JP6292769B2 - プラズマcvd装置及びプラズマcvd膜の形成方法 - Google Patents
プラズマcvd装置及びプラズマcvd膜の形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6292769B2 JP6292769B2 JP2013114168A JP2013114168A JP6292769B2 JP 6292769 B2 JP6292769 B2 JP 6292769B2 JP 2013114168 A JP2013114168 A JP 2013114168A JP 2013114168 A JP2013114168 A JP 2013114168A JP 6292769 B2 JP6292769 B2 JP 6292769B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- plasma
- torch
- reaction chamber
- tube
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Description
14 アンダーコート層 16 トップコート層
18 中間製品 20,74,76,78 プラズマCVD装置
22 真空チャンバ 24 誘導結合型プラズマトーチユニット
38 排気パイプ 40 真空ポンプ
44 誘導結合型プラズマトーチ 46 高周波電源装置
48 第一ガス供給パイプ 50 トーチ管
52 誘導コイル 54 吹出口
62 第一ガスボンベ 66 第二ガス供給パイプ
70 第二ガスボンベ
Claims (9)
- プラズマガスを利用して、基材の表面上にプラズマCVD膜を積層形成するプラズマCVD装置であって、
前記基材を収容する反応室と、
該反応室内の空気を排出して、該反応室内を真空状態とする排気手段と、
円筒管の端部を次第に小径化するテーパ筒形状として、前記反応室内に開口する吹出口を形成したトーチ管と、該トーチ管と同軸的に延びるように配置された誘導コイルと、該誘導コイルに高周波電流を供給する高周波電源手段と、該トーチ管内に、該トーチ管の前記吹出口の開口面積よりも大きな開口面積を有するガス供給口を通じて、前記プラズマCVD膜の主成分を含む原料ガスと、該原料ガス中の成分と反応する成分を含む反応ガスのうちの何れか一方を供給するトーチ管用ガス供給手段とを有し、該高周波電源手段から該誘導コイルへの通電によって該トーチ管内に生じる高周波電磁界により、該トーチ管内に供給された該一方のガスをプラズマ化して、前記プラズマガスを発生させると共に、該プラズマガスを、該トーチ管の前記吹出口を通じて前記反応室内に吹き出させる誘導結合型プラズマトーチユニットの複数を、それぞれのトーチ管の吹出口が、前記基材の表面に向けて開口した状態で、互いに隣り合うように並設して構成されるプラズマトーチユニット群と、
前記原料ガスと前記反応ガスのうちの何れか他方を前記反応室内に供給する反応室用ガス供給手段と、
前記複数の誘導結合型プラズマトーチユニットのそれぞれに設けられた、前記誘導コイルの全体を外側から覆う筒状の電磁シールド部材と、
を含んで構成したことを特徴とするプラズマCVD装置。 - プラズマガスを利用して、基材の表面上にプラズマCVD膜を積層形成するプラズマCVD装置であって、
前記基材を収容する反応室と、
該反応室内の空気を排出して、該反応室内を真空状態とする排気手段と、
円筒管の端部を次第に小径化するテーパ筒形状として、前記反応室内に開口する吹出口を形成したトーチ管と、該トーチ管と同軸的に延びるように配置された誘導コイルと、該誘導コイルに高周波電流を供給する高周波電源手段と、該トーチ管内に、該トーチ管の前記吹出口の開口面積よりも大きな合計開口面積を有する二つのガス供給口を通じて、前記プラズマCVD膜の主成分を含む原料ガスと、該原料ガス中の成分と反応する成分を含む反応ガスとをそれぞれ供給するトーチ管用ガス供給手段とを有し、該高周波電源手段から該誘導コイルへの通電によって該トーチ管内に生じる高周波電磁界により、該トーチ管内に供給された該原料ガスと該反応ガスとをプラズマ化して、該原料ガスがプラズマ化したプラズマガスと該反応ガスがプラズマ化したプラズマガスとを発生させると共に、それらのプラズマガスを、該トーチ管の前記吹出口を通じて該反応室内に吹き出させる誘導結合型プラズマトーチユニットの複数を、それぞれのトーチ管の吹出口が、前記基材の表面に向けて開口した状態で、互いに隣り合うように並設して構成されるプラズマトーチユニット群と、
前記複数の誘導結合型プラズマトーチユニットのそれぞれに設けられた、前記誘導コイルの全体を外側から覆う筒状の電磁シールド部材と、
を含んで構成したことを特徴とするプラズマCVD装置。 - 前記吹出口を通じて、前記トーチ管内から吹き出される前記プラズマガスの単位時間当たりの吹出量が、前記トーチ管用ガス供給手段にて該トーチ管内に供給される前記原料ガスや前記反応ガスの単位時間あたりの供給量よりも小さくなるように、該吹出口の大きさが設定されて、該トーチ管内に該原料ガスや該反応ガスが供給されたときの該トーチ管の内圧が、真空状態とされた前記チャンバの内圧よりも高くなるように構成されている請求項1又は請求項2に記載のプラズマCVD装置。
- 前記反応室用ガス供給手段が、前記反応室の側壁部を貫通して該反応室内に突入し、先端開口部が水平方向に開口するように配置されたガス供給パイプを有しており、該ガス供給パイプの先端開口部から、前記原料ガスと反応ガスのうちの何れか他方が、前記トーチ管の吹出口と前記基材との間の空間に向かって、吹き出されるようになっている請求項1に記載のプラズマCVD装置。
- プラズマガスを利用して、基材の表面上にプラズマCVD膜を積層形成する方法であって、
前記基材を反応室内に収容する工程と、
該反応室内の空気を排出して、該反応室内を真空状態とする工程と、
円筒管の端部を次第に小径化するテーパ筒形状として、該反応室内に開口する吹出口を形成したトーチ管と、該トーチ管と同軸的に延びるように配置された誘導コイルとを有する誘導結合型プラズマトーチの複数を並設すると共に、それら誘導結合型プラズマトーチのそれぞれの誘導コイルの全体を外側から個別に覆う筒状の電磁シールド部材を設けて、互いに隣り合う誘導結合型プラズマトーチのトーチ管内に発生せしめられる高周波電磁界同士が相互に干渉するのを防止しつつ、それらトーチ管内に、それぞれ、該トーチ管の前記吹出口の開口面積よりも大きな開口面積を有するガス供給口を通じて、前記プラズマCVD膜の主成分を含む原料ガスと、該原料ガス中の成分と反応する成分を含む反応ガスのうちの何れか一方を供給する一方、各誘導結合型プラズマトーチの誘導コイルに高周波電流を供給して、それぞれのトーチ管内に高周波電磁界を発生させることにより、それらトーチ管内に供給された該一方のガスをプラズマ化し、前記プラズマガスを発生させて、該プラズマガスを、それぞれのトーチ管の前記吹出口を通じて前記反応室内に吹き出させる工程と、
前記原料ガスと前記反応ガスのうちの何れか他方を、前記反応室内に導入して、前記誘導結合型プラズマトーチの複数から該反応室内にそれぞれ吹き出された前記プラズマガスと接触させることによって、該他方のガスをプラズマ化する一方、該反応室内で、該原料ガスがプラズマ化したプラズマガスと該反応ガスがプラズマ化したプラズマガスとを反応させて、生成物を生成すると共に、該反応室内に収容された前記基材の表面上に、該生成物を堆積させることにより、前記プラズマCVD膜を積層形成する工程と、
を含むことを特徴とするプラズマCVD膜の形成方法。 - プラズマガスを利用して、基材の表面上にプラズマCVD膜を積層形成する方法であって、
前記基材を反応室内に収容する工程と、
該反応室内の空気を排出して、該反応室内を真空状態とする工程と、
円筒管の端部を次第に小径化するテーパ筒形状として、該反応室内に開口する吹出口を形成したトーチ管と、該トーチ管と同軸的に延びるように配置された誘導コイルとを有する誘導結合型プラズマトーチの複数を並設すると共に、それら誘導結合型プラズマトーチのそれぞれの誘導コイルの全体を外側から個別に覆う筒状の電磁シールド部材を設けて、互いに隣り合う誘導結合型プラズマトーチのトーチ管内に発生せしめられる高周波電磁界同士が相互に干渉するのを防止しつつ、それらトーチ管内に、それぞれ、該トーチ管の前記吹出口の開口面積よりも大きな合計開口面積を有する二つのガス供給口を通じて、前記プラズマCVD膜の主成分を含む原料ガスと、該原料ガス中の成分と反応する成分を含む反応ガスとをそれぞれ供給する一方、各誘導結合型プラズマトーチの誘導コイルに高周波電流を供給して、それぞれのトーチ管内に高周波電磁界を発生させることにより、それらトーチ管内に供給された該原料ガスと該反応ガスとをそれぞれプラズマ化し、該原料ガスがプラズマ化したプラズマガスと該反応ガスがプラズマ化したプラズマガスとを発生させて、それらのプラズマガスを、それぞれのトーチ管の前記吹出口を通じて前記反応室内に吹き出させる工程と、
前記反応室内で、前記原料ガスのプラズマガスと前記反応ガスのプラズマガスとを反応させて、生成物を生成すると共に、該反応室内に収容された前記基材の表面に、該生成物を堆積させることにより、前記プラズマCVD膜を積層形成する工程と、
を含むことを特徴とするプラズマCVD膜の形成方法。 - 基材の表面にプラズマCVD膜が積層形成されてなる積層品の製造方法であって、
前記基材を準備する工程と、
該基材の表面に対して、前記プラズマCVD膜を、前記請求項5又は6に記載の形成方法によって積層形成する工程と、
を含むことを特徴とする積層品の製造方法。 - ポリカーボネート製の樹脂成形品からなる樹脂基材の表面上にアンダーコート層が積層形成されると共に、該アンダーコート層上に、珪素化合物からなるプラズマCVD層が更に積層形成されてなる樹脂製品の製造方法であって、
前記樹脂基材を準備する工程と、
該樹脂基材の表面に、前記アンダーコート層を積層形成する工程と、
該アンダーコート層が積層形成された前記樹脂基材を反応室内に収容した後、該反応室内を真空状態とする工程と、
円筒管の端部を次第に小径化するテーパ筒形状として、該反応室内に開口する吹出口を形成したトーチ管と、該トーチ管と同軸的に延びるように配置された誘導コイルとを有する誘導結合型プラズマトーチの複数を並設すると共に、それら誘導結合型プラズマトーチのそれぞれの誘導コイルの全体を外側から個別に覆う筒状の電磁シールド部材を設けて、互いに隣り合う誘導結合型プラズマトーチのトーチ管内に発生せしめられる高周波電磁界同士が相互に干渉するのを防止しつつ、それらトーチ管内に、それぞれ、該トーチ管の前記吹出口の開口面積よりも大きな開口面積を有するガス供給口を通じて、珪素を含む原料ガスと、該原料ガス中の珪素と反応する成分を含む反応ガスのうちの何れか一方を供給する一方、各誘導結合型プラズマトーチの誘導コイルに高周波電流を供給して、それぞれのトーチ管内に高周波電磁界を発生させることにより、それらトーチ管内に供給されたガスをプラズマ化し、前記プラズマガスを発生させて、該プラズマガスを、それぞれのトーチ管の前記吹出口を通じて前記反応室内に吹き出させる工程と、
前記原料ガスと前記反応ガスのうちの何れか他方を、前記反応室内に導入して、前記誘導結合型プラズマトーチの複数から該反応室内にそれぞれ吹き出された前記プラズマガスと接触させることにより、該他方のガスをプラズマ化する一方、該反応室内で、該原料ガスがプラズマ化したプラズマガスと該反応ガスがプラズマ化したプラズマガスとを反応させて、前記珪素化合物を生成すると共に、該反応室内に収容される前記基材表面に積層された前記アンダーコート層上に、該珪素化合物を堆積させることにより、該珪素化合物からなる前記プラズマCVD膜を積層形成する工程と、
を含むことを特徴とする樹脂製品の製造方法。 - ポリカーボネート製の樹脂成形品からなる樹脂基材の表面上にアンダーコート層が積層形成されると共に、該アンダーコート層上に、珪素化合物からなるプラズマCVD膜が更に積層形成されてなる樹脂製品の製造方法であって、
前記樹脂基材を準備する工程と、
該樹脂基材の表面に、前記アンダーコート層を積層形成する工程と、
該アンダーコート層が積層形成された前記樹脂基材を反応室内に収容した後、該反応室内を真空状態とする工程と、
円筒管の端部を次第に小径化するテーパ筒形状として、該反応室内に開口する吹出口を形成したトーチ管と、該トーチ管と同軸的に延びるように配置された誘導コイルとを有する誘導結合型プラズマトーチの複数を並設すると共に、それら誘導結合型プラズマトーチのそれぞれの誘導コイルの全体を外側から個別に覆う筒状の電磁シールド部材を設けて、互いに隣り合う誘導結合型プラズマトーチのトーチ管内に発生せしめられる高周波電磁界同士が相互に干渉するのを防止しつつ、それらトーチ管内に、それぞれ、該トーチ管の前記吹出口の開口面積よりも大きな合計開口面積を有する二つのガス供給口を通じて、珪素を含む原料ガスと、該原料ガス中の珪素と反応する成分を含む反応ガスとをそれぞれ供給する一方、各誘導結合型プラズマトーチの誘導コイルに高周波電流を供給して、それぞれのトーチ管内に高周波電磁界を発生させることにより、それらトーチ管内に供給された該原料ガスと該反応ガスとをそれぞれプラズマ化し、該原料ガスがプラズマ化したプラズマガスと該反応ガスがプラズマ化したプラズマガスとを発生させて、それらのプラズマガスを、それぞれのトーチ管の前記吹出口を通じて前記反応室内に吹き出させる工程と、
前記反応室内で、前記原料ガスのプラズマガスと前記反応ガスのプラズマガスとを反応させて、前記珪素化合物を生成すると共に、該反応室内に収容される前記基材表面に積層された前記アンダーコート層上に、該珪素化合物を堆積させることにより、該珪素化合物からなる前記プラズマCVD膜を積層形成する工程と、
を含むことを特徴とする樹脂製品の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013114168A JP6292769B2 (ja) | 2013-05-30 | 2013-05-30 | プラズマcvd装置及びプラズマcvd膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013114168A JP6292769B2 (ja) | 2013-05-30 | 2013-05-30 | プラズマcvd装置及びプラズマcvd膜の形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014231636A JP2014231636A (ja) | 2014-12-11 |
JP6292769B2 true JP6292769B2 (ja) | 2018-03-14 |
Family
ID=52125212
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013114168A Expired - Fee Related JP6292769B2 (ja) | 2013-05-30 | 2013-05-30 | プラズマcvd装置及びプラズマcvd膜の形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6292769B2 (ja) |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6070551A (en) * | 1996-05-13 | 2000-06-06 | Applied Materials, Inc. | Deposition chamber and method for depositing low dielectric constant films |
DE10104614A1 (de) * | 2001-02-02 | 2002-08-22 | Bosch Gmbh Robert | Plasmaanlage und Verfahren zur Erzeugung einer Funktionsbeschichtung |
JP2003273033A (ja) * | 2002-03-14 | 2003-09-26 | Crystage Co Ltd | プラズマ反応装置 |
JP2005175242A (ja) * | 2003-12-12 | 2005-06-30 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 薄膜作製装置及び薄膜作製方法 |
JP4567979B2 (ja) * | 2004-01-15 | 2010-10-27 | キヤノンアネルバ株式会社 | プラズマ処理システム及びプラズマ処理方法 |
JP2006073354A (ja) * | 2004-09-02 | 2006-03-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2006310481A (ja) * | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Elpida Memory Inc | Cvd装置 |
CA2649520A1 (en) * | 2006-04-14 | 2007-10-25 | Silica Tech, Llc | Plasma deposition apparatus and method for making solar cells |
JP5595897B2 (ja) * | 2010-12-24 | 2014-09-24 | 小島プレス工業株式会社 | 樹脂製品の製造方法 |
JP2013098067A (ja) * | 2011-11-02 | 2013-05-20 | Panasonic Corp | プラズマ処理装置及び方法 |
-
2013
- 2013-05-30 JP JP2013114168A patent/JP6292769B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014231636A (ja) | 2014-12-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5789149B2 (ja) | 原子層成長方法及び原子層成長装置 | |
JP6386519B2 (ja) | Cvd装置、及び、cvd膜の製造方法 | |
JP5115522B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
US7989365B2 (en) | Remote plasma source seasoning | |
EP2683836B1 (en) | Method and apparatus for treating containers | |
WO2010103732A1 (ja) | 原子層堆積装置 | |
US9410245B2 (en) | Gas-barrier plastic molded product and manufacturing process therefor | |
WO2005041285A1 (ja) | シャワーヘッド及びこれを用いた成膜装置 | |
JP2006507197A (ja) | 容器にプラズマ被覆を付着させる方法及び装置 | |
WO2009104379A1 (ja) | 原子層成長装置および原子層成長方法 | |
WO2012091095A1 (ja) | ガスバリア性プラスチック成形体の製造方法 | |
WO2014073686A1 (ja) | オゾン発生装置、及び、オゾン発生方法 | |
JP2021520630A (ja) | H2プラズマを用いた流動性膜の硬化 | |
JP3161394B2 (ja) | プラズマcvd装置 | |
JP5069581B2 (ja) | ガスバリア膜の成膜方法、ガスバリアフィルムおよび有機el素子 | |
JP2010153531A (ja) | 半導体製造装置 | |
JP5156552B2 (ja) | ガスバリアフィルムの製造方法 | |
JP2017168788A (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム | |
JPWO2005059202A1 (ja) | 薄膜形成方法並びに該方法により薄膜が形成された基材 | |
JP4575998B2 (ja) | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 | |
JP4132982B2 (ja) | Dlc膜コーティングプラスチック容器の製造装置 | |
JP6292769B2 (ja) | プラズマcvd装置及びプラズマcvd膜の形成方法 | |
JP2005105294A (ja) | Cvd成膜装置及びcvd膜コーティングプラスチック容器の製造方法 | |
JP5985338B2 (ja) | プラズマcvd装置 | |
JP5215685B2 (ja) | 原子層成長装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151225 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160926 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161101 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161226 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170606 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170807 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180206 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180213 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6292769 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |