JPH0978247A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
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- JPH0978247A JPH0978247A JP7234067A JP23406795A JPH0978247A JP H0978247 A JPH0978247 A JP H0978247A JP 7234067 A JP7234067 A JP 7234067A JP 23406795 A JP23406795 A JP 23406795A JP H0978247 A JPH0978247 A JP H0978247A
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- thin film
- gas
- forming apparatus
- film
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Photovoltaic Devices (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 生産性の極めて高い薄膜形成装置を提供す
る。 【解決手段】 被覆基体１０２を保持するホルダ１０３
を２系列含み、該ホルダが対面の位置関係にある成膜室
１０１と、該成膜室にガスを供給する手段と、該成膜室
から排気する手段と２系列の該ホルダの中間に配された
スロット付無端環状導波管１０７を介してマイクロ波電
力を該成膜室に供給する手段とで構成されることを特徴
とする。
る。 【解決手段】 被覆基体１０２を保持するホルダ１０３
を２系列含み、該ホルダが対面の位置関係にある成膜室
１０１と、該成膜室にガスを供給する手段と、該成膜室
から排気する手段と２系列の該ホルダの中間に配された
スロット付無端環状導波管１０７を介してマイクロ波電
力を該成膜室に供給する手段とで構成されることを特徴
とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜形成装置に関
する。
する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜形成装置の一例であるマイクロ波プ
ラズマＣＶＤ装置によるポリカーボネート上への成膜は
例えば次のように行われる。ここでマイクロ波プラズマ
ＣＶＤ装置における構成を示す。図３はマイクロ波プラ
ズマＣＶＤ装置の断面図である。３０１は成膜室、３０
２は基体、３０３は基体３０２の支持体、３０４は排気
管、３０５はマイクロ波の導波管、３０６は誘電体、３
０７は第１のガス導入管、３０８は第２のガス導入管で
ある。
ラズマＣＶＤ装置によるポリカーボネート上への成膜は
例えば次のように行われる。ここでマイクロ波プラズマ
ＣＶＤ装置における構成を示す。図３はマイクロ波プラ
ズマＣＶＤ装置の断面図である。３０１は成膜室、３０
２は基体、３０３は基体３０２の支持体、３０４は排気
管、３０５はマイクロ波の導波管、３０６は誘電体、３
０７は第１のガス導入管、３０８は第２のガス導入管で
ある。
【０００３】成膜室３０１内を排気系（不図示）を介し
て、１０-6Ｔｏｒｒの値まで減圧させる。次にガス導入
管３０７・３０８からガスを成膜室３０１内に導入し、
成膜室３０１内の圧力を所望の圧力に保つ。更に導波管
３０５によりマイクロ波を誘電体３０６を介して成膜室
３０１内に導入しプラズマを生成し、基体３０２の表面
に堆積膜を形成する。このようにプラズマ源に対して片
面のみを用いて成膜している。
て、１０-6Ｔｏｒｒの値まで減圧させる。次にガス導入
管３０７・３０８からガスを成膜室３０１内に導入し、
成膜室３０１内の圧力を所望の圧力に保つ。更に導波管
３０５によりマイクロ波を誘電体３０６を介して成膜室
３０１内に導入しプラズマを生成し、基体３０２の表面
に堆積膜を形成する。このようにプラズマ源に対して片
面のみを用いて成膜している。
【０００４】しかしながら、上記従来例では、１つのプ
ラズマ源に対して片面で成膜するため高度な生産性を要
求された場合、不十分であった。
ラズマ源に対して片面で成膜するため高度な生産性を要
求された場合、不十分であった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
例の問題点を解決し、生産性の極めて高い薄膜形成装置
を提供することにある。
例の問題点を解決し、生産性の極めて高い薄膜形成装置
を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的は以下の手段
によって達成される。
によって達成される。
【０００７】すなわち本発明は、被覆基体を保持するホ
ルダを２系列含み、該ホルダが互いに対面の位置関係に
ある成膜室と、該成膜室にガスを供給する手段と、該成
膜室から排気する手段と２系列の該ホルダの中間に配さ
れた複数のスロットが内側面に形成された（スロット付
き）無端環状導波管を介してマイクロ波電力を該成膜室
に供給する手段とで構成されることを特徴とする薄膜形
成装置を提案するものであり、プラズマにより単独では
膜化しない第２のガスの供給手段として、マイクロ波を
供給する無端環状導波管に沿って該成膜室内に所定間隔
にガス導入口が開けてある管状の誘電体を設置してある
こと、プラズマにより単独で膜化する第１のガスの供給
手段として、所定間隔にガス導入口が開けてある管を２
組設置してあること、該第２のガスの供給手段として、
マイクロ波を供給する無端環状導波管に沿って該成膜室
内に所定間隔にガス導入口が開けてある管が２組あり、
無端環状導波管をお互いに鏡像関係に分割できる位置で
の断面（中心面）に対して互いに等距離でガス導入口の
向きが該中心面に垂直でかつ該中心面向きであり、該第
１のガスの供給手段として、該成膜室内に所定間隔にガ
ス導入口が開けてある管が２組あり、該中心面に対して
互いに等距離で該第２のガスの供給手段よりも該中心面
から離れた位置でガス導入口の向きが該中心面に対して
平行でかつ内向きであること、前記ホルダが移動できる
こと、耐熱温度が１００℃以下である基体を用いるこ
と、前記基体がポリカーボネートあるいはこれを主成分
とする高分子であること、薄膜形成装置によって堆積さ
せた前記薄膜が、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸
化タンタル膜、酸化チタン膜、窒化チタン膜、酸化アル
ミニウム膜、窒化アルミニウム膜、弗化マグネシウム膜
等の絶縁膜であること、前記薄膜が、屈折率２．１〜
２．４の窒化シリコン膜であること、光磁気ディスクの
製造に用いること、表示素子の製造に用いることを含
む。
ルダを２系列含み、該ホルダが互いに対面の位置関係に
ある成膜室と、該成膜室にガスを供給する手段と、該成
膜室から排気する手段と２系列の該ホルダの中間に配さ
れた複数のスロットが内側面に形成された（スロット付
き）無端環状導波管を介してマイクロ波電力を該成膜室
に供給する手段とで構成されることを特徴とする薄膜形
成装置を提案するものであり、プラズマにより単独では
膜化しない第２のガスの供給手段として、マイクロ波を
供給する無端環状導波管に沿って該成膜室内に所定間隔
にガス導入口が開けてある管状の誘電体を設置してある
こと、プラズマにより単独で膜化する第１のガスの供給
手段として、所定間隔にガス導入口が開けてある管を２
組設置してあること、該第２のガスの供給手段として、
マイクロ波を供給する無端環状導波管に沿って該成膜室
内に所定間隔にガス導入口が開けてある管が２組あり、
無端環状導波管をお互いに鏡像関係に分割できる位置で
の断面（中心面）に対して互いに等距離でガス導入口の
向きが該中心面に垂直でかつ該中心面向きであり、該第
１のガスの供給手段として、該成膜室内に所定間隔にガ
ス導入口が開けてある管が２組あり、該中心面に対して
互いに等距離で該第２のガスの供給手段よりも該中心面
から離れた位置でガス導入口の向きが該中心面に対して
平行でかつ内向きであること、前記ホルダが移動できる
こと、耐熱温度が１００℃以下である基体を用いるこ
と、前記基体がポリカーボネートあるいはこれを主成分
とする高分子であること、薄膜形成装置によって堆積さ
せた前記薄膜が、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸
化タンタル膜、酸化チタン膜、窒化チタン膜、酸化アル
ミニウム膜、窒化アルミニウム膜、弗化マグネシウム膜
等の絶縁膜であること、前記薄膜が、屈折率２．１〜
２．４の窒化シリコン膜であること、光磁気ディスクの
製造に用いること、表示素子の製造に用いることを含
む。
【０００８】本発明によれば、無端環状導波管にマイク
ロ波電力を供給することによって環状のプラズマが無端
環状導波管に沿って発生することをうまく利用して、１
つのプラズマ源に対して両面で成膜することにより、薄
膜形成の生産性を高くすることができる。
ロ波電力を供給することによって環状のプラズマが無端
環状導波管に沿って発生することをうまく利用して、１
つのプラズマ源に対して両面で成膜することにより、薄
膜形成の生産性を高くすることができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面を参照して説
明する。
明する。
【００１０】図１は薄膜形成装置の１例を示す断面図で
ある。１０１は成膜室、１０２は被覆基体、１０３は被
覆基体１０２を保持するホルダ（移動式）、１０４は排
気管、１０５は第１のガス導入管、１０６は第２のガス
導入管、１０７は導波管、１０８は誘電体である。
ある。１０１は成膜室、１０２は被覆基体、１０３は被
覆基体１０２を保持するホルダ（移動式）、１０４は排
気管、１０５は第１のガス導入管、１０６は第２のガス
導入管、１０７は導波管、１０８は誘電体である。
【００１１】本発明の薄膜形成装置は図１に示すように
被覆基体１０２を保持するホルダ１０３を２系列有し、
該ホルダ１０３、１０３は互いに成膜室１０１内の対面
の位置関係に設けるとともに、前記成膜室１０１にはガ
スを供給する第１のガス導入管１０５及び第２のガス導
入管１０６と、該成膜室１０１から排気する排気管１０
４と２系列のホルダ１０３、１０３の中間に配されたス
ロット付き無端導波管１０７を介してマイクロ波電力を
該成膜室１０１供給し得るように所定間隔にガス導入口
を有する管状の誘電体１０８を２組設けてある。
被覆基体１０２を保持するホルダ１０３を２系列有し、
該ホルダ１０３、１０３は互いに成膜室１０１内の対面
の位置関係に設けるとともに、前記成膜室１０１にはガ
スを供給する第１のガス導入管１０５及び第２のガス導
入管１０６と、該成膜室１０１から排気する排気管１０
４と２系列のホルダ１０３、１０３の中間に配されたス
ロット付き無端導波管１０７を介してマイクロ波電力を
該成膜室１０１供給し得るように所定間隔にガス導入口
を有する管状の誘電体１０８を２組設けてある。
【００１２】支持体１０３は基体を設置し、直線的に搬
送できる構成になっている。搬送の仕方は通常の一定ス
ピードで送り出すスルー搬送や搬送しては一定時間静止
を繰り返す間欠送り等が挙げられる。
送できる構成になっている。搬送の仕方は通常の一定ス
ピードで送り出すスルー搬送や搬送しては一定時間静止
を繰り返す間欠送り等が挙げられる。
【００１３】ガス導入の構成については第１のガス導入
管１０５と第２のガス導入管１０６の２つからなる。第
２のガス導入管１０６からはプラズマにより単独では成
膜しないガス（プラズマ発生用ガス）を無端環状導波管
に沿って導入している。しかもマイクロ波の導入に影響
がないように導入管の材料として誘電体を用いている。
第１のガス導入管１０５からはプラズマにより単独で成
膜するガス（成膜用ガス）を導入している。マイクロ波
の導入に影響がないように第１のガス導入管１０５はそ
の位置を基体に近づけたところにしている。
管１０５と第２のガス導入管１０６の２つからなる。第
２のガス導入管１０６からはプラズマにより単独では成
膜しないガス（プラズマ発生用ガス）を無端環状導波管
に沿って導入している。しかもマイクロ波の導入に影響
がないように導入管の材料として誘電体を用いている。
第１のガス導入管１０５からはプラズマにより単独で成
膜するガス（成膜用ガス）を導入している。マイクロ波
の導入に影響がないように第１のガス導入管１０５はそ
の位置を基体に近づけたところにしている。
【００１４】成膜室１０１内を排気系（不図示）を介し
て、１０-6Ｔｏｒｒの値まで減圧させる。次にガス導入
管１０５・１０６からガスを成膜室１０１内に導入し、
成膜室１０１内の圧力を所望の圧力に保つ。更に導波管
１０７よりマイクロ波を誘電体１０８を介して成膜室１
０１内に導入しプラズマを立て、基体１０２の表面に膜
を成膜する。この装置では両側の基板の支持体１０３を
直線的に搬送し成膜していく。例えば片側に基板を３枚
づつ設置すると搬送しながら合計６枚成膜していくこと
になる。
て、１０-6Ｔｏｒｒの値まで減圧させる。次にガス導入
管１０５・１０６からガスを成膜室１０１内に導入し、
成膜室１０１内の圧力を所望の圧力に保つ。更に導波管
１０７よりマイクロ波を誘電体１０８を介して成膜室１
０１内に導入しプラズマを立て、基体１０２の表面に膜
を成膜する。この装置では両側の基板の支持体１０３を
直線的に搬送し成膜していく。例えば片側に基板を３枚
づつ設置すると搬送しながら合計６枚成膜していくこと
になる。
【００１５】本発明の薄膜形成装置を用いて、使用する
ガスを適宜選択することにより窒化シリコン膜、酸化シ
リコン膜、酸化タンタル膜、酸化チタン膜、窒化チタン
膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜、弗化マ
グネシウム膜等の絶縁膜、ａ−Ｓｉ，ｐｏｌｙ−Ｓｉ，
ＳｉＣ，ＧａＡＳ等の半導体膜、各種の堆積膜を形成す
ることが可能である。
ガスを適宜選択することにより窒化シリコン膜、酸化シ
リコン膜、酸化タンタル膜、酸化チタン膜、窒化チタン
膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜、弗化マ
グネシウム膜等の絶縁膜、ａ−Ｓｉ，ｐｏｌｙ−Ｓｉ，
ＳｉＣ，ＧａＡＳ等の半導体膜、各種の堆積膜を形成す
ることが可能である。
【００１６】窒化シリコン、酸化シリコン等のＳｉ化合
物系薄膜を形成する場合の成膜用ガス（プラズマにより
単独で成膜するガス）導入管を介して導入するＳｉ原子
を含有する原料としてはＳｉＨ4 ，Ｓｉ2 Ｈ6 等の無機
シラン類、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）、テトラ
メトキシシラン（ＴＭＯＳ）、オクタメチルシクロテト
ラシラン（ＯＭＣＴＳ）等の有機シラン類、ＳｉＦ4 ，
Ｓｉ2 Ｆ6 ，ＳｉＨＦ 3 ，ＳｉＨ2 Ｆ2 ，ＳｉＣｌ4 ，
Ｓｉ2 Ｃｌ6 ，ＳｉＨＣｌ3 ，ＳｉＨ2 Ｃｌ2，ＳｉＨ3
Ｃｌ，ＳｉＣｌ2 Ｆ2 等のハロシラン類等、常温常圧
でガス状態にあるものまたは容易にガス化し得るものが
挙げられる。また、この場合のプラズマ発生用ガス（プ
ラズマにより単独では成膜しないガス）導入管を介して
導入する原料としては、Ｎ2 、ＮＨ3 、Ｎ2 Ｈ4 、ヘキ
サメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、Ｏ2 ，Ｏ3 ，Ｈ2
Ｏ，ＮＯ，Ｎ2 Ｏ，ＢＯ2 等が挙げられる。
物系薄膜を形成する場合の成膜用ガス（プラズマにより
単独で成膜するガス）導入管を介して導入するＳｉ原子
を含有する原料としてはＳｉＨ4 ，Ｓｉ2 Ｈ6 等の無機
シラン類、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）、テトラ
メトキシシラン（ＴＭＯＳ）、オクタメチルシクロテト
ラシラン（ＯＭＣＴＳ）等の有機シラン類、ＳｉＦ4 ，
Ｓｉ2 Ｆ6 ，ＳｉＨＦ 3 ，ＳｉＨ2 Ｆ2 ，ＳｉＣｌ4 ，
Ｓｉ2 Ｃｌ6 ，ＳｉＨＣｌ3 ，ＳｉＨ2 Ｃｌ2，ＳｉＨ3
Ｃｌ，ＳｉＣｌ2 Ｆ2 等のハロシラン類等、常温常圧
でガス状態にあるものまたは容易にガス化し得るものが
挙げられる。また、この場合のプラズマ発生用ガス（プ
ラズマにより単独では成膜しないガス）導入管を介して
導入する原料としては、Ｎ2 、ＮＨ3 、Ｎ2 Ｈ4 、ヘキ
サメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、Ｏ2 ，Ｏ3 ，Ｈ2
Ｏ，ＮＯ，Ｎ2 Ｏ，ＢＯ2 等が挙げられる。
【００１７】ａ−Ｓｉ，ｐｏｌｙ−Ｓｉ，ＳｉＣ等のＳ
ｉ系半導体膜を形成する場合の成膜用ガス導入管を介し
て導入するＳｉ原子を含有する原料としては、ＳｉＨ
4 ，Ｓｉ2 Ｈ6 等無機シラン類、テトラエトキシシラン
（ＴＥＯＳ）、テトラメトキシシラン（ＴＭＯＳ）、オ
クタメチルシクロテトラシラン（ＯＭＣＴＳ）等の有機
シラン類、ＳｉＦ4 ，Ｓｉ2 Ｆ6 ，ＳｉＨＦ3 ，ＳｉＨ
2 Ｆ2 ，ＳｉＣｌ4 ，Ｓｉ2 Ｃｌ6 ，ＳｉＨｃｌ3 ，Ｓ
ｉＨ2 Ｃｌ2 ，ＳｉＨ3 Ｃｌ，ＳｉＣｌ2 Ｆ2 等のハロ
シラン類等、常温常圧でガス状態にあるものまたは容易
にガス化し得るものが挙げられる。またこの場合のプラ
ズマ発生用ガス導入管を介して導入する原料としてはＨ
2 ，Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒ等が挙げられる。
ｉ系半導体膜を形成する場合の成膜用ガス導入管を介し
て導入するＳｉ原子を含有する原料としては、ＳｉＨ
4 ，Ｓｉ2 Ｈ6 等無機シラン類、テトラエトキシシラン
（ＴＥＯＳ）、テトラメトキシシラン（ＴＭＯＳ）、オ
クタメチルシクロテトラシラン（ＯＭＣＴＳ）等の有機
シラン類、ＳｉＦ4 ，Ｓｉ2 Ｆ6 ，ＳｉＨＦ3 ，ＳｉＨ
2 Ｆ2 ，ＳｉＣｌ4 ，Ｓｉ2 Ｃｌ6 ，ＳｉＨｃｌ3 ，Ｓ
ｉＨ2 Ｃｌ2 ，ＳｉＨ3 Ｃｌ，ＳｉＣｌ2 Ｆ2 等のハロ
シラン類等、常温常圧でガス状態にあるものまたは容易
にガス化し得るものが挙げられる。またこの場合のプラ
ズマ発生用ガス導入管を介して導入する原料としてはＨ
2 ，Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒ等が挙げられる。
【００１８】本発明の薄膜形成装置を用いて成膜する基
体は導電性のものであっても、電気絶縁性のものであっ
ても、半導体であってもよいが、特に耐熱性の低い基板
上への薄膜形成に有効である。例えばポリカーボネート
は耐熱温度が６０℃であるが、基体温度６０℃以下で良
質な膜が得られる。耐熱温度が１００℃以下である低耐
熱性基体としては、ポリエチレン、ポリエステル、ポリ
カーボネート、セルロースアセテート、ポリプロピレ
ン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレ
ン、ポリアミド等の有機物のフィルム、シート等が挙げ
られる。
体は導電性のものであっても、電気絶縁性のものであっ
ても、半導体であってもよいが、特に耐熱性の低い基板
上への薄膜形成に有効である。例えばポリカーボネート
は耐熱温度が６０℃であるが、基体温度６０℃以下で良
質な膜が得られる。耐熱温度が１００℃以下である低耐
熱性基体としては、ポリエチレン、ポリエステル、ポリ
カーボネート、セルロースアセテート、ポリプロピレ
ン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレ
ン、ポリアミド等の有機物のフィルム、シート等が挙げ
られる。
【００１９】以下実施例を挙げて本発明を具体的に説明
するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではな
い。
するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではな
い。
【００２０】
実施例１ 本発明の薄膜形成装置を光磁気ディスク用窒化シリコン
膜形成に応用した実施例を図１を用いて説明する。図１
は薄膜形成装置の断面図である。
膜形成に応用した実施例を図１を用いて説明する。図１
は薄膜形成装置の断面図である。
【００２１】基体１０２としては、ポリカーボネート
（ＰＣ）基板［φ３．５インチ、耐熱温度６０℃］を使
用した。まず基体１０２を基板の支持体１０３に片側６
枚計１２枚設置し、成膜室１０１内を排気系（不図示）
を介して、１０-6Ｔｏｒｒの値まで減圧させた。次に第
１のガス導入管１０５からＳｉＨ4 と第２のガス導入管
１０６からＮ2 を成膜室１０１内に導入し、成膜室１０
１内の圧力を２ｍＴｏｒｒの圧力に保持した。更に、
２．４５ＧＨｚのマイクロ波電源（不図示）より発振し
た５ｋＷの電力をスロット付環状導波管１０７から誘電
体１０８を介して成膜室１０１に導入しプラズマを発生
させた。基板の支持体１０３を一定速度で搬送しなが
ら、基体１０２の表面に窒化シリコン膜を成膜した。片
側だけに比べ両側にすることで２倍に生産性があがっ
た。
（ＰＣ）基板［φ３．５インチ、耐熱温度６０℃］を使
用した。まず基体１０２を基板の支持体１０３に片側６
枚計１２枚設置し、成膜室１０１内を排気系（不図示）
を介して、１０-6Ｔｏｒｒの値まで減圧させた。次に第
１のガス導入管１０５からＳｉＨ4 と第２のガス導入管
１０６からＮ2 を成膜室１０１内に導入し、成膜室１０
１内の圧力を２ｍＴｏｒｒの圧力に保持した。更に、
２．４５ＧＨｚのマイクロ波電源（不図示）より発振し
た５ｋＷの電力をスロット付環状導波管１０７から誘電
体１０８を介して成膜室１０１に導入しプラズマを発生
させた。基板の支持体１０３を一定速度で搬送しなが
ら、基体１０２の表面に窒化シリコン膜を成膜した。片
側だけに比べ両側にすることで２倍に生産性があがっ
た。
【００２２】実施例２ 本発明の薄膜形成装置を光磁気ディスク用窒化シリコン
膜形成に応用した実施例を図２を用いて説明する。図２
は薄膜形成装置の断面図である。
膜形成に応用した実施例を図２を用いて説明する。図２
は薄膜形成装置の断面図である。
【００２３】基体２０２としては、ポリカーボネート
（ＰＣ）基板［φ３．５インチ、耐熱温度６０℃］を使
用した。まず基体２０２を基板の支持体２０３に片側５
枚計１０枚設置し、成膜室２０１内を排気系（不図示）
を介して、１０-6Ｔｏｒｒの値まで減圧させた。次に第
１のガス導入管２０５からＳｉＨ4 と第２のガス導入管
２０６からＮ2 を成膜室２０１内に導入し、成膜室２０
１内の圧力を５ｍＴｏｒｒの圧力に保持した。更に、
２．４５ＧＨｚのマイクロ波電源（不図示）より発振し
た５ｋＷの電力をスロット付環状導波管２０７から誘電
体２０８を介して成膜室２０１に導入しプラズマを発生
させた。基板の支持体２０３を一定速度で搬送しなが
ら、基体２０２の表面に窒化シリコン膜を成膜した。片
側だけに比べ両側にすることで２倍に生産性があがっ
た。
（ＰＣ）基板［φ３．５インチ、耐熱温度６０℃］を使
用した。まず基体２０２を基板の支持体２０３に片側５
枚計１０枚設置し、成膜室２０１内を排気系（不図示）
を介して、１０-6Ｔｏｒｒの値まで減圧させた。次に第
１のガス導入管２０５からＳｉＨ4 と第２のガス導入管
２０６からＮ2 を成膜室２０１内に導入し、成膜室２０
１内の圧力を５ｍＴｏｒｒの圧力に保持した。更に、
２．４５ＧＨｚのマイクロ波電源（不図示）より発振し
た５ｋＷの電力をスロット付環状導波管２０７から誘電
体２０８を介して成膜室２０１に導入しプラズマを発生
させた。基板の支持体２０３を一定速度で搬送しなが
ら、基体２０２の表面に窒化シリコン膜を成膜した。片
側だけに比べ両側にすることで２倍に生産性があがっ
た。
【００２４】実施例３ 本発明の薄膜形成装置を液晶表示用基板の酸化シリコン
膜の形成に応用した実施例を図１を用いて説明する。図
１は薄膜形成装置の断面図である。
膜の形成に応用した実施例を図１を用いて説明する。図
１は薄膜形成装置の断面図である。
【００２５】基体１０２としては、電極（ＩＴＯ膜やＡ
ｌ膜等）が形成してあるガラス基板を使用した。まず基
体１０２を基板の支持体１０３に片側８枚計１６枚設置
し、成膜室１０１内を排気系（不図示）を介して、１０
-6Ｔｏｒｒの値まで減圧させた。次に第１のガス導入管
１０５からＳｉＨ4 と第２のガス導入管１０６からＡｒ
で希釈したＯ2 を成膜室１０１内に導入し、成膜室１０
１内の圧力を２ｍＴｏｒｒの圧力に保持した。更に、
２．４５ＧＨｚのマイクロ波電源（不図示）より発振し
た１ｋＷの電力をスロット付環状導波管１０７を介して
成膜室１０１に導入しプラズマを発生させた。基板の支
持体１０３を一定速度で搬送しながら、基体１０２の表
面に窒化シリコン膜を成膜した。片側だけに比べ両側に
することで２倍に生産性があがった。
ｌ膜等）が形成してあるガラス基板を使用した。まず基
体１０２を基板の支持体１０３に片側８枚計１６枚設置
し、成膜室１０１内を排気系（不図示）を介して、１０
-6Ｔｏｒｒの値まで減圧させた。次に第１のガス導入管
１０５からＳｉＨ4 と第２のガス導入管１０６からＡｒ
で希釈したＯ2 を成膜室１０１内に導入し、成膜室１０
１内の圧力を２ｍＴｏｒｒの圧力に保持した。更に、
２．４５ＧＨｚのマイクロ波電源（不図示）より発振し
た１ｋＷの電力をスロット付環状導波管１０７を介して
成膜室１０１に導入しプラズマを発生させた。基板の支
持体１０３を一定速度で搬送しながら、基体１０２の表
面に窒化シリコン膜を成膜した。片側だけに比べ両側に
することで２倍に生産性があがった。
【００２６】実施例４ 本発明の薄膜形成装置をプラスチックレンズ反射防止用
窒化シリコン膜及び酸化シリコン膜の形成に応用した実
施例を図１を用いて説明する。図１は薄膜形成装置の断
面図である。
窒化シリコン膜及び酸化シリコン膜の形成に応用した実
施例を図１を用いて説明する。図１は薄膜形成装置の断
面図である。
【００２７】基体１０２としては、直径５０ｍｍプラス
チック凸レンズを使用した。まず基体１０２を基板の支
持体１０３に片側１０枚計２０枚設置し、成膜室１０１
内を排気系（不図示）を介して、１０-6Ｔｏｒｒの値ま
で減圧させた。次に第１のガス導入管１０５からＳｉＨ
4 と第２のガス導入管１０６からＡｒで希釈したＮ2を
成膜室１０１内に導入し、成膜室１０１内の圧力を１ｍ
Ｔｏｒｒの圧力に保持した。更に、２．４５ＧＨｚのマ
イクロ波電源（不図示）より発振した１ｋＷの電力をス
ロット付環状導波管１０７を介して成膜室１０１に導入
しプラズマを発生させた。基板の支持体１０３を一定速
度で搬送しながら、基体１０２の表面に窒化シリコン膜
を成膜した。
チック凸レンズを使用した。まず基体１０２を基板の支
持体１０３に片側１０枚計２０枚設置し、成膜室１０１
内を排気系（不図示）を介して、１０-6Ｔｏｒｒの値ま
で減圧させた。次に第１のガス導入管１０５からＳｉＨ
4 と第２のガス導入管１０６からＡｒで希釈したＮ2を
成膜室１０１内に導入し、成膜室１０１内の圧力を１ｍ
Ｔｏｒｒの圧力に保持した。更に、２．４５ＧＨｚのマ
イクロ波電源（不図示）より発振した１ｋＷの電力をス
ロット付環状導波管１０７を介して成膜室１０１に導入
しプラズマを発生させた。基板の支持体１０３を一定速
度で搬送しながら、基体１０２の表面に窒化シリコン膜
を成膜した。
【００２８】更に成膜室１０１内を排気系（不図示）を
介して、１０-6Ｔｏｒｒの値まで減圧させた。次に第１
のガス導入管１０５からＳｉＨ4 と第２のガス導入管１
０６からＡｒで希釈したＯ2 を成膜室１０１内に導入
し、成膜室１０１内の圧力を１ｍＴｏｒｒの圧力に保持
した。更に、２．４５ＧＨｚのマイクロ波電源（不図
示）より発振した１ｋＷの電力をスロット付環状導波管
１０７を介して成膜室１０１に導入しプラズマを発生さ
せた。基板の支持体１０３を一定速度で搬送しながら、
窒化シリコン膜上に酸化シリコン膜を成膜した。片側だ
けに比べ両側にすることで２倍に生産性があがった。
介して、１０-6Ｔｏｒｒの値まで減圧させた。次に第１
のガス導入管１０５からＳｉＨ4 と第２のガス導入管１
０６からＡｒで希釈したＯ2 を成膜室１０１内に導入
し、成膜室１０１内の圧力を１ｍＴｏｒｒの圧力に保持
した。更に、２．４５ＧＨｚのマイクロ波電源（不図
示）より発振した１ｋＷの電力をスロット付環状導波管
１０７を介して成膜室１０１に導入しプラズマを発生さ
せた。基板の支持体１０３を一定速度で搬送しながら、
窒化シリコン膜上に酸化シリコン膜を成膜した。片側だ
けに比べ両側にすることで２倍に生産性があがった。
【００２９】実施例５ 本発明の薄膜形成装置を太陽電池用ｐｉｎ接合型光起電
力層の形成に応用した実施例を図２を用いて説明する。
図２は薄膜形成装置の断面図である。
力層の形成に応用した実施例を図２を用いて説明する。
図２は薄膜形成装置の断面図である。
【００３０】基体２０２としては、帯状のステンレス
（ＳＵＳ４３０）上に下部電極としてＡｌ膜をコーティ
ングしたものを使用した。帯状基体２０２は送り出しボ
ビン（不図示）から支持体２０３を介して巻き取りボビ
ン（不図示）に設置した。成膜室２０１内を排気系（不
図示）を介して、１０-6Ｔｏｒｒの値まで減圧させた。
更に基体２０２に加熱手段（不図示）を用いて３５０℃
間で加熱し保持した。次に第１のガス導入管２０５から
ＳｉＨ4 ，１％ＰＨ3 ／Ｈ2 ，ＳｉＦ4 、第２のガス導
入管２０６からＨ2 を成膜室２０１内に導入し、成膜室
２０１内の圧力を１５ｍＴｏｒｒの圧力に保持した。更
に、２．４５ＧＨｚのマイクロ波電源（不図示）より発
振した８００Ｗの電力をスロット付環状導波管２０７か
ら誘電体２０８を介して成膜室２０１に導入しプラズマ
を発生させた。基板の支持体２０３を一定速度で搬送し
ながら、基体２０２の表面にｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈ：Ｆ膜を
成膜した。
（ＳＵＳ４３０）上に下部電極としてＡｌ膜をコーティ
ングしたものを使用した。帯状基体２０２は送り出しボ
ビン（不図示）から支持体２０３を介して巻き取りボビ
ン（不図示）に設置した。成膜室２０１内を排気系（不
図示）を介して、１０-6Ｔｏｒｒの値まで減圧させた。
更に基体２０２に加熱手段（不図示）を用いて３５０℃
間で加熱し保持した。次に第１のガス導入管２０５から
ＳｉＨ4 ，１％ＰＨ3 ／Ｈ2 ，ＳｉＦ4 、第２のガス導
入管２０６からＨ2 を成膜室２０１内に導入し、成膜室
２０１内の圧力を１５ｍＴｏｒｒの圧力に保持した。更
に、２．４５ＧＨｚのマイクロ波電源（不図示）より発
振した８００Ｗの電力をスロット付環状導波管２０７か
ら誘電体２０８を介して成膜室２０１に導入しプラズマ
を発生させた。基板の支持体２０３を一定速度で搬送し
ながら、基体２０２の表面にｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈ：Ｆ膜を
成膜した。
【００３１】更に成膜室２０１内を排気系（不図示）を
介して、１０-6Ｔｏｒｒの値まで減圧させた。次に第１
のガス導入管２０５からＳｉＨ4 ，ＳｉＦ4 、第２のガ
ス導入管２０６からＨ2 を成膜室２０１内に導入し、成
膜室２０１内の圧力を１０ｍＴｏｒｒの圧力に保持し
た。更に、２．４５ＧＨｚのマイクロ波電源（不図示）
より発振した１．２ｋＷの電力をスロット付環状導波管
２０７を介して成膜室２０１に導入しプラズマを発生さ
せた。基板の支持体２０３を一定速度で搬送しながら、
ｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈ：Ｆ膜上にｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈ：Ｆ膜を
成膜した。
介して、１０-6Ｔｏｒｒの値まで減圧させた。次に第１
のガス導入管２０５からＳｉＨ4 ，ＳｉＦ4 、第２のガ
ス導入管２０６からＨ2 を成膜室２０１内に導入し、成
膜室２０１内の圧力を１０ｍＴｏｒｒの圧力に保持し
た。更に、２．４５ＧＨｚのマイクロ波電源（不図示）
より発振した１．２ｋＷの電力をスロット付環状導波管
２０７を介して成膜室２０１に導入しプラズマを発生さ
せた。基板の支持体２０３を一定速度で搬送しながら、
ｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈ：Ｆ膜上にｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈ：Ｆ膜を
成膜した。
【００３２】更に成膜室２０１内の排気系（不図示）を
介して、１０-6Ｔｏｒｒの値まで減圧させた。次に第１
のガス導入管２０５からＳｉＨ4 ，０．３％Ｂ2 Ｈ6 ／
Ｈ2，ＳｉＦ4 、第２のガス導入管２０６からＨ2 を成
膜室２０１内に導入し、成膜室２０１内の圧力を２０ｍ
Ｔｏｒｒの圧力に保持した。更に、２．４５ＧＨｚのマ
イクロ波電源（不図示）より発振した１．２ｋＷの電力
をスロット付環状導波管２０７を介して成膜室２０１に
導入しプラズマを発生させた。基板の支持体２０３を一
定速度で搬送しながら、ｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈ：Ｆ膜上にｐ
型ａ−Ｓｉ：Ｈ：Ｆ膜を成膜した。片側だけに比べ両側
にすることで２倍に生産性があがった。
介して、１０-6Ｔｏｒｒの値まで減圧させた。次に第１
のガス導入管２０５からＳｉＨ4 ，０．３％Ｂ2 Ｈ6 ／
Ｈ2，ＳｉＦ4 、第２のガス導入管２０６からＨ2 を成
膜室２０１内に導入し、成膜室２０１内の圧力を２０ｍ
Ｔｏｒｒの圧力に保持した。更に、２．４５ＧＨｚのマ
イクロ波電源（不図示）より発振した１．２ｋＷの電力
をスロット付環状導波管２０７を介して成膜室２０１に
導入しプラズマを発生させた。基板の支持体２０３を一
定速度で搬送しながら、ｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈ：Ｆ膜上にｐ
型ａ−Ｓｉ：Ｈ：Ｆ膜を成膜した。片側だけに比べ両側
にすることで２倍に生産性があがった。
【発明の効果】以上説明したように、無端環状導波管に
マイクロ波電力を供給することによって環状のプラズマ
が無端環状導波管に沿って発生することをうまく利用す
ることにより、基板の支持体が１つのプラズマ源の両側
を搬送していくことで例えば片側５枚の基板を支持体に
設置すれば、両側で１０枚の基板が搬送されながら成膜
されていく。片側だけに比べ２倍の生産性がある。
マイクロ波電力を供給することによって環状のプラズマ
が無端環状導波管に沿って発生することをうまく利用す
ることにより、基板の支持体が１つのプラズマ源の両側
を搬送していくことで例えば片側５枚の基板を支持体に
設置すれば、両側で１０枚の基板が搬送されながら成膜
されていく。片側だけに比べ２倍の生産性がある。
【図１】本発明の実施例１、実施例３及び実施例４に係
わる薄膜形成装置の断面図である。
わる薄膜形成装置の断面図である。
【図２】本発明の実施例２及び実施例５に係わる薄膜形
成装置の断面図である。
成装置の断面図である。
【図３】従来例に係わる薄膜形成装置の断面図である。
１０１，２０１，３０１ 成膜室 １０２，２０２，３０２ 基体 １０３，２０３，３０３ 基体のホルダ １０４，２０４，３０４ 排気管 １０５，２０５，３０７ 第１のガス導入管 １０６，２０６，３０８ 第２のガス導入管 １０７，２０７，３０５ 導波管 １０８，２０８，３０６ 誘電体
Claims (11)
- 【請求項１】 被覆基体を保持するホルダを２系列含
み、該ホルダが互いに対面の位置関係にある成膜室と、
該成膜室にガスを供給する手段と、該成膜室から排気す
る手段と２系列の該ホルダの中間に配された複数のスロ
ットが内側面に形成された終端を持たない無端環状導波
管を介してマイクロ波電力を該成膜室に供給する手段と
で構成されることを特徴とする薄膜形成装置。 - 【請求項２】 プラズマにより単独では膜化しない第２
のガスの供給手段として、マイクロ波を供給する無端環
状導波管に沿って該成膜室内に所定間隔にガス導入口が
開けてある管状の誘電体を設置してある請求項１に記載
の薄膜形成装置。 - 【請求項３】 プラズマにより単独で膜化する第１のガ
スの供給手段として、所定間隔にガス導入口が開けてあ
る管を２組設置してある請求項１または２に記載の薄膜
形成装置。 - 【請求項４】 該第２のガスの供給手段として、マイク
ロ波を供給する無端環状導波管に沿って該成膜室内に所
定間隔にガス導入口が開けてある管が２組あり、無端環
状導波管をお互いに鏡像関係に分割できる位置での断面
（中心面）に対して互いに等距離でガス導入口の向きが
該中心面に垂直でかつ該中心面向きであり、該第１のガ
スの供給手段として、該成膜室内に所定間隔にガス導入
口が開けてある管が２組あり、該中心面に対して互いに
等距離で該第２のガスの供給手段よりも該中心面から離
れた位置でガス導入口の向きが該中心面に対して平行で
かつ内向きである請求項１に記載の薄膜形成装置。 - 【請求項５】 該ホルダが移動できる請求項１乃至４の
いずれか１項に記載の薄膜形成装置。 - 【請求項６】 耐熱温度が１００℃以下である基体を用
いる請求項１乃至５のいずれか１項に記載の薄膜形成装
置。 - 【請求項７】 該基体がポリカーボネートあるいはこれ
を主成分とする高分子である請求項６に記載の薄膜形成
装置。 - 【請求項８】 該薄膜形成装置によって堆積させた薄膜
が、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸化タンタル
膜、酸化チタン膜、窒化チタン膜、酸化アルミニウム
膜、窒化アルミニウム膜、弗化マグネシウム膜等の絶縁
膜である請求項１乃至７のいずれか１項に記載の薄膜形
成装置。 - 【請求項９】 該薄膜が、屈折率２．１〜２．４の窒化
シリコン膜である請求項８に記載の薄膜形成装置。 - 【請求項１０】 光磁気ディスクの製造に用いる請求項
１乃至９のいずれか１項に記載の薄膜形成装置。 - 【請求項１１】 表示素子の製造に用いる請求項１乃至
９のいずれか１項に記載の薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7234067A JPH0978247A (ja) | 1995-09-12 | 1995-09-12 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7234067A JPH0978247A (ja) | 1995-09-12 | 1995-09-12 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0978247A true JPH0978247A (ja) | 1997-03-25 |
Family
ID=16965079
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7234067A Pending JPH0978247A (ja) | 1995-09-12 | 1995-09-12 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0978247A (ja) |
-
1995
- 1995-09-12 JP JP7234067A patent/JPH0978247A/ja active Pending
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