JPS63276222A - 薄膜成長装置 - Google Patents
薄膜成長装置Info
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- JPS63276222A JPS63276222A JP11290987A JP11290987A JPS63276222A JP S63276222 A JPS63276222 A JP S63276222A JP 11290987 A JP11290987 A JP 11290987A JP 11290987 A JP11290987 A JP 11290987A JP S63276222 A JPS63276222 A JP S63276222A
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- thin film
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- film growth
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Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 45
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、薄膜成長装置に係り、特にアモルファスシ
リコン系材料の成長装置に関するものである。
リコン系材料の成長装置に関するものである。
第５図は従来の薄膜成長装置の一例を示すプラズマＣＶ
Ｄ装置の概略図であり、この図において、１は反応室、
２は高周波電源、３は前記高周波電源２から高周波が印
加される高周波電極、４は基板ホルダ、５は前記基板ホ
ルダ４上に＠置された基板、６は原料ガスを導入するガ
ス導入口、７は使用済みのガスを排出する排気口である
。
Ｄ装置の概略図であり、この図において、１は反応室、
２は高周波電源、３は前記高周波電源２から高周波が印
加される高周波電極、４は基板ホルダ、５は前記基板ホ
ルダ４上に＠置された基板、６は原料ガスを導入するガ
ス導入口、７は使用済みのガスを排出する排気口である
。
次に動作について説明する。
反応室１内において基板ホルダ４に保持された基板５と
高周波電極３とを平行に位置させ、高周波電源２により
高周波電極３に高周波を印加し、ガス導入口６より導入
した原料ガスを分解せしめ、基板５上に薄膜を堆積させ
る。この時反応室１内は一定の真空度に保つように排気
ロアから真空排気されている。
高周波電極３とを平行に位置させ、高周波電源２により
高周波電極３に高周波を印加し、ガス導入口６より導入
した原料ガスを分解せしめ、基板５上に薄膜を堆積させ
る。この時反応室１内は一定の真空度に保つように排気
ロアから真空排気されている。
従来の薄膜成長装置は以上のように構成されているので
、基板５上の片面にのみ薄膜の成長が可能であり、両面
に異種の薄膜を成長させるためにｔよ２回に分けて原料
ガスを入れ換え、基板５を反転し成長させる必要があり
、作業性に問題を有するとともに、その薄膜成長に多く
の時間を必要とするなどの問題点があった。
、基板５上の片面にのみ薄膜の成長が可能であり、両面
に異種の薄膜を成長させるためにｔよ２回に分けて原料
ガスを入れ換え、基板５を反転し成長させる必要があり
、作業性に問題を有するとともに、その薄膜成長に多く
の時間を必要とするなどの問題点があった。
また、他の従来例として、特開昭５９−１３１５１ ’
１号公報に記載されたものもあるが、これも基板の片面
にしか薄膜を成長できなかった。
１号公報に記載されたものもあるが、これも基板の片面
にしか薄膜を成長できなかった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、同一基板の両面に同時に、かつ短時間で異
種の薄膜を形成することができろ薄膜成長装置を得るこ
とを目的とする。
れたもので、同一基板の両面に同時に、かつ短時間で異
種の薄膜を形成することができろ薄膜成長装置を得るこ
とを目的とする。
この発明に係る薄膜成長装置は、両面に１４膜形成した
い基板を仕切りとして反応室を２つに分割し、それぞれ
の反応室で同一または種類の異なる薄膜を基板上に同時
に形成できるようにしたものである。
い基板を仕切りとして反応室を２つに分割し、それぞれ
の反応室で同一または種類の異なる薄膜を基板上に同時
に形成できるようにしたものである。
この発明においては、反応室が基板により２つに分割さ
れていることから、それぞれの反応室で基板の両面上に
所望の薄膜を同時に形成することができる。
れていることから、それぞれの反応室で基板の両面上に
所望の薄膜を同時に形成することができる。
以下、この発明の一実施例を図面について説明する。
第１図はこの発明の一実施例を示す薄膜成長装置の概略
図である。
図である。
第１図において、１Ａ、１Ｂは反応室で、これら反応室
ＩＡ、ＩＢは中央部分の隔壁を兼ねる基板ホルダ４上に
基板５が気密状に′Ｉａ置されることにより２つに分割
される。すなわち、基板ホルダ４上にはＯリング８が設
けられ、乙のＯリング８を基板押え９により押え付ける
ことにより基板５は気密状に保持され、基板５の両面に
薄膜の成長が可能なようになっている。そして反応室Ｉ
Ａ。
ＩＡ、ＩＢは中央部分の隔壁を兼ねる基板ホルダ４上に
基板５が気密状に′Ｉａ置されることにより２つに分割
される。すなわち、基板ホルダ４上にはＯリング８が設
けられ、乙のＯリング８を基板押え９により押え付ける
ことにより基板５は気密状に保持され、基板５の両面に
薄膜の成長が可能なようになっている。そして反応室Ｉ
Ａ。
１Ｂには高周波電源２Ａ、２Ｂ、高周波電極３Ａ。
３Ｂ、ガス導入口６Ａ、６Ｂ、排気ロアＡ、７Ｂがそれ
ぞれ設けられている。
ぞれ設けられている。
次に動作について説明する。−
２つに分割された反応室ＩＡ、ＩＢは基板５により２つ
に分割されているが、この２つの反応室ＩＡ、ＩＢ間の
原料ガスが混入し合わないように０リング８および基板
押え９により基板５は固定されている。この状態で各反
応室ＩＡ、ＩＢに２つのガス導入口６Ａ、６Ｂより異種
の原料ガスを別々に供給し、２台の高周波電源２Ａ、２
Ｂから２つの高周波電極３Ａ、３Ｂに別々に高周波を印
加する乙とにより基板５の両面に、導入した原料ガスに
よる異種の薄膜を同時に成膜することができる。したが
って、短時間で初期の目的が達せられる。
に分割されているが、この２つの反応室ＩＡ、ＩＢ間の
原料ガスが混入し合わないように０リング８および基板
押え９により基板５は固定されている。この状態で各反
応室ＩＡ、ＩＢに２つのガス導入口６Ａ、６Ｂより異種
の原料ガスを別々に供給し、２台の高周波電源２Ａ、２
Ｂから２つの高周波電極３Ａ、３Ｂに別々に高周波を印
加する乙とにより基板５の両面に、導入した原料ガスに
よる異種の薄膜を同時に成膜することができる。したが
って、短時間で初期の目的が達せられる。
なお、上記実施例では成膜法としてプラズマＣＶＤ法を
例にして説明したが、例えば以下に説明するように第２
図から第４図に示すような各種成ｌｌ５ｉｉ法を自由に
組み合わせても同様の効果があるのはいうまでもない。
例にして説明したが、例えば以下に説明するように第２
図から第４図に示すような各種成ｌｌ５ｉｉ法を自由に
組み合わせても同様の効果があるのはいうまでもない。
第２図および第３図において、１０は低圧水銀ランプ、
１１は紫外線入射窓に装着された合成石英ガラスである
。
１１は紫外線入射窓に装着された合成石英ガラスである
。
また、第４図において、１２はエキシマレーザ、１３は
ハーフミラ−１１４は折返しミラーである。
ハーフミラ−１１４は折返しミラーである。
また、ここでは３種の変形例しか記していないが、各種
成ｌＩｉ！！法を個々に別々の反応室で用いるのみでな
（、各種成膜法を同時に１つの反応室で用いてもよい。
成ｌＩｉ！！法を個々に別々の反応室で用いるのみでな
（、各種成膜法を同時に１つの反応室で用いてもよい。
以上説明したように、この発明は、反応室内で原料ガス
を分解し基板上に薄膜を堆積させる薄膜成長装置におい
て、基板により反応室を２室に分離するとともに、分離
された各反応室に各々独立に原料ガス導入系および真空
排気系を備え、基板の両面に同一または種類の異なる薄
膜を成長させる構成としたので、基板の両面に同一また
は異種の異なる薄膜を同時に、かつ短時間に形成するこ
とができる効果がある。
を分解し基板上に薄膜を堆積させる薄膜成長装置におい
て、基板により反応室を２室に分離するとともに、分離
された各反応室に各々独立に原料ガス導入系および真空
排気系を備え、基板の両面に同一または種類の異なる薄
膜を成長させる構成としたので、基板の両面に同一また
は異種の異なる薄膜を同時に、かつ短時間に形成するこ
とができる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例を示すｒ！！膜成長装置の
概略図、第２図〜第４図はこの発明の他の実施例をそれ
ぞれ示す薄膜成長装置の概略図、第５図は従来の薄１１
％成長装置の概略図である。。 図において、ＩＡ、ＩＢは反応室、２Ａ、２Ｂは高周波
電源、３Ａ、３Ｂは高周波電極、４ば基板ホルダ、５は
基板、６Ａ、６Ｂはガス導入口、７Ａ、７Ｂは排気口、
８はＯリング、９は基板押え、１０は・低圧水銀ランプ
、１１は合成石英ガラス、１２１よエキシマレーザ、１
３４：！ハーフミラー１１４は折返しミラーである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 ソ奏取胛入 第２図 １１、合成石英ガ゛ラズ 第３図 第４図 １４ｉｒｙｒ返レミラ−
概略図、第２図〜第４図はこの発明の他の実施例をそれ
ぞれ示す薄膜成長装置の概略図、第５図は従来の薄１１
％成長装置の概略図である。。 図において、ＩＡ、ＩＢは反応室、２Ａ、２Ｂは高周波
電源、３Ａ、３Ｂは高周波電極、４ば基板ホルダ、５は
基板、６Ａ、６Ｂはガス導入口、７Ａ、７Ｂは排気口、
８はＯリング、９は基板押え、１０は・低圧水銀ランプ
、１１は合成石英ガラス、１２１よエキシマレーザ、１
３４：！ハーフミラー１１４は折返しミラーである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 ソ奏取胛入 第２図 １１、合成石英ガ゛ラズ 第３図 第４図 １４ｉｒｙｒ返レミラ−
Claims (6)
- （１）反応室内で原料ガスを分解し基板上に薄膜を堆積
させる薄膜成長装置において、前記基板により前記反応
室を２室に分離するとともに、前記分離された各反応室
に各々独立に原料ガス導入系および真空排気系を備え、
前記基板の両面に同一または種類の異なる薄膜を成長さ
せる構成としたことを特徴とする薄膜成長装置。 - （２）基板に薄膜を成長させる成長方法は、プラズマＣ
ＶＤ法を用いることを特徴とする特許請求の範囲第（１
）項記載の薄膜成長装置。 - （３）基板に薄膜を成長させる成長方法は、光ＣＶＤ法
を用いることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記
載の薄膜成長装置。 - （４）基板に薄膜を成長させる成長方法は、プラズマＣ
ＶＤ法および光ＣＶＤ法を組み合わせて用いることを特
徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の薄膜成長装置
。 - （５）光ＣＶＤ法に使用する光源として、低圧水銀ラン
プを用いることを特徴とする特許請求の範囲第（３）項
または第（４）項記載の薄膜成長装置。 - （６）光ＣＶＤ法に使用する光源として、エキシマレー
ザを用いることを特徴とする特許請求の範囲第（３）項
または第（４）項記載の薄膜成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11290987A JPS63276222A (ja) | 1987-05-08 | 1987-05-08 | 薄膜成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11290987A JPS63276222A (ja) | 1987-05-08 | 1987-05-08 | 薄膜成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63276222A true JPS63276222A (ja) | 1988-11-14 |
Family
ID=14598525
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11290987A Pending JPS63276222A (ja) | 1987-05-08 | 1987-05-08 | 薄膜成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63276222A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002058121A1 (fr) * | 2001-01-22 | 2002-07-25 | Ishikawajima-Harima Heavy Industries Co., Ltd | Procede et dispositif pour depot chimique en phase vapeur assiste par plasma |
| US9165748B2 (en) | 2000-05-17 | 2015-10-20 | Ihi Corporation | Plasma CVD method |
-
1987
- 1987-05-08 JP JP11290987A patent/JPS63276222A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9165748B2 (en) | 2000-05-17 | 2015-10-20 | Ihi Corporation | Plasma CVD method |
| WO2002058121A1 (fr) * | 2001-01-22 | 2002-07-25 | Ishikawajima-Harima Heavy Industries Co., Ltd | Procede et dispositif pour depot chimique en phase vapeur assiste par plasma |
| JP2002217119A (ja) * | 2001-01-22 | 2002-08-02 | Anelva Corp | プラズマｃｖｄ法及び装置 |
| EP1359611A1 (en) * | 2001-01-22 | 2003-11-05 | Ishikawajima-Harima Heavy Industries Co., Ltd. | Method and device for plasma cvd |
| US7047903B2 (en) | 2001-01-22 | 2006-05-23 | Ishikawajima-Harima Heavy Industries Co., Ltd. | Method and device for plasma CVD |
| EP1359611A4 (en) * | 2001-01-22 | 2007-01-10 | Ishikawajima Harima Heavy Ind | METHOD AND DEVICE FOR PLASMA-ASSISTED VAPOR PHASE CHEMICAL DEPOSITION |
| CN100349261C (zh) * | 2001-01-22 | 2007-11-14 | 石川岛播磨重工业株式会社 | 等离子体cvd法及其装置 |
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