JPS5895818A - 被膜形成方法 - Google Patents
被膜形成方法Info
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- JPS5895818A JPS5895818A JP19298081A JP19298081A JPS5895818A JP S5895818 A JPS5895818 A JP S5895818A JP 19298081 A JP19298081 A JP 19298081A JP 19298081 A JP19298081 A JP 19298081A JP S5895818 A JPS5895818 A JP S5895818A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/488—Protection of windows for introduction of radiation into the coating chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は被膜形成方法に関する。
最近、ＩＣ回路の設計、製作関係で、絶縁膜、表面保Ｉ
ＩＭとしてシリコンナイトライド（以下８％ｓＮ、）が
注目され、その被膜形成方法が盛んに研究されている。
ＩＭとしてシリコンナイトライド（以下８％ｓＮ、）が
注目され、その被膜形成方法が盛んに研究されている。
他方、太陽電池や電子写真用感光体として、アモルファ
スシリコン（以下α−８（）の膜が注目されやはりその
被膜形成方法の研究が盛んに行々われている。
スシリコン（以下α−８（）の膜が注目されやはりその
被膜形成方法の研究が盛んに行々われている。
従来の被膜形成方法としては、プラズマ法や反応性スパ
ッタリング法などが知られ、最近では、水銀光増感反応
を利用したＣＶＤ （Ｃｈｒｍｔｅａｌ ＶａｐｏｒＤ
ａｐｏａｉｔ ）法が良く研究されている。プラズマ法
や反応性スパッタリング法では、太−積を均一に被覆で
きない欠点があるＯＫ対し、水銀光増感反応を利用した
ＣＶＤ法では、上記欠点を解消する長所を具えていると
とが分ったが、との水銀光増感反応を利用したＣＶＤ法
にも、全く別の欠点があることが分つた◎ す々わち、従来は、第１図に示すように１少なくともそ
の一部が紫外線を透過する材料で構成された気密容器、
例えば全石英ガラス製の容器１の内部に１基体２を配置
し、更に容器内を所定の水銀蒸気圧に保つための水銀留
３及び基体を加熱する九めの加熱台４を設けたうえで、
反応性気体の送入路５から反応性気体（矢印１０）を送
り、容器外から紫外線ランプ６で、所定の温度に暖めら
れ九基体を照射して、反応性気体の反応生成物で基体表
Ｉｌｌ被膜を設けるとともに！ｌの気体等を排出路７か
ら排気している。
ッタリング法などが知られ、最近では、水銀光増感反応
を利用したＣＶＤ （Ｃｈｒｍｔｅａｌ ＶａｐｏｒＤ
ａｐｏａｉｔ ）法が良く研究されている。プラズマ法
や反応性スパッタリング法では、太−積を均一に被覆で
きない欠点があるＯＫ対し、水銀光増感反応を利用した
ＣＶＤ法では、上記欠点を解消する長所を具えていると
とが分ったが、との水銀光増感反応を利用したＣＶＤ法
にも、全く別の欠点があることが分つた◎ す々わち、従来は、第１図に示すように１少なくともそ
の一部が紫外線を透過する材料で構成された気密容器、
例えば全石英ガラス製の容器１の内部に１基体２を配置
し、更に容器内を所定の水銀蒸気圧に保つための水銀留
３及び基体を加熱する九めの加熱台４を設けたうえで、
反応性気体の送入路５から反応性気体（矢印１０）を送
り、容器外から紫外線ランプ６で、所定の温度に暖めら
れ九基体を照射して、反応性気体の反応生成物で基体表
Ｉｌｌ被膜を設けるとともに！ｌの気体等を排出路７か
ら排気している。
上記反応性気体による反応生成物による被膜形成は、水
銀光増感反応を利用するもので、−例を挙げれば、 ５３７Ｘ Ｈｆ−一→ＨＦ’ （水銀原子の活性化）Ｓ銀、（反
応性気体）＋Ｈ−→Ｓイ＋２Ｈ，＋Ｈｆ８１−ラ基体表
面への沈着 によって、基体表面にアモルファスなＳｉの被膜を形成
するものである。
銀光増感反応を利用するもので、−例を挙げれば、 ５３７Ｘ Ｈｆ−一→ＨＦ’ （水銀原子の活性化）Ｓ銀、（反
応性気体）＋Ｈ−→Ｓイ＋２Ｈ，＋Ｈｆ８１−ラ基体表
面への沈着 によって、基体表面にアモルファスなＳｉの被膜を形成
するものである。
ところで上記被膜形成方法では、気密容器内部全域に水
銀原子が存在し、容器の内壁近傍でも上記反応が生ずる
ために１内壁に４．Ｓ（の清洗が生じ、長時間同一の容
器を使用していると、紫外線の透過が著しく低下してく
る。
銀原子が存在し、容器の内壁近傍でも上記反応が生ずる
ために１内壁に４．Ｓ（の清洗が生じ、長時間同一の容
器を使用していると、紫外線の透過が著しく低下してく
る。
本発明は係る観点から、紫外線が透過してくる容器部分
の内壁に１水銀原子が接近するのを抑制し、その内壁近
傍における水銀光増感反応を抑制して内１１に反応生成
物が沈着するのを抑制しながら上記被膜形成ができるよ
うＫすることを目的としており、そのＩＶｌ像は、 も 少なくンその一部が紫外線を透過する材料で構成された
気密容器内に基体を配置し、皺基体を水銀蒸気と反応性
気体でお＼うて、骸気密容器外から紫外線ランプで皺基
体を照射するとともに１該気密容器の内壁に沿ってｌｌ
１ａＨ２以上のガス圧の保護ガスを流しながら、該反応
性気体の反応生成物で該基体表面に被膜を形成するとと
Ｋある。
の内壁に１水銀原子が接近するのを抑制し、その内壁近
傍における水銀光増感反応を抑制して内１１に反応生成
物が沈着するのを抑制しながら上記被膜形成ができるよ
うＫすることを目的としており、そのＩＶｌ像は、 も 少なくンその一部が紫外線を透過する材料で構成された
気密容器内に基体を配置し、皺基体を水銀蒸気と反応性
気体でお＼うて、骸気密容器外から紫外線ランプで皺基
体を照射するとともに１該気密容器の内壁に沿ってｌｌ
１ａＨ２以上のガス圧の保護ガスを流しながら、該反応
性気体の反応生成物で該基体表面に被膜を形成するとと
Ｋある。
上記本発明方法の実施例の一つを第２図を参照ガスとし
て、補助路８から、容器内壁に？Ｅｆうように流し込む
と、この保護ガス（矢印９）は、内壁に沿いながら排出
路７へ向い、容器内壁に近すこうとする水銀原子を排出
路７の方へ流して行くので、内壁近傍での水銀光増感反
応が減るとと４Ｋ。
て、補助路８から、容器内壁に？Ｅｆうように流し込む
と、この保護ガス（矢印９）は、内壁に沿いながら排出
路７へ向い、容器内壁に近すこうとする水銀原子を排出
路７の方へ流して行くので、内壁近傍での水銀光増感反
応が減るとと４Ｋ。
たとえ、反応生成物が生じたとしても、内壁に沈着する
ことなく、排出路７の方へ運ばれる。したがって、反応
生成物の容器内壁への耐着もしくは沈着が着しく抑制さ
れ、紫外線の透過の低下防止ＫＪＩＩ着な効果がある。
ことなく、排出路７の方へ運ばれる。したがって、反応
生成物の容器内壁への耐着もしくは沈着が着しく抑制さ
れ、紫外線の透過の低下防止ＫＪＩＩ着な効果がある。
保護ガスの圧力としては、平均自由行鵬をある程度小さ
くシ、容器内壁に沿った流れを作るのに都合が良いよう
に１少なくとも１■ＨＰ以上のガス圧が良く、最適には
５ ｗＨ１以上が良い。
くシ、容器内壁に沿った流れを作るのに都合が良いよう
に１少なくとも１■ＨＰ以上のガス圧が良く、最適には
５ ｗＨ１以上が良い。
本発明の被膜形成方法は、上記実施例の説明からも理解
されるように、気密容器の、紫外線の透過してくる部分
の内壁に？８って、保護ガスの流れを作シ、該内壁近傍
′における水銀光増感反応を抑制する仁とＫよって、紫
外線透過の劣下を防止する４のであって、集用上極めて
有用である。
されるように、気密容器の、紫外線の透過してくる部分
の内壁に？８って、保護ガスの流れを作シ、該内壁近傍
′における水銀光増感反応を抑制する仁とＫよって、紫
外線透過の劣下を防止する４のであって、集用上極めて
有用である。
冑、保護ガスの流れを内壁に沿りて作るための気密容器
の設計は、上記実施例以外にも種々設計でき、例えば館
３図に示すように１邪魔板１１を配置して、その中心か
ら反応性気体の流れ１ｏを作り、周辺から保護ガスの流
れ９を作るようＫしても良い。
の設計は、上記実施例以外にも種々設計でき、例えば館
３図に示すように１邪魔板１１を配置して、その中心か
ら反応性気体の流れ１ｏを作り、周辺から保護ガスの流
れ９を作るようＫしても良い。
け本発明の被膜形威力法の説明図であって、図中１は気
密容器、２Ｆ１基体、３は水鎖留、４け加熱台を夫々示
す。
密容器、２Ｆ１基体、３は水鎖留、４け加熱台を夫々示
す。
孝 １）５Ｊ
第 ２ 図
草 ３ ）″ｉＪ
Claims (1)
- 少なくもその一部が紫外線を透過する材料で構成され大
気密容器内に基体を配置し、皺基体を水蒙蒸気と反応性
気体でお＼りて、該気密容器外から紫外線ランプで該基
体を照射するとともに、該気密容器の内壁に？Ｅｉりて
１ｍＨｆ以上の圧力の保護ガスを流しながら、該反応性
気体の反応生成物で皺基体表面に被膜を形成することを
特徴とする被膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19298081A JPS5895818A (ja) | 1981-12-02 | 1981-12-02 | 被膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19298081A JPS5895818A (ja) | 1981-12-02 | 1981-12-02 | 被膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5895818A true JPS5895818A (ja) | 1983-06-07 |
Family
ID=16300230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19298081A Pending JPS5895818A (ja) | 1981-12-02 | 1981-12-02 | 被膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5895818A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6050918A (ja) * | 1983-08-31 | 1985-03-22 | Wakomu:Kk | 半導体処理装置 |
| JPS60101925A (ja) * | 1983-11-07 | 1985-06-06 | Ricoh Co Ltd | 光ｃｖｄ装置 |
| JPS60167317A (ja) * | 1984-02-09 | 1985-08-30 | Mitsubishi Electric Corp | 光励起化学的気相成長装置 |
| JPS60261129A (ja) * | 1984-06-07 | 1985-12-24 | Teru Saamuko Kk | 光ｃｖｄ装置 |
| JPS61208213A (ja) * | 1985-03-12 | 1986-09-16 | Tokyo Erekutoron Kk | 光気相成長装置 |
| JPS6353272A (ja) * | 1986-08-22 | 1988-03-07 | Ulvac Corp | Ｃｖｄ装置 |
| JPH04240987A (ja) * | 1991-01-25 | 1992-08-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｃａｔｖ加入者端末装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4955574A (ja) * | 1972-10-04 | 1974-05-29 | ||
| JPS52127065A (en) * | 1976-04-16 | 1977-10-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Gas phase growing method of semiconductor and its device |
| JPS5635425A (en) * | 1979-08-02 | 1981-04-08 | Hughes Aircraft Co | Apparatus and method for optochemically coating in vapor phase |
-
1981
- 1981-12-02 JP JP19298081A patent/JPS5895818A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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| JPH0610352B2 (ja) * | 1986-08-22 | 1994-02-09 | 日本真空技術株式会社 | Ｃｖｄ装置 |
| JPH04240987A (ja) * | 1991-01-25 | 1992-08-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｃａｔｖ加入者端末装置 |
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