JPS61231185A - アモルフアス炭素薄膜のエツチング方法 - Google Patents
アモルフアス炭素薄膜のエツチング方法Info
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- JPS61231185A JPS61231185A JP7003685A JP7003685A JPS61231185A JP S61231185 A JPS61231185 A JP S61231185A JP 7003685 A JP7003685 A JP 7003685A JP 7003685 A JP7003685 A JP 7003685A JP S61231185 A JPS61231185 A JP S61231185A
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- Japan
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- amorphous carbon
- etching
- carbon film
- thin amorphous
- gas
- Prior art date
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/0006—Controlling or regulating processes
- B01J19/002—Avoiding undesirable reactions or side-effects, e.g. avoiding explosions, or improving the yield by suppressing side-reactions
- B01J19/0026—Avoiding carbon deposits
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はアモルファス炭素薄膜（以下アモルファス−Ｃ
と記す）のエツチング方法に関するものである。
と記す）のエツチング方法に関するものである。
（従来の技術）
アモルファス−〇は、アセチレンガス、エチレンガス、
プロパンガスなどの炭化水素化合物ガス或いはベンゼン
などの液状炭化水素化合物の、グロー放電分解によって
作製でき、化学的に安定で耐酸性や耐アルカリ性に優れ
、硬度も大きい。また、作表条件によって各種の物性を
変化させることができるので、多方面に応用できる可能
性がある。
プロパンガスなどの炭化水素化合物ガス或いはベンゼン
などの液状炭化水素化合物の、グロー放電分解によって
作製でき、化学的に安定で耐酸性や耐アルカリ性に優れ
、硬度も大きい。また、作表条件によって各種の物性を
変化させることができるので、多方面に応用できる可能
性がある。
例えば、光学的エネルギーバンドギャップとして約０．
４ｅＶから０．８ｅＶのものを得ることができ、感光ド
ラムの光透過性表面保護として或いは液晶表示装置のト
ランソスタ部遮光膜として採用することができる。
４ｅＶから０．８ｅＶのものを得ることができ、感光ド
ラムの光透過性表面保護として或いは液晶表示装置のト
ランソスタ部遮光膜として採用することができる。
（発明が解決しようとする問題点）
前者のような場合には、エツチングは必要ないが、後者
の場合には、トランヅスタ部のみを遮光するためにツク
ターン化する必要がある。従って、本発明の目的は、ア
モルファス−Ｃのドライエツチング法を提供することに
ある。
の場合には、トランヅスタ部のみを遮光するためにツク
ターン化する必要がある。従って、本発明の目的は、ア
モルファス−Ｃのドライエツチング法を提供することに
ある。
（問題点を解決するだめの手段）
本発明はＨ２がスのグロー放電によってエツチングする
ものであシ、換言すればグラズマエッチングの反応ガス
としてＨ２ガスを用いたものである。。
ものであシ、換言すればグラズマエッチングの反応ガス
としてＨ２ガスを用いたものである。。
（作用）
本発明では、光学的バンドキャップ或いはアモルファス
−Ｃ中のＨ濃度が小さい程、エッチングレートは小さく
なるが、光学的バンドキャップが０．８ｅＶＯものでも
、ＩＸ／ＳｅＣ〜数Ａ ／ ３ ｅ ｅのエツチングレ
ートは達成できる。
−Ｃ中のＨ濃度が小さい程、エッチングレートは小さく
なるが、光学的バンドキャップが０．８ｅＶＯものでも
、ＩＸ／ＳｅＣ〜数Ａ ／ ３ ｅ ｅのエツチングレ
ートは達成できる。
また、半導体デバイスの構成要素として用いられる普通
の物質、例えば単結晶Ｓｔ 、多結晶Ｓｉ 。
の物質、例えば単結晶Ｓｔ 、多結晶Ｓｉ 。
ＳｉＯ２，Ｓｉ３Ｎ４，５ｉＯＸ、ＳｉＮｘ、５ｉＮｘ
Ｏｙ、リンがスおよびポロンガラスなどはＦ２ガスプラ
ズマでは殆んどエツチングされないので、エツチング時
間管理が極めて簡易である。
Ｏｙ、リンがスおよびポロンガラスなどはＦ２ガスプラ
ズマでは殆んどエツチングされないので、エツチング時
間管理が極めて簡易である。
（実施例）
第２図はアモルファス−Ｃの作成及びエツチングに用い
たプラズマ装置の概略図である。
たプラズマ装置の概略図である。
第２図において、１はＦ２ガスで２０優に希釈したアセ
チレンガスの、２はＦ２ガスのがンベであり、５．６は
ストップパルプ、９，１０は流量コントローラ、１３は
上ぶた兼カソード電極、１４及び１５はテフロンリング
、１６は下ぶた、１７はアノード電極（電極径９０ ｔ
ｍ ）でヒーターを内蔵、１８はガラス材（コーニング
７０５９）の基板、１９はストップバルブ、２０は真空
ポンプ、２１はマツチングがックス、２２は高周波電源
である。
チレンガスの、２はＦ２ガスのがンベであり、５．６は
ストップパルプ、９，１０は流量コントローラ、１３は
上ぶた兼カソード電極、１４及び１５はテフロンリング
、１６は下ぶた、１７はアノード電極（電極径９０ ｔ
ｍ ）でヒーターを内蔵、１８はガラス材（コーニング
７０５９）の基板、１９はストップバルブ、２０は真空
ポンプ、２１はマツチングがックス、２２は高周波電源
である。
第２図に示した装置を用い、Ｆ２ガスで２０チに希釈さ
れたアセチレンガスを流量２０ ｃｃ／ｒｎｉｎ 、真
空度Ｑ、５ｔｏｒｒで室２３へ導入し、基板温度を２０
０℃とし、グロー放電の高周波電力（１３，５６ＭＨ，
ｚ ）をｌＯ〜１６０Ｗとして、プラズマＣＶＤ法によ
ってアモルファス−Ｃを炸裂した。第３図は、こうして
得られたアモルファス−Ｃの光学的バンドギャップエネ
ルギと成膜速度を示したものであシ、成膜時の高周波電
力（ＲＦ電力）に依存して、光学的バンドギャップエネ
ルギは０．８ｅＶ、程度から２．２ｅＶ程度の間で変化
し、成膜速度は６ｉ／ｓｅｅ程度から１２Ｘ／ｓｅｅ程
度の間で変化することを示している。
れたアセチレンガスを流量２０ ｃｃ／ｒｎｉｎ 、真
空度Ｑ、５ｔｏｒｒで室２３へ導入し、基板温度を２０
０℃とし、グロー放電の高周波電力（１３，５６ＭＨ，
ｚ ）をｌＯ〜１６０Ｗとして、プラズマＣＶＤ法によ
ってアモルファス−Ｃを炸裂した。第３図は、こうして
得られたアモルファス−Ｃの光学的バンドギャップエネ
ルギと成膜速度を示したものであシ、成膜時の高周波電
力（ＲＦ電力）に依存して、光学的バンドギャップエネ
ルギは０．８ｅＶ、程度から２．２ｅＶ程度の間で変化
し、成膜速度は６ｉ／ｓｅｅ程度から１２Ｘ／ｓｅｅ程
度の間で変化することを示している。
また高周波電力３０Ｗ以上では膜の硬度はビッカース硬
度で１０００以上と非常に硬い膜であった。
度で１０００以上と非常に硬い膜であった。
なお、成膜時の高周波電力が高い程、従って光学的バン
ドギャップエネルギが小さい程、アモルファス−〇膜中
でのＨ濃度の低いものが得られた。
ドギャップエネルギが小さい程、アモルファス−〇膜中
でのＨ濃度の低いものが得られた。
アモルファス−Ｃ千ッチングも第２図に示した装置を用
いＦ２ガスを流量４０ ｃｃ／＋’ｒＩｉｎ 、真空度
０．５ｔｏｒｒで室２３へ導入し、グロー放電の高周波
電力（１３，５６、ＭＨｃｃ ） ｆ ５０ Ｗ 、
１００ Ｗ 、 ｌ ５０Ｗとしてプラズマエツチング
１．り。
いＦ２ガスを流量４０ ｃｃ／＋’ｒＩｉｎ 、真空度
０．５ｔｏｒｒで室２３へ導入し、グロー放電の高周波
電力（１３，５６、ＭＨｃｃ ） ｆ ５０ Ｗ 、
１００ Ｗ 、 ｌ ５０Ｗとしてプラズマエツチング
１．り。
第１図は、エツチングレートを示すものであって、エツ
チング時の高周波電力にも依存して数倍の差があり、ま
だ成膜時の高周波電力にも依存することを示している。
チング時の高周波電力にも依存して数倍の差があり、ま
だ成膜時の高周波電力にも依存することを示している。
第１図から明らかなように、成膜時の高周波電力が大き
いアモルファス−Ｃでも、１ＯＯＯＸ程度の厚さのもの
は数分〜ｌＯ数分でエツチングすることができる。
いアモルファス−Ｃでも、１ＯＯＯＸ程度の厚さのもの
は数分〜ｌＯ数分でエツチングすることができる。
（発明の効果）
以上のように本発明のエツチング方法によれば、アモル
ファス−Ｃ薄膜をプラズマエツチングすることができる
ので、半導体素子への応用が可能となる。また半導体素
子の構成に用いられる結晶Ｓｉ 、多結晶Ｓｔ ｔ Ｓ
ｉＯｔ Ｓｉ３Ｎ４ ＋ ５ｉｎｘ＋ ５ｉＮｘｔ ５
ｉＮｘＯｙ。
ファス−Ｃ薄膜をプラズマエツチングすることができる
ので、半導体素子への応用が可能となる。また半導体素
子の構成に用いられる結晶Ｓｉ 、多結晶Ｓｔ ｔ Ｓ
ｉＯｔ Ｓｉ３Ｎ４ ＋ ５ｉｎｘ＋ ５ｉＮｘｔ ５
ｉＮｘＯｙ。
リンガラス、ポロンガラヌ、又パターニングに用いるレ
ヅスト等は、Ｈ２プラズマによりエツチングされないの
で、ＩＬ−ｅとのエツチングの選択比は非常に大きくな
る。
ヅスト等は、Ｈ２プラズマによりエツチングされないの
で、ＩＬ−ｅとのエツチングの選択比は非常に大きくな
る。
第１図は本発明によるエツチングレートの特性を示した
説明図、第２図は本発明に用いたプラズマ装置の概細図
、第３図はアモルファス−〇の特性を示した説明図であ
る。 １・・・アセチレンガスポンベ、２・・・Ｈ２ガスデン
ベ、３・・・ＣＦ２Ｆ２ガスボンベ・・・０２ガスがン
ペ、５，６・・・ストップバルブ、９．１０・・・流量
コントローラ、１３・・・カソード電極、１４ｔ１５・
・・テフロンリング、１７・・・アノード電極、１８・
・・基板、１９・・・ストップパルプ、２０・・・真空
ポンプ、２１・・・マツチングボックス、２２・・・高
周波電源、２３・・・室。 特許出願人 沖電気工業株式会社 Ｈ＞＋八に一一山 第３図 底膜Ｂａ、Ｑド電か 手続補正書（自制 ６０．６．２４ 昭和 年 月 日
説明図、第２図は本発明に用いたプラズマ装置の概細図
、第３図はアモルファス−〇の特性を示した説明図であ
る。 １・・・アセチレンガスポンベ、２・・・Ｈ２ガスデン
ベ、３・・・ＣＦ２Ｆ２ガスボンベ・・・０２ガスがン
ペ、５，６・・・ストップバルブ、９．１０・・・流量
コントローラ、１３・・・カソード電極、１４ｔ１５・
・・テフロンリング、１７・・・アノード電極、１８・
・・基板、１９・・・ストップパルプ、２０・・・真空
ポンプ、２１・・・マツチングボックス、２２・・・高
周波電源、２３・・・室。 特許出願人 沖電気工業株式会社 Ｈ＞＋八に一一山 第３図 底膜Ｂａ、Ｑド電か 手続補正書（自制 ６０．６．２４ 昭和 年 月 日
Claims (1)
- エッチングの室へＨ＿２ガスを導入し且つグロー放電を
発生させることによってアモルファス炭素薄膜をエッチ
ングすることを特徴とした、アモルファス炭素薄膜のエ
ッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7003685A JPS61231185A (ja) | 1985-04-04 | 1985-04-04 | アモルフアス炭素薄膜のエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7003685A JPS61231185A (ja) | 1985-04-04 | 1985-04-04 | アモルフアス炭素薄膜のエツチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61231185A true JPS61231185A (ja) | 1986-10-15 |
| JPS6345465B2 JPS6345465B2 (ja) | 1988-09-09 |
Family
ID=13419959
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7003685A Granted JPS61231185A (ja) | 1985-04-04 | 1985-04-04 | アモルフアス炭素薄膜のエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61231185A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03123189U (ja) * | 1989-08-26 | 1991-12-16 |
-
1985
- 1985-04-04 JP JP7003685A patent/JPS61231185A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6345465B2 (ja) | 1988-09-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |