モル量を溶解したナイロン塩型モノマー溶液に、 高分子量の ポリイミド前駆体溶液又は高分子量のポリアミドィミド溶液を混合して混合溶液 を調製し、 該混合溶液にカーボンブラックを均一分散させてなる半導電性ポリイ ミド系前駆体組成物。
項 1 8 . 2種以上の芳香族テトラ力ルポン酸ジエステルが、 非対称性芳香族テ トラカルボン酸ジエステル 10〜55 モル%と対称性芳香族テトラカルボン酸ジェ ステル 90〜45 モル%とからなる混合物である項 1 7に記載の半導電性ポリイミ ド系前駆体組成物。
項 1 9 . 2種以上の芳香族テトラカルボン酸ジエステルが、 非対称性の 2, 3, 3' , 4' -ビフエニルテトラ力ルポン酸ジエステル 10〜55モル%と対称性の 3, 3' ,4, 4' -ビフエニルテトラカルボン酸ジエステル 90〜45 モル%とからなる 混合物である項 1 7に記載の半導電性ポリイミド系前駆体組成物。
項 2 0 . 高分子量のポリイミド前駆体溶液が数平均分子量 10000以上のポリア ミド酸溶液であり、 高分子量のポリアミドイミド溶液が数平均分子量 10000以上 のポリアミドイミド溶液である項 1 7に記載の半導電性ポリイミド系前駆体組成 物。
項 2 1 . 前記数平均分子量 10000以上のポリアミド酸溶液が、 ピフエ二ルテト ラカルボン酸二無水物とジァミノジフエ二ルェ—デルとの略等モル量を有機極性 溶媒中で反応して製造される項 2 0に記載の半導電性ポリイミド系前駆体組成物。 項 2 2. 前記数平均分子量 10000以上のポリアミドィミド溶液が、 トリメリッ ト酸無水物及びべンゾフエノンテトラカルボン酸二無水物からなる酸無水物と芳 香族ィソシァネ一トとの略等モル量を有機極性溶媒中で反応して製造される項 2 0に記載の半導電性ポリイミド系前駆体組成物。 ―
項 2 3. 項 1 7に記載の半導電性ポリイミド系前駆体組成物を回転成形法にて 管状物に成形し、 加熱処理してイミド化することを特徴とする半導電性無端管状 ポリイミド系フィルムの製造方法。 - 項 2 4. 項 2 3に記載の製造方法により製造される、 表面抵抗率が 〜 1014Ω ロであり電子写真方式の中間転写ベルトに用いられる半導電性無端管状ポリィ ミド系フィルム。
項 2 5. 有機極性溶媒に 2種以上の芳香族テトラ力ルポン酸ジエステルと芳香 族ジアミンとの略等モル量を溶解したナイロン塩型モノマ一溶液に、 高分子量の ポリイミド前駆体溶液又は高分子量のポリアミドィミド溶液を混合して混合溶液 を調製し、 該混合溶液にカーボンブラックを均一分散させることを特徴する半導 電性ポリイミド系前駆体組成物の製造方法。
D. 第 4発明
また、 本発明者は、 上記の課題を解決す ¾ため鋭意検討を行った結果、 有機極 性溶媒に力一ボンブラックを均一に分散させてなる力一ボンブラック分散液に、 芳香族テトラカルボン酸ジエステルと芳香族ジアミンとの略等モル量を溶解させ ることにより、 力一ボンブラックの分散性に優れた半導電性高濃度ポリイミド前 駆体組成物を調製できることを見出した。 また、 半導電性高濃度ポリイミド前駆 体組成物を用いて回転成形し続いてイミド化処理することにより、 均質な電気抵 抗率を有する半導電性無端管状ポリイミドフィルムが得られることを見出した。 さらにこれを発展させて本発明(以下、 「第 4発明」 とも呼ぶ)を完成するに至つ た。
すなわち、 第 4発明は、 以下の半導電性高濃度ポリイミド前駆体組成物及びそ の製造方法、 それを用いた半導電性無端管状ポリイミドフィルム及びその製造方 法を提供する。 - 項 2 6 . 有機極性溶媒に力二ボンブラックを均一に分散させてなるカーポンプ ラック分散液に、 芳香族テトラカルボン酸ジエステルと芳香族ジアミンとの略等 モル量を溶解することを特徴とする半導電性高濃度ポリイミド前駆体組成物の製 造方法 D
項 2 7 . 芳香族テトラカルボン酸ジエステルが、 非対称性芳香族テトラカルボ ン酸ジエステル 10〜55モル%と対称性芳香族テトラカルボン酸ジエステル 90〜 45 モル%とからなる混合物である項 2 6に記載の半導電性高濃度ポリイミド前 駆体組成物の製造方法。 - 項 2 8 . 芳香族テトラカルボン酸ジエステルが、 非対称性の 2,3,3' ,4' -ビフ ェニルテトラカルボン酸ジエステル 10〜55モル%と対称性の 3, 3' , 4, 4' -ビフ ェニルテトラ力ルポン酸ジエステル 90〜45 モル%とからなる混合物である項 2 6に記載の半導電性高濃度ポリイミド前駆体組成物の製造方法。
項 2 9 . 芳香族テトラカルボン酸ジエステルと芳香族ジァミンの合計量 100重 量部に対し、 力一ボンブラックが 5〜35重量部程度である項 2 6に記載の半導電 性高濃度ポリイミド前駆体組成物の製造方法。
項 3 0. 項 2 6に記載の製造方法により製造される半導電性高濃度ポリイミド 前駆体組成物。
項 3 1 . 項 3 0に記載の半導電性高濃度ポリイミド前駆体組成物を回転成形法 にて管状物に成形し、 加熱処理してィミド化することを特徴とする半導電性無端 管状ポリイミドフィルムの製造方法。
項 3 2 . 項 3 1に記載の製造方法により製造される表面抵抗率 〜 1014Ω ロ である、 電子写真方式の中間転写ベルトに用いられる半導電性無端管状ポリイミ ドフィルム。 発明の詳細な記述
以下、本発明を、 「Α.第 1発明」、 「Β .第 2発明」、 「C .第 3発明」及び「D. 第 4発明」 に分けて詳細に説明する。
A. 第 1発明 A— 1 . 無端管状ポリイミドフィルム - 本発明の無端管状ポリイミドフィルム (以下、 「管状 P Iフィルム」 とも呼ぶ) は、特定の芳香族テトラカルボン酸成分と芳香族ジァミン成分を成形原料とする。 具体的には、 本発明の非導電性管状 P Iフィルムは、 特定の芳香族テトラカルボ ン酸成分と芳香族ジァミン成分を成形原料とし、 また、 本発明の半導電性管状 P Iフィルムは、 上記の成形原料に加え、 導電性を付与するために所定量のカーボ ンブラック (以下、 「C B」 とも呼ぶ) を原料とする。
芳香族テトラカルボン酸成分
成形原料である芳香族テトラカルボン酸成分としては、 非対称性芳香族テトラ カルボン酸成分 (非対称性芳香族テトラカルボン酸又はそのエステルの少なくと も 1衝 と対称性芳香族テトラカルボン酸成分 (対称性芳香族テトラカルボン酸 又はそのエステルの少なくとも 1種) との混合物が用いられる。
非対称性芳香族テトラカルボン酸とは、 単環若しくは多環の芳香環 (ベンゼン 核、 ナフタレン核、 ビフエ二ル核、 アントラセン核等) に 4個の力ルポキシル基 が点対象でない位置に結合した化合物、或いは 2個の単環芳香環 (ベンゼン核等) が— C O―、 — CH2—、 —S〇2—等の基又は単結合で架橋された化合物に 4個 の力ルポキシル基が点対象でない位置に結合した化合物が挙げられる。
非対称性芳香族テトラカルボン酸の具体例としては、 1, 2 , 3, 4—ベンゼ ンテトラカルボン酸、 1 , 2, 6, 7—ナ 7夕レンテトラカルボン酸、 2 , 3 , 3 ', 4, —ビフエニルテトラカルボン酸、 2, 3, 3 ' , 4, 一べンゾフエノン テトラカルボン酸、 2 , 3, 3 ', 4 ' ージフエニルエーテルテトラカルボン酸、 2, 3, 3,, 4, —ジフエニルメタンテトラカルボン酸、 2 , 3, 3,, 4, — ジフエニルスルフォンテトラカルボン酸等が挙げられる。
本発明で用いられる非対称性芳香族テトラカルボン酸エステルとしては、 上記 の非対称性芳香族テトラカルボン酸のジエステル (八一フェステル) を挙げるこ とができ、 具体的には、 上記非対称性芳香族テトラカルボン酸の 4個のカルボキ シル基のうち 2個の力ルポキシル基がエステルイ匕されており、 かつ芳香環上の隣 接する 2個の力ルポキシル基の一方がエステル化された化合物が挙げられる。 上記非対称性芳香族テトラカルボン酸ジエステルにおける 2個のエステルとし ては、 ジ低級アルキルエステル、 好ましくはジメヂルエステル、 ジェチルエステ ル、 ジプロピルエステル等のジ (^_3アルキルエステル (特に、 ジメチルエステ ル) が挙げられる。
上記非対称性芳香族テトラ力ルポン酸ジエステルのうち、 2, 3, 3 ' , 4, 一 ビフエニルテトラ力ルポン酸ジメチルエステル、 2 , 3, 3 ', 4, 一ビフエニル テトラ力ルポン酸ジェチルエステルが好ましく、 特に、 2, 3 , 3 ', 4 ' —ビフ ェニルテトラカルボン酸ジメチルエステルが好ましく使用される。
なお、 上記非対称性芳香族テトラカルボン酸ジエステルは、 市販されているか 又は公知の方法により製造することができる。 例えば、 ·対応する非対称性芳香族 テトラカルボン酸二無水物 1に対し、 対応するアルコール (低級アルコール、 好 ましくは _3アルコール等) 2 (モル比) を反応させる等の公知の方法により 容易に製造することができる。 これにより、 原料の酸無水物がアルコールと反応 して開環して、 芳香環上の隣接する炭素上にそれぞれエステル基と力ルポキシル 基を有するジエステル (ハーフエステル) が製造される。
また、 対称性芳香族テトラカルボン酸とは、 単環若しくは多環の芳香環 (ベン ゼン核、 ナフ夕レン核、 ビフエ二ル核、 アントラセン核等) に 4個のカルボキシ ル基が点対称な位置に結合した化合物、或いは 2個の単環芳香環(ベンゼン核等) が— C O—、 — O—、 一 CH2—、 —S〇2—等の基又は単結合で架橋された化合 物に 4個のカルボキシル基が点対称な位置に結合した化合物が挙げられる。 対称性芳香族テトラカルボン酸の具体例としては、 1, 2, 4, 5—ベンゼン テトラカルボン酸、 2 , 3, 6, 7—ナフ夕レンテトラカルボン酸、 3, 3 ', 4, 4, 一ビフエニルテトラカルボン酸、 3 , 3 ', 4 , 4 ' —ベンゾフエノンテトラ カルボン酸、 3, 3 ' , 4, 4,ージフエニルエーテルテトラカルボン酸、 3, 3 ', 4, 4, ージフエニルメタンテトラカルボン酸、 3 , 3 ', 4 , 4, 一ジフエニル スルフォンテトラカルボン酸等が挙げられる。
本発明で用いられる対称性芳香族テトラカルボン酸エステルとしては、 上記の 対称性芳香族テトラカルボン酸のジエステル (ハーフエステル) を挙げることが でき、 具体的には、 上記対称性芳香族テトラカルボン酸の 4個の力ルポキシル基 のうち 2個の力ルポキシル基がエステル化されており、 かつ芳香環上の隣接する 2個の力ルポキシル基の一方がエステル化された化合物が挙げられる。
上記対称性芳香族テトラ力ルポン酸ジエステルにおける 2個のエステルとして は、ジ俾級アルキルエステル、好ましくはジメチルエステル、ジェチルエステル、 ジプロピルエステル等の ^ 3アルキルエステル (特に、 ジメチルエステル) が 挙げられる。
上記対称性芳香族テトラ力ルポン酸ジエステルのうち、 3 , 3 ' , 4 , 4 ' —ビ フエニルテトラ力ルポン酸ジメチルエステル、 3, 3 ', 4 , 4 ' —ビフエニルテ トラ力ルポン酸ジェチルエステル、 2, 3, 5 , 6—ベンゼンテトラカルボン酸 ジメチルエステルが好ましく、 特に、 3 , 3 ', 4, 4 '-—ビフエ二ルテトラカル ボン酸ジメチルエステルが好ましく使用される。
なお、 上記対称性芳香族テトラ力ルポン酸ジエステルは、 市販されているか又 は公知の方法により製造することができる。 例えば、 対応する対称性芳香族テト ラカルボン酸二無水物 1に対し、 対応するアルコール (低級アルコール、 好まし ■ くは 3アルコール等) 2 (モル比) を反応させて容易に製造することができ る。 これにより、 原料の酸無水物がアルコールと反応して開環して、 芳香環上の 隣接する炭素上にそれぞれエステル基とカルボキシル基を有するジエステル ひ、 一フェステル) が製造される。
非対称性及び対称性の芳香族テトラカルボン酸又はそのエステルの混合比は、 非対称性芳香族テトラカルボン酸又はそのエステルが、 15〜55モル% (好ましく は 20〜50モル%)程度であり、対称性芳香族テトラカルボン酸又はそのエステル が、 85〜45モル% (好ましくは 80〜50モル%) 程度で特定される。 特に、 非対 称性芳香族テトラカルボン酸ジエステルを 20〜50モル%程度、対称性芳香族テト ラカルボン酸ジエステルを 80〜50モル%程度用いるのが好適である。
なお、 前記の対称性及び非対称性の芳香族テトラカルボン酸成分を配合するこ とを必須とするのは、 次の理由による。 対称性の芳香族テトラカルボン酸又はそ のエステルのみでは、 ポリイミドフィルムが結晶性を発現するため加熱処理中に 被膜が粉化してしまいフィルム化することが出来ない。 一方、 非対称性の芳香族 テトラカルボン酸又はそのエステルのみでは、 無端管状 P Iフィルムとして成形 はされるが、 得られた該フィルムの降伏強度と弾性率が弱く、 回転ベルトとして 使用した場合、 駆動での応答性が悪いだけでなく、 初期の段階でベルト伸びが発 生してしまうなどの問題がある。
これに対し、 上記混合比からなる芳香族テトラカルボン酸又はそのエステルを 使用すると、 極めて高い製膜性 (成形性) が可能であり、 しかも高い降伏強度と 弾性率を有する半導電性の無端管状 P Iフィルムが得られる。
また、 非対称性芳香族テトラカルボン酸又はそのエステルを添加することによ りポリアミド酸分子が曲がって、 フレキシブル性が生まれると考えられる。 そして、 前記の対称性と非対称性の芳香族テトラカルボン酸又はそのエステル の共存効果は、 両者が前記に示した混合比の場合に最も有効に発揮される。
芳香族ジァミン成分
芳香族ジァミン成分としては、 1つの芳香環 (ベンゼン核等) 上に 2個のアミ ノ基を有する化合物、又は 2つ以上の芳香環(ベンゼン核等)がー O—、— S―、 — CO—、 一 CH2—、 - S O-, 一 S 02—等の基若しくは単結合で架橋された 2個のアミノ基を有する化合物が挙げられる。 具体的には、 例えば、 p—フエ二 レンジァミン、 o—フエ二レンジァミン、 m—フエ二レンジァミン、 4, 4 '一 ジアミノジフエ二ルエーテル、 4, 4 'ージアミノジフエ二ルチオエーテル、 4, 4 '一ジアミノジフエ二ルカルポニル、 4, 4 'ージアミノジフエニルメタン、 1, 4一ビス (4一アミノフエノキシ) ベシゼン等が挙げられる。 中でも、 4, 4,ージアミノジフエ二ルェ一テルが特に好ましい。 これらの芳香族ジァミン成 分を用いることにより、 反応がより円滑に進行すると共に、 より強靭かつ高い耐 熱性のフィルムを製造することができるからである。
有機極性溶媒
実質的モノマ状態の混合溶液に用いる有機極性溶媒としては、 非プロトン系有 機極性溶媒が好ましく、例えば N—メチル一2—ピロリドン(以下、 「NMP」 と 呼ぶ。)、 N, N—ジメチルホルムアミド、 N, N—ジェチルホルムアミド、 N, N—ジメチルァセトアミド、ジメチルスルホキシド、へキサメチルホスホアミド、 1, 3—ジメチル一 2—イミダゾリジノン等が使用される。 これらのうちの 1種 又は 2種以上の混合溶媒であってもよい。 特に、 NMPが好ましい。 有機極性溶 媒の使用量は、 原料の芳香族テトラカルボン酸成分-と芳香族ジアミン成分の合計 量議重量部に対し、 65〜300'重量部程度(好ましくは、 80〜230重量部程度、更 に好ましくは、 100〜200重量部程度) になるように決めればよい。
カーボンブラック (C B)
本発明の半導電性管状 P Iフィルムを製造するにあたり、 上記した各成分に加 え、 電気抵抗特性付与のために C B粉体が使用される。 力一ボンブラックが用い られる理由は、 他の一般に知られている金属や金属酸化物の導電材と比較して) 調製されたモノマ混合溶液との混合分散性と安定性 (混合分散後の経時変化) に 優れ、 且つ重縮合反応への悪影響がないことによる。 - この C B粉体は、その製造原料(天然ガス、 アセチレンガス、 コールタール等) と製造条件 (燃焼条件) とによって種々の物性 (電気抵抗、 揮発分、 比表面積、 粒径、 p H値、 D B P P及油量等) を有したものがある。 ストラクチャ一の発達し た導電指標の高いものは (これはアセチレンガスを原料として製造した C B粉体 に多い)、比較的少量の充填量で所定の電気抵抗が得られるが、混合分散性はあま り良くない。 導電指標は高くないが、 p H値が低い酸化処理した C B粉体、 揮発 分を多く含有する C B粉体は、 所定の電気抵抗に対して比較的多くの充填が必要 となるが、 混合分散性と貯蔵安定性に優れ、 そして均質な電気抵抗を持つベルト が得られやすい。
この導電性 C B粉体は、通常平均粒子径が 15〜65 nm程度であり、特にカラー プリン夕一、 カラー複写機等に用いる電子写真方式の中間転写ベルト等に用いる 場合、 平均粒子径 20〜40 nm程度のものが好適である。
例えば、 チャンネルブラック、 酸化処理したファーネスブラック等が挙げられ る。 具体的には、 デグサ社製のスペシャルブラック 4 (pH3、 揮発分 14%、 粒子 径 25nm) やスペシャルブラック 5 (pH3、 揮発分 15%、 粒子径 20皿) などが例示 される。
添加される C B粉体の量は、 実質的モノマ状態の混合溶液の成形原料である芳 香族テトラカルボン酸成分と芳香族ジァミン成分の合計量 100重量部に対し、 1 〜35重量部程度 (好ましくは 5〜25重量部程度) 用いるのが好ましい。
ここで C B粉体を上記の範囲で用いるのは、 フィルムに半導電領域にある体積 抵抗率 (Ω · c m) (VR) 及び表面抵抗率 (ΩΖ口) ( S R) を付与するためで ある。 なお、 下限が 1重量部程度以上であるのは十分な導電性を得るためにはこ の程库の量が必要であるためであり、上限が 35重量部程度以下であるのは、より 低い抵抗を発現するとともに、 成形性を維持しフィルム自身の物性の低下を防ぐ ためである。
モノマ混合溶液の調製
芳香族テトラカルボン酸成分、 芳香族ジアミン成分及び有機極性溶媒の所定量 を混合して、成形用の実質的モノマ状態の混合溶液(以下、 「モノマ混合溶液」 と も呼ぶ) が調製される。 本発明の非導電性管状 P Iフィルムと半導電管状 P Iフ イルムとは、 C B粉体の有無だけの差で、 成形原料となるモノマ混合溶液は、 両 者同じ条件で調製される。 その調製手順には特に制限はない。 これは、 本発明で 用いられる芳香族テトラカルボン酸成分は、 反応性の高い芳香族テトラカルボン 酸二無水物を用いる場合と異なり、 低温 (例えば 3 0〜4 0 °C以下) でジァミン 成分とは実質的に反応しないためであり、 モノマ混合溶液を調製する上で有利な 点の一つでもある。
モノマ混合溶液は、 上述した芳香族テトラカルボン酸成分と芳香族ジアミン成 分の略等モル量の反応比で有機極性溶媒に混合、 溶解して調製される。 これらの 成分はモノマであるため有機極性溶剤に溶解しやすぐ 高濃度で均一に溶解させ ることができ、 得られる溶液は実質的にモンマの状態で保持することができる。 本発明は、 該モノマ状態の混合溶液を成形原料として使用するものである。 尚、 ここで略等モル量とは、 芳香族テトラカルボン酸成分と芳香族ジァミン成 分との重縮合反応が円滑に進行し、 所定の高分子量のポリイミドが得られる反応 比を意味する。 また、 該実質的モノマ状態とは、 混合溶液中において各成分のほ とんどがモノマの状態にあると言う意味であるが、 本発明に悪影響を与えない範 囲でォリゴマ一程度の低分子重縮合反応物が少量含有していてもよい。
また、 有機極性溶媒の使用量は、 原料の芳香族テトラカルボン酸成分と芳香族 ジァミン成分の合計量 100重量部に対し、 65〜300重量部程度 (好ましくは、 80 〜230重量部程度、 更に好ましくは、 100〜200重量部程度) になるように決めれ ばよい。 製造される実質的モノマ状態の混合溶液は、 上記有機極性溶媒に溶解し やすい為、 使用する溶媒の量を極力低減できるというメリツトがある。
以下、 モノマ混合溶液の調製方法を例示する。
第 1例として、 まず、 前記した所定モル%の対称性及び非対称性の芳香族テト ラカルボン酸成分を有機極性溶媒に混合し溶解させる。 この溶液に、 芳香族テト ラカルボン酸成分に対し略等モルの芳香族ジァミン成分を攙拌しながら添加し、 均一溶解して成形用のモノマ混合溶液とする。
第 2例として、 前記の所定量の対称性芳香族テトラカルボン酸成分とこれと略 等モルの芳香族ジァミン成分からなる溶液と、 所定量の非対称性芳香族テトラ力 ルボン酸成分とこれと略等モルの芳香族ジアミン成分からなる溶液を、 各々別個 に調製する。 この各々の溶液を、 2種の芳香族テトラカルボン酸成分が所定のモ ル%になるように混合して、 成形用のモノマ混合溶液とする。
第 3例として、 有機極性溶媒中に各々所定量の対称性及び非対称性の芳香族テ トラカルボン酸成分、 並びに芳香族ジァミン成分を同時に添加して、 均一なモノ マ混合溶液を調製する。
本発明のモノマ混合溶液における不揮発分濃度は、 従来のポリアミド酸溶液が せいぜい 25重量%までであるのに対して、 45重量%程度(特に 30〜45重量%程 度) まで高濃度溶液とすることができる。 なお、 本明細書で用いる 「不揮発分濃 度」 とは、 実施例に記載の方法により測定された濃度を意味する。 高濃度のモノ マ混合溶液を用いることにより、 重合反応が迅速に進行し成形時間の短縮が図れ る。 また、 容易に膜厚のあるフィルムを製造することができ、 使用する溶媒の量 が少ないためコストが抑えられ溶媒の蒸発除去が簡便になる。
なお、 本発明の効果に悪影響を与えない範囲で、 上記モノマ混合溶液中にイミ ダゾ一ル系化合物 (2-メチルイミダゾール、 1, 2—ジメチルイミダゾール、 2—メ チル一 4—メチルイミダゾール、 2—ェチルー 4—ェチルイミダゾール、 2—フエ二 ルイミダゾ一ル)、界面活性剤(フッ素系界面活性剤等)等の添加剤を加えてもよ い。
また、 半導電管状 P Iフィルムの製造には、 モノマ混合溶液に、 カーボンブラ ックが分散された半導電性のモノマ混合溶液を用いる。 モノマ混合溶液への C B 粉体の混合方法は、 撹拌等の公知の方法を用いればよく特に制限はない。 この撹 拌の場合、 ポ一ルミルを使うのが良く、 これにより' C Bが均一に分散された成形 用の半導電性モノマ混合溶液が得られる。
カーボンブラックの使用量は、 上述した様に、 芳香族テトラカルボン酸成分と 芳香族ジァミン成分の合計量 1 0 0重量部に対し 1〜 3 5重量部、 好ましくは 5 〜 2 5重量部が用いられる。
A- 2 . 無端管状ポリイミドフィルムの製造方法
次に、 前記調製されたモノマ混合溶液又は半導電性のモノマ混合溶液を使つた 管状 P Iフィルムの成形手段について説明する。 以下、 モノマ混合溶液を用いた 成形手段について説明するが、 半導電性のモノマ混合溶液を用いた成形手段も同 様にして実施できる。
この成形手段は、 回転ドラムを使う回転成形方法が採用される。 まずモノマ混 合溶液を回転ドラムの内面に注入し、 内面全体に均一に流延する。
注入'流延の方法は、 例えば停止している回転ドラムに、 最終フィルム厚さを 得るに相当する量のモノマ混合溶液を注入した後、 遠心力が働く速度にまで徐々 に回転速度を上げて、 遠心力でもって内面全体に均一に流延する。 或いは注入' 流延は遠心力を使わなくてもできる。 例えば、 横長のスリット状のノズルを回転 ドラム内面に配置し、該ドラムをゆっくりと回転しつつ、 (その回転速度よりも速 い速度で) 該ノズルも回転する。 そして成形用のモノマ混合溶液を該ノズルから 該ドラム内面に向って全体に均一に噴射す ¾方法である。 該ドラムは、 回転ロー ラ上に載置し、 該ローラの回転により間接的に回転が行われる。
また加熱は、 該ドラムの周囲に例えば遠赤外線ヒータ等の熱源が配置され外側 からの間接加熱が行われる。 また該ドラムの大きさは、 所望する半導電管状 P I フィルムの大きさにより決まる。
加熱は、 ドラム内面を徐々に昇温し、 まず 100〜190°C程度、 好ましくは 110で 〜130 程度に到達せしめる (第 1加熱段階)。昇温速度は、例えば、 l〜2°CZmin 程度であればよい。 上記の温度で 30〜120分維持し、 およそ半分以上の溶剤を揮 発させて自己支持性のある管状フィルムを成形する。 イミド化を行うためには 280°C以上の温度まで達する必要があるが、最初からこのような高温で加熱すると ポリイミドが高い結晶化を発現し、 C Bの分散状態に影響を与えるだけでなく、 強靭な被膜が形成されないなどの問題がある。 そ ため、 第 1加熱段階として、 せいぜい上限温度を 190°C程度に抑え、 この温度で重縮合反応を終了させて強靭 な管^ P Iフィルムを得る。
この段階が終了したら次に第 2加熱段階としてィミド化を完結するため加熱を 行うが、その温度は 280〜400°C程度(好ましくは 300〜38(TC程度)である。 この 場合も、 第 1加熱段階の温度から一挙にこの温度に到達するのではなく、 徐々に 昇温して、 その温度に達するようにするのが良い。
なお、 第 2加熱段階は、 無端管状フィルムを回転ドラムの内面に付着したまま 行っても良いし、 第 1加熱段階を終わったら、 回転ドラムから無端管状フィルム を剥離し、 取出して別途イミド化のための加熱手段に供して、 280〜400°Cに加熱 してもよい。 このイミド化の所用時間は、 通常約 2〜3時間程度である。 従って、 第 1及び第 2加熱段階の全工程の所要時間は、 通常 4〜7時間程度となる。
かくして本発明の非導電性 (又は半導電性) P Iフィルムが製造される。 この フィルムの厚みは特に限定はないが、通常 30〜200 ΠΙ程度、好ましくは 60〜120 程度である。 特に、 電子写真方式の中間転写ベルトとして用いる場合は、 75
〜100 m程度が好ましい。
半導電性 P Iフィルムの場合、 このフィルムの半導電性は、 体積抵抗率 (Ω · c m) (VR) と表面抵抗率 (Ω/D) (S R) との両立によって決まる電気抵抗 特性であり、 この特性は、 C B粉体の混合分散により付与される。 そしてこの抵 抗率の範囲は、 基本的には該 C B粉体の混合量によって自由に変えられる。 本発 明のフィルムにおける抵抗率の範囲としては、 VR: 1 0 2〜1 0 1 4、 S R: 1 0 3〜1 0 1 5であり、 好ましい範囲としては、 VR: 1 0 6〜1 0 1 3、 S R: 1 0 7〜: L 0 1 4が例示できる。 これらの抵抗率の範囲は、 上述の C B粉体の配合量を 採用することにより容易に達成することができる。 なお、 本発明のフィルム中に おける C Bの含有量は、 通常 5~25重量%程度、 好ましくは 8〜20重量%程度と なる。
本発明の半導電性 P Iフィルムは、 極めて均質な電気抵抗率を有している。 す なわち、 本発明の半導電性 P Iフィルムは、 表面抵抗率 S R及び体積抵抗率 VR の対数換算値のバラツキが小さいという特徴を有し、 フィルム内全測定点におけ るそれぞれの対数換算値の標準偏差が 0.2以内、 好ましくは、 0.15以下である。 また、 フィルム表面と裏面の表面抵抗率 (対数換算値) の差が小さいという特徴 を有し、 その差は 0.4以内、 好ましくは 0.2以内である。 さらに、 表面抵抗率の 対数換算値 LogSRから体積抵抗率の対数換算値 LogVRを引いた値が、 1.0〜3.0、 好ましくは 1.5〜3.0と高い値に維持できるという特徴を備えている。
本発明の半導電性 P Iフィルムはその優れた電気抵抗特性等の機能によって、 その用途は多岐にわたる。 例えば、 帯電特性を必要とする重要な用途として、 力 ラープリンター、 力ラー複写機等に用いる電子写真方式の中間転写ベルト等が挙 げられる。 該ベルトとして必要な半導電性 (抵抗率) は、 例えば VR109〜1 012、 SRI 01()〜1013であり、本発明の半導電性無端管状 P Iフィルムを好 適に用いることができる。
また、 本発明の非導電性又は半導電性 P Iフィルムは、 ベルトとしての性能に 優れ、 高い降伏強度 (σγ)及び 断強度 (acr) を有している。降伏強度 (σγ) は、 120MPa以上、 特に 120〜16 OMPaであり、 破断強度と降伏強度 の比 cr/CTY) は、 1.10以上、 特に 1. 10〜1. 35程度である。
B. 第 2発明
本発明の半導電性無端管状ポリイミドフィルム (以下、 「半導電性管状 P Iフィ ルム」 とも呼ぶ) は、 芳香族アミド酸オリゴマー、 導電性カーポンプラック (以 下、 「CB」とも呼ぶ)及び有機極性溶媒を含む半導電性芳香族アミド酸組成物を、 回転成形してイミド化処理することにより製造される。
B-1. 半導電性芳香族アミド酸組成物
本発明の半導電性芳香族アミド酸組成物は、 有機極性溶媒中で、 2種以上の芳 香族テトラカルボン酸成分と芳香族ジアミンとの略等モル量を、 一部縮重合反応 して芳香族アミド酸オリゴマー (数平均分子量 1000〜7000程度の芳香族アミド 酸)溶液とし、これと導電性カーボンブラック粉体とを均一混合して調製される。
(1) 芳香族テトラカルボン酸成分
成形原料である 2種以上の芳香族テトラカルボン酸成分としては、 非対称性芳 香族テトラカルボン酸誘導体の少なくとも 1種と対称性芳香族テトラカルボン酸 誘導体の少なくとも 1種との混合物が用いられる。 非対称性芳香族テトラカルボン酸誘導体 - 本発明において非対称性芳香族テトラカルボン酸誘導体としては、 非対称性芳 香族テトラカルボン酸二無水物又は非対称性芳香族テトラカルボン酸ジエステル ひ、一フェステル) が挙げられる。
ここで、非対称性芳香族テトラカルボン酸とは、単環若しくは多環の芳香環(ベ ンゼン核、 ナフタレン核、 ビフエ二ル核、 アントラセン核等) に 4個のカルポキ シル基が点対象でない位置に結合した化合物、 或いは 2個の単環芳香環 (ベンゼ ン核等) が— C O—、 — CH2—、 —S〇2—等の基又は単結合で架橋された化合 物に 4個のカルボキシル基が点対象でない位置に結合した化合物が挙げられる。 非対称性芳香族テトラカルボン酸の具体例としては、 1, 2, 3 , 4一べンゼ ンテトラカルボン酸、 1, 2, 6 , 7—ナフ夕レンテトラカルボン酸、 2, 3, 3,, 4, 一ビフエニルテトラカルボン酸、 2 , 3 , 3 ' , 4, 一べンゾフエノン テトラカルボン酸、 2, 3, 3 ', 4, —ジフエ二ルェ一テルテトラカルボン酸、 2 , 3 , 3,, 4, ージフエニルメタンテトラカルボン酸、 2 , 3 , 3 ' , 4, 一 ジフエニルスルフォンテトラカルボン酸等が挙げられる。
本発明で用いられる非対称性芳香族テトラカルボン酸二無水物としては、 上記 の非対称性芳香族テトラカルボン酸の二無水物が挙げることができ、 具体的には 上記の非対称性芳香族テトラカルボン酸において芳香環上の隣接するカルボキシ ル基同士で 2個の酸無水物を形成している匕合物が挙げられる。中でも、 2 , 3 , 3 ', 4, 一ビフエニルテトラカルボン酸二無水物、 1, 2, 6 , 7—ナフタレン テトラカルボン酸二無水物等が好ましく、特に 2, 3, 3 ', 4, ービフエニルテ トラカルボン酸二無水物が好ましく使用される。
本発明で用いられる非対称性芳香族テトラカルボン酸ジエステル ひ、一フェス テル) としては、 上記の非対称性芳香族テトラカルボン酸のジエステル (ハーフ エステル) を挙げることができ、 具体的には、 上記非対称性芳香族テトラ力ルポ ン酸の 4個の力ルポキシル基のうち 2個の力ルポキシル基がエステル化されてお り、 力つ芳香環上の隣接する 2個の力ルポキシル基の一方がエステル化されたィ匕 合物が挙げられる。
上記非対称性芳香族テトラカルボン酸ジエステルにおける 2個のエステルとし ては、 ジ低級アルキルエステル、 好ましくはジメチルエステル、 ジェチルエステ ル、 ジプロピルエステル等の'ジ (: 3アルキルエステル (特に、 ジメチルエステ ル) が挙げられる。
上記対称性芳香族テトラ力ルポン酸ジエステルのうち、 2, 3, 3,, 4, ーピ フエニルテトラカルボン酸ジメチルエステル、 2, 3, 3', 4, ービフエニルテ トラカルボン酸ジェチルエステルが好ましく、 特に、 2, 3, 3', 4, 一ビフエ ニルテトラ力ルポン酸ジメチルエステルが好ましく使用される。
なお、 上記非対称性芳香族テトラカルボン酸ジエステルは、 市販されているか 又は公知の方法により製造することができる。 例えば、 -対応する非対称性芳香族 テトラカルボン酸二無水物 1に対し、 対応するアルコール (低級アルコール、 好 ましくは アルコール等) 2 (モル比) を反応させる等の公知の方法により 容易に製造することができる。 これにより、 原料の酸無水物がアルコールと反応 して開環して、 芳香環上の隣接する炭素上にそれぞれエステル基とカルボキシル 基を有するジエステル (ハーフエステル) が製造される。
対称性芳香族テトラカルボン酸誘導体
本発明において対称性芳香族テトラカルボン酸 導体としては、 対称性芳香族 テトラカルボン酸二無水物又は対称性芳香族テトラカルボン酸ジエステル (ハー フェステル) が挙げられる。
ここで、 対称性芳香族テトラカルボン酸とは、 単環若しくは多環の芳香環 (ベ ンゼン核、 ナフタレン核、 ビフエ二ル核、 アントラセン核等) に 4個のカルポキ シル基が点対称な位置に結合した化合物、 或いは 2個の単環芳香環 (ベンゼン核 等) が— CO—、 —〇—、 一 CH2—、 —S02—等の基又は単結合で架橋された 化合物に4個の力ルポキシル基が点対称な位置に結合した化合物が挙げられる。 対称性芳香族テトラカルボン酸の具体例としては、 1, 2, 4, 5—ベンゼン テトラカルボン酸、 2, 3, 6, 7—ナフタレンテトラカルボン酸、 3, 3', 4, 4' —ビフエニルテトラカルボン酸、 3, 3', 4, 4, 一ベンゾフエノンテトラ カルボン酸、 3, 3', 4, 4'—ジフエニルエーテルテトラカルボン酸、 3, 3', 4, 4' —ジフエニルメタンテトラカルボン酸、 3, 3', 4, 4' —ジフエニル スルフオンテトラカルボン酸等が挙げられる。 本発明で用いられる対称性芳香族テトラカルポジ酸二無水物としては、 上記対 称性芳香族テトラカルボン酸め二無水物を挙げることができ、 具体的には上記の 対称性芳香族テトラカルボン酸において隣接する力ルポキシル基同士で 2個の酸 無水物を形成する化合物が挙げられる。 中でも 1 , 2, 4, 5—ベンゼンテトラ カルボン酸二無水物、 3 , 3 ', 4, 4, ービフエニルテトラカルボン酸二無水物 が好ましく、 特に 3 , 3 ', 4 , 4, 一ビフエニルテトラカルボン酸二無水物が好 ましく使用される。 これは得られるフィルムの強度形成上等の点で好ましく作用 するからである。
本発明で用いられる対称性芳香族テトラカルボン酸ジエステル ひ、一フエステ ル) としては、 上記の非対称性芳香族テトラカルボン酸のジエステル ひ、一フエ ステル) を挙げることができ、 具体的には、 上記対称性芳香族テトラカルボン酸 の 4個のカルボキシル基のうち 2個の力ルポキシル基がエステル化されており、 かつ芳香環上の隣接する 2個の力ルポキシル基の一方がエステル化された化合物 が挙げられる。
上記対称性芳香族テトラカルボン酸ジエステルにおける 2個のエステルとして は、ジ低級アルキルエステル、好ましくはジメチルエステル、ジェチルエステル、 ジプロピルエステル等の アルキルエステル (特に、 ジメチルエステル) が 挙げられる。
上記対称性芳香族テトラカルボン酸ジエステルのうち、 3 , 3 ', 4 , 4 ' —ビ フエニルテトラカルボン酸ジメチルエステル、 3 , 3 ' , 4, 4, —ビフエニルテ トラカルボン酸ジェチルエステル、 2 , 3, 5 , 6—ベンゼンテトラカルボン酸 ジメチルエステルが好ましく、 特に、 3 , 3 ', 4, 4 ' —ピフエニルテトラカル ボン酸ジメチルエステル、 が好ましく使用される。
なお、 上記対称性芳香族テトラカルボン酸ジエステルは、 市販されているか又 は公知の方法により製造することができる。 例えば、 対応する対称性芳香族テト ラカルボン酸二無水物 1に対し、 対応するアルコール (低級アルコール、 好まし くは _3アルコール等) 2 (モル比) を反応させて容易に製造することができ る。 これにより、 原料の酸無水物がアルコールと反応して開環して、 芳香環上の 隣接する炭素上にそれぞれエステル基と力ルポキシル基を有するジエステル (八 —フェステル) が製造される。 '
混合比 '
非対称性及び対称性の芳香族テトラカルボン酸誘導体の混合比は、 非対称性芳 香族テトラカルボン酸誘導体が 10〜55モル% (好ましくは 15〜55モル%、 より 好ましくは 20〜50モル%)程度であり、対称性芳香族テトラカルボン酸誘導体が 90〜45モル% (好ましくは 85〜45モル%、 より好ましくは 80〜50モル%)程度 で特定される。特に、非対称性芳香族テトラカルボン酸二無水物を 20〜50モル% 程度、対称性芳香族テトラカルボン酸二無水物を 80〜50モル%程度用いるのが好 適である。
なお、 前記の対称性及び非対称性の芳香族テトラカルボン酸成分を配合するこ とを必須とするのは、 次の理由による。 対称性の芳香族テトラカルボン酸誘導体 のみでは、 ポリイミドフィルムが結晶性を発現するため加熱処理中に被膜が粉化 してしまいフィルム化することが出来ない。 一方、 非対称性の芳香族テトラカル ボン酸誘導体のみでは、 無端管状 P Iフィルムとして成形はされるが、 得られた 該フィルムの降伏強度と弾性率が弱く、 回転ベルトとして使用した場合、 駆動で の応答性が悪いだけでなく、 初期の段階でベルト#びが発生してしまうなどの問 題がある。
これに対し、上記混合比からなる芳香族テトラカルボン酸誘導体を使用すると、 極めて高い製膜性 (成形性) が可能であり、' しかも高い降伏強度と弾性率を有す る半導電性の無端管状 P Iフィルムが得られる。
また、 非対称性芳香族テトラカルボン酸誘導体を添加することによりポリアミ ド酸分子が曲がつて、 フレキシブル性が生まれると考えられる。
そして、 前記の対称性と非対称性の芳香族テトラカルボン酸誘導体の共存効果 は、 両者が前記に示した混合比の場合に最も有効に発揮される。
( 2 ) 芳香族ジァミン
芳香族ジァミンとしては、 1つの芳香環 (ベンゼン核等) 上に 2個のアミノ基 を有する化合物、 又は 2つ以上の芳香環 (ベンゼン核等) が— 0—、 — S—、 ― C O—、 一 CH2—、 — S O—、 —S 02—等の基若しくは単結合で架橋された 2 個のアミノ基を有する化合物が挙げられる。 具体的には、 例えば、 p—フエニレ ンジァミン、 ο—フエ二レンジァミン、 m—フエ二レンジァミン、 4, 4 ' ージ アミノジフエニルエーテル、 4, 4 ' ージアミノジフエ二ルチオエーテル、 4, 4 ' ージアミノジフエ二ルカルポニル、 4, 4 ' ージアミノジフエニルメタン、 1, 4—ビス (4一アミノフエノキシ) ベンゼン等が挙げられる。 中でも、 4 , 4 ' —ジアミノジフエニルエーテルが特に好ましい。 これらの芳香族ジァミンを 用いることにより、 反応がより円滑に進行すると共に、 より強靭かつ高い耐熱性 のフィルムを製造することができるからである。
( 3 ) 有機極性溶媒
用いる有機極性溶媒としては、 非プロトン系有機極性溶媒が好ましぐ 例えば N—メチル—2—ピロリドン(以下、 「NMP」 と呼ぶ。)、 N, N—ジメチルホル ムアミド、 N, N—ジェチルホルムアミド、 N, N—ジメチルァセトアミド、 ジ メチルスルホキシド、 へキサメチルホスホアミド、 1, 3—ジメチル一 2—イミ ダゾリジノン等が使用される。 これらのうちの 1種又は 2種以上の混合溶媒であ つてもよい。 特に、 NM Pが好ましい。 有機極性溶媒の使用量は、 原料の芳香族 テトラカルボン酸成分と芳香族ジァミンの合計量 100重量部に対し、 100〜300重 量部程度(好ましくは、 150〜250重量部程度) になるように決めればよい。 製造 される芳香族アミド酸オリゴマ一は、上記有機極性溶媒に比較的溶解しやすい為、 使用する溶媒の量を極力低減できるというメリツ卜がある。
( 4 ) 芳香族アミド酸オリゴマー溶液の詾製
■上記の 2種以上の混合芳香族テトラカルボン酸成分及び有機ジァミン成分を有 機極性溶媒中で一部を縮重合反応して、 芳香族アミド酸オリゴマー (数平均分子 量 1000〜7000程度) を調製する方法を、 以下例示する。
第 1の芳香族アミド酸オリゴマーの調製方法として、 2種以上の芳香族テトラ カルボン酸二無水物と芳香族ジァミンとの略等モル量を有機極性溶媒中 80 :程 度以下の温度で重縮合反応することにより、 芳香族アミド酸オリゴマー (数平均 分子量 1000〜7000程度) を製造することができる。
具体的には、非対称性芳香族テトラカルボン酸二無水物 15〜55モル% (好まし くは 20〜50モル%)程度と対称性芳香族テトラカルボン酸二無水物 85〜45モル% (好ましくは 80〜50モル%)程度とからなる混合物を縮重合反応に供する。有機 極性溶媒は上述のものが採用され、 特に NM Pが好ましい。
反応温度を 8 0 °C程度以下としたのは、 芳香族アミド酸オリゴマーを形成する ときにイミド化反応が起こるのを抑制するためである。 より好ましい反応温度は 3 0〜7 0 °Cである。 反応温度が 8 0 °Cを越えると、 イミド化反応によってポリ イミドが形成され易くなるので好ましくない。 反応時間は、 反応温度等により変 化するが、 通常数時間〜 7 2時間程度である。
なお、 芳香族アミド酸オリゴマーの分子量の調節は、 公知のいずれの方法を用 いても構わない。 例えば、 芳香族テトラカルボン酸成分/芳香族ジァミンのモル 比を 0 . 5〜 0 . 9 5で重合して所定の分子量の芳香族アミド酸オリゴマーを形 成した後で、 必要に応じて芳香族テトラカルボン酸成分 Z芳香族ジァミンが略等 モルになるように芳香族テトラカルボン酸成分を添加する方法 (特公平 1—2 2 2 9 0号公報参照) や、 芳香族テトラカルボン酸成分 Z芳香族ジァミンを略等モ ルで反応するに際して、 水のような高分子量化を抑制する化合物を所定量共存さ せる方法 (特公平 2 - 3 8 2 0号公報参照)等により、好適に行うことができる。 第 2の芳香族アミド酸オリゴマーの調製方法として、 2種以上の芳香族テトラ カルボン酸ジエステルと芳香族ジアミンとの略等モル量を、有機極性溶媒中 90〜 120°C程度の温度で縮重合反応することにより、芳香族アミド酸オリゴマー(数平 均分子量 1000〜7000程度) を製造することができる。
具体的には、非対称性芳香族テトラ力ルポン酸ジエステル 15〜55モル% (好ま しくは 20〜50モル%) 程度と対称性芳香族テトラカルボン酸ジエステル 85〜45 モル%(好ましくは 80〜50モル%)程度とからなる混合物を縮重合反応に供する。 有機極性溶媒は上述のものが採用され、 特に NM Pが好ましい。
所望の分子量を有する芳香族アミド酸オリゴマーを調整するためには、 その反 応温度と反応時間が密接に関連する。 加熱温度は、 通常 90〜! 20°C程度であれば よいが、 反応温度が高温域にある場合は、 イミド体の生成量 (イミド化率) や高 分子量ィヒを抑えるために反応時間を短くするのが好ましい。 また、 加熱処理は、 所定温度まで徐々に昇温していき、 所定温度で 1〜 3時間程度反応させて、 その 後冷却すればよい。例えば、 1時間〜 4時間程度かけて 90〜120°C程度に昇温し、 同温度で 30分〜 2時間程度反応させて冷却すればよい。 上記第 1及び第 2の調製方法において、 略等モル量とは、 所定のオリゴマー程 度の芳香族アミド酸を調製でき、 ひいては目的とする半導電性管状 P Iフィルム が得られる反応比を意味する。 なお、 両成分を有機極性溶媒に均一に溶解させる 場合に、 必要に応じ加熱 (例えば、 40〜70°C程度) してもよい。
上記第 1及び第 2の調製方法により芳香族ァミド酸ォリゴマー溶液が調製され るが、 その数平均分子量 (Mn) は、 1000〜7000程度 (好ましくは 3000〜7000程 度) に調製される。 この範囲に特定する意義は、数平均分子量が 1000以下(すな わち、モノマー、ノ マー程度)では導電特性への効果が得られないからであり、 数平均分子量が 7000以上ではオリゴマーの溶解度が極度に低下するため溶液が ゲル化するなどして使用できなくなってしまうからである (例えば、 比較例 B— 1を参照)。なお、数平均分子量は、例えば、実施例に記載の方法により測定する ことができる。
本発明の数平均分子量 (Mn) が 1 0 0 0〜7 0 0 0程度に調製された芳香族 アミド酸オリゴマーは、 通常は重量平均分子量 (Mw) との比 (MwZMn) が 2以下である。
この加熱処理により製造される芳香族アミド酸オリゴマー溶液は、 主成分は芳 香族アミド酸オリゴマーであるが、 その一部がさらに反応が進行したイミド化さ れたもの等を含有していてもよい。 しかし、 芳香族アミド酸オリゴマー中のイミ ド体の生成率(イミド化率) は、 30%以下、'好ましくは 25%以下、特に 20%以下 であることが好ましい。 なお、 副生するイミド体の生成量 (イミド化率) は、 例 えば、 実施例に記載の方法により測定することができる。
また、芳香族アミド酸オリゴマー溶液中の不揮発分濃度を、 30〜45重量%程度 の高い濃度に調製することができる。 このように高い不揮発分濃度に調製できる のは、 高分子量化していないオリゴマーであるために溶媒に溶解しやすいからで ある。 そのため、 容易に膜厚のあるフィルムを製造することができ、 使用する溶 媒の量が少ないためコストが抑えられ溶媒の蒸発除去が簡便になる。 なお、 本明 細書で用いる 「不揮発分濃度」 とは、 実施例 B— 1に記載の方法により測定され た濃度を意味する。
( 5 ) 半導電性芳香族アミド酸組成物の調製 かくして得られる芳香族アミド酸オリゴマ一溶液は、 導電性 C B粉体と均一に 混合されて、 半導電性芳香族 yミド組成物が調製される。.
電気抵抗特性付与のために C B粉体が使用される理由は、 他の一般に知られて いる金属や金属酸化物の導電材と比較して) 調製されたモノマ混合溶液との混合 分散性と安定性 (混合分散後の経時変化) に優れ、 且つ重縮合反応への悪影響が ないことによる。
この C B粉体は、その製造原料(天然ガス、 アセチレンガス、 コ―ルタール等) と製造条件 (燃焼条件) とによって種々の物性 (電気抵抗、 揮発分、 比表面積、 粒径、 p H値、 D B P吸油量等) を有したものがある。 可能なかぎり少量の混合 分散でもって、 所望する電気抵抗がバラックこともなく、 安定して得られ易いも のを選ぶのが良い。
この導電性 C B粉体は、通常平均粒子径が 15〜65 nm程度であり、特にカラー プリン夕一、 カラ一複写機等に用いる電子写真方式の中間転写ベルト等に用いる 場合、 平均粒子径 20〜40 n m程度のものが好適である。
例えば、 チャンネルブラック、 酸化処理したファーネスブラック等が挙げられ る。 具体的には、 デグサ社製のスペシャルブラック 4 (pH3、 揮発分 14%、 粒子 径 25nm) やスペシャルブラック 5 (pH3、 揮発分 15%、 立子径 20nm) などが例示 される。
C B粉体を芳香族アミド酸オリゴマー溶 ¾に混合する方法は、 C B粉体が芳香 族アミド酸オリゴマ一溶液中に均一に混合、 分散される方法であれば特に制限は ない。 例えば、 ポールミル、 サンドミル、 超音波ミル等が用いられる。
添加される C B粉体の量は、 芳香族アミド酸オリゴマーの原料である芳香族テ トラカルボン酸成分と有機ジアミンの合計量 100重量部に対し、 3〜30重量部程 度 (好ましくは 10〜25重量部程度) 用いるのが好ましい。
ここで C B粉体を上記の範囲で用いるのは、 フィルムに半導電領域にある体積 抵抗率 (V R) 及び表面抵抗率 (S R) を付与するためである。 なお、 下限が 3 重量部程度以上であるのは十分な導電性を得るためにはこの程度の量が必要であ るためであり、上限が 30重量部程度以下であるのは、より低い抵抗を発現すると ともに、 成形性を維持しフィルム自身の物性の低下を防ぐためである。 半導電性芳香族アミド酸組成物における不揮発分濃度は、 30~45重量%程度で あり、 該不揮発分中の C B粉体の濃度は 3〜25重量%程度 (好ましくは 10〜20 重量 程度)、 芳香族アミド酸オリゴマー由来の不揮発分の濃度は 75〜97重量% 程度 (好ましくは 80〜90重量%程度) 含有する。
なお、 本発明の効果に悪影響を与えない範囲で、 上記組成物中にイミダゾール 系化合物 (2—メチルイミダゾール、 1, 2—ジメチルイミダゾール、 2—メチル一4 ーメチルイミダゾール、 2—ェチルー 4—ェチルイミダゾール、 2—フエ二ルイミダ ゾ一ル)、 界面活性剤 (フッ素系界面活性剤等) 等の添加剤を加えてもよい。 かくして C B粉体が均一に分散された成形用の半導電性芳香族アミド酸組成物 が製造される。
B— 2 . 半導電性無端管状ポリイミドフィルム
次に、 前記調製された半導電性芳香族アミド酸組成物を使った半導電性無端管 状ポリイミドフィルムの成形手段について説明する。
この成形手段は、 回転ドラムを使う回転成形方法が採用される。 まず半導電性 芳香族アミド酸組成物を回転ドラムの内面に注入し、内面全体に均一に流延する。 注入'流延の方法は、 例えば停止している回転.ドラムに、 最終フィルム厚さを 得るに相当する量の半導電性芳香族アミド酸組成物を注入した後、 遠心力が働く 速度にまで徐々に回転速度を上げて、遠心力でもつて内面全体に均一に流延する。 或いは注入 ·流延は遠心力を使わなくても'できる。 例えば、 横長のスリット状の ノズルを回転ドラム内面に配置し、該ドラムをゆっくりと回転しつつ、 (その回転 速度よりも速い速度で) 該ノズルも回転する。 そして成形用の半導電性芳香族ァ ミド酸組成物を該ノズルから該ドラム内面に向つて全体に均一に噴射する方法で ある。
尚、 いずれの方法も回転ドラムは、 内面が鏡面仕上げされ、 両端縁には、 液モ レ防止のためのパリヤーが周設される。 該ドラムは、 回転ローラ上に載置し、 該 ローラの回転により間接的に回転が行われる。
また加熱は、 該ドラムの周囲に例えば遠赤外線ヒータ等の熱源が配置され外側 からの間接加熱が行われる。 また該ドラムの大きさは、 所望する半導電管状 P I フィルムの大きさにより決まる。 加熱は、 ドラム内面を徐々に昇温し、 まず ioo〜r9o°c程度、 好ましくは iio°c
〜130°C程度に到達せしめる(第 1加熱段階)。昇温速度は、例えば、 l〜2°C/min 程度で.あればよい。 上記の温度で 1〜 2時間維持し、 およそ半分以上の溶剤を揮 発させて自己支持性のある管状フィルムを成形する。 イミド化を行うためには 280°C以上の温度まで達する必要があるが、最初からこのような高温で加熱すると ポリイミドが高い結晶化を発現し、 CBの分散状態に影響を与えるだけでなく、 強勒な被膜が形成されないなどの問題がある。 そのため、 第 1加熱段階として、 せいぜい上限温度を 190°C程度に押え、 この温度で重縮合反応を終了させて強靭 な管状 P Iフィルムを得る。
この段階が終了したら次に第 2段階加熱としてイミド化を完結するため加熱を 行うが、その温度は 280〜400°C程度(好ましくは 300〜380 程度)である。 この 場合も、 第 1段階加熱温度から一挙にこの温度に到達するのではなく、 徐々に昇 温して、 その温度に達するようにするのが良い。
なお、 第 2段階加熱は、 無端管状フィルムを回転ドラムの内面に付着したまま 行っても良いし、 第 1加熱段階を終わったら、 回転ドラムから無端管状フィルム を剥離し、 取出して別途イミド化のための加熱手段に供して、 280〜400°Cに加熱 してもよい。このイミド化の所用時間は、通常約 2〜3時間程度である。従って、 第 1及び第 2加熱段階の全工程の所要時間は、 通常 4〜 7時間程度となる。 かくして本発明の半導電性無端管状 P Iライルムが製造される。 このフィルム の厚みは特に限定はないが、通常 50〜150 ΠΙ程度、好ましくは 60〜120 m程度 である。特に、電子写真方式の中間転写ベルトとして用いる場合は、 75〜100 m 程度が好ましい。
このフィルムの半導電性は、 体積抵抗率 (Ω · cm) (以下、 「VR」 と呼ぶ。) と表面抵抗率 (Ω/D) (以下、 「SR」 と呼ぶ。) との両立によって決まる電気抵 抗特性であり、 この特性は、 CB粉体の混合分散により付与される。 そしてこの 抵抗率の範囲は、 基本的には該 CB粉体の混合量によって自由に変えられる。 本 発明のフィルムにおける抵抗率の範囲としては、 VR: 102〜1014、 SR: 103~1015であり、 好ましい範囲としては、 VR: 106〜1013、 SR: 1 07〜1014が例示できる。 これらの抵抗率の範囲は、 上述の CB粉体の配合量 を採用することにより容易に達成することができる。 なお、 本発明のフィルム中 における C Bの含有量は、通常 3〜25重量%程度、好ましくは 10〜20重量%程度 となる。
本発明の半導電性 P Iフィルムは、 極めて均質な電気抵抗率を有している。 す なわち、 本発明の半導電性 P Iフィルムは、 表面抵抗率 S R及び体積抵抗率 VR の対数換算値のバラツキが小さいという特徴を有し、 フィルム内全測定点におけ るそれぞれの対数換算値の標準偏差が 0. 2以内、 好ましくは、 0· 15以内である。 また、 フィルム表面と裏面の表面抵抗率 (対数換算値) の差が小さいという特徴 を有し、 その差は 0.4以内、 好ましくは 0. 2以内である。 さらに、 表面抵抗率の 対数換算値 LogSRから体積抵抗率の対数換算値 LogVRを引いた値が、 1.0〜3. 0、 好ましくは 1. 3〜3. 0と高い値に維持できるという特徴を備えている。
本発明の P Iフィルムが上記の優れた電気的特性を有するのは、 該フィルムの 製造工程で、 「芳香族アミド酸オリゴマー」と C B粉体とが混合された半導電性芳 香族アミド酸組成物を採用しているためであると考えられる。 すなわち、 該組成 物では C B粉体が芳香族アミド酸オリゴマー中に均一に分散しているが、 フィル ム製造工程においてその均一分散性を保持したま高分子量化することができるた め、 本発明の P Iフィルムには優れた特性が付与されたと考えられる。
本発明の P Iフィルムはその優れた電気抵抗特性等の機能によって、 その用途 は多岐にわたる。 例えば、 帯電特性を必要とする重要な用途として.、 カラ一プリ ン夕一、 カラ一複写機等に用いる電子写真方式の中間転写ベルト等が挙げられる 。 該ベルトとして必要な半導電性 (抵抗率) は、 例えば VR 1 0 9〜1 0 1 2、 S R 1 0 1 Q〜 1 0 13であり、 本発明の半導電性無端管状 P Iフィルムを好適に用い ることができる。
また、 本発明の半導電性 P Iフィルムは、 ベルトとしての性能に優れ、 高い降 伏強度 ( σ γ) 及び破断強度 ( a c r) を有している。 降伏強度 (σ γ) は、 1 2 0 MP a以上、 特に 1 2 0〜1 6 O MP aであり、 破断強度と降伏強度の比 (a c r / σ γ) は、 1 . 1 0以上、 特に 1 . 1 0〜1 . 3 5程度である。
C. 第 3発明
本発明の半導電性無端管状ポリイミド系フィルム (以下、 「半導電性管状 Ρ I系 フィルム」 とも呼ぶ) は、半導電性ポリイミド系前駆体組成物(以下、 「半導電性 P I前駆体組成物」 とも呼ぶ) を用いて回転成形し加熱処理 (イミド化) するこ とにより製造される。
C - 1 . 半導電性ポリイミド系前駆体組成物
本発明の半導電性ポリイミド系前駆体組成物は、 有機極性溶媒に 2種以上の芳 香族テトラ力ルポン酸ジエステルと芳香族ジアミンとの略等モル量を溶解したナ ィ口ン塩型モノマー溶液に、 高分子量のポリイミド前駆体溶液又は高 量のポ リアミドイミド溶液を混合して混合溶液を調製し、 該混合溶液にカーボンブラッ ク (以下、 「C B」 とも呼ぶ) を均一分散させて製造される。
( 1 ) 芳香族テトラカルボン酸ジエステル (ハーフエステル)
成形原料である 2種以上の芳香族テトラカルボン酸ジエステルとしては、 非対 称性芳香族テトラカルボン酸ジエステルの少なくとも 1種と対称性芳香族テトラ カルボン酸ジエステルの少なくとも 1種との混合物が用いられる。
本発明で用いられる非対称性芳香族テトラカルボン酸のジエステルについて、 以下説明する。
ここで、非対称性芳香族テトラカルボン酸とは、単環若しくは多環の芳香環(ベ ンゼン核、 ナフタレン核、 ビフエ二ル核、 アン卜ラセン核等) に 4個のカルボキ シル基が点対象でない位置に結合した化合物、 或いは 2個の単環芳香環 (ベンゼ ン核等) が一 C O—、 —CH2—、 一 S〇2—等の基又は単結合で架橋されたィ匕合 物に 4個のカルボキシル基が点対象でない位置に結合した化合物が挙げられる。 非対称性芳香族テトラカルボン酸の具体例としては、 1, 2 , 3 , 4一べンゼ ンテトラカルボン酸、 1, 2 , 6, 7—ナフタレンテトラカルボン酸、 2, 3, 3, , 4, —ビフエニルテトラカルボン酸、 2 , 3 , 3,,4, 一ベンゾフエノンテトラ力 ルボン酸、 2, 3 , 3,,4,—ジフエニルエーテルテトラカルボン酸、 2 , 3, 3,, 4, —ジフエニルメタンテトラカルボン酸、 2, 3, 3 ',4 ' ージフエニルスルフ オンテトラカルボン酸等が挙げられる。
本発明で用いられる非対称性芳香族テトラカルボン酸ジエステル (ハーフエス テル) としては、 上記の非対称性芳香族テトラカルボン酸のジエステルを挙げる ことができ、 具体的には、 上記非対称性芳香族テトラカルボン酸の 4個のカルボ キシル基のうち 2個のカルボキシル基がエステル化されており、 かつ芳香環上の 隣接する 2個の力ルポキシル基の一方がエステル化された化合物が挙げられる。 上記非対称性芳香族テトラ力ルポン酸ジエステルにおける 2個のエステルとし ては、 ジ低級アルキルエステル、 好ましくはジメチルエステル、 ジェチルエステ ル、 ジプロピルエステル等の アルキルエステル (特に、 ジメチルエステル) が挙げられる。
上記非対称性芳香族テトラカルボン酸のジエステルのうち、 2, 3 , 3 ', 4 '一 ビフエ二ルテトラ力ルポン酸ジメチルエステル、 2, 3, 3 ', 4, ービフエニルテ トラ力ルポン酸ジェチルエステルが好ましく、特に、 2, 3, 3 ' , 4, ービフエ二 ルテトラカルボン酸ジメチルエステルが好ましく使用される。
なお、 上記非対称性芳香族テトラカルボン酸ジエステルは、 市販されているか 又は公知の方法により製造される。 例えば、 対応する非対称性芳香族テトラカル ボン酸二無水物 1に対し、 対応するアルコール (低級アルコール、 好ましくは C 3アルコール等) 2 (モル比) を反応させて容易に製造することができる。 こ れにより、 原料の酸無水物がアルコールと反応して開環して、 芳香環上の隣接す る炭素上にそれぞれエステル基と力ルポキシル基を有するジエステル ひ、一フエ ステル) が製造される。
次に、 本発明で用いられる対称性芳香族テトラカルボン酸のジエステルについ て、 以下説明する。
ここで、 対称性芳香族テトラカルボン酸とは、 単環若しくは多環の芳香環 (ベ ンゼン核、 ナフタレン核、 ビフエ二ル核、 アントラセン核等) に 4個のカルポキ シル基が点対称な位置に結合した化合物、 或いは 2個の単環芳香環 (ベンゼン核 等) が— C O—、 一 O—、 — CH2—、 —S〇2—等の基又は単結合で架橋された 化合物に 4個の力ルポキシル基が点対称な位置に結合した化合物が挙げられる。 対称性芳香族テトラカルボン酸の具体例としては、 1 , 2 , 4 , 5—ベンゼン テトラカルボン酸、 2, 3 , 6 , 7—ナフタレンテトラカルボン酸、 3 , 3 ' , 4, 4 ' —ビフエニルテトラカルボン酸、 3 , 3 ' , 4, 4 ' —ベンゾフエノンテトラ力ルポ ン酸、 3, 3,, 4 , 4 ' —ジフエ二ルェ一テルテトラカルボン酸、 3, 3,,4, 4, —ジフエニルメタンテトラカルポン酸、 3, 3,,4, 4, 一ジフエニルスルフォン テトラカルボン酸等が挙げられる。 - 本発明で用いられる対称性芳香族テトラカルボン酸ジエステル (八一フエステ ル) としては、 上記の対称性芳香族テトラカルボン酸のジエステル (ハーフエス テル) を挙げることができ、 具体的には、 上記対称性芳香族テトラカルボン酸の 4個の力ルポキシル基のうち 2個の力ルポキシル基がエステル化されており、 か つ芳香環上の隣接する 2個の力ルポキシル基の一方がエステル化された化合物が 挙げられる。
上記対称性芳香族テトラカルボン酸ジエステルにおける 2個のエステルとして は、ジ低級アルキルエステル、好ましくはジメチルエステル、ジェチルエステル、 ジプロピルエステル等の ( ^ 3アルキルエステル (特に、 ジメチルエステル) が 挙げられる。
上記対称性芳香族テトラカルボン酸ジエステルのうち、 3 , 3 ', 4 , 4 ' ービフ ェニルテトラカルボン酸ジメチルエステル、 3, 3,, 4 , 4 ' ービフエニルテトラ カルボン酸ジェチルエステル、 1, 2 , 4 , 5—ベンゼンテトラカルボン酸ジメ チルエステル、 1, 2, 4 , 5—ベンゼンテトラ力ルポン酸ジェチルエステルが 好ましく、 特に、 3, 3,,4 , 4, -ビフエニルテトラカルボン酸ジメチルエステ ルが好ましく使用される。
なお、 上記対称性芳香族テトラ力ルポン酸ジエステルは、 市販されているか又 は公知の方法により製造することができる。 例えば、 対応する対称性芳香族テト ラカルボン酸二無水物 1に対し、 対応するアルコール (低級アルコール、 好まし くは アルコール等) 2 (モル比) を反応させる等の公知の方法により容易 に製造することができる。 これにより、 原料の酸無水物がアルコールと反応して 開環して、 芳香環上の隣接する炭素上にそれぞれエステル基と力ルポキシル基を 有するジエステル ひ、一フェステル) が製造される。
非対称性及び対称性の芳香族テトラ力ルポン酸ジエステルの混合比は、 非対称 性芳香族テトラ力ルポン酸ジエステルが 10〜50モル% (好ましくは 20〜40モ ル%)程度であり、対称性芳香族テトラカルボン酸ジエステルが 90〜50モル% (好 ましくは 80〜60モル%)程度で特定される。特に、非対称性及テトラカルボン酸 ジエステルを 20〜30モル%程度、 対称性芳香族テトラ力ルポン酸ジエステルを 70〜80モル%程度用いるのが好適である。
なお、 前記の対称性及び非対称性芳香族テトラカルボン酸ジエステルを配合す ることを必須とするのは、 次の理由による。 対称性の芳香族テトラカルボン酸ジ エステルのみでは、 ポリイミドフィルムが結晶性を発現するため加熱処理中に被 膜が粉化してしまいフィルム化することが出来ない。 一方、 非対称性の芳香族テ トラカルボン酸誘導体のみでは、 無端管状 P Iフィルムとして成形はされるが、 得られた該フィルムの降伏強度と弾性率が弱く、回転ベルトとして使用した場合、 駆動での応答性が悪いだけでなく、 初期の段階でベルト伸びが発生してしまうな どの問題がある。 - これに対し、 混合芳香族テトラ力ルポン酸ジエステルを使用すると、 極めて高 い製膜性 (成形性) が可能であり、 しかも高い降伏強度と弾性率を有する半導電 性の無端管状 P Iフィルムが得られる。
また、 非対称性芳香族テトラカルボン酸ジエステルを添加することによりポリ アミド酸分子が曲がって、 フレキシブル性が生まれると考えられる。
そして、 前記の対称性と非対称性の芳香族テトラカルボン酸誘導体の共存効果 は、 両者が前記に示した混合比の場合に最も有効に発揮される。
( 2 ) 芳香族ジァミン
芳香族ジァミンとしては、 1つの芳香環 (ベンゼン核等) 上に 2偭のァミノ基 を有する化合物、 又は 2つ以上の芳香環 (ベンゼン核等) が、— O—、 一 S—、 一 C O—、 — CH2—、 —S O―、 —S〇2—等の基若しくは単結合で架橋された 2 個のアミノ基を有する化合物が挙げられる。 具体的には、 例えば、 p—フエニレ ンジァミン、 o—フエ二レンジァミン、 m—フエ二レンジァミン、 4,4 'ージァ ミノジフエ二ルエーテル、 4, 4 ' ージアミノジフエ二ルチオエーテル、 4 , 4 ' ージアミノジフエ二ルカルポニル、 4, 4 ' ージアミノジフエニルメタン、 1 , 4 —ビス (4一アミノフエノキシ)ベンゼン等が挙げられる。 中でも、 4, 4 'ージ アミノジフエニルエーテルが特に好ましい。 これらの芳香族ジァミンを用いるこ とにより、 反応がより円滑に進行すると共に、 より強靭力り高い耐熱性のフィル ムを製造することができるからである。
( 3 ) ナイロン塩型モノマー溶液 上記の 2種以上の芳香族テトラカルボン酸ジエステルと芳香族ジァミンの略等 モル量を有機極性溶媒中に均一に溶解して、 ナイロン塩型モノマー溶液が調製さ れる。.なお、 両成分を有機極性溶媒に均一に溶解させる場合〖こ、 必要に応じ加熱 (例えば、 40〜70°C程度) してもよい。 両性分は、 撹拌等の公知の混合方法を用 いて有機極性溶媒に溶解させればよい。
用いる有機極性溶媒としては、 非プロトン系有機極性溶媒が好ましぐ 例えば N—メチルー 2—ピロリドン(以下、 「NMP」 と呼ぶ。)、 N, N—ジメチルホル ムアミド、 N, N—ジェチルホルムアミド、 N, N—ジメチルァセ卜アミド、 ジ メチルスルホキシド、 へキサメチルホスホアミド、 1,- 3—ジメチルー 2—イミ ダゾリジノン等が使用される。 これらのうちの 1種又は 2種以上の混合溶媒であ つてもよい。 特に、 NMPが好ましい。 有機極性溶媒の使用量は、 原料の 2種以 上の芳香族テトラカルボン酸ジエステルと芳香族ジアミンの合計量 100重量部に 対し、 100〜300重量部程度(好ましくは、 120〜200重量部程度) になるように決 めればよい。
上記のナイロン塩型モノマー溶液は、 例えば、 有機極性溶媒中で芳香族テトラ カルボン酸ジエステルのカルボン酸イオンと芳香族ジァミンのアンモニゥムィォ ンのイオン対が、 実質的モノマー状態をとつていると考えられる (例えば下記式 を参照)。また、実質的モノマ一状態であるため上記の有機極性溶媒に極めて溶解 しゃすく、 使用する溶媒の量を極力低減できるというメリツ卜がある。
ROOC、 COO"
Ar +琴一 Ar'— NH3+
-OOC COOR
(式中、 A rは芳香族テトラカルボン酸から 2つの力ルポキシル基と 2つのエス テル基を除いた 4価の基、 A r ' は芳香族ジァミンから 2つのアミノ基を除いた 2価の基、 Rはアルキル基を表す。)
(4) 高分子量ポリイミド前駆体溶液又は高分子量ポリアミドイミド溶液 高分子量ポリイミド前駆体溶液としては、 数平均分子量 10000以上のポリアミ ド酸溶液が用いられ、 高分子量ポリアミドイミド溶液としては、 数平均分子量 10000以上のポリアミドイミド溶液が用いられる。 なお、 本明細書における数平 均分子量は、 GPC法 (溶媒:匿、 ポリエチレンオキサイド換算) により測定した 値である。
ポリアミド酸溶液
数平均分子量が 10000以上のポリアミド酸溶液は、 例えば、 有機極性溶媒中、 ビフエニルテトラ力ルポン酸ニ無水物とジアミノジフエ二ルェ一テル成分とを出 発原料に用いて公知の方法により製造される。 有機極性溶媒は、 上記ナイロン塩 型モノマ一溶液で用いられる有機極性溶媒を用いることができる。
ビフエニルテトラカルボン酸二無水物としては、 2, 3, 3 ', 4 ' —ビフエニル テトラカルボン酸二無水物 (a- BPDA)、 3 , 3 ',4, 4 ' ービフエニルテトラカル ボン酸二無水物 (s-BPDA) , 2 , 2, , 3 , 3 ' —ビフエニルテトラカルボン酸二無 水物などを挙げることができる。
ジアミノジフエニルエーテル成分としては、例えば、 4, 4, ージアミノジフエ ニルエーテル、 3, 3 ' —ジアミノジフエニルエーテル、 3 , 4 ' —ジアミノジフ ェ二ルェ一テル等が挙げられる。
ビフエ二ルテトラカルボン酸二無水物とジアミノジフエ二ルェ一テル成分の配 合量は、 略等モル量であればよい。 両者の重縮合反応は、 公知の方法を採用する ことができ、 例えば、 ジアミノジフエニルエーテル成分を含む溶液に、 室温 (15 〜30°C程度) でビフエニルテトラカルボン酸成分を添加しアミド化させてポリア ミド酸溶液を調製する方法が挙げられる。 得られるポリアミド酸の数平均分子量 は、 10000以上であり、 好ましくは 12000〜20000である。
ポリアミドイミド溶液
また、 数平均 量 10000以上のポリアミドイミド溶液は、 例えば、 有機極性 溶媒中、 トリメリット酸無水物とベンゾフエノンテトラカルボン酸無水物からな る酸無水物と芳香族イソシァネートとの縮重合等の公知の反応によって製造され る。 有機極性溶媒は、 上記ナイロン塩型モノマー溶液で用いられる有機極性溶媒 を用いることができる。
酸無水物中、 トリメリット酸無水物が 70〜95モル%程度、ベンゾフエノンテト ラカルボン酸無水物が 5〜30モル%程度であればよい。 芳香族イソシァネートとしては、例えば、ビトリレンジイソシァネート、 3,3' - ジフエニルスルホンジイソシァネート、イソホロンジシソシァネート、 1, 4—ジィ ソシァネート、 4, 4' -ジシクロへキシルメタンジイソシァネート、 m-キシレンジ シソシァネート、 P-キシレンジシソシァネート、 1, 4ーシクロへキシレンジイソシ ァネートなどを挙げることができる。
酸成分中のカルボキシル基及び ¾無水物基の総数と、 芳香族ィソシァネ一ト基 の総数が略等量となるように用いれば良い。
ポリアミドイミドの数平均分子量は、 10000以上であり、 好ましくは 15000〜 20000程度である。 - ( 5 ) 混合溶液
上記のナイロン塩型モノマー溶液と、 高^?量ポリイミド前駆体溶液又は高分 子量ポリアミドイミド溶液とを混合することにより、 混合溶液が調製される。 こ の混合は、 プロペラ式攪拌機、 マグネチックスターラー、 ポットミル等の公知の 方法を採用することができる。
両者の混合量 (比) は、 ナイロン塩型モノマ一溶液中の不揮発分重量 100重量 部に対して、 高分子量ポリイミド前駆体溶液 (特に、 数平均分子量が 10000以上 のポリアミド酸溶液)、 又は高分子量ポリアミドイミド溶液 (数平均分子量が
10000以上のポリアミドイミド溶液) の不揮発分重量が 10^50重量部程度(好ま しくは、 20〜30重量部程度)となる範囲が好ましい。なお、本明細書で用いる「不 揮発分重量」 とは、 実施例 C一 1に記載の方法により測定された量を意味する。 なお、 高分子量ポリイミド前駆体溶液又は高分子量ポリアミドイミド溶液の不 揮発分重量が、ナイ口ン塩型モノマーの不揮発分重量に対して 10重量部未満では 本発明の効果が達成されにくく、また 50重量部を超えた溶液に力一ボンブラック を添加すると、 粘度の増加率が顕著に高くなり、 カーボンブラックの粉砕が困難 となり、 結果的に有機極性溶媒を多量に添加することが必要となり、 生産効率が 悪くなる。
( 6 ) 半導電性 P I前駆体組成物
続いて、 該混合溶液に導電性 C B粉体を均一に分散させて、 半導電性 P I前駆 体組成物が調製される。 電気抵抗特性付与のために C B粉体が使用される理由は、 (他の一般に知られ ている金属や金属酸化物の導電材と比較して) 調製されたモノマー混合溶液との 混合分散性と安定性 (混合分散後の経時変化) に優れ、 且つ重縮合反応への悪影 響がないことによる。
この C B粉体は、その製造原料(天然ガス、 アセチレンガス、 コールタール等) と製造条件 (燃焼条件) とによって種々の物性 (電気抵抗、 揮発分、 比表面積、 粒径、 p H値、 D B P吸油量等) を有したものがある。 可能なかぎり少量の混合 分散でもって、 所望する電気抵抗がバラックこともなく、 安定して得られ易いも のを選ぶのが良い。 - この導電性 C B粉体は、 通常平均粒子径が 15〜65 nm程度であり、 特にカラ 一プリン夕一、 力ラ一複写機等に用いる電子写真方式の中間転写ベルト等に用い る場合、 平均粒子径 20〜40 nm程度のものが好適である。
ケッチェンブラックやアセチレンブラックなどの導電指標の高いものは、 2次 凝集 (ストラクチャー) が発生し易く、 導電性の連鎖が起こりやすく半導電領域 でのコントロールが困難である。 そこで、 ストラクチャー形成しにくい酸性カー ボンブラックを用いることが有効である。
例えば、 チャンネルブラック、 酸化処理したファーネスブラック等が挙げられ る。 具体的には、 デグサ社製のスペシャルブラック 4 (pH3、 揮発分 14%、 粒子 径 25nm) やスペシャルブラック 5 (pH3、 揮発分 15%、 粒子径 20mn) などが例示 される。
C B粉体の混合方法は、 C B粉体が混合溶液 C中に均一に混合、 分散される方 法であれば特に制限はない。 例えば、 ポールミル、 サンドミル、 超音波ミル等が 用いられる。
添加される C B粉体の量は、 1)ナイ口ン塩型モノマーの原料である芳香族テト ラカルボン酸成分及び有機ジァミンと、 2)高分子量ポリイミド前駆体の原料であ る酸無水物及びジァミン、 又は高分子量ポリアミドイミドの原料である酸無水物 及び芳香族イソシァネ一ト、 との合計量 100重量部に対し、 5〜40重量部程度(好 ましくは 10〜30重量部程度)を配合するのが好ましい。ここで C B粉体を上記の 範囲で用いるのは、 フィルムに半導電領域にある体積抵抗率 (V R) 及び表面抵 抗率 (S R) を付与するためである。 なお、 下限が 5重量部以上であるのは十分 な導電性を得るためにはこの程度の量が必要であるためであり、上限が 40重量部 以下であるのは、 より低い抵抗を発現するとともに、 成形性を.維持しフィルム自 身の物性の低下を防ぐためである。
半導電性 P I前駆体組成物における不揮発分の濃度は、 20〜60重量%程度であ り、 該不揮発分中の C B粉体の濃度は 5〜 3 0重量%程度 (好ましくは 9〜 2 3 重量%程度) 含有する。 なお、 本明細書で用いる 「不揮発分濃度」 とは、 実施例 C - 1に記載の方法により測定された濃度を意味する。
なお、 本発明の効果に悪影響を与えない範囲で、 上記組成物中にイミダゾール 系化合物 (2 -メチルイミダゾール、 1, 2—ジメチルイミダゾ一ル、 2 -メチル- 4 -メチルイミダゾール、 2 -ェチル- 4 -ェチルイミダゾール、 2-フエ二ルイミダ ゾ一ル)、 界面活性剤 (フッ素系界面活性剤等) 等の添加剤を加えてもよい。 かくして C B粉体が均一に分散された成形用の半導電性 P I前駆体組成物が製 造される。
本発明の半導電性 P I前駆体組成物では、 高分子量ポリイミド前駆体溶液又は 高分子量ポリアミドイミド溶液を、 ナイロン塩型モノマーに混合することで、 力 一ポンプラックが均一分散した状態の貯蔵安定性が格段に向上する。 しかも、 こ れを用いた半導電性 P I前駆体組成物を回転成形して得られる導電性管状ポリィ ミド系フィルムは、 その厚み方向に極めて安定かつ均質な電気抵抗率を有する導 電性が付与される。 この原因は定かでないが、 ポリイミド系前駆体組成物に比較 的に高い数平均分子量を持つたポリマーが存在することにより、 このポリマ一成 分と力一ボンブラックの物理的な絡まりや粘性によってカーボンブラックの凝集 を抑えたためと思われる。 また、 回転成形でのカーボンブラック粒子が受ける遠 心力の影響をポリマーの粘性によって緩和されるだけでなく、 溶媒揮発における 温度対流や蒸発対流の影響も緩和できると思われる。 さらに、 加熱によるポリィ ミド化反応速度を緩やかにする効果もあると考えられる。
11. 導電性無端管状ポリイミド系フィルム
次に、 前記調製された半導電性 P I前駆体組成物を使った導電性管状 P I系フ ィルムの成形手段について説明する。 この成形手段は、 回転ドラムを使う回転成形方法が採用される。 まず半導電性 P I前駆体組成物を回転ドラムの内面に注入し、 内面全体に均一に流延する。 注入'流延の方法は、 例えば停止している回転ドラムに、 最終フィルム厚さを 得るに相当する量の半導電性 P I前駆体組成物を注入した後、 遠心力が働く速度 にまで徐々に回転速度を上げる。 遠心力でもって内面全体に均一に流延する。 或 いは注入 ·流延は遠心力を使わなくてもできる。 例えば、 横長のスリット状のノ ズルを回転ドラム内面に配置し、該ドラムをゆっくりと回転しつつ、 (その回転速 度よりも速い速度で) 該ノズルも回転する。 そして成形用の半導電性 P I前駆体 組成物を該ノズルから該ドラム内面に向って全体に均 "^に噴射する方法である。 尚、 いずれの方法も回転ドラムは、 内面が鏡面仕上げされ、 両端縁には、 液モ レ防止のためのパリヤーが周設される。 該ドラムは、 回転ローラ上に載置し、 該 ローラの回転により間接的に回転が行われる。
また加熱は、 該ドラムの周囲に例えば遠赤外線ヒー夕等の熱源が配置され外側 からの間接加熱が行われる。 また該ドラムの大きさは、 所望する半導電管状 P I フィルムの大きさにより決まる。
加熱は、 ドラム内面を徐々に昇温し、 まず 100〜190°C程度、 好ましくは 110°C 〜130 程度に到達せしめる (第 1加熱段階)。昇温速度は、例えば、 l〜2°CZmin 程度であればよい。 上記の温度で 1〜 3時間維持し、 およそ半分以上の溶剤を揮 発させて自己支持性のある管状フィルムを成形する。 イミド化を行うためには 280°C以上の温度まで達する必要があるが、最初からこのような高温で加熱すると ポリイミドが高い結晶化を発現し、 C Bの分散状態に影響を与えるだけでなく、 強靭な被膜が形成されないなどの問題がある。 そのため、 第 1加熱段階として、 せいぜい上限温度を 190 程度に押え、 この温度で重縮合反応を終了させて強靭 な管状 P Iフィルムを得る。
この段階が終了したら次に第 2段階加熱としてイミド化を完結するため加熱を 行うが、 その温度は 280〜400°C程度(好ましくは 300〜380°C程度)である。 この 場合も、 第 1段階加熱温度から一挙にこの温度に到達するのではなく、 徐々に昇 温して、 その温度に達するようにするのが良い。
なお、 第 2段階加熱は、 無端管状フィルムを回転ドラムの内面に付着したまま 行っても良いし、 第 1加熱段階を終わったら、 回転ドラムから無端管状フィルム を剥離し、 取出して別途イミド化のための加熱手段に供して、 280〜400 に加熱 してもよい。 このイミド化の所用時間は、 通常約 2〜3時間程度である。 従って、 第 1及び第 2加熱段階の全工程の所要時間は、 通常 4 ~ 7時間程度となる。 かくして本発明の導電性無端管状ポリイミド系フィルムが製造される。 このフ イルムの厚みは特に限定はないが、 通常 30〜200 m程度、 好ましくは 50〜120 m程度である。 特に、 電子写真方式の中間転写ベルトとして用いる場合は、 70 〜100 zm程度が好ましい。
このフィルムの半導電性は、 体積抵抗率 (Ω · c m) (以下、 「VR」 と呼ぶ。) と表面抵抗率 (Ω /口) (以下、 「S R」 と呼ぶ。) との両立によって決まる電気抵 抗特性であり、 この特性は、 C B粉体の混合分散により付与される。 そしてこの 抵抗率の範囲は、 基本的には該 C B粉体の混合量によって自由に変えられる。 本 発明のフィルムにおける抵抗率の範囲としては、 VR: 1 0 2〜1 0 1 4、 S R: 1 0 3〜1 0 1 5であり、好ましい範囲としては、 VR: 1 0 6〜: L 0 1 3、 S R: 1 0 7〜: L 0 1 4が例示できる。 これらの抵抗率の範囲は、 上述の C B粉体の配合量 を採用することにより容易に達成することができる。 なお、 本発明のフィルム中 における C Bの含有量は、 通常 5〜 3 0重量%程度、 好ましくは 9〜 2 3重量% 程度となる。
本発明の半導電性 P Iフィルムは、 極めて均質な電気抵抗率を有している。 す なわち、 本発明の半導電性 P Iフィルムは、 表面抵抗率 S R及び体積抵抗率 VR の対数換算値のバラツキが小さいという特徴を有し、 それぞれフィルム内全測定 点の対数換算値の標準偏差が 0. 2以内、好ましくは 0. 15以内である。 また、 フィ ルム表面と裏面の表面抵抗率 (対数換算値) の差が小さいという特徴を有し、 そ の差は 0.4以内、 好ましくは 0. 2以内である。 さらに、 表面抵抗率の対数換算値 LogSRから体積抵抗率の対数換算値 LogVRを引いた値が、 1.0〜3. 0、 好ましくは 1. 5~3. 0と高い値に維持できるという特徴を備えている。
本発明の P Iフィルムが上記の優れた電気的特性を有するのは、 高分子量ポリ イミド前駆体又は高分子量ポリアミドイミド溶液を混合することで、 その高分子 鎖の絡み合い構造に CBが物理的に均一に取り込まれるため、フィルム製造工程に おける溶媒蒸発やナイロン塩型モノマーの高分子量ィ匕などの影響を受けにくく、 前駆体組成物溶液で達成された均質な CB分散状態のまま、導電性無端管状ポリィ ミド系フィルムを得ることができるからであると考えられる。
本発明の P Iフィルムはその優れた電気抵抗特性等の機能によって、 その用途 は多岐にわたる。 例えば、 帯電特性を必要とする重要な用途として、 カラープリ ンター、 力ラー複写機等に用いる電子写真方式の中間転写ベルト等が挙げられる 。 該ベルトとして必要な半導電性 (抵抗率) は、 例えば VR109〜1012、 S Rl 01Q〜1013であり、 本発明の半導電性無端管状 P I系フィルムを好適に用 いることができる。 - また、 本発明の半導電性 P Iフィルムは、 ベルトとしての性能に優れ、 高い降 伏強度 (σγ) 及び破断強度 (σ。Γ) を有している。 降伏強度 (σγ) は、 120 MP a以上、 特に 120〜16 OMPaであり、 破断強度と降伏強度の比 (acrγ) は、 1.10以上、 特に 1. 10〜1. 35程度である。
D. 第 4発明
本発明の半導電性無端管状ポリイミドフィルム (以下、 「半導電性管状 Ρ Iフィ ルム」 とも呼ぶ) は、 半導電性高濃度ポリイミド前駆体組成物(以下、 「半導電性 高濃度 Ρ Ι前駆体組成物」 とも呼ぶ) を用いて回転成形し加熱処理 (イミド化) することにより製造される。
D— 1. 半導電性高濃度ポリイミド前駆体組成物
本発明の半導電性高濃度ポリイミド前駆体組成物は、 有機極性溶媒にカーボン ブラック (以下、 「CB」 とも呼ぶ)を均一に分散させてなるカーボンブラック分 散液に、 芳香族テトラカルボン酸ジエステルと芳香族ジアミンとの略等モル量を 溶解させることにより製造される。 すなわち、 予め調製した CBの均一分散液に 等モル量の成形原料であるモノマ一 (芳香族テトラ力ルポン酸ジエステルと芳香 族ジァミンの等モル量) を加えるという手順により製造される点に特徴を有して いる。
(1) カーボンブラック分散液
本発明においては、 P I前駆体組成物に半導電性を付与するために導電性 CB 粉体が用いられる。この CB粉体が使用される理由は、 (他の一般に知られている 金属や金属酸化物の導電材と比較して) 調製された半導電性高濃度ポリイミド前 駆体組成物における C Bの混合分散性と分散安定性 (混合分散後の経時変化) に 優れ、.且つ重縮合反応への悪影響がないことによる。
この C B粉体は、その製造原料(天然ガス、 アセチレンガス、 コールタール等) と製造条件 (燃焼条件) とによって種々の物性 (電気抵抗、 揮発分、 比表面積、 粒径、 p H値、 D B P吸油量等) を有したものがある。 可能なかぎり少量の混合 分散でもって、 所望する電気抵抗がバラックこともなく、 安定して得られ易いも のを選ぶのが良い。
この導電性 C B粉体は、通常平均粒子径が 15〜65 nm程度であり、特にカラ一 プリンター、 カラー複写機等に用いる電子写真方式の中間転写ベルト等に用いる 場合、 平均粒子径 20〜40 n m程度のものが好適である。
ケッチェンブラックやアセチレンブラックなどの導電指標の高いものは、 2次 凝集 (ストラクチャ一) が発生し易く、 導電性の連鎖が起こりやすく半導電領域 でのコントロールが困難である。 そこで、 ストラクチャ一形成しにくい酸性力一 ポンプラックを用いることが有効である。
例えば、 チャンネルブラック、 酸化処理したファーネスブラック等が挙げられ る。 具体的には、 デグサ社製のスペシャルブラック 4 (pH3、 揮発分 14%、 粒子 径 25nm) やスペシャルブラック 5 (pH3、 揮発分 15%、 粒子径 20nm) などが例示 される。
カーボンブラック分散液に用いられる有機極性溶媒としては、 非プロトン系溶 媒が好ましぐ例えば N-メチル—2—ピロリドン(以下、 「NMP」 と呼ぶ。)、 N, N—ジメチルホルムアミド、 N, N—ジェチルホルムアミド、 N, N—ジメチルァセト アミド、 ジメチルスルホキシド、 へキサメチルホスホアミド、 1, 3—ジメチルー 2 —イミダゾリジノン等が使用される。 これらのうちの 1種又は 2種以上の混合溶 媒であってもよい。 特に、 NMPが好ましい。
力一ポンプラック分散液は、 上記の有機極性溶媒に C B粉体を均一に分散させ て製造される。 C B粉体の混合方法は、 C B粉体が有機極性溶媒中に均一に混合、 分散される方法であれば特に制限はない。 例えば、 ポールミル、 サンドミル、 超 音波ミル等が用いられる。 C B粉体の配合量は、 有機極性溶媒 100重量部に対し、 3〜25重量部程度であ り、 好ましくは 5〜15重量部程度である。 この配合量は、 有機極性溶媒の粘度増 加させない、または CBがファンデルワールスカによって 2次凝集体を形成しない 範囲にある量である。 なお、 有機極性溶媒 100重量部に対し下限が 3重量部以上 であるのは、 製造される半導電性高濃度ポリイミド前駆体組成物の不揮発分濃度 を下げないために必要な量である。上限が 25重量部以下であるのは、均一に分散 した CB粒子と CB粒子の距離を十分にとり、 ファンデルワールスカによる 2次凝 集を防ぐためである。
( 2 ) 芳香族テトラカルボン酸ジエステル ひ、一フェステル)
成形原料である 2種以上の芳香族テトラカルボン酸ジエステルとしては、 非対 称性芳香族テトラ力ルポン酸ジエステルの少なくとも 1種と対称性芳香族テトラ 力ルポン酸ジエステルの少なくとも 1種との混合物が用いられる。
本発明で用いられる非対称性芳香族テトラカルボン酸のジエステルについて、 以下説明する。
ここで、非対称性芳香族テトラカルボン酸とは、単環若しくは多環の芳香環(ベ ンゼン核、 ナフタレン核、 ビフエ二ル核、 アン卜ラセン核等) に 4個のカルボキ シル基が点対象でない位置に結合した化合物、 或いは 2個の単環芳香環 (ベンゼ ン核等) がー C O—、 — CH2—、 —S 02—等の基又は単結合で架橋された化合 物に 4個の力ルポキシル基が点対象でない位置に結合した化合物が挙げられる。 非対称性芳香族テトラカルボン酸の具体例としては、 1, 2 , 3, 4—ベンゼ ンテトラカルボン酸、 1, 2, 6, 7—ナフタレンテトラカルボン酸、 2 , 3 , 3 ', 4, 一ビフエニルテトラカルボン酸、 2, 3, 3 ', 4, 一べンゾフエノン テトラカルボン酸、 2, 3 , 3 ', 4, —ジフエニルエーテルテトラカルボン酸、 2 , 3 , 3 ' , 4, —ジフエニルメタンテトラカルボン酸、 2 , 3 , 3 ' , 4 ' 一 ジフエニルスルフォンテトラカルボン酸等が挙げられる。
本発明で用いられる非対称性芳香族テトラカルボン酸ジエステル (ハーフエス テル) としては、 上記の非対称性芳香族テトラカルボン酸のジエステルを挙げる ことができ、 具体的には、 上記非対称性芳香族テトラカルボン酸の 4個の力ルポ キシル基のうち 2個の力ルポキシル基がエステル化されており、 かつ芳香環上の 隣接する 2個の力ルポキシル基の一方がエステル化された化合物が挙 られる。 上記非対称性芳香族テトラカルボン酸ジエステルにおける 2個のエステルとし ては、.ジ低級アルキルエステル、 好ましくはジメチルエステル、 ジェチルエステ ル、 ジプロピルエステル等の アルキルエステル. (特に、 ジメチルエステル) が挙げられる。
上記非対称性芳香族テトラカルボン酸のジエステルのうち、 2,3,3',4' —ビフ ェニルテトラ力ルポン酸ジメチルエステル、 2, 3, 3' ,4' —ビフエニルテトラカル ボン酸ジェチルエステル、が好ましく、特に、 2,3,3' ,4' —ビフエニルテトラ力 ルポン酸ジメチルエステルが好ましく使用される。 - なお、 上記非対称性芳香族テトラ力ルポン酸ジエステルは、 市販されているか 又は公知の方法により製造される。 例えば、 対応する非対称性芳香族テトラカル ボン酸二無水物 1に対し、 対応するアルコール (低級アルコ一ル、 好ましくは C ^3アルコール等) 2 (モル比) を反応させて容易に製造することができる。 こ れにより、 原料の酸無水物がアルコールと反応して開環して、 芳香環上の隣接す る炭素上にそれぞれエステル基と力ルポキシル基を有するジエステル ひ、一フエ ステル) が製造される。
次に、 本発明で用いられる対称性芳香族テトラカルボン酸のジエステルについ て、 以下説明する。
ここで、 対称性芳香族テトラカルボン酸とは、 単環若しくは多環の芳香環 (ベ ンゼン核、 ナフタレン核、 ビフエ二ル核、 アントラセン核等) に 4個のカルポキ シル基が点対称な位置に結合した化合物、 或いは 2個の単環芳香環 (ベンゼン核 等) が— CO—、 — O—、 — CH2—、 —S02—等の基又は単結合で架橋された 化合物に 4個のカルボキシル基が点対称な位置に結合した化合物が挙げられる。 対称性芳香族テトラカルボン酸の具体例としては、 1, 2, 4, 5—ベンゼン テトラカルボン酸、 2, 3, 6, 7—ナフ夕レンテトラカルボン酸、 3,3' ,4,4' —ビフ ェニルテトラカルボン酸、 3,3' ,4,4' —ベンゾフエノンテトラカルボン酸、 3,3' ,4,4' —ジフエニルエーテルテトラカルボン酸、 3,3' ,4,4' —ジフエニル メタンテトラカルボン酸、 3,3' 4,4' —ジフエニルスルフォンテトラカルボン酸 等が挙げられる。 本発明で用いられる対称性芳香族テトラカルボン酸ジエステル ひヽーフエステ ル) としては、 上記の対称性芳香族テトラカルボン酸のジエステル (ハーフエス テル).を挙げることができ、 具体的には、 上記対称性芳香族テトラカルボン酸の 4個のカルボキシル基のうち 2個の力ルポキシル基がエステル化されており、 か つ芳香環上の隣接する 2個の力ルポキシル基の一方がエステル化された化合物が 挙げられる。
上記対称性芳香族テトラカルボン酸ジエステルにおける 2個のエステルとして は、ジ低級アルキルエステル、好ましくはジメチルエステル、ジェチルエステル、 ジプロピルエステル等の C gアルキルエステル (特に、 ジメチルエステル) が 挙げられる。
上記対称性芳香族テトラ力ルポン酸ジエステルのうち、 3, 3 ' , 4, 4' ービフエ二 ルテトラカルボン酸ジメチルエステル、 3, 3 ' , 4, 4' ービフエニルテトラカルボン 酸ジェチルエステル、 1, 2, , 5-ベンゼンテトラ力ルポン酸ジメチルエステル、 1 , 2, 4, 5—ベンゼンテトラ力ルポン酸ジェチルエステルが好ましく、 特に、 3, 3 ' ,4, 4' -ビフエニルテトラカルボン酸ジメチルエステルが好ましく使用され る。
なお、 上記対称性芳香族テトラ力ルポン酸ジエステルは、 市販されているか又 は公知の方法により製造することができる。 例えば、 対応する対称性芳香族テト ラカルボン酸二無水物 1に対し、 対応するアルコール (低級アルコール、 好まし くは アルコール等) 2 (モル比) を反応させる等の公知の方法により容易 に製造することができる。 これにより、 原料の酸無水物がアルコールと反応して 開環して、 芳香環上の隣接する炭素上にそれぞれエステル基とカルボキシル基を 有するジエステル ひ、一フェステル) が製造される。
非対称性及び対称性の芳香族テトラ力ルポン酸ジエステルの混合比は、 非対称 性芳香族テトラ力ルポン酸ジエステルが 10〜50モル% (好ましくは 20〜40モ ル%)程度であり、対称性芳香族テトラカルボン酸ジエステルが 90〜50モル% (好 ましくは 80〜60モル%)程度で特定される。特に、非対称性及テトラカルボン酸 ジエステルを 20〜30モル%程度、 対称性芳香族テトラカルボン酸ジエステルを 70〜80モル%程度用いるのが好適である。 なお、 前記の対称性及び非対称性芳香族テトラカルボン酸ジエステルを配合す ることを必須とするのは、 次の理由による。 対称性の芳香族テトラカルボン酸ジ エステルのみでは、 ポリイミドフィルムが結晶性を発現するため加熱処理中に被 膜が粉ィ匕してしまいフィルム化することが出来ない。 一方、 非対称性の芳香族テ トラカルボン酸誘導体のみでは、 無端管状 P Iフィルムとして成形はされるが、 得られた該フィルムの降伏強度と弾性率が弱く、回転ベルトとして使用した場合、 駆動での応答性が悪いだけでなく、 初期の段階でベルト伸びが発生してしまうな どの問題がある。
これに対し、 混合芳香族テトラ力ルポン酸ジエステルを使用すると、 極めて高 い製膜性 (成形性) が可能であり、 しかも高い降伏強度と弾性率を有する半導電 性の無端管状 P Iフィルムが得られる。
また、 非対称芳香族テトラカルボン酸ジエステルを添加することによりポリア ミド酸分子が曲がって、 フレキシブル性が生まれると考えられる。
そして、 前記の対称性と非対称性の芳香族テトラカルボン酸誘導体の共存効果 は、 両者が前記に示した混合比の場合に最も有効に発揮される。
( 3 ) 芳香族ジァミン
芳香族ジァミンとしては、 1つの芳香環 (ベンゼン核等) 上に 2個のアミノ基 を有する化合物、 又は 2つ以上の芳香環 (ベンゼン核等) が— 0—、 — S—、 ― C O—、 一 CH2—、 - S O -, —S〇2—等の基若しくは単結合で架橋された 2 個のアミノ基を有する化合物が挙げられる。 具体的には、 例えば、 p—フエニレ ンジァミン、 0—フエ二レンジァミン、 m—フエ二レンジァミン、 4, 4' —ジァ ミノジフエ二ルエーテル、 4, 4' —ジアミノジフエ二ルチオェ一テル、 4, 4' - ジアミノジフエ二ルカルポニル、 4, 4' ージアミノジフエニルメタン、 1, 4—ビ ス (4一アミノフエノキシ) ベンゼン等が挙げられる。 中でも、 4, 4' —ジアミ ノジフエ二ルェ一テルが特に好ましい。 これらの芳香族ジァミンを用いることに より、 反応がより円滑に進行すると共に、 より強靭かつ高い耐熱性のフィルムを 製造することができるからである。
( 4 ) 半導電性高濃度ポリイミド前駆体組成物
次に、 得られる力 "ポンプラック分散液に、 芳香族テトラ力ルポン酸ジエステ ルと芳香族ジアミンの略等モル量を添加し溶解する。
上記の芳香族テトラカルボン酸成分と有機ジアミン成分の略等モル量を、 力一 ボンブラック分散液中に加えて撹拌し均一に溶解することにより、 半導電性高濃 度ポリイミド前駆体組成物が製造される。 両成分をカーボンブラック分散液に均 一に溶解させる場合に、 必要に応じ加熱 (例えば、 40〜70°C程度) してもよい。 両性分は、 撹拌等の公知の混合方法を用いて有機極性溶媒に溶解させればよい。 芳香族テトラカルボン酸ジエステル及び芳香族ジアミンの配合量は、 芳香族テ トラカルボン酸ジエステルと芳香族ジアミンの合計量 100重量部に対し、 カーボ ンブラック分散液中の力一ボンブラックが 5〜35重量部程度 (好ましくは 8〜30 重量部程度) になるように調製すればよい。 配合量を上記の範囲とするのは、 フ イルムに半導電領域にある体積抵抗率 (VR) 及び表面抵抗率 (S R) を付与す るためである。
上記の半導電性高濃度ポリイミド前駆体組成物は、 例えば、 有機極性溶媒中で 芳香族テトラ力ルポン酸ジエステルのカルボン酸イオンと芳香族ジァミンのアン モニゥムイオンのイオン対が実質的モノマー状態をとつていると考えられる。 (例えば下記式を参照)。
ROOC COO"
Ar +H3N— Ar'— NH3+
-OOC COOR
(式中、 A rは芳香族テトラカルボン酸から 2つのカルボキシル基と 2つのエス テル基を除いた 4価の基、 A r ' は芳香族ジァミンから 2つのアミノ基を除いた 2価の基、 Rはアルキル基を表す。)
また、 実質的モノマー状態であるため上記の有機極性溶媒に溶解しやすく、 使 用する溶媒の量を極力低減できるというメリットがある。 なお、 該組成物中の不 揮発分濃度は、 例えば、 35〜60重量%程度、 好ましくは 40〜60重量%程度の高 濃度に設定することができる。 該不揮発性分中における C B濃度は、 例えば、 4 〜30重量%程度、好ましくは 10〜25重量%程度に設定することができる。なお、 本明細書で用いる 「不揮発分濃度」 とは、 実施例 D— 1に記載の方法により測定 された濃度を意味する。 '
なお、 本発明の効果に悪影響を与えない範囲で、 上記組成物中に、 イミダゾ一 ル系化合物 (2-メチルイミダゾール、 1, 2—ジメチルイミダゾール、 2-メチル- 4- メチルイミダゾール、 2-ェチル -4-ェチルイミダゾール、 2-フエ二ルイミダゾール)、 界面活性剤 (フッ素系界面活性剤等) 等の添加剤を加えてもよい。
かくして C B粉体が均一に分散し、 かつ不揮発分が高濃度に溶解又は分散した 半導電性 P I前駆体組成物が製造される。
本発明の半導電性高濃度 P I前駆体組成物では、 C B粉体を均一に分散させて なるカーボンブラック分散液を調製し、 これに芳香族テトラカルボン酸ジエステ ルと芳香族ジァミン成分とを溶解させることにより、 C B粉体が均一に分散し、 かつ、 C B粉体が均一分散した状態の貯蔵安定性が格段に向上する。 しかも、 こ れを用いた半導電性 P I前駆体組成物を回転成形して得られる導電性ポリイミド 管状物は、 その厚み方向に極めて安定かつ均質な電気抵抗率を有する導電性が付 与される。
また、 本発明の半導電性高濃度 P I前駆体組成物は、 カーボンブラック分散液 に成形原料であるモノマーを溶解させるため、不揮発分濃度を 35〜60重量%程度 と格段に高めることができる。 そのため、 本発明の半導電性高濃度 P I前駆体組 成物では、 容易に膜厚のあるフィルムを製造することができ、 使用する溶媒の量 が少ないためコストが抑えられ溶媒の蒸発除去が簡便になる。
さらに、 本発明の半導電性高濃度 P I前駆体組成物は、 その粘度も 1 0〜 6 0 ボイズ程度に高くすることができるため、 P Iフィルムにおける回転成形の遠心 力の影響を受けにくい。
D - 2 . 半導電性無端管状ポリイミドフィルム
次に、 前記調製された半導電性 P I前駆体組成物を使った半導電性無端管状 P Iフィルムの成形手段について説明する。
この成形手段は、 回転ドラムを使う回転成形方法が採用される。 まず半導電性 P I前駆体組成物を回転ドラムの内面に注入し、 内面全体に均一に流延する。 注入'流延の方法は、 例えば停止している回転ドラムに、 最終フィルム厚さを 得るに相当する量の半導電性 P I前駆体組成物を注入した後、 遠心力が働く速度 にまで徐々に回転速度を上げる。 遠心力でもって内面全体に均一に流延する。 或 いは注入 ·流延は遠心力を使わなくてもできる。 例えば、 横長のスリット状のノ ズルを回転ドラム内面に配置し、該ドラムをゆっくりと回転しつつ、 (その回転速 度よりも速い速度で) 該ノズルも回転する。 そして成形用の半導電性 P I前駆体 組成物を該ノズルから該ドラム内面に向って全体に均一に噴射する方法である。 該ドラムは、 回転ローラ上に載置し、 該ローラの回転により間接的に回転が行わ れる。
また加熱は、 該ドラムの周囲に例えば遠赤外線ヒー夕等の熱源が配置され外側 からの間接加熱が行われる。 また該ドラムの大きさは、 -所望する半導電管状 P I フィルムの大きさにより決まる。
加熱は、 ドラム内面を徐々に昇温し、 まず 100〜190°C程度、 好ましくは 110°C 〜130°C程度に到達せしめる (第 1加熱段階)。昇温速度は、例えば、 l〜2°C min 程度であればよい。 上記の温度で 1〜 3時間維持し、 およそ半分以上の溶剤を揮 発させて自己支持性のある管状フィルムを成形する。 イミド化を行うためには 280°C以上の温度まで達する必要があるが、最初からこのような高温で加熱すると ポリイミドが高い結晶化を発現し、 C Bの分散状態に影響を与えるだけでなく、 強靭な被膜が形成されないなどの問題がある。 そのため、 第 1加熱段階として、 せいぜい上限温度を 190°C程度に押え、 この温度で重縮合反応を終了させて強靭 な管状 P Iフィルムを得る。
この段階が終了したら次に第 2段階加熱としてィミド化を完結するため加熱を 行うが、その温度は 280〜400°C程度(好ましくは 300〜380°C程度)である。 この 場合も、 第 1段階加熱温度から一挙にこの温度に到達するのではなく、 徐々に昇 温して、 その温度に達するようにするのが良い。
なお、 第 2段階加熱は、 無端管状フィルムを回転ドラムの内面に付着したまま 行っても良いし、 第 1加熱段階を終わったら、 回転ドラムから無端管状フィルム を剥離し、 取出して別途イミド化のための加熱手段に供して、 280〜400°Cに加熱 してもよい。 このイミド化の所用時間は、 通常約 2〜3時間程度である。 従って、 第 1及び第 2加熱段階の全工程の所要時間は、 通常 4〜7時間程度となる。
かくして本発明の半導電性管状 P Iフィルムが製造される。 このフィルムの厚 みは特に限定はないが、通常 30〜200 m程度、好ましくは 60〜120^m程度であ る。特に、電子写真方式の中間転写ベルトとして用いる場合は、 75〜100/zm程度 が好ましい。
このフィルムの半導電性は、 体積抵抗率 (Ω · cm) (以下、 「VR」 と呼ぶ。) と表面抵抗率 (Ω /口) (以下、 「SR」 と呼ぶ。) との両立によって決まる電気抵 抗特性であり、 この特性は、 CB粉体の混合分散により付与される。 そしてこの 抵抗率の範囲は、 基本的には該 CB粉体の混合量によって自由に変えられる。 本 発明のフィルムにおける抵抗率の範囲としては、 VR: 102〜1014、 SR: 103〜1015であり、 好ましい範囲としては、 VR: -106〜1013、 SR: 1 07〜: L 014が例示できる。 これらの抵抗率の範囲は、 上述の CB粉体の配合量 を採用することにより容易に達成することができる。 なお、 本発明のフィルム中 における CBの含有量は、 通常 5〜25重量%程度、 好ましくは 8〜20重量%程度 となる。
本発明の半導電性管状 P Iフィルムは、極めて均質な電気抵抗率を有している。 すなわち、 本発明の半導電性管状 P Iフィルムは、 表面抵抗率 SR及び体積抵抗 率 VRの対数換算値のパラツキが小さいという特徴を有し、 それぞれフィルム内 全測定点の対数換算値の標準偏差が 0.2以内、 好ましくは、 0.15以下である。 ま た、 フィルム表面と裏面の表面抵抗率 (対数換算値) の差が小さいという特徴を 有し、 その差は 0.4以内、 好ましくは 0.2以内である。 さらに、 表面抵抗率の対 数換算値 LogSRから体積抵抗率の対数換算値 LogVRを引いた値が、 1.0〜3.0、 好 ましくは 1.5〜3.0と高い値に維持できるという特徵を備えている。
本発明の P Iフィルムはその優れた電気抵抗特性等の機能によって、 その用途 は多岐にわたる。 例えば、 帯電特性を必要とする重要な用途として、 カラ一プリ ン夕一、 力ラー複写機等に用いる電子写真方式の中間転写ベルト等が挙げられる 。 該ベルトとして必要な半導電性 (抵抗率) は、 例えば VR109〜: L 012、 S R 101Q〜: L 013であり、 本発明の半導電性無端管状 P Iフィルムを好適に用い ることができる。
また、 本発明の半導電性 P Iフィルムは、 ベルトとしての性能に優れ、 高い降 伏強度 (σγ) 及ぴ 断強度 (ひ c r) を有している。 降伏強度 (σγ) は、 120 MP a以上、 特に 120〜16 OMPaであり、 破断強度と降伏強度の比 (ひ c r /ひ γ) は、 1.10以上、 特に 1. 10〜1. 35程度である。 発明を実施するための最良の形態
以下、 比較例と共に実施例を用いて本発明をより詳細に説明するが、 本発明は これら実施例に限定されるものではない。
A. 第 1発明
第 1発明を、 比較例と共に実施例によって更に詳述する。
尚、 本例で云う降伏強度 (降伏点応力)、 破断強度、 体積抵抗率 (VR)、 表面 抵抗率 (SR) 及び不揮発分濃度は、 次の通り測定された値である。
[降伏強度 (MP a) (σγと略す。) 及び破断強度 (MP a) ( crと略す。)] 各例で得られたフィルムを幅 5 mm、 長さ 10 Ommにカットし、 これを試験 片として一軸引張試験機 (株式会社 島津製作所製 オートグラフ) にて、 引張 スパン 4 Omm、ひずみ速度 20 Omm/分で測定した。記録された S— Sカーブ 曲線から σγ及び acrとを読み取った。
この降伏強度と破断強度とは、 ベルトとしての材料設計において、 重要な強度 因子であり、 少なくとも降伏強度は 12 OMPa必要とされる。 実装中に負荷さ れる場合の応力にて塑性変形 (伸びによる寸法変化) があってはならないからで ある。
又、 破断強度は、 降伏強度より大きいことも必要で、 ベルト回転の耐寿命 (夕 フネス) に寄与する。 この目安として少なくとも σ。 Γ/ひ γ=1.10以上必要と される。
[VR及び SR]
得られた管状フィルムを長さ 40 Ommにカットしたものをサンプルとして、 三菱化学株式会社製の抵抗測定器 "ハイレス夕 I P · HRプロ一ブ" を使って、 幅方向に等ピッチで 5力所と縦 (周) 方向に 8力所の合計 40ケ所について各々 測定し、 全体の平均値で示した。
尚、 VRは電圧 100V印加の下、 10秒経過後に、 SRは電圧 500 V印加 の下、 10秒経過後に測定した。 [不揮発分濃度]
試料 (モノマ混合溶液等) を金属カップ等の耐熱性容器で精秤し、 この時の試 料の重量を Agとする。 試料を入れた耐熱性容器を電気オープンに入れて、 120°CX12分、 180°CX12分、 260°CX30分、及び 300°CX30分で順次昇温しなが ら加熱、 乾燥し、 得られる固形分の重量 (不揮発分重量) を Bgとする。 同一試 料について 5個のサンプルの A及び Bの値を測定し (n=5)、 次式 (I) にあては めて不揮発分濃度を求めた。 その 5個のサンプルの平均値を、 本発明における不 揮発分濃度として採用した。
不揮発分濃度 =B/AX100 (%) (I) - 実施例 A - 1
2, 3, 3', 4' —ビフエニルテトラ力ルポン酸ジメチルエステル (1モル の 2, 3, 3' , 4' —ビフエニルテトラカルボン酸二無水物と 2モルのメチル アルコールとの反応物でハーフエステル) 716. 0 g (2. 0モル) と 4, 4' ージアミノジフエ二ルェ一テレ 400. 0 g (2. 0モル) とを 1540 gの N MP溶媒の中に常温で混合し均一に溶解した。 この溶液は不揮発分濃度 34.6重 量%で、 溶液粘度約 25 OmPa · sであり、 実質的に重縮合反応はなく、 モノ マ状態で安定した溶液となっていた。 以下これを 「非対称性モノマ溶液 A」 と呼 ぶ。
一方 3, 3' , 4, 4' —ビフエニルテトラ力ルポン酸ジメチルエステル (1 モルの 3, 3' , 4, 4' —ビフエニルテトラカルボン酸二無水物と 2モルのメ チルアルコールとの反応物で八一フェステル) 716. 0 g (2. 0モル) と 4, 4' —ジアミノジフエ二ルエーテル 400. 0 g (2. 0モル) とを 1540 g の NMP溶媒の中に常温で混合し均一に溶解した。この溶液は不揮発分濃度 34.6 重量%で、 溶液粘度約 250 mP a · sであり、 実質的に重縮合反応はなく、 モ ノマ状態で安定した溶液となっていた。 以下これを 「対称性モノマ溶液 B」 と呼 ふ。
そして、 前記非対称性モノマ溶液 Aと対称性モノマ溶液 Bについて、 表 A— 1 に示した ΕΧ · 1と ΕΧ · 2に記載する各々の量比で、 フッ素系界面活性剤 (株 式会社ト一ケムプロダクツ製 EF— 351) 0.037重量% (対不揮発分) と共 に、両者を十分に混合し脱泡を行った。これを各々の成形用モノマ溶液 Cとして、 この各々の該.溶液の中から所定量を採取し、 回転ドラム内に注入し、 次の条件で 各々 j¾型した。
回転ドラム · · ·内径 1 0 0 mm、幅 5 3 0 mmの内面鏡面仕上げの金属ドラムが 2本の回転ローラ上に載置され、 該ローラの回転とともに回転する状態に配置し た。
成型用モノマ溶液 Cの注入量 · · · 4 5 . 9 g
加熱温度' · '該ドラムの外側面に遠赤外線ヒータを配置し、該ドラムの内面温度 が 1 7 0 °Cに制御されるようにした。 - まず回転ドラムが停止した状態で、 4 5 . 9 gの各同の該モノマ溶液を該ドラ ム底面に均一に注入した。 その後、 直ちに回転を開始し徐々に速度を上げて、 2 4 r a d/ sに達して、内全面に均一に流延して、加熱を開始した。加熱は徐々に 昇温して 1 7 0 °Cに達して、その温度で 9 0分間その回転を維持しつつ加熱した。
9 0分間の回転-加熱が終了したら常温に冷却し、 そのまま回転ドラムを離脱 して熱風滞留式オーブン中に静置してイミド化のための加熱を開始した。 この加 熱も徐々に昇温しつつ 3 5 0 °Cに達した。 そしてこの温度で、 3 0分間加熱した ら、 常温に冷却して該ドラム内面に形成された管状 P Iフィルムを剥離し取出し た。 各例での結果は、 表 A— 2に記載した。
表 A— 1
非対称性モノマ溶液 A非対称性モノマ « Aと 原料モノマ
100重量部に
E X と対称性モノマ溶液 B対称性モノマ との
対する C B粉 No. との重量比 モル%
溶液 A . 溶液 B 溶液 A 溶液 B 部) 実施例 A - 1 1 200 200 50 50 0
2 80 320 20 80 0 比較例 A- 1 3 280 120 70 30 0
4 40 360 10 90 0
5 0 200 0 100 0
6 200 0 100 0 0 実施例 A - 2 7 200 200 50 50 8. 33 比較例 A - 2 8 280 120 70 - 30 8. 33
9 40 360 10 90 8. 33
表 A— 2
フィル
EX 降伏強度 破断強度
ム厚さ ひ c r/ σγ YR(Q · cm) SR (Ω/D) 備考 No. aY(MPa) σ c r (MPa)
実施例 A- 1 1 85 132.5 147 1.11 2.8X10" 1.0X1016
2 85 145 172.5 1.19 同上 同上
比較例 A- 1 3 85 123.5 123.5 1 同上 同上
4 - 一 - 一 - - 脆くて測定不能
5 一 - - - - 一 脆くて測定不能
6 85 116 117.5 0.99 2.8X1014 1.0X1016 実施例 A- 2 7 85 131 144.5 1.1 3.0X1010 1.4X1012
比較例 A-2 8 85 119.5 120 1 4.2X1010 5.0X1012
9 - - 一 一 - 一 脆くて測定不能
比較例 A - 1
実施例 A― 1の非対称性モノマ溶液 Aと対称性モノマ溶液 Bとを使って、 表 A ー 1に示した Ε Χ · 3〜 6に記載する各々の量比で混合する以外は、 該例と同一 条件で各々に成形、イミド化し、回転ドラムから剥離し、取出して測定した。各々 の場合の結果は表 Α— 2に記載した。
実施例 Α - 2
実施例 A― 1での非対称性モノマ溶液 Aと対称性モノマ溶液 Bとを使つて、 表 A- 1に示した Ε Χ· 7に記載する量比で、該例と同様にまず均一に混合した後、 この中に C B粉体 (ρ Η 3、 粒径 2 3 nm) 1 4. 0 g (全モノマ合計量 100重 量部に対して 8. 3 3重量部) 添加し、 ポ一ルミル機で十分に混合分散し、 最後 に脱泡した。 これを成形用半導電性モノマ溶液とした。 該半導電性モノマ溶液中 の不揮発分濃度は 36. 8重量%であり、該不揮発分中の CB濃度は 9. 19重量%であ つた。
そして該溶液から 4 5. 9 g採取して、 これを実施例 A—1と同様に回転ドラ ム内に注入し、 同様条件で成形し後、 イミド化した。 得られたイミド化フィルム を回転ドラムから剥離し、 取出して測定した。 結果は表 A— 2に記載した。
比較例 A— 2
実施例 A― 1の非対称性モノマ溶液 Aと対称性モノマ溶液 Bとを使つて、 表 A — 1に示した Ε Χ · 8、 9に記載する各々の量比で、 該例と同様にまず均一に混 合した後、 各々この中に実施例 Α— 2と同様に、 C B粉体を全モノマ合計量 100 重量部に対して 8. 3 3重量部を添加し、 ポールミル機で十分に混合分散し、 最 後に脱泡した。 これを成形用半導電性モノマ溶液とした。 該半導電性モノマ溶液 中の不揮発分濃度は 36. 8重量%であり、該不揮発分中の CB濃度は 9. 19重量%で あった。
そして該液 Αと液 Βとから各 4 5. 9 g採取して、 これを実施例 A— 1と同様 に回転ドラム内に注入し、 同様条件で成形した。 イミド化後回転ドラムから剥離 し、 取出して測定した。 各々の場合の結果は表 A— 2に記載した。
B . 第 2発明
次に第 2発明を、 比較例と共に実施例によって更に詳述する。 実施例 B— 1
2, 3, 3' ,4' —ビフエニルテトラカルボン酸ジメチルエステル (1モルの 2, 3, 3' , 4' —ビフエニルテトラ力ルポン酸テトラカルボン酸二無水物と 2 モル のメチルアルコールとの反応物でジエステル) 358. Og (1. 0モル) と 3, 3' , 4, 4' —ビフエニルテトラ力ルポン酸ジメチルエステル (1モルの 3, 3' , 4, 4' ービフ ェニルテトラカルボン酸テトラカルボン酸二無水物と 2モルのメチルアルコール との反応物でジエステル) 358. 0 (1. 0モル) と 4, 4' ージアミノジフエニルエー テル 400g (2モル) とを 1674gの匿溶媒の中に 60°Cで混合し均一に溶解し、 続 いて 100°Cまで lhrかけて昇温、 100°Cにて 1 hr加熱後冷却した。この溶液は不揮 発分濃度 32. 9重量%で、数平均分子量 2000のオリゴマー状の溶液となっていた。 以下これを 「オリゴマー混合溶液 A」 と呼ぶ。
このオリゴマー混合溶液 AlOOOgに、 カーボンブラック (CB) 粉体 (pH 3、 粒 径 23nm) 71. 7 gと NMP 142. 5g添加し、ポールミル機で充分に混合分散し最後 に脱泡した。 これを成形用半導電性オリゴマー溶液とした。 該半導電性オリゴマ —溶液中の不揮発分濃度は、 33.0重量%であり、該不揮発分中の CB濃度は 17. 89 重量%であった。
そして該溶液から 109gを採取し、回転ドラム内に注入し、次の条件で各々成形 した。
回転ドラム · · ·内径 175腿、幅 540匪の内面鏡面仕上げの金属ドラムが 2本の回 転口一ラー上に載置され、 該ローラ一の回転とともに回転する状態に配置した。 加熱温度' · '該ドラムの外側面に遠赤外線ヒータを配置し、該ドラムの内面温度 が 120°Cに制御されるようにした。
まず回転ドラムを回転した状態で 109gの該溶液をドラム内面に均一に塗布し、 加熱を開始した。加熱は 2Τ:/ιιιίηで昇温して 120 に達して、 その温度で 90分間 その回転を維持しつつ加熱した。
回転、 加熱が終了した後、 冷却せずそのまま回転ドラムを離脱して熱風滞留式 オーブン中に静置してイミド化のための加熱を開始した。 この加熱も徐々に昇温 しつつ 320°Cに達した。そしてこの温度で 30分間加熱したら常温に冷却して該ド ラム内面に形成された半導電性管状 PIフィルムを剥離し取り出した。なお、該フ イルムの厚さは 90 mであった。
'なお、本明細書における「不揮発分濃度」とは次のように算出された値である。 試料 .(半導電性オリゴマ一溶液等) を金属力ップ等の耐熱性容器で精抨しこの時 の試料の重量を Agとする。 試料を入れた耐熱性容器を電気オーブンに入れて、 120°CX12分、 180°CX12分、 260°CX30分、 及び 300°CX30分で順次昇温しなが ら加熱、 乾燥し、 得られる固形分の重量 (不揮発分重量) を Bgとする。 同一試 料について 5個のサンプルの A及び Bの値を測定し (n=5)、 次式 (I) にあては めて不揮発分濃度を求めた。 その 5個のサンプルの平均値を、 本発明における不 揮発分濃度として採用した。 - 不揮発分濃度 =B/AX100 ( ) (I)
参考例 B— 1
実施例 B— 1と同一の量比で力ルポン酸ジメチルエステルとジアミノジフエ二 ルエーテルを混合し、 60 で溶解した溶液をそのまま冷却した。 この溶液は不揮 発分濃度 32.9重量%で、 実質モノマ状態の溶液となっていた。 以下これを 「モ ノマ溶液 A」 と呼ぶ。
このモノマ溶液 AlOOOgに CB粉体 (pH3、 粒径 23nm) 31. Ogと NMP60.0 g添加し、 ポ一ルミル機で充分に混合分散し最後に脱泡した。 これを成形用半導 電性モノマ溶液とした。 該半導電性モノマ溶液中の不揮発分の濃度は、 33.0重 量%であり、 該不揮発分中の CB濃度は 8.61重量%であった。
そして該溶液から 109gを採取し、以下、実施例 B― 1と同様に加熱成形し半導 電性管状 Hフィルムを剥離し取り出した。 なお、 該フィルムの厚さは 92 mで あつ 7こ。
実施例 B— 2
2,3,3' ,4' —ビフエニルテトラ力ルポン酸ジメチルエステル (1モルの 2,3,3' ,4' ービフエニルテトラカルボン酸テトラカルボン酸二無水物と 2 モル のメチルアルコールとの反応物でジエステル) 143.2g (0.4モル) と 3, 3' ,4,4' —ビフエニルテトラ力ルポン酸ジメチルエステル (1モルの 3,3' ,4,4' ービフ ェニルテトラカルボン酸テトラカルボン酸二無水物と 2モルのメチルアルコール との反応物でジエステル) 572.8 (1.6モル) と 4, 4' —ジアミノジフエニルエー テル 400g (2モル) とを 1674gの匿溶媒の中に 60°Cで混合し均一に溶解し、 続 いて 110°Cまで lhrかけて昇温、 110°Cにて l hr加熱後冷却した。この溶液は不揮 発分濃度 32. 9重量%で、数平均分子量 4000のオリゴマー状の溶液となっていた。 以下これを 「オリゴマー混合溶液 B」 と呼ぶ。
このオリゴマー混合溶液 B lOOOgに、 CB粉体 (pH 3、 粒径 23nm) 78. 9gと N MP 157. lgを添加し、 ポールミル機で充分に混合分散し最後に脱泡した。 これを 成形用半導電性オリゴマ一溶液とした。 該半導電性オリゴマー溶液中の不揮発分 の濃度は、 33. 0重量%であり、該不揮発分中の CB濃度は 19· 34重量%であった。 そして該溶液から 109gを採取し、回転ドラム内に注入し、以下、実施例 B— 1 と同様に加熱成形し半導電性管状 PIフィルムを剥離し取り出した。なお、.該フィ ルムの厚さは 89 mであった。
比較例 B— 1
実施例 B— 1と同一の量比で力ルポン酸ジメチルエステルとジアミノジフエ二 ルェーテルを混合し、 で溶解し、 続いて 130°Cまで lhrかけて昇温、 130°Cに て lhr加熱後冷却した。 しかし、 冷却後のこの溶液は濁りの生じたゲル状の固体 となり、 成形には使用不可であった。
このゲルは溶剤で希釈しても再溶解しなかった。 得られたゲルのイミド化率を 測定したところ 35%程度イミド化反応が進行していることが確認された。つまり、 加熱温度が高くイミド化反応が進行しすぎたことにより溶解度が低下、 樹脂分が 析出したと考えられる。
試験例 B— 1
上記実施例 B— 1〜 B— 2、 参考例 B― 1及び比較例 B— 1のフィルム製造条 件及び得られるフィルムの電気抵抗値の測定結果を表 B― 1に示す。 表 B— 1中 の表面抵抗率、体積抵抗率の平均、標準偏差は、いずれも対数換算値で示される。
[数平均分子量]
数平均分子量は GPC法(溶媒:匿、 ポリエチレンオキサイド換算) により測定 した。
[ィミド化率]
赤外分光高度計にてイミド基由来の吸収 (1780cm— とベンゼン環由来の吸収 (1510cm-1) の強度の比率により算出した。 ベンゼン環の圾収は、 前駆体でもィ ミド化後でも変ィ匕しないため、 これを対照として用いた。
[表面抵抗率 (SR) 及び体積抵抗率 (VR) の測定]
得られた管状フィルムを長さ 4 0 0 mmにカットしたものをサンプルとして、 三菱化学株式会社製の抵抗測定器 "ハイレス夕 I P · HRプローブ"を使って、 幅 方向に等ピッチで 3力所と縦 (周) 方向に 4力所の合計 1 2ケ所について各々測 定し、 全体の平均値で示した。
体積抵抗率 (VR) は電圧 1 0 0 V印加の下 1 0秒経過後に、 表面抵抗率 (SR) は電圧 5 0 0 V印加の下 1 0秒経過後に測定した。 -
表 B-_l
Figure imgf000063_0001
表面抵抗率及び体積抵抗率の平均値、 標準偏差は対数換算値 抵抗測定:ベル卜幅方向 3点 X周方向 4点 =計 12点 印加電圧: 100V 10秒後の値
抵抗測定機: Hiresta IP HRプローブ
表 B— 1によれば、 実施例のフィルムでは、 参考例乃至比較例に対し、 表面抵 抗率及び体積抵抗率の標準偏差が非常に小さい、 すなわちバラツキが小さいこと が分かった。
また、 実施例のフィルムでは、 参考例乃至比較例に対し、 フィルム表面側及び 裏面側の表面抵抗率 (対数換算値) の差が極めて小さく、 カラー複写機用の中間 転写ベルトとして好ましい特性を有している。
さらに、 一般に成形中の加熱昇温速度を早くすると、 表面抵抗率の対数換算値 LogSRから体積抵抗率の対数換算値 LogVRを引いた値 (Log(SR/VR) ) が低くなるた め、 転写ベルトとして使用した場合、 電荷の除電、 帯電が適切に行えず、 画像不 良の原因となる問題があった。 しかし、 オリゴマー混合溶液を用いることにより この値を高い値 (1 · 0〜3· 0) に維持できることが分かり、 これによりフィルムの 生産性もさらに向上できることが分かった。
C . 第 3発明
次に第 3発明を、 比較例と共に実施例によって更に詳述する。なお、以下、 2 , 3 , 3, ,4, 一ビフエニルテトラカルボン酸二無水物を 「a- BPDAJ と、 3 , 3, , 4, 4 ' ービフエニルテトラカルボン酸二無水物を 「s- BPDA」 と表記する。 また、 数平均分子量は GPC法 (溶媒: NMP) により測定した。
実施例 C一 1
a-BPDAを 14gと s- BPDAを 56g (20モル%: 80モル%)に、メ夕ノ一ル 22. 8g、 N-メチル- 2-ピロリドン 160gを投入し、バス温度 70°Cにて窒素流通下反応させた。 次に、 バス温度 65°Cまで冷却後、 4 , 4, -ジアミノジフエ二ルェ一テル (0DA) を 47. 6g投入し、ゆっくり撹拌してナイロン塩型モノマー溶液 300. 4gを得た。こ の溶液は粘度; 1. 8ボイズ、 不揮発分濃度 36. 3重量%であった。
次に、窒素流通下の N -メチル - 2 -ピロリドン 488gに 0DAを 47. 6g加え、 50 に保温、 撹拌し完全に溶解させた。 この溶液に a- BPDA: 35gと s- BPDA: 35gをブ レンドした粉体を除々に添カロし、ポリアミド酸溶液 605. 6gを得た。このポリアミ ド酸溶液の数平均分子量; 16000、 粘度; 30ボイズ、 不揮発分濃度 18. 0重量%で あった。
上記のナイ口ン塩型モノマー溶液 100gとポリアミド酸溶液 80gをブレンドした ポリイミド系前駆体溶液 180gを作製した。 粘度 13ボイズ、 不揮発分濃度 8.2 重量%であった。
この前駆体溶液 150gに酸性カーボン (PH3.0): 7.5gと N-メチル -2-ピロリド ン 16.7gを加えて、 ポールミルにてカーボンブラックの均一分散を行った。 この マスターバッチ溶液は不揮発分濃度 28.6重量%、該不揮発分中の CB濃度は 15.1 重量%であり、 力一ポンプラックの平均粒径は 0.28 m、 最大粒径は 0.58 Π1で あった。また、 10日後のカーボンブラックの平均粒径は 0.28 ΠΙ、最大粒径は 0.76 mとほとんど変匕しなかつた。
なお、本明細書における「不揮発分濃度」とは次のように算出された値である。 試料 (ナイロン塩型モノマー溶液等) を金属カップ等の耐熱性容器で精枰しこの 時の試料の重量を Agとする。試料を入れた耐熱性容器を電気オーブンに入れて、 120°CX12分、 180°CX12分、 26(TCX30分、及び 300°CX30分で順次昇温しなが ら加熱、 乾燥し、 得られる固形分の重量 (不揮発分重量) を Bgとする。 同一試 料について 5個のサンプルの A及び Bの値を測定し (n=5)、 次式 (I) にあては めて不揮発分濃度を求めた。 その 5個のサンプルの平均値を、 本発明における不 揮発分濃度として採用した。
不揮発分濃度 =B/AX100 ( ) (I)
実施例 C— 2
a-BPDAを 35gと s- BPDAを 35g (50モル%: 50モル%)に、メタノール 22.8g、 N-メチル- 2 -ピロリドン 160gを投入し、 バス温度 80°Cにて窒素流通下反応させ た。次に、バス温度 65°Cまで冷却後、 4,4' -ジァミノジフエニルェ一テル(0M) を 47.6g投入し、ゆっくり撹拌してナイロン塩型モノマー溶液 300.4gを得た。こ の溶液は粘度; 1.8ボイズ、 不揮発分濃度 36.3重量%であつた。
次に、窒素流通下の N-メチル -2-ピロリドン 488gに 0DAを 47.6g加え、 50 に保温、 撹拌し完全に溶解させた。 この溶液に S- BPDA: 70gを除々に添加し、 ポ リアミド酸溶液 605.6gを得た。 このポリアミド酸溶液の数平均分子量; 12000、 粘度; 12ボイズ、 不揮発分濃度 18.0重量%であった。
上記のナイ口ン塩型モノマー溶液 100gとポリアミド酸溶液 80gをブレンドした ポリイミド系前駆体溶液 180gを作製した。 粘度 5.2ボイズ、 不揮発分濃度 28.2 重量%であった。
この前駆体溶液 150gに酸性カーボン (pH3.0): 7.5gと N-メチル -2-ピロリド ン 16..7gを加えて、 ポールミルにてカーボンブラックの均一分散を行った。 この マスターパッチ溶液は不揮発分濃度 28.6重量%、該不揮発分中の CB濃度は 15.1 重量%であり、 カーボンブラックの平均粒径は 0.31 m、 最大粒径は 0.77 mで あった。また、 10日後のカーボンブラックの平均粒径は 0.31 m,最大粒径は 0.88 mとほとんど変ィ匕しなかつた。
実施例 C— 3
a-BPDAを 21gと s-BPDAを 49g (30モル%: 70モル% -)に、 メタノール 22.8g、 N-メチル -2-ピロリドン 250gを投入し、 バス温度 80°Cにて窒素流通下反応させ た。次に、バス温度 65°Cまで冷却後、 4, 4' -ジァミノジフエニルエーテル(0M) を 47.6g投入し、ゆっくり撹拌してナイロン塩型モノマー溶液 390.4gを得た。こ の溶液は粘度; 0.7ボイズ、 不揮発分濃度 27.9重量%であった。
このナイロン塩型モノマー 200g にポリアミドイミド溶液 (パイ口マックス HR-16NN,東洋紡績株式会社製) (数平均分子量 21000、固形分 14重量%、粘度 500 ボイズ) llOgをブレンドしたポリイミド系前駆体溶液 310gを作製した。 粘度 18 ボイズ、 不揮発分濃度 23.0重量%であった。
この前駆体溶液 60gに酸性カーボン (pH3.0): 10.9gと N -メチル -2 -ピロリド ン 25. 2 gを加えて、 ポールミルにてカーボンブラックの均一分散を行った。 こ のマスタ一バッチ溶液は不揮発分濃度 23.9重量%、 該不揮発分中の力一ボンブ ラック濃度は 15.4重量%であり、 カーボンブラックの平均粒径は 0.215 m、 最 大粒径は 0.51 mであった。また、 10日後のカーボンブラックの平均粒径は 0.218 a, 最大粒径は 0·58 ΠΙとほとんど変化しなかった。
参考例 C— 1
実施例 C— 1で作製したナイロン塩型モノマー 200gに酸性カーボン (PH3.0) 13.5gと有機溶媒(匿) 120gを添加して、 ポールミルにて主分散を行った。 この 溶液は粘度 5ボイズ、 不揮発分濃度 25.8重量%、 該不揮発分中の CB濃度 15.7 重量%であり、 カーボンブラックの平均粒径は 0.39 m、 最大粒径は 2.26 mで あった。 さらに、 10日後のカーボンブラックの平均粒径は 0.79 m、 最大粒径は 7. 70 mであり、 力一ボンブラックの凝集が確認された。
参考例 C一 2
窒素流通下の N -メチル- 2 -ピロリドン 450gに 0DAを 47. 6g加え、 50°Cに保 温、 撹拌し完全に溶解させた。 この溶液に s- BPDA : 70gを除々に添加し、 ポリア ミド酸溶液 567. 6gを得た。このポリアミド酸溶液の重量平均奸量; 5000、粘度; 6· 6ボイズ、不揮発分濃度 19. 2重量%であった。 この溶液 80gと実施例 C— 2で 作製したナイロン塩型モノマー 100g をブレンドしたポリイミド系前駆体溶液 180gを作製し、酸性カーボン(PH3. 0) 9. 5gと有機溶媒 (NMP) 120gを添カ卩して、 ポールミルにて主分散を行った。 この溶液は粘度 6ボイズ、 不揮発分濃度 19. 8 重量%、 該不揮発分中の CB濃度 15. 5重量%であり、 カーボンブラックの平均粒 径は 0. 26 III、 最大粒径は 0. 87 mであった。 さらに、 10日後のカーボンブラッ クの平均粒径は 0. 77 m、 最大粒径は 5. 10 mであり、 カーボンブラックの凝集 が確認された
実施例 C— 4 (回転成形法による管状ポリイミド系フィルムの作製)
外径 300腿、 内径 270廳、 長さ 500腿 の円筒状金型を、 回転速度 lOOrpm (10. 5rad/s)で回転させながら、その円筒状金型の内面に実施例 C— 1、 C一 2、 C— 3、 参考例 C— 1、 C— 2の溶液を均一に幅 480腿で塗布した。 塗布厚さは 不揮発分濃度から算出し、 ポリイミドベルト厚さが 100 mになるよう決定した。 溶剤の揮発は 60分間で 110°Cに昇温し、 その後 110°Cで 120分間保持して溶媒揮 発を行い自己支持性のある管状物を作製した。
次に、この管状物を円筒状金型の内面に付着したまま高温加熱炉に投入し、 120 分間で 320°Cに昇温し、 320°Cで 60分間高温加熱することでポリイミド転化した。 その後、 常温まで冷却して金型より管状ポリイミド系フィルムを取り出した。 そ の表面状態は、 目視にて判定した。
また、 表面抵抗率 (SR) 及び体積抵抗率 (VR) の測定は、 得られたポリイミド 系管状物を長さ 4 0 O mmにカットしたものをサンカレとして、 三菱化学株式会 社製の抵抗測定器 "ハイレス夕 I P · H Rプローブ" を使って、 幅方向に等ピッ チで 3力所と縦 (周) 方向に 4力所の合計 1 2ケ所について各々測定し、 全体の 平均値で示した。 体積抵抗率 (VR) は電圧 1 0 0 V印加の下 1 0秒経過後に、 表面抵抗率 (SR) は電圧 5 0 0 V印加の下 1 0秒経過後に測定した。
測定した結果を表 C—1にまとめた。 表 C— 1中の表面抵抗率、 体積抵抗率の 平均、標準偏差は、 いずれも対数換算値で示される。なお、管状物中の CB含有量 及び該管状物の厚さもあわせて表 C― 1に示す。
表 C— 1
Figure imgf000068_0001
表 C一 1によれば、 実施例の管状物では、 参考例に対し、 表面抵抗率及び体積 抵抗率の標準偏差が非常に小さい、 すなわちバラツキが小さいことが分かった。 また、 実施例の管状物では、 参考例に対し、 管状物表面側及び裏面側の表面抵 抗率 (対数換算値) の差が極めて小さく、 電子写真方式の転写ベルトとして好ま しい特性を有している。
さらに、 一般に成形中の加熱昇温速度を早くすると、 表面抵抗率の対数換算値
LogSRから体積抵抗率の対数換算値 LogVRを引いた値 (Log(SR/VR)) が低くなる ため、 転写ベルトとして使用した場合、 電荷の除電、 帯電が適切に行えず、 画像 不良の原因となる問題があった。 しかし、 本発明の半導電性 P I前駆体組成物を 用いることによりこの値を高い値 α. ο〜2. ο) に維持できることが分かった。 これに対し、 参考例では、 管状物の表面抵抗率が裏面抵抗率より小さい値であ り、 管状物の厚み方向にカーボンブラックの濃度勾配が発生していると考えられ る。 その結果、 体積抵抗率の値が高く、 バラツキも大きくなつていることがわか る。 · .
D. 第 4発明
次に第 4発明を、 比較例と共に実施例によって更に詳述する。 なお、 以下、 2、 3、 3,、 4, 一ビフエニルテトラカルボン酸二無水物を 「a- BPDAJ と、 3、 3'、 4、 4' ービフエニルテトラカルボン酸二無水物を 「s- BPDA」 と表記する。
実施例 D— 1
有機極性溶媒 N-メチル- 2 -ピロリドン 153gに、 酸性カーボン (ρΗ3·0, 揮発分 14.5%) を 27g添加して、 予備分散後、 ポールミルにて主分散を行った。 力一ポ ンブラックの平均粒径は 0.29 m、 最大粒径は 0.55 mであった。 次に、 この溶 液 120gに a- BPDAを 14gと s-BPDAを 56g、 メタノール 22.8g、 を投入し、 バス温 度 60°Cにて窒素流通下反応させた。
次に、 バス温度 50°Cまで冷却後、 4,4' -ジアミノジフエニルエーテル (0DA) を 47.6g投入し、 ゆっくり撹拌してモノマーからなるカーボンブラック分散高濃 度ポリイミド前駆体組成物 260gを得た。 この溶液は粘度 32ボイズ、 不揮発分濃 度 48.9重量%、該不揮発分中の CB濃度 14.2重量%であり、カーボンブラックの 平均粒径は 0.29 im、 最大粒径は 0.58 mであった。 また、 10日後の力一ポンプ ラックの平均粒径は 0.31 in、 最大粒径は 0.67 であり、 ほとんど変化しなか つた。
なお、本明細書における「不揮発分濃度」とは次のように算出された値である。 試料 (力一ポンプラック分散高濃度ポリイミド前駆体組成物等) を金属カップ等 の耐熱性容器で精抨しこの時の試料の重量を Agとする。 試料を入れた耐熱性容 器を電気オーブンに入れて、 120°CX12分、 180°CX12分、 260°CX30分、 及び 300°CX30分で順次昇温しながら加熱、 乾燥し、 得られる固形分の重量 (不揮発 分重量) を Bgとする。 同一試料について 5個のサンプルの A及び Bの値を測定 し (n=5)、 次式 (I) にあてはめて不揮発分濃度を求めた。 その 5個のサンプル の平均値を、 本発明における不揮発分濃度として採用した。
不揮発分濃度 =B/AX100 (%) (I)
実施例 D— 2 有機極性溶媒 N -メチル -2 -ピロリドン 120gに、ファーネスブラック(pH9.0,揮 発分 1.5%) を 10g添加して、 予備分散後、 ポールミルにて主分散を行った。 力 —ポンプラックの平均粒径は 0.67 m、 最大粒径は 3.92 mであった。 次に、 こ の溶液 125gに a- BPDAを 35gと S- BPDAを 35g、 メタノール 22.8g、 を投入し、 バ ス温度 70°Cにて窒素流通下反応させた。次に、バス温度 50°Cまで冷却後、 ,4' - ジアミノジフエ二ルエーテル(0DA) を 47.6g投入し、ゆっくり撹拌してモノマー からなるカーボンブラック分散高濃度ポリイミド前駆体組成物 265gを得た。この 溶液は粘度 12ボイズ、不揮発分濃度 44.7重量%、不揮発分中の CB濃度 8.2重量% であり、カーボンブラックの平均粒径は 0.77 m、最大粒径は 3.92 mであった。 さらに、 10日後のカーボンブラックの平均粒径は 0.77 in、 最大粒径は 4.47 ΠΙ であり、 ほとんど変化しなかった。
比較例 D—1
s-BPDAと 0DAから合成された高分子量のポリアミド酸溶液 (粘度 50ボイズ、 不揮発分濃度 18.0重量%) 600gに、 酸性カーボン (PH3.0, 揮発分 14.5%) を 20g添加して、 ポ一ルミルにて主分散を行ったが、 溶液の増粘率が高くゲル状に なってしまい。 そこで、 この溶液に有機溶媒 (匿) を 300g加えて、 再分散を行 つた。 この溶液は粘度 8ボイズ、 不揮発分濃度 13.9重量%、 不揮発分中の CB濃 度 15.6重量%であり、力一ポンプラックの平均粒径は 0.32 m、最大粒径は 0.77 mであった。 さらに、 10日後のカーボンブラックの平均粒径は 0.32 m、 最大 粒径は 0.77 imであり、 ほとんど変化しなかった。
参考例 D— 1
a-BPDAを 35gと s- BPDAを 35g (50モル%: 50モル%)に、メタノール 11.8g、 N-メチル -2-ピロリドン 160gを投入し、バス温度 70°Cにて窒素流通下反応させた。 次に、 バス温度 60でまで冷却後、 ,4' -ジアミノジフエニルエーテル (0DA) を 47.6g投入し、 ゆっくり撹拌してナイロン塩型モノマー溶液 300.4gを得た。 この 溶液は粘度; 1.8ボイズ、 不揮発分濃度 36.3重量%であった。 この溶液に、 酸性 カーボン 113.0,揮発分14.5%) 16.5gと有機溶媒 (NMP) 140gを添加して、 ポ ールミルにて主分散を行った。この溶液は粘度 5ボイズ、不揮発分濃度 27.5重量%、 不揮発分中の CB?農度 12.3重量%であり、カーボンブラックの平均粒径は 0. 7 m、 最大粒径は 1. 73 zmであった。 さらに、 10日後のカーボンブラックの平均粒 径は 0. 78 ΐη、 最大粒径は 5. 12 mであり、 カーボンブラックの凝集が確認でき た。 - 実施例 D— 3 (回転成形法による管状ポリイミドフィルムの作製)
外径 300腿、 内径 270醒、 長さ 500mm の円筒状金型を、 回転速度 lOOrpm (10. 5rad/s)で回転させながら、その円筒状金型の内面に実施例 D— 1、 D— 2 叉は比較例 D - 1、 参考例 D - 1の溶液を均一に幅 480讓で塗布した。 塗布厚さ は不揮発分濃度から算出し、ポリイミドベルト厚さが 100 mになるよう決定した。 溶剤の揮発は 60分間で 100°Cに昇温し、 その後 100°Cで溶剤の揮発を目視で観察 し、 溶媒揮発が終了させるのに必要な時間を測定した。
次に、 この管状物を円筒状金型の内面に付着したまま高温加熱炉に投入し、 120 分間で 320°Cに昇温し、 320°Cで 60分間高温加熱することでポリイミド転化した。 その後、 常温まで冷却して金型より管状ポリイミドフィルムを取り出した。 以上 の結果を表 D— 1に示す。なお、管状物中の CB含有量及び該管状フィルムの厚さ もあわせて表 D— 1に示す。
なお、 表面抵抗率 (SR) の測定は、 得られた管状ポリイミドフィルムを長さ 4 0 O mmにカットしたものをサンプルとして、 三菱化学株式会社製の抵抗測定器 "ハイレス夕 I P · H Rプロ—プ'を使って、幅方向に等ピッチで 3力所と縦 (周) 方向に 4力所の合計 1 2ケ所について各々測定し、 全体の平均値で示した。 表面 抵抗率 (SR) は電圧 5 0 0 V印加の下 1 0秒経過後に測定した。
表 D— 1
Figure imgf000071_0001
従来法 (比較例) では、 成形原料の不揮発分濃度が低くなり、 大量の有機極性 溶媒を揮発するのに多大な時間が必要となり生産効率が非常に悪い。 また、 モノ マー溶液などに CBを添加して分散する方法では、 分散時の発熱によつてモノマー 溶液の反応が進行し溶液の状態が不安定になる。 発明の効果
本発明の管状 P Γフィルムは、 高品質の非導電性又は半導電性の無端状 (繋目 なし) の管状ポリイミドフィルムを、 簡便、 効率的、 且つ経済的に製造すること ができる。
具体的には、 第 1発明によれば、 特定組成からなるポリイミドのモノマ原料と 回転成形手段との組合せによって、 直接無端管状 P Iフィルムを得ることができ るようになった。 また、 従来のポリアミド酸を経由する無端管状 P Iフィルムの 製造方法に比べ、 大幅な時間短縮が図れるようになった。 加えて、 工程管理の大 幅な合理化による生産性の向上と共に、 より安定した高品質の管状 P Iフィルム が得られることにも繋がった。 得られた無端管状 P Iフィルムは、 各種用途に多 用することができ、中でも半導電無端管状フィルムは、例えばカラープリンター、 力ラー複写機等に用いる電子写真方式の中間転写ベルト等として、 より一層好適 に使用することができる。
第 2発明の半導電性管状 P Iフィルムは、 所定の芳香族テトラカルボン酸成分 と芳香族ジアミン成分とを重縮合して得られる芳香族アミド酸オリゴマーを成形 原料として用いているため、 均質な電気抵抗率を有している。 すなわち、 本発明 の半導電性管状 P Iフィルムは、表面抵抗率及び体積抵抗率のバラツキが小さい、 フィルム表面と裏面の表面抵抗率 (対数換算値) の差が小さい、 表面抵抗率の対 数換算値 LogSRから体積抵抗率の対数換算値 LogVRを引いた値を高い値 (1. 0〜 3. 0) に維持できるという優れた特性を備えている。そのため、本発明の半導電性 管状 P Iフィルムは、 例えばカラー複写機用等の中間転写ベルト等として好適に 使用することができ、 電荷の除電、 帯電を適切に行うことができるため優れた画 像処理が可能となる。
第 3発明の半導電性管状 P I系フィルムは、 ナイロン塩型モノマー溶液と、 高 分子量ポリイミド前駆体溶液又は高分子量ポリアミドイミド溶液とからなる混合 溶液に、 カーボンブラックを均一分散させてなる半導電性ポリイミド系前駆体組 成物を成形原料として用いているため、 均質な電気抵抗率を有している。 すなわ ち、 本発明の半導電性管状 P I系フィルムは、 表面抵抗率及び体積抵抗率のバラ ツキが小さく、 フィルム表面と裏面の表面抵抗率 (対数換算値) の差が小さいと いう優れた特性を備えている。 そのため、 本発明の半導電性管状 P I系フィルム は、 例えば力ラーの電子写真方式等の中間転写ベルトとして好適に使用すること ができ、 電荷の除電、 帯電を適切に行うことができるため優れた画像処理が可能 となる。
第 4発明の半導電性高濃度 P I前駆体組成物では、 C B粉体が均一に分散し、 かつ、 C B粉体が均一分散した状態の貯蔵安定性が格段に向上する。 しかも、 こ れを用いた半導電性 P I前駆体組成物を回転成形して得られる導電性管状 P Iフ ィルムは、 その厚み方向に極めて安定かつ均質な電気抵抗率を有する導電性が付 与される。 すなわち、 例えばカラープリン夕一、 カラー複写機等に用いる電子写 真方式の中間転写ベルト等として使用した場合、 電荷の除電、 帯電を適切に行う ことができ、 優れた画像処理が可能となる。 また、 本発明の半導電性高濃度 P I 前駆体組成物は、 力一ポンプラック分散液に成形原料であるモノマーを溶解させ るため、不揮発性分濃度を 35〜60重量%程度と格段に高めることができる。その ため、 本発明の半導電性高濃度 P I前駆体組成物では、 容易に膜厚のあるフィル ムを製造することができ、 使用する溶媒の量が少ないためコストが抑えられ溶媒 の蒸発除去が簡便になる。

Claims

請求の範囲
1. 非対称性芳香族テトラカルボン酸成分 1 5 - 5 5モル%と対称性芳香族 テトラカルボン酸成分 8 5〜4 5モル%との混合物からなる 2種以上の芳香族テ トラカルボン酸成分と、 芳香族ジァミン成分とから形成されたポリイミドからな り、その降伏強度 (σ γ)が 1 2 O MP a以上であり破断強度と降伏強度の比(σ c r/ σ γ)が 1 · 1 0以上であることを特徴とする無端管状ポリイミドフィルム。
2. 非対称性芳香族テトラカルボン酸成分 1 5 - 5 5モル%と対称性芳香族 テトラカルボン酸成分 8 5〜4 5モル%との混合物からなる 2種以上の芳香族テ トラカルボン酸成分と、 芳香族ジァミン成分とから形成されたポリイミドに力一 ボンブラックが分散されてなり、 その表面抵抗率が 1 0 3〜1 0 1 5 ΩΖ口である 半導電性無端管状ポリイミドフィルム。
3. 表面電気抵抗率の対数換算値の標準偏差が 0. 2以内であり、 体積電気抵 抗率の対数換算値の標準偏差が 0. 2以内であり、 表面電気抵抗率の対数換算値と 裏面電気抵抗率の対数換算値との差が 0. 以内である請求項 2に記載の半導電性 無端管状ポリイミドフィルム。
4. 非対称性芳香族テトラカルボン酸又はそのエステル 1 5〜 5 5モル%と 対称性芳香族テトラカルボン酸又はそのエステル 8 5〜4 5モル%とからなる芳 香族テトラカルボン酸成分と、 芳香族ジアミン成分とが略等モル量で混合されて なる実質的モノマ状態の混合溶液を、 回転成形法にて管状物に成形し、 加熱処理 してイミド化することを特徴とする無端管状ポリイミドフィルムの製造方法。
5. 非対称性芳香族テトラカルボン酸又はそのエステル 1 5〜 5 5モル%と 対称性芳香族テトラカルボン酸又はそのエステル 8 5〜4 5モル%とからなる芳 香族テトラカルボン酸成分と、 芳香族ジアミン成分とが略等モル量で混合されて なる実質的モノマ状態の混合溶液に、 芳香族テトラカルボン酸成分と芳香族ジァ ミン成分の合計量 1 0 0重量部に対し 1〜3 5重量部のカーボンブラックが分散 された半導電性のモノマ混合溶液を、 回転成形法にて管状物に成形し、 加熱処理 してイミド化することを特徴とする半導電性無端管状ポリイミドフィルムの製造 方法。
6. 請求項 5に記載の製造方法により製造される電子写真方式の中間転写べ ルトに用いられる半導電性無端管状ポリイミドフィルム。
7 . · 2種以上の芳香族テトラカルボン酸成分と芳香族ジアミンとの略等モル 量を重縮合反応して得られる芳香族アミド酸オリゴマー、 力一ポンプラック、 及 び有機極性溶媒を含有してなる半導電性芳香族アミド酸組成物。
8 . 前記芳香族アミド酸オリゴマーが、 2種以上の芳香族テトラカルボン酸 二無水物と芳香族ジアミンとの略等モル量を有機極性溶媒中 80°C程度以下の温 度で重縮合反応して得られる芳香族アミド酸オリゴマーである請求項 7に記載の 半導電性芳香族アミド酸組成物。 - 9 . 2種以上の芳香族テトラカルボン酸二無水物が、 非対称性芳香族テトラ カルボン酸二無水物 15〜55モル%と対称性芳香族テトラカルボン酸二無水物 85 〜45 モル%とからなる混合物である請求項 8に記載の半導電性芳香族アミド酸 組成物。
1 0 . 前記芳香族アミド酸オリゴマーが、 2種以上の芳香族テトラカルボン 酸ジエステルと芳香族ジァミンとの略等モル量を有機極性溶媒中 90〜120 程度 の温度で重縮合反応して得られる芳香族アミド酸オリゴマ一である請求項 7に記 載の半導電性芳香族アミド酸組成物。
1 1 . 2種以上の芳香族テトラ力ルポン酸ジエステルが、 非対称性芳香族テ トラ力ルポン酸ジエステル 15〜55モル%と対称性芳香族テトラカルボン酸ジェ ステル 85〜45 モル%とからなる混合物である請求項 1 0に記載の半導電性芳香 族アミド酸組成物。
1 2 . 前記芳香族アミド酸オリゴマーの数平均分子量が 1000〜7000程度であ る請求項 7に記載の半導電性芳香族アミド酸組成物。
1 3 . カーボンブラックの配合量が、 芳香族テトラカルボン酸成分と有機ジ ァミンの合計量 100重量部に対し、 3〜30重量部程度である請求項 7に記載の半 導電性芳香族アミド酸組成物。
1 4. 請求項 7に記載の半導電性芳香族アミド酸組成物を回転成形し、 加熱 処理することを特徴とする半導電性無端管状ポリイミドフィルムの製造方法。
1 5 . 請求項 1 4に記載の製造方法により製造される、 電子写真方式の中間 転写ベルトに用いられる半導電性無端管状ポリイミドフィルム。
1 6 . 有機極性溶媒中で 2種以上の芳香族テトラカルボン酸成分と芳香族ジ ァミンとの略等モル量を一部縮重合反応して芳香族アミド酸オリゴマー溶液とし、 これと導電性力一ボンブラック粉体とを均一混合することを特徴とする半導電性 芳香族アミド酸組成物の製造方法。
1 7 . 有機極性溶媒に 2種以上の芳香族テトラカルボン酸ジエステルと芳香 族ジァミンとの略等モル量を溶解したナイ口ン塩型モノマ一溶液に、 高分子量の ポリイミド前駆体溶液又は高分子量のポリアミドイミド溶液を混合して混合溶液 を調製し、 該混合溶液にカーボンブラックを均一分散させてなる半導電性ポリィ ミド系前駆体組成物。
1 8 . 2種以上の芳香族テトラカルボン酸ジエステルが、 非対称性芳香族テ トラ力ルポン酸ジエステル 10〜55 モル%と対称性芳香族テトラカルボン酸ジェ ステル 90〜45モル%とからなる混合物である請求項 1 7に記載の半導電性ポリ イミド系前駆体組成物。
1 9 . 2種以上の芳香族テトラ力ルポン酸ジエステルが、 非対称性の 2, 3, 3' ,4' -ビフエニルテトラ力ルポン酸ジエステル 10〜55 モル%と対称性の 3, 3' , 4, 4' -ビフエニルテトラカルボン酸ジエステル 90〜45モル%とからなる 混合物である請求項 1 7に記載の半導電性ポリイミド系前駆体組成物。
2 0. 高分子量のポリイミド前駆体溶液が数平均分子量 10000以上のポリァ ミド酸溶液であり、 高分子量のポリアミドイミド溶液が数平均分子量 10000以上 のポリアミドイミド溶液である請求項 1 7に記載の半導電性ポリイミド系前駆体 組成物
2 1 . 前記数平均分子量 10000以上のポリアミド酸溶液が、 ビフエ二ルテト ラカルボン酸二無水物とジァミノジフエ二ルェーテルとの略等モル量を有機極性 溶媒中で反応して製造される請求項 2 0に記載の半導電性ポリイミド系前駆体組 成物。
2 2. 前記数平均分子量 10000以上のポリアミドイミド溶液が、 トリメリッ ト酸無水物及びべンゾフエノンテトラカルボン酸二無水物からなる酸無水物と芳 香族ィソシァネートとの略等モル量を有機極性溶媒中で反応して製造される請求 項 2 0に記載の半導電性ポリイミド系前駆体組成物。
2 3 . 請求項 1 7に記載の半導電性ポリイミド系前駆体組成物を回転成形法 にて管状物に成形し、 加熱処理してイミド化することを特徴とする半導電性無端 管状ポリイミド系フィルムの製造方法。
2 4. 請求項 2 3に記載の製造方法により製造される、 表面抵抗率が 107〜 1014ΩΖ口であり電子写真方式の中間転写ベルトに用いられる半導電性無端管状 ポリイミド系フィルム。
2 5. 有機極性溶媒に 2種以上の芳香族テトラカルボン酸ジエステルと芳香 族ジァミンとの略等モル量を溶解したナイ口ン塩型モノマー溶液に、 高分子量の ポリイミド前駆体溶液又は高分子量のポリアミドイミド溶液を混合して混合溶液 を調製し、 該混合溶液にカーボンブラックを均一分散させることを特徴する半導 電性ポリイミド系前駆体組成物の製造方法。
2 6 . 有機極性溶媒に力一ボンブラックを均一に分散させてなるカーポンプ ラック分散液に、 芳香族テトラカルボン酸ジエステルと芳香族ジアミンとの略等 モル量を溶解することを特徴とする半導電性高濃度ポリイミド前駆体組成物の製 造方法。
2 7 . 芳香族テトラカルボン酸ジエステルが、 非対称性芳香族テトラカルボ ン酸ジエステル 10〜55モル%と対称性芳香族テトラカルボン酸ジエステル 90〜 45 モル%とからなる混合物である請求項 2 6に記載の半導電性高濃度ポリイミ ド前駆体組成物の製造方法。
2 8 . 芳香族テトラカルボン酸ジエステルが、 非対称性の 2, 3, 3' , 4' -ビフ ェニルテトラカルボン酸ジエステル 10〜55モル%と対称性の 3, 3' , 4, 4' -ビフ ェニルテトラ力ルポン酸ジエステル 90〜45モル%とからなる混合物である請求 項 2 6に記載の半導電性高濃度ポリイミド前駆体組成物の製造方法。
2 9 . 芳香族テトラカルボン酸ジエステルと芳香族ジアミンの合計量 100重 量部に対し、 カーボンブラックが 5〜35重量部程度である請求項 2 6に記載の半 導電性高濃度ポリイミド前駆体組成物の製造方法。
3 0. 請求項 2 6に記載の製造方法により製造される半導電性高濃度ポリィ ミド前駆体組成物。
3 1 . 請求項 3 0に記載の半導電性高濃度ポリイミド前駆体組成物を回転成 形法にて管状物に成形し、 加熱処理してイミド化することを特徴とする半導電性 無端管状ポリイミドフィルムの製造方法。
3 2 . ' 請求項 3 1に記載の製造方法により製造される表面抵抗率 107〜1014Ω /口である、 電子写真方式の中間転写ベルトに用いられる半導電性無端管状ポリ イミドフィルム。
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