JPH03141199A - 単結晶cvdダイヤモンドの製造方法 - Google Patents

単結晶cvdダイヤモンドの製造方法

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JPH03141199A
JPH03141199A JP2218301A JP21830190A JPH03141199A JP H03141199 A JPH03141199 A JP H03141199A JP 2218301 A JP2218301 A JP 2218301A JP 21830190 A JP21830190 A JP 21830190A JP H03141199 A JPH03141199 A JP H03141199A
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diamond
hydrocarbon
metallocene
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hydrogen
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JP2218301A
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Thomas R Anthony
トーマス・リチャード・アンソニイ
James F Fleischer
ジェームス・フルトン・フライシャー
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    • C30B25/02Epitaxial-layer growth
    • C30B25/10Heating of the reaction chamber or the substrate
    • C30B25/105Heating of the reaction chamber or the substrate by irradiation or electric discharge

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 本発明は、副次的な多結晶ダイヤモンド核生成を抑えな
がら化学蒸着法によってダイヤモンド単結晶を成長させ
る方法に係る。さらに詳細にいうと、本発明は、化学蒸
着法(CVD)によるダイヤモンドの成長を開始させる
ために高lhヨ高圧(HPHT)単結晶ダイヤモンド種
晶を使用することに関する。釘効二のメタロセンの(7
−(1:、下で炭化水素と水素の混合物を使用する。
本発明に先立って、1989年5 J’J 150付け
の「化学と7L学のニュース(Cbcmieal an
d Iシng!ncaring News) J第24
〜39頁の「ダイヤモンド薄膜の最新の技術(Imcr
gcnt Tcchonology orDiaion
d Th1n Films ) Jでバッハマン(P、
に、 13aehmann)らによって教示されている
(この文献は引用により本明細書に含まれるものとする
)ように、ダイヤモンドは1950年代川期に用+ 7
+u高圧(HP HT )法によってグラファイトから
川めて合成的に製造された。高圧技術によって、研磨作
業用のダイヤモンドグリッドが充分な瓜で、また電子部
品のヒートシンク用の大きな単結晶が得られることは分
かっているが、それでもやはり多くの制限がある。大き
くて高価なプレス賎が必要とされるし規模の拡大が困難
である。しかし、単結晶のHr’HT合成ダイヤモンド
(これは直径が約8ffi11の粗くて黄色い石の形態
をしている)は可変らす7、;要が大きい。
1950年代?、IJ頭、高圧によるダイヤモンド合成
技術を検討している時、炭素含aガスの熱分解により気
(11反応器から化学蒸着法(CVD)によってダイヤ
モンドを蒸着するノブ法ちItlF究した。また、さま
ざまなグループの絶間ない努力により、1980年代川
年代孔圧での合成ダイヤモンドを製造する各種の方法が
提供された。ひとつの方法では、メタン−水素混合物か
らダイヤモンド薄膜を蒸着させるための原子状水素を発
生させるために加熱フィラメントを使用した。別のアプ
ローチでは、炭化水素からダイヤモンドのコーティング
を蒸着させるためにプラズマを使用した。
ドゼヴイツキイ(Dzevitsky)の米国特許第3
゜705.937号に示されているように、1島温減圧
で鉛や水銀のメチルまたはエチル誘導体のようなa機金
属化合物を接触させることによって117ることができ
る種晶からダイヤモンドを作成することができる。ダイ
ヤモンド粉末のかなりのl増が報告されている。ドゼヴ
イツキイ(Dzcvltsky)らの方法は1時間当た
り約2.3重量96までの重量増加率で白色のダイヤモ
ンド粉末を生成するのに白−効ではあるが、+B結晶の
ダイヤモンドを成長させる方法は提供されてない。会田
(Aida)の日本国特許第61,158,898号で
は、基板温度が800〜1100℃のメタン−水素混合
物中で0. 1カラットの単結晶天然ダイヤモンドを使
用することによって、装飾用ダイヤモンドの成長か改溪
されると報告されている。装身具品質のダイヤモンドの
生成も報告されているか、多結晶物質を生成せしめるこ
とになる副次的核生成は抑えるのが困難であることが判
明している。
1iIF磨材として引用なダイヤモンド微粉末を生成す
るための別の方法が日本国特許第60,223゜149
4号および第60,210,597号に示されている。
炭化水素(たとえばメタンなど)と水素の混合物を低圧
で存(l:、させてプラズマ中で金属歳拉子を生成する
のにフェロセンなどのようなメタロセンが使用されてい
る。
従来技術のさまざまな方法により、q磯金属物質を使用
することによって研磨材として引用な微細分割ダイヤモ
ンド粉末を、または単結晶の天然ダイヤモンド種晶を使
用することによって装身具用ダイヤモンドを製造する手
順か提供されているが、多結晶ダイヤモンドを同時に生
成することになる副次的核生成を回避または抑制しなが
ら化学蒸着法によってllj結晶ダイヤモンドを成長さ
せることができれば望ましいことであろう。
発明の概要 本発明の基礎となった発見は、少量のメタロセン(たと
えばフェロセン)を含qする水素−メタン雰囲気中で(
HPHT)ダイヤモンドの単結晶種晶を使用することに
よって、大きい単結晶ダイヤモンド(これは暗灰色で光
学的透明性を欠くものであることがある)を作成するこ
とができるということである。驚くべきことに、成長し
ていくダイヤモンドの結晶の表面上で副次的核生成が完
全に排除または抑制される。
発明の説明 本発明によって、副次的核生成を抑えながらダイヤモン
ド単結晶を成長させる方法が提供される。
この方法は、q動量のメタロセンまたはその熱分解生成
物を存(1ミさせて、5〜15トルの圧力および約80
0〜1000’Cの温度で、少なくとも0゜1カラット
のHP HTダイヤモンド種晶と炭化水素−水素混合物
とを接触状態に維持することがらなる。この炭化水素−
水素混合物中の炭化水素は、その濃度が炭化水素と水素
の総体積を基塾にして約0. 5〜1.5容量%であり
、周囲条件下で0゜1トルの蒸気圧を維持することがで
きる。また、メタロセンまたはその熱分解生成物は、鉄
、コバルトおよびニッケルより成る群の中から選択され
る金属の有機金属化合物である。
本発明の実施の際に使用することができるメタロセンは
、たとえばフェロセン、ビス(1,5シクロオクタジエ
ン)ニッケルなどのニッケル化合物、およびビス(シク
ロペンタジェニル)コバルトなどのコバルト化合物であ
る。
本発明の実施の際に使用することができる炭化水素とし
ては、Cアルカン、たとえばメタ(1−8) ン、エタンおよびプロパンなど、アセチレン、ならびに
芳香族化合物、たとえばベンゼンかある。
メタロセンのq効瓜は、炭化水素−水素混合物の総体積
を括偲にして10−4〜1容「6、好ましくは8X10
’〜8X10−38瓜%である。一方、この混合物は、
600〜1000 ’Cの範囲のlH度で0.1〜50
トルの圧力に維持する。また、この炭化水素−水素混合
物は、その総体積を基糸にして約0. 1〜約2容ユ%
の炭化水素を合釘している。
炭化水素−水素混合物中にメタロセンを導入する好まし
い手順では、周囲条件下で、ある口のメタロセン、たと
えば10グラムのフェロセンを管状反応器、たとえば2
−3/4インチ×48インチの石英管に入れ、上で定義
したようなメタンと水素の混合物を周囲温度・圧力でメ
タロセンの−にに通す。たとえば、はぼ大気圧および周
囲温度でメタン−水素混合物の体積を基準にして1×1
0−3〜5X10−3容口%のメタロセンとなるように
メタン−水素混合物を充分な流速にすると、メタン−水
素混合物中のメタロセンのq効濃度が得られることが判
明した。次に、このメタロセンをA釘する水素−メタン
混合物を、ダイヤモンド種晶の上に通すことができる。
この種晶は少なくとも0. 1カラットであり、平均直
径が少なくとも1000ミクロン、好ましくは1000
〜4000ミクロンである。
メタロセンを合釘するメタン−水素混合物を800〜1
000℃の温度に維持するには、加熱フィラメントを使
用して、上記のバッハマン(P、K。
[3aehmann)らの論文に記載されているように
、メタンの熱分解によって原子状水素を発生させること
ができる。原子状水素を発生させるのに使用することが
できる他の技術は後述するマイクロ波プラズマを使用す
ることである。さらに、気体混合物を高温に維持するの
に使用することができる手順として、直流プラズマジェ
ットを基板の小面積に集めることが、前述のバッハマン
(BachIIlann)らの論文の中で鈴木かずひろ
(Kazuhiro 5uzuki)により記載されて
いる。IKV以上の直流電圧と高放電電流を使用すると
プラズマを4000’Kに維持することができる。
ダイヤモンドは、周囲731度まで基板を冷却すること
によって容易に回収することができる。
1989年アメリカセラミック協会誌(Journal
of  the  Arflerican  Cera
mic  5ociety)  第 72(2)巻筒1
71〜91頁の[将来のダイヤモンド−セラミックコー
ティング(Diamond−Ceramic Coat
ingof the Iコuturc) J  (引用
により本明細書に含まれるものとする)にスペア(Ka
rl E、 5pear)によって示されているように
、結晶性ダイヤモンドを成長させるために使用する原子
状水素を発生させるのに必要な前駆体ガスの活性化を達
成する2つの許通の方法は、マイクロ波または2000
℃の加熱フィラメントである。
ここで図面を参照すると、図は、プラズマを発生させる
のにマイクロ波発生機を使用し、HP HTダイヤモン
ドの単結晶種晶が載せられているケイ素台座を用いた、
ダイヤモンド成長のt「ましい蒸着手順を示している。
さらに詳細にいうと、添付の図には、2,45GHzか
らマイクロ波シグナルを発生することができるマイクロ
波発生機が示されている。本発明の実施の際に使用する
ことができる典型的なマイクロ波発生機は、たとえばコ
ーバー′f−1: (Cober InC,)の10k
wマイクロ波発生機モデルS6−Fである。また図には
導波管も示されているが、この導波管は、内寸が約1−
1/2X2−3/4インチで長さが約8〜48インチで
あることができる矩形で中空のスチール管である。10
0〜500ワツトで2.45GHzのマイクロ波を発生
させると500〜1100℃の温度のプラズマが形成さ
れる。室温、周囲圧力でメタロセン(図には示してない
)七を通ったメタン−水素混合物から生じた、すでに記
]、(シたような熱分解メタロセンA aメタン−水素
気体混合物をこのプラズマ中に連続的に・9人する。約
10インチ(長さ)×1/8X1/8インチの石英の台
座を、HP HTダイヤモンドの種晶(0,1〜1カラ
ットとすることができる)を保持するだめの基板表面と
する。導波チューナーも備わっており、またこの系全体
を0.1〜50トルの圧力に維1!jするための真空系
も備わっている。
当て者が本発明をより容易に実施することかできるよう
に、限定ではなく例示の意味で次の実施例を挙げる。
実施例 1.5容量%のメタンを有するメタン−水素混合物を室
温、大気圧で10グラムのフェロセンの上に通した。得
られた混合物はフェロセンが2゜6X10−3容量%で
あった。このフェロセンを含qする混合物を150cc
/分の流量で、直径が2インチの図に示したような石英
管を介して、垂直に配置したケイ素台座の端にある直径
が2.4mtsのHPHTダイヤモンド種晶−1−に輸
送した。
200ワツト、2450MHzにセンt−したマイクロ
波発生機のスイッチを入れた。得られたプラズマの温度
はダイヤモンド種晶付近で500〜700℃であること
が分かった。成長速度は約2ミクロン/時であることが
分かり、全体で600ミクロンのダイヤモンドが種晶上
に成長した。種晶表面付近で副次的な核生成の証拠は認
められなかった。456時間後、濃い灰色で光学的透明
度の低い直径3.6mmのCVDダイヤモンド単結晶が
得られた。
上記実施例は本発明の方法を実施する上で使用すること
ができる非常に数多くの変形のうちのほんの二、三に関
するのみであるが、本発明はずっと広範囲の変形、たと
えばアセチレンなど別の炭化水素や別のメタロセンを使
用したり、あるいはこの実施例の前に述べたような加熱
フィラメントを使用したりする、単結晶のCVDダイヤ
モンドを成長させる別の方法にも関するものと理解され
たい。
【図面の簡単な説明】
添付の図は、プラズマを発生させるのにマイクロ波発生
機を使用し、HPHTダイヤモンドの単結晶種晶が載せ
られているケイ素台座を用いた、ダイヤモンド成長の好
ましい蒸着手順を示す略図である。 特1−′1出願人

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)有効量のメタロセンまたはその熱分解生成物を存
    在させて5〜15トルの圧力および約800〜1000
    ℃の温度で少なくとも0.1カラットのHPHTダイヤ
    モンド種晶と炭化水素−水素混合物とを接触状態に維持
    することからなる、副次的核生成を抑えながらダイヤモ
    ンド単結晶を成長させる方法であって、前記炭化水素−
    水素混合物中の炭化水素は、その濃度が炭化水素と水素
    の総体積を基準にして約0.5〜1.5容量%であり、
    周囲条件下で0.1トルの蒸気圧を維持することができ
    、前記メタロセンまたはその熱分解生成物は鉄、コバル
    トおよびニッケルより成る群の中から選択される金属の
    有機金属化合物であることを特徴とする、ダイヤモンド
    単結晶を成長させる方法。
  2. (2)メタロセンがフェロセンである、請求項1記載の
    ダイヤモンド単結晶を成長させる方法。
  3. (3)炭化水素がメタンである、請求項1記載の方法。
  4. (4)マイクロ波プラズマによって温度を維持する、請
    求項1記載の方法。
  5. (5)加熱フィラメントを用いることによって温度を維
    持する、請求項1記載の方法。
JP2218301A 1989-08-21 1990-08-21 単結晶cvdダイヤモンドの製造方法 Pending JPH03141199A (ja)

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