JPS59201438A - ウエ−ハ移し換え装置 - Google Patents
ウエ−ハ移し換え装置Info
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- JPS59201438A JPS59201438A JP7509783A JP7509783A JPS59201438A JP S59201438 A JPS59201438 A JP S59201438A JP 7509783 A JP7509783 A JP 7509783A JP 7509783 A JP7509783 A JP 7509783A JP S59201438 A JPS59201438 A JP S59201438A
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- Japan
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- wafer
- wafers
- ultraviolet rays
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- treatment
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- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体製造プロセスにお（・て使用されるウェ
ーノ・移し換え装置に関する。
ーノ・移し換え装置に関する。
半導体製造プロセスにおいては、熱処理、拡散等の処理
（以下単に「熱処理」と（・う）を行なう前に、ウェー
ノ・の表面を清浄化させるだめの前処理（ウェット処理
）がなされて（・る。そして、この前処理としては、水
洗、酸、アルカリ洗浄、洗剤、溶剤、流体噴射による洗
浄などがある。ところで、ウェー７１を熱処理するため
には、前処理を施したウェーノーを拡散ポート等のウエ
ーノ・収納容器に移し換えることが必要になる。従来は
、このウェーハの移し換えは主に手作業によってなされ
ている。なお、ウェーハをある収納容器から他の収納容
器に移し換える装置、および有機物汚染を除去する紫外
線−オゾン洗浄装置はそれぞれ公知である。
（以下単に「熱処理」と（・う）を行なう前に、ウェー
ノ・の表面を清浄化させるだめの前処理（ウェット処理
）がなされて（・る。そして、この前処理としては、水
洗、酸、アルカリ洗浄、洗剤、溶剤、流体噴射による洗
浄などがある。ところで、ウェー７１を熱処理するため
には、前処理を施したウェーノーを拡散ポート等のウエ
ーノ・収納容器に移し換えることが必要になる。従来は
、このウェーハの移し換えは主に手作業によってなされ
ている。なお、ウェーハをある収納容器から他の収納容
器に移し換える装置、および有機物汚染を除去する紫外
線−オゾン洗浄装置はそれぞれ公知である。
上記のように半導体製造プロセスにおいては、前処理に
よってウェーハの表面を洗浄した後に、このウェーハを
熱処理用の所定の容器に移し換えているため、熱処理ま
でのウェーハの保管中あるいはウェーハの移し換え操作
中に空気中や作業者からの塵埃がウェーハに堆積するこ
とがある。ところが、従来技術ではこの汚染物（主に有
機物）を熱処理の前に除去することはしていない。従っ
て、そのままウェーハを熱処理するとその半導体素子の
特性を著しく悪くする。
よってウェーハの表面を洗浄した後に、このウェーハを
熱処理用の所定の容器に移し換えているため、熱処理ま
でのウェーハの保管中あるいはウェーハの移し換え操作
中に空気中や作業者からの塵埃がウェーハに堆積するこ
とがある。ところが、従来技術ではこの汚染物（主に有
機物）を熱処理の前に除去することはしていない。従っ
て、そのままウェーハを熱処理するとその半導体素子の
特性を著しく悪くする。
また、清浄室内であっても雰囲気中の有機物が酸、アル
カリ等のウェット処理後のウェーハ表面を汚染すること
があるが、従来技術ではこれを熱処理前に除去すること
はしていない。
カリ等のウェット処理後のウェーハ表面を汚染すること
があるが、従来技術ではこれを熱処理前に除去すること
はしていない。
本発明は上記のような従来技術の欠点に鑑みてなされた
もので、前処理によって清浄化させたウェーハを熱処理
のための所定の容器（拡散ポート等）に移し換える際に
、ウェーノ・表面に付着している汚染物（主に有機物）
を除去することのできるウェーノ・移し換え装置を提供
することを目的とする。
もので、前処理によって清浄化させたウェーハを熱処理
のための所定の容器（拡散ポート等）に移し換える際に
、ウェーノ・表面に付着している汚染物（主に有機物）
を除去することのできるウェーノ・移し換え装置を提供
することを目的とする。
上記の目的を実現するため本発明は、ローダ側にセット
されたクエーノ＼収納容器からウェット処理後のウェー
ノ・を取り出し、アンローダ側にセットされた熱処理用
のウェーノ・収納容器にこのウェーハを移し換えるウェ
ーノ・移し換え装置において、移送経路上のウェーノー
に対して紫外線を照射する紫外線−オゾンランプを設け
、クエーー・の移送と同時に紫外線−オゾン洗浄を行な
って有機物汚染を除去することのできるウェーノｈ移し
換え装置を提供するものである。
されたクエーノ＼収納容器からウェット処理後のウェー
ノ・を取り出し、アンローダ側にセットされた熱処理用
のウェーノ・収納容器にこのウェーハを移し換えるウェ
ーノ・移し換え装置において、移送経路上のウェーノー
に対して紫外線を照射する紫外線−オゾンランプを設け
、クエーー・の移送と同時に紫外線−オゾン洗浄を行な
って有機物汚染を除去することのできるウェーノｈ移し
換え装置を提供するものである。
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。第７図
は一笑施例の構成の概要を説明する図である。ローダ１
１１１１ニレベーク／およびアンローメ側エレベータコ
にはそれぞれウェーノ飄収納容器Ｊａ 、Ｊｂが設けら
れ、これらは駆動モーフ弘ａ。
は一笑施例の構成の概要を説明する図である。ローダ１
１１１１ニレベーク／およびアンローメ側エレベータコ
にはそれぞれウェーノ飄収納容器Ｊａ 、Ｊｂが設けら
れ、これらは駆動モーフ弘ａ。
ｌｌ′ｂによって上下に移動させられる。また、ウェー
ノ・Ｓをローダ側からアンローダ側に移送するためにベ
ル）Ａが両方のエレベータ間に設けられる。
ノ・Ｓをローダ側からアンローダ側に移送するためにベ
ル）Ａが両方のエレベータ間に設けられる。
そして、ベルト６は図示しない駆動モータによって回転
させられるシーリーフによって、ベルト６上のウー−・
・Ｓがロー＄側からアンローダｐｊｉｃ移動するように
作動させられる。ベルト乙の上方には紫外線−オゾンラ
ンプｇおよびランプカッ々−デからなる紫外線−オゾン
洗浄装置がｉｈられている。まだ、紫外線照射部にはエ
アーフィルター１０が設けられ、これから清浄な空気が
送られるようにされている。
させられるシーリーフによって、ベルト６上のウー−・
・Ｓがロー＄側からアンローダｐｊｉｃ移動するように
作動させられる。ベルト乙の上方には紫外線−オゾンラ
ンプｇおよびランプカッ々−デからなる紫外線−オゾン
洗浄装置がｉｈられている。まだ、紫外線照射部にはエ
アーフィルター１０が設けられ、これから清浄な空気が
送られるようにされている。
なお、紫外線−オゾンランプｇとしては、波長が／μ、
９ｎｍと：ｌＪ３．７ｎｒｎの紫外線を放射する低圧水
銀灯を用いる。／ｇダ、ｑｎｍの紫外線は空気中の酸素
に吸収されてオゾンを生成し、２！；３．７ｒｍの紫外
線はオゾンを分解する。一方、紫外線の大部分はウェー
ハに付着している有機物に吸収されてこれを分解する。
９ｎｍと：ｌＪ３．７ｎｒｎの紫外線を放射する低圧水
銀灯を用いる。／ｇダ、ｑｎｍの紫外線は空気中の酸素
に吸収されてオゾンを生成し、２！；３．７ｒｍの紫外
線はオゾンを分解する。一方、紫外線の大部分はウェー
ハに付着している有機物に吸収されてこれを分解する。
従って、７ｇ９．９ｎｍとノ５Ｊ、７ｎｍの紫外線が吹
存していると、オゾンの連続的な生成と分解が起こり、
その過程で発生する原子状の酸素の酸化作用により、ウ
ェーノ・に付着している有機物が揮発性の物質に変えら
れる。また、紫外線−オゾンランプｇとウェーノ・との
距離、および照射時間の設定の仕方によって洗浄度を変
えることができるＯ 次に、第１図に示す装置の動作を説明する。まず、前処
理によって清浄にされているウェーノー５を収納したウ
ェー−・収納容器ｊａ（テフロン製）をローダ側エレベ
ータｌにセットし、拡散用ポートに使用するウェーノ＼
収納容器３ｂをアンローダ側エレペークユにセントする
。次に、ウエーノ＼収納容器Ｊｈ、３℃をエレベータで
上下に移動させながら、ウェーノ・Ｓをベルト乙に載せ
て１枚づつローダ側からアンローダ側に移送する。その
間、ウェーハの搬送経路には紫外線が照射されているの
で、ウェーハ５の近傍ではオゾンの生成と分解が続いて
いる。なお、エアーフィルタ１０からは常に清浄な空気
が紫外線照射部に送られてぎているローダ側にセットさ
れたウェーハ収納容器３ａが空になると、図示しない振
出人装置によって空のウェーハ収納容器Ｊａが取り出さ
れ、新しくウェーハＳの詰まったウェー−・収納容器Ｊ
ｐ、がセントされる。繁だ、アンローダ［１１１にセッ
トされだウェーハ収納容器３りが満杯になると、図示し
ない振出人装置によ。って満杯になっだソエーハ収゛納
容器Ｊ’ｂが取り出され、新しく空のウェーハ収納容器
３ｂがセットされる。
存していると、オゾンの連続的な生成と分解が起こり、
その過程で発生する原子状の酸素の酸化作用により、ウ
ェーノ・に付着している有機物が揮発性の物質に変えら
れる。また、紫外線−オゾンランプｇとウェーノ・との
距離、および照射時間の設定の仕方によって洗浄度を変
えることができるＯ 次に、第１図に示す装置の動作を説明する。まず、前処
理によって清浄にされているウェーノー５を収納したウ
ェー−・収納容器ｊａ（テフロン製）をローダ側エレベ
ータｌにセットし、拡散用ポートに使用するウェーノ＼
収納容器３ｂをアンローダ側エレペークユにセントする
。次に、ウエーノ＼収納容器Ｊｈ、３℃をエレベータで
上下に移動させながら、ウェーノ・Ｓをベルト乙に載せ
て１枚づつローダ側からアンローダ側に移送する。その
間、ウェーハの搬送経路には紫外線が照射されているの
で、ウェーハ５の近傍ではオゾンの生成と分解が続いて
いる。なお、エアーフィルタ１０からは常に清浄な空気
が紫外線照射部に送られてぎているローダ側にセットさ
れたウェーハ収納容器３ａが空になると、図示しない振
出人装置によって空のウェーハ収納容器Ｊａが取り出さ
れ、新しくウェーハＳの詰まったウェー−・収納容器Ｊ
ｐ、がセントされる。繁だ、アンローダ［１１１にセッ
トされだウェーハ収納容器３りが満杯になると、図示し
ない振出人装置によ。って満杯になっだソエーハ収゛納
容器Ｊ’ｂが取り出され、新しく空のウェーハ収納容器
３ｂがセットされる。
上記の如く第１図に示す実施例によれば、前処理工程を
終了したワエーハを、熱処理工程に進めるために熱処理
に用いるウェーハ収納容器へ移し換える際に、ウェーハ
の洗浄（有機物の除去）をも同時に行なうことのできる
ウェーハ移し換え装置が得られる。
終了したワエーハを、熱処理工程に進めるために熱処理
に用いるウェーハ収納容器へ移し換える際に、ウェーハ
の洗浄（有機物の除去）をも同時に行なうことのできる
ウェーハ移し換え装置が得られる。
第一図は本発明の他の実施例の構成の概要を説明する図
セ、第１図と同一の要素は同一の符号で示しである１、
エアーフィルタ１０から送られる清浄な空気を紫外線−
オゾンランプｇに吹きつげるために、図の如きエアーノ
ズル７ノを取り付ける。゛まだ、内側を鏡直仕上げした
ランシカ・々−／コによって、紫外線−オゾンランプど
のみならずローダ、アンロー＄側エレベータ１．２をも
穆う。このようにすると、エアーノズルｌ／から吹ぎつ
けられる空気がオゾンの運び手になって清浄効果が増す
。
セ、第１図と同一の要素は同一の符号で示しである１、
エアーフィルタ１０から送られる清浄な空気を紫外線−
オゾンランプｇに吹きつげるために、図の如きエアーノ
ズル７ノを取り付ける。゛まだ、内側を鏡直仕上げした
ランシカ・々−／コによって、紫外線−オゾンランプど
のみならずローダ、アンロー＄側エレベータ１．２をも
穆う。このようにすると、エアーノズルｌ／から吹ぎつ
けられる空気がオゾンの運び手になって清浄効果が増す
。
また、ランメカノ９−／ユによって反射された紫外線カ
ロータ、アンローダ側エレベータ／ 、２にセットされ
たワエーＪＳ３にまで及ぶので、効果的に有機物の除去
ができる。
ロータ、アンローダ側エレベータ／ 、２にセットされ
たワエーＪＳ３にまで及ぶので、効果的に有機物の除去
ができる。
第３図は本発明の他の実施例の要部の構成を説ゆＪする
図で、第３図（ａ）はローダ側から観察した図、第３図
（ｂ）は紫外線−オシンランプ側から観察した図である
。なお第１図および第２図と同一要素は一同一符号で示
しである。第７図および第２図の実施例では、ベルト６
上にウェーノ〜５を載せてローダ側からアンローダ側に
順次移送しているが、本実施例では、図の如きウェーハ
ガイド／３と９エーハプノシヤー／／Ｉ’／Ｃより移送
を行ブよう。すなわち、４（・送経路に宿って平行に設
けられた一本のガイド材のそれぞｌし対向する側面に訃
、部を設け、これをワエーハガイド／３とする。そし゛
〔、この前部でウェーハＳの外周部を支持し、林状のウ
ェーハブッ７ヤー／りでウェーハＳをローダ側からアン
ローダ側に押していく。紫外紛−オシンランプｇはウェ
ーハ５の両側に設ける。このようにすると、ワエ−／％
３ （１）裏面の消沖化ケネモ面と同等に行γようこ
とができる。
図で、第３図（ａ）はローダ側から観察した図、第３図
（ｂ）は紫外線−オシンランプ側から観察した図である
。なお第１図および第２図と同一要素は一同一符号で示
しである。第７図および第２図の実施例では、ベルト６
上にウェーノ〜５を載せてローダ側からアンローダ側に
順次移送しているが、本実施例では、図の如きウェーハ
ガイド／３と９エーハプノシヤー／／Ｉ’／Ｃより移送
を行ブよう。すなわち、４（・送経路に宿って平行に設
けられた一本のガイド材のそれぞｌし対向する側面に訃
、部を設け、これをワエーハガイド／３とする。そし゛
〔、この前部でウェーハＳの外周部を支持し、林状のウ
ェーハブッ７ヤー／りでウェーハＳをローダ側からアン
ローダ側に押していく。紫外紛−オシンランプｇはウェ
ーハ５の両側に設ける。このようにすると、ワエ−／％
３ （１）裏面の消沖化ケネモ面と同等に行γようこ
とができる。
第を図は本発明に係る装置によってウェーハを拡散ポー
トに移し換え、その後熱処理をしたときの清浄効果を示
す図である。区に示すように、ウェー−・表面の以創角
は、７７°（従来技術（でよる）から３°（本発明に係
る装置で紫外線−オシン洗浄）になり、ウェーハ表面の
汚染物が除去されることがわかる。また、熱処理によっ
てワエーハ、Ａ面に形成された薄い酸化膜の絶縁耐圧も
向上していることがわかる。
トに移し換え、その後熱処理をしたときの清浄効果を示
す図である。区に示すように、ウェー−・表面の以創角
は、７７°（従来技術（でよる）から３°（本発明に係
る装置で紫外線−オシン洗浄）になり、ウェーハ表面の
汚染物が除去されることがわかる。また、熱処理によっ
てワエーハ、Ａ面に形成された薄い酸化膜の絶縁耐圧も
向上していることがわかる。
上記の如く本発明によれば、ローダ側にセットされだウ
ェーハ収納容器からアンローダ側にセットされたワエー
ー・収納容器にワエー・・を移し換えるワエーハ移し換
え装置において、移送経路上のウェーハに対して紫外線
を照射する紫外線−オゾンランプを設け、ウェーハの移
送と同時に紫外線−オゾン洗浄を行プよえるようにした
ので、ワエーハを熱処理のための拡散ポート等に移し換
える際に、ウェーハ表面に付着している有機物を除去す
ることのできるワエーハ移し換え装置を得ることができ
る。このため、製品の歩留まり、信頼性を向上させるこ
とができる。
ェーハ収納容器からアンローダ側にセットされたワエー
ー・収納容器にワエー・・を移し換えるワエーハ移し換
え装置において、移送経路上のウェーハに対して紫外線
を照射する紫外線−オゾンランプを設け、ウェーハの移
送と同時に紫外線−オゾン洗浄を行プよえるようにした
ので、ワエーハを熱処理のための拡散ポート等に移し換
える際に、ウェーハ表面に付着している有機物を除去す
ることのできるワエーハ移し換え装置を得ることができ
る。このため、製品の歩留まり、信頼性を向上させるこ
とができる。
第１図は本発明の一実施例の構成の概要を説明する図、
第２図は本発明の他の実施例の構成の概／・・ロータ側
エレベータ、コ・・・アンローダ側工レペーク、３ａ、
Ｊｂ・・ウェーハ収納容器、／Ｉａ、弘ｂ・・駆動モー
タ、Ｓ・ウェーハ、６・・・ベルト、７ 駆動ズーリー
、ｇ・紫外線−オシンラン−ｊ、ｑ、／、２・・・ラン
プカッ々−１１０・・エアーフィルタ、／／・・エアー
ノズル、／３・・ウェーハガイド、７９ ウェーハブツ
シャ−０ 出願人代址人 猪 股 清第２図 第３図 （Ｑ ） （ｂ） 第４図
第２図は本発明の他の実施例の構成の概／・・ロータ側
エレベータ、コ・・・アンローダ側工レペーク、３ａ、
Ｊｂ・・ウェーハ収納容器、／Ｉａ、弘ｂ・・駆動モー
タ、Ｓ・ウェーハ、６・・・ベルト、７ 駆動ズーリー
、ｇ・紫外線−オシンラン−ｊ、ｑ、／、２・・・ラン
プカッ々−１１０・・エアーフィルタ、／／・・エアー
ノズル、／３・・ウェーハガイド、７９ ウェーハブツ
シャ−０ 出願人代址人 猪 股 清第２図 第３図 （Ｑ ） （ｂ） 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ／、ローダ側にセットされたウェー−・収納容器からウ
ェット処理後のウェーハを順次取り出す手段と、ローダ
側からアンローダ側に至る移送経路に沿って該ウェーハ
を順次移送する移送手段と、該移送手段により移送され
たウェーハをアンローダ側にセットされた熱処理、拡散
処理用のクエーハ収納容器に１１拍次収納する手段とを
備えるウェーハ移し換え装置において、 前記移送経路上を移送中のワエーー・に対して紫外線−
オシン洗浄をする洗浄手段ｋｕＡえることを特徴とする
９エーノ・移し換え装置。 コ、洗浄手段は、紫外線をウェー−・に照射する紫外線
ランプと、該ウェーハの近傍に清浄な空気を供給する空
気送出器とを有してなることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載のワエーー・移し換え装置。 ３、空気送出器は、紫外線ランプの近傍に生成したオゾ
ンをウェーノ１に吹きつげるエアーノズルを有してなる
ことを特徴とする特許請求の範囲第２項記載のウェー−
・移し換え装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7509783A JPS59201438A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | ウエ−ハ移し換え装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7509783A JPS59201438A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | ウエ−ハ移し換え装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59201438A true JPS59201438A (ja) | 1984-11-15 |
Family
ID=13566319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7509783A Pending JPS59201438A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | ウエ−ハ移し換え装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59201438A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03505946A (ja) * | 1988-06-17 | 1991-12-19 | アドヴァンスド、セミコンダクター・マテリアルズ・アメリカ・インコーポレーテッド | ベルヌーイのピックアップを備えるウエーハ取り扱いシステム |
| US8097085B2 (en) | 2011-01-28 | 2012-01-17 | Poole Ventura, Inc. | Thermal diffusion chamber |
| US8240539B2 (en) * | 2004-05-28 | 2012-08-14 | Panasonic Corporation | Joining apparatus with UV cleaning |
| US8950470B2 (en) | 2010-12-30 | 2015-02-10 | Poole Ventura, Inc. | Thermal diffusion chamber control device and method |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5220766A (en) * | 1975-08-04 | 1977-02-16 | Texas Instruments Inc | Method of removing phtoresist layer and processing apparatus thereof |
| JPS5694642A (en) * | 1979-12-27 | 1981-07-31 | Hitachi Ltd | Processing device of wafer |
| JPS56125207A (en) * | 1980-03-05 | 1981-10-01 | Toshiba Corp | Ozonizer |
-
1983
- 1983-04-28 JP JP7509783A patent/JPS59201438A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5220766A (en) * | 1975-08-04 | 1977-02-16 | Texas Instruments Inc | Method of removing phtoresist layer and processing apparatus thereof |
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| JPH03505946A (ja) * | 1988-06-17 | 1991-12-19 | アドヴァンスド、セミコンダクター・マテリアルズ・アメリカ・インコーポレーテッド | ベルヌーイのピックアップを備えるウエーハ取り扱いシステム |
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| US8097085B2 (en) | 2011-01-28 | 2012-01-17 | Poole Ventura, Inc. | Thermal diffusion chamber |
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