JP2020181656A - 誘導結合型アンテナユニット及びプラズマ処理装置 - Google Patents
誘導結合型アンテナユニット及びプラズマ処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020181656A JP2020181656A JP2019082461A JP2019082461A JP2020181656A JP 2020181656 A JP2020181656 A JP 2020181656A JP 2019082461 A JP2019082461 A JP 2019082461A JP 2019082461 A JP2019082461 A JP 2019082461A JP 2020181656 A JP2020181656 A JP 2020181656A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- antenna
- antenna conductor
- inductively coupled
- conductor
- coupled antenna
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 202
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 11
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 7
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 claims description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
Description
このようなアンテナ構成では、前記往路アンテナ導体と復路アンテナ導体では逆向きの高周波電流が流れるため両電極間に強い電磁界が発生すると同時に、両復路アンテナ導体の周囲に同相の強い電磁界が発生する。前記往路アンテナ導体と復路アンテナ導体は一体化されて前記真空チャンバ内に装着されているので、アンテナ導体に給電された高周波電力の利用効率が高く、前記真空チャンバ内に高密度の放電プラズマを励起することができる。
このようにアンテナ導体表面を誘電体材料で被覆することによってイオン照射によるアンテナ導体のスパッタリングによる不純物の飛散を防止し、例えば基板表面に不純物を含まない薄膜を形成することができる。
高周波電流Iを流したときの磁束密度Bは、
B=μ0I/w・・・・・・・・・(1)
往復アンテナ導体間に発生する磁束Φは、
Φ=μ0adI/w・・・・・・・(2)
従って、インダクタンスLは
L=Φ/I=μ0ad/w・・・・(3)
となる。前記往復アンテナ導体のインダクタンスLは、アンテナ導体の長さa及び間隔dに比例し、幅wに反比例することが判る。即ち、往復アンテナ導体を接近させればインダクタンスLは小さくなり離せば大きくなる。
E=LI2・・・・・・・・・・(4)
即ち、電磁エネルギーEはインダクタンスLに比例し、高周波電流Iの二乗に比例する。前記アンテナ導体のインダクタンスLと高周波電流Iの選択はプラズマ処理装置の処理目的、被処理基板のサイズ等によって決まるものである。往復アンテナ導体の長さや形状は必要なプラズマ密度、或いは真空チャンバ内に必要なプラズマ密度やその分布等によって決まる設計事項である。数式(4)から分るように、インダクタンスLを例えば1/2にしても高周波電流を2倍にすれば電磁界エネルギーEは2倍になる。
11 真空チャンバ
112 開口
12 アンテナ導体
12a 往路アンテナ導体
12b 復路アンテナ導体
14 フランジ
16 スペーサ
200、300 アンテナユニット
20 被処理基板
22 高周波電源
23 整合器
Claims (6)
- 略平行に配列された3本の誘導結合型アンテナ導体と、高周波電流を導入する電流導入端子と、前記誘導結合型アンテナ導体を固定するフランジとからなり、前記3本の誘導結合型アンテナ導体の長手方向の一方の端部は電気的に接続され、中央の誘導結合型アンテナ導体の長手方向の他方の端部は前記電流導入端子に接続され、前記中央の誘導結合型アンテナ導体を挟む両側の2本の誘導結合型アンテナ導体の他方の端部は接地電位にある前記フランジに固定されて一体化されていることを特徴とする誘導結合型アンテナユニット。
- 前記3本の誘導結合型アンテナ導体が、互いに対向する誘導結合型アンテナ導体間の少なくとも一部に誘電体スペーサを狭持して一体化されていることを特徴とする請求項1に記載の誘導結合型アンテナユニット。
- 前記誘導結合型アンテナ導体が誘電体管又は誘電体材料で被覆されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の誘導結合型アンテナユニット。
- 前記中央の誘導結合型アンテナ導体を挟む両側の2本のアンテナ導体がU字形パイプ(管)であって、冷媒を流すことによって前記誘導結合型アンテナ導体を冷却できる構造であることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の誘導結合型アンテナユニット。
- 前記中央の誘導結合型アンテナ導体の長手方向の中央部領域の導体幅が前記誘導結合型アンテナ導体の両端部領域の導体幅と異なることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の誘導結合型アンテナユニット。
- 請求項1から5のいずれか一項に記載の前記誘導結合型アンテナユニットを用いたことを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019082461A JP6709478B1 (ja) | 2019-04-24 | 2019-04-24 | 誘導結合型アンテナユニット及びプラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019082461A JP6709478B1 (ja) | 2019-04-24 | 2019-04-24 | 誘導結合型アンテナユニット及びプラズマ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6709478B1 JP6709478B1 (ja) | 2020-06-17 |
JP2020181656A true JP2020181656A (ja) | 2020-11-05 |
Family
ID=71079409
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019082461A Active JP6709478B1 (ja) | 2019-04-24 | 2019-04-24 | 誘導結合型アンテナユニット及びプラズマ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6709478B1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022113676A1 (ja) * | 2020-11-27 | 2022-06-02 | 日新電機株式会社 | プラズマ処理装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000345351A (ja) * | 1999-05-31 | 2000-12-12 | Anelva Corp | プラズマcvd装置 |
JP2007220600A (ja) * | 2006-02-20 | 2007-08-30 | Nissin Electric Co Ltd | プラズマ生成方法及びプラズマ生成装置並びにプラズマ処理装置 |
JP2009076876A (ja) * | 2007-08-31 | 2009-04-09 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
WO2014142023A1 (ja) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | 東レ株式会社 | プラズマcvd装置およびプラズマcvd方法 |
JP2018156929A (ja) * | 2017-03-15 | 2018-10-04 | 日新電機株式会社 | プラズマ発生用のアンテナ、それを備えるプラズマ処理装置及びアンテナ構造 |
-
2019
- 2019-04-24 JP JP2019082461A patent/JP6709478B1/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000345351A (ja) * | 1999-05-31 | 2000-12-12 | Anelva Corp | プラズマcvd装置 |
JP2007220600A (ja) * | 2006-02-20 | 2007-08-30 | Nissin Electric Co Ltd | プラズマ生成方法及びプラズマ生成装置並びにプラズマ処理装置 |
JP2009076876A (ja) * | 2007-08-31 | 2009-04-09 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
WO2014142023A1 (ja) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | 東レ株式会社 | プラズマcvd装置およびプラズマcvd方法 |
JP2018156929A (ja) * | 2017-03-15 | 2018-10-04 | 日新電機株式会社 | プラズマ発生用のアンテナ、それを備えるプラズマ処理装置及びアンテナ構造 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022113676A1 (ja) * | 2020-11-27 | 2022-06-02 | 日新電機株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP7568915B2 (ja) | 2020-11-27 | 2024-10-17 | 日新電機株式会社 | プラズマ処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6709478B1 (ja) | 2020-06-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5747231B2 (ja) | プラズマ生成装置およびプラズマ処理装置 | |
KR101594636B1 (ko) | 고주파 안테나 유닛 및 플라즈마 처리장치 | |
US20080302761A1 (en) | Plasma processing system and use thereof | |
US20160217978A1 (en) | Plasma Generation Device | |
JP2010539669A (ja) | マイクロ波プラズマ発生装置およびプラズマトーチ | |
JP6931461B2 (ja) | プラズマ発生用のアンテナ、それを備えるプラズマ処理装置及びアンテナ構造 | |
JP6468521B2 (ja) | 誘導結合型アンテナユニット及びプラズマ処理装置 | |
JP2017033788A (ja) | プラズマ処理装置 | |
WO2019107540A1 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP6709478B1 (ja) | 誘導結合型アンテナユニット及びプラズマ処理装置 | |
WO2011058608A1 (ja) | プラズマ処理装置 | |
TWI571902B (zh) | 電漿處理裝置 | |
JP2018101463A5 (ja) | ||
JP2012133899A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP6418543B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置用アンテナユニット | |
TW201840247A (zh) | 電漿處理裝置 | |
JP2017010820A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2024062955A (ja) | 誘導結合型アンテナユニット及びプラズマ処理装置 | |
JP2024094207A (ja) | 誘導結合型アンテナユニット及びプラズマ処理装置 | |
WO2023013437A1 (ja) | プラズマ処理装置 | |
TWI833166B (zh) | 濺鍍裝置 | |
US20240215145A1 (en) | Inductive coupling antenna unit and plasma treatment apparatus | |
JP3580211B2 (ja) | 局所処理装置 | |
WO2024181226A1 (ja) | イオン源 | |
TWI839097B (zh) | 濺鍍裝置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190718 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20190726 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190829 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20191224 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200128 |
|
R155 | Notification before disposition of declining of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R155 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200428 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6709478 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |