JPS62235295A - ダイヤモンドの合成法 - Google Patents
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- JPS62235295A JPS62235295A JP7810386A JP7810386A JPS62235295A JP S62235295 A JPS62235295 A JP S62235295A JP 7810386 A JP7810386 A JP 7810386A JP 7810386 A JP7810386 A JP 7810386A JP S62235295 A JPS62235295 A JP S62235295A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はダイヤモンドの低圧合成法に関する。
ダイヤモンドは硬度以外に、絶縁性、熱伝導性。
紫外、赤外光の透過性、化学的安定性など機能材料とし
て優れた特性をもっている。
て優れた特性をもっている。
ダイヤモンドの合成法には、高圧法と低圧法とがある。
高圧法は、1500℃以上の高温、六方気圧以上の高圧
条件下、グラファイトの結晶により合成する方法である
。粒子状ダイヤモンドが合成でき、研摩材、工具等忙利
用されている。これに対し、低圧法は粒子に限らず、膜
状ダイヤモンドの合成も可能であり、半導体素子の放熱
基板や工作機器のコーテングなど幅広い用途が考えられ
る。
条件下、グラファイトの結晶により合成する方法である
。粒子状ダイヤモンドが合成でき、研摩材、工具等忙利
用されている。これに対し、低圧法は粒子に限らず、膜
状ダイヤモンドの合成も可能であり、半導体素子の放熱
基板や工作機器のコーテングなど幅広い用途が考えられ
る。
ダイヤモンド低圧合成の従来技術は、特開58−164
765号、22−227678号公報にみられるように
、メタン、又は、炭化水素と水素との混合ガスを減圧化
された反応器に導入し、プラズマ分解し、数千℃に加熱
された基板上で合成する−#体−rs、st入− この技術によれば、数μ/hの速度で粒子状ないし膜状
ダイヤモンドの合成が可能である。
765号、22−227678号公報にみられるように
、メタン、又は、炭化水素と水素との混合ガスを減圧化
された反応器に導入し、プラズマ分解し、数千℃に加熱
された基板上で合成する−#体−rs、st入− この技術によれば、数μ/hの速度で粒子状ないし膜状
ダイヤモンドの合成が可能である。
シカし、ダイヤモンド膜付半導体デバイスや工具等の量
産性を考えた場合、さらに早い速度でのダイヤモンド合
成が必要となる。
産性を考えた場合、さらに早い速度でのダイヤモンド合
成が必要となる。
本発明の目的は、従来より数倍ないし土数倍早い速度で
ダイヤモンドを低圧合成する方法を提供することにある
。
ダイヤモンドを低圧合成する方法を提供することにある
。
上記目的は、炭化水素、水素の混合ガスに微量の酸素又
は酸素を含有する無機ガスを添加し、この混合ガスをプ
ラズマ分解することにより達成される。
は酸素を含有する無機ガスを添加し、この混合ガスをプ
ラズマ分解することにより達成される。
炭化水素−水素の混合ガス中に微量添加される酸素、又
は、酸素を含有する無機ガスはプラズマ中で活性な酸素
原子(ラジカルなど)に分解し、この酸素原子は炭化水
素の分解を促進し、又、基板上でのダイヤモンドの生成
反応では、ダイヤモンドより反応し易い副生グラファイ
トと選択的に反応し、これを−酸化炭素、又は、二酸化
炭素として除去する。このため、従来より多量の炭化水
素の反応器への供給が可能となり、ダイヤモンドの生長
速度を早めることができる。
は、酸素を含有する無機ガスはプラズマ中で活性な酸素
原子(ラジカルなど)に分解し、この酸素原子は炭化水
素の分解を促進し、又、基板上でのダイヤモンドの生成
反応では、ダイヤモンドより反応し易い副生グラファイ
トと選択的に反応し、これを−酸化炭素、又は、二酸化
炭素として除去する。このため、従来より多量の炭化水
素の反応器への供給が可能となり、ダイヤモンドの生長
速度を早めることができる。
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
炭化水素1、水素2、酸素、又は、酸素を含む無機ガス
3Fi質量流量計4により計量されたのち混合され、プ
ラズマ反応器5に供給される。プラズマ反応器5は真空
ポンプ11により減圧されている。プラズマ反応器5に
供給された混合ガスは、高周波発振器6から13.56
MH2の高周波が印加され、プラズマ化する。プラズマ
7中で水素及び酸素は分解しラジカルを生成する。炭化
水素はこれらのラジカルによる水素引き抜1反応により
、又は、プラズマ中の高エネルギをもつ電子によシ分解
し、数百℃に加熱された基板上8にダイヤモンド及びグ
ラファイトを析出させる。グラファイトは、酸素ラジカ
ル及び水素ラジカルと反応して除去され、ダイヤモンド
が選択的にシリコン基板上に生成される。
3Fi質量流量計4により計量されたのち混合され、プ
ラズマ反応器5に供給される。プラズマ反応器5は真空
ポンプ11により減圧されている。プラズマ反応器5に
供給された混合ガスは、高周波発振器6から13.56
MH2の高周波が印加され、プラズマ化する。プラズマ
7中で水素及び酸素は分解しラジカルを生成する。炭化
水素はこれらのラジカルによる水素引き抜1反応により
、又は、プラズマ中の高エネルギをもつ電子によシ分解
し、数百℃に加熱された基板上8にダイヤモンド及びグ
ラファイトを析出させる。グラファイトは、酸素ラジカ
ル及び水素ラジカルと反応して除去され、ダイヤモンド
が選択的にシリコン基板上に生成される。
炭化水素としては、メタン、エタン、プロパン等の飽和
炭化水素、及び、エチレン、アセチレン等の不飽和炭化
水素が用いられる。
炭化水素、及び、エチレン、アセチレン等の不飽和炭化
水素が用いられる。
酸素を含む無機ガスには、亜酸化窒素、−酸化窒素、二
酸化窒素等の窒素酸化物及び水が用いられる。
酸化窒素等の窒素酸化物及び水が用いられる。
又、プラズマを発生するエネルギ源には高周波に限らず
、マイクロ波やラジオ波、さらには、直流高電圧源等が
用いられる。
、マイクロ波やラジオ波、さらには、直流高電圧源等が
用いられる。
〔実施例1〕
図の装置を用いてダイヤモンドの低圧合成実験を行なっ
た。プラズマ反応器は内径49mmφ。
た。プラズマ反応器は内径49mmφ。
長さ1mの石英ガラス展である。基板には1010mm
X10のシリコン基板上を用いた。実験は、原料ガスと
してメタン−水素混合ガスの場合、メタン−水素−酸素
混合ガスの場合の二ケースについて行なった。実験条件
を表1に示す。ケース■は従来法によるものであり、ケ
ース■は本発明による方法である。
X10のシリコン基板上を用いた。実験は、原料ガスと
してメタン−水素混合ガスの場合、メタン−水素−酸素
混合ガスの場合の二ケースについて行なった。実験条件
を表1に示す。ケース■は従来法によるものであり、ケ
ース■は本発明による方法である。
実験終了後、電子線回折により析出物の同定を行なった
。ケースエの実験ではガス供給量200mL/m i
n のときダイヤモンドのみが析出したが、ガス供給量
500 mt/minのときにはダイヤモンド以外に多
量のグラファイトが析出した。また、ガス供給量101
00O/min のときKは、はとんどがグラファイト
であった。ガス供給量200mt/minの条件下での
ダイヤモンド成長速度は約1μ/hであつ次。
。ケースエの実験ではガス供給量200mL/m i
n のときダイヤモンドのみが析出したが、ガス供給量
500 mt/minのときにはダイヤモンド以外に多
量のグラファイトが析出した。また、ガス供給量101
00O/min のときKは、はとんどがグラファイト
であった。ガス供給量200mt/minの条件下での
ダイヤモンド成長速度は約1μ/hであつ次。
これに対し、ケース2の場合には、いずれのガス供給量
の条件下でもダイヤモンドが析出し、析出速度はガス供
給量に比例し、10100O/minの条件での成長速
度は10μ/hで、従来法に比べ約十倍速い速度である
。図中9Vi高周波コイル、10はヒータ、11は真空
ポンプ。
の条件下でもダイヤモンドが析出し、析出速度はガス供
給量に比例し、10100O/minの条件での成長速
度は10μ/hで、従来法に比べ約十倍速い速度である
。図中9Vi高周波コイル、10はヒータ、11は真空
ポンプ。
〔実施例2〕
実施例1と同じ装置を用い、水素−メタン−酸素の混合
ガスを原料に、混合ガス中の酸素原子数と炭素原子数の
比0/Ct−0,01〜5.0の範囲で変化させ、ダイ
ヤモンド析出速度に及ぼす影響について調べた。混合ガ
スはペースガスが水素で9796一定として作成した。
ガスを原料に、混合ガス中の酸素原子数と炭素原子数の
比0/Ct−0,01〜5.0の範囲で変化させ、ダイ
ヤモンド析出速度に及ぼす影響について調べた。混合ガ
スはペースガスが水素で9796一定として作成した。
実験条件は、圧力ITorr 、基板温度800℃、高
周波出力500W。
周波出力500W。
反応時間一時間とした。
実験の結果、酸素原子数と炭素原子数との比0/Cが0
.05〜20の範囲で従来法より速いダイヤモンドの成
長速度が確認された。
.05〜20の範囲で従来法より速いダイヤモンドの成
長速度が確認された。
〔実施例3〕
実施例1と同じ装fit?用い、原料ガス組成のメタン
の代りにエタン、エチレン、アセチレンを、酸素の代り
に窒素酸化物(H2O、N O、NCh ) 。
の代りにエタン、エチレン、アセチレンを、酸素の代り
に窒素酸化物(H2O、N O、NCh ) 。
スチームを用いてダイヤモンドの合成実験を行なった。
実験条件は、圧力I Torr 、基板温度SOO℃、
0/C0,5,高周波出力500W、反応時間を一時間
とした。基板にはシリコンウェハ・Igloo面〕を用
いた。
0/C0,5,高周波出力500W、反応時間を一時間
とした。基板にはシリコンウェハ・Igloo面〕を用
いた。
実験後、電子線回折による析出物の同定及び走査型電子
顕微鏡(SEM)による観察にもとづいて析出速度を求
めた。その結果、炭化水素はメタンに限らずエタンや、
エチレン、アセチレン等の不飽和炭化水素でもよく、ま
た、酸素原子数を含有する無機化合物は酸素に限らず窒
素酸化物、スチームでよいことが明らかとなった。
顕微鏡(SEM)による観察にもとづいて析出速度を求
めた。その結果、炭化水素はメタンに限らずエタンや、
エチレン、アセチレン等の不飽和炭化水素でもよく、ま
た、酸素原子数を含有する無機化合物は酸素に限らず窒
素酸化物、スチームでよいことが明らかとなった。
ダイヤモンド合成の炭素源として、従来の炭化水素(メ
タン、エタン、エチレン、アセチレンなど)やアルコー
ル(メタノール、エタノールなど)の代りて有機金属化
合物、例えば、トリメチルアルミニウム(A t (C
Hs)s−)、 )リエチルアルミニウム(At (C
t Ha ’Is )等を使用する方法を提案する。こ
れら有機金属化合物は、熱やプラズマによって容易に分
解し、ダイヤモンド合成の基本的活性種である炭化水素
ラジカルを容易に生成するのでダイヤモンドの合成速度
の向上が期待できる。
タン、エタン、エチレン、アセチレンなど)やアルコー
ル(メタノール、エタノールなど)の代りて有機金属化
合物、例えば、トリメチルアルミニウム(A t (C
Hs)s−)、 )リエチルアルミニウム(At (C
t Ha ’Is )等を使用する方法を提案する。こ
れら有機金属化合物は、熱やプラズマによって容易に分
解し、ダイヤモンド合成の基本的活性種である炭化水素
ラジカルを容易に生成するのでダイヤモンドの合成速度
の向上が期待できる。
本発明によれば、シリコンウェハ等の基板上に従来より
も十倍以上速い速度でダイヤモンドを合成することがで
きる。
も十倍以上速い速度でダイヤモンドを合成することがで
きる。
図は本発明の一実施例の系統図である。
1・・・炭化水素、2・・・水素、3・・・酸素又は酸
素含有ガス、6・・・高周波発振器、8・・・シリコン
ウェハ、5・・・プラズマ反応器。
素含有ガス、6・・・高周波発振器、8・・・シリコン
ウェハ、5・・・プラズマ反応器。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、減圧された反応器に炭化水素ガス、水素ガス、酸素
ガス又は酸素を含有する無機ガスを供給し、これらの混
合ガスに高周波、マイクロ波等の電磁エネルギを印加し
てプラズマ反応を生起せしめることを特徴とするダイヤ
モンドの合成方法。 2、特許請求の範囲第1項において、前記酸素ガス又は
前記酸素を含有する無機ガス中の酸素原子数と炭化水素
ガス中の炭素原子数との比が0.05〜2.0の範囲で
あることを特徴とするダイヤモンドの合成方法。 3、特許請求の範囲第1項において、前記炭化水素ガス
がメタン、エタン、プロパン、エチレン、アセチレンで
あり、前記酸素を含有する無機ガスが窒素酸化物、スチ
ーム、過酸化水素であることを特徴とするダイヤモンド
の合成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7810386A JPS62235295A (ja) | 1986-04-07 | 1986-04-07 | ダイヤモンドの合成法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7810386A JPS62235295A (ja) | 1986-04-07 | 1986-04-07 | ダイヤモンドの合成法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62235295A true JPS62235295A (ja) | 1987-10-15 |
Family
ID=13652546
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7810386A Pending JPS62235295A (ja) | 1986-04-07 | 1986-04-07 | ダイヤモンドの合成法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62235295A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6321292A (ja) * | 1986-07-11 | 1988-01-28 | Kyocera Corp | ダイヤモンド膜の製造方法 |
JPS6321291A (ja) * | 1986-07-11 | 1988-01-28 | Kyocera Corp | ダイヤモンド膜の製造方法 |
EP0371145A1 (en) * | 1988-05-28 | 1990-06-06 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Process for vapor-phase synthesis of diamond |
EP0376694A2 (en) * | 1988-12-26 | 1990-07-04 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | A process for the vapor phase synthesis of diamond and highly crystalline diamond |
US4981671A (en) * | 1988-02-09 | 1991-01-01 | National Institute For Research In Inorganic Materials | Method for preparing diamond or diamond-like carbon by combustion flame |
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