TW563185B - Method and device for plasma CVD - Google Patents
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Description
563185 五、發明說明（1) [技術領域] 本發明有關於電漿CVD法及裝置，特別有關於可以在基 板之兩面形成膜厚均一性優良之薄膜之電漿CVD法和裝 置。 、 [背景技術] 一般所使用之太陽電池其構成是在基板上使用Si或化合 物半導體等形成pn接面或pin接面，用來對從表面射入之 太陽光進行光電變換，但是另外提案之太陽電池更利用從 基板之背面側射入之光，其目的是增大發電量。此種太陽 電池成為如圖7所示之構造，其製作是在丨型之結晶矽丨〇 1 之兩側，利用電漿CVD法分別堆積p型非晶形。（1)型^31) 膜102和η型非晶形3丨（11型3-^)膜1〇3，然後在該等之上利 用濺散法形成透明電極丨04，利用網版印刷法形成集極電 極 1 0 5。 > 在a-Si膜之堆積時，使用如圖8(b)所示之平行平板型之 電漿CVD裝置。該裝置由負載鎖定室11〇，加熱室12〇，用 以堆積a-Si膜之電漿CVD(PCVD)室13〇和冷卻室14〇構成。 各，室經由閘閥1 〇 6連結，i型矽基板丨〇 i如圖8 (a)所示， 被安裝在成為背板之基板保持器1〇7上，依照圖8(b)之箭 頭方向，序的被搬運。亦即，將如圖8 (a)之基板安裝在基 板保持器上之後，將該基板保持器插入到負載鎖定室 110，對室内進行排氣。使閘閥開放，搬運到加熱室12〇， 利用加熱器1 21將基板加熱到指定之溫度後，將其搬運到 平行平板型PCVD室130。當基板保持器被搬運到pCVD室13〇
563185 五、發明說明（2) 時，導入薄膜形成用氣體（SiHVPH3氣體），將高頻電力供 給到高頻電極131，用來產生電漿，藉以在矽基板1〇ι上形 成η型a-Si膜。然後，將基板保持器發送到冷卻室14〇。 在基板溫度下降後，使冷卻室1 4 0回到大氣，取出基板 保持器1 0 7 ’使石夕基板1 0 1反轉用來在基板之相反側面形成 P型a-Si膜。將該基板保持器再度的放入圖8(b)之電浆 裝置之負載鎖定室，重複進行同樣之處理，堆積p型3一以 膜藉以形成pin接面。另外，在PCVD室導入作為薄膜形成 用氣體之SiH4/B2H6。 、y 然後’利用滅散裝置在石夕基板1 0 1之兩面形成I τ q等之透 明導電膜，然後利用網版印刷等形成集極電極藉以完成太 陽電池之製造。 [發明之揭示] 依照上述之方式，在習知之a-Si膜之堆積時，使用有平 行平板型電漿CVD裝置。但是，在利用平行平板型pcvD裝 置於高電阻基板或絕緣性基板上形成薄膜之情況時，因為 在基板之背面沒有背板’所以高頻電流難以通過基板流” 動，在基板表面之電漿密度會顯著的降低。其結果是在基 板中心部和周邊部產生膜厚差，難以獲得膜厚均一性良^ 之薄膜為其缺點。此種缺點在基板變大時變為顯著。因 此，要形成高膜厚均一性之薄膜時，用以形成高頻電流之 通，之背板是不可缺者，但是基板兩面成膜之生產效率會 顯著的降低為其問題。亦即，在一面形成薄膜之後，需^ 取出基板使其反轉之作業，因此’負載鎖定室之排氣，冷
563185 五、發明說明（3) 卻至之通風和基板加熱·冷卻工程需要2次。 私另1卜壯為著要提高通量（thr〇Ugh put)需要2組之圖8(b) ，所以會造成生產裝置全體之大型化和成本之 增加為其問題。 + < 狀況，本發明之目的是提供電漿CVD法及裝置， 之反轉工程就可以在基板之兩面形成膜厚均-
性優良之薄膜。 J ㈣本粟發置明之之播第1態樣是電漿CVD法和電漿CVD裝置，其電漿 裝置之構造是在設有氣體供給口和排氣口之真空室 ^ ’ ϋ至少2個之具有供電部和接地部之感應耗合型電 ;哭=保持基板之外周端部使基板兩面露出之基板保 徵i從上、十口配？在上述之2個感應麵合型電極之間；其特 氣體供給系統導入薄膜形成用氣體和對上述 ^ ^ ^ , . A f用耒者上述之感應耦合型電極 / : L : 之兩面同時的或順序的形成薄膜。 ϋ士構建成為在上述之真空室設置第2氣體供給 #給Ϊ ^變換2種氣體之導入和對2個感應麵合型電極 ^. 可以在基板兩面形成不同之薄膜。另外，設置 基板保持器分割成：2個/膜=“的流到被該分隔 β^ 珉之2個成膜空間，依照此種方式，經由 呑周I氣流和在母一 屮η社日日 ^ n ^ ^ ^個成膜空間設置排氣口，可以在基板兩 面同時形成不同之薄膜。 另外，經由構建忐盔μ @ 極，被配置在同— J = ;固之上述之感應搞合型電 十面内之電極設置3層以上，在該電極
563185 五、發明說明（4) ::之間之各㈤’配置上述之基板保持器，可 生產效率極高之電漿CVD裝置。 來 ⑽本Λ明二/2態樣是電漿CVD法和電聚cvd裝置，其電漿 耦：型電朽是在内部配置具有供電部和接地部之感應 ，口型電極，和連結2個設有氣體供給口和排氣口之真空 ΐ夕f f倣是：將用以保持基板之外周端部使基板兩面露 ^之基板保持器，搬運到上述2個真空室之第丨真空室，經 由軋體供給π導入第丨薄膜形成用氣體，和對感應耦合型 電極之供電部供給高頻電力，用來產生電漿，在面對該感 應耦合型電極之基板之表面上形成第丨薄膜之後，將上述 之基板保持器搬運到第2真空室，使形成有上述第丨薄膜之 面之相反側之面，面對感應耦合型電極，經由氣體供給口 導入第2薄膜形成氣體，和對感應耦合型電極之供電部供 給高頻電力，用來產生電漿，藉以在形成有上述第！薄膜 之表面之相反側之基板表面，形成第2薄膜。 另外’要成為咼量產效率之裝置時，亦可以設置多個之 上述之感應耗合型電極’被配置在同^ 平面内之電極列， 在上述之第1真空室（或第2真空室）設置η層（11為2以上之整 數）’在上述之第2真空至（或第1真空室）設置（η — 1)層，在 該電極列層之間配置2個之基板保持器。 [本發明之最佳實施形態] 下面將根據圖式用來洋細的說明本發明之實施形態。 (第1實施形態） 圖1表示本發明之第1實施形態。圖1是概略圖，用來表
\\312\2d-code\91-04\91100926.ptd 第 7 頁 563185 五、發明說明（5) 示使用在圖7所示之太^ ^ 例。 μ不义太㈣電池之生產之電漿CVD裝置之一實 20電裝置如圖1(&)所示，由負載鎖定室10，加熱室 士電漿CVD(PCVD)室30，和第2pcvD室4〇和冷卻室5〇 保拄^各個/、經由閑閥61〜64連結。基板1被保持在基板 +、、态，成為使基板兩面之薄膜形成面成為露出之方 ^ π Π ’如圖^⑴所示’可以使基板之周邊端部被具有 汗 平面4和壓板5包夾，和以螺絲6固定。 保持有多個基板之基板保持器3被安裝在載子2(圖 在被設於各室之轨道上，依照圖Ua)之箭頭之方 ^ ^备恭#精以在各至進行指定之處理。亦即，基板保持 定室10被搬運到加熱室2〇，在該處利用紅外線 二…口 ；、裔仗基板保持器3之兩側進行加熱處理，加熱 」4n疋:ΐ。然後，順序的搬運到第1pcvd室3〇和第2ρ_ if兩面分別形成η·—Si膜和p*-Sij^。薄 、/成後，基板保持裔在冷卻室5〇被冷卻到指定之溫度 炻1皮Ϊif外部，和搬運到m等之透明導電膜和集極電 ° m ί置。另外，代替冷卻室者亦可以連結濺散室 :使#置構造成為在a-Si膜形成後，立即形成透明導電 膜0 第1PCVD室30之構造使用圖1(b)、（c)進行說明。 圖1 (b)和（c)分別以從正面看到之概略圖和從面向搬運 方向看到之模式圖’用來表示室内部。在⑽室設有薄膜 形成用軋體（例如Sii^/PH3氣體）之供給配管31和排氣口
563185 五、發明說明（6) " ' ' "— 32，在室内部設有於t央被折返之形狀之感應耦合型電極 3 3。感應耦合型電極3 3之一端部之供電部3 4經由同軸電纜 8連接到高頻電源7，另外一端部之接地部35連結到室壁^ 被接地。 裝載有基板保持器3之載子2被搬入到pcvD室30，使位於 虛線所不位置之基板保持器固定夾具36閉合，如實線所示 的從兩側接觸基板保持器和進行固定。在此種狀態，經由' 供給配管31將Sil^/PH3氣體導入到室内，在設定成為 指疋之壓力後，將高頻電力供給到感應耦合型電極3 3。、％ 著電極33產生電漿，在面對電極33之基板表面堆積11型/σ a:Si膜、。這時，在基板成膜面之相反側亦有氣體流入，但 疋電漿被基板保持器和基板保持器固定夾具遮蔽，不會 入走側，所以在電極之相反側之基板表面不會形成薄膜。
在形成指定之膜厚之後，停止電力之供給和氣體之導 2，對室内進行排氣。然後，使閘閥63開放，將基板保 器搬運到第2PCVD室40。圖1(d)是面向搬運方向看第2pcvD 室内部所看到之概略圖，除了將感應耦合型電極43配置在 基板保持器之相反側之位置外，具有與第lpcvD室相同之 構造。當基板保持器被搬運到第2pcVD室4〇 器固定夹具46進行閉合，用來固定基板料器。這時呆持％ 酉己管41將ΜΑΗ6氣體導入到室内，對感應耗 〇 ，電極43供給向頻電力，在形成有η型a-Si膜之面之相 ^，之基板表面，堆積P型a-Si膜。依照此種方式，在丨型 、心曰曰夕基板之兩侧堆積P型a - s丨和n型a _ S i膜，用來形成 第9頁 \\312\2d-code\9l-04\91100926.ptd 563185
五、發明說明（7) Pin接面。 搬^ 2上述之方式，將基板保持器3裝載在載子2，順序的 型a S·各個室，可以連續的在基板之兩面形成P型a_Si和11 土 d — & 1 膜 〇 膜，t上Ϊ之方式，要以習知之平行平板型PCVD裝置形成 配Π 良之薄膜時，'必需在基板之成膜面之相反侧 板因此，要進行兩面成膜時，不可缺少的要有基 =轉工程，而且需要2次之加熱.冷卻工程等。另外 反轉而ΐΐΓ明之電⑽D裝置中’因為不需要將基板 之力:熱’冷卻工程只需要1次即可，所以 另外，要以習和可以提高通量（thr〇ugh put)。 載鎖定室、加献室：高通量生產時，需要2組之負 之實施开彡能由…w CVD至，和冷卻室，但是在圖1所示 ^ 7心中，除了需要2個之PCVD室外，其他之處理室 積和I:為1個，因此可以大幅的減小裝置全體之設置面 表不U子型之感應耦合型電極，但是在中央被折返之 形狀之感應耦合型電榀w 7 ττ —,， 被折返 「口」字型之矩形去，除了υ子型外，例如亦可以成為 與折返部之間之距離，t 處最好使供電部34和接地部35 自然數倍，可以產生成ί而頻之激振波長之大致1/2或其 是指當U字型之情況時維持更穩定之放電。另外，折返部 「〕」字型之情況時是以圓狀之部份，當 等之電極，例如不一定：:艮/線電極之間之直線部。該 要成為將1根之棒材料折曲形成一
C:\2D-C0DE\91-04\91100926.ptd 第10頁 563185 五、發明說明（8) ，者’例如亦可以成為利用金屬板等將2根之直 加以連接·固定所形成之構造。 另外，在本發=中亦可以使用棒狀之電極。其兩端為供 ：人甘“ ▲部和接地部之距離成為激振波 長之大致1 / 2或其自然數倍。 (第2實施形態） 在圖1之電漿CVD裝置中，構成在不同之pcvD室堆積p型 二型a_Si门膜、但产亦可以在1個之PCVD室内，於基板之兩 2成不同之，膜。圖2表示可以採用此種方式之本發明 2實鉍：態。裝置全體如圖2(a)所示，除了pc仰室成 為1個外，其他之構造與圖1相同。 本實施形態之電衆CVD室30如圖2(b)、（c)所示，在室内 ，置2個之感應麵合型電極，各個之供電部34,34，連接到 =電源。在該2個電極之間’搬入和固定基板保持器。 ^ S ^連結2種之薄膜形成用氣體（SiH4/PH3氣體 和S 1 H4 / B2 H6氣體）之供給配管3 1，3 1，。 在該裝置當將基板保持器搬運到PCVD室3〇時，首先，經 由氣體供給配管31將Sil/PH3氣體導入到室内，當設定在 指定之壓力後，對電極33供給高頻電力，沿著電極33產生 電漿。利用此種方式，在面對電極33之基板上堆積n型 a- Si膜。在堆積指定膜厚之薄膣你 給，對室内進行排氣。 膜後’停止電力和氣體之供 然後，經由氣體供給配管31，導入 的對電極33供給電力用來產生電製，在面；電極33,之基
563185 五、發明說明（9) 板上堆積指定膜厚之ρ型a _ S i膜’用來形成p i η接面。然 後，搬運到冷卻室5 〇，冷卻後取出到外部。 依照上述之方式，可以在同一室内形成不同種類之薄 膜。 (第3實施形態） 在圖2之實例中是構建成為在η型a-Si膜之形成後，形成 P型a-Si膜，但是亦可以同時形成2種之薄膜。圖3表示可 以同時成膜之第3實施形態。 電漿CVD裝置除了圖3所示之PCVD室外，具有與圖2(a)相 同之構造。本實施形態之PCVD室具有下列部份與圖2(b)、 (c)不同。亦即，在圖2中，充分程度的遮蔽藉以防止在η 型或ρ型a-Si膜之成膜空間產生之電漿朝向相反側之成膜 空間擴散，在P型或η型成膜面形成薄膜。但是，在第3實 施形態中，最好使基板保持器固定夾具36之長度儘可能的 接近至之長度，擔任分割板之任務用來分離η型和ρ型&一 $ i 膜之成膜空間，藉以防止氣體之互相污染（cr〇ss contamination)。另外，室之長度與基板保持器之長度成 為相同之程度，用來減小間隙。另外，與各個成膜空g 應的，没置2個之軋體供給配管和排氣口 3 2，3 2，。在此種 情況，集合排氣口32和32,之下游之排氣氣體（32 氣系成為一系列。 當同時導入2種氣體時，會有氣體通過基板保持器 隔板與室内壁之間之間隙互相流入之情況，但是 之載子濃度大致由臈中所含有之p元素和B元素之濃度差=
563185 五、發明說明（10) 即使=^右田與n型^1膜所含之1"元素之數密度比較時， 二；ίΒ \量之:元素’或是與此相反的，當與P型a_Si 辛：度比較時，即使混入有微量之P元 所希望iir性亦大致不會有影響，可以獲得具有 所布！之特性之太陽電池。 進一步的$: ’絰由在同-室内進行同時成膜，可以更 進步的縮短PCVD室之運轉間隔。 另外，在本實施形態中是 個設置排氣口 ^ ϋ成為在2個成膜空間之各 中央部設置!個之職口。另構外建成二如 以兼用作為基板保持器固定另夾外 1對所於^隔板，因為亦可 基板保持器之構造，但是在J c為分隔板接觸在 情況時，或是配置另夕卜之= = ί =持器固定爽具之 隔板連接在基板保持器，即使月:一疋要” 亦可以抑制互相污染。 八有3隙！由氣流之調節等 (第4實施形態） 在上述之實施形態中， 型和η型a-Si膜之製造裴置和’翻、疋、矽基板上直接形成Ρ 面和i /η接面部之缺陷，养^坆方法，但是要減小P/ 1接 在P型和η型心膜之形成3前改/太陽電池特性3時，最好 i型a-Si膜。圖4表示作為太欢；土板兩面之結晶矽上形成 置構造。 ”、、‘明之第4實施形態之此種裝 圖4疋電聚CVD裝置是在圖？「 30之前，設置i型a-Si膜堆籍:之電漿CVD裝置之PCVD室 、隹積用之PCVD室70。PCVD室70具
\\312\2d-code\91-04\91100926.ptd $ 13頁 563185 五、發明說明（11) 有，圖2(b)、（c)相同之構造，連接】個之以札氣體之供給 配苔在—入^〗札氣體之後’同時對2個之感應搞合型電 極供應高頻電力，在基板之兩面堆積相同之isa_si膜。 至，η型和p型a-Si膜之形成方法與第2實施形態相同。 (第5貫施形態） 下面將說明作為本發明之第5實施形態之生產效 ί二，if。圖圖4之電聚CVD室被構成成為在被保 但是要提之^生^持/之基板之兩面，連續的形成薄膜， -疋要k冋生產效率時，最好構建 保持在基板保持5|，而B 1丨、，门士 ^ 竹又夕之基板 哭。太癸明夕你士 且可以同時處理多個之基板保持 二本七月之使用有感應耦合型電極之電漿CVD室可以印 容易進行此種擴張，圖5知岡β主_曰★ 至J U很 圖ν 35和圖6表不篁產因應裝置構造例。 " 为別是從正面和面向搬運方向，看盥 裝置對應之量產裝置tpfvn + /、圖2之 所示，因為在同部時之概略圖。如圖5(a) 之成庫_ a型雷& Ζ 置夕個之與基板保持器面面對 之α應耦口 i電極，所以可以對更大型之基板 ΐ :mv固基板之基板保持器）進行成膜處理、。另” 層，就可以在一:之2 = ”=呆持器和電極列 處理。 一二至内進仃多個基板保持器之成膜
亦即經由氣體供給配管31導入S i H4 /PH3氣體，# $ 4 3 3 3 3，，供认雷a 士3礼篮，對電極 ，以 電力，在與該等之基板面對之美把；L η型a - S i膜。缺播，脾友触 土 面上’形成 力供給到電極3 33將，體Γ成為 ，33 ，在面對該等電極之基板面上， 563185 五、發明說明（12) 形成P型a-Si腺。此處之電極基板面間之距離因為可以小 至30mm程度，所以可以在小的空間配置多個之基板保持器 和電極。 另外，圖5之構造是在基板兩面分別堆積2個薄膜之情 況，但是亦町以構建成為與圖3所示之同時成膜裝置之情 況相同。 圖6(a)、（b)疋從搬運方向看與圖2之裝置對應之量 置之第i和第2PCVD室内部時之概略圖。在此種情況，構建 成=在2個之感應耦合型電極列層之間，配置2個之基板保 持器。 ” 以上，以在結晶矽基板之兩面形成3_。膜方法及i 用來說明本發明，但是本發明並不只限於此種方式者^ ::良好的使用在太陽電池以外之各種用途 璃或塑膠基板之表面改質。 用在跋 [產業上之利用可能性] 依照本發明時可以在基板之背板形成均一 膜，其結果是不需要基板之反轉工程，而且可以=力專。 j:冷部工程等，所以可以顯著的提高兩面成膜之生產效 另外，因為可以成為基板保持器和感應耦合型 配置之構造，所以可以提供可時處理多個基 率極優良之電漿CVD裝置。 奴之里產效 金件編號之說日卩 1 基板
563185 五、發明說明（13) 2 載子 3 基板保持器 7 南頻電源 8 同軸電纜 10 > 110 負載鎖定室 20 〜120 加熱室 30 、 40 、 70 、 130 電漿CVD室 31、41 氣體供給配管 32 排氣口 33、43 感應搞合型電極 34 供電室 35 接地部 36 基板保持器固定夾具 50 、 140 冷卻室 6 1 〜6 4、 106 閘閥 101 i型結晶S i 102 ρ 型 a-S i 103 η 型 a-S i 104 透明電極 105 集極電極
C:\2D-C0DE\91-04\91100926.ptd 第16頁 563185 圖式簡單說明 圖1 ( a)〜（f )是概略圖，用來表示本發明之第1實施形態 之電漿CVD裝置。 圖2 ( a)〜（c)是概略圖，用來表示第2實施形態之電漿 CVD裝置。 圖3(a)、（b)是概略圖，用來表示第3實施形態之電漿 CVD裝置。 圖4是概略圖，用來表示第4實施形態之電漿CVD裝置。 圖5(a)、（b)是概略圖，用來表示圖2之量產因應裝置。 圖6(a)、（b)是概略圖，用來表示圖1之量產因應裝置。 圖7是概略圖，用來表示太陽電池之構造。 圖8(a)、（b)是概略圖，用來表示習知之電漿CVD裝置。
C:\2D-C0DE\91-04\91100926.ptd 第17頁
Claims (1)
- 563185 六、申請專#1*25" =基板保持器〜，置在上述二=基人^ 之間，從上述之氣辦供认么6似砍應耦合型電極 述之供電部供給高頻電力σ ?用d:: j2和對上 ;產生電衆，心在基板之兩面;時的:順==電 口2和排Π ίΓ:室内其特二是在設有第1和第2氣體供给 板保持m: ’將用以保持基板之外周端部Λ 成為使基板兩面：=3之2:由感上Τ合型電極之間， 導入第1薄膜# 上述之第1氣體供給口 之第5;!= ，和對上述2個感應耦合型電極中 電極之供電部，供給高頻電力藉以產生電漿， 體面Γ ί第1電極之基板表面形成第1薄膜，然後變換氣 和對I電上:之之上2氣體供給口導入第2薄膜形成用氣體， 對第2電極之供電部供給高頻電力藉以產生電漿， 面對該第2電極之基板表面形成第2薄膜。 口 3· -種電漿CVD》，其特徵是在設有第！和第2氣體供給 土士 /排氣口之真空室内，配置至少2個之具有供電部和接 σ卩之感應耦合型電極，將用以保持基板之外周端部之基 |保持器插入和配置在上述之2個感應耦合型電極之間， 、為使基板兩面露出之方式，和配置接觸或接近上述之基 第18頁 C:\2D-C〇DE\9l-〇4\91100926.ptd 563185 申請專利範圍 ，，持器之分隔板，在被該分隔板和上述之基板保持器分 「1為2個之空間，使第丨和第2薄膜形成用氣體分別經由 )之第1和第2氣體供給口流到該2個之/空間，對上述之2 =感，耦合型電極之供電部同時供給高頻電力用來產生電 水’错以在基板兩面之各個，同時形成第丨和第2薄膜。 接从立種電漿CVD法，其特徵是在内部配置具有供電部和 /之感應耦合型電極，配置設有氣體供給口和排氣口 出之固其、4空室’將用以保持基板之外周端部使基板兩面露 由氣ίη，搬運到上述2個真空室之第1真空室，經 導入幻薄膜形成用氣體’和對感應輕合型 供電部供給高頻電力，用來產生電聚…對該感 極之基板之表面上形成第1薄膜之後，將上述 運到第2真空室，使形成有上述第1薄膜之 導入第2二Λ 感應耦合型電極’經由氣體供給口 第溥膜形成乳體，和對感應耦合 =電力，用來產生電渡，藉以在形成有上之以 之表面之相反側之基板表面，形成第2薄膜。 、 5· —種電漿CVD裝置，其特徵是具備有·真* Μ 體供給口和排氣口； 2個之感應耦合型電極广二有亂 在該真空室内之成為放電電極之供電部地、-又 =器’巧配置在該2個之感隸合型電極；'，和基板 板之兩面露出；從上述之氣二 將4膜形成用軋體導入到上述之真空 電部供給高頻電力’沿著上述之感應轉合型電】=供563185 六、申請專利範圍 渡’用來在基板之兩面同時的或順序的形成薄膜。 6. —種電漿CVD裝置，其特徵是具備有：真空々 1和第2氣體供給口和排氣口 ； 2個之感應耦合型又，且 有被设置在該真空室内之成為放電電極之供電 % 部；和基板保持器，被配置在該2個之感應耦合 :述呆Λ基板之外周端部使基板之兩面露出；當經由 上述之弟1軋體供給口導入第丨薄膜形成用氣體 2個之感應耦合型電極中之第丨電極之供電部，供給言雷 之各個形成二 7. -種電咖裝置’其特徵是具備有： 有，皮和排氣口；2個之嫩合型電極具 部；内之成為放電電極之供電部和接地 間，用來仵捭二你？配置在该2個之感應耦合型電極之 板，接觸或接近上述之 ®路出，和/刀隔 用氣體分別經由上述：板保U吏第1和第2薄膜形成 隔板和上述之基板和第2氣體供給口 ”宽到被該分 漿，藉以部同時供給高頻電力，用來產生電 8. 如申和第2薄膜。 其中上述之感應，合】5至電漿⑽裝置， 内之電極列設置3声以μ電和6又置夕個，被配置在同一平面 又置3層以上，在該電極列層之間之各個，配 第20頁 \\312\2d-code\9l-04\9】 100926. ptd 563185 六、申請專利範圍 置上述之基板保持器v 一 9·種電漿CVD裝置，配置有··感應耦合型電極 =結第i和第2真空室，在各個之真空室設有氣：：分 哭，口排虱口，在内部具有供電部和接地部；和基板保^給 用來保持基板之外周端部使基板之兩面露丨；盆“ 疋：將上述之基板保持器搬運到上述之第1直处室、徵 導入第！薄膜形成用氣體，和對供電V二由, 3 士烙：第1溥膜之後，將上述之基板保持器搬土 有上述第1薄膜之面之相反側之面，面二感 二：氣體供給口導入第2薄膜形成氣體， 不口至丁併冤邵供給尚頻雷六田卞 述第1薄膜之> 面/Λ 精以在形成有上 之相反側之基板表面，形成第2薄膜。 10·如申請專利範圍第9項之電漿CVD裝置，立中上述 感應耦合型電極設置多個，被配置在同一平面内之電極 列敕ί、上述之第1真空室（或第2真空室）設置n層（n為2以上 ^ ’在上述之第2真空室（或第1真空室）設置（Π-1) 層，在該電極列層之間配置2個之基板保持器。 11·如申請專利範圍第5〜7、9及1〇項中任一項之電漿 CVD哀置其中，又有用以在基板兩面形成第3薄膜之處理室 作為上述第1薄膜形成前之處理室，該處理室之構成包含 有·真二至，设有氣體供給口和排氣口 ； 2個之感應耦合型 電極，具有被設置在該真空室内之成為放電電極之供電部 和接地部；和基板保持器，被配置在該2個之感應耦合型\\312\2d-code\91-〇4\91100926.ptd 第21頁563185六、申請專利範圍 電極之間，用炎 1 2如申姓直^保持基板之外周端部使基板之兩面露出。 、· °叫專利範圍第8項之電漿CVD裝置，其中設有用 ^二反=面形成第3薄膜之處理室作為上述第丨薄膜形成 m处理至，該處理室之構成包含有：真空室，設有氣體 排氣σ ;2個之感應搞合型電極，具有被設置在 工至/之成為放電電極之供電部和接地部；和基板保 持窃，被配置在該2個之感應耦合型電極之間，用來保持 基板之外周端部使基板之兩面露出。\\312\2d-code\91-04\91100926.ptd
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