WO2002058121A1 - Procede et dispositif pour depot chimique en phase vapeur assiste par plasma - Google Patents

Procede et dispositif pour depot chimique en phase vapeur assiste par plasma Download PDF

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WO2002058121A1
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Norikazu c/o YOKOHAMA ENGINEERING CENTER ITO
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Ishikawajima-Harima Heavy Industries Co., Ltd
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes

Definitions

  • the present invention relates to a plasma CVD method and apparatus, and more particularly to a plasma CVD method and apparatus capable of forming a thin film having excellent film thickness uniformity on both surfaces of a substrate.
  • Solar cells are generally used to form a pn junction or a pin junction using Si or a compound semiconductor on a substrate and photoelectrically convert sunlight incident from the surface. For the purpose of increase, solar cells using light incident from the back side of the substrate have been proposed.
  • This solar cell has the structure shown in FIG. 7, for example, and has p-type amorphous silicon Si (p-type a — Si) films 102 and n on both sides of an i-type crystalline silicon 101, respectively.
  • Amorphous Si (n-type a-Si) films 103 are deposited by plasma CVD and the transparent electrodes 104 are formed on these by sputtering and the current collecting electrodes 1 are formed by screen printing. It is manufactured by forming 05.
  • a parallel plate type plasma CVD apparatus shown in FIG. 8 (b) is used.
  • This apparatus includes a load lock chamber 110, a heating chamber 120, a plasma CVD (PC VD) chamber 130 for depositing an a-Si film, and a cooling chamber 140.
  • Each chamber is connected via a gate pulp 106, and the i-type silicon substrate 101 is mounted on a substrate holder 107, which is a back plate, as shown in Fig. 8 (a). It is sequentially conveyed in the direction of the arrow 8 (b). That is, the substrate is placed on the substrate holder as shown in Fig. 8 (a). After mounting, insert the board holder into the load lock chamber 110 and exhaust the room.
  • PC VD plasma CVD
  • the gate valve is opened, transported to the heating chamber 120, the substrate is heated to a predetermined temperature by the heater 122, and then transported to the parallel plate type PCVD chamber 130.
  • the substrate holder is transported to the PC VD chamber 1 3 0, introducing film forming gas (S i H 4 / PH 3 gas), generating a plasma of high-frequency power subjected fed to the high-frequency electrode 1 3 1
  • an n-type a-Si film is formed on the silicon substrate 101.
  • the substrate holder is sent to the cooling chamber 140.
  • a parallel plate type plasma CVD apparatus has conventionally been used for depositing an a-Si film.
  • high-frequency current becomes difficult to flow through the substrate unless there is a back plate on the back surface of the substrate, and the plasma on the substrate surface The density decreases significantly.
  • a difference in film thickness occurs between the central portion and the peripheral portion of the substrate, and it is difficult to obtain a thin film having good film thickness uniformity. This becomes more pronounced with larger substrates. Therefore, in order to form a thin film with high film thickness uniformity, a back plate that is a path for high-frequency current is indispensable.
  • Fig. 8 (b) In order to increase the throughput, the device shown in Fig. 8 (b) is used.
  • an object of the present invention is to provide a plasma CVD method and apparatus capable of forming a thin film having excellent film thickness uniformity on both surfaces of a substrate without requiring a substrate inversion step.
  • a first gist of the present invention is to arrange at least two inductively-coupled electrodes having a power supply portion and a ground portion in a vacuum chamber provided with a gas supply port and an exhaust port so that both surfaces of the substrate are exposed.
  • a plasma CVD apparatus having a structure in which a substrate holder holding an outer peripheral end of a substrate is inserted between the two inductively-coupled electrodes, wherein a gas for forming a thin film is introduced from the gas supply system and the power supply unit is provided.
  • the plasma CVD method and the plasma CVD apparatus are characterized in that plasma is generated along the inductively coupled electrode by supplying high-frequency power to the substrate and a thin film is simultaneously or sequentially formed on both surfaces of the substrate.
  • a second gist of the present invention is a plasma CVD apparatus in which an inductively-coupled electrode having a power supply section and a grounding section is arranged inside, and two vacuum chambers having a gas supply port and an exhaust port are connected and arranged. Then, the substrate holder holding the outer peripheral end so that both surfaces of the substrate are exposed is transported to the first vacuum chamber of the two vacuum chambers, and the first thin film forming gas is introduced through the gas supply port. At the same time, high-frequency power is supplied to a power supply unit of the inductively coupled electrode to generate plasma, and a first thin film is formed on the surface of the substrate facing the inductively coupled electrode.
  • the surface opposite to the surface on which the thin film is formed is conveyed to the second vacuum chamber so as to face the inductive coupling type electrode, and the second thin film forming gas is introduced and guided through the gas supply port.
  • the first thin film forming surface exists in plasma C V D method and a plasma C V D device being characterized in that the arrangement for forming a second thin film on the board surface of the opposite side.
  • an electrode row in which a plurality of the inductive coupling electrodes are arranged in the same plane is provided in the first vacuum chamber (or the second vacuum chamber) in n layers (n layers). Is an integer of 2 or more), (n-1) layers are provided in the second vacuum chamber (or the first vacuum chamber), and two substrate holders are arranged between the electrode row layers. Les ,.
  • FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a plasma CVD apparatus according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic diagram illustrating a plasma CVD apparatus according to the second embodiment.
  • FIG. 3 is a schematic diagram illustrating a plasma CVD apparatus according to the third embodiment.
  • FIG. 4 is a schematic diagram showing a plasma CVD apparatus according to the fourth embodiment.
  • FIG. 5 is a schematic diagram showing the mass production compatible device of FIG.
  • FIG. 6 is a schematic diagram showing the mass production compatible device of FIG.
  • FIG. 7 is a schematic diagram showing the structure of a solar cell.
  • FIG. 8 is a schematic diagram showing a conventional plasma CVD apparatus.
  • 1 is a substrate
  • 2 is a carrier
  • 3 is a substrate holder
  • 7 is a high-frequency power supply
  • 8 is a coaxial cable
  • 10 and 110 are load lock chambers
  • 20 and 120 are heating chambers
  • 30 and 40 are heating chambers
  • 30 and 40 are heating chambers
  • 30 and 40 are heating chambers
  • 30 and 40 are heating chambers
  • 30 and 40 are heating chambers
  • 30 and 40 are heating chambers
  • 31 and 41 are gas supply pipes
  • 32 is exhaust port
  • 33 and 43 are inductively coupled electrodes
  • 34 is power supply
  • 35 is ground Part
  • 36 is a substrate holder fixing jig
  • 50, 140 is a cooling chamber
  • 106 are gate valves
  • 101 is an i-type crystal Si
  • 105 is a collecting electrode.
  • FIG. 1 shows a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of a plasma CVD apparatus used for producing the solar cell shown in FIG.
  • the plasma CVD apparatus consists of a load lock chamber 10, a heating chamber 20, a first plasma CVD (PCVD) chamber 30, a second PCV D chamber 40, and a cooling chamber 5.
  • Each room is connected via a gate valve 6:! To 6 4.
  • the substrate 1 is held by the substrate holder 3 so that the thin film forming surfaces on both surfaces of the substrate 1 are exposed. This is shown, for example, in Figure 1 (f).
  • the peripheral edge of the substrate may be sandwiched between the flat plate 4 having the opening and the holding plate 5 and fixed with the screw 6.
  • the substrate holder 3 holding a plurality of substrates is mounted on the carrier 2 (FIG. 1 (e)), transported on the rails laid in each room in the direction of the arrow in FIG. Is performed. That is, the substrate holder is transported from the load lock chamber 10 to the heating chamber 20, where it is heated from both sides of the substrate holder 3 by a heater such as an infrared lamp and is heated to a predetermined temperature. Thereafter, the substrates are sequentially transferred to the first PCVD chamber 30 and the second PCVD chamber 40, and an n-type a-Si film and a p-type a_Si film are formed on both surfaces of the substrate, respectively.
  • the substrate holder After the formation of the thin film, the substrate holder is cooled to a predetermined temperature in the cooling chamber 50, taken out, and transported to a device for forming a transparent conductive film such as an ITO and a collecting electrode.
  • a transparent conductive film such as an ITO and a collecting electrode.
  • FIGS. 1 (b) and 1 (c) show a schematic view of the interior of the chamber from the front and the transport, respectively. It is the schematic diagram which looked at in the direction.
  • the PC VD chamber is provided with a supply pipe 31 and a gas exhaust port 32 for gas for forming a thin film (for example, Si UZ PH 3 gas). Inside the chamber, an inductively coupled electrode 3 3 are provided.
  • a power supply section 34 at one end of the inductive coupling electrode 33 is connected to a high frequency power supply 7 via a coaxial cable 8, and a ground section 35 at the other end is connected to the room wall and grounded.
  • the substrate holder fixing jig 36 located at the position shown by the broken line is closed, and the substrate holder is brought into contact with both sides as shown by the solid line. And fix it.
  • SiH 4 / PH 3 gas is introduced into the room through the gas supply pipe 31 and set to a predetermined pressure, and then high-frequency power is supplied to the inductively coupled electrode 33.
  • electrode 3 3 As a result, plasma is generated, and an n-type a—Si film is deposited on the substrate surface facing the electrode 33.
  • the gas flows into the opposite side of the substrate deposition surface, but the plasma is shielded by the substrate holder and the substrate holder fixing jig, does not go to the back side, and no thin film is formed on the substrate surface opposite to the electrode.
  • Fig. 1 (d) is a schematic view of the inside of the second PC VD chamber as viewed in the transport direction, except that the inductively coupled electrode 43 is arranged at a position opposite to the substrate holder. It has the same configuration as the 1st P CVD room.
  • n-type a-Si layer is formed A p-type a-Si film is deposited on the surface of the substrate on the opposite side of the surface.
  • the good Unishi Te, p-type a _ S i and n-type a- S i layer is deposited on both sides of the i-type crystalline silicon substrate, p i n junction is formed.
  • FIG. 1 shows a U-shaped inductively coupled electrode
  • the inductively coupled electrode folded at the center may have a rectangular shape such as a U-shape in addition to the U-shape.
  • the distance between the feeding portion 34 and the grounding portion 35 and the turn-back portion is set to approximately 1/2 of the high-frequency excitation wavelength or a natural number multiple thereof, thereby generating a stable discharge.
  • the folded portion refers to a semicircular portion having a curvature in the case of a U-shape, and refers to a straight portion between two straight electrodes in the case of a “U” shape.
  • These electrodes do not have to be formed integrally by, for example, bending a single bar, but may have a structure in which, for example, two linear electrodes are connected and fixed by a metal plate or the like.
  • a rod-shaped electrode may be used. It is preferable that both ends be a power supply unit and a ground unit, and that the distance between the power supply unit and the ground unit be approximately 1/2 of the excitation wavelength or a natural number thereof.
  • FIG. 2 shows a second embodiment of the present invention that makes this possible.
  • the entire apparatus has the same configuration as Fig. 1 except that there is only one PCVD chamber.
  • the plasma CVD chamber 30 of the present embodiment has two inductively-coupled electrodes arranged in the chamber, and each of the power feeding sections 34 and 34 ' Connected to high frequency power supply. The substrate between these two electrodes The holder is carried in and fixed.
  • the PC VD chamber is connected to supply pipes 31 and 31 'for two types of thin film forming gases (Si 4 and 3 gases and Si H 4 and B 2 H 6 gases). I have.
  • the substrate holder to P CVD chamber 3 0 is conveyed, or not a, after introducing the S i H 4 / PH 3 gas into chamber through the gas supply pipe 3 1, was set to a Jo Tokoro pressure, High-frequency power is supplied to the electrode 33 to generate plasma along the electrode 33. As a result, an 11-type a-Si film is deposited on the substrate facing the electrode 33. After the deposition of the thin film of the specified thickness, the supply of power and gas is stopped, and the room is evacuated.
  • SiH 4 / B 2 H 6 gas is introduced through the gas supply pipe 3 1 ′, and power is similarly supplied to the electrode 3 3 ′ to generate plasma, and the substrate facing the electrode 3 3 ′ A p-type a-Si film having a predetermined thickness is deposited thereon to form a pin junction. After that, it is transported to the cooling chamber 50, cooled, and taken out.
  • FIG. 3 shows a third embodiment capable of simultaneous film formation.
  • the configuration of the plasma CVD apparatus is the same as that of FIG. 2A except for the PC VD chamber shown in FIG.
  • the PC VD room of the present embodiment is different from FIGS. 2B and 2C in the following points. That is, in FIG. 2, the plasma generated in the n-type or p-type a-Si film deposition space is diffused to the opposite film formation space, and a thin film is formed on the P-type or n-type film deposition surface. It was enough that the shield was enough to prevent the storm. However, in the third embodiment, the length of the substrate holder fixing jig 36 is small.
  • the length of the chamber should be about the same as the length of the substrate holder, and the gap should be small.
  • two gas supply pipes and exhaust ports 32, 32 are provided corresponding to the respective film forming spaces. In this case, the exhaust gas is collected downstream of the exhaust ports 32 and 32 (32 "), and the exhaust system is arranged as one line.
  • the gases may flow into each other through the gap between the substrate holder and the partition plate and the interior wall, but the carrier concentration of the p-type and n-type depends on the P element It is almost determined by the difference in concentration between B and B elements. Therefore, even if a small amount of the B element is mixed in with respect to the number density of the P element contained in the n-type a-Si film, or conversely, the B element contained in the p-type a-Si film Even if a small amount of P element is mixed in as compared with the number density, the solar cell characteristics are hardly affected, and a solar cell having desired characteristics can be obtained.
  • the operation interval of the PCVD room can be further reduced.
  • the exhaust ports are provided in each of the two film forming spaces.
  • one exhaust port may be provided in the center of the bottom wall of the vacuum chamber.
  • the partition plate is also used as the substrate holder fixing jig, so that the partition plate is in contact with the substrate holder.However, when the substrate holder fixing jig is not necessary or when a separate partition plate is arranged, It is not necessary for the partition plate to abut the substrate holder, and even if there is a gap, cross contamination can be suppressed by adjusting the airflow.
  • the plasma CVD apparatus shown in Fig. 4 has a pCVD chamber 70 for depositing an i-type a-Si film in front of the PCVD chamber 30 of the plasma CVD apparatus shown in Fig. 2 (a). It is.
  • the PCVD chamber 70 has the same structure as in FIGS. 2B and 2C, and has one SiH 4 gas supply pipe connected thereto. After introduction of the S i H 4 gas, at the same time two inductively coupled electrodes to supply a high frequency power, to deposit the same i-type a- S i film on both surfaces of the substrate.
  • the method for forming the n-type and p-type a—Si films is the same as in the second embodiment.
  • FIGS. 5 and 6 show an example of an apparatus configuration for mass production.
  • 5 (a) and 5 (b) are schematic diagrams of the inside of the PC VD room of the mass production apparatus corresponding to the apparatus of FIG. 2 when viewed from the front and in the transport direction, respectively.
  • a larger substrate holder that is, (A substrate holder holding a number of substrates).
  • FIG. 5 (b) it is possible to perform a film forming process on a large number of substrate holders in one vacuum chamber only by alternately disposing the substrate holders and the electrode row layers.
  • the SiH 4 / PH 3 gas is introduced through the gas supply pipe 31 and the electrode
  • 3 3 supplies power to the "to form an n-type a- S i film on the substrate surface opposed to these substrates. Subsequently, the gas in the S i H 4 / B 2 H 6 gas Then, power is supplied to the electrodes 3 3 ′ and 3 3 ′ ′′ to form a p-type a-Si film on the substrate surface facing these electrodes. Since it can be reduced to about 30 mm, a large number of substrate holders and electrodes can be arranged in a small space.
  • FIG. 5 Although the structure of FIG. 5 is a case where two thin films are separately deposited on both surfaces of the substrate, the same configuration may be applied to the case of the simultaneous film forming apparatus shown in FIG.
  • FIGS. 6A and 6B are schematic views of the first and second PCVD chambers of the mass production apparatus corresponding to the apparatus of FIG. 1 when viewed in the transport direction.
  • two substrate holders are arranged between two inductively coupled electrode row layers.
  • the present invention has been described with respect to a method and an apparatus for forming an a-Si film on both surfaces of a crystalline silicon substrate.
  • the present invention is not limited to this, and various applications other than solar cells, for example, It is also suitably applied to surface modification of glass and plastic substrates.
  • the present invention it is possible to form a thin film having excellent uniformity without a back plate of a substrate. As a result, a step of inverting the substrate becomes unnecessary, and a heating / cooling step can be reduced. Significantly increase membrane productivity Can be done.

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Description

明細書 プラズマ CVD法及び装置 技術分野
本発明は、 プラズマ C VD法及び装置に係り、 特に、 基板の両面に膜 厚均一性に優れた薄膜を形成することができるプラズマ C V D法及ぴ装 置に関する。 背景技術
太陽電池は、 基板上に S iや化合物半導体等を用いて p n接合又は p i n接合を形成し、 表面から入射する太陽光を光電変換する構成のもの が一般的に用いられているが、 発電量増大を目的に、 基板の裏面側から 入射する光を利用する太陽電池が提案されている。 この太陽電池は、 例 えば図 7に示した構造をなし、 i型の結晶シリ コン 1 0 1の両側にそれ ぞれ p型ァモルファス S i ( p型 a — S i ) 膜 1 0 2、 n型ァモルファ ス S i (n型 a — S i ) 膜 1 0 3をプラズマ C VD法により堆積し、 さ らにこれらの上にスパッタ法により透明電極 1 0 4、 スクリーン印刷法 により集電電極 1 0 5を形成して作製される。
a — S i膜の堆積には、 例えば図 8 ( b ) に示した平行平板型のプラ ズマ C VD装置が用いられる。 この装置は、 ロードロック室 1 1 0、 加 熱室 1 2 0、 a - S i膜を堆積するプラズマ CVD (P C VD) 室 1 3 0及ぴ冷却室 1 4 0とから構成される。 各室はゲートパルプ 1 0 6を介 して連結され、 i型シリ コン基板 1 0 1は図 8 ( a ) に示したように、 裏板となる基板ホルダ 1 0 7上に取り付けられ、 図 8 ( b ) の矢印の方 向に、 順次搬送される。 即ち、 図 8 ( a ) の如く基板を基板ホルダ上に 取り付けた後、 基板ホルダをロードロック室 1 1 0に揷入し室内を排気 する。 ゲートパルブを開いて加熱室 1 2 0へ搬送してヒータ 1 2 1によ り基板を所定の温度に加熱した後、 平行平板型 P CVD室 1 3 0に搬送 する。 ： P C VD室 1 3 0に基板ホルダが搬送されると、 薄膜形成用ガス (S i H4/PH3ガス） を導入し、 高周波電極 1 3 1に高周波電力を供 給してプラズマを発生させ、 シリコン基板 1 0 1上に n型 a— S i膜を 形成する。 その後、 基板ホルダは冷却室 1 4 0に送られる。
基板温度が下がった後、 冷却室 1 4 0を大気に戻して基板ホルダ 1 0 7を取り出し、 基板の反対側面に p型 a— S i膜を形成するためにシリ コン基板 1 0 1を反転させる。 この基板ホルダを、 再ぴ、 図 8 ( b ) の プラズマ CVD装置のロードロック室に入れ、 同様の処理を繰り返し行 い、 p型 a— S i膜を堆積して p i n接合が形成される。 なお、 P C V D室には薄膜形成用ガスとして S i H4/B 2H6ガスが導入される。 この後、 シリコン基板 1 0 1はスパッタ装置で両面に I TO等の透明 導電膜が形成され、 続いてスク リーン印刷等により集電電極を形成して 太陽電池を完成する。 発明の開示
以上述べたように、 従来、 a— S i膜の堆積には、 平行平板型プラズ マ C VD装置が用いられていた。 しかし、 平行平板型 P C VD装置で、 高抵抗基板や絶縁性基板上に薄膜を形成する場合、 基板の裏面に裏板が ないと高周波電流が基板を通して流れにく くなり、 基板表面でのプラズ マ密度が著しく低下する。 その結果、 基板中心部と周辺部で膜厚の差が 生じ、 膜厚均一性の良好な薄膜は得られにくいという欠点がある。 これ は基板が大きくなるとより顕著になる。 従って、 膜厚均一性の高い薄膜 を形成するには、 高周波電流の通路となる裏板が不可欠となり、 このた め、 基板両面成膜の生産性が著しく低下するという問題があった。 即ち、 片面に薄膜を形成した後、 取り出して基板を反転させる作業が必要とな り、 またこれに伴い、 ロードロック室の排気、 冷却室のベント及ぴ基板 加熱 ·冷却工程が 2回必要となる。
さらに、 スループッ トを上げるためには、 図 8 ( b ) に示した装置が
2組必要となるため、 生産装置全体の大型化、 コス ト増大を招かざるを 得ないという問題があった。
このような状況において、 本発明は、 基板の反転工程を不要とし、 基 板の両面に膜厚均一性に優れた薄膜を形成可能なプラズマ C V D法及び 装置を提供することを目的とする。 本発明の第 1の要旨は、 ガス供給口と排気口とを設けた真空室内に、 給電部と接地部とを有する誘導結合型電極を少なく とも 2つ配置し、 基 板両面が露出するように基板の外周端部を保持した基板ホルダを前記 2 つの誘導結合型電極の間に挿入配置した構造のプラズマ C V D装置であ つて、 前記ガス供給系から薄膜形成用ガスを導入するとともに前記給電 部に高周波電力を供給して前記誘導結合型電極に沿ってプラズマを発生 させ、 基板の両面に薄膜を同時又は順に形成する構成としたことを特徴 とするプラズマ C V D法及びプラズマ C V D装置に存在する。
ここで、 前記真空室に第 2のガス供給口を設け、 2種類のガスの導入 と 2つの誘導結合型電極への電力の供給を同時に切り替える構成とする ことにより、 基板両面に異なる薄膜を形成することができる。 さらに、 仕切板を設け、 仕切板と基板ホルダで分割された 2つの成膜空間にそれ ぞれ異なるガスが相互に混じり合わずに流れるように、 気流の調整や成 膜空間ごとに排気口を設けることにより、 基板両面に異なる薄膜を同時 に形成することが可能となる。 さらにまた、 前記誘導結合電極を複数個、 同一平面内に配置した電極 列を 3層以上設け、 該電極列層の間のそれぞれに前記基板ホルダを配置 する構成とすることにより、 極めて生産性の高いプラズマ C V D装置を 実現することができる。
本発明の第 2の要旨は、 内部に給電部と接地部とを有する誘導結合型 電極を配置し、 ガス供給口と排気口とを設けた真空室を 2つ連結配置し たプラズマ C V D装置であって、 基板両面が露出するように外周端部を 保持した基板ホルダを前記 2つの真空室の第 1の真空室に搬送し、 ガス 供給口を介して第 1の薄膜形成用ガスを導入するとともに誘導結合型電 極の給電部に高周波電力を供給してプラズマを発生させ、 該誘導結合型 電極に面した基板の表面上に第 1の薄膜を形成した後、 前記基板ホルダ を前記第 1の薄膜が形成された面と反対側の面が誘導結合型電極に面す るように第 2の真空室に搬送し、 ガス供給口を介して第 2の薄膜形成ガ スを導入するとともに誘導結合型電極の給電部に高周波電力を供給して プラズマを発生させ、 前記第 1の薄膜が形成された表面とは反対側の基 板表面に第 2の薄膜を形成する構成としたことを特徴とするプラズマ C V D法及びプラズマ C V D装置に存在する。
また、 量産性の高い装置とするには、 前記誘導結合電極を複数個、 同 一平面内に配置した電極列を、 前記第 1 の真空室 （又は第 2の真空室） に n層 （nは 2以上の整数） 、 前記第 2の真空室 （又は第 1の真空室） に （n— 1 ) 層設け、 該電極列層の間に 2個の基板ホルダを配置するよ うにすればよレ、。 図面の簡単な説明
図 1は、 本発明の第 1の実施の形態のプラズマ C V D装置を示す模式 図である。 図 2は、 第 2の実施の形態のプラズマ CVD装置を示す模式図である。 図 3は、 第 3の実施の形態のプラズマ CVD装置を示す模式図である。 図 4は、 第 4の実施の形態のプラズマ CVD装置を示す模式図である。 図 5は、 図 2の量産対応装置を示す模式図である。
図 6は、 図 1の量産対応装置を示す模式図である。
図 7は、 太陽電池の構造を示す模式図である。
図 8は、 従来のプラズマ CVD装置を示す模式図である。
図において、 1は基板、 2はキャリア、 3は基板ホルダ、 7は高周波 電源、 8は同軸ケーブル、 1 0、 1 1 0はロードロック室、 2 0、 1 2 0は加熱室、 3 0、 4 0、 7 0、 1 3 0 プラズマ CVD室、 3 1、 4 1はガス供給配管、 3 2は排気口、 3 3、 4 3は誘導結合型電極、 3 4 は給電部、 3 5 は接地部、 3 6は基板ホルダ固定治具、 5 0、 1 4 0は 冷却室、 6 1〜 6 4、 1 0 6はゲートバルブ、 1 0 1は i型結晶 S i、 1 0 2は 型 &— 3 1 、 1 0 3は11型3 — 3 1、 1 0 4は透明電極、 1 0 5は集電電極を示す。 . 発明を実施するための最良の形態
以下に本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
(第 1の実施の形態）
本発明の第 1の実施の形態を図 1に示す。 図 1は、 図 7に示した太陽 電池の生産に用いられるプラズマ CVD装置の一例を示す模式図である。 プラズマ CVD装置は、 図 1 ( a ) に示すように、 ロードロック室 1 0、 加熱室 2 0、 第 1プラズマ CVD (P CVD) 室 3 0， 第 2 P CV D室 4 0及び冷却室 5 0カゝら構成され、 各室はゲートバルブ 6 ：!〜 6 4 を介して連結されている。 基板 1は基板両面の薄膜形成面が露出する ように基板ホルダ 3に保持される。 これは、 例えば、 図 1 ( f ) に示し たように、 基板の周辺端部を開口を有する平板 4及ぴ押え板 5で挟持し、 ネジ 6で固定すればよい。
複数の基板を保持した基板ホルダ 3はキャリア 2に取り付けられ （図 1 ( e ) ) 、 各室に敷設されたレール上を図 1 (a ) の矢印の方向に搬 送され、 各室で所定の処理がなされる。 即ち、 基板ホルダはロードロッ ク室 1 0から加熱室 2 0に搬送され、 ここで赤外線ランプ等のヒータに より基板ホルダ 3の両側から加熱処理され、 所定温度まで加熱される。 その後、 第 1 P CVD室 3 0、 第 2 P C VD室 4 0に順次搬送され、 基 板の両面にそれぞれ n型 a - S i膜及び p型 a _ S i膜が形成される。 薄膜形成後、 基板ホルダは冷却室 5 0で所定温度まで冷却され、 外部に 取り出され、 I TO等の透明導電膜及ぴ集電電極の形成装置に搬送され る。 なお、 冷却室の代わりにスパッタ室を連結し、 a _ S i膜形成後、 すぐに透明導電膜を形成する装置構成とすることもできる。
第 1 P CVD室 3 0の構造を、 図 1 (b ) 、 ( c ) を用いて説明する 図 1 (b) 及び （ c ) は、 室内部を、 それぞれ正面から見た模式図及 び搬送方向に向かって見た模式図である。 P C VD室には薄膜形成用ガ ス （例えば S i UZ P H3ガス） の供給配管 3 1及ぴ排気口 3 2が設け られ、 室内部には中央で折り返した形状の誘導結合型電極 3 3が配設さ れている。 誘導結合型電極 3 3の一端部の給電部 3 4は、 同軸ケーブル 8を介して高周波電源 7に接続され、 他端部の接地部 3 5は室壁に連結 され接地されている。
基板ホルダ 3を搭載したキヤリア 2が P CVD室 3 0に搬入されると, 破線で示す位置にあった基板ホルダ固定治具 3 6を閉じて実線で示すよ うに基板ホルダを両側から当接させて固定する。 この状態で、 ガス供給 配管 3 1を通して S i H4/PH3ガスを室内に導入し、 所定の圧力に設 定した後、 高周波電力を誘導結合型電極 3 3に供給する。 電極 3 3に沿 つてプラズマが発生し、 電極 3 3に面した基板表面に n型 a— S i膜が 堆積する。 この際、 基板成膜面の反対側にもガスは流れ込むがプラズマ は基板ホルダ及び基板ホルダ固定治具により遮蔽され、 裏側に回り込む ことはなく、 電極と反対側の基板表面に薄膜は形成されない。
所定の膜厚が形成された後、 電力の供給、 ガス導入を停止して、 室内 を排気する。 続いて、 ゲートパルプ 6 3を開け基板ホルダを第 2 P CV D室 4 0に搬送する。 図 1 ( d) は、 第 2 P C VD室内部を搬送方向に 向かって見たときの模式図であり、 誘導結合型電極 4 3を基板ホルダに 対して反対側の位置に配置した以外は、 第 1 P CVD室と同じ構成であ る。 第 2 P C VD室 4 0に基板ホルダが搬送されると、 基板ホルダ固定 治具 4 6が閉じ、 基板ホルダは固定される。 ここで、 ガス供給配管 4 1 を通して、 室内に S i H4/B2H6ガスを導入し、 誘導結合型電極 4 3に 高周波電力を供給して、 n型 a— S i膜が形成された面と反対側の基板 表面に p型 a— S i膜が堆積する。 このよ うにして、 i型結晶シリ コン 基板の両側に p型 a _ S i及び n型 a— S i膜が堆積し、 p i n接合が 形成される。
以上のように、 基板ホルダ 3をキヤリア 2に載せて各室を順次搬送す ることにより、 連続して基板の両面に p型及び n型 a— S i膜を形成す ることが可能となる。
上述したように、 従来の平行平板型 P CVD装置で膜厚均一性に優れ た薄膜を形成するには、 基板の成膜面と反対側に裏板を配置する必要が あり、 このため、 両面成膜を行うには基板の反転工程が不可欠となり、 しかも加熱 .冷却工程等が 2回必要となる。 一方、 本発明のプラズマ C VD装置では、 基板を反転する必要がなく、 しかも基板の加熱、 冷却ェ 程が 1回ですむため、 処理室数の低減とともにスループッ トを向上させ ることができる。 また、 従来の装置で高スループッ ト生産を行うには、 ロードロック室、 加熱室、 P C V D室、 冷却室が 2組必要となるが、 図 1に示した実施の形態では、 P C V D室は 2つ必要とするものの、 他の 処理室は 1つでよく、 装置全体の設置面積及びコストを大幅に低減する ことができる。
図 1では、 U字型の誘導結合型電極を示したが、 中央で折り返した形 状の誘導結合型電極は、 U字型以外に例えば 「コ」 の字型のような矩形 のものでも良い。 ここで、 給電部 3 4及び接地部 3 5と折り返し部との 間の距離を、 高周波の励振波長の略 1 / 2又はその自然数倍とするのが 好ましく、 これにより安定した放電を発生 ·維持することができる。 な お、 折り返し部とは、 U字型の場合、 曲率を有する半円状の部分をいい、 「コ」 の字型の場合は 2本の直線電極の間の直線部をいう。 これらの電 極は、 例えば一本の棒材を折り曲げて一体に形成したものである必要は なく、 例えば 2本の直線状電極を金属板等で接続 · 固定した構造であつ ても良い。
さらに、 本発明においては、 棒状の電極を用いることもできる。 この 両端を給電部と接地部とし、 給電部と接地部との距離を励振波長の略 1 / 2又はその自然数倍とするのが好ましい。
(第 2の実施の形態）
図 1のプラズマ C V D装置では、 p型及び n型 a— S i膜を異なる P C V D室で堆積する構成としたが、 1つの P C V D室内で基板の両面に 異なる薄膜を形成することも可能である。 これを可能とする本発明の第 2の実施の形態を図 2に示す。 装置全体としては、 図 2 ( a ) に示した ように、 P C V D室が 1つになった以外は、 図 1 と同じ構成である。 本実施の形態のプラズマ C V D室 3 0は、 図 2 ( b ) 、 ( c ) に示し たように、 室内に 2つの誘導結合型電極が配置され、 それぞれの給電部 3 4、 3 4 ' が高周波電源に接続される。 この 2つの電極の間に、 基板 ホルダが搬入され、 固定される。 また、 P C VD室には 2種類の薄膜形 成用ガス （S i Η4,ΡΗ3ガス及ぴ S i H4ノ B 2H6ガス） の供給配管 3 1， 3 1 ' が連結されている。
この装置では、 P CVD室 3 0に基板ホルダが搬送されてくると、 ま ず、 ガス供給配管 3 1を通して S i H4/PH3ガスを室内に導入し、 所 定圧力に設定した後、 電極 3 3に高周波電力を供給して電極 3 3に沿つ てプラズマを発生させる。 これにより、 電極 3 3に面した基板上に 11型 a - S i膜が堆積する。 所定膜厚の薄膜が堆積した後、 電力及びガスの 供給を停止し、 室内を排気する。
続いて、 ガス供給配管 3 1 ' を通して S i H4/B 2 H 6ガスを導入し、 同様にして電極 3 3 ' に電力を供給してプラズマを発生させ、 電極 3 3 ' に面した基板上に所定膜厚の p型 a— S i膜を堆積して p i n接合を 形成する。 この後、 冷却室 5 0に搬送され、 冷却された後外部に取り出 される。
以上のようにして、 同一室内で異なる種類の薄膜を形成することが可 能となる。
(第 3の実施の形態）
図 2の例では、 n型 a— S i膜形成後、 p型 a— S i膜を形成する構 成としたが、 2種類の薄膜を同時に形成することも可能である。 同時成 膜を可能とした第 3の実施の形態を図 3に示す。
プラズマ CVD装置としては、 図 3に示した P C VD室を除いて、 図 2 ( a ) と同じ構成である。 本実施の形態の P C VD室は、 次の点で図 2 (b) 、 ( c ) と異なる。 即ち、 図 2では、 n型又は p型 a— S i膜 の成膜空間に生成させるプラズマが反対側の成膜空間へ拡散し、 P型又 は n型成膜面に薄膜が形成されるのを防止する程度の遮蔽で十分であつ た。 しかし、 第 3の実施形態では、 基板ホルダ固定治具 3 6の長さはで きるだけ室の長さに近づけて、 n型及び p型 a— S i膜の成膜空間を相 互のガスによる汚染 （クロスコンタミネーシヨン） を防ぐように分離す る仕切板の役割を担わせる。 また、 室の長さは、 基板ホルダ長さと同程 度とし、 隙間を小さくする。 さらに、 それぞれの成膜空間に対応して、 2つのガス供給配管及び排気口 3 2， 3 2， を設けてある。 この場合、 排気口 3 2及ぴ 3 2， の下流において排気ガスを集合し （3 2 " ) 、 排 気系を一系列としている。
2種類のガスを同時に導入すると、 基板ホルダ及び仕切板と室内壁と の間の隙間を通してガスが互いに流れ込む場合もあるが、 p型及び n型 のキヤリァ濃度はは膜中に含有される P元素と B元素との濃度差により ほぼ決定される。 従って、 n型 a— S i膜に含まれる P元素の数密度と 比較して微量の B元素が混入しても、 あるいはこれとは逆に、 p型 a— S i膜に含まれる B元素の数密度と比較して微量の P元素が混入しても、 太陽電池特性には殆ど影響せず、 所望の特性の太陽電池を得ることがで きる。
このように、 同一室内で同時成膜を行うことにより、 P C V D室の運 転間隔をさらに短縮することができる。
なお、 本実施の形態においては、 2つ成膜空間のそれぞれに排気口を 設けた構成としたが、 例えば真空室底壁の中央部に排気口を 1つ設ける 構成とすることも可能である。 また、 仕切板についても、 基板ホルダ固 定治具を兼用したため、 仕切板が基板ホルダに当接する構造としたが、 基板ホルダ固定治具が必要ない場合あるいは別途仕切板を配置する場合 は、 必ずしも仕切板を基板ホルダに当接させる必要はなく、 隙間があつ ても気流の調節等によりクロスコンタミネーションを抑制することがで さる。
(第 4の実施の形態） 上記実施の形態では、 シリ コン基板上に直接 p型及び n型 a— S i膜 を形成する製造装置及び製造方法について述べてきたが、 pZ i接合及 び i /n接合部の欠陥を低減して、 太陽電池特性を向上させるためには、 p型及び n型 a— S i膜を形成する前に、 基板両面の結晶シリ コン上に i型 a— S i膜を形成するのが好ましい。 このための装置構成を、 本発 明の第 4の実施の形態として、 図 4に示した。
図 4のプラズマ C VD装置は、 図 2 (a ) のプラズマ CVD装置の P CVD室 3 0の前に、 i型 a— S i膜堆積用の p C VD室 7 0を配設し たものである。 P CVD室 7 0は、 図 2 (b ) 、 ( c ) と同じ構造を有 し、 S i H4ガスの供給配管を 1つ連結したものである。 S i H4ガスを 導入後、 2つの誘導結合型電極に同時に高周波電力を供給し、 基板の両 面に同じ i型 a— S i膜を堆積する。
n型及び p型 a— S i膜の形成方法については、 第 2の実施の形態と 同じである。
(第 5の実施の形態）
次に、 本発明の第 5の実施の形態として、 極めて生産性の高いプラズ マ CVD装置を説明する。 図 1〜図 4のプラズマ C VD室は、 1つの基 板ホルダに保持された基板の両面に薄膜を連続して形成する構成である 力 S、 より生産性を向上させるには、 より多くの基板を基板ホルダに保持 させ、 かつ複数の基板ホルダを同時に処理できる構成とするのが好まし い。 本発明の誘導結合型電極を用いたプラズマ CVD室はこの拡張を容 易に行うことができ、 この量産対応の装置構成例を図 5及ぴ図 6に示す。 図 5 (a ) 、 ( b ) は、 図 2の装置に対応する量産装置の P C VD室 内部を、 それぞれ正面から及ぴ搬送方向に向かって見たときの模式図で ある。 図 5 ( a ) に示すように、 基板ホルダ面に対向して誘導結合型電 極を同一平面内に複数配置したため、 より大型の基板ホルダ （即ち、 多 数の基板を保持した基板ホルダ） に対して成膜処理を行うことができる。 また、 図 5 (b ) に示すように、 基板ホルダと電極列層とを交互に配置 するだけで、 1つの真空室内で多数の基板ホルダの成膜処理を行うこと ができる。
即ち、 ガス供給配管 3 1を通して S i H4/P H3ガスを導入し、 電極
3 3， 3 3" に電力を供給して、 これらの基板に対向する基板面上に n 型 a— S i膜を形成する。 続いて、 ガスを S i H4/B 2H6ガスに切り替 え、 電極 3 3 ' 、 3 3 '''に電力を供給して、 これらの電極に面した基板 面上に p型 a— S i膜を形成する。 ここで、 電極基板面間距離は、 3 0 mm程度まで小さくすることができるため、 小さな空間に多数の基板ホ ルダ及ぴ電極を配置することができる。
なお、 図 5の構造は 2つの薄膜を基板両面に別々に堆積する場合であ るが、 図 3に示した同時成膜装置の場合も同様に構成すればよい。
図 6 ( a ) 、 （b ) は、 図 1の装置に対応する量産装置の第 1及び第 2 P CVD室内部を、 搬送方向に向かって見たときの模式図である。 こ の場合は、 2つの誘導結合型電極列層の間に 2つの基板ホルダを配置す る構成となる。
以上、 本発明を結晶シリコン基板の両面に a— S i膜を形成する方法 及びその装置について述べてきたが、 本発明は、 これに限るものではな く、 太陽電池以外の種々の用途、 例えば、 ガラスやプラスチック基板の 表面改質等にも好適に適用される。 産業上の利用可能性
本発明により、 基板の裏板なしに均一性に優れた薄膜を形成すること が可能となり、 その結果、 基板の反転工程が不要となり、 しかも加熱 · 冷却工程等を減らすことができるため、 両面成膜の生産性を著しく向上 させることができる。
さらに、 基板ホルダと誘導結合型電極を交互に配置した構成が可能と なり、 多数の基板を同時処理可能な極めて量産性に優れたプラズマ C V D装置を提供することができる。

Claims

請求の範囲
1 . ガス供給口と排気口とを設けた真空室内に、 給電部と接地部とを 有する誘導結合型電極を少なく とも 2つ配置し、 基板両面が露出するよ うに基板の外周端部を保持した基板ホルダを前記 2つの誘導結合型電極 の間に揷入配置し、 前記ガス供給系から薄膜形成用ガスを導入するとと もに前記給電部に高周波電力を供給して前記誘導結合型電極に沿ってプ ラズマを発生させ、 基板の両面に薄膜を同時又は順に形成することを特 徴とするプラズマ C V D法。
2 . 第 1及び第 2のガス供給口と排気口とを設けた真空室内に、 給電 部と接地部とを有する誘導結合型電極を少なく とも 2つ配置し、 基板両 面が露出するように基板の外周端部を保持した基板ホルダを前記 2つの 誘導結合型電極の間に挿入配置し、 前記第 1のガス供給口を介して第 1 の薄膜形成用ガスを導入するとともに前記 2つの誘導結合型電極のうち 第 1の電極の給電部に高周波電力を供給してプラズマを発生させ、 該第 1の電極に面した基板表面に第 1の薄膜を形成し、 その後ガスを切り替 え前記第 2のガス供給口を介して第 2の薄膜形成用ガスを導入するとと もに第 2の電極の給電部に高周波電力を供給してプラズマを発生させ、 該第 2の電極に面した基板表面に第 2の薄膜を形成することを特徴とす るプラズマ C V D法。
3 . 第 1及ぴ第 2のガス供給口と排気口とを設けた真空室内に、 給電 部と接地部とを有する誘導結合型電極を少なく とも 2つ配置し、 基板両 面が露出するように基板の外周端部を保持した基板ホルダを前記 2つの 誘導結合型電極の間に挿入配置するとともに、 前記基板ホルダに当接又 は近接する仕切板を配置し、 該仕切板及び前記基板ホルダにより仕切ら れる 2つの空間に、 それぞれ前記第 1及び第 2のガス供給口を介して第 1及ぴ第 2の薄膜形成用ガスを流し、 前記 2つの誘導結合型電極の給電 部に同時に高周波電力を供給してプラズマを発生させ、 基板両面のそれ ぞれに第 1及ぴ第 2の薄膜を同時に形成することを特徴とするプラズマ C V D法。
4 . 内部に給電部と接地部とを有する誘導結合型電極を配置し、 ガス 供給口と排気口とを設けた真空室を 2つ配置し、 基板両面が露出するよ うに外周端部を保持した基板ホルダを前記 2つの真空室の第 1の真空室 に搬送し、 ガス供給口を介して第 1の薄膜形成用ガスを導入するととも に誘導結合型電極の給電部に高周波電力を供給してプラズマを発生させ、 該誘導結合型電極に面した基板の表面上に第 1の薄膜を形成した後、 前 記基板ホルダを前記第 1の薄膜が形成された面と反対側の面が誘導結合 型電極に面するように第 2の真空室に搬送し、 ガス供給口を介して第 2 の薄膜形成ガスを導入するとともに誘導結合型電極の給電部に高周波電 力を供給してプラズマを発生させ、 前記第 1 の薄膜が形成された表面と は反対側の基板表面に第 2の薄膜を形成することを特徴とするプラズマ C V D法。
5 . ガス供給口と排気口とを設けた真空室と、 該真空室内に配設され た放電電極であって給電部と接地部とを有する 2つの誘導結合型電極と. 該 2つの誘導結合型電極の間に配置され基板両面が露出するように基板 の外周端部を保持した基板ホルダと、 から構成され、 前記ガス供給口か ら薄膜形成用ガスを前記真空室内に導入し、 前記給電部に高周波電力を 供給して前記誘導結合型電極に沿ってプラズマを発生させ、 基板の両面 に薄膜を同時又は順に形成する構成としたことを特徴とするプラズマ C V D装置。
6 . 第 1及ぴ第 2のガス供給口と排気口とを設けた真空室と、 該真空 室内に配設された放電電極であって給電部と接地部とを有する 2つの誘 導結合型電極と、 該 2つの誘導結合型電極の間に配置され基板両面が露 出するように基板の外周端部を保持した基板ホルダと、 から構成され、 前記第 1 のガス供給口を介して第 1 の薄膜形成用ガスを導入したときは 前記 2つの誘導結合型電極のうち第 1の電極の給電部に高周波電力を供 給し、 前記第 2のガス供給口を介して第 2の薄膜形成用ガスを導入する ときは第 2の電極の給電部に高周波電力を供給し、 基板両面のそれぞれ に第 1及び第 2の薄膜を形成する構成としたことを特徴とするプラズマ C V D装置。
7 . 第 1及び第 2のガス供給口と排気口とを設けた真空室と、 該真空 室内に配設された放電電極であって給電部と接地部とを有する 2つの誘 導結合型電極と、 該 2つの誘導結合型電極の間に配置され基板両面が露 出するように基板の外周端部を保持した基板ホルダと、 前記基板ホルダ に当接又は近接する仕切板と、 から構成され、 該仕切板と前記基板ホル ダとにより仕切られる 2つの空間に、 それぞれ前記第 1及び第 2のガス 供給口を介して第 1及び第 2の薄膜形成用ガスを流し、 前記 2つの誘導 結合型電極の給電部に同時に高周波電力を供給してプラズマを発生させ、 基板両面のそれぞれに第 1及び第 2の薄膜を同時に形成する構成とした ことを特徴とするプラズマ C V D装置。
8 . 前記誘導結合電極を複数個、 同一平面内に配置した電極列を 3層 以上設け、 該電極列層の間のそれぞれに前記基板'ホルダを配置する構成 としたことを特徴とする請求の範囲第 5項〜第 7項のいずれか 1項に記 載のプラズマ C V D装置。
9 . 第 1及ぴ第 2の真空室を仕切り弁を介して連結し、 それぞれの真 空室にガス供給口及び排気口を設け、 内部に給電部及び接地部を有する 誘導結合型電極と、 基板両面が露出するように外周端部を保持した基板 ホルダとを配置したプラズマ C V D装置であって、 前記基板ホルダを前 記第 1の真空室に搬送し、 ガス供給口を介して第 1 の薄膜形成用ガスを 導入するとともに給電部に高周波電力を供給してプラズマを発生させ、 誘導結合型電極に面した基板の表面上に第 1の薄膜を形成した後、 前記 基板ホルダを前記第 1の薄膜が形成された面と反対側の面が誘導結合型 電極に面するように第 2の真空室に搬送し、 ガス供給口を介して第 2の 薄膜形成ガスを導入するとともに給電部に高周波電力を供給してプラズ マを発生させ、 前記第 1の薄膜が形成された表面とは反対側の基板表面 に第 2の薄膜を形成する構成としたことを特徴とするプラズマ C V D装 置。
1 0 . 前記誘導結合電極を複数個、 同一平面内に配置した電極列を、 前記第 1 の真空室 （又は第 2の真空室） に n層 （nは 2以上の整数） 、 前記第 2の真空室 （又は第 1 の真空室） に （n— 1 ) 層設け、 該電極列 層の間に 2個の基板ホルダを配置する構成としたことを特徴とする請求 の範囲第 9項に記載のプラズマ C V D装置。
1 1 . 前記第 1の薄膜形成前の処理室として、 基板両面に第 3の薄膜 を形成する処理室を設け、 該処理室を、 ガス供給口及びの排気口を設け た真空室と、 該真空室内に配設された放電電極であつて給電部と接地部 とを有する 2つの誘導結合型電極と、 該 2つの誘導結合型電極の間に配 置され、 基板両面が露出するように基板の外周端部を保持した基板ホル ダとから構成したことを特徴とする請求の範囲第 5項〜第 1 0項のいず れか 1項に記載のプラズマ C V D装置。
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