JPS60167317A - 光励起化学的気相成長装置 - Google Patents

光励起化学的気相成長装置

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JPS60167317A
JPS60167317A JP2324784A JP2324784A JPS60167317A JP S60167317 A JPS60167317 A JP S60167317A JP 2324784 A JP2324784 A JP 2324784A JP 2324784 A JP2324784 A JP 2324784A JP S60167317 A JPS60167317 A JP S60167317A
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JP
Japan
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gas
reaction
light
light incident
window
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Application number
JP2324784A
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English (en)
Inventor
Makoto Hirayama
誠 平山
Nobuyuki Yoshioka
信行 吉岡
Hayaaki Fukumoto
福本　隼明
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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    • H01L21/02367—Substrates
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    • H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は反応室の外部からその光入射窓を通して照射
される光のエネルギーを利用して、その反応室内におい
て、基板上に化学的気相成長（ＣＶＤ；　Ｃｈｅｍｉｃ
ａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）膜を形成す
る装置における光入射窓部分の改良に関するものである
。
〔従来技術〕
最近、例えば、半導体装置の製造分野で、窒化シリコン
膜、酸化シリコン膜、非晶質シリコン膜などを光励起エ
ネルギーを応用したＣＶＤ膜として形成する技術が注目
されている。これらの膜は形成温度が常温から４００°
Ｃ程度までで、従来のＬＰ−ＣＶＤ　、プラズマＣＶＤ
などに比して低く、シかも誘電率、屈折率、キャリヤ移
動度など膜質においても侵れていることがわかってきた
。以下、シリコン基板上にこれらの膜を形成する場合を
例にとって説明する。
これらの光ＣＶＤ膜を形成する装置は、シラン。
ジシランなどがユＯＯＯ〜３０００Ａの波長の光によっ
て容易に励起され、シリコン基板上に均質な膜が形成さ
れることを利用して低圧の水銀ランプを光う 源にして、常圧か＄０　、１　Ｔｏｒｒ程度の圧力下で
気相成長を行うものである。
従来の光励起ＣＶＤ装置ではシリコン基板上にシリコン
の窒化膜、酸化膜または非晶質のシリコン膜が成長する
が、さらに反応室内壁にもその膜が形成される。すなわ
ち、気相で反応した分子は、励起エネルギーを供給する
ための光を通す部分で、通常は石英ガラスなどの透明な
物質で作られた光入射窓にも付着することはさけられな
い。光入射窓に付着したこの膜は、供給される光エネル
ギーを反射および透過量を減衰させ膜形成の速度を低下
させることになるので、極力除去されなければならない
。
〔発明の概要〕
この発明は以上のような点に鑑みてなされたもので、反
応室内の光入射窓の面に沿って化学的気相成長用の反応
ガスよシも軽い、たとえば、ヘリウム（Ｈｅ）のような
気体を供給して１．光入射窓の直下にこの気体によるじ
ゃへい層を設け、気相反応による膜が光入射窓に形成さ
れることのない光励起ＣＶＤ装置を提供するものである
。
〔発明の実施例〕
図はこの発明の一実施例の構成を示す断面図で、（１）
は反応室本体、（２）は石英ガラスからなる光入射窓、
（３）は反応ガス導入口、（４）は排気口、（５）けし
やへい気体導入口、（６）はシリコン基板、（７）はシ
リコン基板（６）を支持し、これを加熱可能な支持台、
（８）は低圧水銀ランプである。この実施例では、低圧
水銀ランプ（８）が複数本並べて配置されており、図は
その低圧水銀ランプを横断する面での断面図である。
この実施例では、反応ガス導入口（３）から反応ガスを
導入し、低圧水銀ランプ（８）から光入射窓（２）ヲ通
して入射する光エネルギーで励起して光化学反応を生ぜ
しめて、反応生成物をシリコン基板（６）上へ堆積させ
る。このとき、反応生成物は光入射窓（２）の内面にも
旬着しようとするが、しやへい気体導入口（５）からは
Ｈｅのような安定で、しかも、シラン、ジシラン、アン
モニア、酸化窒素などの反応ガスよシ軽い気体を導入す
る。５ｉｔ量の異る気体を各々別々に供給し、気体の移
動が生じないような定常状態に保持すると、両気体の分
圧が等しい場合には、両気体は混合せずバランスするも
のである。この実施例においても、軽いじゃへい気体は
光入射窓（２）の直下に滞留し、窓（２）の石英ガラス
に反応生成物の付着するのを防止することができる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、この発明処なる光励起ＣＶＤ装置
では反応室内のその上部にある光入射窓の近傍に反応ガ
スよシ軽い気体を導入して、この気体で光入射窓の内面
を覆うようにしたので、光化学反応生成物が光入射窓に
付着してその光透過度を低下させ、反応効率が劣化する
のを防止できる０
【図面の簡単な説明】
図はこの発明の一実施例の構成を示す断面図である。 図において、（１）は反応室本体、（２）は光入射窓、
（３）は反応ガス導入口、（４）けしやへい気体導入口
、（６）は基板、（８）は低圧水銀ランプ（光源）であ
る。 代理人大岩増雄

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）透明な部材で覆われた光入射窓を上部に有する反
    応室内に反応ガスを導入するとともに上記光入射窓を通
    して外部から照射される光のエネルギーによって上記反
    応ガスを励起分解して上記反応室内に置かれた基板上に
    上記分解生成物の薄膜を成長させる装置において、上記
    反応室内の上記光入射窓部分に上記反応ガスよシ軽い気
    体を導入し上記光入射窓の透明部材の内面を当該気体で
    覆うようにしたことを特徴とする光励起化学的気相成長
    装置。
  2. （２）反応ガスより軽い気体にヘリウムを用いることを
    特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光励起化学的気
    相成長装置。
JP2324784A 1984-02-09 1984-02-09 光励起化学的気相成長装置 Pending JPS60167317A (ja)

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JP2324784A JPS60167317A (ja) 1984-02-09 1984-02-09 光励起化学的気相成長装置

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JP2324784A JPS60167317A (ja) 1984-02-09 1984-02-09 光励起化学的気相成長装置

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JPS60167317A true JPS60167317A (ja) 1985-08-30

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ID=12105265

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JP2324784A Pending JPS60167317A (ja) 1984-02-09 1984-02-09 光励起化学的気相成長装置

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JP (1) JPS60167317A (ja)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57187033A (en) * 1981-05-12 1982-11-17 Seiko Epson Corp Vapor phase chemical growth device
JPS5895818A (ja) * 1981-12-02 1983-06-07 Ushio Inc 被膜形成方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57187033A (en) * 1981-05-12 1982-11-17 Seiko Epson Corp Vapor phase chemical growth device
JPS5895818A (ja) * 1981-12-02 1983-06-07 Ushio Inc 被膜形成方法

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