KR950014365A - 얇은 층, 특히 인듐-주석-산화물 층을 에칭하는 방법 및 장치 - Google Patents

얇은 층, 특히 인듐-주석-산화물 층을 에칭하는 방법 및 장치 Download PDF

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로렌쯔 게르하르트
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좀머캄프, 투테
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Abstract

진공챔버(2) 위에 배치된 플라즈마 소오스(12) 및 상기 진공 챔버(2)와 마주놓인 기판 지지체(5) 및 상기 기판 지지체(5)에 접속된 고주파 소오스로 진공챔버(2)내에서 유리기판상의 얇은 층을, 특히 인듐-주석-산화물층을 에칭하는 장치에서 에칭가스로서 Cl2또는 Cl2및 H2또는 CG4가 진공챔버(2)내로 유입될 수 있고, 기판 지지체(5)로 고주파 발생기(8)가 에칭 입자 밀도와 관계없이 조절될 수 있으며 플라즈마 소오스(12)가 고유의 정합회로(17)를 가지는 별도의 고주파 소오스(16)로부터 고주파수를 공급받는다.

Description

얇은 층, 특히 인듐-주석-산화물층을 에칭하는 방법 및 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 ITO층을 가진 유리기판의 단면도.
제2도는 에칭 장치(etching apparatus)의 개략도.

Claims (4)

  1. 진공챔버(2) 위에 배치된 플라즈마 소오스(12) 및 상기 진공 챔버(2)와 마주놓인 기판 지지체(5) 및 상기 기판 지지체(5)에 접속된 고주파 소오스로 진공챔버(2)내에서 유리기판상의 얇은 층을, 특히 인듐-주석-산화물층을 에칭하는 장치에 있어서, 에칭가스로서 Cl2또는 Cl2및 H2또는 CH4가 진공챔버(2)내로 유입될 수 있고, 프로세스 가스 압력이 0.1내지 10μbar로 저절될 수 있으며, 기판 지지체(5)로 고주파 발생기(8)가 에칭 입자 밀도와 무관하게 조절될 수 있고, 플라즈마 소오스(12)가 고유의 정합회로(17)를 가지는 별도의 고주파 소오스(16)로부터 고주파수를 공급받는 것을 특징으로 하는 얇은 층의 에칭 장치(etching apparatus).
  2. 제1항에 있어서, 플라즈마 소오스(12)가 고주파 소오스, 예컨대 ECR소오스 또는 용량성 결합된 고주파 소오스, 예컨대 헬리콘 소오스인 것을 특징으로 하는 얇은 층의 에칭 장치.
  3. 제1항 및 제2항에 있어서, 플라즈마의 확대를 위해 하나 또는 다수의 플라즈마 소오스(12) 및 진공 챔버의 일부인 자기 버킷(magnetic bucket)(19)으로부터 플라즈마 발생이 이루어지는 것을 특징으로 하는 얇은 층의 에칭장치.
  4. 진공 챔버(2) 위에 배치된 플라즈마 소오스(12) 및 상기 진공 챔버(2)와 마주 놓인 기판 지지체(5) 및 상기 기판 지지체(5)에 접속된 고주파 소오스로 진공챔버(2)내에서 유리기판상의 얇은 층, 특히 인듀-주석-산화물층을 에칭하는 방법에 있어서, 제1단계로, Cl2또는 Cl2및 H2또는 CH4를 에칭가스로서 진공챔버(2)내로 0.1내지 10μbar의 프러세스가스 압력까지유입시키고, 제2단계로서 기판 지지체(5)의 고주파 발생기(8)를 에칭 입자 밀도와 무관하게 세팅하며, 이때 플라즈마 소오스(12)에 고유의 정합회로(17)를 가진 별도의 고주파 소오스(16)로부터 고주파수를 공급하는 것을 특징으로 하는 얇은 층의 에칭방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940009151A 1993-08-26 1994-04-28 얇은 층, 특히 인듐-주석-산화물 층을 에칭하는 방법 및 장치 KR950014365A (ko)

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