KR100428813B1 - 플라즈마 발생장치 및 이를 이용한 ＳｉＯ₂박막 식각방법 - Google Patents
플라즈마 발생장치 및 이를 이용한 ＳｉＯ₂박막 식각방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100428813B1 KR100428813B1 KR10-2001-0057520A KR20010057520A KR100428813B1 KR 100428813 B1 KR100428813 B1 KR 100428813B1 KR 20010057520 A KR20010057520 A KR 20010057520A KR 100428813 B1 KR100428813 B1 KR 100428813B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- space
- plasma
- gas
- plasma generating
- mhz
- Prior art date
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title description 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 title description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 title description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 title description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 title description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 title description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 title description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 48
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 26
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 8
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 5
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 4
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N Aspirin Chemical compound CC(=O)OC1=CC=CC=C1C(O)=O BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- RWRIWBAIICGTTQ-UHFFFAOYSA-N difluoromethane Chemical compound FCF RWRIWBAIICGTTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32357—Generation remote from the workpiece, e.g. down-stream
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
- H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
본 발명에 따른 플라즈마 발생장치는, 외부와 차단되는 반응공간을 제공하는 반응챔버와; 상기 반응챔버의 외측 상부에 설치되고 외부로 부터 고주파 전력을 인가받아 상기 반응챔버 내에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 전극과; 상기 반응공간에 수평하게 설치되어 상기 반응공간을 상부의 플라즈마 생성공간과 하부의 처리공간으로 분할하되, 상기 플라즈마 생성공간과 상기 처리공간을 서로 연결하는 복수개의 관통구멍을 갖으며, 유전체로 이루어지며 전기적으로 플로팅되는 그리드와; 상기 플라즈마 생성공간에 가스를 공급하기 위한 상부 가스 인젝터와; 상기 처리공간에 가스를 공급하기 위한 하부 가스 인젝터와; 기판을 수평안착시키기 위하여 상기 처리공간에 설치되는 기판 지지대를 구비하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 그리드를 반응공간에 설치하고, 상부 가스 인젝터를 통해서는 비활성 기체를 주입하고, 하부 가스 인젝터를 통해서는 CxFy 등의 공정기체를 주입함으로써 SiO2 의 선택적 식각비를 향상시킬 수 있게 된다.
Description
본 발명은 플라즈마 발생장치에 관한 것으로서, 특히 그리드(grid)를 이용하여 플라즈마 내의 전자온도(electron temperature)를 적절히 조절할 수 있는 플라즈마 발생장치에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 상기의 플라즈마 발생장치를 이용하여 SiO2박막을 선택적으로 식각하는 SiO2박막 식각방법에 관한 것이기도 하다.
ULSI급 반도체소자를 제조하는데 있어서 콘택홀 형성을 위해 SiO2를 식각하는 기술이 매우 중요하다. 이 때, SiO2가 비등방성으로 식각되어야 하며, SiO2/PR(phtoresist), SiO2/Si 등의 식각 선택비가 좋아야 한다.
통상 SiO2식각에 있어서는 CCP(Capacitively Coupled Plasma)가 많이 사용되며, 높은 비등방성 식각율을 얻기 위해서 ECR(Electron Cyclotron Resonance), 헬리콘(helicon), ICP(inductively Coupled Plasma) 등이 사용된다. 이 중에서 ICP를 사용하는 경우가 간단한 구조로서 높은 비등방성 식각율을 얻을 수 있기 때문에 많은 관심을 끌고 있다.
통상 SiO2식각에는 불화탄소 기체(CxFy, flourocarbon gases)가 사용된다. 이는, 불화탄소 플라즈마를 이용할 경우, 고분자 불화물(fluoropolymer)이 Si 표면에 축적되기 때문에 이러한 고분자 불화물에 의하여 Si은 느리게 식각되고 SiO2는 상대적으로 빨리 식각되어 SiO2/Si의 식각 선택비가 증가하기 때문이다.
불화탄소 기체를 이용할 경우에는 위와같이 CxFy/F의 비가 SiO2의 선택적 식각에 큰 영향을 미친다. 즉, CxFy/F의 비가 작을수록 플라즈마 내의 F 함량이 많아져서 고분자 불화물이 많이 형성되기 때문에 SiO2의 선택적 식각이 잘 일어나게 된다. 그러나, CxFy/F의 비가 너무 작으면 상대적으로 CxFy의 양이 작기 때문에 SiO2의 식각 속도가 느려지게 되어 SiO2/Si의 식각 선택비가 오히려 작아진다.
특히, ICP(inductively coupled plasma)는 CCP(capacitively coupled plasma)에 비하여 높은 CxFy 해리율(high dissociation rate, CF2 + e →CF + F + e)를 갖기 때문에, ICP를 이용할 경우에는 F 원자가 과도하게 생성되어 상대적으로 CxFy의 양이 작아져서 SiO2/Si 식각 선택비가 오히려 줄어들는 문제점을 가지고 있다.
CxFy의 높은 해리율은 플라즈마 내의 높은 전자온도(high electron temperature)에 의해 지배적으로 영향을 받는다. Y. 히코사카(Hikosaka)는, 전자온도가 미소하게 증가하더라도 CF2의 해리율은 파급적으로 크게 증가한다고 보고하고 있다(참고문헌: Y. Hikosaka, M. Nakamura and H. Sugai, Jpn. J. Appl. Phys. 33, 2157, 1994). 따라서, 높은 SiO2식각 선택비를 얻기 위해서는 플라즈마 내의 전자온도를 감소시킬 필요가 있다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 플라즈마 내의 전자온도를 감소시킬 수 있는 플라즈마 발생장치를 제공하는 데 있다.
또한, 본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 상기 기술적 과제의 달성에 의해 제공되는 플라즈마 발생장치를 이용하여 SiO2박막을 선택적으로 식각하는 SiO2박막 식각방법을 제공하는 데 있다.
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 처리장치를 설명하기 위한 도면들이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 참조번호의 설명 >
10: 반응챔버 20: 세라믹판
30: 병렬 공명 코일 안테나 35: 공진 커패시터
50, 70: 고주파 전원 60: 기판 지지대
65: 기판 80: 그리드
90a: 상부 가스 인젝터 90b: 하부 가스 인젝터
100: TMP(Turbo-Molecular Pump)
Ⅰ영역: 플라즈마 생성공간 Ⅱ영역: 처리공간
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 플라즈마 발생장치는, 외부와 차단되는 반응공간을 제공하는 반응챔버와; 상기 반응챔버의 외측 상부에 설치되고 외부로 부터 고주파 전력을 인가받아 상기 반응챔버 내에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 전극과; 상기 반응공간에 수평하게 설치되어 상기 반응공간을 상부의 플라즈마 생성공간과 하부의 처리공간으로 분할하되, 상기 플라즈마 생성공간과 상기 처리공간을 서로 연결하는 복수개의 관통구멍을 갖으며, 유전체로 이루어지며 전기적으로 플로팅되는 그리드와; 상기 플라즈마 생성공간에 가스를 공급하기 위한 상부 가스 인젝터와; 상기 처리공간에 가스를 공급하기 위한 하부 가스 인젝터와; 기판을 수평안착시키기 위하여 상기 처리공간에 설치되는 기판 지지대를 구비하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 플라즈마 전극으로는 코일 안테나, 예컨대 병렬 공명 코일 안테나를 사용할 수 있다. 상기 그리드의 재질로는 Si, Al2O3, SiC, 또는 AlN 등을 사용할 수 있으며, 그 두께는 10㎛ 내지 5mm 정도인 것이 좋다. 상기 그리드의 관통구멍 크기는 인치당(per inch) 10 내지 500 메쉬(mesh)인 것이 바람직하다. 상기 상부 가스인젝터를 통해서는 비활성 가스가 주입되고, 상기 하부 가스인젝터를 통해서는 CxFy, CH2F2, CO, 또는 O2 등의 공정가스가 주입된다.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 SiO2 박막 형성방법은, 상기의 플라즈마 발생장치를 이용하되, 상기 상부 가스인젝터를 통해서는 비활성 기체를 주입하고, 상기 하부 가스인젝터를 통해서는 CxFy, CH2F2, CO, 또는 O2 가스를 주입하며, 상기 플라즈마 전극에는 13.56MHz 내지 300MHz 범위의 주파수를 가지는 고주파 전력을 인가하여 상기 기판상에 형성된 SiO박막을 식각하는 것을 특징으로 한다. 경우에 따라서는, 상기 기판 지지대에 2MHz 내지 13. 56MHz 범위의 주파수를 가지는 고주파 전력을 인가할 수도 있다.
이하에서, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면들을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 처리장치를 설명하기 위한 도면들이다.
도 1a 및 도 1b를 참조하면, 반응챔버(10)는 외부와 차단되는 반응공간을 제공하는데, 반응챔버(10)의 상부에는 세라믹판(20)이 높여지고, 세라믹판(20) 상면에는 병렬 공명 코일 안테나(30)가 놓여진다. 병렬 공명 코일 안테나(30)는 외부고주파 전원(50)으로부터 13.56MHz 내지 300MHz 범위의 주파수를 가지는 고주파 전력을 인가받는다. 병렬 공명 코일 안테나(30)에는 공진(resonance)를 위한 공진 커패시터(35)가 연결 설치된다. 외부 고주파 전원(50)과 병렬 공명 코일 안테나(30) 사이에는 임피던스 정합장치(impedence matching box)가 설치된다.
상기 반응공간에는 10㎛ 내지 5mm의 두께를 가지는 그리드(grid, 80)가 수평하게 설치되어, 상기 반응공간을 상부의 플라즈마 생성공간(Ⅰ영역)과 하부의 처리공간(Ⅱ영역)으로 분할한다. 그리드(80)에는 도 1b에 도시된 바와 같이 상기 플라즈마 생성공간(Ⅰ영역)과 상기 처리공간(Ⅱ영역)을 서로 연결하는 복수개의 관통구멍이 형성되어 있다. 그리드(80)의 관통구멍은 크기가 인치당(per inch) 10 내지 500 메쉬(mesh) 정도된다. 그리드(80)는 Si, Al2O3, SiC, 또는 AlN 등과 같은 유전체로 이루어지며, 전기적으로 플로팅(floating) 된다.
플라즈마 생성공간(Ⅰ영역)과 처리공간(Ⅱ영역)에는 상부 가스 인젝터(90a)와 하부 가스 인젝터(90b)가 각각 설치되며, 기판(65)이 수평 안착되어 지는 기판 지지대(60)는 처리공간(Ⅱ영역)에 설치된다. 기판 지지대(60)는 외부 고주파 전원(70)으로 부터 2MHz 내지 13. 56MHz 범위의 주파수를 가지는 고주파 전력을 인가 받는다. 상부 가스 인젝터(90a)를 통해서는 비활성 가스가 주입되고, 하부 가스 인젝터(90b)를 통해서는 CxFy, CH2F2, CO, 또는 O2등의 공정가스가 주입된다. 가스 인젝터(90a, 90b)를 통하여 주입된 가스는 TMP(Turbo-Molecular Pump, 100)를 통하여 외부로 배출된다.
본 발명에 따른 플라즈마 발생장치를 이용하여 SiO2를 식각하는 과정을 설명하면 다음과 같다.
상부 가스 인젝터(90a)를 통하여 비활성 기체의 일 예로서 Ar 가스를 주입하고, 병렬 공명 코일 안테나(30)에 고주파 전력을 인가하면 플라즈마 생성공간(Ⅰ 영역)에 ICP Ar 플라즈마가 발생한다. 그리드(80)는 플로팅된 상태이기 때문에 Ar 플라즈마에 의해 플로팅(floating) 전위를 가지게 되는데 Ar 플라즈마에 비해서는 상대적으로 음의 전위(negative potential)를 가진다. 따라서, 그리드(80)의 전위보다 높은 운동에너지를 가진 전자만이 플라즈마 생성공간(Ⅰ영역)에서 그리드(80)를 통하여 처리공간(Ⅱ영역)으로 이동하게 된다.
하부 가스 인젝터(90b)를 통하여 처리공간(Ⅱ영역)으로 공급되는 공정기체 CxFy는 플라즈마 생성공간(Ⅰ영역)에서 처리공간(Ⅱ영역)으로 이동하여 온 전자들에 의해 주로 해리(dissociate)되어 플라즈마를 이루게 된다. 이 때, 전자는 CxFy 가스와 비탄성 충돌(inelastic collision)을 하여 에너지를 손실당한다. 따라서, 전자온도는 플라즈마 생성공간(Ⅰ영역)보다는 처리공간(Ⅱ영역)에서가 더 낮게 된다. 경우에 따라서는 기판 지지대(60)에도 고주파 전력을 인가할 수도 있다.
처리공간(Ⅱ영역)에서 전자온도가 낮아지기 때문에 CxFy의 해리율이 작아지게 되어 SiO2/PR, SiO2/Si 등의 식각 선택비가 향상되게 된다.
상술한 바와 같은 본 발명에 따른 플라즈마 발생장치 및 이를 이용한 SiO2박막 식각방법에 의하면, 그리드(80)를 반응공간에 설치하고, 상부 가스 인젝터(90a)를 통해서는 비활성 기체를 주입하고, 하부 가스 인젝터(90b)를 통해서는 CxFy 등의 공정기체를 주입함으로써 SiO2의 선택적 식각비를 향상시킬 수 있게 된다.
본 발명은 상기 실시예에만 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 많은 변형이 가능함은 명백하다.
Claims (14)
- 외부와 차단되는 반응공간을 제공하는 반응챔버와;상기 반응챔버의 외측 상부에 설치되고 외부로 부터 고주파 전력을 인가받아 상기 반응챔버 내에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 전극과;상기 반응공간에 수평하게 설치되어 상기 반응공간을 상부의 플라즈마 생성공간과 하부의 처리공간으로 분할하되, 상기 플라즈마 생성공간과 상기 처리공간을 서로 연결하는 복수개의 관통구멍을 갖으며, 유전체로 이루어지며 전기적으로 플로팅되는 그리드와;상기 플라즈마 생성공간에 가스를 공급하기 위한 상부 가스 인젝터와;상기 처리공간에 가스를 공급하기 위한 하부 가스 인젝터와;기판을 수평안착시키기 위하여 상기 처리공간에 설치되는 기판 지지대를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.
- 제1 항에 있어서, 상기 플라즈마 전극은 코일 안테나인 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.
- 제2 항에 있어서, 상기 코일 안테나가 병렬 공명 코일 안테나인 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.
- 제3 항에 있어서, 상기 코일 안테나에 인가되는 고주파 전력이 13.56MHz 내지 300MHz 범위의 주파수를 가지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.
- 제1 항에 있어서, 상기 기판 지지대가 외부로 부터 2MHz 내지 13. 56MHz 범위의 주파수를 가지는 고주파 전력을 인가받는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.
- 삭제
- 제1 항에 있어서, 상기 유전체가 Si, Al2O3, SiC, 또는 AlN인 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.
- 제1 항에 있어서, 상기 그리드가 10㎛ 내지 5mm의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.
- 제1 항에 있어서, 상기 그리드의 관통구멍 크기가 인치(inch)당 10 내지 500 메쉬(mesh)인 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.
- 삭제
- 제1 항에 있어서, 상기 상부 가스인젝터를 통해서는 비활성 가스가 주입되고, 상기 하부 가스인젝터를 통해서는 공정가스가 주입되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.
- 제11 항에 있어서, 상기 공정가스가 CxFy, CH2F2, CO, 또는 O2 가스인 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.
- 제1항의 플라즈마 발생장치를 이용하되, 상기 상부 가스인젝터를 통해서는 비활성 기체를 주입하고, 상기 하부 가스인젝터를 통해서는 CxFy, CH2F2, CO, 또는 O2 가스를 주입하며, 상기 플라즈마 전극에는 13.56MHz 내지 300MHz 범위의 주파수를 가지는 고주파 전력을 인가하여 상기 기판상에 형성된 SiO2박막을 식각하는 것을 특징으로 하는 SiO2 박막 식각방법.
- 제13 항에 있어서, 상기 기판 지지대에 2MHz 내지 13. 56MHz 범위의 주파수를 가지는 고주파 전력을 인가하는 것을 특징으로 하는 SiO2 박막 식각방법.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2001-0057520A KR100428813B1 (ko) | 2001-09-18 | 2001-09-18 | 플라즈마 발생장치 및 이를 이용한 ＳｉＯ₂박막 식각방법 |
| US10/235,606 US20030052087A1 (en) | 2001-09-18 | 2002-09-04 | Plasma generating apparatus and SiO2 thin film etching method using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2001-0057520A KR100428813B1 (ko) | 2001-09-18 | 2001-09-18 | 플라즈마 발생장치 및 이를 이용한 ＳｉＯ₂박막 식각방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20030024386A KR20030024386A (ko) | 2003-03-26 |
| KR100428813B1 true KR100428813B1 (ko) | 2004-04-29 |
Family
ID=19714389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2001-0057520A KR100428813B1 (ko) | 2001-09-18 | 2001-09-18 | 플라즈마 발생장치 및 이를 이용한 ＳｉＯ₂박막 식각방법 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20030052087A1 (ko) |
| KR (1) | KR100428813B1 (ko) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7381291B2 (en) * | 2004-07-29 | 2008-06-03 | Asm Japan K.K. | Dual-chamber plasma processing apparatus |
| KR101149332B1 (ko) * | 2005-07-29 | 2012-05-23 | 주성엔지니어링(주) | 플라즈마 식각 장치 |
| US9520275B2 (en) * | 2008-03-21 | 2016-12-13 | Tokyo Electron Limited | Mono-energetic neutral beam activated chemical processing system and method of using |
| KR101279353B1 (ko) * | 2011-03-10 | 2013-07-04 | (주)제이하라 | 플라즈마 발생장치 |
| KR101320620B1 (ko) * | 2012-04-10 | 2013-10-23 | 한국과학기술연구원 | 다이아몬드 합성을 위한 화학기상증착 장치 및 이를 이용한 다이아몬드 합성 방법 |
| KR101398672B1 (ko) * | 2012-09-14 | 2014-05-27 | 주식회사 선익시스템 | 플라즈마 처리장치 |
| US9978568B2 (en) | 2013-08-12 | 2018-05-22 | Tokyo Electron Limited | Self-sustained non-ambipolar direct current (DC) plasma at low power |
| US20220108874A1 (en) * | 2020-10-06 | 2022-04-07 | Applied Materials, Inc. | Low current high ion energy plasma control system |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58100431A (ja) * | 1981-12-10 | 1983-06-15 | Fujitsu Ltd | プラズマ・エツチング方法及びその装置 |
| KR930010070U (ko) * | 1991-10-14 | 1993-05-26 | 엘지일렉트론 주식회사 | 플라즈마 발생장치 |
| KR940001303A (ko) * | 1992-06-03 | 1994-01-11 | 김주용 | 감광막 제거 장치 |
| KR940017897U (ko) * | 1992-12-16 | 1994-07-28 | 현대전자산업 주식회사 | 마이크로파 반사용 그리드 |
| JPH1167737A (ja) * | 1997-08-12 | 1999-03-09 | Tokyo Electron Yamanashi Kk | プラズマ処理装置 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60169139A (ja) * | 1984-02-13 | 1985-09-02 | Canon Inc | 気相法装置 |
| JP3375646B2 (ja) * | 1991-05-31 | 2003-02-10 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置 |
| US5888414A (en) * | 1991-06-27 | 1999-03-30 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor and processes using RF inductive coupling and scavenger temperature control |
| KR100276736B1 (ko) * | 1993-10-20 | 2001-03-02 | 히가시 데쓰로 | 플라즈마 처리장치 |
| US5597439A (en) * | 1994-10-26 | 1997-01-28 | Applied Materials, Inc. | Process gas inlet and distribution passages |
| US6352049B1 (en) * | 1998-02-09 | 2002-03-05 | Applied Materials, Inc. | Plasma assisted processing chamber with separate control of species density |
| KR100338057B1 (ko) * | 1999-08-26 | 2002-05-24 | 황 철 주 | 유도 결합형 플라즈마 발생용 안테나 장치 |
| US20020185226A1 (en) * | 2000-08-10 | 2002-12-12 | Lea Leslie Michael | Plasma processing apparatus |
-
2001
- 2001-09-18 KR KR10-2001-0057520A patent/KR100428813B1/ko active IP Right Grant
-
2002
- 2002-09-04 US US10/235,606 patent/US20030052087A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58100431A (ja) * | 1981-12-10 | 1983-06-15 | Fujitsu Ltd | プラズマ・エツチング方法及びその装置 |
| KR930010070U (ko) * | 1991-10-14 | 1993-05-26 | 엘지일렉트론 주식회사 | 플라즈마 발생장치 |
| KR940001303A (ko) * | 1992-06-03 | 1994-01-11 | 김주용 | 감광막 제거 장치 |
| KR940017897U (ko) * | 1992-12-16 | 1994-07-28 | 현대전자산업 주식회사 | 마이크로파 반사용 그리드 |
| JPH1167737A (ja) * | 1997-08-12 | 1999-03-09 | Tokyo Electron Yamanashi Kk | プラズマ処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20030024386A (ko) | 2003-03-26 |
| US20030052087A1 (en) | 2003-03-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8337713B2 (en) | Methods for RF pulsing of a narrow gap capacitively coupled reactor | |
| KR101191697B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치용 실리콘 및 실리콘 카바이드 전극의표면으로부터 블랙 실리콘 및 블랙 실리콘 카바이드를제거하는 방법 | |
| US6348158B1 (en) | Plasma processing with energy supplied | |
| US4996077A (en) | Distributed ECR remote plasma processing and apparatus | |
| KR100893956B1 (ko) | 반도체 처리용 포커스링 및 플라즈마 처리 장치 | |
| KR100574141B1 (ko) | 단결정 실리콘층의 트렌치 에칭 방법 | |
| US6062237A (en) | Polymer removal from top surfaces and sidewalls of a semiconductor wafer | |
| JP3122601B2 (ja) | プラズマ成膜方法及びその装置 | |
| US20060021704A1 (en) | Method and apparatus for etching Si | |
| JPH07161702A (ja) | 酸化物のプラズマエッチング方法 | |
| KR100595065B1 (ko) | 드라이 에칭 방법 | |
| US11043387B2 (en) | Methods and apparatus for processing a substrate | |
| KR100428813B1 (ko) | 플라즈마 발생장치 및 이를 이용한 ＳｉＯ₂박막 식각방법 | |
| WO2000031787A1 (fr) | Dispositif de gravure a sec et procede de gravure a sec | |
| KR20050101214A (ko) | 플라즈마 처리 시스템에서의 에칭 동안 포토레지스트일그러짐을 감소시키는 방법 | |
| JPH09172005A (ja) | 窒化物に対して高い選択性を示すことができる、酸化物をプラズマエッチングする方法 | |
| KR20040096380A (ko) | 산화 금속막 증착 챔버의 세정 방법 및 이를 수행하기위한 증착 장치 | |
| JP3172340B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| KR100420533B1 (ko) | 플라즈마 공정장치 및 이를 이용한 플라즈마 식각방법 | |
| US6432730B2 (en) | Plasma processing method and apparatus | |
| KR20050001831A (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
| KR100390541B1 (ko) | 포토레지스트에 대해 고선택비의 에칭이 가능한반도체장치 및 그의 제조 방법 | |
| JP2003100710A (ja) | ドライエッチング方法及び装置 | |
| KR20220097191A (ko) | 화합물 반도체 웨이퍼에서 트렌치 피처를 icp 에칭하는 방법 및 장치 | |
| CN116420430A (zh) | 基板处理方法和基板处理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130410 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140402 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150303 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160329 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180403 Year of fee payment: 15 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190328 Year of fee payment: 16 |