JPS6054911A - 紫外線カツト膜 - Google Patents
紫外線カツト膜Info
- Publication number
- JPS6054911A JPS6054911A JP16447083A JP16447083A JPS6054911A JP S6054911 A JPS6054911 A JP S6054911A JP 16447083 A JP16447083 A JP 16447083A JP 16447083 A JP16447083 A JP 16447083A JP S6054911 A JPS6054911 A JP S6054911A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- membrane
- film
- formula
- substrate
- ultraviolet light
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- Pending
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- Optical Filters (AREA)
- Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は基体を紫外線から保護するための紫外線カツト
膜、特には ８１ｘＯ１−ｘ （Ｘ ；０．４〜０．６
）よりなる紫外線カツト膜に関するものである。
膜、特には ８１ｘＯ１−ｘ （Ｘ ；０．４〜０．６
）よりなる紫外線カツト膜に関するものである。
近年、各種の電気機器のへウジング材や表示用補助材、
各種包装用資材、建材、農業用資材、装飾用資材などに
は多くのプラスチック材が利用されるようになってきて
いるが、このプラスチック材が共有結合を有するもので
あり、この共有結合が短波長の紫外線の光エネルギー１
：よって励起されたＩ）、あるいは切断されるためｇ：
、これらは強度低下とともに退色変質されて製品価値が
低下するという欠点があった。
各種包装用資材、建材、農業用資材、装飾用資材などに
は多くのプラスチック材が利用されるようになってきて
いるが、このプラスチック材が共有結合を有するもので
あり、この共有結合が短波長の紫外線の光エネルギー１
：よって励起されたＩ）、あるいは切断されるためｇ：
、これらは強度低下とともに退色変質されて製品価値が
低下するという欠点があった。
また、この紫外線は窓ガラス、メガネ、各種電気機器部
品の保護村、表示用補助材などに使用されているガラス
質材料を長年の間に部分的に結晶化させてその透明性、
強度を低下させるほか、ガラス質材料を透過した光がそ
の収納物の強度低下、材質変化をもたらして製品の寿命
を低下させるという問題をもつものであり、これはまた
直接人間の目に入射すると目に疲労を与えるという労働
衛生上からの問題を含むものでもある。
品の保護村、表示用補助材などに使用されているガラス
質材料を長年の間に部分的に結晶化させてその透明性、
強度を低下させるほか、ガラス質材料を透過した光がそ
の収納物の強度低下、材質変化をもたらして製品の寿命
を低下させるという問題をもつものであり、これはまた
直接人間の目に入射すると目に疲労を与えるという労働
衛生上からの問題を含むものでもある。
したがって、この紫外線による不利を解決する手段が種
々提案されており、これには例えば１）プラスチック系
では紫外線吸収剤を吸着させたり、これを成形時に添加
混合する方法、あるいは紫外線吸収剤を含んだ塗料を塗
布する方法が、また２）ガラス系では紫外線吸収剤で処
理されたフィルムをラミネートあるいはサンドイッチす
る方法、上記と同じように紫外線吸収剤を含んだ塗料を
塗布する方法などが採られている。しかし、これらの方
法には、吸着による場合はその長期安定性に問題がある
し、混合の場合Ｃ二は紫外線吸収剤のプラスチックに対
する相溶性が、また塗布の場合には透明性と？膜＝］ｔ
＋￥に問題があり、さらにラミネートＣついては接着性
という点に問題があった。
々提案されており、これには例えば１）プラスチック系
では紫外線吸収剤を吸着させたり、これを成形時に添加
混合する方法、あるいは紫外線吸収剤を含んだ塗料を塗
布する方法が、また２）ガラス系では紫外線吸収剤で処
理されたフィルムをラミネートあるいはサンドイッチす
る方法、上記と同じように紫外線吸収剤を含んだ塗料を
塗布する方法などが採られている。しかし、これらの方
法には、吸着による場合はその長期安定性に問題がある
し、混合の場合Ｃ二は紫外線吸収剤のプラスチックに対
する相溶性が、また塗布の場合には透明性と？膜＝］ｔ
＋￥に問題があり、さらにラミネートＣついては接着性
という点に問題があった。
他方、この紫外線照射による不利を除く手段については
、基体−にに各種の皮膜を形成させるという方法が提案
されており、例えば光学性特性にすぐれた５ｉｘｃ、、
で示される炭化けい素膜を形成させるという方法も知ら
れているが、この炭化けい累皮膜の形成方法としては、
■ＳｉＣ合金をターゲットとしたスパッタリング法（特
公昭５８−２３４６８号公報参照）、シリコン結晶をタ
ーゲットとして炭素源として炭化水素ガスを用いる方法
（特開昭５６−４０２８４号公報、特公昭５６−２６６
４０号公報参照）、■シリコン蒸気をイオン化し、炭素
基体の表面に膜を形成させるイオンブレーティング法（
特公昭５５−１８，６７８号公報参照）、■シランまた
はハロゲン化シランガスと炭化水素ガスとの混合ガスを
熱分解させる方法（特開昭５’７−ＩＩ６，２ｏｏ号公
報、特開昭５７−１１８，０８２号公報参照）、■炭素
表面上で前記シランガスを熱分解させる方法（特公昭４
７−４８，１２０号公報参照、■シリコン基板上で炭化
水素ガスを分解反応させる方法（特公昭５６−２６．ｆ
ｉ４０号公報参照）、さらには■水素化シラン、アルキ
ルシランまたはへロゲン化シランと炭化水素ガスとをプ
ラズマ気相沈積法（以下ＯＶＤ法という）で処理する方
法（特開昭５７−２７．９１４号公報、特開昭５７−２
２，１１２号公報、特開昭５７−２００．２１ｆＳ号公
報参照）などが知られている。しかし、この■〜０の方
法は高温が必要とされ、各元素のクラスターができやす
いし、均質な膜が得られに＜＜、成膜連間も遅いという
不利があるほか、熱膨張の相違によって室温に戻したと
きに皮膜にクラックが発生し易く、接着強度も劣るとい
う欠点があり、この■のプラズマａｖＤ法＋：はその始
発沸料としてモノシラン（Ｓｉ）（４）を使用するとそ
れが非常ｌ：発火性の高いものであるため取扱いに厳重
な注意が必要とされるほか、コストが高くなるという不
利があるし、へロゲン化シランを使用するとプラズマに
よって塩酸や塩素が発生するためその処理ｇ二離点が生
じるほか反応速度が遅いという欠点があり、またシリコ
ン源と炭素源が異なるためにこの堆積速度を早めるとこ
れらの反応速度の相違から８１およびＣのクラスターが
発生し、均質な膜が得られないという不都合があった。
、基体−にに各種の皮膜を形成させるという方法が提案
されており、例えば光学性特性にすぐれた５ｉｘｃ、、
で示される炭化けい素膜を形成させるという方法も知ら
れているが、この炭化けい累皮膜の形成方法としては、
■ＳｉＣ合金をターゲットとしたスパッタリング法（特
公昭５８−２３４６８号公報参照）、シリコン結晶をタ
ーゲットとして炭素源として炭化水素ガスを用いる方法
（特開昭５６−４０２８４号公報、特公昭５６−２６６
４０号公報参照）、■シリコン蒸気をイオン化し、炭素
基体の表面に膜を形成させるイオンブレーティング法（
特公昭５５−１８，６７８号公報参照）、■シランまた
はハロゲン化シランガスと炭化水素ガスとの混合ガスを
熱分解させる方法（特開昭５’７−ＩＩ６，２ｏｏ号公
報、特開昭５７−１１８，０８２号公報参照）、■炭素
表面上で前記シランガスを熱分解させる方法（特公昭４
７−４８，１２０号公報参照、■シリコン基板上で炭化
水素ガスを分解反応させる方法（特公昭５６−２６．ｆ
ｉ４０号公報参照）、さらには■水素化シラン、アルキ
ルシランまたはへロゲン化シランと炭化水素ガスとをプ
ラズマ気相沈積法（以下ＯＶＤ法という）で処理する方
法（特開昭５７−２７．９１４号公報、特開昭５７−２
２，１１２号公報、特開昭５７−２００．２１ｆＳ号公
報参照）などが知られている。しかし、この■〜０の方
法は高温が必要とされ、各元素のクラスターができやす
いし、均質な膜が得られに＜＜、成膜連間も遅いという
不利があるほか、熱膨張の相違によって室温に戻したと
きに皮膜にクラックが発生し易く、接着強度も劣るとい
う欠点があり、この■のプラズマａｖＤ法＋：はその始
発沸料としてモノシラン（Ｓｉ）（４）を使用するとそ
れが非常ｌ：発火性の高いものであるため取扱いに厳重
な注意が必要とされるほか、コストが高くなるという不
利があるし、へロゲン化シランを使用するとプラズマに
よって塩酸や塩素が発生するためその処理ｇ二離点が生
じるほか反応速度が遅いという欠点があり、またシリコ
ン源と炭素源が異なるためにこの堆積速度を早めるとこ
れらの反応速度の相違から８１およびＣのクラスターが
発生し、均質な膜が得られないという不都合があった。
本発明はこのような問題点、不利を解決した紫外線カツ
ト膜に関するものであり、これは一般式％式％ ） で示されるメチルへイドロジエンシランをプラズｆＯＶ
Ｄ法で分解さセ、 ８１ｘＯ１−ｘ（ｘ ＝ ０．４〜
０．６）膜を基体上に堆積させてなることを特徴とする
ものである。
ト膜に関するものであり、これは一般式％式％ ） で示されるメチルへイドロジエンシランをプラズｆＯＶ
Ｄ法で分解さセ、 ８１ｘＯ１−ｘ（ｘ ＝ ０．４〜
０．６）膜を基体上に堆積させてなることを特徴とする
ものである。
これを説明すると１本発明者らはさきにメチルへイドロ
ジエンシラン化合物を始発材料とし、プラズマＯＶＤ法
で処理すれば高純間で均一な炭化けい素膜を得ることが
できるということを見出すと共に、特にメチルへイドロ
ジェンジシラン、または−トリシランを使用すれば非常
ｆ二大きい生長速度で均質な炭化けい素膜を得ることが
できるということを確認した（特願昭５８−４６９５号
参照）。
ジエンシラン化合物を始発材料とし、プラズマＯＶＤ法
で処理すれば高純間で均一な炭化けい素膜を得ることが
できるということを見出すと共に、特にメチルへイドロ
ジェンジシラン、または−トリシランを使用すれば非常
ｆ二大きい生長速度で均質な炭化けい素膜を得ることが
できるということを確認した（特願昭５８−４６９５号
参照）。
本発明はこの知見にもとづいて、メチルハイドロジエン
シラン類を始発材料とし、これをプラズマＯＶＤ法で処
理し、こ箇：発生Ｉ７た透明な５ｉｘＯ１−Ｘを基体、
ヒに堆積させると、紫外線吸収性に丁ぐれており、耐久
性、耐摩耗性、耐熱性、耐蝕性、接看性のすぐれた皮膜
が得られるといつ本発明者らの＋ｉ 認によりなされた
ものである。
シラン類を始発材料とし、これをプラズマＯＶＤ法で処
理し、こ箇：発生Ｉ７た透明な５ｉｘＯ１−Ｘを基体、
ヒに堆積させると、紫外線吸収性に丁ぐれており、耐久
性、耐摩耗性、耐熱性、耐蝕性、接看性のすぐれた皮膜
が得られるといつ本発明者らの＋ｉ 認によりなされた
ものである。
本発明４二使用されるメチルハイドロジエンシラン類は
前記した一般式（ＯＨ，）ａＥｌ １ｂＨ０で示される
ものであり、これには ０）（ＨＯＨ，ＯＨ，Ｈ ＨＨ０ＨＨＨ などが例示されるが、これはその単独または２踵り、上
の混合物であってもよい。このメチルハイドロジエンシ
ラン類は１分子中ｌ二けい素原子と炭素原子とを同時に
含有するものであるため、この分解により発生する炭化
けい素を堆積させた皮膜は均質であり、その膜の成長速
度がモノシランを使用した場合Ｃ＝（らべて数倍以上早
いという有利性が与えられる。なお、このメチルハイド
ロジエンシラン類の製造方法は公知であり、これはポリ
ジメチルシランを３５０℃以上で熱分解するか、または
メチルクロライドと金属けい素との反応Ｃ二よるメチル
クロロシランの直接合成時に副生するメチルクロロジシ
ランの還元によって得ることができるＯ 本発明の紫外線カツト膜を得るためにはこのメチルハイ
ドロジエンシラン類をプラズマＯＶＤ法で処理すればよ
いが、これにはまず処（！Ｉ！すべき基体を反応室内Ｃ
：載置したのち、この反応室内を０．０１〜５トルｌ二
減１玉し、こ＼ｌニキャリャーガスとしての水素、窒素
、ヘリウム、アルゴンガスと共にメチルハイドロジエン
シラン類を導入してから、この系内に高周波電力を印加
してプラズマを発生させればよい。この反応温度は基体
の耐熱温度によって調節する必要があるが、これは１０
０℃以上、好ましくは１３０℃以上とすることがよい。
前記した一般式（ＯＨ，）ａＥｌ １ｂＨ０で示される
ものであり、これには ０）（ＨＯＨ，ＯＨ，Ｈ ＨＨ０ＨＨＨ などが例示されるが、これはその単独または２踵り、上
の混合物であってもよい。このメチルハイドロジエンシ
ラン類は１分子中ｌ二けい素原子と炭素原子とを同時に
含有するものであるため、この分解により発生する炭化
けい素を堆積させた皮膜は均質であり、その膜の成長速
度がモノシランを使用した場合Ｃ＝（らべて数倍以上早
いという有利性が与えられる。なお、このメチルハイド
ロジエンシラン類の製造方法は公知であり、これはポリ
ジメチルシランを３５０℃以上で熱分解するか、または
メチルクロライドと金属けい素との反応Ｃ二よるメチル
クロロシランの直接合成時に副生するメチルクロロジシ
ランの還元によって得ることができるＯ 本発明の紫外線カツト膜を得るためにはこのメチルハイ
ドロジエンシラン類をプラズマＯＶＤ法で処理すればよ
いが、これにはまず処（！Ｉ！すべき基体を反応室内Ｃ
：載置したのち、この反応室内を０．０１〜５トルｌ二
減１玉し、こ＼ｌニキャリャーガスとしての水素、窒素
、ヘリウム、アルゴンガスと共にメチルハイドロジエン
シラン類を導入してから、この系内に高周波電力を印加
してプラズマを発生させればよい。この反応温度は基体
の耐熱温度によって調節する必要があるが、これは１０
０℃以上、好ましくは１３０℃以上とすることがよい。
しかし、これを１１５０℃以下とすると得られる炭化け
い素被膜中に日ＩＨ結合Ｃ二起因する２０９０ｃＩＬ
の吸収が生じ、耐久性、耐熱性の点で問題となるおそれ
があるので、この場合にはキャリヤーガスと原料として
のメチルハイドロジエンシラン類の供給を停止して、炭
素源、窒素源。
い素被膜中に日ＩＨ結合Ｃ二起因する２０９０ｃＩＬ
の吸収が生じ、耐久性、耐熱性の点で問題となるおそれ
があるので、この場合にはキャリヤーガスと原料として
のメチルハイドロジエンシラン類の供給を停止して、炭
素源、窒素源。
酸素源となるガス体だけを供給し、この温度で２０分以
上ヱージングすることがよく、これによればか＼る不利
を除去することができる。なお、この反応温度の上限は
７００℃以下とすることがよいが、経済的見地とこれが
高子ぎると基体と被覆膜との熱膨張係数の差で均一で稠
密な膜が得られなくなるおそれがあるので、基材の種類
にもよるが５００℃以下とすることが好ましい。
上ヱージングすることがよく、これによればか＼る不利
を除去することができる。なお、この反応温度の上限は
７００℃以下とすることがよいが、経済的見地とこれが
高子ぎると基体と被覆膜との熱膨張係数の差で均一で稠
密な膜が得られなくなるおそれがあるので、基材の種類
にもよるが５００℃以下とすることが好ましい。
本発明で使用されるメチルハイドロジエンシラン類は前
記したよう（＝その分子中にけい素原子と炭素原子を同
時に保有しており１分解前のけい素と炭素の比率がこの
分解Ｃ二よって発生する８１０ のＸの値にはく゛比例
するので、１分子 １−Ｘ 中に含まれる炭素の比率がけい素に比べて多い場合には
目的とするＸの値を調節するために、この反応系にけい
素源となる他のガス状けい素化合物。
記したよう（＝その分子中にけい素原子と炭素原子を同
時に保有しており１分解前のけい素と炭素の比率がこの
分解Ｃ二よって発生する８１０ のＸの値にはく゛比例
するので、１分子 １−Ｘ 中に含まれる炭素の比率がけい素に比べて多い場合には
目的とするＸの値を調節するために、この反応系にけい
素源となる他のガス状けい素化合物。
例えば８０（、Ｓｉ Ｈなどを添加してもよい。
４ ２６
また、この反応系に他の炭素源となるガス体を添加する
必要はないが、上記したエージング用などに使用する炭
素源としてはメタン、エタンなど、窒素源としては窒素
ガス、アンモニアガス、 Ｎ！Ｈ。
必要はないが、上記したエージング用などに使用する炭
素源としてはメタン、エタンなど、窒素源としては窒素
ガス、アンモニアガス、 Ｎ！Ｈ。
などが、ｔだ酸素源としては酸素ガス、水蒸気などを、
さらにこれらの混合ガスとしては０Ｏ１ＯＯ１Ｎ、Ｏ、
ＯＨ，ＯＨなどを使用すればよい。
さらにこれらの混合ガスとしては０Ｏ１ＯＯ１Ｎ、Ｏ、
ＯＨ，ＯＨなどを使用すればよい。
本発明の紫外線カツト膜についての８１０ｉ−Ｘ
被覆膜の膜厚は目的によって異なるけれども、紫外線吸
収の他に強ｆｆが必要とされるときにはこれを数ミクロ
ンから数十ミクロンとし１強度を必要としない場合Ｃ：
は数ミクロン以下としてもよい。
収の他に強ｆｆが必要とされるときにはこれを数ミクロ
ンから数十ミクロンとし１強度を必要としない場合Ｃ：
は数ミクロン以下としてもよい。
また、この８ｉｘＣ１，−Ｘ膜のＸの値は始発材料とし
て使用するメチルへイドロジヱンνランの構造、すなわ
ちそのけい素原子と炭素原子の総合比（二より変化する
が、０．６以−ヒでは可視光の１部を吸収して膜が黄色
となり、０．４以下では紫外光の吸収が充分でなくなる
ので１本発明の目的からこれは０．４〜０．６とするこ
とが望ましい。
て使用するメチルへイドロジヱンνランの構造、すなわ
ちそのけい素原子と炭素原子の総合比（二より変化する
が、０．６以−ヒでは可視光の１部を吸収して膜が黄色
となり、０．４以下では紫外光の吸収が充分でなくなる
ので１本発明の目的からこれは０．４〜０．６とするこ
とが望ましい。
本発明の紫外線カツト膜は上記したように基体上に８１
０ 膜を形成させたものであるが、こＸ １−Ｘ の８１工Ｏ１−エ膜が紫外線を吸収し、紫外線の照射Ｉ
：よるプラスチックの黄色劣化防止、印刷物の退色防止
、食品などの変質防止、！ｌ業用ハクスの防カビなどの
効果を有するので、これは０ＲＴ１各種ディスプレイな
どの電気電子機器の保護、レンズなどの各種ガラス部材
の紫外線Ｃ二よる被害を最少にするという有用性をもっ
ている。
０ 膜を形成させたものであるが、こＸ １−Ｘ の８１工Ｏ１−エ膜が紫外線を吸収し、紫外線の照射Ｉ
：よるプラスチックの黄色劣化防止、印刷物の退色防止
、食品などの変質防止、！ｌ業用ハクスの防カビなどの
効果を有するので、これは０ＲＴ１各種ディスプレイな
どの電気電子機器の保護、レンズなどの各種ガラス部材
の紫外線Ｃ二よる被害を最少にするという有用性をもっ
ている。
つぎに本発明方法の実施例をあげる。
実施例１〜７．比較例１〜４
反応装置内に１００順Ｘ５０朋Ｘ１ｍの第１表に描記し
た基体を載置してから系内を５ Ｘ １０’−２トルＣ
二まで減圧し、ついでヒーターを使用して基体を第１表
に示した温度にまで７１０熱した。
た基体を載置してから系内を５ Ｘ １０’−２トルＣ
二まで減圧し、ついでヒーターを使用して基体を第１表
に示した温度にまで７１０熱した。
つぎＣ：、この反応室内に所定の温度に予熱した第１表
に描記した各種のメチルハイドロジエンシランを第１表
に示した各種のキャリヤーガスと共に導入し、こ贋二１
３．５６ ＭＨｚの高周波電力（１００Ｗ）を印加して
プラズマを発生させてこのシラン類の分解Ｃ二より生成
した８’ｒ ＯＩ−ｘ ＩＩ’！を基体上に０．５μの
厚さに堆積させたのち、こ−に得られた基体ｌ二ついて
の紫外Ｓ吸収特性を測定したところ、１１１表に併記し
たとおりの結果が得られた。
に描記した各種のメチルハイドロジエンシランを第１表
に示した各種のキャリヤーガスと共に導入し、こ贋二１
３．５６ ＭＨｚの高周波電力（１００Ｗ）を印加して
プラズマを発生させてこのシラン類の分解Ｃ二より生成
した８’ｒ ＯＩ−ｘ ＩＩ’！を基体上に０．５μの
厚さに堆積させたのち、こ−に得られた基体ｌ二ついて
の紫外Ｓ吸収特性を測定したところ、１１１表に併記し
たとおりの結果が得られた。
なお、このｆＭ１表には比較のため、始発材料としてモ
ノシランとメタンの混合ガスを使用して同様ｇ二処理し
たものを併記したが、１８１図はこの実施例および比較
ぽ二おける紫外線透過係数を図示したものである。
ノシランとメタンの混合ガスを使用して同様ｇ二処理し
たものを併記したが、１８１図はこの実施例および比較
ぽ二おける紫外線透過係数を図示したものである。
第１図は本発明の実施例１および比較例１．２による５
ｉＫＯ，□皮膜の紫外線透過係数を示したグラフである
。 特許出願人 信越化学工業株式会社
ｉＫＯ，□皮膜の紫外線透過係数を示したグラフである
。 特許出願人 信越化学工業株式会社
Claims (1)
- １、一般式 （ＯＲ，）、８１ｂＨ０（ここに １≦ｂ
≦３．２ｂ＋１≧ａ≧１，２ｂ＋１≧０≧１゜ａ＋ｏ
＝ ２ｂ＋２ ） で示されるメチルへイドロジエンシ
ラン類をプラズマ法による気相沈積法で分解させ、 ８
１ｘＯ１−１（ｘ＝０．４〜０．６）膜を基体上に堆積
させてなることを特徴とする紫外線カツト膜
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16447083A JPS6054911A (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | 紫外線カツト膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16447083A JPS6054911A (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | 紫外線カツト膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6054911A true JPS6054911A (ja) | 1985-03-29 |
Family
ID=15793785
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16447083A Pending JPS6054911A (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | 紫外線カツト膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6054911A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01177023A (ja) * | 1987-12-29 | 1989-07-13 | Dainippon Printing Co Ltd | 透過形スクリーン |
| JPH04261440A (ja) * | 1991-02-14 | 1992-09-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 有機複合物及びその作製方法 |
| JPH04261439A (ja) * | 1991-02-14 | 1992-09-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 有機複合物 |
-
1983
- 1983-09-07 JP JP16447083A patent/JPS6054911A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01177023A (ja) * | 1987-12-29 | 1989-07-13 | Dainippon Printing Co Ltd | 透過形スクリーン |
| JPH04261440A (ja) * | 1991-02-14 | 1992-09-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 有機複合物及びその作製方法 |
| JPH04261439A (ja) * | 1991-02-14 | 1992-09-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 有機複合物 |
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