JPS61264718A - 光ｃｖｄ装置 - Google Patents
光ｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPS61264718A JPS61264718A JP10591285A JP10591285A JPS61264718A JP S61264718 A JPS61264718 A JP S61264718A JP 10591285 A JP10591285 A JP 10591285A JP 10591285 A JP10591285 A JP 10591285A JP S61264718 A JPS61264718 A JP S61264718A
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- tube
- light
- inert gas
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/0242—Crystalline insulating materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
光ＣＶＤ装置の光透過窓の曇りを防止するために、光透
過窓を端面に有する光導入管を真空反応容器に取付け、
この光導入管内に不活性ガスを光透過窓付近から流すこ
とができる。
過窓を端面に有する光導入管を真空反応容器に取付け、
この光導入管内に不活性ガスを光透過窓付近から流すこ
とができる。
本発明は、光エネルギーを利用したＣＶＤ（Ｃｈｉｎ＋
１ｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ：
化学的気相堆積）で薄膜を形成する光ＣＶＤ装置に関す
るものである。光ＣＶＤ装置はＩＣ，ＬＳＩなどの半導
体装置、太陽電池などでのシリコン膜あるいは絶縁膜を
形成するのに用いられる。
１ｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ：
化学的気相堆積）で薄膜を形成する光ＣＶＤ装置に関す
るものである。光ＣＶＤ装置はＩＣ，ＬＳＩなどの半導
体装置、太陽電池などでのシリコン膜あるいは絶縁膜を
形成するのに用いられる。
半導体装置の製造においてプロセスの低温化さらに下地
と堆積膜への低損傷化のためにＣＶＤ成膜に光エネルギ
ーを利用するようになった。例えば、伊藤、畑中、西岡
、早藤、赤坂、「光励起ＣＶＤＪ 、 Ｖｏｌ、３．
Ｎｏ、９． ｐｐ、１１５〜１６４．１９８４年９月号
、 Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｗｏｒｌｄ 、 ＠
プレスジャーナル、参照。光ＣＶＤにおける重大な問題
は反応用の光を導入する光透過窓にも薄膜が堆積して光
透過率が低下することである。すなわち、光透過窓が反
応生成物によって曇り、入射光量が低下して反応速度が
低下し、特に、シリコン膜の堆積の場合には堆積が停止
することがある。このような光透過窓の曇り防止のため
に、第２図に示すように真空反応容器１の窓２の近くか
ら不活性ガスを流すことが提案された。この方法は窓の
曇り低減にかなりの効果があるが完全ではない。
と堆積膜への低損傷化のためにＣＶＤ成膜に光エネルギ
ーを利用するようになった。例えば、伊藤、畑中、西岡
、早藤、赤坂、「光励起ＣＶＤＪ 、 Ｖｏｌ、３．
Ｎｏ、９． ｐｐ、１１５〜１６４．１９８４年９月号
、 Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｗｏｒｌｄ 、 ＠
プレスジャーナル、参照。光ＣＶＤにおける重大な問題
は反応用の光を導入する光透過窓にも薄膜が堆積して光
透過率が低下することである。すなわち、光透過窓が反
応生成物によって曇り、入射光量が低下して反応速度が
低下し、特に、シリコン膜の堆積の場合には堆積が停止
することがある。このような光透過窓の曇り防止のため
に、第２図に示すように真空反応容器１の窓２の近くか
ら不活性ガスを流すことが提案された。この方法は窓の
曇り低減にかなりの効果があるが完全ではない。
本発明は、反応生成物による光透過窓のくもりを完全に
防止できる光ＣＶＤ装置を提供することを目的としてい
る。
防止できる光ＣＶＤ装置を提供することを目的としてい
る。
〔問題点を解決するための手段および作用〕上述の目的
が、反応ガス導入管および排気管を有しかつ加熱サセプ
タ上の基板を収容している真空反応容器；基板に紫外線
を当てることのできる位置で真空反応容器に取付けられ
かつ光透過板の窓がその端面に設けられている光導入管
；該窓の外側に配置された紫外線ランプ；および光導入
管に窓近くで取付けられた不活性ガス導入管；からなる
光ＣＶＤ装置によって達成され、不活性ガス導入管から
流す不活性ガスが真空反応容器内で生じる反応生成物の
光導入管内への侵入を抑えて光透過板窓への付着を防止
するわけである。
が、反応ガス導入管および排気管を有しかつ加熱サセプ
タ上の基板を収容している真空反応容器；基板に紫外線
を当てることのできる位置で真空反応容器に取付けられ
かつ光透過板の窓がその端面に設けられている光導入管
；該窓の外側に配置された紫外線ランプ；および光導入
管に窓近くで取付けられた不活性ガス導入管；からなる
光ＣＶＤ装置によって達成され、不活性ガス導入管から
流す不活性ガスが真空反応容器内で生じる反応生成物の
光導入管内への侵入を抑えて光透過板窓への付着を防止
するわけである。
以下、添付図面を参照して本発明の実施態様例によって
本発明をより詳しく説明する。
本発明をより詳しく説明する。
第１図は本発明に係る光ＣＶＤ装置の概略図である−こ
の光ＣＶＤ装置の真空反応容器１は反応ガス導入管３お
よび真空ポンプ（図示せず）につながっている排気管４
を有している。この真空反応容器１内に装入されて、薄
膜（アモルファス又は多結晶シリコン膜、酸化膜、窒化
膜など）が堆積する基板５が加熱サセプタ６上に配置さ
れている。基板５は、例えば、シリコンウェハである。
の光ＣＶＤ装置の真空反応容器１は反応ガス導入管３お
よび真空ポンプ（図示せず）につながっている排気管４
を有している。この真空反応容器１内に装入されて、薄
膜（アモルファス又は多結晶シリコン膜、酸化膜、窒化
膜など）が堆積する基板５が加熱サセプタ６上に配置さ
れている。基板５は、例えば、シリコンウェハである。
サセプタ６はヒーター７を備えたものを図示したが、誘
導加熱されてもよい。本発明にしたがって、真空反応容
器１には基板５の上方位置に光導入管８が取付けられて
いる。この光導入管８の端面に光透過板（例えば、溶融
石英板）の窓２が設けられ、また、この窓２近くにて不
活性ガス導入管９が光導入管８に取付けられている。そ
して、窓２の外側に紫外線ランプ１０が設置されており
、このランプには水銀ランプ、重水素ランプ、 Ｘｅ
ショート・ショート・アーク・ランプ、さらにはエキシ
マレーザを用いることができる。
導加熱されてもよい。本発明にしたがって、真空反応容
器１には基板５の上方位置に光導入管８が取付けられて
いる。この光導入管８の端面に光透過板（例えば、溶融
石英板）の窓２が設けられ、また、この窓２近くにて不
活性ガス導入管９が光導入管８に取付けられている。そ
して、窓２の外側に紫外線ランプ１０が設置されており
、このランプには水銀ランプ、重水素ランプ、 Ｘｅ
ショート・ショート・アーク・ランプ、さらにはエキシ
マレーザを用いることができる。
上述の光ＣＶＤ装置によって基板上への薄膜形成が次の
ように行なわれる。
ように行なわれる。
まず、基板５を加熱サセプタ６上に配置してから真空ポ
ンプで排気して真空反応容器１内を減圧する。基板５を
所定温度に加熱し、その温度に保持する。紫外線ランプ
ｌＯからの紫外線１１を基板５に照射し、反応ガスを反
応ガス導入管３から真空反応容器１内へ流し、同時に不
活性ガス（アルゴンガス、水素ガスなど）を不活性ガス
導入管９から光導入管８を経由して真空反応容器１内へ
流す。不活性ガスを基板加熱時から流してもよい。
ンプで排気して真空反応容器１内を減圧する。基板５を
所定温度に加熱し、その温度に保持する。紫外線ランプ
ｌＯからの紫外線１１を基板５に照射し、反応ガスを反
応ガス導入管３から真空反応容器１内へ流し、同時に不
活性ガス（アルゴンガス、水素ガスなど）を不活性ガス
導入管９から光導入管８を経由して真空反応容器１内へ
流す。不活性ガスを基板加熱時から流してもよい。
このようにして反応ガスが紫外線１１に当って所定の反
応が進行し、結果として反応生成物（シリコン、酸化物
、窒化物など）が基板５上へ堆積して薄膜が形成される
。このときに反応生成物が光導入管８内へ浸入すること
は不活性ガスの流れによって阻止されて、光透過板窓２
に反応生成物が付着（堆積）することはない。
応が進行し、結果として反応生成物（シリコン、酸化物
、窒化物など）が基板５上へ堆積して薄膜が形成される
。このときに反応生成物が光導入管８内へ浸入すること
は不活性ガスの流れによって阻止されて、光透過板窓２
に反応生成物が付着（堆積）することはない。
貫
第１図に示した光ＣＶＤ装置にてアモルファスシリコン
膜を下記条件にて形成した。
膜を下記条件にて形成した。
反応ガス： ＳｉＨ４（１０３ＣＣＭ）増感剤として水
銀蒸気を含む 不活性ガス： Ａｒ（１００ｓｅｃ＋）真空反応容器内
圧カニ Ｉ Ｔｏｒｒ 基板 ： ガラス 基板温度＝１５０℃ 紫外線ランプ：低圧水銀ランプ（５００Ｗ）ガラス基板
上にアモルファスシリコン膜が１時間後に０．３μ請厚
さに形成され、続けて合計３時間装置を稼動させても光
透過板窓にくもり（シリコンの堆積）は生じなかった。
銀蒸気を含む 不活性ガス： Ａｒ（１００ｓｅｃ＋）真空反応容器内
圧カニ Ｉ Ｔｏｒｒ 基板 ： ガラス 基板温度＝１５０℃ 紫外線ランプ：低圧水銀ランプ（５００Ｗ）ガラス基板
上にアモルファスシリコン膜が１時間後に０．３μ請厚
さに形成され、続けて合計３時間装置を稼動させても光
透過板窓にくもり（シリコンの堆積）は生じなかった。
本発明に係る光ＣＶＤ装置では光透過板窓のくもりが完
全に防止でき、反応の進行が低下することはない。
全に防止でき、反応の進行が低下することはない。
第１図は本発明に係る光ＣＶＤ装置の概略図であり、第
２図は従来の光ＣＶＤ装置の概略図である。 １・・・真空反応容器、 ２・・・光透過板窓ミ５・
・・基板、 ８・・・光導入管、１０・・・
紫外線ランプ。
２図は従来の光ＣＶＤ装置の概略図である。 １・・・真空反応容器、 ２・・・光透過板窓ミ５・
・・基板、 ８・・・光導入管、１０・・・
紫外線ランプ。
Claims (1)
- １、反応ガス導入管および排気管を有しかつ加熱サセプ
タ上の基板を収容している真空反応容器；前記基板に紫
外線を当てることのできる位置で前記真空反応容器に取
付けられかつ光透過板の窓がその端面に設けられている
光導入管；該窓の外側に配置された紫外線ランプ；およ
び、前記光導入管に前記窓近くで取付けられた不活性ガ
ス導入管；からなり、前記不活性ガス導入管から流す不
活性ガスが前記真空反応容器内で生じる反応生成物の前
記窓の光透過板への付着を防止すること特徴とする光Ｃ
ＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10591285A JPS61264718A (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | 光ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10591285A JPS61264718A (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | 光ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61264718A true JPS61264718A (ja) | 1986-11-22 |
Family
ID=14420073
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10591285A Pending JPS61264718A (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | 光ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61264718A (ja) |
-
1985
- 1985-05-20 JP JP10591285A patent/JPS61264718A/ja active Pending
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