JPH04263071A - ダイヤモンド膜形成方法 - Google Patents
ダイヤモンド膜形成方法Info
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- JPH04263071A JPH04263071A JP353891A JP353891A JPH04263071A JP H04263071 A JPH04263071 A JP H04263071A JP 353891 A JP353891 A JP 353891A JP 353891 A JP353891 A JP 353891A JP H04263071 A JPH04263071 A JP H04263071A
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- 239000010432 diamond Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 33
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 20
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 abstract description 6
- YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N Hydrogen atom Chemical compound [H] YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000000376 reactant Substances 0.000 abstract description 2
- 238000007788 roughening Methods 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 21
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004050 hot filament vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Solid-Phase Diffusion Into Metallic Material Surfaces (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ＣＶＤ法によりダイ
ヤモンド膜を形成する方法に関し、例えば高音域の音響
特性に優れたスピーカ振動板を作るために、チタン基板
上にダイヤモンド膜を形成することを可能とするもので
ある。
ヤモンド膜を形成する方法に関し、例えば高音域の音響
特性に優れたスピーカ振動板を作るために、チタン基板
上にダイヤモンド膜を形成することを可能とするもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】一般に、ダイヤモンド膜はＣＨ４ やＣ
２Ｈ５ＯＨ等のカーボン供給ガスと水素ガスとから成る
成膜用反応ガスを用い、基板温度を５００〜１０００℃
にした熱フィラメントＣＶＤ法あるいはプラズマＣＶＤ
法等によって形成されている。
２Ｈ５ＯＨ等のカーボン供給ガスと水素ガスとから成る
成膜用反応ガスを用い、基板温度を５００〜１０００℃
にした熱フィラメントＣＶＤ法あるいはプラズマＣＶＤ
法等によって形成されている。
【０００３】図２は例えば刊行物（表面化学第１０巻第
１０号（１９８９））の１８３頁に示されたマイクロ波
プラズマを用いたＣＶＤ装置の構成図である。図におい
て、１はマイクロ波発振器、２はマイクロ波、３は導波
管、４は石英ガラス管、５は成膜用反応ガス、６は基板
、７はサセプタである。
１０号（１９８９））の１８３頁に示されたマイクロ波
プラズマを用いたＣＶＤ装置の構成図である。図におい
て、１はマイクロ波発振器、２はマイクロ波、３は導波
管、４は石英ガラス管、５は成膜用反応ガス、６は基板
、７はサセプタである。
【０００４】上記構成において、マイクロ波発振器１か
ら出射されたマイクロ波２は導波管３によって伝播され
、その途中の電界強度の強い箇所に設けられた石英ガラ
ス管４に到達する。この石英ガラス管４の上部からはＣ
Ｈ４ とＨ２ からなる成膜用反応ガス５が供給されて
おり、基板６は石英ガラス管４及び導波管３の中央部付
近に設定されたサセプタ７上に設置されている。石英ガ
ラス管４に到達したマイクロ波２は成膜用反応ガス５を
分解するのに使われており、分解された成膜用反応ガス
５は基板６上でダイヤモンド膜を形成するのに使われて
いる。この装置は基板６を加熱する特別な炉を用いてい
ないため、基板５の温度は反応管内のマイクロ波電界強
度、圧力、ならびにサセプタ７や基板６の材料の誘電損
失係数に依存している。又、ダイヤモンド膜が形成され
る時の温度は５００〜１０００℃である。ダイヤモンド
膜の形成においては、ダイヤモンドの基板上には容易に
新たな膜状ダイヤモンドを形成することができるが、非
ダイヤモンド基板上には個々に独立した粒状結晶として
析出し、膜状ダイヤモンドを形成することが困難である
。そのため、非ダイヤモンド基板上に膜状ダイヤモンド
を形成するには、超硬物質（ダイヤモンド、ＳｉＣ、Ｂ
Ｎ）等の微粉末で機械的な方法により基板６の表面に微
細な鋭い傷を付けるなどの表面処理を施し、核形成しや
すい場を形成する前処理が必要とされている。
ら出射されたマイクロ波２は導波管３によって伝播され
、その途中の電界強度の強い箇所に設けられた石英ガラ
ス管４に到達する。この石英ガラス管４の上部からはＣ
Ｈ４ とＨ２ からなる成膜用反応ガス５が供給されて
おり、基板６は石英ガラス管４及び導波管３の中央部付
近に設定されたサセプタ７上に設置されている。石英ガ
ラス管４に到達したマイクロ波２は成膜用反応ガス５を
分解するのに使われており、分解された成膜用反応ガス
５は基板６上でダイヤモンド膜を形成するのに使われて
いる。この装置は基板６を加熱する特別な炉を用いてい
ないため、基板５の温度は反応管内のマイクロ波電界強
度、圧力、ならびにサセプタ７や基板６の材料の誘電損
失係数に依存している。又、ダイヤモンド膜が形成され
る時の温度は５００〜１０００℃である。ダイヤモンド
膜の形成においては、ダイヤモンドの基板上には容易に
新たな膜状ダイヤモンドを形成することができるが、非
ダイヤモンド基板上には個々に独立した粒状結晶として
析出し、膜状ダイヤモンドを形成することが困難である
。そのため、非ダイヤモンド基板上に膜状ダイヤモンド
を形成するには、超硬物質（ダイヤモンド、ＳｉＣ、Ｂ
Ｎ）等の微粉末で機械的な方法により基板６の表面に微
細な鋭い傷を付けるなどの表面処理を施し、核形成しや
すい場を形成する前処理が必要とされている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来のダイヤ
モンド膜形成方法においては、反応空間でＨ２ ガスが
分解され、活性な原子状水素が生成されており、基板６
がチタンのような場合には還元反応が生じて基板６の表
面の脆化が進み、付着力の高いダイヤモンド膜が得られ
ないという課題が生じた。
モンド膜形成方法においては、反応空間でＨ２ ガスが
分解され、活性な原子状水素が生成されており、基板６
がチタンのような場合には還元反応が生じて基板６の表
面の脆化が進み、付着力の高いダイヤモンド膜が得られ
ないという課題が生じた。
【０００６】この発明は上記のような課題を解決するた
めに成されたものであり、チタンのように水素プラズマ
との反応により脆化する材料の表面に付着力の高いダイ
ヤモンド膜を形成することができるダイヤモンド膜形成
方法を得ることを目的とする。
めに成されたものであり、チタンのように水素プラズマ
との反応により脆化する材料の表面に付着力の高いダイ
ヤモンド膜を形成することができるダイヤモンド膜形成
方法を得ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係るダイヤモ
ンド膜形成方法は、水素プラズマとの反応で脆化する材
料の表面を粉末ペーストにより粗面化して窒化処理を施
し、その後にこの材料の表面にダイヤモンド膜を形成す
るものである。
ンド膜形成方法は、水素プラズマとの反応で脆化する材
料の表面を粉末ペーストにより粗面化して窒化処理を施
し、その後にこの材料の表面にダイヤモンド膜を形成す
るものである。
【０００８】
【作用】この発明においては、材料の表面は予め粗面化
されて窒化処理されており、ダイヤモンド膜形成の際に
発生する活性な原子状水素により材料表面が脆化されな
い。
されて窒化処理されており、ダイヤモンド膜形成の際に
発生する活性な原子状水素により材料表面が脆化されな
い。
【０００９】
【実施例】以下、この発明の実施例を図面とともに説明
する。図１はこの実施例によるダイヤモンド膜形成方法
の工程図である。まず、（ａ） 図において、マイクロ
波発振器１から出射されたマイクロ波２は導波管３を通
り、石英ガラス管４に導かれる。石英ガラス管４には窒
素ガス８が流されており、また石英ガラス管４内にはサ
セプタ７に支持された基板６が設置されている。基板６
は水素プラズマとの反応で脆化する材料例えばチタンに
より形成されており、また基板６の表面はダイヤモンド
ペースト等の粉末ペーストによる研摩等により予め粗面
化されている。石英ガラス管４内を流れる窒素ガス８は
マイクロ波のエネルギによりプラズマ化され、基板６の
表面を窒化処理する。
する。図１はこの実施例によるダイヤモンド膜形成方法
の工程図である。まず、（ａ） 図において、マイクロ
波発振器１から出射されたマイクロ波２は導波管３を通
り、石英ガラス管４に導かれる。石英ガラス管４には窒
素ガス８が流されており、また石英ガラス管４内にはサ
セプタ７に支持された基板６が設置されている。基板６
は水素プラズマとの反応で脆化する材料例えばチタンに
より形成されており、また基板６の表面はダイヤモンド
ペースト等の粉末ペーストによる研摩等により予め粗面
化されている。石英ガラス管４内を流れる窒素ガス８は
マイクロ波のエネルギによりプラズマ化され、基板６の
表面を窒化処理する。
【００１０】次に、（ｂ） 図においては、窒素ガス８
の代りにＣＨ４とＨ２ からなる成膜用反応ガス５が石
英ガラス管４内に流され、成膜用反応ガス５はマイクロ
波２により分解され、分解された反応ガスにより基板６
の表面にダイヤモンド膜が形成される。このように、基
板６の表面は窒化処理されているので、反応ガス５の分
解により生成された水素プラズマにさらされても脆化す
ることがなく、安定した表面を保つことができ、付着力
の高いダイヤモンド膜が得られる。このため、チタン等
の脆化しやすい材料の表面にも付着力の高いダイヤモン
ド膜を形成することができ、高音域の音響特性に優れた
スピーカ振動板などが得られる。
の代りにＣＨ４とＨ２ からなる成膜用反応ガス５が石
英ガラス管４内に流され、成膜用反応ガス５はマイクロ
波２により分解され、分解された反応ガスにより基板６
の表面にダイヤモンド膜が形成される。このように、基
板６の表面は窒化処理されているので、反応ガス５の分
解により生成された水素プラズマにさらされても脆化す
ることがなく、安定した表面を保つことができ、付着力
の高いダイヤモンド膜が得られる。このため、チタン等
の脆化しやすい材料の表面にも付着力の高いダイヤモン
ド膜を形成することができ、高音域の音響特性に優れた
スピーカ振動板などが得られる。
【００１１】なお、上記実施例では、基板６の表面を粗
面化した後窒化処理を施したが、逆に窒化処理を施した
後粗面化してもよい。又、石英ガラス管４内には窒素ガ
ス８を流した後に成膜用反応ガス５を流したが、成膜用
反応ガス５を流している際にも窒素ガス８が混入してい
ても支障はない。
面化した後窒化処理を施したが、逆に窒化処理を施した
後粗面化してもよい。又、石英ガラス管４内には窒素ガ
ス８を流した後に成膜用反応ガス５を流したが、成膜用
反応ガス５を流している際にも窒素ガス８が混入してい
ても支障はない。
【００１２】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、材料表
面にダイヤモンド膜を形成する前に、材料表面を粗面化
して窒化処理しており、材料表面はダイヤモンド膜形成
の際の原子状水素雰囲気から保護されて脆化することが
なく、付着力の高いダイヤモンド膜を形成することがで
きる。
面にダイヤモンド膜を形成する前に、材料表面を粗面化
して窒化処理しており、材料表面はダイヤモンド膜形成
の際の原子状水素雰囲気から保護されて脆化することが
なく、付着力の高いダイヤモンド膜を形成することがで
きる。
【図１】この発明によるダイヤモンド膜形成方法の工程
図である。
図である。
【図２】従来のマイクロ波プラズマＣＶＤ装置の構成図
である。
である。
１ マイクロ波発振器
２ マイクロ波
４ 石英ガラス管
５ 成膜用反応ガス
６ 基板
８ 窒素ガス
Claims (1)
- 【請求項１】 水素プラズマとの反応で脆化する材料
の表面を粉末ペーストにより粗面化して窒化処理を施し
、その後上記材料にＨ２ ガスを含む成膜用反応ガスを
流してこれを分解し、分解された成膜用反応ガスにより
上記材料の表面にダイヤモンド膜を形成することを特徴
とするダイヤモンド膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3003538A JP2977619B2 (ja) | 1991-01-17 | 1991-01-17 | ダイヤモンド膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3003538A JP2977619B2 (ja) | 1991-01-17 | 1991-01-17 | ダイヤモンド膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04263071A true JPH04263071A (ja) | 1992-09-18 |
| JP2977619B2 JP2977619B2 (ja) | 1999-11-15 |
Family
ID=11560187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3003538A Expired - Fee Related JP2977619B2 (ja) | 1991-01-17 | 1991-01-17 | ダイヤモンド膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2977619B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2790267A1 (fr) * | 1999-02-25 | 2000-09-01 | Suisse Electronique Microtech | Procede de depot d'une couche de diamant sur un metal refractaire de transition et piece revetue d' une telle couche |
| US7846272B2 (en) * | 2006-04-28 | 2010-12-07 | Gm Global Technology Operations, Inc. | Treated austenitic steel for vehicles |
-
1991
- 1991-01-17 JP JP3003538A patent/JP2977619B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2790267A1 (fr) * | 1999-02-25 | 2000-09-01 | Suisse Electronique Microtech | Procede de depot d'une couche de diamant sur un metal refractaire de transition et piece revetue d' une telle couche |
| US7846272B2 (en) * | 2006-04-28 | 2010-12-07 | Gm Global Technology Operations, Inc. | Treated austenitic steel for vehicles |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2977619B2 (ja) | 1999-11-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |