WO2003071600A1 - Mecanisme de transport pour substrats, utilise dans un systeme de traitement de semi-conducteurs - Google Patents

Mecanisme de transport pour substrats, utilise dans un systeme de traitement de semi-conducteurs

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WO2003071600A1
WO2003071600A1 PCT/JP2003/000845 JP0300845W WO03071600A1 WO 2003071600 A1 WO2003071600 A1 WO 2003071600A1 JP 0300845 W JP0300845 W JP 0300845W WO 03071600 A1 WO03071600 A1 WO 03071600A1
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Tsutomu Hiroki
Hiroaki Saeki
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    • Y10S414/139—Associated with semiconductor wafer handling including wafer charging or discharging means for vacuum chamber

Definitions

  • the present invention relates to a support mechanism for transferring a substrate to be processed such as a semiconductor wafer in cooperation with a transfer arm in a semiconductor processing system.
  • semiconductor processing refers to forming a semiconductor layer, an insulating layer, a conductive layer, and the like in a predetermined pattern on a substrate to be processed such as a semiconductor wafer or an LCD substrate.
  • above means various processes performed to manufacture a semiconductor device and a structure including wiring, electrodes, etc. connected to the semiconductor device.
  • a plurality of transfer arms are provided for transferring a semiconductor wafer.
  • Each carry The feed arm is configured to be able to bend, extend, swivel, or move horizontally. Wafers are sequentially transferred between these transfer arms, and are transferred from the wafer cassette to the processing apparatus or vice versa.
  • the transfer of wafers between the transfer arms is not performed directly between the transfer arms. Instead, a support mechanism provided between the transfer arms for raising and lowering the wafer and a buffer table having the support mechanism are provided. Done through. The wafer is transferred by one of the transfer arms onto a support mechanism or a buffer table, and is transferred by the other transfer arm from the support mechanism or the buffer table.
  • a wafer may be temporarily evacuated and another wafer may be transferred preferentially in a transfer chamber provided during transfer.
  • the above-described support mechanism and buffer stand can be disposed in the transfer chamber and used.
  • Such a support mechanism and a buffer base are disclosed in, for example,
  • a processed wafer may have a thin film adhered not only on its front surface but also on its back surface.
  • the unprocessed wafer is handled by directly contacting the elevating pins and the like on the back surface, the unprocessed wafer is contaminated by the film pieces attached to the elevating pins and the like.
  • the support mechanisms disclosed in the above publications have two lifters for raising and lowering the wafer, and the two lifters are used simultaneously to transfer the wafer. Therefore, these support mechanisms Then, it is difficult to use it with high freedom according to the situation.
  • An object of the present invention is to provide a substrate support mechanism in a semiconductor processing system having a compact structure in which the two holding portions can be used alternatively according to the situation. To do that.
  • One aspect of the present invention is a support mechanism for transferring a substrate to be processed in cooperation with a transfer arm in a semiconductor processing system.
  • the first and second holding units each of which can move up and down and can transfer the substrate to and from the transfer arm, and the first and second holding units move relatively in the vertical direction without spatially interfering with each other. Possible and arranged to hold substrates having substantially the same horizontal coordinate position;
  • a first and a second drive section for respectively raising and lowering the first and the second holding section
  • a control unit that controls the first and second driving units; and the control unit controls the first and second driving units so that the first and second holding units selectively hold a substrate.
  • FIG. 1 is a schematic plan view showing a semiconductor processing system having a substrate support mechanism according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing a relay room having a load lock function to which the support mechanism shown in FIG. 1 is attached.
  • FIG. 3 is a perspective view of the support mechanism shown in FIG.
  • FIG. 4 is a plan view of the support mechanism shown in FIG.
  • FIG. 5 is a partially enlarged view showing a mounting portion of a reciprocating port head in the support mechanism shown in FIG.
  • FIG. 6 is a diagram schematically showing an arrangement of actuators of a support mechanism according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a plan view showing an arrangement of lifter pins in the support mechanism shown in FIG.
  • FIG. 8 is a plan view showing a base frame of a support mechanism according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a perspective view showing a support mechanism according to a fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a plan view of the support mechanism shown in FIG.
  • FIG. 11 is a perspective view showing a support mechanism according to a fifth embodiment of the present invention.
  • FIG. 12 is a plan view of the support mechanism shown in FIG.
  • FIG. 13 is a perspective view showing a support mechanism according to a sixth embodiment of the present invention.
  • FIG. 14 is a plan view of the support mechanism shown in FIG.
  • FIG. 15 is a diagram showing a support mechanism according to a modification of the sixth embodiment.
  • FIG. 1 is a schematic plan view showing a semiconductor processing system having a substrate support mechanism according to a first embodiment of the present invention.
  • the processing system 2 includes a plurality of, for example, four processing devices 4A, 4B, 4C, and 4D, a substantially hexagonal common transfer chamber 6, and a load rod. It has first and second relay chambers (load lock chambers) 8A and 8B each having a lock function, and a slender inlet-side transfer chamber 10. Substrate support mechanisms 12A and 12B are provided in each of the relay rooms 8A and 8B.
  • the common transfer chamber 6 and the first and second relay chambers 8A and 8B are airtight chambers that can be evacuated.
  • the processing devices 4A to 4D are connected to four sides of the substantially hexagonal common transfer chamber 6, and the first and second relay chambers 8A are connected to the other two sides. 8 B are connected respectively. That is, the processing system 2 has a cluster tool type structure in which a processing device and a relay room are connected around the common transfer chamber 6.
  • An introduction-side transfer chamber 10 is commonly connected to the first and second relay rooms 8A and 8B.
  • the processing devices 4A to 4D and the first and second relay chambers 8A and 8B are provided with gate valves G1 to G4 and G5, which can be opened and closed air-tightly with respect to the common transfer chamber 6, respectively. Connected via G6.
  • the first and second relay chambers 8A and 8B are connected to the inlet-side transfer chamber 10 via gate valves G7 and G8 which can be opened and closed in an airtight manner, respectively.
  • the common transfer chamber 6 includes a multi-joint arm that can bend and extend and rotate at a position where it can access the two relay chambers 8A and 8B and the four processing units 4A to 4D.
  • a first transport means 14 is provided.
  • the first transfer means 14 has two picks 14A and 14B that can bend and stretch independently in the opposite directions to each other, and can handle two wafers at a time. It should be noted that a device having only one pick can be used as the first transport means 14.
  • the introduction-side transfer chamber 10 is formed of a horizontally long box through which an inert gas such as N 2 gas or clean air is circulated.
  • an inert gas such as N 2 gas or clean air is circulated.
  • three cassette tables 16A, 16B, 16C for mounting cassette containers are arranged. Is done.
  • One cassette 18A to 18C can be placed on each cassette table 16A, 16B, 16C.
  • each cassette 1.8A to 18C a maximum of 25 wafers W, for example, can be placed in multiple stages at equal pitch and accommodated.
  • Each of the cassettes 18A to 18C has a closed structure filled with, for example, an N 2 gas atmosphere. Wafers are loaded and unloaded into the transfer chamber 10 through the gate doors 20A, 20B, and 2OC provided for the cassette tables 16A to 16C. It becomes possible.
  • a second transfer means 22 for transferring the wafer W along its longitudinal direction is provided in the introduction-side transfer chamber 10.
  • the second transfer means 22 slides on a guide rail 24 disposed so as to extend along the length direction in the center of the transfer chamber 10 on the introduction side. It is movably supported.
  • the guide rail 24 incorporates, for example, a linear motor as a moving mechanism, and the second transport means 22 is moved in the X direction along the guide rail 24 by the linear motor.
  • An orienter 26 is provided at the end of the introduction-side transfer chamber 10 as a positioning device for positioning the wafer.
  • the orienter 26 has a turntable 28 that is rotated by a drive motor (not shown) while the wafer W is placed thereon.
  • An optical sensor 30 for detecting the peripheral portion of the wafer W is provided on the outer periphery of the turntable 28. The optical sensor 30 detects the positional direction and the positional deviation of the notch and the orientation flat of the wafer W.
  • the second transfer means 22 has two articulated transfer arms 32 and 34 which are arranged in two upper and lower stages.
  • Picks 32A and 34A each having a bifurcated shape are attached to the tip of each of the transfer arms 32 and 34, and the wafers W are directly placed on the picks 32A and 34A, respectively. Will be retained.
  • Each of the transfer arms 32, 34 can be bent and extended in the R direction from the center to the radial direction, and the bending and extension of each of the transfer arms 32, 34 can be controlled individually. Further, the transfer arms 32 and 34 can be integrally rotated in the ⁇ direction which is the turning direction with respect to the base 36.
  • FIG. 2 is a sectional view showing a transfer chamber having a load lock function to which the support mechanism shown in FIG. 1 is attached.
  • 3 and 4 are a perspective view and a plan view of the support mechanism shown in FIG.
  • the support mechanism 12 A is formed by bending a thin film such as a numeral “7”, for example, a plurality of thin films made of aluminum or ceramic.
  • the illustrated example has two base frames 38, 40.
  • the two base frames 38, 40 are arranged so as not to overlap with each other in a plan view so that they do not collide with each other when they move in the vertical direction and interfere with each other.
  • the two base frames 38, 40 extend towards each other and beyond the leading edge of each other and into the cutouts of the other base frame. , 4 1.
  • Each of the base frames 38 and 40 has a plurality of lifter pins, in the illustrated example, three lifter pins 38 A to 38 C and 40 A to 40 C, respectively. It is arranged upright. Li cover pins 3 8 A ⁇ 3 8 C and 4 0 A ⁇ 4 0 C, for example A 1 2 0 3. Etc. Se la mix force Ranaru. The wafer W is supported in a state where the back surface thereof is in direct contact with the upper ends of the lifter pins 38A to 38C and 40A to 40C.
  • the lifter pins 38A to 38C and 40A to 40C of each group are arranged at the same pitch for each group on the same circumference 42. (Approximately 120 degree intervals). At least three lift tapins are provided in one base frame 38 or 40, respectively.
  • the lifter pins 38 A to 38 C and 40 A to 40 C of both groups are different for each group. It may be arranged on a certain circumference.
  • each of the base frames 38, 40 can be independently moved up and down by driving actuators 46, 48.
  • the lift strokes of the lifter pins 38A to 38C and the lifter pins 40A to 40C by the actuators 46 and 48 are the same as each other.
  • the uppermost and lowermost positions of the upper ends of the lifter pins 38A to 38C should be substantially the same as the uppermost and lowermost positions of the upper ends of the lifter pins 40A to 40A. Is set to. That is, the position where the lifter pins 38 A to 38 C and the lifter pins 4 OA to 40 C transfer the wafer W to the first transfer means 14 or the second transfer means 22.
  • the first and second transporting means 14 and 22 can be raised and lowered respectively. Accordingly, the wafer W can be exchanged.
  • Bellows 58, 60 made of, for example, an elastic bellows tube made of metal are provided in a portion penetrating the bottom 44 of each of the reciprocating ports 50, 52. More specifically, as shown in FIG. 5, each reciprocating rod 50, 52 is passed through the bellows 58, 60, respectively.
  • the upper ends of the bellows 58, 60 are attached to the lower surfaces of the base frames 38, 40 in an airtight manner, respectively.
  • the lower end of each bellows 58, 60 is attached to the lower surface of the bottom part 44 with a screw 66 to maintain the airtightness through a sealing member 62 and a mounting ring 64. Fixed.
  • each of the actuators 46 and 48 is controlled by a lifting / lowering control section 68 composed of, for example, a microphone computer.
  • each of the relay chambers 8A and 8B for example, an inert gas inlet 70 such as N 2 gas and an exhaust outlet 72 connected to a vacuum system (not shown) are formed. Thereby, the pressure in each of the relay rooms 8A and 8B can be set as required between the vacuum atmosphere and the atmospheric pressure atmosphere.
  • the unprocessed wafer W already positioned by the orienter 26 is taken out from the turntable 28 and the turntable 28 is emptied. Therefore, the other transfer arm 34 in the empty state is driven to receive and hold the wafer W from the turntable 28 with the pick 34A.
  • the unprocessed wafer held by the pick 32 A of the transfer arm 32 is placed on the empty turntable 28. This wafer is then aligned before another unprocessed wafer is transferred.
  • the unprocessed wafer taken out from the turntable 28 by the other transfer arm 34 is transferred to the two transfer chambers by moving the second transfer means 22 in the X direction. Move to one of the relay rooms 8A and 8B, for example, 8A.
  • the gate valve G7 By opening the gate valve G7, the inside of the relay chamber 8A, whose pressure is already adjusted, is opened.
  • the lifter pins of any one of the groups in the relay room 8A, for example, the lifter pins 40A to 40C, have already undergone a predetermined process in the processing apparatus, for example, a film forming process or the like. A processed wafer that has been subjected to etching or the like is supported and waiting.
  • the empty transfer arm 32 is driven to take out the processed wafer W waiting on the lifter pins 40A to 40C with the pick 32A.
  • the other transfer arm 34 is driven to transfer the unprocessed wafer W held by the pick 34A onto the lifter pins 38A to 38C of the other group.
  • the processed wafer is returned to the original cassette by the second transfer means 22.
  • the processed wafer W is returned to the original cassette through the reverse path as described above.
  • any of the two relay rooms 8A and 8B may be passed.
  • the lifter pins 40A to 4A in a group different from the group holding the unprocessed wafers-W are held. Hold at 0 C. This suppresses contamination of the unprocessed wafer W by contaminants such as thin films as much as possible.
  • the unprocessed wafer W and the processed wafer W are prevented from being contaminated by using different groups of lifter pins.
  • the 13 wafers W are exclusively supported, and the processed wafers W are exclusively supported by the three lifter pins 40A to 4OC arranged on the other base frame 40.
  • an example will be described in which an unprocessed wafer W is introduced from the introduction-side transfer chamber 10 and the processed wafer W is replaced with an unprocessed wafer.
  • lifter pins 40A to 40C of one base frame 40 supporting processed wafer W are raised, and empty lifter pins 38 of the other base frame 38 are raised. Let A ⁇ 38C drop.
  • the empty pick 32A is advanced horizontally into the relay room 8A, and inserted under the processed wafer W (between wafer W and base frame 40). I do.
  • the processed wafer W is transferred to the pick 32A side by lowering the lifter pins 40A to 40C.
  • the pick 32A is retracted and removed from the relay room 8A.
  • the other pick 34A holding the unprocessed wafer W is advanced horizontally into the relay room 8A.
  • the other base frame 38 which had been lowered until now, is raised, and the unprocessed wafer W is supported by lifter pins 38A to 38C so that the unprocessed wafer W is pushed up from below. I do.
  • the empty pick 34A is moved back by the relay room 8A. In this way, the processed wafer W and the unprocessed wafer W can be replaced.
  • the movement is basically the same as described above.
  • the lifter pins 38A to 38C receive the unprocessed wafer W from the second transfer unit 22 and perform the first process. 845
  • the wafer W is continuously supported until the same wafer W is transferred to 14 transport means 14. During this time, the lifter pins 4OA to 40C do not support the wafer W. On the other hand, the lifter pins 4OA to 40C receive the processed wafer W from the first transfer means 14 and then transfer the same wafer W to the second transfer means 22 until the wafer W is transferred to the second transfer means 22. Support W continuously. During this time, the lifter pins 38A to 38C do not support the wafer W. That is, the lifter pins 38A to 38C and the lifter pins 40A to 40C support the wafer W alternatively. Regarding this point, the same applies to each embodiment described later. Either of the two groups, lifter pins 38 A to 38 C and lifter pins 40 A to 4 OC, is used for unprocessed wafer W or processed wafer W. It can be set arbitrarily.
  • a plurality of, for example, three lifter pins 388 to 38 are provided on a plurality of, for example, two base frames 38, 40, respectively. , 4OA to 40C are provided.
  • the lifter pins 38 A to 38 C of one group are used exclusively for the unprocessed wafer W, and the lifter pins 40 A to 40 C of the other group have been processed. Used exclusively for wafer W. For this reason, it is possible to prevent the unprocessed wafer W from being contaminated by the thin-film substances and particles.
  • base frames 38, 40 are provided, but the third or third base frame 38, 40 is provided so as not to interfere with both base frames 38, 40.
  • the above-mentioned base frames may be installed, and a similar lifter pin may be used for them.
  • the support mechanism disclosed in each of the above publications has two lifters for raising and lowering the wafer, and transports a wafer by using the two lifters simultaneously. For this reason, it is difficult to use these support mechanisms with a high degree of freedom according to the situation. More specifically, for example, the support mechanism disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 9-222 727 has two sets of support means (support pins) for independently operated substrates. The two sets of support means cooperate to support one substrate at the same time, or one support means supports the substrate before processing and the other support means simultaneously supports the substrate to be processed. The substrate to be processed is supported.
  • the substrate support mechanism according to the first embodiment in order to transfer a substrate to be processed W having substantially the same horizontal coordinate position to and from the transfer device and to support it, Two sets (plurality) of means for supporting the substrates to be processed (two base frames 38 and 40 correspond here) are provided so as not to interfere with each other.
  • the two sets (plurality) of means for supporting the substrate to be processed alternatively support the substrate to be processed (simultaneously, only one supporting means supports the substrate to be processed). That is, when one of the support means supports the substrate to be processed, the other support means does not support the substrate to be processed. Therefore, the support mechanism according to the first embodiment is JP03 / 00845
  • FIG. 6 is a diagram schematically showing an arrangement of the actuators of the support mechanism according to the second embodiment of the present invention based on this viewpoint.
  • FIG. 7 is a plan view showing an arrangement of lifter pins in the support mechanism shown in FIG.
  • each lifter pin 38A-38C and 40A-40C has two groups, the first group of lifter pins 38A-38C. The second group is divided into lifter pins 4OA to 40C. Actuators 80A to 80C and 82A to 82C are provided below each lifter pin corresponding to each lifter pin.
  • each actuator 80A to 8OC and 82A to 82C are arranged on the same circumference, but in Fig. 6 they are arranged in a plane to facilitate understanding. Is shown in Note that one of the actuators 80 A to 80 C and the other of the actuators 82 A to 82 C may be arranged on different concentric circles.
  • Each lifter pin 38 A to 38 C and 40 A to 40 C is a round trip rod of each actuator 80 A to 80 C and 82 A to 82 C.
  • a to 84 C and 86 A to 86 C You.
  • the actuators 80 A to 80 C and 82 A to 82 C are controlled by a lifting control unit 68 to move up and down.
  • bellows 88 are respectively provided at the penetrating portions of the round-trip ports 84 A to 84 C and 86 A to 86 C with respect to the relay room bottom 44.
  • Actuators 80 A to 80 C connected to lifter pins 38 A to 38 C in one group are raised and lowered in synchronization.
  • actuators 82A to 82C connected to lifter pins 40A to 40C in the other group are raised and lowered in synchronization.
  • the group of actuators 80A to 80C and the group of actuators 82A to 82C can independently control the elevating operation.
  • the lifter pins are provided for each group, that is, for each of the lifter pins 38A to 38C, or for each of the lifter pins 40A to 40C.
  • the lifting operation is controlled in synchronization. Thereby, the same operation and effect as in the case of the above-described first embodiment can be exerted.
  • one group of lifter pins 38A to 38C is used exclusively for transferring an unprocessed wafer W, and the other group of lifter pins 40A to 40C are processed.
  • C Can be used exclusively for W transfer.
  • a plurality of, for example, three lift tap pins 38 A to 38 C, 40 A to 40 C are provided on each of two base frames. Will be arranged. Instead, all the lifter pins 38 A to 38 C and 40 A to 40 C are omitted, and the base frames 38 and 40 are made to function as holding plates. Fine 45
  • FIG. 8 is a plan view showing a base frame (holding plate) of the support mechanism according to the third embodiment of the present invention based on this viewpoint.
  • the size of the base frames 38, 40 shown in FIG. 8 is set smaller than the size of the base frames 38, 40 of the first embodiment shown in FIG. In this case, the same operation and effect as those of the first embodiment can be exerted.
  • FIG. 9 is a perspective view showing a support mechanism according to a fourth embodiment of the present invention based on this viewpoint.
  • FIG. 10 is a plan view of the support mechanism shown in FIG.
  • the structure related to the lifter pins 38A and 40A has a structure similar to that shown in FIGS. 6 and 7. I have. That is, both lifter pins 38 A, 4 OA 03 00845
  • each base frame 38, 40 has a shape supporting the lifter pins 38A, 40A instead of the shape like the numeral "7" as shown in FIG. For example, it has a U-shape as if it had been removed.
  • one of the lifter pins 38 A and the base frame 38 are grouped and moved up and down synchronously.
  • the other lifter pin 4OA and the base frame 40 are grouped and moved up and down synchronously. Also in this case, the same operation and effect as in the case of the above-described first embodiment can be exhibited.
  • FIG. 11 is a perspective view showing a supporting mechanism according to a fifth embodiment of the present invention based on such a viewpoint.
  • FIG. 12 is a plan view of the support mechanism shown in FIG. Fine 45
  • any of the support mechanisms according to the first to fourth embodiments is disposed at the center of the relay room 8A.
  • a pair of reciprocating rods 90 and 92 are provided outside the elevating area where the wafer W is moved up and down by this support mechanism.
  • the reciprocating rods 90 and 92 are arranged in directions different from the gate valves G5 and G7 provided on both sides of the relay room 8A by 90 degrees, and are inserted when the wafer is loaded and unloaded.
  • FIGS. 11 and 12 show a case where the support mechanism according to the first embodiment is provided in the center of the relay room 8A.
  • Bellows 94 which allow the reciprocating ports 90, 92 to move up and down while maintaining the airtightness of the chamber, are provided in the through-hole of the relay chamber bottom 44 of the reciprocating rods 90, 92. 9 6 To be provided respectively.
  • Actuators for raising and lowering the two reciprocating rods 90 and 92 are arranged below the two reciprocating rods 90 and 92, respectively. Both reciprocating rods 90 and 92 are reciprocating rods.
  • each reciprocating rod 90, 92 a support plate 98, 100, for example, made of ceramics, extending in the horizontal direction toward the center of the relay room 8A. are attached and fixed respectively.
  • each of the support plates 98 and 100 is formed in a “T” shape, and the upper surface thereof is in direct contact with the back surface of the wafer W, and the first and second transfer means are provided. Save wafers W transferred by 14 and 22 respectively.
  • the support mechanism for the other relay room 8B is configured in the same manner as the above-mentioned support mechanism for the relay room 8A.
  • an unprocessed wafer W is formed by a pair of support plates 98 and 100. While holding it and lifting it upward, the operation as described in the first embodiment is performed with lifter pins 38A to 38C and 40A to 40C. I can. That is, while the specific wafer W is lifted high by the support plates 98 and 100 and kept in a standby state, it is possible to carry in / out another wafer below the specific wafer W. Therefore, the degree of freedom in handling the substrate to be processed can be improved.
  • FIG. 13 is a perspective view showing a support mechanism according to a sixth embodiment of the present invention based on this viewpoint.
  • FIG. 14 is a plan view of the support mechanism shown in FIG.
  • the first base frame 38 is connected to the second base frame 38 so that the first base frame 38 and the second base frame 40 overlap vertically.
  • the first base frame 38 is supported at its center by a first round trip rod, for example, a rod 50.
  • 2nd base Frame 40 is supported by a second reciprocating rod, eg, rod 52, at its center.
  • the first and second reciprocating rods 50 and 52 have a coaxial structure and can be individually moved up and down in the vertical direction. Note that the two rods 50 and 52 may be arranged in parallel with each other without having a coaxial structure.
  • the lower end of the first reciprocating rod 50 is connected to a first actuator, for example, an actuator 46 (see FIG. 2).
  • the lower end of the second reciprocating rod 52 is connected to a second actuator, for example, an actuator 48 (see FIG. 2).
  • a first bellows 110 which can be extended and contracted so as to cover the first reciprocating rod 50. You.
  • an extendable second bellows 11 2 is provided so as to cover the second reciprocating rod 52. It is interposed.
  • the second base frame 40 is formed in a substantially disk shape, and a plurality of, in the illustrated example, three lifter pins 40A to 40C are arranged upright from the periphery thereof.
  • the upper ends of the lifter pins 40A to 40C extend upward from the first base frame 38, and the upper end of the lifter pins 40A to 40C can support the wafer W.
  • the lifter pins 40A to 40C are arranged on the periphery of the second base frame 40 at substantially equal intervals in the circumferential direction.
  • the first base frame 38 is formed by, for example, bending each side of an equilateral triangle toward the center so as not to interfere with the three lifter pins 40A to 40C. It has such a deformed triangular shape.
  • the first base frame 38 is directly connected to the wafer W on its upper surface.
  • the upper ends of the lifter pins 40 A to 40 C of the lower second base frame 40 are connected to the first base frame 3 when supporting the wafer W. It will rise to above 8.
  • the same operation as that described in the first embodiment can be performed. That is, the upper surface of the first base frame 38 and the lift pins 40 A to 40 C provided on the second base frame 40 can selectively support the wafer W. It can be.
  • each base frame 38, 40 can be made small and its planar area can be made small. As a result, even if a pick with a small opening at the tip of the pick is used when transferring a wafer, the pick does not interfere with the base frames 38 and 40. In addition, lifting and lowering of the support mechanism during wafer transfer is facilitated.
  • the wafer W is supported on the upper surface of the first base frame 38, but lifter pins may be provided on the first base frame 38.
  • FIG. 15 is a diagram showing a supporting mechanism according to a modification of the sixth embodiment based on this viewpoint. As shown in FIG. 15, a plurality of, in the illustrated example, three lifter pins 38 A to 38 C are arranged upright on the peripheral edge of the first base frame 38. The lifter pins 38A to 38C support the wafer W at their upper ends.
  • an airtight chamber capable of evacuating is used.
  • a support mechanism is provided in a certain relay room 8A, 8B.
  • a support mechanism may be installed in an empty space in the transfer chamber 10 on the introduction side or in an empty space in the common transfer chamber 6, and used as a temporary waiting place for wafers. .
  • the upper surface thereof directly contacts the rear surface of the wafer W.
  • a plurality of protrusions having a height of about 1 mm and a diameter of about 5 mm may be provided on the upper surface thereof, and these protrusions may support the back surface of the wafer.
  • a concave portion may be provided on the upper surface thereof, and the wafer W may be accommodated and supported in the concave portion.
  • control unit supports the unprocessed wafer W on one of the lifter pins or the base frame and processes the processed wafer W on the other lifter pins or the base frame. Control to support the wafer.
  • control to support the wafer.
  • a plurality of lifter pins or base frames may be selectively used depending on the state of the wafer W (considering the case where the support mechanism according to each embodiment is used in the common transfer chamber 6 or the like).
  • each lifter pin or base frame is the same. Instead, depending on the condition of the wafer W to be supported, it is possible to use different materials (for example, heat-resistant materials, heat-conductive materials, etc.) for each lifter pin or base frame. Good. Further, the control unit can be operated so that the number of wafers supported by each lift pin or base frame becomes substantially equal. As a result, the cleaning cycle at the wafer contact portion can be lengthened, and the life of members of the support mechanism such as the bellows can be prolonged. Further, a mechanism for rotating the wafer W may be added to the support mechanism of the present invention.
  • a semiconductor wafer is described as an example of a substrate to be processed, but the present invention is not limited to this, and the present invention is also applied to a glass substrate, an LCD substrate, and the like. be able to.

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Description

明 細 書
半導体処理シス テムにおける基板支持機構
技術分野
本発明は、 半導体処理シス テ ムにおいて、 搬送アーム と協 働して半導体ウェハ等の被処理基板を移載するための支持機 構に関する。 なお、 こ こ で、 半導体処理と は、 半導体ウェハ や L C D基板等の被処理基板上に半導体層、 絶縁層、 導電層 等を所定のパター ンで形成する こ と によ り 、 該被処理基板上 に半導体デバイ スや、 半導体デバイスに接続される配線、 電 極等を含む構造物を製造するために実施される種々の処理を 意味する。
背景技術
半導体集積回路を製造するため、 ウェハに対して成膜、 ェ ツチング、 酸化、 拡散等の各種の処理が行われる。 この種の 処理において、 半導体集積回路の微細化及び高集積化に伴つ て、 スループッ ト及ぴ歩留り を向上させる こ とが求められて . いる。 かかる観点から、 同一処理を行 う複数の処理装置、 或 いは異なる処理を行 う複数の処理装置を、 共通の搬送室を介 して相互に結合して、 ウェハを大気に晒すこ とな く 各種工程 の連続処理を可能と した、 いわゆる ク ラスタツール化された 半導体処理シス テ ム が知られている。 ク ラスタツール型の半 導体処理シス テ ムは、 例えば、 特開 2 0 0 0 — 2 0 8 5 8 9 号公報、 特開 2 0 0 0 - 2 9 9 3 6 7 号公報等に開示される。
ク ラスタ ツール型の半導体処理システム内には、 半導体ゥ ェハを搬送するため、 複数の搬送アームが配設される。 各搬 送アームは屈伸、 旋回、 或いは水平移動が可能に構成される。 ウェハは、 これらの搬送アーム間で順次受け渡される こ と に よ り 、 ウェハカセ ッ トから処理装置側へ、 或いはこの逆に搬 送される。
通常、 搬送アーム間のウェハの受け渡しは、 搬送アーム間 同士で直接的に行われず、 搬送アーム間に配設された、 ゥェ ハを昇降する支持機構や、 この支持機構を有するバッフ ァ台 を介 して行われる。 ウェハは、 一方の搬送アームによ り 支持 機構或いはバッ フ ァ台上へ搬送され、 他方の搬送アームによ り支持機構或いはバ ッ フ ァ台から搬送される。
ウェハの処理態様によっては、 搬送途中に配設された搬送 室内において、 ウェハを一時的に待避させ、 他のウェハを優 先的に搬送させる場合もある。 このよ う な場合も、 搬送室内 に上記の支持機構やバッファ台を配設 して使用する こ と がで きる。 この よ う な支持機構やバ ッ フ ァ台は、 例えば、 特開平
4 一 6 9 9 1 7 号公報、 特開平 9 一 2 2 3 7 2 7 号公報、 特 開 2 0 0 1 — 1 7 6 9 4 7号公報等に開示される。
半導体ウェハを取り 扱う場合、 成膜処理を例にとれば、 処 理済みの ウェハは、 その表面は勿論のこ と、 裏面にも薄膜が 付着している場合がある。 この場合、 裏面に昇降ピン等を直 接接触させて未処理のウェハを取り扱う と、 昇降ピン等に付 着した膜片等によ り 未処理のウェハが汚染される。
また、 上記各公報に開示の支持機構にあっては、 ウェハを 昇降させるために 2つの リ フタ を有し、 2 つの リ フタ を同時 に使用 してウェハを搬送する。 こ のため、 これらの支持機構 では、 状況に応じた 自 由度の高い使用が困難である。
発明の開示
本発明の 目的は、 その 2つの保持部を状況に応じて択一的 に使用する こ と が可能であ り 、 且つコ ンパク ト な構造を有す る半導体処理システ ムにおける基板支持機構を提供する こ と にある。
本発明のある視点は、 半導体処理システ ムにおいて、 搬送 アーム と協働して被処理基板を移載するための支持機構であ つて、
夫々 が昇降可能で且つ前記搬送アームに対して基板を授受 可能な第 1 及び第 2保持部と、 前記第 1及び第 2保持部は、 空間的に互いに干渉しないで垂直方向において相対的に移動 可能であ り 、 実質的に同 じ水平座標位置を有する基板を保持 する よ う に配置される こ と と、
前記第 1 及び第 2保持部を夫々昇降させる第 1 及び第 2駆 動部と、
前記第 1 及び第 2駆動部を制御する制御部と、 前記制御部 は、 前記第 1 及び第 2保持部で択一的に基板を保持する よ う に前記第 1 及び第 2駆動部を制御する こ と と、
を具備する。
図面の簡単な説明
図 1 は本発明の第 1 の実施の形態に係る基板支持機構を有 する半導体処理シス テ ムを示す概略平面図。
図 2 は図 1 図示の支持機構が取り 付けられたロ ー ドロ ック 機能を有する中継室を示す断面図。 図 3 は図 1 図示の支持機構の斜視図。
図 4 は図 1 図示の支持機構の平面図。
図 5 は図 1 図示の支持機構における往復口 ッ ドの取り 付け 部を示す部分拡大図。
図 6 は本発明の第 2 の実施の形態に係る支持機構のァクチ ユエータの配列を模式的に示す図。
図 7 は図 6 図示の支持機構における リ フタ ピンの配列を示 す平面図。
図 8 は本発明の第 3 の実施の形態に係る支持機構のベース フ レームを示す平面図。
図 9 は本発明の第 4 の実施の形態に係る支持機構を示す斜 視図。
図 1 0 は図 9 図示の支持機構の平面図。
図 1 1 は本発明の第 5 の実施の形態に係る支持機構を示す 斜視図。
図 1 2 は図 1 1 図示の支持機構の平面図。
図 1 3 は本発明の第 6 の実施の形態に係る支持機構を示す 斜視図。
図 1 4 は図 1 3 図示の支持機構の平面図。
図 1 5 は第 6 の実施の形態の変形例に係る支持機構を示す 図。
発明を実施するための最良の形態
本発明の実施の形態について図面を参照して以下に説明す る。 なお、 以下の説明において、 略同一の機能及び構成を有 する構成要素については、 同一符号を付し、 重複説明は必要 な場合にのみ行う。
く第 1 の実施の形態 >
図 1 は本発明の第 1 の実施の形態に係る基板支持機構を有 する半導体処理シス テ ムを示す概略平面図である。
図 1 図示のよ う に、 処理シス テ ム 2 は、 複数、 例えば 4つ の処理装置 4 A、 4 B、 4 C、 4 D と、 略六角形状の共通搬 送室 6 と、 ロー ドロ ック機能を有する第 1 及び第 2 の中継室 (ロー ドロ ック室） 8 A、 8 B と、 細長い導入側搬送室 1 0 と、 を有する。 各中継室 8 A、 8 B内には、 基板支持機構 1 2 A、 1 2 Bが配設される。 なお、 共通搬送室 6 や第 1 及び 第 2 の中継室 8 A、 8 Bは、 真空排気可能な気密室となって いる。
具体的には、 略六角形状の共通搬送室 6 の 4辺に各処理装 置 4 A〜 4 Dが接続され、 他側の 2つの辺に、 第 1及ぴ第 2 の中継室 8 A、 8 Bが夫々接続される。 即ち、 処理シス テム 2 は、 共通搬送室 6 を中心と して処理装置や中継室が接続さ れたク ラスタツール型の構造をなす。 第 1 及び第 2 の中継室 8 A、 8 Bに、 導入側搬送室 1 0 が共通に接続される。 各処 理装置 4 A〜 4 D及び第 1 及び第 2 の中継室 8 A、 8 B は、 共通搬送室 6 に対して、 夫々気密に開閉可能なゲー トバルブ G 1 〜 G 4及び G 5 、 G 6 を介 して接続される。 第 1 及び第 2 の各中継室 8 A、 8 B は、 導入側搬送室 1 0 に対 して、 夫々気密に開閉可能なゲー トバルブ G 7 、 G 8 を介して接続 される。
4つの処理装置 4 A〜 4 Dでは、 被処理基板である半導体 ウェハ Wに対して同種の、 或いは異種の処理を真空雰囲気内 で施すよ う に設計される。 共通搬送室 6 内には、 2 つの各中 継室 8 A、 8 B及び 4 つの各処理装置 4 A〜 4 Dにア ク セス でき る位置に、 屈伸及び旋回可能な多関節アームよ り なる第 1 の搬送手段 1 4が配設される。 第 1 の搬送手段 1 4 は、 互 いに反対方向へ独立して屈伸でき る 2つのピック 1 4 A、 1 4 B を有し、 一度に 2枚のウェハを取り扱う こ とができ る。 なお、 第 1 の搬送手段 1 4 と して 1 つのみのピック を有する ものも用いる こ とができ る。
導入側搬送室 1 0 は、 N 2 ガス等の不活性ガスや清浄空 気が循環される横長の箱体によ り 形成される。 こ の横長の箱 体の一側には、 カセ ッ ト容器を載置する 1 つ乃至複数の、 図 示例では 3 台のカセ ッ ト台 1 6 A、 1 6 B、 1 6 Cが配設さ れる。 各カセッ ト台 1 6 A、 1 6 B、 1 6 Cには、 1 つずつ カセ ッ ト 1 8 A〜 1 8 Cが載置可能と なる。
-.各カセ ッ ト 1· 8 A〜 1 8 C内には、 最大例えば 2 5枚のゥ ェハ Wを等ピッチで多段に載置して収容でき る。 各カセ ッ ト 1 8 A〜 1 8 C 内部は例えば N 2 ガス雰囲気で満た された 密閉構造と なっている。 導入側搬送室 1 0 内へは、 各カセ ッ ト台 1 6 A〜 1 6 Cに対応 して配設されたゲー ト ドア 2 0 A、 2 0 B、 2 O C を介してウェハが搬出入可能となる。
導入側搬送室 1 0 内には、 ウェハ Wをその長手方向に沿つ て搬送するための第 2 の搬送手段 2 2 が配設される。 第 2 の 搬送手段 2 2 は、 導入側搬送室 1 0 内の中心部を長さ方向に 沿って延びる よ う に配設した案内 レール 2 4上にスライ ド移 動可能に支持される。 案内 レール 2 4 には、 移動機構と して 例えばリ ニアモータが内蔵され、 この リ ニアモータ によ り 第 2 の搬送手段 2 2 は案内レール 2 4 に沿って X方向へ移動さ れる。
導入側搬送室 1 0 の端部には、 ウェハの位置合わせを行う 位置合わせ装置と してオリ エンタ 2 6 が配設される。 オリ エ ンタ 2 6 は、 ウェハ Wを載置した状態で駆動モータ （図示せ ず） によ って回転される回転台 2 8 を有する。 回転台 2 8 の 外周には、 ウェハ Wの周縁部を検出するための光学センサ 3 0が配設される。 光学センサ 3 0 によ り 、 ウェハ Wのノ ッチ やオリ エンテーシ ョ ンフ ラ ッ ト の位置方向や位置ずれが検出 される。
第 2 の搬送手段 2 2 は、 上下 2段に配置された多関節形状 になされた 2つの搬送アーム 3 2 、 3 4 を有する。 各搬送ァ ーム 3 2 、 3 4 の先端には夫々 2股状になされたピック 3 2 A、 3 4 Aが取り付け られ、 ピック 3 2 A、 3 4 A上に夫々 ウェハ Wが直接的に保持される。 各搬送アーム 3 2、 3 4 は、 この中心よ り 半径方向へ向かう R方向へ屈伸 自在で、 各搬送 アーム 3 2 、 3 4の屈伸動作は個別に制御可能と なる。 また、 搬送アーム 3 2 、 3 4 は基台 3 6 に対する旋回方向である Θ 方向へ一体的に回転可能と なる。
次に、 各中継室 8 A、 8 B に配設された支持機構 1 2 A、 1 2 B について説明する。 これらの両支持機構 1 2 A、 1 2 Bは、 全く 同様に形成されるので、 こ こでは一方の支持機構、 例えば支持機構 1 2 Aを例にと って説明する。 図 2 は図 1 図示の支持機構が取り付け られたロー ドロ ック 機能を有する搬送室を示す断面図である。 図 3及び図 4 は図 1 図示の支持機構の斜視図及び平面図である。
図 2 乃至図 4 に示すよ う に、 支持機構 1 2 Aは、 数字の " 7 " のよ う に屈曲 して成形された薄い、 例えばアルミ ェゥ ム製、 或いはセラ ミ ック製の複数、 図示例では 2 つのベース フ レーム 3 8、 4 0 を有する。 両ベース フ レーム 3 8、 4 0 は、 これらが上下方向へ移動した際に互いに衝突して干渉し ないよ う に、 平面的に見て互いに重な り合わないよ う に配置 される。 図 3及び図 4 図示のよ う に、 両ベース フ レーム 3 8、 4 0 は、 互いに向かって且つ互いの先端部を越えて他方べ一 ス フ レームの切欠内まで延在する延長部 3 9、 4 1 を有する。
各ベース フ レーム 3 8、 4 0 力 らは、 夫々複数本の、 図示 例にあっては夫々 3 本の リ フタ ピン 3 8 A〜 3 8 C及ぴ 4 0 A〜 4 0 Cが上方へ起立して配設される。 リ フタ ピン 3 8 A 〜 3 8 C及び 4 0 A〜 4 0 C は例えば A 1 2 03. 等のセ ラ ミ ックス力 らなる。 ウェハ Wは、 リ フタ ピン 3 8 A〜 3 8 C 及び 4 0 A〜 4 0 Cの上端にその裏面が直接的に接した状態 で支持される。
図 4 にも示すよ う に、 各グループ毎の リ フタ ピン 3 8 A〜 3 8 C及び 4 0 A〜 4 0 Cは、 同一の円周 4 2上に夫々 グル ープ毎に等ピッチ （略 1 2 0度間隔） と なる よ う に配置され る。 リ フ タ ピ ンは、 1 つのベース フ レーム 3 8 或いは 4 0 に、 夫々少なく と も 3本配設される。 なお、 両グループの リ フタ ピン 3 8 A〜 3 8 C及ぴ 4 0 A〜 4 0 Cは、 グループ毎に異 なる 円周上に配置する よ う に しても よい。
中継室 8 Aの底部 4 4 (図 2参照） の下方には、 2つのべ 一ス フ レーム 3 8、 4 0 に対応 して 2つのァクチユエータ 4 6、 4 8 が配設される。 各ァクチユエータ 4 6、 4 8 の往復 ロ ッ ド 5 0、 5 2 は、 底部 4 4 に形成された貫通孔 5 4、 5 6 を揷通 し、 その先端が各ベース フ レーム 3 8、 4 0 の下面 に取 り 付け固定される。 各ベース フ レーム 3 8、 4 0 は、 ァ クチユエー タ 4 6、 4 8 を駆動する こ と によ り 、 別個独立し て上下方向へ昇降可能と なる。
なお、 ァクチユエータ 4 6、 4 8 による リ フタ ピン 3 8 A 〜 3 8 C及ぴリ フタ ピン 4 0 A〜 4 0 Cの昇降ス ト ロークは 互いに同一と なっている。 また、 リ フタ ピ ン 3 8 A〜 3 8 C の上端の最上及び最下位置は、 リ フタ ピン 4 0 A〜 4 0 じの 上端の最上及び最下位置と実質的に同 じなる よ う に設定され る 。 即ち、 リ フ タ ピン 3 8 A〜 3 8 C及び リ フ タ ピン 4 O A 〜 4 0 Cが、 第 1 の搬送手段 1 4或いは第 2 の搬送手段 2 2 に対して ウェハ Wを授受する位置は実質的に同 じと なる。 伹 し、 上記の 2つの昇降ス ト ローク並びに 2つの最上及ぴ最下 位置が互いに等 しく なく ても、 第 1 及ぴ第 2 の搬送手段 1 4、 2 2 の夫々 に昇降動作をさせる こ と によ り 、 ウェハ Wの授受 を行 う こ と ができる。
各往復口 ッ ド 5 0、 5 2 の底部 4 4 に対する貫通部には、 例えば金属製の伸縮可能な蛇腹管よ り なるベローズ 5 8、 6 0 が配設される。 具体的には、 図 5 にも示すよ う に、 各往復 ロ ッ ド 5 0、 5 2が夫々ベローズ 5 8、， 6 0 内に揷通される。 各べローズ 5 8 、 6 0 の上端は、 ベース フ レーム 3 8、 4 0 の下面に夫々気密状態で取り付け られる。 各べローズ 5 8 、 6 0 の下端は、 底部 4 4 の下面に、 シール部材 6 2 と取り 付 け リ ング 6 4 と を介して、 ネジ 6 6 によ り 気密性を維持して 取り 付け固定される。
ベローズ 5 8 、 6 0 を取り付ける こ と によ り 、 中継室 8 A 内の気密性を維持しつつ往復口 ッ ド 5 0 、 5 2 を昇降する こ とができ る。 各ァクチユエータ 4 6 、 4 8 は、 例えばマイ ク 口 コ ンピュータ等よ り なる昇降制御部 6 8 によ り その動作が 制御される。
各中継室 8 A、 8 B の例えば底部には、 N 2 ガス等の不 活性ガス導入口 7 0 と 、 真空系 （図示せず） に接続された排 気口 7 2 が形成される。 これによ り 、 各中継室 8 A、 8 B内 の圧力を真空雰囲気と大気圧雰囲気と の間で必要に応じて設 定する こ と ができ る。
次に、 図 1 図示の半導体処理システムの動作に関し、 ゥェ ハ Wの概略的な流れについて説明する。
3 つのカセ ッ ト台 1 6 A〜 1 6 Cの内のいずれ力、 1つの力 セ ッ ト台、 例えばカセ ッ ト台 1 6 C上のカセ ッ ト容器 1 8 C 内から未処理のウェハ Wを取り 出す。 この際、 例えば、 第 2 の搬送手段 2 2 のいずれか一方の搬送アーム、 例えば搬送ァ ーム 3 2 を駆動する こ と によって ピック 3 2 Aでカセ ッ ト容 器 1 8 C内から ウェハ Wを受け取って保持する。 次に、 第 2 の搬送手段 2 2 を X方向へ移動する こ と によってウェハ Wを オリ エンタ 2 6 まで搬送する。 JP03/00845
11 次に、 すでにオリ ェンタ 2 6 で位置合わせされた未処理の ウェハ Wを回転台 2 8 上から取り 出 し、 回転台 2 8 上を空に する。 このため、 空状態の他方の搬送アーム 3 4 を駆動する こ と によ ってピック 3 4 Aで回転台 2 8上から ウェハ Wを受 け取って保持する。
次に、 搬送アーム 3 2のピック 3 2 Aに保持していた未処 理の ウェハを、 空状態になった回転台 2 8 上に载置する。 こ の ウェハは次に別の未処理のウェハが搬送されて く るまでに 位置合わせされる。 次に、 回転台 2 8 上から他方の搬送ァー ム 3 4で取り 出 した未処理のウェハを、 第 2 の搬送手段 2 2 を X方向へ移動させる こ と によ り 、 2つの中継室 8 A、 8 B の内のいずれか一方の中継室、 例えば 8 Aまで移動する。
次に、 ゲー トバルブ G 7 を開く こ と によってすでに圧力調 整される中継室 8 A内を開放する。 なお、 中継室 8 A内のい ずれか一方のグループの リ フタ ピン、 例えばリ フタ ピン 4 0 A〜 4 0 C上には、 すでに処理装置内にて所定の処理、 例え ば成膜処理やエッチング処理等が施された処理済みのウェハ が支持されて待機している。
次に、 空状態の搬送アーム 3 2 を駆動して ピック 3 2 Aで リ フタ ピン 4 0 A〜 4 0 C上に待機する処理済みのウェハ W を取 り 出す。 次に、 他方の搬送アーム 3 4 を駆動 してピック 3 4 Aに保持していた未処理のウェハ Wを他方のグループの リ フ タ ピン 3 8 A ~ 3 8 C上に移載する。 次に、 処理済みの ウェハを第 2 の搬送手段 2 2 によ り 元のカセ ッ トへ戻す。
—方、 リ フタ ピン 3 8 A〜 3 8 C上へ未処理の ウェハ Wを 移載したな らば、 ゲー トバルブ G 7 を閉 じ、 中継室 8 A內を 密閉する。 次に、 中継室 8 A内を真空排気して圧力調整した 後、 ゲー トバルブ G 5 を開放する こ と によ り 、 予め真空雰囲 気になされる共通搬送室 6 内と連通させる。 次に、 未処理の ウェハ Wを、 共通搬送室 6 内の第 1 の搬送手段 1 4 によって 受け取る。 第 1 の搬送手段 1 4 は 2 つの ピ ッ ク 1 4 A、 1 4 B を有するので、 第 1 の搬送手段 1 4 が処理済みのウェハを 保持している場合、 こ の処理済みのウェハと未処理のウェハ と の置き替えが行われる。
次に、 例えば各処理装置 4 A〜 4 Dにおいて、 未処理ゥェ ハ Wに対して順次必要な処理を行 う。 必要な処理が完了 した な らば、 こ の処理済みのウェハ Wを、 前述したと逆の経路を 通って元のカセ ッ ト に戻す。 この場合、 2つある 中継室 8 A、 8 Bの内、 何れを通っても よい。 また、 各中継室 8 A、 8 B 内にて処理済みのウェハ Wを保持する場合、 未処理のウェハ -Wを保持したグル ^プと は異なったグループの リ フタ ピ ン 4 0 A〜 4 0 Cで保持する。 これによ り 、 未処理の ウェハ Wが 薄膜等の汚染物によ り 汚染される こ と をでき るだけ抑制する。
次に、 中継室 8 A内における ウェハ Wの受け渡しについて 具体的に説明する。 なお、 他方の中継室 8 B 内においても同 様にウェハの受け渡しが行われる。
本実施の形態では、 上述 したよ う に、 未処理の ウェハ Wと 処理済みのウェハ Wとでは異なる グループの リ フタ ピ ンを用 いてウェハ Wの汚染を防止する。 例えば一方のベース フ レー ム 3 8 に配設した 3本の リ フタ ピ ン 3 8 A〜 3 8 Cで未処理 845
13 のウェハ Wを専用に支持し、 他方のベース フ レーム 4 0 に配 設した 3本の リ フタ ピン 4 0 A〜 4 O Cで処理済みのウェハ Wを専用に支持する。 以下では、 導入側搬送室 1 0 よ り 未処 理のウェハ Wを導入して処理済みのウェハ Wと未処理のゥェ ハと を差し替える場合を例にと って説明する。
まず、 処理済みのウェハ Wを支持する一方のベース フ レー ム 4 0 の リ フタ ピン 4 0 A〜 4 0 C を上昇させ、 他方のベー ス フ レーム 3 8 の空の リ フ タ ピン 3 8 A〜 3 8 C を降下させ ておく 。 この状態で、 空のピック 3 2 Aを中継室 8 A内へ水 平方向に進出させ、 これを処理済みのウェハ Wの下方 （ゥェ ハ Wとベース フ レーム 4 0 との間） に挿入する。 次に、 リ フ タ ピ ン 4 0 A〜 4 0 Cを降下させる こ と によ り処理済みのゥ ェハ Wをピック 3 2 A側へ移し替える。 次に、 ピック 3 2 A を後退させて中継室 8 A内から撤去する。
次に、 未処理のウェハ Wを保持する他方のピック 3 4 Aを 中継室 8 A内へ水平方向-に進出させる。 次に、 今まで降下し. ていた他方のベース フ レー ム 3 8 を上昇させ、 リ フタ ピン 3 8 A〜 3 8 Cによ り 未処理のウェハ Wをその下方よ り 突き上 げて支持する。 次に、 空になったピック 3 4 Aを中継室 8 A 力、ら後退させる。 このよ う に して、 処理済みのウェハ Wと未 処理のウェハ Wと を差し替える こ とができ る。 なお、 共通搬 送室 6 と 中継室 8 Aとの間でウェハ Wを移し替える場合も、 基本的には上述と同様な動き と なる。
上述の操作において、 リ フタ ピ ン 3 8 A〜 3 8 Cは、 第 2 の搬送手段 2 2 から未処理のウェハ Wを受け取った後、 第 1 845
14 の搬送手段 1 4 に同 ウェハ Wを受け渡すまで、 同ウェハ Wを 継続的に支持する。 この間、 リ フタ ピン 4 O A〜 4 0 Cはゥ ェハ Wを支持する こ と はない。 一方、 リ フタ ピン 4 O A〜 4 0 Cは、 第 1 の搬送手段 1 4から処理済みの ウェハ Wを受け 取った後、 第 2 の搬送手段 2 2 に同ウェハ Wを受け渡すまで、 同ウェハ Wを継続的に支持する。 こ の間、 リ フ タ ピン 3 8 A 〜 3 8 Cはウェハ Wを支持する こ と はない。 即ち、 リ フタ ピ ン 3 8 A〜 3 8 C と リ フタ ピン 4 0 A ~ 4 0 C と は、 択一的 にウェハ Wを支持する。 こ の点に関 しては、 後述する各実施 の形態も同様である。 なお、 リ フタ ピ ン 3 8 A〜 3 8 C及ぴ リ フ タ ピン 4 0 A〜 4 O Cの 2 つのグループの どちらを未処 理のウェハ W用或いは処理済みの ウェハ W用 と して使用する かは任意に設定可能である。
第 1 の実施の形態においては、 複数、 例えば 2つのベース フ レーム 3 8 、 4 0 上の夫々 に複数、 例えば 3本のリ フタ ピ ン 3 8 八〜 3 8 。 、 4 O A〜 4 0 Cが配設される。 一方のグ . ループの リ フタ ピン 3 8 A〜 3 8 Cは未処理のウェハ Wに対 して専用に使用 され、 他方の グループの リ フ タ ピン 4 0 A〜 4 0 Cは処理済みのウェハ Wに対して専用に使用される。 こ のため、 未処理のウェハ Wが薄膜の物質やパーティ クルによ つて汚染される こ と を防止する こ とが可能と なる。
また、 万一、 一方のベー ス フ レームゃァクチユエ一タが故 障しても、 他方のベース フ レームを連続的に昇降させる こ と によ り 、 上述と 同様なウェハ Wの移し替えを行う こ とができ る。 従って、 自 由度の大きな使用形態をと る こ と ができ る。 03 00845
15 なお、 第 1 の実施の形態では 2つのベース フ レーム 3 8、 4 0 を配設 したが、 両ベース フ レーム 3 8 、 4 0 と干渉しな いよ う に更に第 3番目.、 或いはそれ以上のベース フ レームを 設置して、 それらに、 同様な リ フタ ピ ンを配設して使用する よ う にしても よい。
前述の背景技術に示した各公報に開示の支持機構は、 ゥェ ハを昇降させる ために 2つのリ フタを有し、 2つの リ フタを 同時に使用 して ウェハを搬送する。 このため、 これらの支持 機構では、 状況に応 じた自 由度の高い使用が困難である。 具 体的には、 例えば特開平 9 一 2 2 3 7 2 7 号公報に開示の支 持機構は、 独立に動作する 2組の被処理基板の支持手段 （支 持ピン） を有する。 それらの 2組の支持手段は、 協働して同 時に 1枚の被処理基板を支持するか、 或いは一方の支持手段 が処理前の被処理基板を支持する と 同時に他方の支持手段が 処理後の被処理基板を支持する よ う になっている。
これに対して、 第 1 の実施の形態に係る基板支持機構では、 実質的に同 じ水平座標位置を有する被処理基板 Wを搬送装置 との間で移載し且つそれを支持するために、 互いに干渉しな いよ う に 2組 （複数） の被処理基板の支持手段 （こ こ では 2 つベース フ レーム 3 8 、 4 0が対応） が配設される。 こ の 2 組 （複数） の被処理基板の支持手段は、 択一的に被処理基板 を支持する （同時には一の支持手段のみが被処理基板を支持 する） 。 つま り 、 一方の支持手段が被処理基板を支持する と きには、 他方の支持手段は被処理基板を支持しない構造とな つている。 従って、 第 1 の実施の形態に係る支持機構は上記 JP03/00845
16 先行技術と は構造的に全く 異なった構成になっている。 こ の 点に関 しては、 後述する各実施の形態も同様である。
<第 2 の実施の形態 >
第 1 の実施の形態にあっては、 複数、 例えば 2つのベース フ レーム上の夫々 に複数、 例えば 3本の リ フタ ピ ン 3 8 A〜 3 8 C、 4 0 A〜 4 0 Cが配設される。 これに代え、 各リ フ タ ピ ン 3 8 A〜 3 8 C及び 4 0 A ~ 4 0 C に対して 1 対 1 で ァクチユエータ を配設する こ とができ る。 図 6 はかかる観点 に基づく 本発明の第 2 の実施の形態に係る支持機構のァクチ ユエータ の配列を模式的に示す図である。 図 7 は図 6 図示の 支持機構における リ フ タ ピンの配列を示す平面図である。
図 6 に示すよ う に、 各リ フタ ピン 3 8 A ~ 3 8 C及び 4 0 A〜 4 0 C は 2 つの グループ、 即ち第 1 の グループの リ フ タ ピン 3 8 A〜 3 8 C と第 2 の グループの リ フ タ ピ ン 4 O A〜 4 0 C と に分け られる。 各 リ フタ ピンの下方には、 各リ フタ ピンに対応してァクチユエータ 8 0 A ~ 8 0 C及び 8 2 A〜 8 2 Cが配設される。
図 7 に示すよ う に、 各各ァクチユエータ 8 0 A ~ 8 O C及 び 8 2 A〜 8 2 Cは同一円周上に配置されるが、 図 6 では理 解を容易にするために平面的に示される。 なお、 一方のァク チユエータ 8 0 A ~ 8 0 C同士及ぴ他方のァクチユエータ 8 2 A〜 8 2 C同士を夫々異なる同心円上に配置しても よい。 各リ フタ ピ ン 3 8 A〜 3 8 C及ぴ 4 0 A〜 4 0 Cは、 各ァク チユエータ 8 0 A〜 8 0 C及び 8 2 A〜 8 2 Cの各往復ロ ッ ド 8 4 A〜 8 4 C及び 8 6 A〜 8 6 Cの先端に夫々連結され る。 各ァクチユエータ 8 0 A〜 8 0 C及び 8 2 A〜 8 2 Cは、 昇降制御部 6 8 によ り その昇降動作が制御される。 なお、 各 往復口 ッ ド 8 4 A〜 8 4 C及ぴ 8 6 A〜 8 6 Cの中継室底部 4 4 に対する貫通部には、 夫々ベローズ 8 8 が配設される。 一方のグループ内の リ フタ ピン 3 8 A〜 3 8 C に連結され る ァ ク チユエー タ 8 0 A〜 8 0 Cは同期 して昇降される。 同 様に、 他方のグループ内の リ フタ ピン 4 0 A〜 4 0 Cに連結 されるァクチユエータ 8 2 A〜 8 2 Cは同期 して昇降される。 ァクチユエータ 8 O A〜 8 0 Cのグループと、 ァクチユエ一 タ 8 2 A〜 8 2 Cのグループと は、 別個独立して昇降動作が 制御でき る。
第 2 の実施の形態の場合にも 、 リ フタ ピ ンを 1 グループ毎 に、 即ち リ フ タ ピン 3 8 A〜 3 8 C毎、 或いはリ フ タ ピ ン 4 0 A〜 4 0 C毎にその昇降動作を同期させて制御する。 これ によ り 、 前述の第 1 の実施の形態の場合と 同様な作用効果を 発揮する こ とができ る。 例えば一方のグループの リ フタ ピン 3 8 A〜 3 8 C を、 未処理のウェハ Wの移载専用に用い、 他 方のグループの リ フタ ピン 4 0 A〜 4 0 C を処理済みの ゥェ ハ Wの移載専用に用いる こ とができる。
<第 3 の実施の形態 >
第 1 の実施の形態にあっては、 複数、 例えば 2つのベース フ レーム上の夫々 に複数、 例えば 3 本の リ フ タ ピ ン 3 8 A ~ 3 8 C、 4 0 A〜 4 0 Cが配設される。 これに代え、 全ての リ フタ ピン 3 8 A〜 3 8 C及び 4 0 A〜 4 0 Cを省略し、 ベ 一ス フ レーム 3 8、 4 0 を保持プレー ト と して機能させ、 そ 細 45
18 の上面上にウェハ Wの裏面が直接的に接触 して支持される よ う に しても よい。 図 8 はかかる観点に基づく 本発明の第 3 の 実施の形態に係る支持機構のベー ス フ レー ム （保持プ レー ト） を示す平面図である。
図 8 に示すよ う に、 2 つのベース フ レーム 3 8、 4 0 の表 面には リ フタ ピンが配設されていない。 ベース フ レーム 3 8、 4 0 はウェハ Wの裏面に直接的に接触し、 ウェハ Wを支持す る。 ただし、 こ こ で注意すべき点は、 ウェハの移載時に両べ 一ス フ レーム 3 8、 4 0 と ピック、 例えばピック 3 2 A とが 干渉しないよ う にする こ とである。 このため、 図 8 に示すベ 一ス フ レーム 3 8、 4 0 は、 図 3 に示す第 1 の実施の形態の ベース フ レーム 3 8、 4 0 よ り もサイズが小さ く 設定される。 この場合にも、 前述の第 1 の実施の形態と 同様な作用効果を 発揮する こ とができ る。
<第 4 の実施の形態 >
第 2 の実施の形態にあっては、 ベース フ レームを配設せず . に リ フタ ピンを直接的に往復口 ッ ドに接続し、 第 3 の実施の 形態ではリ フタ ピンを配設せずにべ一ス フ レームで直接的に ウェハを支持する。 これらの両者の特徴は組み合わせて使用 する こ と ができ る。 図 9 はかかる観点に基づく 本発明の第 4 の実施の形態に係る支持機構を示す斜視図である。 図 1 0 は 図 9 図示の支持機構の平面図である。
図 9及び図 1 0 に示すよ う に、 リ フタ ピ ン 3 8 A、 4 0 A に関連する構造に関 しては、 図 6及び図 7 に示したものと同 様な構造になっている。 即ち、 両リ フタ ピン 3 8 A、 4 O A 03 00845
19 は夫々ァクチユエータ 8 O Aの往復ロ ッ ド 8 4 A及びァクチ ユエータ 8 2 Aの往復ロ ッ ド 8 6 Aに直接的に連結される。 これに対して、 他の リ フタ ピン 3 8 B 、 3 8 C及び 4 0 B 、 4 0 C (図 3参照） は配設されておらず、 この部分の機能を 図 8 の第 3 の実施の形態にて説明 したと同様にベース フ レー ム 3 8 、 4 0 で補完する。 即ち、 ウェハ Wの裏面をべ一ス フ レーム 3 8 、 4 0 の裏面で直接的に支持する。 ただし、 この 場合、 各ベース フ レー ム 3 8 、 4 0 は図 4 に示すよ う な数字 の " 7 " のよ う な形状ではなく 、 リ フタ ピン 3 8 A、 4 0 A を支持した部分を削除して取り 除いたよ う な、 例えば "コ " 字状の形状となっている。
こ の場合、 一方の リ フタ ピン 3 8 A とベース フ レーム 3 8 とがグループ化されて同期 して昇降される。 また、 他方の リ フタ ピン 4 O A とベース フ レーム 4 0 と がグループ化されて 同期 して昇降される。 この場合にも、 前述の第 1 の実施の形 態の場合と同様な作用効果を発揮する こ-と ができる。
く第 5 の実施の形態〉
第 1 乃至第 4 の各実施の形態にあっては、 常に 1 枚のゥェ ハしか取り扱う こ と ができず、 同時には 2枚のウェハを取り 扱う こ とができない。 しかし、 別途に補助的にウェハを支持 する部分を配設 して、 同時に複数枚、 例えば 2枚のウェハを 取り 扱う こ とができ る よ う に してもよい。 図 1 1 はかかる観 点に基づく 本発明の第 5 の実施の形態に係る支持機構を示す 斜視図である。 図 1 2 は図 1 1 図示の支持機構の平面図であ る。 細 45
20 図 1 1 及ぴ図 1 2 に示すよ う に、 中継室 8 Aの中央部に、 第 1 乃至第 4 の実施の形態に係る支持機構のいずれかが配設 される。 この支持機構でウェハ Wが昇降される昇降領域の外 側に一対の往復ロ ッ ド 9 0 、 9 2 が配設される。 各往復ロ ッ ド 9 0 、 9 2は、 中継室 8 Aの両側に配設した各ゲー トバル ブ G 5 、 G 7 と は 9 0度異ならせた方向に配置され、 ウェハ 搬出入時に挿入される ピック 1 4 A、 1 4 8及び 3 2 八、 3
4 A と干渉しないよ う になっている。 なお、 図 1 1及び図 1 2 では、 中継室 8 Aの中央部に第 1 実施の形態に係る支持機 構を配設する場合を示す。 往復ロ ッ ド 9 0、 9 2 の中継室底 部 4 4 の貫通部には、 この室内の気密性を保持しつつ往復口 ッ ド 9 0 、 9 2 の昇降を許容するべローズ 9 4、 9 6 カ 夫々 介設される。
両往復ロ ッ ド 9 0 、 9 2 の下部には、 これらを昇降させる ァクチユエータ （図示せず） が夫々配設されて、 両者は同期 して昇降.される。 両往復ロ ッ ド 9 0 、 9 2 は、 各往復ロ ッ ド
5 0 、 5 2 よ り も大きいス ト ロークで昇降される。 なお、 往 復ロ ッ ド 9 0、 9 2 の下端部を連結してァクチユエータ を 1 基だけとするこ とができ る。
各往復ロ ッ ド 9 0 、 9 2 の上端部には、 中継室 8 Aの中心 に向けて水平方向へ延在された、 例えばセラ ミ ッ ク ス製の支 持板 9 8 、 1 0 0 が夫々取り付け固定される。 各支持板 9 8 、 1 0 0 は、 本実施の形態にあっては " T " 字状に成形され、 その上面でウェハ Wの裏面と直接的に接して、 第 1 及び第 2 の搬送手段 1 4、 2 2 の夫々 によ り移載されたウェハ Wを保 5
21 持する。 なお、 他方の中継室 8 B の支持機構についても、 上 記した中継室 8 Aの支持機構と 同様に構成される。
このよ う に構成されたこの第 5 の実施の形態にあっては、 図 1 1 にも示すよ う に、 例えば未処理のウェハ Wを、 一対の 支持板 9 8 、 1 0 0 によ り 保持し、 これを上方に高く 持ち上 げた状態で、 リ フタ ピ ン 3 8 A〜 3 8 C及び 4 0 A〜 4 0 C で、 第 1 の実施の形態で説明 したよ う な動作を行 う こ と がで きる。 即ち、 特定のウェハ Wを支持板 9 8 、 1 0 0 で高く 持 ち上げて待機させた状態で、 こ の下方で他のウェハの搬出入 を行 う こ と ができる。 従って、 被処理基板の取り 扱いの 自 由 度を向上させる こ と ができ る。
<第 6 の実施の形態 >
上記各実施の形態において、 複数、 具体的には 2個のベー ス フ レーム 3 8、 4 0 を用いる場合、 これらが平面的に見て 重な らないよ う に配置される。 代わ り に、 平面的な占有スぺ ースを減少させるために、 両ベースフ レーム 3 8 、 4 0 を平 面的に見て重なる よ う に、 即ち上下方向で重なる よ う に配置 しても よい。 図 1 3 はかかる観点に基づく 本発明の第 6 の実 施の形態に係る支持機構を示す斜視図である。 図 1 4 は図 1 3 図示の支持機構の平面図である。
図 1 3 及ぴ図 1 4 に示すよ う に、 第 1 ベース フ レーム 3 8 と第 2ベース フ レーム 4 0 と が上下方向に重なる よ う に、 第 1 ベース フ レーム 3 8 が第 2ベース フ レーム 4 0 の上方に位 置される。 第 1ベース フ レーム 3 8 は、 その中央部で第 1往 復ロ ッ ド、 例えばロ ッ ド 5 0 によ り支持される。 第 2 ベース フ レーム 4 0 は、 その中央部で第 2往復ロ ッ ド、 例えばロ ッ ド 5 2 によ り 支持される。 第 1 及び第 2往復ロ ッ ド 5 0 、 5 2 は同軸構造になって、 互いに上下方向へ個別に昇降可能と なる。 なお、 2つのロ ッ ド 5 0 、 5 2 を同軸構造とせずに、 互いに平行に配置しても よい。
第 1往復ロ ッ ド 5 0 の下端は、 第 1 ァクチユエータ、 例え ばァクチユエータ 4 6 (図 2参照） に連結される。 第 2往復 ロ ッ ド 5 2 の下端は、 第 2 ァクチユエータ、 例えばァクチュ エータ 4 8 (図 2参照） に連結される。 第 1 ベース フ レーム 3 8 と第 2ベース フ レーム 4 0 と の間には、 第 1 往復ロ ッ ド 5 0 を覆 う よ う に して伸縮可能な第 1 ベローズ 1 1 0が介設 される。 第 2 ベース フ レ ー ム 4 0 と搬送室の底部 （図示せ ず） との間には第 2往復ロ ッ ド 5 2 を覆う よ う に して伸縮可 能な第 2ベローズ 1 1 2 が介設される。
第 2ベース フ レーム 4 0 は略円板状に形成され、 その周縁 部よ り 起立されて複数本、 図示例では 3本の リ フタ ピン 4 0 A〜 4 0 Cが配設される。 リ フタ ピン 4 0 A〜 4 0 Cの上端 は第 1 ベース フ レーム 3 8 よ り も上方へ延びていてこ の上端 でウェハ Wを支持でき る。 リ フタ ピン 4 0 A〜 4 0 Cは、 第 2ベース フ レーム 4 0 の周縁部に、 その周方向へ略等間隔で 配置される。
これに対 して、 第 1 ベース フ レーム 3 8 は、 3 本の リ フタ ピン 4 0 A〜 4 0 C と干渉しないよ う に、 例えば正三角形の 各辺を中心側へ屈曲 して成形したよ うな変形三角形状を有す る。 第 1 ベース フ レーム 3 8 はその上面でウェハ Wと直接的 5
23 に接触してこれを支持する。 第 6 の実施の形態において、 下 方の第 2 ベース フ レーム 4 0 の リ フ タ ピン 4 0 A ~ 4 0 C の 上端は、 ウェハ Wを支持する と きには、 第 1 ベース フ レーム 3 8 の上方まで上昇する こ と になる。
この第 6 の実施の形態の場合にも、 第 1 の実施の形態で説 明 したと 同様な動作を行う こ と ができ る。 即ち、 第 1 ベース フ レーム 3 8 の上面と、 第 2ベース フ レーム 4 0 に配設 した リ フ タ ピ ン 4 0 A〜 4 0 C とで、 ウェハ Wを択一的に支持す る こ とができ る。
また、 2 つのベース フ レーム 3 8 、 4 0 を上下方向に重な る よ う に配置したため、 各ベース フ レーム 3 8 、 4 0 を小さ く 且つその占める平面的な領域を小さ く でき る。 この結果、 ウェハを移載する と きにピック先端の開きの小さいピック を 使用 しても、 ピック とベース フ レーム 3 8 、 4 0 とが干渉し ない。 また、 ウェハ移載の際に支持機構の昇降制御が容易に なる。 - - なお、 第 6 の実施の形態では、 第 1 ベース フ レーム 3 8 の 上面でウェハ Wを支持するが、 第 1 ベース フ レーム 3 8 にリ フタ ピンを配設する こ と もでき る。 図 1 5 はかかる観点に基 づく 第 6 の実施の形態の変形例に係る支持機構を示す図であ る。 図 1 5 に示すよ う に、 第 1 ベース フ レーム 3 8 の周縁部 に複数、 図示例では 3本の リ フタ ピン 3 8 A〜 3 8 Cが起立 して配設される。 リ フタ ピン 3 8 A〜 3 8 Cは、 これらの上 端でウェハ Wを支持する。
なお、 以上の各実施の形態では、 真空排気可能な気密室で ある中継室 8 A、 8 B内に支持機構が配設される。 代わ り に、 導入側搬送室 1 0 内の空いた空間や共通搬送室 6 内の空いた 空間等に支持機構を設置して、 ウェハの一時待機場所と して 用いる よ う に しても よい。
また、 以上の各実施の形態では、 ベース フ レーム 3 8、 4 0 または支持扳 9 8、 1 0 0 でウェハ Wを支持する場合、 そ れらの上面でウェハ Wの裏面と直接的に接してウェハ Wを支 持する。 代わり に、 それらの上面に高さ l m m程度、 直径 5 m m程度の複数の凸部を配設し、 こ の凸部でウェハの裏面を 支持する よ う に しても よい。 また、 それらの上面に凹部を配 設し、 ウェハ Wを凹部内に収容して支持しても よい。
また、 以上の各実施の形態では、 制御部は、 一方の リ フタ ピンまたはべ一ス フ レームで未処理の ウェハ Wを支持し、 他 の リ フタ ピンまたはべ一ス フ レームで処理済みのウェハを支 持する よ う に制御を行う。 代わり に、 ウェハ Wに施される処 理の種類 （成膜、 エ ッ チング等） に応 じて、 或いはウェハ W の温度に応じて （ウェハ Wの加熱の前後または冷却の前後） 、 或いはその他ウェハ Wの状態に応じて複数の リ フタ ピ ンまた はベース フ レームを使い分けても よい （共通搬送室 6 等で各 実施の形態に係る支持機構を使用する場合も考慮して） 。
また、 以上の各実施の形態では、 各 リ フタ ピンまたはべ一 ス フ レーム の材質は同 じである。 代わ り に、 支持される ゥェ ハ Wの状態に応じて、 リ フタ ピンまたはべ一ス フ レーム毎に 材質 （例えば耐熱性のある材質、 伝熱性の良い材質等） を使 い分けても よい。 また、 各 リ フ タ ピンまたはベース フ レームが支持する ゥェ ハの枚数が略等 しく なる よ う に制御部を動作させる こ と がで き る。 これによ り 、 ウェハ接触部のク リ ーニングサイ クルを 長く する こ と ができ、 ベロ ーズな どの支持機構の部材の寿命 を長 く する こ と ができ る。 また、 本発明の支持機構に ウェハ Wを回転させる機構を付加 して も よい。
また、 以上の各実施の形態では被処理基板と して半導体ゥ ェハを例に と って説明 したが、 これに限定されず、 ガラ ス基 板、 L C D基板等にも本発明を適用する こ と ができ る。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . 半導体処理シス テ ムにおいて、 搬送アーム と協働 して 被処理基板を移載するための支持機構であって、
夫々が昇降可能で且つ前記搬送アームに対して基板を授受 可能な第 1 及び第 2保持部と、 前記第 1 及び第 2保持部は、 空間的に互いに干渉しないで垂直方向において相対的に移動 可能であ り 、 実質的に同 じ水平座標位置を有する基板を保持 する よ う に配置される こ と と、
前記第 1 及び第 2保持部を夫々昇降させる第 1 及び第 2駆 動部と、
前記第 1 及び第 2駆動部を制御する制御部と、 前記制御部 は、 前記第 1 及び第 2保持部で択一的に基板を保持する よ う に前記第 1 及び第 2駆動部を制御する こ と と、
を具備する支持機構。
2 . 前記第 1 及び第 2保持部の夫々 は複数の リ フタ ピ ンを 具備 し、 それらの上端上に基板が载置される請求の範囲 1 に 記載の支持機構。
3 . 前記第 1 及び第 2保持部の夫々 は保持プレー ト を具備 し、 その上面上に基板が載置される請求の範囲 1 に記載の支 持機構。
4 . 前記第 1 及び第 2保持部の一方は複数の リ フ タ ピ ンを 具備 し、 それらの上端上に基板が載置され、 前記第 1及び第 2保持部の他方は保持プレー ト を具備 し、 その上面上に基板 が載置される請求の範囲 1 に記載の支持機構。
5 . 前記第 1 及び第 2保持部の夫々 はリ フタ ピンと保持プ レー ト と を具備 し、 前記リ フタ ピンの上端及び保持プレー ト の上面に亘つて基板が載置される請求の範囲 1 に記載の支持 機構。
6 . 前記第 1 及び第 2保持部はベース フ レームを夫々具備 し、 前記ベース フ レーム上で前記複数の リ フタ ピンが起立す る請求の範囲 2 に記載の支持機構。
7 . 前記第 1 及び第 2保持部の前記ベース フ レームは、 平 面的にみて互いに重な らないよ う に配置される と共に、 互い に向かって且つ互いの先端部を越えて延在する延長部を具備 し、 前記延長部の先端部近傍に 1 つの リ フタ ピンが支持され る請求の範囲 6 に記載の支持機構。 -
8 . 前記第 1 及び第 2保持部の前記ベース フ レームは、 上 下に重なって配置される と共に、 駆動ロ ッ ドによ って夫々昇 降される請求の範囲 6 に記載の支持機構。
9 . 前記保持プレー トは、 平面的にみて互いに重な らない よ う に、 互いに向かって且つ互いの先端部を越えて延在する 延長部を具備する請求の範囲 3 に記載の支持機構。
1 0 . 前記複数の リ フタ ピンは前記保持プレー トの中心軸を 囲むよ う に配置される請求の範囲 4 に記載の支持機構。
1 1 . 前記複数のリ フタ ピ ンは前記保持プ レー ト の下方に配 設されたベース フ レームに支持され、 前記保持プ レー ト及び 前記ベース フ レームは駆動口 ッ ドによって夫々昇降される請 求の範囲 1 0 に記載の支持機構。
1 2 . 前記駆動ロ ッ ドは同軸構造を形成する請求の範囲 8 ま たは 1 1 に記載の支持機構。
1 3 . 前記複数の リ フタ ピンは、 前記第 1 及び第 2駆動部の いずれかに属する前記リ フタ ピンと同数のァクチユエータに よ り 夫々駆動される請求の範囲 2 に記載の支持機構。
1 4 . 前記複数の リ フ タ ピ ンは、 実質的に同一円周上で実質 的に等間隔に配置される請求の範囲 2 に記載の支持機構。
1 5 . 前記第 1 及び第 2保持部を挟んで配設された、 基板を 保持するための昇降可能な一対の補助保持部を更に具備 し、 前記一対の補助保持部は前記第 1 及び第 2保持部が基板を保 持する位置よ り も上方で基板を保持する請求の範囲 1 に記載 の支持機構。
1 6 . 前記第 1 及び第 2保持部は真空排気可能な気密室内に 配設される こ と と、 前記第 1 及び第 2駆動部は前記気密室外 に配設され且つ駆動ロ ッ ドを介 して前記第 1 及び第 2保持部 に夫々接続される こ と と、 前記駆動ロ ッ ドが前記気密室を貫 通する部分に、 前記気密室内の気密性を保持するために伸縮 可能なベローズが配設される こ と と、 を具備する請求の範囲 1 に記載の支持機構。
1 7 . 前記制御部は、 前記第 1 及び第 2保持部によって支持 された基板の枚数が略等し く なる よ う に前記第 1 及び第 2駆 動部を制御する請求の範囲 1 に記載の支持機構。
1 8 . 前記制御部は、 第 1 状態にある複数の基板の夫々 を前 記第 1保持部によって支持し、 第 2状態にある複数の基板の 夫々 を前記第 2保持部によって支持する よ う に前記第 1 及び 第 2駆動部を制御する請求の範囲 1 に記載の支持機構。
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