JPH0864655A - 基板交換装置及び基板交換方法 - Google Patents
基板交換装置及び基板交換方法Info
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- JPH0864655A JPH0864655A JP20109694A JP20109694A JPH0864655A JP H0864655 A JPH0864655 A JP H0864655A JP 20109694 A JP20109694 A JP 20109694A JP 20109694 A JP20109694 A JP 20109694A JP H0864655 A JPH0864655 A JP H0864655A
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- Japan
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- substrate
- unprocessed
- processing
- processing chamber
- chamber
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- Coating Apparatus (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 単一のハンドによって基板の交換を行う簡単
な構成で、基板の交換に要する時間を短縮して処理タク
トを短縮すること。 【構成】 未処理の基板２０を保持したハンド３０ａを
チャンバ１１内に進入させ、この未処理の基板２０をチ
ャンバ１１内に搬入するとともにこの未処理の基板２０
を支持ピン１２に受け渡す。その後、横動ピン１３に搬
出待機のため一時的に支持された処理済の基板２０をハ
ンド３０ａに受け取らせ、ハンド３０ａをチャンバ１１
外に後退させて処理済の基板２０をチャンバ１１外に搬
出する。したがって、処理済の基板２０の搬出が可能に
なるまでの間にハンド３０ａによって未処理の基板２０
を前の工程からチャンバ１１前まで搬送して待機させる
ことができ、かつ、この未処理の基板２０の搬入から処
理終了までの間にハンド３０ａによって処理済の基板２
０を次の工程まで搬送することができる。
な構成で、基板の交換に要する時間を短縮して処理タク
トを短縮すること。 【構成】 未処理の基板２０を保持したハンド３０ａを
チャンバ１１内に進入させ、この未処理の基板２０をチ
ャンバ１１内に搬入するとともにこの未処理の基板２０
を支持ピン１２に受け渡す。その後、横動ピン１３に搬
出待機のため一時的に支持された処理済の基板２０をハ
ンド３０ａに受け取らせ、ハンド３０ａをチャンバ１１
外に後退させて処理済の基板２０をチャンバ１１外に搬
出する。したがって、処理済の基板２０の搬出が可能に
なるまでの間にハンド３０ａによって未処理の基板２０
を前の工程からチャンバ１１前まで搬送して待機させる
ことができ、かつ、この未処理の基板２０の搬入から処
理終了までの間にハンド３０ａによって処理済の基板２
０を次の工程まで搬送することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置、液晶
製造装置などにおいて、半導体ウエハ、液晶用ガラス角
型基板、カラーフィルタ用基板、プリント基板などの各
種の基板に対して処理液を供給したり光を照射したりし
て所定の基板処理を行うユニットの処理室内の処理済基
板を次に処理すべき未処理基板と交換する基板交換装置
及び基板交換方法に関する。
製造装置などにおいて、半導体ウエハ、液晶用ガラス角
型基板、カラーフィルタ用基板、プリント基板などの各
種の基板に対して処理液を供給したり光を照射したりし
て所定の基板処理を行うユニットの処理室内の処理済基
板を次に処理すべき未処理基板と交換する基板交換装置
及び基板交換方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、単一のハンド上に基板を保持して
上述のような基板の交換を行う装置において、多数の基
板を連続的に処理する場合、前の基板の処理が終了して
から次の基板の処理を開始するまでに、（１）ハンドに
よって処理済の基板を処理室から取り出すステップ、
（２）取り出された処理済基板を次の処理室もしくはカ
セットに搬入するステップ、（３）次に処理されるべき
未処理基板を前の処理室もしくはカセットから取り出す
ステップ、（４）未処理基板を処理室に搬入するステッ
プ、の４つのステップを必要とする。したがって、この
４つのステップのために要する基板交換時間が長くな
り、基板処理における処理タクトを短縮することが困難
となる。
上述のような基板の交換を行う装置において、多数の基
板を連続的に処理する場合、前の基板の処理が終了して
から次の基板の処理を開始するまでに、（１）ハンドに
よって処理済の基板を処理室から取り出すステップ、
（２）取り出された処理済基板を次の処理室もしくはカ
セットに搬入するステップ、（３）次に処理されるべき
未処理基板を前の処理室もしくはカセットから取り出す
ステップ、（４）未処理基板を処理室に搬入するステッ
プ、の４つのステップを必要とする。したがって、この
４つのステップのために要する基板交換時間が長くな
り、基板処理における処理タクトを短縮することが困難
となる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明は、単
一のハンドによって処理室内の処理済の基板を搬送する
とともに未処理基板を処理室に搬入する基板交換装置に
おいて、基板の交換に要する時間を短縮することが可能
な基板交換装置を提供することを目的とする。
一のハンドによって処理室内の処理済の基板を搬送する
とともに未処理基板を処理室に搬入する基板交換装置に
おいて、基板の交換に要する時間を短縮することが可能
な基板交換装置を提供することを目的とする。
【０００４】さらに、本発明は、上記基板交換装置にお
いて、未処理基板に付着しているパーティクルによって
処理済の基板を汚すことがない基板交換装置を提供する
ことを別の目的とする。
いて、未処理基板に付着しているパーティクルによって
処理済の基板を汚すことがない基板交換装置を提供する
ことを別の目的とする。
【０００５】本発明のさらに別の目的は、上記基板交換
装置を簡単な構成で提供することにある。
装置を簡単な構成で提供することにある。
【０００６】本発明のさらに別の目的は、上記基板交換
装置を少ない部品点数で提供することにある。
装置を少ない部品点数で提供することにある。
【０００７】本発明のさらに別の目的は、処理室内の構
成を簡単にすることができる上記基板交換装置を提供す
ることにある。
成を簡単にすることができる上記基板交換装置を提供す
ることにある。
【０００８】さらに、本発明は、単一のハンドによって
処理室内の処理済の基板を搬出するとともに未処理基板
を処理室に搬入する基板交換方法において、基板の交換
に要する時間を短縮することが可能な基板交換方法を提
供することを別の目的とする。
処理室内の処理済の基板を搬出するとともに未処理基板
を処理室に搬入する基板交換方法において、基板の交換
に要する時間を短縮することが可能な基板交換方法を提
供することを別の目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１の基板交換装置は、処理室内に未処理基板
を搬入するとともに処理済基板を処理室から搬出する基
板交換装置において、未処理基板及び処理済基板の一方
を保持しつつ処理室に対して進退自在な基板搬送手段
と、処理室内において処理済基板を支持する第１の基板
支持手段と、処理室内において未処理基板を支持する第
２の基板支持手段と、未処理基板を保持した基板搬送手
段を処理室内に進出させてこの未処理基板を処理室内に
搬入するとともにこの未処理基板を第２の基板支持手段
に受け渡した後、第１の基板支持手段に支持された処理
済基板を基板搬送手段に受け取らせるとともに基板搬送
手段を処理室外に後退させてこの処理済基板を処理室外
に搬出する搬送制御手段とを有することを特徴とする。
め、請求項１の基板交換装置は、処理室内に未処理基板
を搬入するとともに処理済基板を処理室から搬出する基
板交換装置において、未処理基板及び処理済基板の一方
を保持しつつ処理室に対して進退自在な基板搬送手段
と、処理室内において処理済基板を支持する第１の基板
支持手段と、処理室内において未処理基板を支持する第
２の基板支持手段と、未処理基板を保持した基板搬送手
段を処理室内に進出させてこの未処理基板を処理室内に
搬入するとともにこの未処理基板を第２の基板支持手段
に受け渡した後、第１の基板支持手段に支持された処理
済基板を基板搬送手段に受け取らせるとともに基板搬送
手段を処理室外に後退させてこの処理済基板を処理室外
に搬出する搬送制御手段とを有することを特徴とする。
【００１０】また、請求項２の基板交換装置は、第１の
基板支持手段が、第２の基板支持手段に受け渡された未
処理基板の上方において処理済基板を支持することを特
徴とする。
基板支持手段が、第２の基板支持手段に受け渡された未
処理基板の上方において処理済基板を支持することを特
徴とする。
【００１１】また、請求項３の基板交換装置は、第２の
基板支持手段は、未処理基板に対する基板処理中もこの
基板を支持することを特徴とする。
基板支持手段は、未処理基板に対する基板処理中もこの
基板を支持することを特徴とする。
【００１２】また、請求項４の基板交換装置は、第２の
基板支持手段によって支持された未処理基板をこれに対
する基板処理後に第１の基板支持手段に受け渡す基板受
け渡し手段をさらに備えることを特徴とする。
基板支持手段によって支持された未処理基板をこれに対
する基板処理後に第１の基板支持手段に受け渡す基板受
け渡し手段をさらに備えることを特徴とする。
【００１３】また、請求項５の基板交換装置は、基板受
け渡し手段が、第２の基板支持手段に支持された未処理
基板の処理後にその基板を支持したまま第２の基板処理
手段を上昇させる上昇機構と、第２の基板支持手段に支
持されて上昇させられた基板を支持する基板支持位置と
基板を支持した第２の基板処理手段の上昇を防げない退
避位置との間で第１の基板支持手段を移動させる移動機
構とを備えることを特徴とする。
け渡し手段が、第２の基板支持手段に支持された未処理
基板の処理後にその基板を支持したまま第２の基板処理
手段を上昇させる上昇機構と、第２の基板支持手段に支
持されて上昇させられた基板を支持する基板支持位置と
基板を支持した第２の基板処理手段の上昇を防げない退
避位置との間で第１の基板支持手段を移動させる移動機
構とを備えることを特徴とする。
【００１４】また、請求項６の基板交換方法は、処理室
内に未処理基板を搬入するとともに処理済基板を処理室
から搬出する基板交換方法において、処理室内の未処理
基板に対する基板処理後に、未処理基板を処理室内に搬
入してから、処理済基板を処理室外に搬出する工程を備
えることを特徴とする。
内に未処理基板を搬入するとともに処理済基板を処理室
から搬出する基板交換方法において、処理室内の未処理
基板に対する基板処理後に、未処理基板を処理室内に搬
入してから、処理済基板を処理室外に搬出する工程を備
えることを特徴とする。
【００１５】
【作用】請求項１の基板交換装置では、搬送制御手段
が、未処理基板を保持した基板搬送手段を処理室内に進
出させてこの未処理基板を処理室内に搬入するとともに
この未処理基板を第２の基板支持手段に受け渡した後、
第１の基板支持手段に支持された処理済基板を基板搬送
手段に受け取らせるとともに基板搬送手段を処理室外に
後退させてこの処理済基板を処理室外に搬出する。した
がって、処理済基板の搬出が可能になるまでの間に基板
搬送手段によって未処理基板を前の工程から処理室前ま
で搬送して待機させることができ、かつ、この未処理基
板の搬入から処理終了までの間に基板搬送手段によって
処理済基板を次の工程まで搬送することができる。よっ
て、基板交換のための時間を短縮することができ処理装
置全体としての処理タクトを短縮できる。
が、未処理基板を保持した基板搬送手段を処理室内に進
出させてこの未処理基板を処理室内に搬入するとともに
この未処理基板を第２の基板支持手段に受け渡した後、
第１の基板支持手段に支持された処理済基板を基板搬送
手段に受け取らせるとともに基板搬送手段を処理室外に
後退させてこの処理済基板を処理室外に搬出する。した
がって、処理済基板の搬出が可能になるまでの間に基板
搬送手段によって未処理基板を前の工程から処理室前ま
で搬送して待機させることができ、かつ、この未処理基
板の搬入から処理終了までの間に基板搬送手段によって
処理済基板を次の工程まで搬送することができる。よっ
て、基板交換のための時間を短縮することができ処理装
置全体としての処理タクトを短縮できる。
【００１６】また、請求項２の基板交換装置では、第１
の基板支持手段が第２の基板支持手段に受け渡された未
処理基板の上方において処理済基板を支持するので、処
理済基板上に未処理基板側からのパーティクル落下等の
汚染の問題を防止できる。
の基板支持手段が第２の基板支持手段に受け渡された未
処理基板の上方において処理済基板を支持するので、処
理済基板上に未処理基板側からのパーティクル落下等の
汚染の問題を防止できる。
【００１７】また、請求項３の基板交換装置では、基板
の処理中も第２の基板支持手段によってその基板を支持
するので、処理中に基板を支持する機構を別に設ける必
要はなく、したがって装置の構成を簡単にしかつ部品点
数を少なくすることができるとともに処理室内の構成を
簡単にすることができる。
の処理中も第２の基板支持手段によってその基板を支持
するので、処理中に基板を支持する機構を別に設ける必
要はなく、したがって装置の構成を簡単にしかつ部品点
数を少なくすることができるとともに処理室内の構成を
簡単にすることができる。
【００１８】さらに、請求項４の基板交換装置では、未
処理基板を支持する第２の基板支持手段によって支持さ
れた基板を、これに対する処理の完了後に、処理済基板
を支持する第１の基板処理手段に受け渡す基板受け渡し
手段を備えるので、処理室に搬入された未処理基板をそ
の処理終了後に処理済基板として第１の基板支持手段に
渡して、処理室からの搬出に備えるので、基板交換のた
めの時間をより短縮することができる。
処理基板を支持する第２の基板支持手段によって支持さ
れた基板を、これに対する処理の完了後に、処理済基板
を支持する第１の基板処理手段に受け渡す基板受け渡し
手段を備えるので、処理室に搬入された未処理基板をそ
の処理終了後に処理済基板として第１の基板支持手段に
渡して、処理室からの搬出に備えるので、基板交換のた
めの時間をより短縮することができる。
【００１９】さらに、請求項５の基板交換装置では、第
２の基板支持手段に支持された未処理基板の処理後にそ
の基板を支持したまま第２の基板処理手段を上昇させて
第１の基板支持手段にこの基板を渡すので、この基板受
け渡しに受け渡し機構を別設する必要はなく、したがっ
て装置の構成を簡単にしかつ部品点数を少なくすること
ができるととともに処理室内の構成を簡単にすることが
できる。
２の基板支持手段に支持された未処理基板の処理後にそ
の基板を支持したまま第２の基板処理手段を上昇させて
第１の基板支持手段にこの基板を渡すので、この基板受
け渡しに受け渡し機構を別設する必要はなく、したがっ
て装置の構成を簡単にしかつ部品点数を少なくすること
ができるととともに処理室内の構成を簡単にすることが
できる。
【００２０】また、請求項６の基板交換方法では、処理
室内の未処理基板に対する基板処理後に、未処理基板を
処理室内に搬入してから、処理済基板を処理室外に搬出
する工程を備えるので、処理済基板の搬出が可能になる
までの間に基板搬送手段によって未処理基板を前の工程
から処理室前まで搬送して待機させることができ、か
つ、この未処理基板の搬入から処理終了までの間に基板
搬送手段によって処理済基板を次の工程まで搬送するこ
とができる。したがって、基板交換のための時間を短縮
することができ処理装置全体としての処理タクトを短縮
できる。
室内の未処理基板に対する基板処理後に、未処理基板を
処理室内に搬入してから、処理済基板を処理室外に搬出
する工程を備えるので、処理済基板の搬出が可能になる
までの間に基板搬送手段によって未処理基板を前の工程
から処理室前まで搬送して待機させることができ、か
つ、この未処理基板の搬入から処理終了までの間に基板
搬送手段によって処理済基板を次の工程まで搬送するこ
とができる。したがって、基板交換のための時間を短縮
することができ処理装置全体としての処理タクトを短縮
できる。
【００２１】
【実施例】図１〜図５はこの発明を紫外線照射装置に適
用した一実施例を示し、図１は装置の水平方向の断面
を、図２は装置の正面側の断面を、図３は装置の左側方
の断面を、図４は制御システムのブロック図をそれぞれ
示している。
用した一実施例を示し、図１は装置の水平方向の断面
を、図２は装置の正面側の断面を、図３は装置の左側方
の断面を、図４は制御システムのブロック図をそれぞれ
示している。
【００２２】図１〜図３に示すように、この紫外線照射
装置１０は、紫外線照射下で角形の基板２０に表面処理
を施すため内部が気密に保たれるとともに外装カバーと
しても機能するチャンバ１１と、チャンバ１１の開口２
１の部分に取り付けられて基板２０をチャンバ１１外内
に出し入れする際に開放されるシャッタ１８と、表面処
理工程前および処理工程中にチャンバ１１内下方の基板
搬出位置に基板２０を水平に支持する支持ピン１２と、
表面処理工程後にチャンバ１１内上方の搬出待機位置に
基板２０を一時的に支持する横動ピン１３と、基板２０
の上面に紫外線を照射する紫外線ランプ１４と、チャン
バ１１内に処理用の酸素含有ガス（以下、Ｏ2含有ガ
ス）を供給する第１ノズル１５と、チャンバ１１内にパ
ージ用の窒素ガス（以下、Ｎ2ガス）を供給する第２ノ
ズル１６と、チャンバ１１のＯ2含有ガスやＮ2ガスを吸
引してチャンバ１１外に排出する排気口１７とを備え
る。なお、この紫外線照射装置１０は、紫外線処理用ユ
ニットとして、洗浄装置等他の表面処理用ユニットとと
もに表面処理システム内に組み込まれる。
装置１０は、紫外線照射下で角形の基板２０に表面処理
を施すため内部が気密に保たれるとともに外装カバーと
しても機能するチャンバ１１と、チャンバ１１の開口２
１の部分に取り付けられて基板２０をチャンバ１１外内
に出し入れする際に開放されるシャッタ１８と、表面処
理工程前および処理工程中にチャンバ１１内下方の基板
搬出位置に基板２０を水平に支持する支持ピン１２と、
表面処理工程後にチャンバ１１内上方の搬出待機位置に
基板２０を一時的に支持する横動ピン１３と、基板２０
の上面に紫外線を照射する紫外線ランプ１４と、チャン
バ１１内に処理用の酸素含有ガス（以下、Ｏ2含有ガ
ス）を供給する第１ノズル１５と、チャンバ１１内にパ
ージ用の窒素ガス（以下、Ｎ2ガス）を供給する第２ノ
ズル１６と、チャンバ１１のＯ2含有ガスやＮ2ガスを吸
引してチャンバ１１外に排出する排気口１７とを備え
る。なお、この紫外線照射装置１０は、紫外線処理用ユ
ニットとして、洗浄装置等他の表面処理用ユニットとと
もに表面処理システム内に組み込まれる。
【００２３】支持ピン１２は、互いにリンクされてお
り、これら４つの支持ピン１２は互いにリンクされてそ
の昇降駆動源であるシリンダ２２に連結されており、シ
リンダ２２によってＯＰ方向に同時に上下動するように
構成されている。すなわち、シリンダ２２は、支持ピン
１２を上下動させることにより、この支持ピン１２上の
基板２０を基板処理位置と搬出待機位置とを含む範囲で
昇降させる。なお、支持ピン１２やこれらのリンク機構
は、図示を省略するガイド機構に案内されているので、
支持ピン１２の滑らかで正確な上下往復動が可能にな
る。
り、これら４つの支持ピン１２は互いにリンクされてそ
の昇降駆動源であるシリンダ２２に連結されており、シ
リンダ２２によってＯＰ方向に同時に上下動するように
構成されている。すなわち、シリンダ２２は、支持ピン
１２を上下動させることにより、この支持ピン１２上の
基板２０を基板処理位置と搬出待機位置とを含む範囲で
昇降させる。なお、支持ピン１２やこれらのリンク機構
は、図示を省略するガイド機構に案内されているので、
支持ピン１２の滑らかで正確な上下往復動が可能にな
る。
【００２４】横動ピン１３は、ＱＲ方向の２個を一組と
してリンクされており、横動ピン１３の移動機構である
シリンダ２３の制御によってＳＴ方向に互いに近接した
り離間する進退動作を行うようになっている。すなわ
ち、シリンダ２３は、互いに近接して基板２０を支持す
る基板支持位置と、支持ピン１２上の基板２０の昇降を
妨げない退避位置との間で横動ピン１３を移動させる。
なお、横動ピン１３やこれらのリンク機構は、図示を省
略するガイド機構に案内されているので、横動ピン１３
の滑らかで正確な進退動作が可能になる。
してリンクされており、横動ピン１３の移動機構である
シリンダ２３の制御によってＳＴ方向に互いに近接した
り離間する進退動作を行うようになっている。すなわ
ち、シリンダ２３は、互いに近接して基板２０を支持す
る基板支持位置と、支持ピン１２上の基板２０の昇降を
妨げない退避位置との間で横動ピン１３を移動させる。
なお、横動ピン１３やこれらのリンク機構は、図示を省
略するガイド機構に案内されているので、横動ピン１３
の滑らかで正確な進退動作が可能になる。
【００２５】支持ピン１２を駆動するシリンダ２２と横
動ピン１３を駆動するシリンダ２３とは、支持ピン１２
上の基板２０を横動ピン１３上に受け渡す基板受け渡し
手段をして機能する。すなわち、シリンダ２３を動作さ
せて横動ピン１３を互いに近接した基板支持位置から互
いに離間した待避位置に移動させることにより、支持ピ
ン１２上の基板２０の上昇が可能となる。その後、シリ
ンダ２２を動作させて支持ピン１２上に支持された基板
２０を横動ピン１３の上端位置のわずか上方まで上昇さ
せ、シリンダ２３を動作させて横動ピン１３を待避位置
から基板支持位置に移動させ、最後にシリンダ２２を動
作させて支持ピン１２をもとの位置まで降下させる。こ
の結果、支持ピン１２上の基板２０を横動ピン１３上に
受け渡すことができる。
動ピン１３を駆動するシリンダ２３とは、支持ピン１２
上の基板２０を横動ピン１３上に受け渡す基板受け渡し
手段をして機能する。すなわち、シリンダ２３を動作さ
せて横動ピン１３を互いに近接した基板支持位置から互
いに離間した待避位置に移動させることにより、支持ピ
ン１２上の基板２０の上昇が可能となる。その後、シリ
ンダ２２を動作させて支持ピン１２上に支持された基板
２０を横動ピン１３の上端位置のわずか上方まで上昇さ
せ、シリンダ２３を動作させて横動ピン１３を待避位置
から基板支持位置に移動させ、最後にシリンダ２２を動
作させて支持ピン１２をもとの位置まで降下させる。こ
の結果、支持ピン１２上の基板２０を横動ピン１３上に
受け渡すことができる。
【００２６】紫外線ランプ１４は、２００〜４００Ｗ程
度の消費電力のもので、基板２０に紫外線を均一に照射
するため、チャンバ１１の上部に水平面内に関して均一
な密度で配置され固定されている（図面上では紫外線ラ
ンプ１４が比較的低密度のピッチで表示されているが、
実際はより高密度のピッチで配置されている）。紫外線
ランプ１４は紫外線照射ユニット内に収納されており、
紫外線ランプ１４の上方および側方を囲う反射板２４に
よって、基板２０の反対側に出射した紫外線を基板２０
側に反射して効率的な紫外線照射を可能するとともによ
り均質な紫外線照射を可能にする。なお、図２の点線で
示す基板２０は、紫外線ランプ１４の下端から約４０ｍ
ｍ程度離れた紫外線照射位置にある。この紫外線照射位
置では、照度分布が７０％〜８０％となっている。
度の消費電力のもので、基板２０に紫外線を均一に照射
するため、チャンバ１１の上部に水平面内に関して均一
な密度で配置され固定されている（図面上では紫外線ラ
ンプ１４が比較的低密度のピッチで表示されているが、
実際はより高密度のピッチで配置されている）。紫外線
ランプ１４は紫外線照射ユニット内に収納されており、
紫外線ランプ１４の上方および側方を囲う反射板２４に
よって、基板２０の反対側に出射した紫外線を基板２０
側に反射して効率的な紫外線照射を可能するとともによ
り均質な紫外線照射を可能にする。なお、図２の点線で
示す基板２０は、紫外線ランプ１４の下端から約４０ｍ
ｍ程度離れた紫外線照射位置にある。この紫外線照射位
置では、照度分布が７０％〜８０％となっている。
【００２７】第１ノズル１５は、乾燥空気であるＯ2含
有ガスを適宜チャンバ１１内に吐出する。紫外線ランプ
１４による紫外線照射下では、チャンバ１１内のＯ2含
有ガスがオゾンに変換される。このオゾンは、基板２０
表面の有機物を分解したり、基板２０表面を親水化させ
て後段の洗浄工程における洗浄効果を高めたりする効果
がある。
有ガスを適宜チャンバ１１内に吐出する。紫外線ランプ
１４による紫外線照射下では、チャンバ１１内のＯ2含
有ガスがオゾンに変換される。このオゾンは、基板２０
表面の有機物を分解したり、基板２０表面を親水化させ
て後段の洗浄工程における洗浄効果を高めたりする効果
がある。
【００２８】第２ノズル１６は、Ｎ2ガスを適宜チャン
バ１１内に吐出する。第２ノズル１６からのＮ2ガス
は、紫外線照射下でオゾンによる基板２０の表面処理が
十分に行われた後に、チャンバ１１内のオゾンをパージ
して表面処理を終了させる。
バ１１内に吐出する。第２ノズル１６からのＮ2ガス
は、紫外線照射下でオゾンによる基板２０の表面処理が
十分に行われた後に、チャンバ１１内のオゾンをパージ
して表面処理を終了させる。
【００２９】排気口１７は、Ｏ2含有ガスやＮ2ガスを排
気する。この際の排気量は、２段階で増減可能になって
いる。この排気口１７からの排気量の増減により、オゾ
ンがチャンバ１１外に漏れたりすることを防止できると
ともに、第１ノズル１５からのＯ2含有ガスまたは新鮮
なオゾンが常に基板２０に供給されるようにチャンバ１
１内に整流を形成できる。
気する。この際の排気量は、２段階で増減可能になって
いる。この排気口１７からの排気量の増減により、オゾ
ンがチャンバ１１外に漏れたりすることを防止できると
ともに、第１ノズル１５からのＯ2含有ガスまたは新鮮
なオゾンが常に基板２０に供給されるようにチャンバ１
１内に整流を形成できる。
【００３０】シャッタ１８は、基板２０を出し入れする
ための開口２１を開閉する。その開状態において、搬送
装置３０のハンド３０ａ上に吸着されて搬送されてきた
基板２０をチャンバ１１内に搬入したり、チャンバ１１
内の基板２０をハンド３０ａ側に搬出することを可能に
する。また、閉状態においては、チャンバ１１を気密状
態に保ってオゾンなどの気体及び紫外線などの光の出入
りを防止する。
ための開口２１を開閉する。その開状態において、搬送
装置３０のハンド３０ａ上に吸着されて搬送されてきた
基板２０をチャンバ１１内に搬入したり、チャンバ１１
内の基板２０をハンド３０ａ側に搬出することを可能に
する。また、閉状態においては、チャンバ１１を気密状
態に保ってオゾンなどの気体及び紫外線などの光の出入
りを防止する。
【００３１】図４に示すように、紫外線照射装置１０お
よび搬送装置３０の制御システムは、全体の動作を制御
するＣＰＵ１９を備える。このＣＰＵ１９は、図示を省
略してある入力装置、メモリ、各種ディテクタなどから
の入力信号に基づいて、ＵＶランプ制御回路２９、ガス
供給制御機構３９、排気制御機構４９、シャッタ制御機
構５９、支持ピン制御機構６９、横動ピン制御機構７９
およびハンド制御機構８９に指令信号を出力する。
よび搬送装置３０の制御システムは、全体の動作を制御
するＣＰＵ１９を備える。このＣＰＵ１９は、図示を省
略してある入力装置、メモリ、各種ディテクタなどから
の入力信号に基づいて、ＵＶランプ制御回路２９、ガス
供給制御機構３９、排気制御機構４９、シャッタ制御機
構５９、支持ピン制御機構６９、横動ピン制御機構７９
およびハンド制御機構８９に指令信号を出力する。
【００３２】ＵＶランプ制御回路２９は、ＣＰＵ１９か
らの信号に基づいてフィラメント給電用の一次電源と点
灯用の二次電源とを備える駆動回路を制御し、紫外線ラ
ンプ１４の迅速な点灯と安定した紫外線放射を達成す
る。
らの信号に基づいてフィラメント給電用の一次電源と点
灯用の二次電源とを備える駆動回路を制御し、紫外線ラ
ンプ１４の迅速な点灯と安定した紫外線放射を達成す
る。
【００３３】ガス供給制御機構３９は、ＣＰＵ１９から
の信号に基づいて、第１ノズル１５からＯ2含有ガスを
吐出させたりこれを停止させたりし、第２ノズル１６か
らＮ2ガスを吐出させたりこれを停止させたりする。
の信号に基づいて、第１ノズル１５からＯ2含有ガスを
吐出させたりこれを停止させたりし、第２ノズル１６か
らＮ2ガスを吐出させたりこれを停止させたりする。
【００３４】排気制御機構４９は、ＣＰＵ１９からの信
号に基づいてシーケンシャルダンパ（図示を省略してあ
るが、排気口１７と負圧発生装置との間の排気管に設け
た電磁弁等を電気信号に応じて開閉動作させるものであ
る）を制御し、チャンバ１１内のオゾン、Ｏ2含有ガ
ス、Ｎ2ガスなどの排気量を２段階で適宜調節する。な
お、オゾンが含まれるガスに関しては、外部への排出に
際して適当な安全処理を施すことによって人害が防止さ
れる。
号に基づいてシーケンシャルダンパ（図示を省略してあ
るが、排気口１７と負圧発生装置との間の排気管に設け
た電磁弁等を電気信号に応じて開閉動作させるものであ
る）を制御し、チャンバ１１内のオゾン、Ｏ2含有ガ
ス、Ｎ2ガスなどの排気量を２段階で適宜調節する。な
お、オゾンが含まれるガスに関しては、外部への排出に
際して適当な安全処理を施すことによって人害が防止さ
れる。
【００３５】シャッタ制御機構５９は、ＣＰＵ１９から
の信号に基づいてシャッタ１８を開閉動作させ、その開
状態では、チャンバ１１内と搬送装置３０との間で基板
２０の受け渡しを可能にし、その閉状態では、チャンバ
１１内の気密性を保ってチャンバ１１内のオゾンや紫外
線が外部に漏れることを防止するとともに外気や処理液
のミストがチャンバ１１内に侵入することを防止する。
の信号に基づいてシャッタ１８を開閉動作させ、その開
状態では、チャンバ１１内と搬送装置３０との間で基板
２０の受け渡しを可能にし、その閉状態では、チャンバ
１１内の気密性を保ってチャンバ１１内のオゾンや紫外
線が外部に漏れることを防止するとともに外気や処理液
のミストがチャンバ１１内に侵入することを防止する。
【００３６】支持ピン制御機構６９は、ＣＰＵ１９から
の信号に基づいてシリンダ２２の動作を制御し、４つの
支持ピン１２を同時に上下動させる。この上下動によ
り、支持ピン１２と横動ピン１３との間で基板２０の簡
易な受け渡しが可能になる。
の信号に基づいてシリンダ２２の動作を制御し、４つの
支持ピン１２を同時に上下動させる。この上下動によ
り、支持ピン１２と横動ピン１３との間で基板２０の簡
易な受け渡しが可能になる。
【００３７】横動ピン制御機構７９は、ＣＰＵ１９から
の信号に基づいてシリンダ２３の動作を制御し、左右一
対の横動ピン１３を同時に水平方向に進退させる。
の信号に基づいてシリンダ２３の動作を制御し、左右一
対の横動ピン１３を同時に水平方向に進退させる。
【００３８】ハンド制御機構８９は、ＣＰＵ１９からの
信号に基づいてハンド３０ａなどの動作を制御し、チャ
ンバ１１中の支持ピン１２上に未処理基板を載置した
り、横動ピン１３上の処理済基板をチャンバ１１外に搬
出する。なお、ここで未処理基板とは、紫外線照射下で
の表面処理が終了していない未処理または処理中の基板
２０を言い、処理済基板とは、紫外線照射下で表面処理
を終了した基板３０のことを言いう。
信号に基づいてハンド３０ａなどの動作を制御し、チャ
ンバ１１中の支持ピン１２上に未処理基板を載置した
り、横動ピン１３上の処理済基板をチャンバ１１外に搬
出する。なお、ここで未処理基板とは、紫外線照射下で
の表面処理が終了していない未処理または処理中の基板
２０を言い、処理済基板とは、紫外線照射下で表面処理
を終了した基板３０のことを言いう。
【００３９】図５は、紫外線ランプ１４とその駆動回路
とを具体的に示す図である。紫外線ランプ１４は、対向
配置された２つのフィラメント電極１４ａ、１４ａを有
しており、各フィラメント電極１４ａにはフィラメント
給電回路２４が接続されている。このフィラメント給電
回路２４は一次電源２４ａとスイッチ２４ｂとからな
り、紫外線照射装置１０が動作している間スイッチ２４
ｂは常時閉状態であり、フィラメント電極１４ａにフィ
ラメント電流が流れている。２つのフィラメント電極１
４ａ、１４ａの間には、ランプ給電回路３４が接続され
ている。このランプ給電回路３４は、交流電源３４ａお
よび直流電源３４ｂからなる二次電源と、安定器３４ｃ
と、スイッチ３４ｄとからなり、ＵＶランプ制御回路２
９からの信号に応じてスイッチ３４ｄが開閉動作し、そ
の結果、紫外線ランプ１４を点灯・消滅するようになっ
ている。この場合、フィラメント電極１４ａに常時フィ
ラメント電流が流れているので、所定の紫外線照射時間
が経過して紫外線ランプ１４を一旦消灯した後であって
も、再度の点灯が迅速なものとなりかつ輝度が短時間で
安定する。したがって、紫外線照射下での表面処理を均
一なものとしたままで、その処理時間を短縮することが
できる。よって、紫外線処理装置ないし表面処理システ
ム全体における処理タクトを効果的に短縮できる。
とを具体的に示す図である。紫外線ランプ１４は、対向
配置された２つのフィラメント電極１４ａ、１４ａを有
しており、各フィラメント電極１４ａにはフィラメント
給電回路２４が接続されている。このフィラメント給電
回路２４は一次電源２４ａとスイッチ２４ｂとからな
り、紫外線照射装置１０が動作している間スイッチ２４
ｂは常時閉状態であり、フィラメント電極１４ａにフィ
ラメント電流が流れている。２つのフィラメント電極１
４ａ、１４ａの間には、ランプ給電回路３４が接続され
ている。このランプ給電回路３４は、交流電源３４ａお
よび直流電源３４ｂからなる二次電源と、安定器３４ｃ
と、スイッチ３４ｄとからなり、ＵＶランプ制御回路２
９からの信号に応じてスイッチ３４ｄが開閉動作し、そ
の結果、紫外線ランプ１４を点灯・消滅するようになっ
ている。この場合、フィラメント電極１４ａに常時フィ
ラメント電流が流れているので、所定の紫外線照射時間
が経過して紫外線ランプ１４を一旦消灯した後であって
も、再度の点灯が迅速なものとなりかつ輝度が短時間で
安定する。したがって、紫外線照射下での表面処理を均
一なものとしたままで、その処理時間を短縮することが
できる。よって、紫外線処理装置ないし表面処理システ
ム全体における処理タクトを効果的に短縮できる。
【００４０】図６〜図８は、図１〜図３に示す紫外線照
射装置１０の動作を模式的に説明したものである。
射装置１０の動作を模式的に説明したものである。
【００４１】図６（ａ）に示すように、基板２０は支持
ピン１２上に載置されて基板処理位置にある。まずシャ
ッタ１８を閉じて紫外線ランプ１４を点灯した状態で、
適量のオゾンの発生に必要なＯ2含有ガスを第１ノズル
１５からチャンバ１１内に吐出させ、支持ピン１２上の
基板２０の表面側に供給する。これにより基板２０の表
面に適量のオゾンが供給されて基板２０の表面処理が進
行する。この際、排気口１７からは比較的少量の排気が
行われる。これは、オゾンがチャンバ１１外に漏れるこ
とを防止するとともに、Ｏ2含有ガスやオゾンの整流を
支持ピン１２上に支持された基板２０の表面に形成して
均一な処理を達成するためである。
ピン１２上に載置されて基板処理位置にある。まずシャ
ッタ１８を閉じて紫外線ランプ１４を点灯した状態で、
適量のオゾンの発生に必要なＯ2含有ガスを第１ノズル
１５からチャンバ１１内に吐出させ、支持ピン１２上の
基板２０の表面側に供給する。これにより基板２０の表
面に適量のオゾンが供給されて基板２０の表面処理が進
行する。この際、排気口１７からは比較的少量の排気が
行われる。これは、オゾンがチャンバ１１外に漏れるこ
とを防止するとともに、Ｏ2含有ガスやオゾンの整流を
支持ピン１２上に支持された基板２０の表面に形成して
均一な処理を達成するためである。
【００４２】図６（ｂ）に示すように、所定の処理時間
を経過した後は、Ｏ2含有ガスの吐出を停止させて第２
ノズル１６からＮ2ガスを吐出させ始める。この際、排
気口１７からは比較的多量の排気が行われる。これは、
オゾンを人害のないＮ2ガスに置換するパージによって
表面処理を停止させるとともに、オゾンがチャンバ１１
外に漏れることを防止するためである。これと同時に、
支持ピン１２が上昇して基板２０が上方の受け渡し位置
側に位置させられる。
を経過した後は、Ｏ2含有ガスの吐出を停止させて第２
ノズル１６からＮ2ガスを吐出させ始める。この際、排
気口１７からは比較的多量の排気が行われる。これは、
オゾンを人害のないＮ2ガスに置換するパージによって
表面処理を停止させるとともに、オゾンがチャンバ１１
外に漏れることを防止するためである。これと同時に、
支持ピン１２が上昇して基板２０が上方の受け渡し位置
側に位置させられる。
【００４３】図６（ｃ）に示すように、その後、一対の
横動ピン１３を互いに近接するよう内側方向に移動させ
る。
横動ピン１３を互いに近接するよう内側方向に移動させ
る。
【００４４】図７（ａ）に示すように、横動ピン１３の
移動が完了した後、支持ピン１２が降下して基板２０が
横動ピン１３上に載置される。これにより、支持ピン１
２から横動ピン１３への基板２０の移載が完了し、基板
２０が一時的に搬出待機位置にセットされる。これと相
前後して、第２ノズル１６からのＮ2ガスの吐出を停止
させる。この吐出停止は、オゾンのパージが十分完了す
る時期とする。
移動が完了した後、支持ピン１２が降下して基板２０が
横動ピン１３上に載置される。これにより、支持ピン１
２から横動ピン１３への基板２０の移載が完了し、基板
２０が一時的に搬出待機位置にセットされる。これと相
前後して、第２ノズル１６からのＮ2ガスの吐出を停止
させる。この吐出停止は、オゾンのパージが十分完了す
る時期とする。
【００４５】図７（ｂ）に示すように、紫外線ランプ１
４の二次電源のみをオフ（ＯＦＦ）として紫外線ランプ
１４の発光を停止させ、これと同時にシャッタ１８の開
動作を開始する。紫外線ランプ１４の発光停止とシャッ
タ１８の開動作を同期させているのは、シャッタ１８の
開放によって有害な紫外線がチャンバ１１外に漏れるこ
とを防止するとともに、紫外線ランプ１４の発光停止時
間を極力短縮してその動作の安定性をさらに高めるため
である。なお、シャッタ１８の開放によってクリーンル
ーム内を漂っている薬液のミストや蒸気成分がチャンバ
１１内に侵入する虞が生じるが、紫外線ランプ１４の発
光が停止しているので、チャンバ１１内で薬液が化学反
応することによって汚染成分が付着する弊害を十分に抑
制することができる。
４の二次電源のみをオフ（ＯＦＦ）として紫外線ランプ
１４の発光を停止させ、これと同時にシャッタ１８の開
動作を開始する。紫外線ランプ１４の発光停止とシャッ
タ１８の開動作を同期させているのは、シャッタ１８の
開放によって有害な紫外線がチャンバ１１外に漏れるこ
とを防止するとともに、紫外線ランプ１４の発光停止時
間を極力短縮してその動作の安定性をさらに高めるため
である。なお、シャッタ１８の開放によってクリーンル
ーム内を漂っている薬液のミストや蒸気成分がチャンバ
１１内に侵入する虞が生じるが、紫外線ランプ１４の発
光が停止しているので、チャンバ１１内で薬液が化学反
応することによって汚染成分が付着する弊害を十分に抑
制することができる。
【００４６】図７（ｃ）に示すように、未処理の基板１
２０が載置されたハンド３０ａをチャンバ１１内に進入
させ、符号〜に示すように動作させて未処理の基板
１２０を支持ピン１２上の基板処理位置に載置する。こ
れにより、未処理の基板１２０のチャンバ１１内への搬
入が完了する。
２０が載置されたハンド３０ａをチャンバ１１内に進入
させ、符号〜に示すように動作させて未処理の基板
１２０を支持ピン１２上の基板処理位置に載置する。こ
れにより、未処理の基板１２０のチャンバ１１内への搬
入が完了する。
【００４７】図８（ａ）に示すように、基板１２０の搬
入完了直後のハンド３０ａをチャンバ１１内に再度進入
させ、符号〜に示すように動作させて処理済みの基
板２０を横動ピン１３上の搬出待機位置からハンド３０
ａ側に移載してチャンバ１１外へ搬出する。
入完了直後のハンド３０ａをチャンバ１１内に再度進入
させ、符号〜に示すように動作させて処理済みの基
板２０を横動ピン１３上の搬出待機位置からハンド３０
ａ側に移載してチャンバ１１外へ搬出する。
【００４８】図８（ｂ）に示すように、横動ピン１３が
互いに離れるよう外側方向に移動させる。これと同時
に、シャッタ１８を閉動作させる。以上により、処理済
みの基板２０と未処理の基板１２０の交換が終了し、未
処理の基板１２０の処理が可能な状態となる。この際、
排気口１７からの排気を比較的少量に切替える。
互いに離れるよう外側方向に移動させる。これと同時
に、シャッタ１８を閉動作させる。以上により、処理済
みの基板２０と未処理の基板１２０の交換が終了し、未
処理の基板１２０の処理が可能な状態となる。この際、
排気口１７からの排気を比較的少量に切替える。
【００４９】図８（ｃ）に示すように、シャッタ１８を
閉じた状態で紫外線ランプ１４の点灯を開始する。以
後、図６（ａ）の工程に戻って上記の手順を繰返す。
閉じた状態で紫外線ランプ１４の点灯を開始する。以
後、図６（ａ）の工程に戻って上記の手順を繰返す。
【００５０】図９および図１０は、ハンド３０ａの動き
を説明した図である。
を説明した図である。
【００５１】図９（ａ）に示すように、処理済みの基板
２０を支持ピン１２から横動ピン１３上の搬出待機位置
に移載して搬出の準備が完了するまで、未処理の基板１
２０を載置したハンド３０ａをチャンバ１１の前に待機
させた状態とする（この状態は、図７（ａ）や図７
（ｂ）に対応するが、同図中ではハンド３０ａの図示を
省略してある）。図９（ｂ）に示すように、未処理の基
板１２０を載置したハンド３０ａをチャンバ１１内に進
入させ、処理済みの基板２０の直下まで移動させる。図
９（ｃ）に示すように、ハンド３０ａを降下させて、支
持ピン１２上に未処理の基板１２０を移載する（この状
態は、図７（ｃ）に対応する）。図９（ｄ）に示すよう
に、ハンド３０ａをチャンバ１１外側に一時的に後退さ
せる。図１０（ａ）に示すように、一時的に後退させた
ハンド３０ａを処理済みの基板２０の直下の水準まで上
方に移動させる。図１０（ｂ）に示すように、基板が載
置されていないハンド３０ａをチャンバ１１内に再度進
入させ、処理済みの基板２０の直下まで移動させる。図
１０（ｃ）に示すように、ハンド３０ａを上昇させて、
横動ピン１３上の処理済みの基板２０をハンド３０ａ側
に移載する（この状態は、図８（ａ）に対応する）。図
１０（ｄ）に示すように、処理済みの基板２０が載置さ
れたハンド３０ａをチャンバ１１外に後退させる。
２０を支持ピン１２から横動ピン１３上の搬出待機位置
に移載して搬出の準備が完了するまで、未処理の基板１
２０を載置したハンド３０ａをチャンバ１１の前に待機
させた状態とする（この状態は、図７（ａ）や図７
（ｂ）に対応するが、同図中ではハンド３０ａの図示を
省略してある）。図９（ｂ）に示すように、未処理の基
板１２０を載置したハンド３０ａをチャンバ１１内に進
入させ、処理済みの基板２０の直下まで移動させる。図
９（ｃ）に示すように、ハンド３０ａを降下させて、支
持ピン１２上に未処理の基板１２０を移載する（この状
態は、図７（ｃ）に対応する）。図９（ｄ）に示すよう
に、ハンド３０ａをチャンバ１１外側に一時的に後退さ
せる。図１０（ａ）に示すように、一時的に後退させた
ハンド３０ａを処理済みの基板２０の直下の水準まで上
方に移動させる。図１０（ｂ）に示すように、基板が載
置されていないハンド３０ａをチャンバ１１内に再度進
入させ、処理済みの基板２０の直下まで移動させる。図
１０（ｃ）に示すように、ハンド３０ａを上昇させて、
横動ピン１３上の処理済みの基板２０をハンド３０ａ側
に移載する（この状態は、図８（ａ）に対応する）。図
１０（ｄ）に示すように、処理済みの基板２０が載置さ
れたハンド３０ａをチャンバ１１外に後退させる。
【００５２】以上のような手順でハンド３０ａを動作さ
せることにより、未処理の基板１２０を予めチャンバ１
１中の支持ピン１２上の基板処理位置に受け渡した後に
横動ピン１３上の搬出待機位置にある処理済みの基板２
０をチャンバ１１外に搬出することができるので、紫外
線照射装置１０と、洗浄装置、カセットなど他の表面処
理ユニットとの間での基板２０、１２０の受け渡しに関
して、処理タクトを短縮できる。さらに、基板交換に際
して、未処理の基板１２０が処理済みの基板２０やハン
ド３０ａの上に位置することがないので、未処理の基板
１２０から処理済みの基板２０へのパーティクルの落下
を防止をすることができる。
せることにより、未処理の基板１２０を予めチャンバ１
１中の支持ピン１２上の基板処理位置に受け渡した後に
横動ピン１３上の搬出待機位置にある処理済みの基板２
０をチャンバ１１外に搬出することができるので、紫外
線照射装置１０と、洗浄装置、カセットなど他の表面処
理ユニットとの間での基板２０、１２０の受け渡しに関
して、処理タクトを短縮できる。さらに、基板交換に際
して、未処理の基板１２０が処理済みの基板２０やハン
ド３０ａの上に位置することがないので、未処理の基板
１２０から処理済みの基板２０へのパーティクルの落下
を防止をすることができる。
【００５３】図１１は、処理タクトの短縮を説明する図
である。時間軸ｔの上側は従来方法による基板交換を示
す図であり、時間軸ｔの下側は実施例の方法による基板
交換を示す図である。従来の場合、処理済みの基板をチ
ャンバから搬出し（時間Ｍ）、次の工程に対応するカセ
ット内に収納し（時間Ｎ）、未処理の基板を前の工程に
対応するカセット内から搬出し（時間Ｋ）、チャンバ内
にセットする（時間Ｌ）。一方、実施例の場合、未処理
の基板を予めカセット内から搬出してチャンバの前で待
機させておき（時間Ｋに対応するが、チャンバ内での基
板処理時間と重複しているため処理タクトに影響しな
い）、処理終了後に未処理の基板をチャンバにセットす
る（時間Ｌ）。続いて、処理済みの基板をチャンバから
搬出し（時間Ｍ）、カセット内に収納する（時間Ｎに対
応するが、チャンバ内での基板処理時間と重複している
ためタクトに影響しない）。したがって、基板処理と基
板交換を部分的に並列的に行うこととなり、実質的に基
板交換時間を時間Ｋ＋Ｎだけ短縮できるので、表面処理
における処理タクトを短くすることができる。なお、搬
送装置３０を２個のハンドを重ねた二重タイプのものと
することによっても同様に処理タクトを短縮することが
できるが、このような二重タイプのハンドではコストが
増大するという問題がある。
である。時間軸ｔの上側は従来方法による基板交換を示
す図であり、時間軸ｔの下側は実施例の方法による基板
交換を示す図である。従来の場合、処理済みの基板をチ
ャンバから搬出し（時間Ｍ）、次の工程に対応するカセ
ット内に収納し（時間Ｎ）、未処理の基板を前の工程に
対応するカセット内から搬出し（時間Ｋ）、チャンバ内
にセットする（時間Ｌ）。一方、実施例の場合、未処理
の基板を予めカセット内から搬出してチャンバの前で待
機させておき（時間Ｋに対応するが、チャンバ内での基
板処理時間と重複しているため処理タクトに影響しな
い）、処理終了後に未処理の基板をチャンバにセットす
る（時間Ｌ）。続いて、処理済みの基板をチャンバから
搬出し（時間Ｍ）、カセット内に収納する（時間Ｎに対
応するが、チャンバ内での基板処理時間と重複している
ためタクトに影響しない）。したがって、基板処理と基
板交換を部分的に並列的に行うこととなり、実質的に基
板交換時間を時間Ｋ＋Ｎだけ短縮できるので、表面処理
における処理タクトを短くすることができる。なお、搬
送装置３０を２個のハンドを重ねた二重タイプのものと
することによっても同様に処理タクトを短縮することが
できるが、このような二重タイプのハンドではコストが
増大するという問題がある。
【００５４】図１２は、紫外線照射装置１０と搬送装置
３０の動作を説明するタイムチャートである。「ＵＶラ
ンプ」は紫外線ランプ１４の動作を示し、「Ｏ2パー
ジ」は第１ノズル１５の吐出動作を示し、「Ｎ2パー
ジ」は第２ノズル１６の吐出動作を示し、「排気」は排
気口１７からの吸引の大小を示し、「シャッタ」はシャ
ッタ１８の開閉を示し、「支持ピン」は支持ピン１２の
上下動を示し、「横動ピン」は横動ピン１３の移動を示
し、「ハンド」はハンド３０ａの動作を示す。なお、ハ
ンドの状態Ａ〜Ｈは、図９（ａ）〜（ｄ）と図１０
（ａ）〜（ｄ）の状態にそれぞれ対応している。
３０の動作を説明するタイムチャートである。「ＵＶラ
ンプ」は紫外線ランプ１４の動作を示し、「Ｏ2パー
ジ」は第１ノズル１５の吐出動作を示し、「Ｎ2パー
ジ」は第２ノズル１６の吐出動作を示し、「排気」は排
気口１７からの吸引の大小を示し、「シャッタ」はシャ
ッタ１８の開閉を示し、「支持ピン」は支持ピン１２の
上下動を示し、「横動ピン」は横動ピン１３の移動を示
し、「ハンド」はハンド３０ａの動作を示す。なお、ハ
ンドの状態Ａ〜Ｈは、図９（ａ）〜（ｄ）と図１０
（ａ）〜（ｄ）の状態にそれぞれ対応している。
【００５５】図１３は、図１に示すハンド３０ａの変形
例である。このハンド１３０は、処理済みと未処理の基
板２０、１２０で２種の吸着パッド２３０ａ、２３０ｂ
を使い分ける。これは、未処理の基板に接触した吸着パ
ッドによって処理済みの基板２０が汚染されることを防
止したものである。図１３（ａ）は、処理済みの基板２
０を支持する場合を示し、図１３（ｂ）は、未処理の基
板１２０を支持する場合を示す。図示のように、基板２
０は吸着パッド２３０ａによって吸着支持され、基板１
２０は吸着パッド２３０ｂによって吸着支持される。吸
着パッド２３０ａ、２３０ｂは、図示を省略する昇降機
構によって上下に往復動する。吸着パッド２３０ａ、２
３０ｂによる基板２０、１２０の吸着・離脱は、吸着パ
ッド２３０ａ、２３０ｂの吸引孔と、真空発生源および
大気との間を接続する配管に形成されたバルブ３３０
ａ、３３０ｂの開閉を制御することによって行う。
例である。このハンド１３０は、処理済みと未処理の基
板２０、１２０で２種の吸着パッド２３０ａ、２３０ｂ
を使い分ける。これは、未処理の基板に接触した吸着パ
ッドによって処理済みの基板２０が汚染されることを防
止したものである。図１３（ａ）は、処理済みの基板２
０を支持する場合を示し、図１３（ｂ）は、未処理の基
板１２０を支持する場合を示す。図示のように、基板２
０は吸着パッド２３０ａによって吸着支持され、基板１
２０は吸着パッド２３０ｂによって吸着支持される。吸
着パッド２３０ａ、２３０ｂは、図示を省略する昇降機
構によって上下に往復動する。吸着パッド２３０ａ、２
３０ｂによる基板２０、１２０の吸着・離脱は、吸着パ
ッド２３０ａ、２３０ｂの吸引孔と、真空発生源および
大気との間を接続する配管に形成されたバルブ３３０
ａ、３３０ｂの開閉を制御することによって行う。
【００５６】
【発明の効果】以上説明のように、請求項１の基板交換
装置によれば、搬送制御手段が、未処理基板を保持した
基板搬送手段を処理室内に進出させてこの未処理基板を
処理室内に搬入するとともにこの未処理基板を第２の基
板支持手段に受け渡した後、第１の基板支持手段に支持
された処理済基板を基板搬送手段に受け取らせるととも
に基板搬送手段を処理室外に後退させてこの処理済基板
を処理室外に搬出する。したがって、処理済基板の搬出
が可能になるまでの間に基板搬送手段によって未処理基
板を前の工程から処理室前まで搬送して待機させること
ができ、かつ、この未処理基板の搬入から処理終了まで
の間に基板搬送手段によって処理済基板を次の工程まで
搬送することができる。よって、基板交換のための時間
を短縮することができ処理装置全体としての処理タクト
を短縮できる。
装置によれば、搬送制御手段が、未処理基板を保持した
基板搬送手段を処理室内に進出させてこの未処理基板を
処理室内に搬入するとともにこの未処理基板を第２の基
板支持手段に受け渡した後、第１の基板支持手段に支持
された処理済基板を基板搬送手段に受け取らせるととも
に基板搬送手段を処理室外に後退させてこの処理済基板
を処理室外に搬出する。したがって、処理済基板の搬出
が可能になるまでの間に基板搬送手段によって未処理基
板を前の工程から処理室前まで搬送して待機させること
ができ、かつ、この未処理基板の搬入から処理終了まで
の間に基板搬送手段によって処理済基板を次の工程まで
搬送することができる。よって、基板交換のための時間
を短縮することができ処理装置全体としての処理タクト
を短縮できる。
【００５７】また、請求項２の基板交換装置によれば、
第１の基板支持手段が第２の基板支持手段に受け渡され
た未処理基板の上方において処理済基板を支持するの
で、処理済基板上に未処理基板側からのパーティクル落
下等の汚染の問題を防止できる。
第１の基板支持手段が第２の基板支持手段に受け渡され
た未処理基板の上方において処理済基板を支持するの
で、処理済基板上に未処理基板側からのパーティクル落
下等の汚染の問題を防止できる。
【００５８】また、請求項３の基板交換装置では、基板
の処理中も第２の基板支持手段によってその基板を支持
するので、処理中に基板を支持する機構を別に設ける必
要はなく、したがって装置の構成を簡単にしかつ部品点
数を少なくすることができるとともに処理室内の構成を
簡単にすることができる。
の処理中も第２の基板支持手段によってその基板を支持
するので、処理中に基板を支持する機構を別に設ける必
要はなく、したがって装置の構成を簡単にしかつ部品点
数を少なくすることができるとともに処理室内の構成を
簡単にすることができる。
【００５９】さらに、請求項４の基板交換装置では、未
処理基板を支持する第２の基板支持手段によって支持さ
れた基板を、これに対する処理の完了後に、処理済基板
を支持する第１の基板処理手段に受け渡す基板受け渡し
手段を備えるので、処理室に搬入された未処理基板をそ
の処理終了後に処理済基板として第１の基板支持手段に
渡して、処理室からの搬出に備えるので、基板交換のた
めの時間をより短縮することができる。
処理基板を支持する第２の基板支持手段によって支持さ
れた基板を、これに対する処理の完了後に、処理済基板
を支持する第１の基板処理手段に受け渡す基板受け渡し
手段を備えるので、処理室に搬入された未処理基板をそ
の処理終了後に処理済基板として第１の基板支持手段に
渡して、処理室からの搬出に備えるので、基板交換のた
めの時間をより短縮することができる。
【００６０】さらに、請求項５の基板交換装置では、第
２の基板支持手段に支持された未処理基板の処理後にそ
の基板を支持したまま第２の基板処理手段を上昇させて
第１の基板支持手段にこの基板を渡すので、この基板受
け渡しに受け渡し機構を別設する必要はなく、したがっ
て装置の構成を簡単にしかつ部品点数を少なくすること
ができるととともに処理室内の構成を簡単にすることが
できる。
２の基板支持手段に支持された未処理基板の処理後にそ
の基板を支持したまま第２の基板処理手段を上昇させて
第１の基板支持手段にこの基板を渡すので、この基板受
け渡しに受け渡し機構を別設する必要はなく、したがっ
て装置の構成を簡単にしかつ部品点数を少なくすること
ができるととともに処理室内の構成を簡単にすることが
できる。
【００６１】また、請求項６の基板交換方法によれば、
処理室内の未処理基板に対する基板処理後に、未処理基
板を処理室内に搬入してから、処理済基板を処理室外に
搬出する工程を備えるので、処理済基板の搬出が可能に
なるまでの間に基板搬送手段によって未処理基板を前の
工程から処理室前まで搬送して待機させることができ、
かつ、この未処理基板の搬入から処理終了までの間に基
板搬送手段によって処理済基板を次の工程まで搬送する
ことができる。したがって、基板交換のための時間を短
縮することができ処理装置全体としての処理タクトを短
縮できる。
処理室内の未処理基板に対する基板処理後に、未処理基
板を処理室内に搬入してから、処理済基板を処理室外に
搬出する工程を備えるので、処理済基板の搬出が可能に
なるまでの間に基板搬送手段によって未処理基板を前の
工程から処理室前まで搬送して待機させることができ、
かつ、この未処理基板の搬入から処理終了までの間に基
板搬送手段によって処理済基板を次の工程まで搬送する
ことができる。したがって、基板交換のための時間を短
縮することができ処理装置全体としての処理タクトを短
縮できる。
【図１】紫外線照射装置及び搬送装置の平面構造を示す
図である。
図である。
【図２】図１の紫外線照射装置の正面構造を示す図であ
る。
る。
【図３】図１の紫外線照射装置の側面構造を示す図であ
る。
る。
【図４】図１の紫外線照射装置及び搬送装置の制御シス
テムを示すブロック図である。
テムを示すブロック図である。
【図５】図１の紫外線照射装置に組み込まれる紫外線ラ
ンプ及びその駆動回路を示す図である。
ンプ及びその駆動回路を示す図である。
【図６】図１の紫外線照射装置及び搬送装置の動作を説
明する図である。
明する図である。
【図７】図１の紫外線照射装置及び搬送装置の動作を説
明する図である。
明する図である。
【図８】図１の紫外線照射装置及び搬送装置の動作を説
明する図である。
明する図である。
【図９】図１の搬送装置の動作を説明する図である。
【図１０】図１の搬送装置の動作を説明する図である。
【図１１】図１の基板交換の動作を説明する図である。
【図１２】図１の基板処理及び基板交換の動作を説明す
る図である。
る図である。
【図１３】搬送装置のハンドの変形例を説明する図であ
る。
る。
１０ 紫外線照射装置 １１ チャンバ １２ 支持ピン １３ 横動ピン １４ 紫外線ランプ １５ 第１ノズル １６ 第２ノズル １７ 排気口 １８ シャッタ ２０ 基板 ３０ 搬送装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 3/06 Ｅ
Claims (6)
- 【請求項１】 処理室内に未処理基板を搬入するととも
に処理済基板を処理室から搬出する基板交換装置におい
て、 未処理基板及び処理済基板の一方を保持しつつ処理室に
対して進退自在な基板搬送手段と、 処理室内において処理済基板を支持する第１の基板支持
手段と、 処理室内において未処理基板を支持する第２の基板支持
手段と、 未処理基板を保持した前記基板搬送手段を処理室内に進
出させてこの未処理基板を処理室内に搬入するとともに
この未処理基板を前記第２の基板支持手段に受け渡した
後、前記第１の基板支持手段に支持された処理済基板を
前記基板搬送手段に受け取らせるとともに前記基板搬送
手段を処理室外に後退させてこの処理済基板を処理室外
に搬出する搬送制御手段と、を有することを特徴とする
基板交換装置。 - 【請求項２】 前記第１の基板支持手段は、前記第２の
基板支持手段に受け渡された未処理基板の上方において
処理済基板を支持することを特徴とする請求項１記載の
基板交換装置。 - 【請求項３】 前記第２の基板支持手段は、未処理基板
に対する基板処理中もこの基板を支持することを特徴と
する請求項２記載の基板交換装置。 - 【請求項４】 前記第２の基板支持手段によって支持さ
れた未処理基板をこれに対する基板処理後に前記第１の
基板支持手段に受け渡す基板受け渡し手段をさらに備え
ることを特徴とする請求項３記載の基板交換装置。 - 【請求項５】 前記基板受け渡し手段は、前記第２の基
板支持手段に支持された未処理基板の処理後にその基板
を支持したまま第２の基板処理手段を上昇させる上昇機
構と、第２の基板支持手段に支持されて上昇させられた
基板を支持する基板支持位置と基板を支持した第２の基
板処理手段の上昇を防げない退避位置との間で前記第１
の基板支持手段を移動させる移動機構とを備えることを
特徴とする請求項４記載の基板交換装置。 - 【請求項６】 処理室内に未処理基板を搬入するととも
に処理済基板を処理室から搬出する基板交換方法におい
て、 処理室内の未処理基板に対する基板処理後に、未処理基
板を処理室内に搬入してから、処理済基板を処理室外に
搬出する工程を備えることを特徴とする基板交換方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20109694A JP3174691B2 (ja) | 1994-08-25 | 1994-08-25 | 基板交換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20109694A JP3174691B2 (ja) | 1994-08-25 | 1994-08-25 | 基板交換装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0864655A true JPH0864655A (ja) | 1996-03-08 |
| JP3174691B2 JP3174691B2 (ja) | 2001-06-11 |
Family
ID=16435334
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20109694A Expired - Fee Related JP3174691B2 (ja) | 1994-08-25 | 1994-08-25 | 基板交換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3174691B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003071600A1 (fr) * | 2002-02-25 | 2003-08-28 | Tokyo Electron Limited | Mecanisme de transport pour substrats, utilise dans un systeme de traitement de semi-conducteurs |
| JP2006128578A (ja) * | 2004-11-01 | 2006-05-18 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法、基板処理システム及び基板処理プログラム |
| CN101875037A (zh) * | 2010-07-24 | 2010-11-03 | 劳绮雯 | 一种喷漆机的送料装置 |
| US8257601B2 (en) | 2004-11-01 | 2012-09-04 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method, system and program |
| JP2013022531A (ja) * | 2011-07-22 | 2013-02-04 | Spd Laboratory Inc | 紫外線照射硬化装置 |
-
1994
- 1994-08-25 JP JP20109694A patent/JP3174691B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003071600A1 (fr) * | 2002-02-25 | 2003-08-28 | Tokyo Electron Limited | Mecanisme de transport pour substrats, utilise dans un systeme de traitement de semi-conducteurs |
| CN1300834C (zh) * | 2002-02-25 | 2007-02-14 | 东京毅力科创株式会社 | 半导体处理系统中的基板支持机构 |
| US7857569B2 (en) | 2002-02-25 | 2010-12-28 | Tokyo Electron Limited | Semiconductor processing system |
| JP2006128578A (ja) * | 2004-11-01 | 2006-05-18 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法、基板処理システム及び基板処理プログラム |
| US8257601B2 (en) | 2004-11-01 | 2012-09-04 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method, system and program |
| US8475623B2 (en) | 2004-11-01 | 2013-07-02 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method, system and program |
| CN101875037A (zh) * | 2010-07-24 | 2010-11-03 | 劳绮雯 | 一种喷漆机的送料装置 |
| JP2013022531A (ja) * | 2011-07-22 | 2013-02-04 | Spd Laboratory Inc | 紫外線照射硬化装置 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3174691B2 (ja) | 2001-06-11 |
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