JP2000345351A

JP2000345351A - プラズマｃｖｄ装置

Info

Publication number: JP2000345351A
Application number: JP11151435A
Authority: JP
Inventors: Hitoshi Ueda; 仁上田
Original assignee: Anelva Corp
Current assignee: Canon Anelva Corp
Priority date: 1999-05-31
Filing date: 1999-05-31
Publication date: 2000-12-12

Abstract

(57)【要約】【課題】内部電極方式で誘導結合型のプラズマＣＶＤ
装置において定在波を制御可能な状態で積極的に活用
し、プラズマの分布を良好に制御し、大面積基板の成膜
に適したプラズマＣＶＤ装置を提供する。【解決手段】このプラズマＣＶＤ装置は、成膜チャン
バ１１内で基板１６ａ，１６ｂに対面して配置された誘
導結合型電極を備え、電極１２は、線状導体をその中央
点１２ａを基準に平面内に含まれるように折り返して形
成され、かつ中央点が高周波給電点として構成される。
この構成では、電極において所望の定在波を発生させ、
定在波を積極的に活用してプラズマの分布を良好にす
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、内部電極方式で誘
導結合型のプラズマＣＶＤ装置に関し、特に、大面積の
基板上に太陽電池や薄膜トランジスタなどに利用される
アモルファスシリコン薄膜を形成するのに適したプラズ
マＣＶＤ装置の電極の改良に関する。

【０００２】

【従来の技術】内部電極式プラズマＣＶＤ装置の電極構
造には、従来、平行平板型の構造と誘導結合型の構造が
ある。

【０００３】平行平板型の電極によれば、成膜速度の上
昇と膜特性の向上のために高周波の周波数を上げようと
すると、放電が不均一になるという問題が起きる。この
原因は、電極板上に定在波が生じ電力供給が不均一にな
ること、アースへの帰還電流による電圧発生で望ましく
ない所にプラズマが発生することにある。また大面積の
基板を成膜すべく電極板を大型化すると、基板ホルダが
アース電極として機能することから基板の裏板が必須と
なり、かつこの裏板と基板の間の隙間を均一に保つこと
が難しいという問題を提起する。このため基板の温度分
布の均一性を確保することが難しいという問題が起き
る。また裏板の取扱いが全般的に難しくなる。このよう
に、平行平板型電極は、大面積基板の成膜には適さな
い。

【０００４】上記の平行平板型電極に対して、誘導結合
型電極は、かかる問題が生ぜず、内部電極式プラズマＣ
ＶＤ装置による大面積基板の成膜に適している。

【０００５】面積の大きい大型基板にアモルファスシリ
コン薄膜を堆積させて太陽電池等を作る従来のプラズマ
ＣＶＤ装置であって、内部電極方式で誘導結合型のプラ
ズマＣＶＤ装置としては、例えば特開平４−２３６７８
１号公報に開示された装置が知られている。このプラズ
マＣＶＤ装置では、放電用電極は、梯子形態を有する平
面形コイルで形成され、基板に対して平行に設置されて
いる。梯子型の平面形コイルは導電性線材で形成されて
いる。材料ガスの導入は反応容器の一箇所に設けた反応
ガス導入管で行われ、反応容器内の排気は反応容器の一
箇所に設けた排気管で行われている。かかる平面形コイ
ルによって電界の強度を高め、電界の均一性を良好にし
ている。さらに同様な従来のプラズマＣＶＤ装置として
は、例えば特許第２７８５４４２号公報に開示される装
置を挙げることができる。このプラズマＣＶＤ装置にお
いて、基板に対面して配置される電極には、１本の導電
性線材をジグザグになるように多数回折曲げて形成され
た平面コイル電極が使用されている。かかる形態を有す
る電極には、その両端部に、高周波電源からの高周波電
圧が印加されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記の誘導結合型電極
について、梯子形態を有する平面形コイル電極は、電流
経路が均一にならず、電極上の場所に応じてインピーダ
ンスが異なり、通電量が異なるので、基板上に付着する
膜の量も場所に応じて不均一になり、大面積基板上に均
一な膜を成膜できないという問題を提起する。またジグ
ザグ形状の平面形コイル電極は、１本の長い導電性線材
を折り曲げて作られており、その一端から高周波を給電
するように構成されているので、給電状態が悪く、望ま
しくない所に定在波が立ち、成膜に支障を生じる。電極
上で意図しない定在波が生じ、この定在波がプラズマの
分布を不良にし、成膜条件を悪くする。

【０００７】本発明の目的は、上記の問題を解決するこ
とにあり、内部電極方式で誘導結合型のプラズマＣＶＤ
装置において定在波を制御可能な状態で積極的に活用
し、プラズマの分布を良好に制御し、大面積基板の成膜
に適したプラズマＣＶＤ装置を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段および作用】本発明に係る
プラズマＣＶＤ装置は、上記目的を達成するため、次の
ように構成される。

【０００９】本発明に係るプラズマＣＶＤ装置は、反応
容器内で基板に対面して配置された誘導結合型電極を備
える成膜装置であり、上記電極は、線状導体をその中央
点を基準に平面内に含まれるように折り返して形成さ
れ、かつ中央点が高周波給電点として構成される。この
構成では、電極の形態と電極における給電点の位置に基
づき、電極において所望の定在波を発生させ、当該定在
波を積極的に利用して発生するプラズマの分布を良好に
し、良好なプラズマＣＶＤ成膜が行われる。給電点を電
極における中央点とし、電極の対称性を高めたので、膜
の不均一が生じにくい。

【００１０】上記の構成において、上記電極は、Ｕ字型
の形状、あるいは、Ｕ字型の電極において、中央点の反
対側の箇所で再び折り返され、全体としてＭ字型の形状
を有するように作られる。電極の中央点である給電点を
基準にして、対称的な形状に形成される。

【００１１】上記の構成において、上記電極の折り返さ
れた単位部分の長さは、中央点を基準として、折り返さ
れた単位部分で定在波が立つように決められることを特
徴とする。さらに電極の折り返された単位部分の長さ
は、供給される高周波の周波数に対応して決まることを
特徴とする。本発明に係るプラズマＣＶＤ装置では、誘
導結合型電極を、定在波が生じるアンテナとして積極的
に利用するものであり、最適な定在波が生じるように給
電される高周波電力との関係で適切な長さに設定され
る。

【００１２】上記の構成において、電極の端部にインピ
ーダンス要素が設けられる。このインピーダンス要素
は、電極のインピーダンスを望ましい状態に設定し、所
望の定在波を生じせしめる。また電極における折曲げ部
と端部に電磁遮蔽部を設けることも可能である。電磁遮
蔽部は、電極から生じる電磁界を遮断し、不要な箇所で
プラズマが生成されるのを防止する。電磁遮蔽部の具体
例としては、絶縁物により被覆された構造や同軸ケーブ
ルの構造である。同軸ケーブルは、電磁遮蔽の作用を生
じると共に、構造上強度を有することから、電極の補強
部材および支持構造物として利用することができる。同
軸ケーブルが支持構造物として利用されるとき、電極は
同軸ケーブルの構造によって反応容器に取り付けられ
る。また電磁遮蔽部は電極の上記インピーダンス要素と
して作用させることも可能である。

【００１３】上記の構成において、電極を、基板に対向
する平行な面の中に含まれるように複数設け、これらの
複数の電極で前記基板の前面空間に同時にプラズマを生
成するように構成される。基板の面積が大きくなるとき
には必要な数だけの電極が用意され、設置される。さら
に、電極は、反応容器内に複数の層構造で配置すること
もできる。これによれば、複数層の電極の間の空間を利
用して複数の成膜実施領域が作られ、複数の基板を同時
に成膜することができる。

【００１４】さらに上記電極は多数の孔を有するパイプ
状導体で作られ、かつ材料ガスを供給する手段または排
気する手段として用いられることを特徴とする。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の好適な実施形態
を添付図面に基づいて説明する。

【００１６】図１と図２を参照して本発明の第１の実施
形態を説明する。図１は内部電極式の誘導結合型プラズ
マＣＶＤ装置の内部構造を示す正面図、図２はその側面
図を示す。１１は成膜チャンバである。成膜チャンバ１
１において例えば縦置き状態にて電極１２が配置されて
いる。この電極１２に高周波電力が供給され、アンテナ
としての機能を有する。電極１２は、所要の長さを有す
る線状導体（導電性線状部材）を、その中央点を基準に
して平面内に含まれるように折り返し、正面形状がほぼ
Ｕ字形状となるように形成されている。この例では湾曲
した折曲げ部を下側にし、開いた端部を上側にして配置
されている。電極を支持する構造の図示は省略されてい
るが、任意の支持構造を採用することができる。線状導
体を二つ折りにすることによってＵ字型電極１２が形成
され、その半分の長さは、中心点１２ａと端部の間の長
さとして図中Ｌ３で示されている。長さＬ３の部分は、
電極１２における折り返された部分（折返し部）の長さ
であり、定在波を生じさせる単位となる部分である。電
極１２の折返し部の直線部分は好ましくは平行である。
電極１２では、その中央点１２ａに対して所要の高周波
電力が供給される。高周波電力を供給する高周波電源１
３は成膜チャンバ１１の外側に設けられている。高周波
電源１３からの給電線１４は、成膜チャンバ１１に設け
られた絶縁部１５を経由して成膜チャンバ１１の内部に
引き込まれ、電極１２の中央点である給電点１２ａに接
続され、もって電極１２に高周波電力が供給される。上
記電極１２に対して、その両側に、電極が含まれる平面
に平行な状態で基板１６ａ，１６ｂが配置される。これ
らの基板は、通常、基板ホルダ（図示せず）によって支
持されている。また基板１６ａ，１６ｂの背面には、通
常、ヒータが配置される。なお、この基板ホルダには、
平行平板型電極とは異なり、誘導結合型電極であるの
で、裏板（バッキングプレート）は設けられていない。
平行平板型電極の場合、基板ホルダには裏板は必要不可
欠である。これに対して本発明の電極では裏板は必ずし
も必要ではない。ただし基板温度の均一性の向上や、ヒ
ータパネルからの電磁界の遮蔽のための裏板を使用する
場合がある。図１と図２に示すプラズマＣＶＤ装置で
は、材料ガス供給機構、排気機構（真空ポンプ）、基板
ホルダ、基板加熱機構（ヒータ）、基板冷却機構等の図
示が省略されている。

【００１７】電極１２に使用される線状導体は例えば丸
棒状で、材質的にはステンレスやアルミが使用される。
電極１２が丸棒状の場合、直径は例えば５ｍｍ以上であ
る。図１では、二つ折りによって得られる直線部の長さ
Ｌ１と、２つの折返し部の間の長さＬ２の関係につい
て、説明の便宜上長さＬ２が誇張して実際よりも大きく
描かれているが、実際上好ましい実施例としてはＬ１は
例えば７５ｃｍ〜２．０ｍ、Ｌ２は例えば約８ｃｍであ
る。従って、電極１２の下側の折曲げ部の湾曲の程度
も、実際の電極では、図示される程は大きくはない。図
１では、電極の折返し部の長さとして、直線部の長さＬ
１と、折曲げ部の半分を含めた長さＬ３が示されている
が、折曲げ部は直線部の長さに比較してかなり小さいも
のであるから、長さＬ１と長さＬ３は実際上実質的に同
一と考えることができる。長さＬ１については、実際の
ところ、成膜すべき基板の大きさに応じて決められると
共に、定在波を生じせしめるため必要な長さとして設定
されるので、供給される高周波の周波数との関係で決め
られる。例えば周波数が１２０ＭＨｚのときにはＬ１は
１．２５ｍとなる。

【００１８】電極１２の長さＬ１（または長さＬ３）
は、供給される高周波の周波数がｆ、光速をｃとすると
き、Ｌ１＝ｃ／２ｆで求められる。周波数１２０ＭＨｚ
よりも小さくなると、長さＬ１は１．２５ｍよりも大き
くなり、成膜チャンバ１１の内部に設けることができな
い場合も生じる。そこで、このような場合には、後述す
るように同軸ケーブルの構造を電極１２の端部に付加し
て電磁波に関する遅波構造を設けることによりＬ１の長
さを小さくすることが可能となる。このようにして、前
述のごとくＬ１は７５ｃｍ〜２．００ｍの範囲に設定さ
れる。Ｌ１，Ｌ２の長さは、目的に応じて任意に変更す
ることが可能である。

【００１９】成膜チャンバ１１の内部が真空ポンプによ
って所要の真空状態に排気され、材料ガス等が導入さ
れ、電極１２に高周波が給電されると、Ｕ字型電極１２
の周囲空間にはプラズマ１７が生成される。基板１６
ａ，１６ｂにはプラズマＣＶＤの作用によって成膜が行
われる。基板１６ａ，１６ｂは、実際には、例えば、長
辺が７５ｃｍ程度、短辺が２０ｃｍ程度の長方形の基板
である。Ｕ字型電極１２には、電極１２の中央に位置す
る給電点１２ａを基準にして各半部に定在波が生じ、こ
の定在波は、プラズマの分布が良好となるようにプラズ
マ１７を制御する。

【００２０】上記構成で、電極１２の折曲げ部は、厳密
には湾曲させる必要はなく、鋭角に折曲げたり、角をつ
けて折り曲げるようにしてもよい。また電極１２の折返
し部の直線部は厳密に平行である必要はない。また上記
構成では、電極１２を縦置きにしたが、電極１２を水平
の横置きにすることもできる。この場合、基板も水平な
横置き状態で配置される。

【００２１】上記実施形態によれば、誘導結合型の電極
を使用するため、容量結合型の電極に比較してプラズマ
密度を上昇させやすいという利点を有する。電極の形状
をＵ字型とし、給電点を電極の中央点とすることにより
対称性が高くなり、プラズマの不均一性が生じにくい。

【００２２】図３を参照して本発明の第２の実施形態を
説明する。図３は、前述の図１と同様な図である。図３
において、図１で説明した要素と実質的に同一の要素に
は同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。この実施
形態では、電極１２の折曲げ部と端部にカバー２１を設
けて、各部分を被覆するようにしている。カバー２１は
誘電体（絶縁体）で形成されている。電極１２におい
て、折曲げ部と端部の部分は基板１６ａ等の上下の縁の
部分に対応するので、カバー２１を設けることによって
当該部分でプラズマが生じるのが防止される。カバー２
１は、必要ないところにプラズマが発生するのを防止す
る部材である。かかるカバー２１は電極１２からの電磁
界を遮断する電磁遮蔽部としての機能を有する。電磁遮
蔽部としては、上記の構成に限定されず、各種の構成を
用いることができる。またカバー２１は遅波構造として
機能させることができる。また電極２１の変形防止のた
めの補強としても機能する。

【００２３】図４は、上記電磁遮蔽部の具体的な一例を
示す。この例では、同軸ケーブルの構造を利用して電磁
遮蔽部を形成している。電極１２の折曲げ部１２ｂと２
箇所の端部１２ｃにおいて、電極に沿って、誘電体２２
を介在させて金属管体２３が付設されている。誘電体２
２には例えばアルミナ等が用いられる。かかる同軸ケー
ブルの構造によって、当該部分でのプラズマ発生を防止
することができる。また、かかる同軸ケーブル構造によ
る電磁遮蔽部によれば、インピーダンス要素として作用
させることができるので、そのインピーダンスの値を適
宜に設定することにより、電極１２におけるインピーダ
ンスを任意に調整することができ、これによって電極１
２で発生する定在波の分布を自由に設計することができ
る。従って、定在波の積極的活用によって、プラズマの
分布状態を望ましい状態に任意に制御することができ
る。さらに前述のごとく同軸ケーブルの構造を遅波構造
としても機能させることもできる。

【００２４】図５と図６を参照して本発明の第３の実施
形態を説明する。図５は図１に対応し、内部電極式の誘
導結合型プラズマＣＶＤ装置の内部構造を示す正面図、
図６はその側面図を示す。これらの図において、前述し
た実施形態と実質的に同一の要素には同一の符号を付し
ている。この実施形態における特徴は、電極を形成する
線状導体の長さをさらに長くし、前述のＵ字型電極１２
において２箇所の端部をさらに反対側に湾曲状態で折曲
げることにより、全体としてＭ字型（上下を逆にして見
るとＷ字型ともいえる）の形態を有する電極３１を用い
ている点である。電極３１においてもその中央点３１ａ
が給電点となっている。また図６に示すように、電極３
１は平面に含まれるように折り返されている。電極３１
では、下側の中央に位置する折曲げ部と、上側の２箇所
の折曲げ部によって直線部を含む４箇所の折返し部が形
成される。これらの折返し部の直線部は、互いに平行で
あり、かつ実質的に等しい長さを有するように形成され
ている。電極３１における４箇所の折返し部では、中央
点３１ａから反対側の２箇所の折曲げ部の中央点３１
ｂ，３１ｃの各々までの長さ、中央点３１ｂから端部３
１ｄまでの長さ、中央点３１ｃから端部３１ｅまでの長
さが、それぞれ等しくなるように形成されており、これ
らの長さが、電極３１における折返し部の単位の長さと
なる。この単位となる長さは、図１で示した長さＬ３に
対応し、この長さに対応するように定在波が発生する。
また電極３１において、各折返し部の直線部の長さは、
図１で示した長さＬ１に実質的に相当している。また電
極３１の各折返し部の間の距離は例えば約８ｃｍであ
り、全体として約２４ｃｍ程度の幅を有している。電極
３１はＵ字型電極１２に比較して大型の基板３２の成膜
が可能となる。なお図１で述べた通り、図５において
も、横方向の長さが実際よりも大きくなるように描かれ
ている。実際上、Ｍ字型の電極３１は、横方向に細幅で
縦方向に長い形態を有する。ただし、Ｍ字型電極３１の
幅を広くして作ることも可能である。かかる電極３１に
おいても、長さ方向に沿ってその周囲空間にプラズマ１
７が生成される。電極３１の両側にて、電極３１に平行
に基板１６ａ，１６ｂが配置される。その他の構成は、
第１実施形態の場合と同一である。

【００２５】この実施形態でも、電極３１の中央点３１
ａに高周波電力が供給されることを条件に、電極３１の
折返し部の単位の長さを基準として定在波が立てられ
る。発生させた定在波でプラズマ１７の分布が制御さ
れ、最適なプラズマによって基板へのＣＶＤ成膜が行わ
れる。特に、中央点３１ａを中心として電極３１が対称
な形状に作られ、プラズマの分布を均一なものとするこ
とができる。

【００２６】また本実施形態による電極３１でも、第２
実施形態の場合と同様にプラズマ発生防止のためのカバ
ー２１、あるいは電磁遮蔽部を設けることが好ましい。
電磁遮蔽部としては前述の同軸ケーブルの構造が好まし
い。

【００２７】図７は、本発明の第４の実施形態を示す。
この実施形態は、図５に示した電極３１において、その
両端３１ｄ，３１ｅの各々と成膜チャンバ１１との間に
インピーダンス要素３３を接続した構成を示している。
その他の構成は、第３実施形態と同じである。インピー
ダンス要素３３のＺはインピーダンス量を示している。
インピーダンス要素３３としては例えばコイルやコンデ
ンサが利用される。前述の同軸ケーブル構造による電磁
遮蔽部もインピーダンス要素として機能する。このよう
に、電極３１の両端の部分に所要のインピーダンス要素
３３を接続することによって、電極３１の全体のインピ
ーダンスを調整でき、電極３１の上に立つ定在波（電磁
界）を制御することが可能となる。例えば、Ｚ＝∞にす
ることにより、電極３１における２箇所の先端を電界の
節にすることができる。

【００２８】図８は、本発明のプラズマＣＶＤ装置の構
成の変形例を示すものである。この図で、前述した要素
と実質的同一の要素には同一の符号を付している。この
構成は、一例として電極４１が２つ平行に配置され、各
電極４１の両側に基板４２が平行に配置されている。電
極４１としては、前述の各実施形態で説明された電極１
２または電極３１等が用いられる。電極４１の中央点に
対して高周波電源１３から高周波電力が供給される。こ
の実施形態によれば、２層の電極構造によって２つの成
膜領域を同時に作ることができる。この例では電極４１
の設置数は２つであったが、同様な多層構造に基づいて
電極の数を増すことができ、多領域同時成膜の構成を実
現することができる。

【００２９】図９は、本発明に係るプラズマＣＶＤ装置
の変形例で、電極構造をさらに改良したものである。こ
の図で、前述した要素と実質的に同一の要素には同一の
符号を付している。この実施形態では、図５で説明した
電極をより正確な実際の寸法関係で示し、より大型の基
板５１を成膜する構成を示している。図９で、３１がＭ
字型電極を示し、複数の長方形の破線ブロック５２の配
列はＭ字型電極３１が並んだ状態を示している。基板５
１は例えば短辺がほぼ１．２ｍの長方形の形状を有する
角型基板であり、この基板５１に対して、長辺が１．２
ｍより大きく、短辺が３０ｃｍ程度の長方形平面領域
（破線ブロック５２）に配置されるＭ字型電極３１が複
数配置される。Ｍ字型電極３１は、基板５１の大きさに
対応するように４つ配置されている。このように大型の
基板に対して、本発明に係る電極３１は、その面を覆う
べく、複数配置される。電極１２を用いる場合にも同様
に複数の電極が配列されることになる。

【００３０】なお上記の内部電極式の誘導結合型プラズ
マＣＶＤ装置において、材料ガスの導入の仕方について
は、種々の構成を採用することができる。従来の通り、
成膜チャンバ１１において通常の１つのガス導入機構お
よび１つのガス排出機構を設けることができる。また本
願出願人が先に特願平１０−１０４９６６号で説明した
通り、電極１２を例えば外径が１０ｍｍ程度のパイプ状
導電性部材で作って電極５３とし、この電極５３の例え
ば直線部の側面に材料ガスを導入する小孔５３ａをガス
吐出口として複数設け、材料ガスを電極内部の通路に導
入して複数の小孔から成膜チャンバ内に吹き出すように
構成することもできる。この構成では、導入されたガス
を即座に引き込んで外部に排気することが必要であるこ
とから、例えば、同じ構造を有する排気用の電極５４を
図１０に示すごとき配置で設けるようにする。電極５４
は、通常の電極として作用する共に、電極５３の複数の
ガス吐出口５３ａから材料ガスが導入されると、近くの
ガス吸入口５４ａからガスを吸入し排気する機能を有し
ている。図１０で、矢印５５は電極５３に供給される材
料ガスの流れを示し、矢印５６は電極５４から排出され
る材料ガスの流れを示す。

【００３１】

【発明の効果】以上の説明で明らかなように本発明によ
れば、内部電極式の誘導結合型電極を備えたプラズマＣ
ＶＤ装置において、電極を、線状導体を折り返して好ま
しくはＵ字型あるいはＭ字型に形成し、電極の中心点に
給電を行うように構成し、各折返し部分で定在波が立つ
ように構成し、当該定在波を積極的に活用してプラズマ
を生成するようにしたため、大面積の基板に対してプラ
ズマＣＶＤにより良好な成膜を行うことができる。特に
電極の給電点を中心に対称的な構成としたため、均一な
プラズマ分布を作ることができ、成膜を良好に行うこと
ができる。また電極の端部にインピーダンス要素を付設
するようにしたため、電極上で生じる定在波を制御する
ことができ、望ましいプラズマ分布を作ることができ
る。本発明による電極を複数組み合わせることにより、
より大型の基板の成膜にも対応することができる。誘導
結合型電極の構造であるため、装置を安価に作製でき、
また基板ホルダに裏面が不要な場合は基板のみを加熱・
冷却すればよいので、特にＥＰＢＴ（エネルギ・ペイ・
バック・タイム）を問題とする太陽電池の用途では有効
である。また電磁遮蔽部を設けるようにしたため、不要
なプラズマ生成を防止することができ、最適な電磁界を
作ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の第１実施形
態の内部構造を示し、電極の正面図である。

【図２】第１実施形態の内部側面図である。

【図３】本発明の第２実施形態の内部構造を示し、電極
の正面図である。

【図４】本発明の電極に付設される電磁遮蔽部の具体例
を示す図である。

【図５】本発明の第３実施形態の内部構造を示す内部正
面図である。

【図６】第３実施形態の内部側面図である。

【図７】本発明の第４実施形態の内部構造を示す正面図
である。

【図８】本発明のプラズマＣＶＤ装置の変形例を示す内
部側面図である。

【図９】本発明のプラズマＣＶＤ装置の他の変形例を示
す正面図である。

【図１０】電極の他の構成を示す図である。

【符号の説明】

１１成膜チャンバ１２電極１３高周波電源１６ａ，１６ｂ基板１７プラズマ２１カバー２２誘電体２３金属管体３１，４１電極３２基板

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】反応容器内で基板に対面して配置された
誘導結合型電極を備えるプラズマＣＶＤ装置において、前記電極は、線状導体をその中央点を基準に平面内に含
まれるように折り返して形成され、前記中央点を高周波
が供給される給電点としたことを特徴とするプラズマＣ
ＶＤ装置。
【請求項２】前記電極はＵ字型の形状を有することを
特徴とする請求項１記載のプラズマＣＶＤ装置。
【請求項３】前記電極は、前記中央点の反対側の箇所
で再び折り返され、Ｍ字型の形状を有することを特徴と
する請求項１記載のプラズマＣＶＤ装置。
【請求項４】前記電極の折り返された単位部分の長さ
は、前記中央点を基準として、折り返された単位部分で
定在波が立つように決められることを特徴とする請求項
１〜３のいずれか１項に記載のプラズマＣＶＤ装置。
【請求項５】前記電極の折り返された単位部分の長さ
は、供給される高周波の周波数に対応して決まることを
特徴とする請求項４記載のプラズマＣＶＤ装置。
【請求項６】前記電極の端部にインピーダンス要素を
設けたことを特徴とする請求項４または５記載のプラズ
マＣＶＤ装置。
【請求項７】前記電極における折曲げ部と端部に電磁
遮蔽部を設けたことを特徴とする請求項１〜４のいずれ
か１項に記載のプラズマＣＶＤ装置。
【請求項８】前記電磁遮蔽部は同軸ケーブルの構造で
あることを特徴とする請求項７記載のプラズマＣＶＤ装
置。
【請求項９】前記電磁遮蔽部は前記電極のインピーダ
ンス要素として作用することを特徴とする請求項７また
は８記載のプラズマＣＶＤ装置。
【請求項１０】前記電磁遮蔽部を利用して前記反応容
器内に取り付けることを特徴とする請求項７〜９のいず
れか１項に記載のプラズマＣＶＤ装置。
【請求項１１】前記電極を、前記基板に対向する平行
な面の中に含まれるように複数設け、これらの複数の電
極で前記基板の前面空間に同時にプラズマを生成したこ
とを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載のプ
ラズマＣＶＤ装置。
【請求項１２】前記電極は、前記反応容器内に複数の
層構造で配置され、複数層の電極の間の空間を利用して
複数の成膜実施領域が作られ、複数の基板を同時に成膜
することを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に
記載のプラズマＣＶＤ装置。
【請求項１３】前記電極は多数の孔を有するパイプ状
導体で作られ、かつ材料ガスを供給する手段または排気
する手段として用いられることを特徴とする請求項１〜
１２のいずれか１項に記載のプラズマＣＶＤ装置。