KR940001303A - 감광막 제거 장치 - Google Patents

감광막 제거 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR940001303A
KR940001303A KR1019920009643A KR920009643A KR940001303A KR 940001303 A KR940001303 A KR 940001303A KR 1019920009643 A KR1019920009643 A KR 1019920009643A KR 920009643 A KR920009643 A KR 920009643A KR 940001303 A KR940001303 A KR 940001303A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
grid electrode
gas diffusion
removing apparatus
plasma
photosensitive film
Prior art date
Application number
KR1019920009643A
Other languages
English (en)
Other versions
KR950006977B1 (ko
Inventor
박희국
Original Assignee
김주용
현대전자산업주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR1019920009643A priority Critical patent/KR950006977B1/ko
Publication of KR940001303A publication Critical patent/KR940001303A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR950006977B1 publication Critical patent/KR950006977B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 감광막 제거장치에 관한 것이므로, 플라즈마 발생원에서 발생된 산소 양이온을 제거하기 위하여 종래의 가스분사막에 부전압을 인가하게 되는 가스확산 그리드전극으로 대체하여 양이온 플라즈마를 제거함으로써 반도체 소자의 열화를 방지하여 소자의 신뢰도를 증가시키는 감광막 제거장치에 관한 것이다.

Description

감광막 제거 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 감광막 제거장치의 개략적인 구성도.

Claims (1)

  1. 플라즈마 발생원(1)과, 반응실(2)와, 플라즈마 주입관(3)과, 웨이퍼 홀더(5)와, 진공펌프(6)를 구비한 감광막 제거장치에 있어서, 상기 반응지대(2)의 산소 양이온을 제거하기 위해 상기 플라즈마 주입관(3)의 출구에 설치되되, 전도체인 그리드 전극으로 구성된 가스확산 그리드전극(8)과, 상기 가스확산 그리드전극(8)에 부전압을 가하도록 연결된 가변전압조절기(7)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 감광막 제거장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920009643A 1992-06-03 1992-06-03 감광막 제거 장치 KR950006977B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019920009643A KR950006977B1 (ko) 1992-06-03 1992-06-03 감광막 제거 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019920009643A KR950006977B1 (ko) 1992-06-03 1992-06-03 감광막 제거 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR940001303A true KR940001303A (ko) 1994-01-11
KR950006977B1 KR950006977B1 (ko) 1995-06-26

Family

ID=19334141

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019920009643A KR950006977B1 (ko) 1992-06-03 1992-06-03 감광막 제거 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR950006977B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100428813B1 (ko) * 2001-09-18 2004-04-29 주성엔지니어링(주) 플라즈마 발생장치 및 이를 이용한 ＳｉＯ₂박막 식각방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100428813B1 (ko) * 2001-09-18 2004-04-29 주성엔지니어링(주) 플라즈마 발생장치 및 이를 이용한 ＳｉＯ₂박막 식각방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR950006977B1 (ko) 1995-06-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR870008379A (ko) 반도체 웨이퍼상에 포토레지스트 박리방법
KR960702674A (ko) 플라즈마 처리방법(plasma processing method)
KR940001303A (ko) 감광막 제거 장치
KR900701034A (ko) 플라즈마 핀치 시스템과 그 사용방법
KR880012154A (ko) 크로마토그래피적 분리물질의 정량분석용 박충 크로마토그래피 염 이온화 검출기
KR910015719A (ko) 물리증착 챔버내에서 실드를 세척시키기 위한 방법
KR970053116A (ko) 건식 감광액 제거장치
KR940006315A (ko) 가스레이저 장치
KR880002033A (ko) 백열광 방전 시스템이 구비된 광 cvd 장치
JPS56134789A (en) Lateral exciting type laser oscillator
KR970053287A (ko) 웨이퍼 고정장치
JPS5732637A (en) Dry etching apparatus
JPH02119124A (ja) プラズマ処理装置
O'Hora et al. Flash exposure system for thin photoresist films
KR980005735A (ko) 반도체 소자의 파티클 제거 장치
KR970049090A (ko) 실리콘 질화막의 습식 삭각 방법
KR970077300A (ko) 반도체 제조용 건식 식각 장치
KR890011011A (ko) 반도체 기판의 실리콘 산화물층이 스트립된 반도체 장치 제조 방법
KR950006999A (ko) 웨이퍼 표면 산화막 제거방법
RU93030779A (ru) Электроразрядное устройство для возбуждения газовых сред
JPS5647574A (en) Plasma etching apparatus
KR950013329A (ko) 플라즈마 발생열 제거방법
KR910013470A (ko) 반도체 실리콘 웨이퍼의 뒷면 식각장치
JPH0487333A (ja) レーザアシスト処理装置
KR960005777A (ko) 전기장을 이용한 이온주입 방법 및 그 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20040331

Year of fee payment: 10

LAPS Lapse due to unpaid annual fee