RU2008144954A - Установка плазменного осаждения и способ изготовления солнечных элементов - Google Patents
Установка плазменного осаждения и способ изготовления солнечных элементов Download PDFInfo
- Publication number
- RU2008144954A RU2008144954A RU2008144954/02A RU2008144954A RU2008144954A RU 2008144954 A RU2008144954 A RU 2008144954A RU 2008144954/02 A RU2008144954/02 A RU 2008144954/02A RU 2008144954 A RU2008144954 A RU 2008144954A RU 2008144954 A RU2008144954 A RU 2008144954A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- solar cells
- substrate
- plasma
- deposition apparatus
- plasma deposition
- Prior art date
Links
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims abstract 65
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract 55
- 238000009434 installation Methods 0.000 title claims 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 73
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract 69
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract 28
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 claims abstract 11
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract 9
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 8
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 8
- -1 vapor Substances 0.000 claims abstract 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract 7
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 6
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims abstract 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 claims abstract 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract 4
- HVMJUDPAXRRVQO-UHFFFAOYSA-N copper indium Chemical compound [Cu].[In] HVMJUDPAXRRVQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims abstract 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract 4
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims abstract 4
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- WXRGABKACDFXMG-UHFFFAOYSA-N trimethylborane Chemical compound CB(C)C WXRGABKACDFXMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- ZZEMEJKDTZOXOI-UHFFFAOYSA-N digallium;selenium(2-) Chemical compound [Ga+3].[Ga+3].[Se-2].[Se-2].[Se-2] ZZEMEJKDTZOXOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 21
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims 17
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 claims 16
- 239000000047 product Substances 0.000 claims 13
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 6
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims 3
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 claims 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 claims 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 abstract 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/507—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using external electrodes, e.g. in tunnel type reactors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/513—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using plasma jets
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
- H01L31/0322—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312 comprising only AIBIIICVI chalcopyrite compounds, e.g. Cu In Se2, Cu Ga Se2, Cu In Ga Se2
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
- H01L31/202—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials including only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
- H01L31/206—Particular processes or apparatus for continuous treatment of the devices, e.g. roll-to roll processes, multi-chamber deposition
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B10/00—Integration of renewable energy sources in buildings
- Y02B10/10—Photovoltaic [PV]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
1. Установка плазменного осаждения для изготовления солнечных элементов, содержащая ! средства для поддержания подложки; ! средства для поставки реагентов; и ! средства плазменной горелки для осаждения продукта на упомянутой подложке, упомянутые средства плазменной горелки размещены на расстоянии от упомянутой подложки. ! 2. Установка плазменного осаждения для изготовления солнечных элементов по п.1, в которой упомянутыми осажденными солнечными элементами являются кремниевые тонкопленочные солнечные элементы. ! 3. Установка плазменного осаждения для изготовления солнечных элементов по п.1, в которой упомянутыми осажденными солнечными элементами являются медь-индий-галлий-диселенидовые CIGS - (Copper Indium Gallium diselenide) тонкопленочные солнечные элементы. ! 4. Установка плазменного осаждения для изготовления солнечных элементов по п.1, в которой упомянутые реагенты могут быть в форме, выбранной из группы, состоящей из газа, пара, аэрозоля, маленьких частиц и порошка. ! 5. Установка плазменного осаждения для изготовления солнечных элементов по п.1, в которой упомянутым плазмоформирующим газом является газ аргон. ! 6. Установка плазменного осаждения для изготовления солнечных элементов по п.1, в которой упомянутый продукт производят с помощью газа, выбранного из силана, водорода, метана, диборана, триметилборана, фосфина и их смесей. ! 7. Установка плазменного осаждения для изготовления солнечных элементов по п.1, в которой упомянутый продукт производят из реагентов, содержащих химические продукты, выбранные из группы, состоящей из меди, индия, галлия, селена и их смесей. ! 8. Установка плазменного осаждения для изготовлени�
Claims (67)
1. Установка плазменного осаждения для изготовления солнечных элементов, содержащая
средства для поддержания подложки;
средства для поставки реагентов; и
средства плазменной горелки для осаждения продукта на упомянутой подложке, упомянутые средства плазменной горелки размещены на расстоянии от упомянутой подложки.
2. Установка плазменного осаждения для изготовления солнечных элементов по п.1, в которой упомянутыми осажденными солнечными элементами являются кремниевые тонкопленочные солнечные элементы.
3. Установка плазменного осаждения для изготовления солнечных элементов по п.1, в которой упомянутыми осажденными солнечными элементами являются медь-индий-галлий-диселенидовые CIGS - (Copper Indium Gallium diselenide) тонкопленочные солнечные элементы.
4. Установка плазменного осаждения для изготовления солнечных элементов по п.1, в которой упомянутые реагенты могут быть в форме, выбранной из группы, состоящей из газа, пара, аэрозоля, маленьких частиц и порошка.
5. Установка плазменного осаждения для изготовления солнечных элементов по п.1, в которой упомянутым плазмоформирующим газом является газ аргон.
6. Установка плазменного осаждения для изготовления солнечных элементов по п.1, в которой упомянутый продукт производят с помощью газа, выбранного из силана, водорода, метана, диборана, триметилборана, фосфина и их смесей.
7. Установка плазменного осаждения для изготовления солнечных элементов по п.1, в которой упомянутый продукт производят из реагентов, содержащих химические продукты, выбранные из группы, состоящей из меди, индия, галлия, селена и их смесей.
8. Установка плазменного осаждения для изготовления солнечных элементов по п.1, в которой упомянутую подложку выбирают из группы, состоящей из покрытого оксидом олова стекла и покрытого молибденом стекла.
9. Установка плазменного осаждения для изготовления солнечных элементов по п.1, в которой упомянутое расстояние есть между упомянутым средством плазменной горелки и упомянутой подложкой, составляет примерно 30-50 мм.
10. Установка плазменного осаждения для изготовления солнечных элементов включает в себя:
конвейер, имеющий продольную ось для поддержания, по меньшей мере, одной подложки;
по меньшей мере, два модуля, каждый имеет, по меньшей мере, одну плазменную горелку для осаждения слоя продукта реакции на упомянутой, по меньшей мере, одной подложке, упомянутая, по меньшей мере, одна плазменная горелка, расположена на расстоянии от упомянутой, по меньшей мере, одной подложки;
камеру для вмещения упомянутого конвейера и упомянутых, по меньшей мере, двух модулей; и систему выпуска отработанных газов.
11. Установка плазменного осаждения для изготовления солнечных элементов по п.10, в которой упомянутая камера дополнительно включает в себя:
вход и входной газонепроницаемый занавес для изолирования упомянутой камеры от окружающей среды снаружи упомянутой камеры; и выход и выходной газонепроницаемый занавес для изолирования упомянутой камеры от окружающей среды снаружи упомянутой камеры.
12. Установка плазменного осаждения для изготовления солнечных элементов по п.11, в которой упомянутые газовые занавеси содержат инертный газ, выбранный из группы, состоящей из гелия, неона, аргона и их смесей.
13. Установка плазменного осаждения для изготовления солнечных элементов по п.10, в которой упомянутая система выпуска отработанных газов дополнительно содержит:
выпускные каналы для удаления побочных газов и частиц из упомянутой камеры.
14. Установка плазменного осаждения для изготовления солнечных элементов по п.10, в которой упомянутая система выпуска отработанных газов контролирует парциальное давление в упомянутой камере.
15. Установка плазменного осаждения для изготовления солнечных элементов по п.10, в которой упомянутая, по меньшей мере, одна плазменная горелка расположена в ряд, перпендикулярно к упомянутой продольной оси упомянутого конвейера для проведения осаждения упомянутого продукта реакции на упомянутой, по меньшей мере, одной подложке.
16. Установка плазменного осаждения для изготовления солнечных элементов по п.10, в которой упомянутый конвейер является температурно регулируемым, чтобы поддерживать оптимальную температуру осаждения упомянутого продукта реакции на упомянутой, по меньшей мере, одной подложке.
17. Установка плазменного осаждения для изготовления солнечных элементов по п.10, в которой упомянутая, по меньшей мере, одна плазменная горелка является индуктивно связанной плазменной горелкой.
18. Установка плазменного осаждения для изготовления солнечных элементов по п.10, в которой упомянутые, по меньшей мере, два модуля осаждают упомянутый продукт реакции на упомянутое множество подложек при разных положениях внутри упомянутой камеры.
19. Установка плазменного осаждения для изготовления солнечных элементов по п.10, в которой упомянутый конвейер передвигает упомянутую, по меньшей мере, одну подложку из упомянутого входа к упомянутому выходу.
20. Установка плазменного осаждения для изготовления солнечных элементов по п.10, в которой упомянутый конвейер передвигает упомянутую, по меньшей мере, одну подложку относительно упомянутых, по меньшей мере, двух модулей для обеспечения непрерывного процесса осаждения.
21. Установка плазменного осаждения для изготовления солнечных элементов по п.10, в которой упомянутый продукт реакции содержит в себе примесь n-типа и примесь p-типа, которые осаждаются из разных модулей, из упомянутых, по меньшей мере, двух модулей.
22. Установка плазменного осаждения для изготовления солнечных элементов по п.10, в которой упомянутый продукт реакции содержит в себе, по меньшей мере, два разных продукта реакции, которые осаждаются из разных модулей, по меньшей мере, двух модулей.
23. Установка плазменного осаждения для изготовления солнечных элементов по п.10, в которой упомянутые, по меньшей мере, два модуля осаждают упомянутый продукт реакции последовательно на упомянутую, по меньшей мере, одну подложку вдоль упомянутого конвейера.
24. Установка плазменного осаждения для изготовления солнечных элементов по п.10, в которой упомянутые солнечные элементы выбирают из группы, состоящей из слоистых структур p-i-n и n-i-p типа.
25. Установка плазменного осаждения для изготовления солнечных элементов включает в себя:
конвейер, имеющий продольную ось для поддержания, по меньшей мере, одной подложки;
модуля, имеющего в первом ряду, по меньшей мере, одну высокочастотную индуктивно связанную плазменную горелку, перпендикулярном упомянутой продольной оси, для осаждения слоя продукта реакции поверх по существу всего, по меньшей мере, одного направления поверхности упомянутой, по меньшей мере, одной подложки, упомянутая, по меньшей мере, одна высокочастотная плазменная горелка содержит:
индукционную катушку, охватывающую каждую упомянутую, по меньшей мере, одну высокочастотную индуктивно связанную плазменную горелку, расположенную на расстоянии от упомянутой, по меньшей мере, одной подложки;
плазменный газовый источник, соединенный с упомянутой, по меньшей мере, одной высокочастотной индуктивно связанной плазменной горелки;
химический источник исходного материала упомянутого слоя продукта реакции, соединенный с упомянутой одной высокочастотной индуктивно связанной плазменной горелкой;
камеру для вмещения упомянутого контейнера и упомянутого модуля; и
систему выпуска отработанных газов.
26. Установка плазменного осаждения для изготовления солнечных элементов по п.25, дополнительно содержащая второй ряд, по меньшей мере, одной высокочастотной плазменной горелки, расположенный соседним к упомянутому первому ряду, по меньшей мере, одной высокочастотной плазменной горелки, для осаждения слоя продукта реакции поверх, по существу, всего, по меньшей мере, одного направления поверхности упомянутой, по меньшей мере, одной подложки.
27. Установка плазменного осаждения для изготовления солнечных элементов по п.25, в которой упомянутое расстояние между упомянутой катушкой и упомянутой, по меньшей мере, одной подложкой находится между примерно 30-55 мм.
28. Установка плазменного осаждения для изготовления солнечных элементов по п.26, в которой упомянутая, по меньшей мере, одна высокочастотная индуктивно связанная плазменная горелка дополнительно содержит:
по меньшей мере, один канал для ввода, соединенный с упомянутым газовым источником исходного вещества, для введения указанного газового источника исходного вещества, в указанную, по меньшей мере, одну высокочастотную индуктивно связанную плазменную горелку.
29. Установка плазменного осаждения для изготовления солнечных элементов по п.25, в которой упомянутая, по меньшей мере, одна высокочастотная индуктивно связанная плазменная горелка содержит:
наружную кварцевую трубку;
внутреннюю кварцевую трубку; и
камеру, соединяющую упомянутую наружную кварцевую трубку и упомянутую внутреннюю кварцевую трубку, в которой упомянутый плазменный газовый источник соединяется с упомянутой камерой, чтобы обеспечить упомянутый плазменный газовый источник между упомянутой наружной кварцевой трубкой и упомянутой внутренней кварцевой трубкой.
30. Установка плазменного осаждения для изготовления солнечных элементов по п.29, в которой упомянутая наружная кварцевая трубка имеет длину примерно 180-400 мм.
31. Установка плазменного осаждения для изготовления солнечных элементов по п.29, в которой упомянутая наружная кварцевая трубка имеет диаметр примерно 50-90 мм.
32. Установка плазменного осаждения для изготовления солнечных элементов по п.29, в которой упомянутая внутренняя кварцевая трубка имеет длину примерно 120-180 мм.
33. Установка плазменного осаждения для изготовления солнечных элементов по п.29, в которой упомянутая внутренняя кварцевая трубка имеет диаметр примерно 50-70 мм.
34. Установка плазменного осаждения для изготовления солнечных элементов по п.25, в которой упомянутая индукционная катушка содержит множество витков, имеющих диаметр больше, чем диаметр упомянутой наружной кварцевой трубки и расположенных отдельно друг от друга на расстоянии примерно 2-10 мм.
35. Установка плазменного осаждения для изготовления солнечных элементов по п.25, в которой упомянутое расстояние между упомянутой индукционной катушкой и упомянутой, по меньшей мере, одной подложкой находится между примерно 30-55 мм.
36. Установка плазменного осаждения для изготовления солнечных элементов по п.25 дополнительно содержит высокочастотный генератор, соединенный с упомянутой индукционной катушкой.
37. Установка плазменного осаждения для изготовления солнечных элементов по п.25, в которой упомянутый первый ряд, по меньшей мере, одной высокочастотной плазменной горелки и упомянутый второй ряд, по меньшей мере, одной высокочастотной плазменной горелки колеблются относительно друг друга.
38. Способ образования слоя солнечных элементов на подложке в камере осаждения включает в себя:
поддержание упомянутой подложки;
обеспечение высокочастотной индуктивно связанной плазменной горелки, содержащей катушку, упомянутую индуктивно связанную плазменную горелку выбирают, расположенной вдоль области поверхности одной стороны упомянутой подложки на расстоянии в 30-55 мм, отделяющем упомянутую катушку от упомянутой подложки;
введение плазменного газа, состоящего в основном из инертного газа, в упомянутую высокочастотную индуктивно связанную плазменную горелку, чтобы образовать плазму внутри упомянутой катушки;
введение химического источника исходного материала в упомянутую высокочастотную индуктивно связанную плазменную горелку; и
осаждение продукта упомянутой индуктивно связанной плазменной горелки и упомянутого газового источника исходного материала на упомянутую подложку наряду с сохранением промежутка между упомянутой подложкой и упомянутой катушкой.
39. Способ образования слоя солнечных элементов на подложке по п.38 дополнительно содержит регулирование парциального давления внутри упомянутой камеры.
40. Способ образования слоя солнечных элементов на подложке по п.38 дополнительно содержит удаление парциального давления в упомянутой камере.
41. Способ образования слоя солнечных элементов на подложке по п.38 дополнительно содержит контролирование парциального давления внутри упомянутой камеры.
42. Способ образования слоя солнечных элементов на подложке по п.38 дополнительно содержит контролирование температуры упомянутой подложки для поддержания оптимальной температуры осаждения упомянутого продукта реакции на упомянутой подложке.
43. Способ образования слоя солнечных элементов на подложке по п.38, в котором упомянутый продукт реакции выбирают из группы, состоящей из чистых и легированных тонкопленочных слоев кремния и медь-индий-галлий-диселенида (CIGS).
44. Способ образования слоя солнечных элементов на, по меньшей мере, одной подложке в камере осаждения содержит:
поддержание упомянутой, по меньшей мере, одной подложки на конвейере, имеющем продольную ось;
обеспечение, по меньшей мере, двух модулей, размещенных отдельно друг от друга вдоль упомянутой продольной оси упомянутого конвейера, каждый из упомянутых, по меньшей мере, двух модулей имеет, по меньшей мере, одну плазменную горелку для осаждения продукта реакции на упомянутой, по меньшей мере, одной подложке, упомянутая, по меньшей мере, одна плазменная горелка, расположенная на расстоянии от упомянутой, по меньшей мере, одной подложки, упомянутая, по меньшей мере, одна плазменная горелка включает в себя катушку, упомянутую индуктивно связанную плазменную горелку выбирают расположенной вдоль области поверхности одной стороны упомянутой подложки с расстоянием в 30-55 мм, отделяющим упомянутую катушку от упомянутой подложки;
введение плазменного газа, состоящего в основном из инертного газа в упомянутую высокочастотную индуктивно связанную плазменную горелку для формирования плазмы внутри упомянутой катушки;
введение химического источника исходного материала в упомянутую высокочастотную индуктивно связанную плазменную горелку;
осаждение продукта реакции упомянутой индуктивно связанной плазменной горелки и упомянутого газового источника исходного материала на упомянутую подложку, в то время как поддерживается расстояние между упомянутой подложкой и упомянутой катушкой; и
передвижение упомянутой, по меньшей мере, одной подложки вдоль упомянутой продольной оси.
45. Способ образования слоя солнечных элементов на подложке по п.44 дополнительно включает в себя регулирование парциального давления внутри упомянутой камеры.
46. Способ образования слоя солнечных элементов на подложке по п.44 дополнительно включает в себя удаление парциального давления в упомянутой камере.
47. Способ образования слоя солнечных элементов на подложке по п.44 дополнительно включает в себя контролирование парциального давления внутри упомянутой камеры.
48. Способ образования слоя солнечных элементов на подложке по п.44 дополнительно включает в себя регулирование температуры упомянутой подложки, чтобы поддерживать оптимальную температуру осаждения упомянутого продукта реакции на упомянутой подложке.
49. Способ образования слоя солнечных элементов на подложке по п.44, в котором упомянутый продукт реакции выбирают из группы, состоящей из тонкопленочных слоев чистого и легированного кремния и медь-индий-галлий-диселенида (CIGS).
50. Установка плазменного осаждения для изготовления солнечных элементов содержащая
средства для поддержания подложки;
средства для поставки реагентов;
средства плазменной горелки для проведения осаждения продукта на упомянутой подложке, упомянутое средство плазменной горелки размещено на расстоянии от упомянутой подложки; и
средства для осуществления колебания упомянутого плазменного факела относительно упомянутой подложки.
51. Установка плазменного осаждения для изготовления солнечных элементов по п.50, в которой упомянутыми осажденными солнечными элементами являются кремниевые тонкопленочные солнечные элементы.
52. Установка плазменного осаждения для изготовления солнечных элементов по п.50, в которой упомянутыми осажденными солнечными элементами являются медь-индий-галлия-диселенидовые тонкопленочные солнечные элементы (CIGS).
53. Установка плазменного осаждения для изготовления солнечных элементов по п.50, в которой упомянутые реагенты находятся в состоянии, выбранном из группы, состоящей из газа, пара, аэрозоля, маленьких частиц или порошка.
54. Установка плазменного осаждения для изготовления солнечных элементов по п.50, в которой плазмоформирующим газом является газ аргон.
55. Установка плазменного осаждения для изготовления солнечных элементов по п.50, в которой упомянутый продукт получают с помощью газа, выбранного из силана, водорода, метана, диборана, триметилборана, фосфина и их смесей.
56. Установка плазменного осаждения для изготовления солнечных элементов по п.50, в которой упомянутый продукт производят из реагентов, содержащих химические продукты, выбранные из группы, состоящей из меди, индия, галлия, селена и их смесей.
57. Установка плазменного осаждения для изготовления солнечных элементов по п.50, в которой упомянутую подложку выбирают из группы, состоящей из покрытого оксидом олова стекла и покрытого молибденом стекла.
58. Установка плазменного осаждения для изготовления солнечных элементов по п.50, в которой упомянутое расстояние между упомянутым средством плазменной горелки и упомянутой подложкой, составляет, примерно, 30-55 мм.
59. Способ образования слоя солнечных элементов на, по меньшей мере, одной подложке в камере осаждения содержит
поддержание подложки;
снабжение реагентами;
осаждение продукта на упомянутой подложке с помощью средств плазменной горелки, упомянутые средства плазменной горелки размещены на расстоянии от упомянутой подложки; и
осуществление колебания упомянутых средств плазменной горелки относительно упомянутой подложки.
60. Способ образования слоя солнечных элементов на, по меньшей мере, одной подложке по п.59, в котором упомянутые осажденные солнечные элементы являются кремниевыми тонкопленочными солнечными элементами.
61. Способ образования слоя солнечных элементов на, по меньшей мере, одной подложке по п.59, в котором упомянутыми осажденными солнечными элементами являются медь-индий-галлия-диселенидовые тонкопленочные солнечные элементы.
62. Способ образования слоя солнечных элементов на, по меньшей мере, одной подложке по п.59, в котором упомянутые реагенты находятся в форме, выбранной из группы, состоящей из газа, пара, аэрозоля, маленьких частиц или порошка.
63. Способ образования слоя солнечных элементов на, по меньшей мере, одной подложке по п.59, в котором упомянутым плазмоформирующим газом является газ аргон.
64. Способ образования слоя солнечных элементов на, по меньшей мере, одной подложке по п.59, в котором упомянутый продукт получают с помощью газа, выбранного из силана, водорода, метана, диборана, триметилборана, фосфина и их смесей.
65. Способ образования слоя солнечных элементов на, по меньшей мере, одной подложке по п.59, в котором упомянутый продукт производят из реагентов, содержащих химические продукты, выбранные из группы, состоящей из меди, индия, галлия, селена и их смесей.
66. Способ образования слоя солнечных элементов на, по меньшей мере, одной подложке по п.59, в котором упомянутую подложку выбирают из группы, состоящей из покрытого оксидом олова стекла и покрытого молибденом стекла.
67. Способ образования слоя солнечных элементов на, по меньшей мере, одной подложке по п.59, в котором упомянутое расстояние есть между упомянутым средством плазменной горелки и упомянутой подложкой, составляет примерно 30-55 мм.
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US79188306P | 2006-04-14 | 2006-04-14 | |
| US60/791,883 | 2006-04-14 | ||
| US81557506P | 2006-06-22 | 2006-06-22 | |
| US60/815,575 | 2006-06-22 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2008144954A true RU2008144954A (ru) | 2010-05-20 |
| RU2435874C2 RU2435874C2 (ru) | 2011-12-10 |
Family
ID=38610182
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2008144954/02A RU2435874C2 (ru) | 2006-04-14 | 2007-04-13 | Установка плазменного осаждения и способ изготовления солнечных элементов |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20070243338A1 (ru) |
| EP (2) | EP2007919A2 (ru) |
| JP (2) | JP2009533872A (ru) |
| BR (1) | BRPI0710139A2 (ru) |
| CA (1) | CA2649520A1 (ru) |
| RU (1) | RU2435874C2 (ru) |
| TW (1) | TW200807738A (ru) |
| WO (1) | WO2007120776A2 (ru) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090056877A1 (en) | 2007-08-31 | 2009-03-05 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| WO2009033674A2 (en) * | 2007-09-11 | 2009-03-19 | Centrotherm Photovoltaics Ag | Method and apparatus for thermally converting metallic precursor layers into semiconducting layers, and also solar module |
| US20090215224A1 (en) * | 2008-02-21 | 2009-08-27 | Film Solar Tech Inc. | Coating methods and apparatus for making a cigs solar cell |
| US20090233007A1 (en) * | 2008-03-17 | 2009-09-17 | Nanopv Technologies Inc. | Chemical vapor deposition reactor and method |
| US20090229663A1 (en) * | 2008-03-17 | 2009-09-17 | Nanopv Technologies Inc. | Nanocrystalline photovoltaic device |
| US20090229664A1 (en) * | 2008-03-17 | 2009-09-17 | Nanopv Technologies Inc. | Method of manufacturing nanocrystalline photovoltaic devices |
| JP5099101B2 (ja) * | 2009-01-23 | 2012-12-12 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| FR2944520B1 (fr) * | 2009-04-17 | 2011-05-20 | Similelt | Procede et installation pour la purification du silicium metallurgique. |
| US20110086462A1 (en) * | 2009-10-08 | 2011-04-14 | Ovshinsky Stanford R | Process for Manufacturing Solar Cells including Ambient Pressure Plasma Torch Step |
| US8298887B2 (en) * | 2009-12-03 | 2012-10-30 | Applied Materials, Inc. | High mobility monolithic p-i-n diodes |
| US8563354B1 (en) | 2010-10-05 | 2013-10-22 | University Of South Florida | Advanced 2-step, solid source deposition approach to the manufacture of CIGS solar modules |
| GB2493022B (en) | 2011-07-21 | 2014-04-23 | Ilika Technologies Ltd | Vapour deposition process for the preparation of a phosphate compound |
| GB2493020B (en) * | 2011-07-21 | 2014-04-23 | Ilika Technologies Ltd | Vapour deposition process for the preparation of a chemical compound |
| CN103094038B (zh) | 2011-10-27 | 2017-01-11 | 松下知识产权经营株式会社 | 等离子体处理装置以及等离子体处理方法 |
| JP5510437B2 (ja) * | 2011-12-07 | 2014-06-04 | パナソニック株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| US10115565B2 (en) * | 2012-03-02 | 2018-10-30 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| JP5861045B2 (ja) * | 2013-03-28 | 2016-02-16 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | プラズマ処理装置及び方法 |
| JP6292769B2 (ja) * | 2013-05-30 | 2018-03-14 | 小島プレス工業株式会社 | プラズマｃｖｄ装置及びプラズマｃｖｄ膜の形成方法 |
| EP3173507A1 (de) * | 2015-11-25 | 2017-05-31 | Umicore AG & Co. KG | Verfahren zur metallorganischen gasphasenabscheidung unter verwendung von lösungen von indiumalkylverbindungen in kohlenwasserstoffen |
Family Cites Families (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2432478B1 (ru) * | 1978-07-31 | 1982-03-12 | Quartz & Silice | |
| US4292342A (en) * | 1980-05-09 | 1981-09-29 | Motorola, Inc. | High pressure plasma deposition of silicon |
| US4382099A (en) * | 1981-10-26 | 1983-05-03 | Motorola, Inc. | Dopant predeposition from high pressure plasma source |
| US4798660A (en) | 1985-07-16 | 1989-01-17 | Atlantic Richfield Company | Method for forming Cu In Se2 films |
| JPH01179789A (ja) * | 1988-01-12 | 1989-07-17 | Fujitsu Ltd | ダイヤモンドの気相成長方法と熱プラズマ堆積方法およびプラズマ噴射装置 |
| JPS63310795A (ja) * | 1987-06-11 | 1988-12-19 | Fujitsu Ltd | マイクロ波プラズマジェットによるダイヤモンド気相合成方法 |
| JPH01201481A (ja) * | 1987-10-13 | 1989-08-14 | Fujitsu Ltd | 高圧相窒化ほう素の気相合成方法及び装置 |
| US5045409A (en) | 1987-11-27 | 1991-09-03 | Atlantic Richfield Company | Process for making thin film solar cell |
| US5141564A (en) | 1988-05-03 | 1992-08-25 | The Boeing Company | Mixed ternary heterojunction solar cell |
| US4853250A (en) * | 1988-05-11 | 1989-08-01 | Universite De Sherbrooke | Process of depositing particulate material on a substrate |
| US4915745A (en) | 1988-09-22 | 1990-04-10 | Atlantic Richfield Company | Thin film solar cell and method of making |
| JPH02248397A (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-04 | Onoda Cement Co Ltd | ダイヤモンドの製造装置および製造方法 |
| JPH0555615A (ja) * | 1991-08-28 | 1993-03-05 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜太陽電池の製造方法 |
| JPH05226260A (ja) * | 1992-02-13 | 1993-09-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光電変換素子の製造方法およびその製造装置 |
| US5436204A (en) | 1993-04-12 | 1995-07-25 | Midwest Research Institute | Recrystallization method to selenization of thin-film Cu(In,Ga)Se2 for semiconductor device applications |
| US5441897A (en) | 1993-04-12 | 1995-08-15 | Midwest Research Institute | Method of fabricating high-efficiency Cu(In,Ga)(SeS)2 thin films for solar cells |
| US5356839A (en) | 1993-04-12 | 1994-10-18 | Midwest Research Institute | Enhanced quality thin film Cu(In,Ga)Se2 for semiconductor device applications by vapor-phase recrystallization |
| GB2301939B (en) | 1994-03-25 | 1998-10-21 | Amoco Enron Solar | Increasing Stabilized Performance of Amorphous Silicon Based Devices Produced by Highly Hydrogen Diluted Lower Temperature Plasma Deposition |
| US5730852A (en) | 1995-09-25 | 1998-03-24 | Davis, Joseph & Negley | Preparation of cuxinygazsen (X=0-2, Y=0-2, Z=0-2, N=0-3) precursor films by electrodeposition for fabricating high efficiency solar cells |
| JP3249408B2 (ja) | 1996-10-25 | 2002-01-21 | 昭和シェル石油株式会社 | 薄膜太陽電池の薄膜光吸収層の製造方法及び製造装置 |
| US6121541A (en) | 1997-07-28 | 2000-09-19 | Bp Solarex | Monolithic multi-junction solar cells with amorphous silicon and CIS and their alloys |
| US6258620B1 (en) | 1997-10-15 | 2001-07-10 | University Of South Florida | Method of manufacturing CIGS photovoltaic devices |
| JP3581546B2 (ja) | 1997-11-27 | 2004-10-27 | キヤノン株式会社 | 微結晶シリコン膜形成方法および光起電力素子の製造方法 |
| US6253580B1 (en) * | 1997-12-19 | 2001-07-03 | Fibercore, Inc. | Method of making a tubular member for optical fiber production using plasma outside vapor deposition |
| JPH11261089A (ja) * | 1998-03-16 | 1999-09-24 | Toshiba Corp | 太陽電池の製造方法 |
| US6536240B1 (en) | 1998-04-10 | 2003-03-25 | Mikhail Ivanovich Gouskov | Method of making an optical fiber preform via multiple plasma depositing and sintering steps |
| US6214706B1 (en) | 1998-08-28 | 2001-04-10 | Mv Systems, Inc. | Hot wire chemical vapor deposition method and apparatus using graphite hot rods |
| US5976614A (en) | 1998-10-13 | 1999-11-02 | Midwest Research Institute | Preparation of cuxinygazsen precursor films and powders by electroless deposition |
| JP2000150938A (ja) * | 1998-11-06 | 2000-05-30 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Ｉｂ−ＩＩＩｂ−ＶＩｂ２族化合物半導体薄膜の形成方法およびこの方法で形成された薄膜を有する太陽電池素子 |
| US6281098B1 (en) | 1999-06-15 | 2001-08-28 | Midwest Research Institute | Process for Polycrystalline film silicon growth |
| WO2001037324A1 (en) | 1999-11-16 | 2001-05-25 | Midwest Research Institute | A NOVEL PROCESSING APPROACH TOWARDS THE FORMATION OF THIN-FILM Cu(In,Ga)Se¿2? |
| JP4743730B2 (ja) * | 2000-08-07 | 2011-08-10 | 吉田 豊信 | 熱プラズマｃｖｄによるシリコン薄膜の堆積方法 |
| DE10104615A1 (de) * | 2001-02-02 | 2002-08-14 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Erzeugung einer Funktionsbeschichtung mit einer HF-ICP-Plasmastrahlquelle |
| US6397776B1 (en) * | 2001-06-11 | 2002-06-04 | General Electric Company | Apparatus for large area chemical vapor deposition using multiple expanding thermal plasma generators |
| US20030027054A1 (en) * | 2001-08-01 | 2003-02-06 | Ball Laura J. | Method for making photomask material by plasma induction |
| JP4353405B2 (ja) * | 2002-06-14 | 2009-10-28 | 積水化学工業株式会社 | 酸化膜形成装置及び酸化膜形成方法 |
| NL1022155C2 (nl) * | 2002-12-12 | 2004-06-22 | Otb Group Bv | Werkwijze, alsmede inrichting voor het behandelen van een oppervlak van ten minste één substraat. |
| WO2004070811A1 (ja) * | 2003-02-06 | 2004-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 半導体製造装置 |
| FR2864795B1 (fr) * | 2004-01-06 | 2008-04-18 | Air Liquide | Procede de traitement des gaz par des decharges hautes frequence |
| JP2005213616A (ja) * | 2004-01-30 | 2005-08-11 | Pioneer Electronic Corp | 蒸着方法および装置ならびにプラズマディスプレイパネルの製造方法 |
-
2007
- 2007-04-13 EP EP07775287A patent/EP2007919A2/en not_active Withdrawn
- 2007-04-13 RU RU2008144954/02A patent/RU2435874C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2007-04-13 US US11/783,969 patent/US20070243338A1/en not_active Abandoned
- 2007-04-13 EP EP11175652A patent/EP2383368A2/en not_active Withdrawn
- 2007-04-13 BR BRPI0710139-2A patent/BRPI0710139A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2007-04-13 WO PCT/US2007/009046 patent/WO2007120776A2/en active Application Filing
- 2007-04-13 CA CA002649520A patent/CA2649520A1/en not_active Abandoned
- 2007-04-13 JP JP2009505481A patent/JP2009533872A/ja active Pending
- 2007-04-14 TW TW096113216A patent/TW200807738A/zh unknown
-
2012
- 2012-03-19 JP JP2012062538A patent/JP2012138611A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP2007919A2 (en) | 2008-12-31 |
| TW200807738A (en) | 2008-02-01 |
| CA2649520A1 (en) | 2007-10-25 |
| RU2435874C2 (ru) | 2011-12-10 |
| WO2007120776A2 (en) | 2007-10-25 |
| WO2007120776A8 (en) | 2009-03-05 |
| EP2383368A2 (en) | 2011-11-02 |
| JP2009533872A (ja) | 2009-09-17 |
| WO2007120776A3 (en) | 2008-02-28 |
| JP2012138611A (ja) | 2012-07-19 |
| US20070243338A1 (en) | 2007-10-18 |
| BRPI0710139A2 (pt) | 2011-08-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2008144954A (ru) | Установка плазменного осаждения и способ изготовления солнечных элементов | |
| US5016562A (en) | Modular continuous vapor deposition system | |
| JP5309426B2 (ja) | 微結晶シリコン膜形成方法及び太陽電池 | |
| US8613984B2 (en) | Plasma vapor deposition system and method for making multi-junction silicon thin film solar cell modules and panels | |
| RU2454751C1 (ru) | Устройство плазменного осаждения из паровой фазы и способ получения многопереходных кремниевых тонкопленочных модулей и панелей солнечного элемента | |
| US8865259B2 (en) | Method and system for inline chemical vapor deposition | |
| US20060236933A1 (en) | Roll-vortex plasma chemical vapor deposition system | |
| WO2002058121A1 (fr) | Procede et dispositif pour depot chimique en phase vapeur assiste par plasma | |
| CN101245448A (zh) | 单室等离子箱制作薄膜硅光电转换器件的方法 | |
| US20100009489A1 (en) | Method and system for producing a solar cell using atmospheric pressure plasma chemical vapor deposition | |
| WO2012170166A2 (en) | Method and system for inline chemical vapor deposition | |
| CN101479403A (zh) | 用于制作太阳能电池的等离子沉积设备和方法 | |
| JP3684013B2 (ja) | 半導体薄膜及び光起電力素子の作製装置 | |
| US20090050058A1 (en) | Programmed high speed deposition of amorphous, nanocrystalline, microcrystalline, or polycrystalline materials having low intrinsic defect density | |
| JP2810529B2 (ja) | 堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置 | |
| US20090031951A1 (en) | Programmed high speed deposition of amorphous, nanocrystalline, microcrystalline, or polycrystalline materials having low intrinsic defect density | |
| JPH06184755A (ja) | 堆積膜形成方法および堆積膜形成装置 | |
| JP3732340B2 (ja) | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 | |
| JP2011096962A (ja) | 薄膜太陽電池の製造方法および製造装置 | |
| JPH04239722A (ja) | マイクロ波プラズマｃｖｄ法により大面積の機能性堆積膜を連続的に形成する方法及び装置 | |
| JPH09219368A (ja) | 半導体薄膜の形成装置 | |
| JP2013175780A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JPH05190461A (ja) | 機能性堆積膜の連続形成方法および装置 | |
| JPS62230980A (ja) | 堆積膜形成法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20120414 |